JPH0887931A - ガス遮断器 - Google Patents

ガス遮断器

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JPH0887931A
JPH0887931A JP6222957A JP22295794A JPH0887931A JP H0887931 A JPH0887931 A JP H0887931A JP 6222957 A JP6222957 A JP 6222957A JP 22295794 A JP22295794 A JP 22295794A JP H0887931 A JPH0887931 A JP H0887931A
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Fumimasa Endo
奎将 遠藤
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拓也 菅原
Goro Daimon
五郎 大門
Kenji Tsuchiya
賢治 土屋
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ガス遮断器において、遮断部に並列接続された
コンデンサの絶縁耐力を高くし、信頼性が高く且つコン
パクトなガス遮断器を提供する。 【構成】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接離自在
な相対する2つの接触子を有する遮断部と、前記遮断部
に並列接続されたコンデンサとを配置してなるガス遮断
器において、前記コンデンサ近傍の電界を緩和するため
のシールドを前記コンデンサの金属容器側と遮断部側の
両側に設置し、前記シールドの先端の位置を、コンデン
サと電極の接触面よりもコンデンサ側に所定距離だけ突
き出した構造とした。 【効果】ガス遮断器の遮断部に並列接続されたコンデン
サを、その所要静電容量と所要絶縁耐力を確保したま
ま、少なくすることができ、信頼性が高く且つコンパク
トな高電圧大容量のガス遮断器を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はガス遮断器に係り、特
に、遮断部極間に、電流遮断直後に発生する再起電圧の
上昇を抑制する為のコンデンサなどのインピーダンスを
接続している遮断器の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のガス遮断器は、絶縁ガスが充填さ
れている金属容器内に、固定及び可動接触子からなる遮
断部を有している。そして、再起電圧抑制の為のコンデ
ンサを、該遮断部の接触子間に電気的に並列接続して前
記可動接触子の切離方向に配置している。この種のガス
遮断器においては、従来、例えば実開昭58−41949 号に
記載されているように、遮断部の電界を低減するための
遮断部シールドを設けて、2つの接触子先端の電界を低
減し、さらに、その遮断部シールドとコンデンサの位置
関係を遮断部の電界が低減されるように設定することに
より、遮断性能及び極間の絶縁耐力を改善していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年、電力系統のネッ
トワーク化が進んで、遮断器に要求される遮断電流は増
加しており、これに伴い極間に必要なコンデンサの静電
容量も増加する傾向にある。また、電力系統の高電圧化
に伴って、コンデンサの所要絶縁耐力も増加している。
【0004】上記従来技術においては、コンデンサ近傍
の電界について配慮されておらず、コンデンサの絶縁耐
力が低くなっていた。そのため、所要絶縁耐力を確保す
るために、コンデンサ素子の直列数を増やして絶縁距離
を長くしていたので、遮断器全体が大型化していた。ま
た、コンデンサ素子の直列数を増やすと合成静電容量が
小さくなるので、所要静電容量を確保するために並列数
を増やしており、このことも遮断器全体の大型化,高価
格化の要因となっていた。
【0005】本発明の目的は、コンデンサの絶縁耐力を
向上することにより、コンパクトな高電圧大容量のガス
遮断器を得ることである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、コンデンサ近傍の電界を緩和するための
シールドを金属容器側と遮断部側の両側に設置し、該シ
ールドの先端の位置を、コンデンサと電極の接触面より
もコンデンサ側に一定距離だけ突き出している。そし
て、前記一定距離を、コンデンサ側面と該シールド先端
との距離に対し1倍以上3倍以下としている。
【0007】
【作用】本発明によれば、コンデンサ近傍の電界の歪み
を低減でき、コンデンサの絶縁耐力を高くすることがで
きる。そのためコンデンサ素子の直列数を低減でき、さ
らには、静電容量を高くすることができるので、コンデ
ンサの並列数を減らすことができ、ガス遮断器のコンパ
クト化,低コスト化が実現できる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
【0009】図1は本発明の代表的なガス遮断器を示す
一実施例である。
【0010】ガス遮断器は、例えば図1のように、密閉
された円筒状の金属容器19の内部のほぼ中央に、固定
接触子1と可動接触子2とから構成される遮断部を配置
した構造になっている。金属容器19の中には、消弧性
能,絶縁性能と共に優れたSF6 ガスが充填されてい
る。固定接触子1と可動接触子2は、それぞれ導体4
a,4bに取り付けられ電気的に接続されており、導体
4a,4bは極間支持絶縁物3により固定接続されてい
る。可動接触子2は、図示されない絶縁操作棒を介して
金属容器19の外部から力を伝達され、遮断と投入動作
を行う。極間支持絶縁物3には円筒状の穴が開いてい
て、複数のコンデンサ素子から構成される極間コンデン
サ7が収納されており、コンデンサ7に接触するコンデ
ンサ押え電極8a,8bを介して遮断部と並列接続され
ている。
【0011】図2は、図1のガス遮断器をA−A′より
見た断面図であり、コンデンサ7の並列数は10であ
る。
【0012】本発明では、以上のような構成を持つガス
遮断器において、コンデンサの電界を緩和するための外
側シールド5a,5b、及び、内側シールド6a,6b
を設けている。これにより、コンデンサの絶縁耐力が向
上してコンデンサ素子の直列数を少なくでき、さらには
コンデンサの並列数も低減できるので、遮断器を縮小化
することができる。また、遮断部シールド9a,9bを
シールド5a,5b,6a,6bとは別に設けて、固定
接触子1と可動接触子2の電界を低減し、遮断後、すな
わち固定接触子1と可動接触子2の切離後の極間絶縁耐
力を向上している。これにより、極間距離が短くなるの
で遮断部を縮小化できると同時に、可動接触子2のスト
ロークが小さくなるので操作器も縮小化できる。
【0013】以下、上述の構成の遮断器における絶縁耐
力向上の原理について詳細に説明する。
【0014】図3は、コンデンサ7の部分の拡大した断
面図である。コンデンサ用シールド5a,6aはコンデ
ンサ押え電極8aよりもコンデンサ側へ突き出してお
り、シールド5a,6aの先端とコンデンサ押え電極8
aの先端との距離Lsは、コンデンサの側面とシールド
先端の距離Lgとの約2倍としている。これにより、コ
ンデンサ近傍の電界の歪みが低減され絶縁耐力が向上す
る。
【0015】図4は、Ls/Lg(=LsとLgとの
比)とコンデンサ7の絶縁耐力との関係の一例である。
絶縁耐力は、Ls/Lgが約2のときにもっとも高く、
Ls=0のときの約1.5 倍になっている。また、Ls
/Lgが1以上3以下の範囲では、絶縁耐力はLs/L
g=2のときと比較して3%以程度しか変わらない。し
かし、Ls/Lgがこの範囲から離れると絶縁耐力は低
下していく。
【0016】このように、Lsの大きさによって絶縁耐
力が高くなるのは、コンデンサ近傍の電界の歪みが低減
されるためである。図5は,従来の一実施例におけるコ
ンデンサ押え電極8a付近の構造である。シールド5a
の先端とコンデンサ押え電極8aの先端の位置はほぼ同
じである。このような場合、等電位線12はシールド5
aとコンデンサ押え電極8aの間に入り込み、電極8a
の角部で電界の歪が大きくなり絶縁耐力低下の原因とな
る。また、遮断部シールド9aは設けているが、コンデ
ンサの内側近傍にシールド6aを設けていないため、電
極8aの角部での電界の歪はさらに大きくなる。
【0017】これに対し、本実施例では、図3に示すよ
うに、等電位線11がコンデンサの側面にほぼ垂直に入
ることにより、電極8a先端の電界の歪が低減されるた
め、絶縁耐力が向上する。しかし、Lsを大きくしすぎ
ると、図5とは逆向きに歪んでしまうため、絶縁耐力
は、図4に示したようにかえって低下する。
【0018】以上述べたことは、コンデンサ7を極間支
持絶縁物3に挿入せず、別の絶縁筒に挿入して遮断部極
間に並列に配置した場合にも適用できる。通常、この絶
縁筒は極間支持絶縁物3よりも薄くLgが小さくなるの
で、それに比例して適切なLsの長さも短くなるが、L
s/Lgの関係については上述したことが適用できる。
また、コンデンサ以外のインピーダンス素子を遮断器内
に配置した場合にも上述したことを適用できる。
【0019】図1〜図3の実施例では、コンデンサ7を
極間支持絶縁物3の中に挿入する前に、極間支持絶縁物
3よりも誘電率の低い絶縁筒10の中にコンデンサを挿
入している。これにも、コンデンサ側面の電界を低減し
コンデンサの絶縁耐力を低減する効果がある。図6は、
コンデンサ7の電界集中部の電界と絶縁筒10の厚さと
の関係である。図6において、電界値は、絶縁筒10の
厚さが十分厚い場合の電界値に対する相対値で示してい
る。絶縁筒10の厚さが厚いほど電界集中が緩和され、
絶縁筒10の厚さが0.1 mm以上の場合には、電界集中
は十分緩和されている。従って、絶縁筒10の厚さを
0.1 mm以上とすることにより、絶縁耐力を高くするこ
とができる。
【0020】ただし、絶縁筒10の厚さが10mm以上で
は電界集中はほとんど変化なく、また、絶縁筒10の厚
さを10mm以上にすると極間支持絶縁物3にコンデンサ
を収納するために開ける穴の径が大きくなり過ぎ、極間
支持絶縁物3の機械的強度が低下するので、絶縁筒10
の厚さは10mm以下としている。
【0021】極間支持絶縁物3はアルミナ充填エポキシ
樹脂などで注型することが多く比誘電率は5〜6であ
る。従って、前述の誘電率の低い誘電体としては四フッ
化エチレンの重合体などのフッ素樹脂があり、比誘電率
が2.5 以下のものがある。
【0022】図3においてコンデンサ押え電極8a,8
bの太さは、絶縁筒10の内径より太くしている。これ
によりコンデンサ7を極間支持絶縁物3に挿入する際
に、絶縁筒10を電極8a,8bで押し込むことができ
るので、絶縁筒10はコンデンサの側面に確実に配置さ
れる。このとき絶縁筒10の長さはコンデンサ7の長さ
以下としている。
【0023】さらに、コンデンサ押え電極8a,8bの
太さを、絶縁筒10の外径より小さくすれば、極間支持
絶縁物3にコンデンサ挿入のために開ける穴の径と絶縁
筒10の外径を同程度にできるので、穴の中でのコンデ
ンサの動きを抑制し、機械的な損傷を防止でき信頼性を
向上することができる。
【0024】以上述べたことにより、コンデンサ7の絶
縁耐力を高くすることができるので、コンデンサ7を構
成するコンデンサ素子の直列数を減らすことができ、コ
ンデンサ7の長さを短くすることができる。また、コン
デンサ素子の直列数が減ると合成静電容量が増えるの
で、所要静電容量の確保が容易になり、高電圧大容量の
ガス遮断器をコンパクト化・高信頼化することができ
る。また、コンデンサの長さを小さくできるので、極間
絶縁支持物3を短くすることができ、機械的強度の向
上,信頼性の向上,製作コストの低減を図ることができ
る。
【0025】ところで、コンデンサ用シールド5a,5
b,6a,6bを上述の構成とすることによりコンデン
サの絶縁耐力を確保すれば、遮断部シールド9a,9b
は、コンデンサの絶縁耐力に影響しないので、遮断部の
電界低減を主目的にその位置や形状を設計することがで
きる。図7,図8は、投入抵抗接点20を備えた遮断器
についての本発明の実施例における断面図である。図7
は、遮断部シールド9aを外側シールド5aにつなげた
実施例であり、図8は遮断部シールド9aを外側シール
ド5aと独立に設けた実施例である。例えば、図8の遮
断部シールド9aはパイプ状の金属をつなぎあわせるこ
とにより容易に製作できる。
【0026】これらの構成により、固定接触子1,可動
接触子2の電界を低減して、遮断部極間の絶縁耐力を高
めることができ、遮断後の極間絶縁耐力を向上できる。
これにより、極間距離が短くなるので遮断部を縮小化で
きると同時に、可動接触子2のストロークが小さくなる
ので操作器も縮小化できる。
【0027】上述の構成により、コンデンサ7の絶縁耐
力と遮断部極間の絶縁耐力を同程度にして絶縁協調を図
ると、コンデンサ7の長さは、遮断部の極間距離の2倍
以上3倍以下の範囲となる。
【0028】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ガス遮
断器の所要絶縁耐力を確保したまま、遮断部に並列接続
されたコンデンサを少なくすることができ、また、遮断
部をも小さくすることができるので、信頼性が高く且つ
コンパクトな高電圧大容量のガス遮断器を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の具体的実施例を示す遮断部の縦断面図
である。
【図2】図1のA−Aより見た断面図である。
【図3】極間コンデンサの拡大した断面図である。
【図4】コンデンサ用シールドの位置Lsと絶縁耐力と
の関係を示す特性図である。
【図5】従来の実施例における極間コンデンサ部の電界
分布である。
【図6】誘電率の低い絶縁筒の厚さと電界との関係を示
す特性図である。
【図7】投入抵抗接点を備えた遮断器についての本発明
の一実施例における断面図である。
【図8】投入抵抗接点を備えた遮断器についての本発明
の一実施例における断面図である。
【符号の説明】
1…固定接触子、2…可動接触子、3…極間支持絶縁
物、4a,4b…導体、5a,5b…コンデンサ用外側
シールド、6a,6b…コンデンサ用内側シールド、7
…極間コンデンサ、8a,8b…コンデンサ押え電極、
9a,9b…遮断部シールド、10…絶縁筒、11,1
2…等電位線、19…金属容器、20…投入抵抗接点。
フロントページの続き (72)発明者 大門 五郎 茨城県日立市国分町一丁目1番1号 株式 会社日立製作所国分工場内 (72)発明者 土屋 賢治 茨城県日立市国分町一丁目1番1号 株式 会社日立製作所国分工場内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接離
    自在な相対する第1接触子と第2接触子を有する遮断部
    と、インピーダンスとを配置してなるガス遮断器におい
    て、前記インピーダンスの近傍に前記インピーダンスの
    電界を緩和するためのシールドを設け、前記シールドの
    先端の位置を、前記インピーダンスに接触する電極と前
    記インピーダンスとの接触面よりも、前記インピーダン
    ス側に所定距離だけ突き出したことを特徴とするガス遮
    断器。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記所定距離を、前記
    インピーダンスの側面と前記シールドの先端との距離に
    対し1倍以上3倍以下としたことを特徴とするガス遮断
    器。
  3. 【請求項3】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接離
    自在な相対する第1接触子と第2接触子を有する遮断部
    と、前記遮断部の2つの接触子間に並列接続されたコン
    デンサとを配置してなるガス遮断器において、前記コン
    デンサの近傍に前記コンデンサの電界を緩和するための
    シールドを設け、前記シールドの先端の位置を、前記コ
    ンデンサに接触する電極と前記コンデンサとの接触面よ
    りも、前記コンデンサ側に所定距離だけ突き出したこと
    を特徴とするガス遮断器。
  4. 【請求項4】請求項3において、前記所定距離を、前記
    コンデンサの側面と前記シールドの先端との距離に対し
    1倍以上3倍以下としたことを特徴とするガス遮断器。
  5. 【請求項5】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接離
    自在な相対する第1接触子と第2接触子を有する遮断部
    と、前記遮断部の2つの接触子間に並列接続されたコン
    デンサとを配置してなるガス遮断器において、前記コン
    デンサの近傍の前記金属容器側と前記遮断部側の両側に
    前記コンデンサの電界を緩和するシールドを設けたこと
    を特徴とするガス遮断器。
  6. 【請求項6】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接離
    自在な相対する第1接触子と第2接触子を有する遮断部
    と、前記遮断部の2つの接触子間に並列接続されたコン
    デンサとを配置してなるガス遮断器において、前記遮断
    部の2つの接触子間を極間絶縁支持物で支持し、かつ、
    前記コンデンサを前記極間絶縁支持物内に配置し、前記
    極間絶縁支持物の前記金属容器側と前記遮断部側の両側
    に前記コンデンサの電界を緩和するシールドを1つ以上
    ずつ設けたことを特徴とするガス遮断器。
  7. 【請求項7】請求項1において、前記シールドを前記イ
    ンピーダンス近傍の前記金属容器側と前記遮断部側の両
    側に1つ以上ずつ設けたことを特徴とするガス遮断器。
  8. 【請求項8】請求項1,請求項3,請求項5,請求項
    6、または、請求項7のガス遮断器において、前記遮断
    部の周囲に前記遮断部の電界を低減するためのシールド
    を設けたことを特徴とするガス遮断器。
  9. 【請求項9】請求項5のガス遮断器において、前記シー
    ルドの先端の位置を、前記コンデンサに接触する電極と
    前記コンデンサとの接触面よりも、コンデンサ側に一定
    距離だけ突き出した位置とし、前記一定距離を、前記コ
    ンデンサの側面と前記シールドの先端との距離に対し1
    倍以上3倍以下としたことを特徴とするガス遮断器。
  10. 【請求項10】請求項6のガス遮断器において、前記シ
    ールドの先端の位置を、前記コンデンサに接触する電極
    と前記コンデンサとの接触面よりも、コンデンサ側に一
    定距離だけ突き出した位置とし、前記一定距離を、前記
    コンデンサの側面と前記シールドの先端との距離に対し
    1倍以上3倍以下としたことを特徴とするガス遮断器。
  11. 【請求項11】請求項6、または、請求項10のガス遮
    断器において、前記コンデンサを前記極間絶縁支持物の
    誘電率よりも誘電率の小さい絶縁筒内に収納した状態
    で、前記極間絶縁支持物内に配置したことを特徴とする
    ガス遮断器。
  12. 【請求項12】請求項11において、前記誘電率の小さ
    い絶縁筒をフッ素樹脂で構成したことを特徴とするガス
    遮断器。
  13. 【請求項13】請求項11、または、請求項12の遮断
    器において、前記誘電率の小さい絶縁筒の厚さを0.1
    mm以上,10mm以下としたことを特徴とするガス遮断
    器。
  14. 【請求項14】請求項3,請求項5,請求項6,請求項
    8,請求項9、または、請求項10のガス遮断器におい
    て、前記コンデンサに接触する電極の直径を前記コンデ
    ンサの外径より大きくしたことを特徴とするガス遮断
    器。
  15. 【請求項15】請求項11,請求項12、または、請求
    項13のガス遮断器において、前記コンデンサに接触す
    る電極の直径を前記誘電率の小さい絶縁筒の内径よりも
    大きくしたことを特徴とするガス遮断器。
  16. 【請求項16】請求項15のガス遮断器において、前記
    コンデンサに接触する電極の直径を前記誘電率の小さい
    絶縁筒の外径より小さくしたことを特徴とするガス遮断
    器。
  17. 【請求項17】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接
    離自在な相対する第1接触子と第2接触子を有する遮断
    部と、前記遮断部の2つの接触子間に並列接続されたコ
    ンデンサとを配置し、前記コンデンサの近傍に前記コン
    デンサの電界を緩和するためのシールドを設けてなるガ
    ス遮断器であって、前記シールドの先端を、前記コンデ
    ンサに接触する電極と前記コンデンサとの接触面よりも
    コンデンサ側に突き出すことにより、前記2つの接触子
    が離れている状態で接触子間に電圧が印加されたときの
    等電位線が、前記コンデンサを構成する複数のコンデン
    サ素子のうち最端部のコンデンサ素子の側面に、垂直に
    入るようにしたことを特徴とするガス遮断器。
  18. 【請求項18】絶縁性ガスを充填した金属容器内に、接
    離自在な相対する第1接触子と第2接触子を有する遮断
    部と、前記遮断部の2つの接触子間に並列接続されたコ
    ンデンサとを配置してなるガス遮断器において、前記コ
    ンデンサの長さを、前記遮断部の前記接触子が最も離れ
    ているときの距離に対し、2倍以上3倍以下となるよう
    にしたことを特徴とするガス遮断器。
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