JPH0897217A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JPH0897217A JP6226807A JP22680794A JPH0897217A JP H0897217 A JPH0897217 A JP H0897217A JP 6226807 A JP6226807 A JP 6226807A JP 22680794 A JP22680794 A JP 22680794A JP H0897217 A JPH0897217 A JP H0897217A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 パッケージ自体のサイズの増大を抑制し、放
熱性等を改善した半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。 【構成】 複数の電極パッドを持つ半導体チップ上に、
所望のパターンで電極パッドに接続した金属配線が形成
され、さらに、該金属配線上全面に、微細導電粒子を含
んでなる異方性導電膜が積層されており、前記金属配線
上の所望の部分の異方性導電膜に凹部が形成され、該凹
部に外部電極が密着されて前記金属配線と外部電極とが
異方性導電膜中の微細導電粒子を介して接続されて構成
される半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置及びその製
造方法に関し、より詳細には半導体装置におけるパッケ
ージ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より利用されている表面実装型パッ
ケージであるＳＭＤ(Serface Mount Device)を、図面に
基づいて説明する。図１４に示した半導体装置は、定形
型のモールドパッケージであるＱＦＰ(Quad Flat Packa
ge) であり、パッケージ側面からでた外部端子であるア
ウターリードを、実装基板などへハンダによって実装す
るものである。つまり、このようなＱＦＰにおいては、
半導体チップ２１が、アウターリード２４と同一金属フ
レーム上に作製されたアイランド２０に、ダイボンディ
ング用のエポキシ導電ペーストを用いて固定されてい
る。固定された半導体チップ２１表面の電極パッド２３
は、Ａｕなどで代表される金属ワイヤー２２を用いてア
ウターリード２４につながるインナーリード２４ａと接
続され、さらに、これら半導体チップ２１、インナーリ
ード２４ａ及び金属ワイヤー２２は、樹脂２５により封
止されて構成されている。また、図１５に示した半導体
装置は、ＢＧＡ(Ball Grid Alley) である。これは、ア
ウターリードピッチが０．３〜０．５ｍｍと微細なピッ
チである多ピンＱＦＰのアウターリードピッチを広く拡
大することを可能にするパッケージであり、外部端子と
して、パッケージ底面全体にハンダボールを配置してい
る。つまり、ＢＧＡパッケージにおいては、樹脂基板３
４上に、半導体チップ３１を、ダイボンディング用のエ
ポキシ導電ペーストを用いて固定する。この樹脂基板３
４は、その表面及び裏面に配線層３８及び３９がそれぞ
れ形成されており、この表面配線層３８と裏面配線層３
９とは、スルホール電極３６によって接続されている。
また、半導体チップ３１表面には、電極パッド３３が形
成されており、この電極パッド３３は、金属ワイヤー３
２を用いて、樹脂基板３４上の表面配線層３８と接続さ
れている。裏面配線層３９には、所望の位置に外部電極
としてハンダボール３７が形成されており、これら半導
体チップ３１は、モールド又はポッティングなどによっ
て樹脂３５で封止されている。これによって、半導体チ
ップ３１表面の電極パッド３３は、金属ワイヤー３２、
表面配線層３８、スルホール電極３６、裏面配線層３９
を介して外部電極と接続されることとなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＱＦＰやＢＧＡな
どのパッケージでは、半導体チップの電極から外部への
出力をワイヤーボンドで行うために、例えば、半導体チ
ップに形成された電極パッドとアウターリードとの間隔
を確保する必要があるため、パッケージのサイズが半導
体チップよりも大きくなる。また、半導体チップの周辺
部に電極パッドを形成する必要があるため、半導体チッ
プ自体のサイズも大きくならざるを得ないという課題が
あった。また、ＢＧＡパッケージにおいては、樹脂基板
を用いることでモールド樹脂のみによる封止に比べても
放熱性に劣るとともに、半導体チップを搭載している樹
脂基板面のみを樹脂で封止するため、樹脂基板が反ると
いう課題があった。本発明は上記課題に鑑みなされたも
のであり、パッケージ自体のサイズの増大を抑制し、放
熱性等を改善した半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
電極パッドを有する半導体チップ上に、所望のパターン
で電極パッドと接続する金属配線が形成され、さらに、
該金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方性
導電膜が積層されており、前記金属配線上の所望の部分
の異方性導電膜に凹部が形成され、該凹部に外部電極が
密着されて前記金属配線と外部電極とが異方性導電膜中
の微細導電粒子を介して接続されて構成される半導体装
置が提供される。
【０００５】また、(i) 半導体基板上に電極パッドと接
続し、所望のパターンを有する金属配線を形成し、(ii)
さらに、前記金属配線上全面に、微細導電粒子を含んで
なる異方性導電膜を積層させ、(iii) 前記異方性導電膜
の金属配線上の所望の部分を押圧して、該異方性導電膜
に凹部を形成し、(iv)前記凹部に外部電極を密着させ
て、該外部電極と前記金属配線とを、異方性導電膜中の
微細導電粒子を介して接続させることからなる半導体装
置の製造方法が提供される。
【０００６】本発明において用いる半導体チップは、半
導体ウェハ、例えばシリコンウェハ上に、トランジスタ
やキャパシタ等の所望の半導体素子、及び層間絶縁膜等
が形成されたものであり、このように半導体素子が形成
されたウェハを切断してチップ状としたものも含む。
【０００７】半導体チップ上に形成された電極パッド
は、アルミニウム等が代表的で、その膜厚は、１０００
０Å〜２００００Å程度が好ましく、形状及び大きさ
は、形成する半導体装置の大きさ等により適宜調節する
ことができる。このような電極パッドは、公知の方法、
例えばフォトリソグラフィ及びエッチング技術により、
所望の形状にパターニングすることができる。
【０００８】また、本発明においては、電極パッド上に
開口を有するパッシベーション膜を半導体チップ上に形
成してもよい。パッシベーション膜は、ＳｉＯ2 、Ｓｉ
Ｎ、ＰＳＧ及びこれらの積層膜により、公知の方法、例
えばＣＶＤ法等により形成することができる。この際の
膜厚は、特に限定されるものではない。
【０００９】さらに、金属配線としては、バリアメタル
とその上に形成するメッキ金属との密着用金属膜、さら
にメッキ金属の積層膜で形成されるのが好ましいが、電
極パッドと密着性がよい膜であればメッキ金属の単層膜
でもよい。バリアメタルとしては、ＴｉＷ、ＴｉＮ、Ｔ
ｉ等を形成したのち、メッキ金属との密着用金属膜とし
てＡｕ、Ｐｔ等を形成する。この上に、メッキ配線を積
層する場合には、公知のメッキ方法、例えば、所望の電
極材料を含有するメッキ液を用いることにより形成する
ことができる。このような金属配線は、公知の方法、例
えば、適当なエッテャントを選択することにより所望の
形状にパターニングすることができる。具体例として
は、Ａｕを用いた場合にはＩ2 ＋ＫＩ、ＴｉＷを用いた
場合にはＨ 2 Ｏ2 を用いてエッチングすることができ
る。金属配線は、異方性導電膜に凹部を形成する際の押
圧に対して金属配線下へのダメージを緩和することが可
能となる。そのためには低弾性の金属を使用するが、Ａ
ｕを１０μｍ以上で形成することが好ましい。
【００１０】なお、上記膜を半導体チップを形成した半
導体ウェハ上に形成したのち、金属配線を構成する膜の
膜応力を緩和するため及びパッシベーション膜と金属膜
との密着性を向上する目的で、熱処理を行ってもよい。
この際の熱処理は、約３００℃、３０〜６０分間程度、
窒素雰囲気中又は大気中で行うことが好ましい。
【００１１】また、本発明における金属配線上全面に積
層する異方性導電膜として、熱硬化性樹脂に微細導電粒
子（直径２〜１５μｍ程度）を混在させたものを使用す
ることができる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、
ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂等を挙げることがで
きるが、なかでも、エポキシ樹脂を用いることが好まし
い。また、微細導電粒子としては、例えば、プラスチッ
クボールにＡｕ／Ｎｉメッキしたもの、Ｎｉ粒子、Ｐｂ
／Ｓｎ粒子等を使用することができる。このような異方
性導電膜は、シート状のものを用いることが好ましく、
例えば、半導体素子及び各種膜が形成された半導体チッ
プ上に、シート状の異方性導電膜を張りつけ、ボンディ
ングツールを使用することにより半導体チップ上に、隙
間なく密着させることができる。ボンディングツールを
用いる場合には、例えば、８０〜１００℃、５〜１０秒
間程度、８〜１２Ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で密着させること
が好ましい。
【００１２】上記異方性導電膜は、公知の外部電極形成
ツールで押圧されることにより、所望の形状の凹部をそ
の表面に形成することができる。この際の押圧は、用い
る外部電極形成ツールの大きさ、異方性導電膜の厚さ、
異方性導電膜を構成する樹脂の種類等により適宜調節す
ることができるが、例えば、１８０〜２００℃、２０〜
３０秒間程度、１つの凹部あたり５０〜８０ｇで行うこ
とが好ましい。
【００１３】さらに、本発明においては上記凹部に、外
部電極が密着されている。外部電極としては、ハンダボ
ール、又はプラスチックボールにＣｕメッキした上にハ
ンダを施したボール等を用いることが好ましい。このハ
ンダボールは、略球状で、その大きさは特に限定される
ものではなく、形成した凹部の大きさにより適宜選択す
ることができ、例えば、０．０１〜１ｍｍ程度の大きさ
のものが使用される。この外部電極を凹部に密着させる
方法としては、凹部よりもやや大きめの直径を有する外
部電極を選び、その外部電極を凹部に載置し、２００〜
２２０℃、２〜５分間程度、Ｎ2 雰囲気中で加熱するこ
とにより、外部電極の一部が溶解し、凹部の底部に密着
することとなる。このように、外部電極が凹部の底部に
密着した場合には、外部電極が、凹部の底面に位置する
微細導電粒子と直接接触し、さらに、微細導電粒子が下
層の金属配線と接続されることとなり、結果として、外
部電極と金属配線とが微細導電粒子を介して接続される
こととなる。
【作用】本発明の半導体装置によれば、複数の電極パッ
ドを有する半導体チップ上に、所望のパターンで電極パ
ッドに接続した金属配線が形成され、さらに、該金属配
線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方性導電膜が
積層されており、前記金属配線上の所望の部分の異方性
導電膜に凹部が形成され、該凹部に外部電極が密着され
て前記金属配線と外部電極とが異方性導電膜中の微細導
電粒子を介して接続されて構成されるので、ワイヤボン
ディングを行うことが不要となる。また、外部電極が任
意の位置に形成されているため、電極パッドは半導体チ
ップ周辺部に限定されることなく、任意の位置に形成さ
れることとなる。さらに、半導体チップの表面層のみ
が、異方性導電膜により被覆されるので、放熱性が良好
となるとともに、パッケージ自体が、半導体チップの大
きさと同程度であるため、小型化が図られることとな
る。
【００１４】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、(i) 半導体素子が形成された半導体ウェハ上に所
望のパターンを有する金属配線を形成し、(ii)さらに、
前記金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでなる異方
性導電膜を積層させ、(iii)前記異方性導電膜の金属配
線上の所望の部分を押圧して、該異方性導電膜に凹部を
形成し、(iv)前記凹部に外部電極を密着させて、該外部
電極と前記金属配線とを、異方性導電膜中の微細導電粒
子を介して接続させることからなるので、外部電極が任
意の位置に形成されることとなり、これに併せて、電極
パッドも半導体チップの周辺部に形成する必要がなくな
る。また、半導体チップのサイズが、パッケージのサイ
ズと同等に形成することができるため、従来のＱＦＰ等
のパッケージに封止される半導体チップに比較して、半
導体チップのサイズを大きくすることができ、最先端の
微細化プロセスを使用することなしに形成することがで
きる。
【００１５】
【実施例】本発明の半導体装置及びその製造方法の実施
例を、以下に説明する。本発明の半導体装置において
は、一般的な半導体素子を形成したウェハ作製工程を完
了したウェハを用いて製造する。
【００１６】実施例１ まず、図１に示したように、半導体素子が形成されたウ
ェハ１上に、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）やフリッ
プチップ等に使用されるバンプ（突出電極）形成技術を
用いて金属配線を形成する。
【００１７】次いで、図２に示したように、Ａｌ電極２
及びパッシベーション膜３を含むウェハ１上全面にスパ
ッタにより、金属膜４を蒸着する。金属膜４は拡散防止
用のバリアメタルとしてＴｉ−Ｗ（２５００Å）、メッ
キ金属との密着用金属膜としてＡｕ（１０００Å）であ
る。この金属膜４上に、フォトレジストを塗布し、配線
に使用するメッキ部分のフォトレジストをフォトリソグ
ラフィ技術により開口して、所望のレジストパターン１
８を得る。この際、フォレジストとして、１５μｍ程度
の厚さを塗布可能なポジレジストを用いる。
【００１８】続いて、フォトレジスト開口部に電解メッ
キを施して、１５μｍ程度のメッキ配線５を形成し、金
属膜４とメッキ配線５からなる金属配線を形成する。こ
の際用いるメッキ液は、ノンシアン系のＡｕメッキ液で
ある。その後、図３に示したように、レジストパターン
１８を除去し、メッキ配線５をマスクとして、Ａｕ及び
Ｔｉ−Ｗの金属膜４をエッチングにてパターニングす
る。この際のエッチャントとしては、ＡｕにＩ2＋Ｋ
Ｉ、Ｔｉ−ＷにＨ2Ｏ2を使用する。さらに、メッキ配線
５の膜応力の緩和及びパッシベーション膜３との密着性
向上を目的として、Ｎ2雰囲気中、３００℃、３０〜６
０分間、熱処理を行う。また、メッキ配線５は、後の工
程の押圧時において、外部電極下部の素子への衝撃をや
わらげる緩衝にもなる。
【００１９】次いで、図４に示したように、Ａｌ電極２
から必要とする外部電極までの配線を施したウェハ１を
ダイシングし、個々の半導体チップ１ａに分割する。そ
の後、分割したチップ１ａ上に異方性導電膜６を張り付
ける。この異方性導電膜６は、絶縁性の樹脂中に金属や
金属メッキを施した導電性の粒子７を分散させたもので
ある。この異方性導電膜６において用いる樹脂は、熱硬
化性タイプのものであり、半導体素子を保護する封止樹
脂として用いるので、熱により硬化するエポキシ系の樹
脂が好ましい。
【００２０】そして、図５に示したように、半導体チッ
プ１ａと同じ大きさのボンディングツール１６を用い
て、異方性導電膜６を押圧し、図６に示したように、半
導体チップ１ａ表面に接着させる。この際の押圧条件
は、１００℃、５秒間、１０Ｋｇ／ｃｍ2にて行う。
【００２１】次に、外部電極を形成するため、メッキ配
線５と導通の必要な箇所の異方性導電膜６に、図７に示
すような外部電極形成ツール１７を用いて、１箇所ずつ
押圧する。この際の押圧条件は、１８０℃、２０秒間、
５０〜８０ｇ／外部電極にて行う。押圧した外部電極形
成部分は、図８に示したように、すり鉢型の凹みにな
り、下層のメッキ配線５と異方性導電膜６に含まれる導
電粒７により導通される。一方、押圧されていない部分
は絶縁状態のままである。
【００２２】その後、凹型にへこんだ箇所に、外部電極
としてハンダボール８を設置する。ハンダボール８は、
ハンダのみ、又はプラスチックボールにＣｕメッキした
上にハンダを施したものを使用する。ハンダボール８を
設置した後、図１０に示したように、半導体チップ１ａ
を、２００℃、２〜５分間加熱する。これにより、異方
性導電膜６と接触しているハンダボール８の下層部分が
溶け、ハンダボール８が、異方性導電膜６の導電粒７と
接合することにより、下層のメッキ配線５と接続するこ
ととなる。
【００２３】このようにして作製した半導体装置は、
１．０ｍｍピッチ、直径０．７ｍｍのハンダボールを１
０行１０列で１００個のマトリックスとして、１００ピ
ンパッケージで形成した場合、パッケージの外形サイズ
を１１ｍｍ□程度に収めることが可能となる。例えば、
図１１に示したように、ハンダボール８の数に応じて、
ハンダボール８間に数本の金属膜４及びメッキ配線５の
配線層を形成することにより、効率的に配線することが
できる。
【００２４】一方、従来から使用されているＱＦＰにお
いては、同様の半導体チップを用い、同様に１００ピン
パッケージとし、アウターリードを０．５ｍｍピッチと
した場合でも、樹脂封止部の外形サイズが１４ｍｍ□、
アウターリードを含めた外形サイズでは１６ｍｍ□とな
る。また、ＢＧＡにおいては、１．０ｍｍピッチ、直径
０．７ｍｍのハンダボールを１０行１０列で１００個の
マトリックスで形成した場合でも、外形サイズは１３ｍ
ｍ□程度になる。
【００２５】従って、他のパッケージよりもピンピッチ
を大きく取ることができるとともに、パッケージの外形
サイズを小型に収めることが可能となる。
【００２６】実施例２ 実施例１において、電極パッドであるＡｌ電極を、半導
体チップの周辺にレイアウトする代わりに、半導体チッ
プの設計段階で、外部電極であるハンダボールを設置す
る部分にレイアウトして形成する以外、同様の方法によ
り形成した。このように作製された半導体装置において
は、図１２及び図１３に示したように、金属膜４ａ及び
メッキ配線５ａ等の配線が不要となり、さらに、パッケ
ージサイズの小型化を図ることができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体装置によれば、ワイヤボ
ンディングを行うことが不要となり、パッケージサイズ
を半導体チップサイズを同等に形成することができる。
また、外部電極が任意の位置に形成されているため、電
極パッドは半導体チップ周辺部に限定されることなく、
任意の位置に形成することができ、半導体装置の設計に
おける制約を縮小することができる。さらに、半導体チ
ップの表面層のみが、異方性導電膜により被覆されてる
ので、放熱性を良好とすることができるとともに、パケ
ージ自体の小型化を実現することができる。
【００２８】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、外部電極を、任意の位置に形成することができる
こととなり、電極パッドも半導体チップの周辺部に形成
する必要がなくなる。さらに、半導体チップのサイズ
を、パッケージのサイズと同等に形成することができる
ため、従来のＱＦＰ等のパッケージに封止される半導体
チップに比較して、半導体チップのサイズを大きく形成
することができる。従って、微細でない粗いウェハプロ
セスで半導体チップを製造することができ、ウェハプロ
セスのコストを抑制することができる。
【００２９】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の第１の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の第２の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の第３の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の第４の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の第５の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の第６の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の第７の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の第８の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の第９の製造工程を示す要
部の概略断面図である。
【図１０】本発明の半導体装置の第１０の製造工程を示
す要部の概略断面図である。
【図１１】本発明の半導体装置の要部の概略平面図であ
る。
【図１２】本発明の半導体装置の別の実施例を示す要部
の概略平面図である。
【図１３】図１２におけるＡ−Ａ′線断面図である。
【図１４】従来のＱＦＰを示す概略断面図である。
【図１５】従来のＢＡＧのパッケージを示す概略断面図
である。
【符号の説明】
１ 半導体ウェハ １ａ 半導体チップ ２ 電極パッド（Ａ１電極） ３ パッシベーション膜 ４ 金属膜 ５ メッキ配線 ６ 異方性導電膜 ７ 微細導電粒子 ８ 外部電極（ハンダボール） １６ ボンディングツール １７ 外部電極形成ツール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/822 9169−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０４ Ａ 27/04 Ｅ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 複数の電極パッドを有する半導体チップ
    上に、所望のパターンで電極パッドと接続する金属配線
    が形成され、さらに、該金属配線上全面に、微細導電粒
    子を含んでなる異方性導電膜が積層されており、前記金
    属配線上の所望の部分の異方性導電膜に凹部が形成さ
    れ、該凹部に外部電極が密着されて前記金属配線と外部
    電極とが異方性導電膜中の微細導電粒子を介して接続さ
    れて構成されることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 (i) 半導体基板上に電極パッドと接続
    し、所望のパターンを有する金属配線を形成し、(ii)さ
    らに、前記金属配線上全面に、微細導電粒子を含んでな
    る異方性導電膜を積層させ、(iii) 前記異方性導電膜の
    金属配線上の所望の部分を押圧して、該異方性導電膜に
    凹部を形成し、(iv)前記凹部に外部電極を密着させて、
    該外部電極と前記金属配線とを、異方性導電膜中の微細
    導電粒子を介して接続させることからなる半導体装置の
    製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0734065A2 (en) * 1995-03-24 1996-09-25 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Chip sized semiconductor device
JP2001521288A (ja) * 1997-10-20 2001-11-06 フリップ・チップ・テクノロジーズ・エルエルシー チップスケールパッケージ及びその形成方法
US6323542B1 (en) 1997-01-17 2001-11-27 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US6881611B1 (en) 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
US7470979B2 (en) 1996-12-04 2008-12-30 Seiko Epson Corporation Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument
US7521796B2 (en) 1996-12-04 2009-04-21 Seiko Epson Corporation Method of making the semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2792532B2 (ja) * 1994-09-30 1998-09-03 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー
JP3362545B2 (ja) * 1995-03-09 2003-01-07 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
EP0734059B1 (en) * 1995-03-24 2005-11-09 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Chip sized semiconductor device and a process for making it
JPH09107048A (ja) * 1995-03-30 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JPH08316364A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Toshiba Corp 半導体装置
US5861661A (en) * 1995-12-27 1999-01-19 Industrial Technology Research Institute Composite bump tape automated bonded structure
US6111317A (en) * 1996-01-18 2000-08-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Flip-chip connection type semiconductor integrated circuit device
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
US5851911A (en) 1996-03-07 1998-12-22 Micron Technology, Inc. Mask repattern process
US5891795A (en) * 1996-03-18 1999-04-06 Motorola, Inc. High density interconnect substrate
US6169329B1 (en) * 1996-04-02 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices having interconnections using standardized bonding locations and methods of designing
KR100186333B1 (ko) * 1996-06-20 1999-03-20 문정환 칩 사이즈 반도체 패키지 및 그 제조방법
SG71046A1 (en) * 1996-10-10 2000-03-21 Connector Systems Tech Nv High density connector and method of manufacture
JPH10135270A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Casio Comput Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3695893B2 (ja) * 1996-12-03 2005-09-14 沖電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法および実装方法
US6259158B1 (en) * 1996-12-26 2001-07-10 Hitachi, Ltd. Semiconductor device utilizing an external electrode with a small pitch connected to a substrate
JPH10326795A (ja) * 1997-03-28 1998-12-08 Sony Corp 半導体装置とその製造方法
US6297559B1 (en) * 1997-07-10 2001-10-02 International Business Machines Corporation Structure, materials, and applications of ball grid array interconnections
US6120885A (en) 1997-07-10 2000-09-19 International Business Machines Corporation Structure, materials, and methods for socketable ball grid
US6337522B1 (en) 1997-07-10 2002-01-08 International Business Machines Corporation Structure employing electrically conductive adhesives
JP3068534B2 (ja) * 1997-10-14 2000-07-24 九州日本電気株式会社 半導体装置
KR100357757B1 (ko) * 1997-11-21 2003-01-24 로무 가부시키가이샤 반도체장치및그제조방법
JPH11340265A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2000207943A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Sony Corp 異方性導電膜及び異方性導電膜を用いた電気的接続装置
US6011314A (en) * 1999-02-01 2000-01-04 Hewlett-Packard Company Redistribution layer and under bump material structure for converting periphery conductive pads to an array of solder bumps
US6707159B1 (en) * 1999-02-18 2004-03-16 Rohm Co., Ltd. Semiconductor chip and production process therefor
JP3914651B2 (ja) * 1999-02-26 2007-05-16 エルピーダメモリ株式会社 メモリモジュールおよびその製造方法
JP2000252414A (ja) * 1999-03-04 2000-09-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
KR100319609B1 (ko) 1999-03-09 2002-01-05 김영환 와이어 어래이드 칩 사이즈 패키지 및 그 제조방법
JP2000311921A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
US6544880B1 (en) * 1999-06-14 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Method of improving copper interconnects of semiconductor devices for bonding
JP2001024085A (ja) * 1999-07-12 2001-01-26 Nec Corp 半導体装置
JP4058607B2 (ja) * 1999-08-19 2008-03-12 セイコーエプソン株式会社 配線基板及びその製造方法、電子部品、回路基板並びに電子機器
US6583515B1 (en) * 1999-09-03 2003-06-24 Texas Instruments Incorporated Ball grid array package for enhanced stress tolerance
US6710446B2 (en) * 1999-12-30 2004-03-23 Renesas Technology Corporation Semiconductor device comprising stress relaxation layers and method for manufacturing the same
JP2001196405A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Toyo Kohan Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3578964B2 (ja) * 2000-03-21 2004-10-20 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6703566B1 (en) 2000-10-25 2004-03-09 Sae Magnetics (H.K.), Ltd. Bonding structure for a hard disk drive suspension using anisotropic conductive film
JP3842548B2 (ja) * 2000-12-12 2006-11-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
US6847747B2 (en) * 2001-04-30 2005-01-25 Intel Corporation Optical and electrical interconnect
US7057294B2 (en) * 2001-07-13 2006-06-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
JP2003045877A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sharp Corp 半導体装置およびその製造方法
US6674174B2 (en) * 2001-11-13 2004-01-06 Skyworks Solutions, Inc. Controlled impedance transmission lines in a redistribution layer
JP2003188313A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP3580803B2 (ja) * 2002-08-09 2004-10-27 沖電気工業株式会社 半導体装置
US6965160B2 (en) * 2002-08-15 2005-11-15 Micron Technology, Inc. Semiconductor dice packages employing at least one redistribution layer
JP4010298B2 (ja) * 2003-12-17 2007-11-21 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US7419852B2 (en) * 2004-08-27 2008-09-02 Micron Technology, Inc. Low temperature methods of forming back side redistribution layers in association with through wafer interconnects, semiconductor devices including same, and assemblies
CN100468674C (zh) * 2004-11-25 2009-03-11 日本电气株式会社 半导体器件及其制造方法、线路板及其制造方法、半导体封装件和电子装置
KR100664310B1 (ko) * 2005-07-13 2007-01-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨 인캡슐레이션 칩 및 인캡슐레이션 칩 제조방법
TWI261350B (en) * 2005-09-02 2006-09-01 Wintek Corp Electronic member with conductive connection structure
US7825526B2 (en) * 2005-09-30 2010-11-02 Nxp B.V. Fine-pitch routing in a lead frame based system-in-package (SIP) device
US20070103412A1 (en) * 2005-11-09 2007-05-10 Pao-Yun Tang Liquid crystal display having a voltage divider with a thermistor
KR102037866B1 (ko) * 2013-02-05 2019-10-29 삼성전자주식회사 전자장치
USD759022S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-14 Nagrastar Llc Smart card interface
USD758372S1 (en) * 2013-03-13 2016-06-07 Nagrastar Llc Smart card interface
USD729808S1 (en) * 2013-03-13 2015-05-19 Nagrastar Llc Smart card interface
USD780763S1 (en) * 2015-03-20 2017-03-07 Nagrastar Llc Smart card interface

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4811081A (en) * 1987-03-23 1989-03-07 Motorola, Inc. Semiconductor die bonding with conductive adhesive
JPH06120297A (ja) * 1992-10-06 1994-04-28 Omron Corp 電子部品

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0734065A3 (en) * 1995-03-24 1997-03-05 Shinko Electric Ind Co Semiconductor device having a chip size
US5677576A (en) * 1995-03-24 1997-10-14 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Chip sized semiconductor device
EP0734065A2 (en) * 1995-03-24 1996-09-25 Shinko Electric Industries Co. Ltd. Chip sized semiconductor device
US6881611B1 (en) 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
US7842598B2 (en) 1996-12-04 2010-11-30 Seiko Epson Corporation Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument
US7888260B2 (en) 1996-12-04 2011-02-15 Seiko Epson Corporation Method of making electronic device
US8384213B2 (en) 1996-12-04 2013-02-26 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, circuit board, and electronic instrument
US8115284B2 (en) 1996-12-04 2012-02-14 Seiko Epson Corporation Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board and electronic instrument
US7521796B2 (en) 1996-12-04 2009-04-21 Seiko Epson Corporation Method of making the semiconductor device, circuit board, and electronic instrument
US7511362B2 (en) 1996-12-04 2009-03-31 Seiko Epson Corporation Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument
US7470979B2 (en) 1996-12-04 2008-12-30 Seiko Epson Corporation Electronic component and semiconductor device, method of making the same and method of mounting the same, circuit board, and electronic instrument
US7485973B2 (en) 1997-01-17 2009-02-03 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US7307351B2 (en) 1997-01-17 2007-12-11 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US7235881B2 (en) 1997-01-17 2007-06-26 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US7755205B2 (en) 1997-01-17 2010-07-13 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US7888177B2 (en) 1997-01-17 2011-02-15 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US6518651B2 (en) 1997-01-17 2003-02-11 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
KR100540303B1 (ko) * 1997-01-17 2006-06-16 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전자부품,반도체장치,이것들의제조방법,회로기판및전자기기
US6323542B1 (en) 1997-01-17 2001-11-27 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
US8399999B2 (en) 1997-01-17 2013-03-19 Seiko Epson Corporation Electronic component, semiconductor device, methods of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument
JP2001521288A (ja) * 1997-10-20 2001-11-06 フリップ・チップ・テクノロジーズ・エルエルシー チップスケールパッケージ及びその形成方法

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