JPH0878482A - Film carrier, semiconductor package and production thereof - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To realize a good soldering of outer lead while protecting a semiconductor element against damage. CONSTITUTION: A base film 2 is bonded, between the device hole 3 and the outer lead hole 4 of a film carrier 1, with a metal plate 11 for reinforcing the base film 2 at least thicker than a semiconductor element 9 being connected with an inner lead 5a. The outer lead 5b is provided, on the base end side thereof, with a part 7 narrower than other parts of the outer lead 5b.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、ＴＡＢ（Tape Autom
ated Bonding）技術を利用した半導体パッケ−ジの製造
におけるフィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半
導体パッケ−ジの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a TAB (Tape Autom
The present invention relates to a film carrier, a semiconductor package, and a method of manufacturing a semiconductor package in the manufacture of a semiconductor package using an ated bonding technology.

【０００２】[0002]

【従来の技術】最近のＬＳＩの多端子狭ピッチ化に対応
する半導体パッケ−ジとして、従来のプラスチックＱＦ
Ｐ（Quad Flat Packege （４方向に端子が突出してなる
プラスチック半導体パッケ−ジ））よりもさらに多端子
狭ピッチ化を図ることができるＴＣＰ（Tape Carrier P
ackage：テ−プキャリアパッケ−ジ）が登場している。2. Description of the Related Art A conventional plastic QF is used as a semiconductor package for the recent narrowing of multi-terminal pitch of LSI.
TCP (Tape Carrier P) capable of narrowing the number of terminals even more than P (Quad Flat Packege (plastic semiconductor package in which terminals project in four directions))
ackage: Tape carrier package) has appeared.

【０００３】このＴＣＰは、ＴＡＢ（Tape Automated B
onnding ）の技術を用いて製造されるもので、まず、シ
ネフィルム状の薄肉可撓性のフィルムキャリア上に半導
体素子を搭載する。This TCP is a TAB (Tape Automated B
The semiconductor element is mounted on a cine film-like thin and flexible film carrier.

【０００４】ついで、このフィルムキャリアを上記半導
体素子とともに所定の形状に打ち抜くと共に、外方に突
出したアウタリ−ドを外部端子の形（例えばガルウイン
グ状）に折り曲げてフォ−ミングする。Then, the film carrier is punched together with the semiconductor element into a predetermined shape, and the outer lead protruding outward is bent into the shape of an external terminal (for example, a gull wing shape) for forming.

【０００５】このようして製造されたＴＣＰによれば、
従来のプラスチックＱＦＰでは実現が困難であった３０
０ピン以上の多端子化が容易に実現できると共に、従来
のＱＦＰに比べ、厚さが１／３で、かつ重さが１／２の
パッケ−ジが得られる。According to the TCP manufactured in this way,
It was difficult to realize with conventional plastic QFP 30
A multi-terminal with 0 or more pins can be easily realized, and a package having a thickness of 1/3 and a weight of 1/2 can be obtained as compared with the conventional QFP.

【０００６】ところで、上記フィルムキャリアは可撓性
の薄肉部材である。また、上記アウタリ−ドは上記フィ
ルムキャリアの表面に被着された銅箔をエッチングして
形成したものであるから、その幅が２００μｍ以下、厚
さが３５μｍと非常に微細なものである。このためＴＣ
Ｐは全体的に非常に変形しやすいということがある。By the way, the film carrier is a flexible thin member. Further, since the outer lead is formed by etching a copper foil adhered to the surface of the film carrier, the outer lead has a very fine width of 200 μm or less and a thickness of 35 μm. Therefore TC
Sometimes P is very easily deformed as a whole.

【０００７】したがって、従来、このＴＣＰを基板上に
表面実装する場合には、他の電子部品と一緒にリフロ−
ハンダ付けを行うことはできず、上記ＴＣＰを吸着ノズ
ルで吸着保持した状態でボンディングツ−ルを用いて上
記アウタリ−ドを基板に対して加熱、加圧することで個
別ハンダ付けを行っていた。Therefore, conventionally, when the TCP is surface-mounted on a substrate, it is reflowed together with other electronic parts.
Soldering cannot be performed, and individual soldering is performed by heating and pressing the outer lead against the substrate using a bonding tool in a state where the TCP is adsorbed and held by an adsorption nozzle.

【０００８】そこで、近年、ＴＣＰの補強を図り、他の
部品と同様に良好にリフロ−ハンダ付けを行うための研
究がなされている。その補強の手段としては、上記フィ
ルムキャリアを樹脂で覆う、フィルムキャリア上に金属
板を貼り付ける等の方法がある。Therefore, in recent years, studies have been conducted to reinforce the TCP and to perform reflow soldering as well as other parts. As a means for reinforcing the film, there are methods such as covering the film carrier with a resin and attaching a metal plate on the film carrier.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＴＣＰをリ
フロ−ハンダ付けにより接続する場合には、以下に説明
するような考慮すべき事項がある。第１に、アウタリ−
ドを微細化することによるハンダ付け性の向上である。By the way, when connecting TCP by reflow soldering, there are matters to be considered as described below. First, the outer
It is the improvement of solderability by miniaturizing the solder.

【００１０】すなわち、微細なアウタリ−ドは、非常に
小さい力で変形する。したがって、上記ＴＣＰを基板に
装着した際に上記アウタリ−ドの先端が電極パッドから
浮き上がっている場合であっても、この電極パッド上に
供給されたハンダ材（溶融ハンダ）の表面張力あるいは
濡れ力によってリ−ドの先端部が電極パッドの方向に引
っ張られ、浮き上がりが矯正されて良好なハンダ付けを
行えるという利点を有する。That is, the fine outer lead is deformed with a very small force. Therefore, even when the tip of the outer lead is lifted from the electrode pad when the TCP is mounted on the substrate, the surface tension or the wetting force of the solder material (melted solder) supplied on the electrode pad is increased. This has the advantage that the tip of the lead is pulled in the direction of the electrode pad, the rise is corrected, and good soldering can be performed.

【００１１】第２に、アウタリ−ドを微細化することに
伴う半導体素子の破損である。すなわち、アウタリ−ド
の微細化には上述したような利点があるが、反対に、こ
のＴＣＰを基板に実装する際に上記アウタリ−ドが変形
して、上記フィルムキャリアに搭載された半導体素子が
基板に衝突し、破損が生じるという欠点がある。これを
防止するには、装着機構の荷重制御を精度良く行う必要
があるということがある。Secondly, the semiconductor element is damaged due to the miniaturization of the outer lead. That is, the miniaturization of the outer lead has the above-mentioned advantages, but conversely, when the TCP is mounted on the substrate, the outer lead is deformed, and the semiconductor element mounted on the film carrier is There is a drawback that it collides with the substrate and is damaged. In order to prevent this, it may be necessary to accurately control the load of the mounting mechanism.

【００１２】第３に、アウタリ−ドの微細化に伴うアウ
タリ−ドの破損である。上記アウタリ−ドは、上述した
ように、所定の形状に折り曲げられフォ−ミングされ
る。しかし、アウタリ−ドが微細な場合には、折曲げの
際に加わる外力によってこのアウタリ−ドが破断してし
まう恐れがある。Thirdly, the outer lead is damaged due to the miniaturization of the outer lead. The outer lead is bent and formed into a predetermined shape as described above. However, when the outer lead is fine, the outer lead may be broken by the external force applied during bending.

【００１３】この発明は、このような考慮すべき事項に
鑑みて成されたもので、アウタリ−ドの微細化に伴う利
点を生かしつつ、リ−ドの破損や半導体素子の破損とい
う欠点を是正できるフィルムフィルムキャリア、半導体
装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の実装方
法を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of such matters to be taken into consideration, and while taking advantage of the advantages associated with the miniaturization of the outer lead, the defects such as lead damage and semiconductor element damage are corrected. It is an object of the present invention to provide a film carrier, a semiconductor device, a method for manufacturing a semiconductor device, and a method for mounting a semiconductor device, which can be performed.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの外周側に設
けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓性のベ−ス
フィルムと、このベ−スフィルム上に形成されインナ−
リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させると共にアウ
タリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設されたリ−
ドとを有するフィルムキャリアにおいて、上記ベ−スフ
ィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタリ−ドホ−ル
との間には、このベ−スフィルムを補強すると共に、そ
の厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに接続される半
導体素子の厚さより大きく形成されてなる補強体が設け
られていることを特徴とするものである。The first means of the present invention is a flexible base film having a device hole and an outer lead hole provided on the outer peripheral side of the device hole. And an inner layer formed on this base film.
The lead portion is projected to the device hole and the outer lead portion is erected on the outer lead hole.
In the film carrier having the base film, the base film is reinforced between the device hole and the outer lead hole of the base film, and the thickness of the base film is at least the inner layer. It is characterized in that a reinforcing body is provided which is formed to be thicker than the thickness of the semiconductor element connected to the lead.

【００１５】第２の手段は、デバイスホ−ルとこのデバ
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドとを有するフィルムキャリア
において、上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部
側の部位には、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部が設けられていること
を特徴とするものである。The second means is a flexible base film having a device hole and an outer lead hole provided on the outer peripheral side of the device hole, and a flexible base film on the base film. A film carrier having an inner lead portion protruding from the device hole and an outer lead portion provided on the outer lead hole, wherein the outer lead portion is formed into a film carrier. The inner lead portion is provided with a fine portion having a smaller cross-sectional area than the other portions of the outer lead.

【００１６】第３の手段は、フィルム部材からなるサポ
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、このサ
ポ−トリングの内側に突設するインナ−リ−ド部および
外側に突設するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上
記インナ−リ−ド部に接続された半導体素子とを有する
半導体パッケ−ジにおいて、上記サポ−トリングには、
この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半導体パ
ッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子と基板
の接触を規制する補強体が突設されていることを特徴と
するものである。A third means is a support ring made of a film member, an inner lead portion provided on the support ring and protruding inside the support ring, and an outer lead protruding outward. In a semiconductor package having a lead having a lead portion and a semiconductor element connected to the inner lead portion, the support ring includes:
The semiconductor package is reinforced, and a reinforcing body for restricting contact between the semiconductor element and the substrate when the semiconductor package is mounted on the substrate is projected.

【００１７】第４の手段は、半導体素子が搭載されてな
るパッケ−ジ部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ
部内の半導体素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ
−ジ部の外方へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する
半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部の上記
パッケ−ジ部側の基端部には、このアウタリ−ドの他の
部位よりも断面積が小さく形成されてなる微細部が設け
られていることを特徴とするものである。A fourth means is to connect a package portion on which a semiconductor element is mounted and an inner lead portion to a semiconductor element in the package portion, and connect an outer lead to the package portion. In a semiconductor package having a plurality of leads projecting outward, another portion of the outer lead is provided at a base end portion of the outer lead portion on the package portion side. It is characterized in that a fine section having a smaller cross-sectional area is provided.

【００１８】第５の手段は、第２の手段あるいは第４の
手段の半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部
は、上記微細部を挟持固定された状態で、折り曲げ形成
されることを特徴とするものである。A fifth means is the semiconductor package according to the second means or the fourth means, wherein the outer lead portion is bent and formed with the fine portion sandwiched and fixed. It is what

【００１９】第６の手段は、デバイスホ−ルとこのデバ
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のイ
ンナ−リ−ド部側の部位に設けられ他の部分よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部とを有するフィルムキ
ャリアを供給する工程と、このフィルムキャリアのデバ
イスホ−ル内に半導体素子を搭載し、上記インナ−リ−
ド部をこの半導体素子にボンディングする工程と、上記
アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、上記
細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲する工
程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの製造
方法である。A sixth means is a flexible base film having a device hole and an outer lead hole provided on the outer peripheral side of the device hole, and a flexible base film on the base film. The formed inner lead portion is projected to the device hole, and the outer lead portion is erected on the outer lead hole, and the inner lead portion of the outer lead portion. A step of supplying a film carrier having a fine portion formed in a side portion and having a cross-sectional area smaller than other portions, and mounting a semiconductor element in a device hole of the film carrier, Lee
And a step of bonding the lead portion to the semiconductor element and a step of cutting the outer lead portion located in the outer lead hole while sandwiching and fixing the narrow portion and bending the outer lead portion into a predetermined shape. And a method for manufacturing a semiconductor package.

【００２０】[0020]

【作用】このような手段によれば、半導体パッケ−ジを
基板に装着する場合の、半導体素子と基板との衝突を防
止でき、かつ、リフロ−ハンダ付けにおけるアウタリ−
ドの変形を許容して良好なハンダ付けを行うことができ
る。According to such means, it is possible to prevent a collision between the semiconductor element and the substrate when the semiconductor package is mounted on the substrate, and to use the outer package for reflow soldering.
Good soldering can be performed by allowing deformation of the solder.

【００２１】[0021]

【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。まず、第１の実施例について説明する。最初
に、フィルムキャリアの構成について図１（ａ）、
（ｂ）を参照して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, a first embodiment will be described. First, regarding the structure of the film carrier, FIG.
This will be described with reference to (b).

【００２２】図中１はフィルムキャリアである。このフ
ィルムキャリア１は、幅方向両側部にスプロケットホ−
ル２ａ…が形成されてなる長尺シネフィルム状のベ−ス
フィルム２を具備する。このベ−スフィルム２は絶縁材
料により成形された薄肉の可撓性フィルムである。In the figure, reference numeral 1 is a film carrier. This film carrier 1 has sprocket wheels on both sides in the width direction.
The base film 2 is a long cine film-shaped base film 2 in which the rules 2a are formed. The base film 2 is a thin flexible film formed of an insulating material.

【００２３】このベ−スフィルム２の幅方向中央部に
は、長手方向に沿って所定間隔で複数個のデバイスホ−
ル３…が設けられている。図１中左側の図に示すよう
に、このデバイスホ−ル３の外側には、このデバイスホ
−ル３の各辺と平行な４つのアウタリ−ドホ−ル４…が
設けられている。At the center of the base film 2 in the width direction, a plurality of device holes are arranged at predetermined intervals in the longitudinal direction.
3 is provided. As shown in the diagram on the left side of FIG. 1, four outer lead holes 4 ... Are provided outside the device hole 3 in parallel with each side of the device hole 3.

【００２４】また、このフィルムキャリア１の表面に
は、図に示すように複数本のリ−ド５が形成されてい
る。このリ−ド５は、例えば上記ベ−スフィルム２上に
被着された導電箔（銅箔）をエッチング加工することで
成形されたものである。A plurality of leads 5 are formed on the surface of the film carrier 1 as shown in the figure. The lead 5 is formed, for example, by etching a conductive foil (copper foil) attached on the base film 2.

【００２５】このリ−ド５は、インナ−リ−ド５ａ（イ
ンナ−リ−ド部）を上記デバイスホ−ル３内に突出さ
せ、アウタリ−ド５ｂ（アウタリ−ド部）を上記アウタ
リ−ドホ−ル４に架設させた状態で設けられている。In this lead 5, an inner lead 5a (inner lead portion) is projected into the device hole 3, and an outer lead 5b (outer lead portion) is placed in the outer lead. It is provided in a state of being installed on the hole 4.

【００２６】上記インナ−リ−ド５ａは、例えば幅
μｍ、隣り合うインナ−リ−ド５ａとの間隔 μｍで
設けられている。また、上記アウタリ−ド５ｂは、例え
ば幅 μｍ、隣り合うアウタリ−ド５ｂとの間隔
μｍで設けられている。The inner lead 5a has, for example, a width.
.mu.m, and an interval .mu.m between adjacent inner leads 5a. The outer lead 5b has a width of, for example, μm, and a space between the outer leads 5b adjacent to each other.
It is provided in μm.

【００２７】なお、上記アウタリ−ド５ｂの上記インナ
−リ−ド５ａ側の基端部には、図のＡで示す部分を拡大
した図 に示すように、エッチング加工によって幅方向
両側部に切欠６が形成され、他の部分より幅の狭い細幅
部７が設けられている。At the base end of the outer lead 5b on the inner lead 5a side, as shown in an enlarged view of the portion indicated by A in the figure, a notch is formed on both sides in the width direction by etching. 6 is formed, and a narrow portion 7 having a narrower width than other portions is provided.

【００２８】すなわち、この細幅部７は、このアウタリ
−ド５ｂの他の部分よりも変形しやすいように形成され
ている。次に、このフィルムキャリア１を用いたＴＣＰ
（Tape Carrier package）の製造について説明する。That is, the narrow portion 7 is formed so as to be deformed more easily than the other portions of the outer lead 5b. Next, TCP using this film carrier 1
The manufacturing of (Tape Carrier package) will be described.

【００２９】このフィルムキャリア１は、図示しないリ
−ルに巻回収納された状態でインナ−リ−ドボンディン
グ装置に取り付けられる。このインナ−リ−ドボンディ
ング装置は、このフィルムキャリア１に半導体素子をイ
ンナ−リ−ドボンディングする装置である。The film carrier 1 is attached to an inner lead bonding apparatus while being wound and stored in a reel (not shown). This inner lead bonding apparatus is an apparatus for inner-lead bonding a semiconductor element to the film carrier 1.

【００３０】このインナ−リ−ドボンディング装置は、
上記リ−ルから上記フィルムキャリア１を順次繰出し、
略水平に張設して、図１に矢印（イ）で示す方向に間欠
的に送り駆動する。This inner lead bonding apparatus is
The film carrier 1 is sequentially fed out from the reel,
It is stretched substantially horizontally and is intermittently driven and driven in the direction indicated by the arrow (a) in FIG.

【００３１】そして、このインナ−リ−ドボンディング
装置は、図１中左側に示す未だ半導体素子が搭載されて
いないデバイスホ−ル３を所定のボンディング位置に停
止させる。The inner lead bonding apparatus stops the device hole 3 shown in the left side of FIG. 1 on which no semiconductor element is mounted yet at a predetermined bonding position.

【００３２】このボンディング位置の下方には図示しな
いボンディングステ−ジが設けられている。このボンデ
ィングステ−ジは、上記フィルムキャリア１の下側で図
１中右側に９で示す半導体素子を保持し、この半導体素
子９に設けられた図示しない各電極パッドを上記デバイ
スホ−ル３内に突出したインナ−リ−ド５ａの下面に対
向させる。A bonding stage (not shown) is provided below the bonding position. The bonding stage holds a semiconductor element indicated by 9 on the right side in FIG. 1 below the film carrier 1, and each electrode pad (not shown) provided on the semiconductor element 9 is placed in the device hole 3. The lower surface of the protruding inner lead 5a is made to face.

【００３３】また、このボンディングステ−ジ（図示し
ない）の上記フィルムキャリア１を挟む上方には、同じ
く図示しないボンディング機構が設けられている。この
ボンディング機構は、上記インナ−リ−ド５ａを上記半
導体素子９に対して加熱し加圧することで、両者を接合
（インナ−リ−ドボンディング）する。このことで、上
記半導体素子９は、図１中右側に示すように上記フィル
ムキャリア１に搭載される。A bonding mechanism (not shown) is also provided above the bonding stage (not shown) sandwiching the film carrier 1. In this bonding mechanism, the inner lead 5a is heated and pressed against the semiconductor element 9 to bond them (inner lead bonding). As a result, the semiconductor element 9 is mounted on the film carrier 1 as shown on the right side in FIG.

【００３４】インナ−リ−ドボンディングが終了したな
らば、上記フィルムキャリア１はさらに送り駆動され、
上記半導体素子９が搭載された部位を図示しない樹脂封
止装置に対向させる。When the inner lead bonding is completed, the film carrier 1 is further fed and driven,
The portion on which the semiconductor element 9 is mounted is made to face a resin sealing device (not shown).

【００３５】この樹脂封止装置は、図１（ｂ）中左側に
示すように、上記半導体素子７の上面および上記インナ
−リ−ド５ａの全体を覆うように封止用樹脂１０を塗布
する。In this resin sealing device, as shown on the left side in FIG. 1 (b), a sealing resin 10 is applied so as to cover the upper surface of the semiconductor element 7 and the entire inner lead 5a. .

【００３６】塗布された封止用樹脂は、このフィルムキ
ャリア１を図示しない硬化炉内に通過させることで、硬
化せられる。このことで、樹脂封止工程が終了する。次
に、上記フィルムキャリア１上には、図１（ａ）に１１
で示す金属板（補強板）が接着される。この金属板１１
は、矩形状の外形を有し、上記アウタリ−ドホ−ル４の
内側に接着される。The applied sealing resin is cured by passing the film carrier 1 through a curing oven (not shown). This completes the resin sealing step. Next, as shown in FIG.
The metal plate (reinforcing plate) indicated by is bonded. This metal plate 11
Has a rectangular outer shape and is adhered to the inner side of the outer lead hole 4.

【００３７】そして、この金属板１１の中央部には上記
半導体素子９およびインナ−リ−ド５ａを位置させるた
めの同じく矩形状の貫通孔１１ａが設けられている。な
お、この金属板１１は、絶縁性接着剤（図示しない）を
介して上記フィルムキャリア１に接着されている。した
がって、上記フィルムキャリア１上に設けられたリ−ド
５どうしがショ−トすることはない。A rectangular through hole 11a for positioning the semiconductor element 9 and the inner lead 5a is provided at the center of the metal plate 11. The metal plate 11 is adhered to the film carrier 1 via an insulating adhesive (not shown). Therefore, the leads 5 provided on the film carrier 1 do not short.

【００３８】また、この金属板１１の厚さは、同図
（ｂ）および図２に示すように、上記半導体素子９の厚
さよりも厚く形成されている。したがって、上記金属板
１１の下面は、上記半導体素子９の下面よりも下方に突
出するようになっている。The thickness of the metal plate 11 is thicker than that of the semiconductor element 9, as shown in FIGS. Therefore, the lower surface of the metal plate 11 is projected below the lower surface of the semiconductor element 9.

【００３９】ついで、このフィルムキャリア１は、図１
（ａ）中左側に示す一点鎖線に沿って切断され打ち抜か
れると共に、上記アウタリ−ド５ｂをガルウイング状に
折曲される。Next, the film carrier 1 is shown in FIG.
(A) The outer lead 5b is bent along the alternate long and short dash line shown on the left side in the middle and punched, and the outer lead 5b is bent into a gull wing shape.

【００４０】このフィルムキャリア１の打ち抜きおよび
成形は、図３に示す金型装置で行う。同図中１２で示す
のはこの金型装置の下型であり、１３は上型である。ま
た、図に１４で示すのは、上記アウタリ−ド５ａを切断
・折曲するためのポンチである。The punching and molding of the film carrier 1 are carried out by the mold device shown in FIG. In the figure, reference numeral 12 is a lower mold of the mold device, and 13 is an upper mold. Further, 14 is a punch for cutting / bending the outer lead 5a.

【００４１】上記下型１２および上型１３は、互いに接
離する方向に移動自在に設けられ、開閉自在となってい
る。また、上記ポンチ１４は、上記上型１３から下型１
２の方向へ突没自在に設けられている。The lower mold 12 and the upper mold 13 are provided so as to be movable in the directions in which they approach and separate from each other, and can be opened and closed. Further, the punch 14 is formed from the upper die 13 to the lower die 1.
It is installed so that it can project and retract in two directions.

【００４２】この金型装置で打ち抜きアウタリ−ド５ｂ
のフォ−ミングを行う場合には、まず、開かれた上型１
３と下型１２との間に上記フィルムキャリア１の打ち抜
き部位を停止させ、ついで、上記上型１３と下型１２と
を閉じる。Outer lead 5b punched out by this mold device
When performing forming, first, the opened upper mold 1
The punching portion of the film carrier 1 is stopped between the lower mold 3 and the lower mold 12, and then the upper mold 13 and the lower mold 12 are closed.

【００４３】このとき、上記アウタリ−ド５の細幅部７
は、上記下型１２および上型１３に突設された下側保持
部１２ａおよび上側保持部１３ａとによって移動不能に
挟持される。このことで、アウタリ−ド５の成形中にこ
の細幅部７が変形あるいは破断することを防止する。At this time, the narrow portion 7 of the outer lead 5 is
Is immovably sandwiched by the lower holding part 12a and the upper holding part 13a provided on the lower mold 12 and the upper mold 13. This prevents the narrow portion 7 from being deformed or broken during the molding of the outer lead 5.

【００４４】ついで、上記ポンチ１４が下降駆動され、
図３（ｂ）に示すように、上記アウタリ−ド５ｂの外端
部をフィルムキャリア１から切り離すと共に、このアウ
タリ−ド５ｂを折曲する。このことによって、上記アウ
タリ−ド５ｂは、上記細幅部７と、下方向に折曲されて
なるリフト部１６と、再び水平に折曲されてなる水平部
１７とからなるガルウイング状に成形される。Then, the punch 14 is driven downward,
As shown in FIG. 3 (b), the outer end portion of the outer lead 5b is separated from the film carrier 1 and the outer lead 5b is bent. As a result, the outer lead 5b is formed in a gull wing shape including the narrow portion 7, the lift portion 16 bent downward, and the horizontal portion 17 bent again horizontally. It

【００４５】このことで図４に示すＴＣＰ（Tape carri
er package）１８が完成する。なお、同図に１（２）で
示すフィルムキャリアはこのＴＣＰ１８においては、サ
ポ−トリングと称される。そして、上記封止用樹脂１０
により封止された部位はパッケ−ジ部と称される。As a result, the TCP (Tape carri) shown in FIG.
er package) 18 is completed. The film carrier indicated by 1 (2) in the figure is called a support ring in the TCP 18. Then, the sealing resin 10
The part sealed by is called a package part.

【００４６】したがって、完成したＴＣＰ１８は、同図
に示すように、上記サポ−トリング１（２）に、上記ア
ウタリ−ド５ｂの折り曲げられた方向と同方向に突出す
る上記金属板１１が接着された構造となる。Therefore, in the completed TCP 18, as shown in the same figure, the metal plate 11 protruding in the same direction as the bending direction of the outer lead 5b is bonded to the support ring 1 (2). It has a different structure.

【００４７】なお、金属板１１の突出量（厚さ）は、上
記アウタリ−ド５ｂのリフト高さｈよりも若干小さくな
るように設定されている。次に、このＴＣＰ１８を基板
に実装する工程について説明する。なお、この工程は、
アウタリ−ドボンディングと呼ばれ、アウタリ−ドボン
ディング装置によって行われる。また、基板としては、
例えばセラミックパッケ−ジに用いる多層セラミック基
板等が対象となる。The protruding amount (thickness) of the metal plate 11 is set to be slightly smaller than the lift height h of the outer lead 5b. Next, a process of mounting the TCP 18 on the board will be described. In addition, this process
This is called outer bonding and is performed by an outer bonding device. Also, as the substrate,
For example, a multilayer ceramic substrate or the like used for a ceramic package is targeted.

【００４８】このアウタリ−ドボンディング装置は、図
５に示すように、このＴＣＰ１８の上面を吸着ノズル１
９で保持し、図に２０で示す基板に対向させる。この基
板２０上には、上記ＴＣＰ１８の各アウタリ−ド５ｂに
対応する電極パッド２１が設けられ、この電極パッド２
１上には、あらかじめハンダ材２２が供給されている。In this outer lead bonding apparatus, as shown in FIG. 5, the suction nozzle 1 is provided on the upper surface of the TCP 18.
It is held at 9 and is opposed to the substrate shown at 20 in the figure. Electrode pads 21 corresponding to the outer leads 5b of the TCP 18 are provided on the substrate 20.
The solder material 22 has been previously supplied onto the upper surface of the metal plate 1.

【００４９】ついで、上記吸着ノズル１９を下降駆動す
ることで、同図に示すように、上記アウタリ−ド１５ｂ
の水平部１７を上記電極パッド２１（ハンダ材２２）に
当接させ、このＴＡＢ部品１８を上記基板２０上に載置
する。Then, by driving the suction nozzle 19 downward, as shown in FIG.
The horizontal portion 17 is brought into contact with the electrode pad 21 (solder material 22), and the TAB component 18 is placed on the substrate 20.

【００５０】このとき、同図に示すように、アウタリ−
ド５ｂが変形することがあるが、上記金属板１１が上記
基板２０の表面に当接することで、上記アウタリ−ド５
ｂのそれ以上の変形は防止され、上記半導体素子９が上
記基板に衝突することはない。At this time, as shown in FIG.
The outer plate 5b may be deformed, but when the metal plate 11 comes into contact with the surface of the substrate 20, the outer lead 5b is deformed.
Further deformation of b is prevented, and the semiconductor element 9 does not collide with the substrate.

【００５１】このことで、上記アウタリ−ド５ｂの塑性
変形が防止され、また、上記半導体素子９の破損も防止
できる。このＴＣＰ１８が基板２０に装着されたなら
ば、この基板２０は、リフロ−炉内に挿入される。As a result, plastic deformation of the outer lead 5b can be prevented, and damage to the semiconductor element 9 can be prevented. Once the TCP 18 is mounted on the substrate 20, the substrate 20 is inserted into the reflow oven.

【００５２】このことで、上記電極パッド２１上に供給
されたハンダ材２２が再溶融し、上記アウタリ−ド５ｂ
の水平部１７は図６（ａ）、（ｂ）に示すように、上記
電極パッド２１にハンダ付けされる。As a result, the solder material 22 supplied onto the electrode pad 21 is remelted, and the outer lead 5b is removed.
The horizontal portion 17 is soldered to the electrode pad 21 as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).

【００５３】なお、このとき、上記アウタリ−ド５ｂの
水平部が図５に示すように浮き上がっていることがあ
る。この場合であっても、上記溶融したハンダ材２１の
表面張力、濡れ力あるいは硬化時の凝縮力により上記ア
ウタリ−ド５ｂの水平部１７が下方向に引っ張られ、こ
のことにより上記アウタリ−ド５ｂの細幅部７が変形
し、上記水平部１７の浮き上がりが矯正される。At this time, the horizontal portion of the outer lead 5b may rise as shown in FIG. Even in this case, the horizontal portion 17 of the outer lead 5b is pulled downward by the surface tension, the wetting force of the melted solder material 21 or the condensing force at the time of hardening, whereby the outer lead 5b is pulled. The narrow width portion 7 is deformed, and the floating of the horizontal portion 17 is corrected.

【００５４】また、水平部１７が浮き上がっていないア
ウタリ−ドであっても、図５にＢで示す位置に溜まった
ハンダ材２２の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によっ
て上記半導体素子９の方向（図に矢印で示す方向）に引
っ張られるということがある。Even in the outer lead in which the horizontal portion 17 is not lifted up, the direction of the semiconductor element 9 is ( It may be pulled in the direction indicated by the arrow in the figure).

【００５５】この場合にも、上記細幅部７が変形するこ
とで、上記アウタリ−ド５ｂの同方向への移動を許容さ
れるから、このＴＣＰ１８全体の浮き上がりやこのアウ
タリ−ド５ｂの破損が有効に防止される。Also in this case, since the outer narrow portion 7 is deformed to allow the outer lead 5b to move in the same direction, the entire TCP 18 is lifted or the outer lead 5b is damaged. Effectively prevented.

【００５６】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。第１に、ＴＣＰ１８を基板２０に装着する
際の半導体素子９の破損を有効に防止できる効果があ
る。According to such a configuration, there are the following effects. First, there is an effect that the damage of the semiconductor element 9 when the TCP 18 is mounted on the substrate 20 can be effectively prevented.

【００５７】すなわち、サポ−トリング１（２）（フィ
ルムキャリア）の基板２０側の面に、上記半導体素子９
の裏面よりも上記基板２０側に突出する補強材としての
金属板１１を接着するようにした。That is, the semiconductor element 9 is formed on the surface of the support ring 1 (2) (film carrier) on the substrate 20 side.
The metal plate 11 serving as a reinforcing material that protrudes toward the substrate 20 side from the back surface of the is bonded.

【００５８】このことで、フィルムキャリア１の補強が
なされ、他の電子部品と共にリフロ−ハンダ付けを行え
る。そして、リフロ−ハンダ付けを行う際には、このＴ
ＣＰ１８を基板２０上へまず装着する必要があるが、こ
の際に上記ＴＣＰ１８のアウタリ−ド５ｂが変形したと
しても、上記金属板１１によって上記半導体素子９の基
板２０への衝突が規制されるから、この半導体素子９の
破損を有効に防止することができる。As a result, the film carrier 1 is reinforced, and reflow soldering can be performed together with other electronic components. And when performing reflow soldering, this T
It is necessary to mount the CP 18 on the substrate 20 first, but even if the outer lead 5b of the TCP 18 is deformed at this time, the metal plate 11 prevents the semiconductor element 9 from colliding with the substrate 20. Therefore, the damage of the semiconductor element 9 can be effectively prevented.

【００５９】さらに、上記金属板１１が存在することに
より、このＴＣＰ１８を基板２０に搭載する際の上記ア
ウタリ−ド５ｂの変形を最小量で押さえることができ、
このアウタリ−ド５ｂが完全に塑性変形してしまうとい
うことが防止される。Furthermore, the presence of the metal plate 11 makes it possible to suppress the deformation of the outer lead 5b when the TCP 18 is mounted on the substrate 20 with a minimum amount.
It is possible to prevent the outer lead 5b from being completely plastically deformed.

【００６０】なお、従来の構成であると、上記半導体素
子９の基板２０への衝突や上記アウタリ−ド５ｂの塑性
変形を防止するには、上記ＴＣＰ１８を保持する吸着ノ
ズルなどの装着機構に高精度の荷重調整手段を設ける必
要があった。このため、装置が大形化し、かつ高価にな
るという問題や、装着速度が低下するという問題があっ
た。With the conventional structure, in order to prevent the semiconductor element 9 from colliding with the substrate 20 and the plastic deformation of the outer lead 5b, a mounting mechanism such as a suction nozzle for holding the TCP 18 is required to have a high structure. It was necessary to provide a precision load adjusting means. Therefore, there are problems that the device becomes large and expensive, and that the mounting speed decreases.

【００６１】しかし、この発明では、そのような装置が
不要になるから、装置を小形化することができると共
に、装着を高速で行うことができる効果がある。なお、
上記アウタリ−ド５ｂのリフト高さｈを上記金属板１１
の厚さよりも大きく設定することで、上記アウタリ−ド
５ｂの水平部１７と上記基板２０に設けられた電極パッ
ド２１上のハンダ材２２との接触を確実に確保すること
ができる。However, according to the present invention, since such a device is not required, there is an effect that the device can be downsized and the mounting can be performed at high speed. In addition,
The lift height h of the outer lead 5b is set to the metal plate 11
By setting the thickness larger than the thickness, the contact between the horizontal portion 17 of the outer lead 5b and the solder material 22 on the electrode pad 21 provided on the substrate 20 can be reliably ensured.

【００６２】第２に、アウタリ−ド５ｂの破損を防止し
つつハンダ付けを良好に行える効果がある。すなわち、
この発明では、アウタリ−ド５ｂの一部に細幅部７を設
け、この部分を他の部分と比較して特に変形しやすいよ
うに形成した。Secondly, there is an effect that good soldering can be performed while preventing damage to the outer lead 5b. That is,
In the present invention, the narrow portion 7 is provided in a part of the outer lead 5b, and this part is formed so as to be particularly easily deformed as compared with other parts.

【００６３】このことで、ハンダ付け時の溶融ハンダ材
２２の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によるアウタリ
−ド５ｂの変形を許容し、このアウタリ−ド５ｂの水平
部１７の浮きを矯正することができると共に、このアウ
タリ−ド５ｂの内部応力の増加をこの細幅部７で有効に
吸収するすることができる。This allows deformation of the outer lead 5b due to the surface tension, the wetting force or the condensing force of the molten solder material 22 at the time of soldering, and corrects the floating of the horizontal portion 17 of the outer lead 5b. In addition, the increase in internal stress of the outer lead 5b can be effectively absorbed by the narrow width portion 7.

【００６４】したがって、リフロ−ハンダ付けを確実に
行え、導電不良の発生を防止することができると共に、
アウタリ−ド５ｂの破損やＴＣＰ１８全体の浮き上がり
を有効に防止することができる。Therefore, the reflow soldering can be surely performed, the occurrence of the conductive failure can be prevented, and
It is possible to effectively prevent breakage of the outer lead 5b and lifting of the entire TCP 18.

【００６５】また、上記細幅部７のみを特に変形しやす
くすると共に、上記アウタリ−ド５ｂの成形時には、こ
の細幅部７を上型１３および下型１２とによって移動不
能、変形不能に挟持するようにした。Further, only the narrow width portion 7 is particularly easily deformed, and at the time of molding the outer lead 5b, the narrow width portion 7 is clamped by the upper die 13 and the lower die 12 so as not to move or deform. I decided to do it.

【００６６】このことで、アウタリ−ド５ｂ全体を微細
化する場合と異なり、成形時におけるアウタリ−ド５ｂ
の変形や破損を有効に防止することができる。一方、成
形後は上記細幅部７によって上記アウタリ−ド５ｂの変
形性を確保することができる。Therefore, unlike the case where the entire outer lead 5b is miniaturized, the outer lead 5b at the time of molding is formed.
It is possible to effectively prevent deformation and damage of the. On the other hand, after molding, the narrow width portion 7 can ensure the deformability of the outer lead 5b.

【００６７】したがって、アウタリ−ド５ｂの破損を有
効に防止しつつ前述したようにハンダ付けを良好に行う
ことができる効果がある。なお、この発明は、上記一実
施例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形可能である。Therefore, there is an effect that the outer lead 5b can be effectively prevented from being damaged and the soldering can be favorably performed as described above. It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned one embodiment, and can be variously modified without changing the gist of the invention.

【００６８】例えば、上記一実施例においては、リフロ
−ハンダ付けによってハンダ付けを行ったが、ボンディ
ングツ−ルを用いた従来のハンダ付け方法であっても、
相応の効果を得ることができる。For example, in the above-mentioned one embodiment, the soldering is performed by the reflow soldering, but the conventional soldering method using the bonding tool also
The corresponding effect can be obtained.

【００６９】すなわち、リフロ−ハンダ付けの場合と同
様に、このＴＣＰ１８を基板２０に対向させる際におけ
る半導体素子９と基板２０との衝突を防止できると共
に、ハンダ付け時には、ボンディングツ−ルの押圧面と
基板２０との平行度が正確でない場合であっても、溶融
したハンダ材２２の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力に
よって上記アウタリ−ド５ｂの水平部１７が上記電極パ
ッド２１に引き付けられ良好なハンダ付けを行うことが
できる効果がある。That is, as in the case of reflow soldering, it is possible to prevent the semiconductor element 9 from colliding with the substrate 20 when the TCP 18 is opposed to the substrate 20, and at the time of soldering, the pressing surface of the bonding tool is pressed. Even if the parallelism between the substrate 20 and the substrate 20 is not accurate, the horizontal portion 17 of the outer lead 5b is attracted to the electrode pad 21 by the surface tension, the wetting force, or the condensing force of the molten solder material 22, which is favorable. There is an effect that soldering can be performed.

【００７０】また、上記一実施例では、半導体パッケ−
ジとしてＴＣＰ１８を上げたが、これに限定されるもの
ではなく、ＱＦＰやＳＯＰなどのプラスチック半導体パ
ッケ−ジであっても良い。Further, in the above embodiment, the semiconductor package is used.
Although the TCP 18 is used as the package, the present invention is not limited to this, and a plastic semiconductor package such as QFP or SOP may be used.

【００７１】プラスチック半導体パッケ−ジにおいて
は、上記金属板１１は不要であるが、パッケ−ジ部から
外方に突出するアウタリ−ドの基端側に同様に細幅部を
設けておくことで、このアウタリ−ドを曲り易くして上
記一実施例と同様の効果を得ることができる。In the plastic semiconductor package, the metal plate 11 is not necessary, but a narrow portion is similarly provided on the base end side of the outer lead protruding outward from the package portion. The outer lead can be easily bent, and the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【００７２】また、上記一実施例では、アウタリ−ドの
幅を細くすることで、このアウタリ−ドの他の部位より
も断面積が小さく形成されてなる微細部（細幅部７）を
設けたが、上記アウタリ−ドの厚さを小さくすること
で、微細部を設けるようにしても良い。Further, in the above-described embodiment, the width of the outer lead is narrowed to provide a fine portion (narrow width portion 7) having a smaller cross-sectional area than the other portions of the outer lead. However, the fine portion may be provided by reducing the thickness of the outer lead.

【００７３】[0073]

【発明の効果】以上述べたように、この発明は、第１
に、フィルムキャリアのデバイスホ−ルとアウタリ−ド
ホ−ルの間のベ−スフィルム上に、このベ−スフィルム
を補強すると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−
リ−ドに接続される半導体素子の厚さより大きく形成さ
れてなる補強体を設けるようにしたので、このフィルム
キャリアにより形成される半導体パッケ−ジを基板上に
装着する際に、この半導体パッケ−ジと基板との衝突を
規制でき、上記半導体パッケ−ジの破損を有効に防止す
ることができる効果がある。As described above, the present invention is the first
In addition, the base film is reinforced on the base film between the device hole and the outer lead hole of the film carrier, and the thickness of the base film is at least the above-mentioned inner layer.
Since the reinforcing body formed to be thicker than the thickness of the semiconductor element connected to the lead is provided, the semiconductor package formed by the film carrier is mounted on the substrate. There is an effect that the collision between the semiconductor package and the substrate can be regulated, and the damage of the semiconductor package can be effectively prevented.

【００７４】第２に、フィルムキャリアに形成されたア
ウタリ−ド部のインナ−リ−ド部側の部位には、このア
ウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されて
なる微細部が設けられているから、このフィルムキャリ
アにより成形される半導体パッケ−ジのアウタリ−ドを
基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の表面
張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容して
上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることができる
効果がある。Second, a fine portion having a smaller cross-sectional area than the other portions of the outer lead is formed at the inner lead portion of the outer lead portion formed on the film carrier. Therefore, when soldering the outer lead of the semiconductor package molded by this film carrier onto the substrate, the deformation of the fine portion due to the surface tension or the wetting force of the molten solder material is allowed. Then, there is an effect that the outer lead can be satisfactorily soldered.

【００７５】第３に、半導体パッケ−ジのサポ−トリン
グに、この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半
導体パッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子
と基板の接触を規制する補強体を突設することにより、
この半導体パッケ−ジを基板上に装着する際に、この半
導体パッケ−ジと基板との衝突を規制でき、上記半導体
パッケ−ジの破損を有効に防止することができる効果が
ある。Third, the support ring of the semiconductor package is reinforced with the semiconductor package, and the contact between the semiconductor element and the substrate is regulated when the semiconductor package is mounted on the substrate. By protruding the reinforcing body,
When this semiconductor package is mounted on the substrate, collision between the semiconductor package and the substrate can be regulated, and the damage of the semiconductor package can be effectively prevented.

【００７６】第４に、半導体パッケ−ジのパッケ−ジ部
から突出するアウタリ−ド部の既端部に、このアウタリ
−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されてなる微
細部を設けたから、この半導体パッケ−ジのアウタリ−
ドを基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の
表面張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容
して上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることがで
きる効果がある。Fourth, a minute portion formed by forming a cross-sectional area smaller than other portions of the outer lead at the existing end of the outer lead protruding from the package portion of the semiconductor package. Since it is provided, the outer package of this semiconductor package
When the solder is soldered onto the substrate, there is an effect that the deformation of the fine portion due to the surface tension or the wetting force of the molten solder material is allowed and the outer lead can be soldered well.

【００７７】第５に、フィルムキャリアのアウタリ−ド
ホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、このアウタリ−ド
部の基端側に設けられた細幅部を挟持固定しつつ切断し
所定の形状に折曲するようにしたから、このアウタリ−
ドの折曲時における変形や破損を防止でき、かつ基板上
にハンダ付けする際に溶融したハンダ材の表面張力ある
いは濡れ力による上記微細部の変形を許容して上記アウ
タリ−ドを良好にハンダ付けすることができる半導体パ
ッケ−ジを得ることができる効果がある。Fifth, the outer lead portion located on the outer lead hole of the film carrier is cut while holding the narrow portion provided on the base end side of the outer lead portion in between, and cutting the outer lead portion. Since it is bent into a shape, this outer
It is possible to prevent deformation and damage when the solder is bent, and to allow deformation of the fine parts due to the surface tension or the wetting force of the molten solder material when soldering onto the substrate, and solder the outer lead well. There is an effect that a semiconductor package which can be attached is obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の一実施例を示すフィルムキャリアの
平面図および縦断面図。FIG. 1 is a plan view and a vertical sectional view of a film carrier showing an embodiment of the present invention.

【図２】同じく、アウタリ−ドを拡大して示す縦断面図
および平面図。2 is a vertical sectional view and a plan view showing the outer lead in an enlarged manner. FIG.

【図３】同じく、半導体パッケ−ジの製造工程における
アウタリ−ドの切断、折曲工程を示す縦断面図。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view showing cutting and bending steps of the outer lead in the manufacturing process of the semiconductor package.

【図４】同じく、半導体パッケ−ジの一部を拡大して示
す縦断面図および斜視図。FIG. 4 is a longitudinal sectional view and a perspective view showing a part of the semiconductor package in an enlarged manner.

【図５】同じく、半導体パッケ−ジの基板への装着工程
を示す縦断面図。FIG. 5 is a vertical sectional view showing a process of mounting the semiconductor package on the substrate.

【図６】同じく、半導体パッケ−ジのハンダ付け工程を
示す縦断面図および斜視図。FIG. 6 is a vertical sectional view and a perspective view showing a soldering process of the semiconductor package.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１…フィルムキャリア、２…ベ−スフィルム、３…デバ
イスホ−ル、４…アウタリ−ドホ−ル、５…リ−ド、５
ａ…インナ−リ−ド（インナ−リ−ド部）、５ｂ…アウ
タリ−ド（アウタリ−ド部）、７…細幅部（微細部）、
９…半導体素子、１１…金属板（補強材）、２０…基
板、２１…電極パッド、２２…ハンダ材。1 ... Film carrier, 2 ... Base film, 3 ... Device hole, 4 ... Outer lead hole, 5 ... Lead, 5
a ... inner lead (inner lead portion), 5b ... outer lead (outer lead portion), 7 ... narrow width portion (fine portion),
9 ... Semiconductor element, 11 ... Metal plate (reinforcing material), 20 ... Substrate, 21 ... Electrode pad, 22 ... Solder material.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井澤 勲 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 中嶋 宣行 神奈川県川崎市川崎区日進町７番地１ 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Isao Izawa 1 Toshiba Town, Fuchu City, Tokyo Inside Toshiba Fuchu Factory (72) Inventor Nobuyuki Nakajima 7-1, Nisshin Town, Kawasaki City, Kawasaki City, Kanagawa Prefecture Toshiba Electronics Engineering Co., Ltd. Within the corporation

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
されたリ−ドとを有するフィルムキャリアにおいて、 上記ベ−スフィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタ
リ−ドホ−ルとの間には、このベ−スフィルムを補強す
ると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに
接続される半導体素子の厚さより大きく形成されてなる
補強体が設けられていることを特徴とするフィルムキャ
リア。1. A flexible base film having a device hole and an outer lead hole provided on the outer peripheral side of the device hole, and an inner base formed on the base film. In a film carrier having a lead portion protruding to the device hole and an outer lead portion provided on the outer lead hole, the device hole of the base film and the device hole. This base film is reinforced between the outer lead hole and the outer lead hole, and the thickness thereof is at least larger than the thickness of the semiconductor element connected to the inner lead. A film carrier characterized by being provided with. 【請求項２】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
されたリ−ドとを有するフィルムキャリアにおいて、 上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部側の部位に
は、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく
形成されてなる微細部が設けられていることを特徴とす
るフィルムキャリア。2. A flexible base film having a device hole and an outer lead hole provided on the outer peripheral side of the device hole, and an inner base formed on the base film. A film carrier having a lead portion protruding into the device hole and an outer lead portion provided on the outer lead hole, wherein the inner lead of the outer lead portion is A film carrier characterized in that a fine portion having a smaller cross-sectional area than that of the other portion of the outer lead is provided at the portion on the side of the outer portion. 【請求項３】 フィルム部材からなるサポ−トリング
と、このサポ−トリングに設けられ、このサポ−トリン
グの内側に突設するインナ−リ−ド部および外側に突設
するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上記インナ−
リ−ド部に接続された半導体素子とを有する半導体パッ
ケ−ジにおいて、 上記サポ−トリングには、この半導体パッケ−ジを補強
すると共に、この半導体パッケ−ジを基板に装着する際
に、上記半導体素子と基板の接触を規制する補強体が突
設されていることを特徴とする半導体パッケ−ジ。3. A support ring formed of a film member, an inner lead portion provided on the support ring and protruding inside the support ring, and an outer lead portion protruding outward. The lead which has, and the above-mentioned inner
A semiconductor package having a semiconductor element connected to a lead portion, wherein the support ring reinforces the semiconductor package, and when the semiconductor package is mounted on a substrate, A semiconductor package, wherein a reinforcing body for restricting contact between the semiconductor element and the substrate is provided in a protruding manner. 【請求項４】 半導体素子が搭載されてなるパッケ−ジ
部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ部内の半導体
素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ−ジ部の外方
へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する半導体パッケ
−ジにおいて、 上記アウタリ−ド部の上記パッケ−ジ部側の基端部に
は、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく
形成されてなる微細部が設けられていることを特徴とす
る半導体パッケ−ジ。4. A package portion on which a semiconductor element is mounted and an inner lead portion are connected to a semiconductor element in the package portion, and an outer lead is projected to the outside of the package portion. In a semiconductor package having a plurality of leads provided, a cross-sectional area of a base end portion of the outer lead portion on the package portion side is larger than that of other portions of the outer lead portion. A semiconductor package characterized in that a fine portion formed of a small size is provided. 【請求項５】 請求項２あるいは請求項４記載の半導体
パッケ−ジにおいて、 上記アウタリ−ド部は、上記微細部を挟持固定された状
態で、折り曲げ形成されることを特徴とする半導体パッ
ケ−ジ。5. The semiconductor package according to claim 2 or 4, wherein the outer lead portion is bent and formed in a state where the fine portion is held and fixed. J. 【請求項６】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のインナ−リ−ド
部側の部位に設けられ他の部分よりも断面積が小さく形
成されてなる微細部とを有するフィルムキャリアを供給
する工程と、 このフィルムキャリアのデバイスホ−ル内に半導体素子
を搭載し、上記インナ−リ−ド部をこの半導体素子にボ
ンディングする工程と、 上記アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、
上記細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲す
る工程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの
製造方法。6. A flexible base film having a device hole and an outer lead hole provided on the outer peripheral side of the device hole, and an inner base formed on the base film. The lead portion is projected into the device hole, and the outer lead portion is provided on the lead erected on the outer lead hole and the inner lead portion side portion of the outer lead portion. A step of supplying a film carrier having a fine portion which is provided and has a cross-sectional area smaller than that of other portions, and a semiconductor element is mounted in the device hole of the film carrier, and the inner lead portion is formed. Bonding the semiconductor element to this semiconductor element, and an outer lead portion located in the outer lead hole,
A method of manufacturing a semiconductor package, comprising a step of cutting and narrowing the narrow width portion while sandwiching and fixing the narrow width portion into a predetermined shape.