JPH0878482A - フィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法 - Google Patents
フィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法Info
- Publication number
- JPH0878482A JPH0878482A JP6206616A JP20661694A JPH0878482A JP H0878482 A JPH0878482 A JP H0878482A JP 6206616 A JP6206616 A JP 6206616A JP 20661694 A JP20661694 A JP 20661694A JP H0878482 A JPH0878482 A JP H0878482A
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- lead
- hole
- semiconductor element
- semiconductor package
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体素子の破損を防止でき、アウタリ−ドの
良好なハンダ付けを行えるフィルムキャリア、半導体パ
ッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法を提供す
る。 【構成】フィルムキャリア1のデバイスホ−ル3とアウ
タリ−ドホ−ル4の間のベ−スフィルム2上に、このベ
−スフィルム2を補強すると共に、その厚さが少なくと
もインナ−リ−ド5aに接続される半導体素子9の厚さ
より大きく形成されてなる金属板11を接着すると共
に、上記アウタリ−ド5bの基端側には、このアウタリ
−ド5bの他の部位よりも細く形成されてなる細幅部7
を設けた。
良好なハンダ付けを行えるフィルムキャリア、半導体パ
ッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法を提供す
る。 【構成】フィルムキャリア1のデバイスホ−ル3とアウ
タリ−ドホ−ル4の間のベ−スフィルム2上に、このベ
−スフィルム2を補強すると共に、その厚さが少なくと
もインナ−リ−ド5aに接続される半導体素子9の厚さ
より大きく形成されてなる金属板11を接着すると共
に、上記アウタリ−ド5bの基端側には、このアウタリ
−ド5bの他の部位よりも細く形成されてなる細幅部7
を設けた。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、TAB(Tape Autom
ated Bonding)技術を利用した半導体パッケ−ジの製造
におけるフィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半
導体パッケ−ジの製造方法に関するものである。
ated Bonding)技術を利用した半導体パッケ−ジの製造
におけるフィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半
導体パッケ−ジの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近のLSIの多端子狭ピッチ化に対応
する半導体パッケ−ジとして、従来のプラスチックQF
P(Quad Flat Packege (4方向に端子が突出してなる
プラスチック半導体パッケ−ジ))よりもさらに多端子
狭ピッチ化を図ることができるTCP(Tape Carrier P
ackage:テ−プキャリアパッケ−ジ)が登場している。
する半導体パッケ−ジとして、従来のプラスチックQF
P(Quad Flat Packege (4方向に端子が突出してなる
プラスチック半導体パッケ−ジ))よりもさらに多端子
狭ピッチ化を図ることができるTCP(Tape Carrier P
ackage:テ−プキャリアパッケ−ジ)が登場している。
【0003】このTCPは、TAB(Tape Automated B
onnding )の技術を用いて製造されるもので、まず、シ
ネフィルム状の薄肉可撓性のフィルムキャリア上に半導
体素子を搭載する。
onnding )の技術を用いて製造されるもので、まず、シ
ネフィルム状の薄肉可撓性のフィルムキャリア上に半導
体素子を搭載する。
【0004】ついで、このフィルムキャリアを上記半導
体素子とともに所定の形状に打ち抜くと共に、外方に突
出したアウタリ−ドを外部端子の形(例えばガルウイン
グ状)に折り曲げてフォ−ミングする。
体素子とともに所定の形状に打ち抜くと共に、外方に突
出したアウタリ−ドを外部端子の形(例えばガルウイン
グ状)に折り曲げてフォ−ミングする。
【0005】このようして製造されたTCPによれば、
従来のプラスチックQFPでは実現が困難であった30
0ピン以上の多端子化が容易に実現できると共に、従来
のQFPに比べ、厚さが1/3で、かつ重さが1/2の
パッケ−ジが得られる。
従来のプラスチックQFPでは実現が困難であった30
0ピン以上の多端子化が容易に実現できると共に、従来
のQFPに比べ、厚さが1/3で、かつ重さが1/2の
パッケ−ジが得られる。
【0006】ところで、上記フィルムキャリアは可撓性
の薄肉部材である。また、上記アウタリ−ドは上記フィ
ルムキャリアの表面に被着された銅箔をエッチングして
形成したものであるから、その幅が200μm以下、厚
さが35μmと非常に微細なものである。このためTC
Pは全体的に非常に変形しやすいということがある。
の薄肉部材である。また、上記アウタリ−ドは上記フィ
ルムキャリアの表面に被着された銅箔をエッチングして
形成したものであるから、その幅が200μm以下、厚
さが35μmと非常に微細なものである。このためTC
Pは全体的に非常に変形しやすいということがある。
【0007】したがって、従来、このTCPを基板上に
表面実装する場合には、他の電子部品と一緒にリフロ−
ハンダ付けを行うことはできず、上記TCPを吸着ノズ
ルで吸着保持した状態でボンディングツ−ルを用いて上
記アウタリ−ドを基板に対して加熱、加圧することで個
別ハンダ付けを行っていた。
表面実装する場合には、他の電子部品と一緒にリフロ−
ハンダ付けを行うことはできず、上記TCPを吸着ノズ
ルで吸着保持した状態でボンディングツ−ルを用いて上
記アウタリ−ドを基板に対して加熱、加圧することで個
別ハンダ付けを行っていた。
【0008】そこで、近年、TCPの補強を図り、他の
部品と同様に良好にリフロ−ハンダ付けを行うための研
究がなされている。その補強の手段としては、上記フィ
ルムキャリアを樹脂で覆う、フィルムキャリア上に金属
板を貼り付ける等の方法がある。
部品と同様に良好にリフロ−ハンダ付けを行うための研
究がなされている。その補強の手段としては、上記フィ
ルムキャリアを樹脂で覆う、フィルムキャリア上に金属
板を貼り付ける等の方法がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、TCPをリ
フロ−ハンダ付けにより接続する場合には、以下に説明
するような考慮すべき事項がある。第1に、アウタリ−
ドを微細化することによるハンダ付け性の向上である。
フロ−ハンダ付けにより接続する場合には、以下に説明
するような考慮すべき事項がある。第1に、アウタリ−
ドを微細化することによるハンダ付け性の向上である。
【0010】すなわち、微細なアウタリ−ドは、非常に
小さい力で変形する。したがって、上記TCPを基板に
装着した際に上記アウタリ−ドの先端が電極パッドから
浮き上がっている場合であっても、この電極パッド上に
供給されたハンダ材(溶融ハンダ)の表面張力あるいは
濡れ力によってリ−ドの先端部が電極パッドの方向に引
っ張られ、浮き上がりが矯正されて良好なハンダ付けを
行えるという利点を有する。
小さい力で変形する。したがって、上記TCPを基板に
装着した際に上記アウタリ−ドの先端が電極パッドから
浮き上がっている場合であっても、この電極パッド上に
供給されたハンダ材(溶融ハンダ)の表面張力あるいは
濡れ力によってリ−ドの先端部が電極パッドの方向に引
っ張られ、浮き上がりが矯正されて良好なハンダ付けを
行えるという利点を有する。
【0011】第2に、アウタリ−ドを微細化することに
伴う半導体素子の破損である。すなわち、アウタリ−ド
の微細化には上述したような利点があるが、反対に、こ
のTCPを基板に実装する際に上記アウタリ−ドが変形
して、上記フィルムキャリアに搭載された半導体素子が
基板に衝突し、破損が生じるという欠点がある。これを
防止するには、装着機構の荷重制御を精度良く行う必要
があるということがある。
伴う半導体素子の破損である。すなわち、アウタリ−ド
の微細化には上述したような利点があるが、反対に、こ
のTCPを基板に実装する際に上記アウタリ−ドが変形
して、上記フィルムキャリアに搭載された半導体素子が
基板に衝突し、破損が生じるという欠点がある。これを
防止するには、装着機構の荷重制御を精度良く行う必要
があるということがある。
【0012】第3に、アウタリ−ドの微細化に伴うアウ
タリ−ドの破損である。上記アウタリ−ドは、上述した
ように、所定の形状に折り曲げられフォ−ミングされ
る。しかし、アウタリ−ドが微細な場合には、折曲げの
際に加わる外力によってこのアウタリ−ドが破断してし
まう恐れがある。
タリ−ドの破損である。上記アウタリ−ドは、上述した
ように、所定の形状に折り曲げられフォ−ミングされ
る。しかし、アウタリ−ドが微細な場合には、折曲げの
際に加わる外力によってこのアウタリ−ドが破断してし
まう恐れがある。
【0013】この発明は、このような考慮すべき事項に
鑑みて成されたもので、アウタリ−ドの微細化に伴う利
点を生かしつつ、リ−ドの破損や半導体素子の破損とい
う欠点を是正できるフィルムフィルムキャリア、半導体
装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の実装方
法を提供することを目的とするものである。
鑑みて成されたもので、アウタリ−ドの微細化に伴う利
点を生かしつつ、リ−ドの破損や半導体素子の破損とい
う欠点を是正できるフィルムフィルムキャリア、半導体
装置、半導体装置の製造方法および半導体装置の実装方
法を提供することを目的とするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の手段
は、デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの外周側に設
けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓性のベ−ス
フィルムと、このベ−スフィルム上に形成されインナ−
リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させると共にアウ
タリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設されたリ−
ドとを有するフィルムキャリアにおいて、上記ベ−スフ
ィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタリ−ドホ−ル
との間には、このベ−スフィルムを補強すると共に、そ
の厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに接続される半
導体素子の厚さより大きく形成されてなる補強体が設け
られていることを特徴とするものである。
は、デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの外周側に設
けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓性のベ−ス
フィルムと、このベ−スフィルム上に形成されインナ−
リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させると共にアウ
タリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設されたリ−
ドとを有するフィルムキャリアにおいて、上記ベ−スフ
ィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタリ−ドホ−ル
との間には、このベ−スフィルムを補強すると共に、そ
の厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに接続される半
導体素子の厚さより大きく形成されてなる補強体が設け
られていることを特徴とするものである。
【0015】第2の手段は、デバイスホ−ルとこのデバ
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドとを有するフィルムキャリア
において、上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部
側の部位には、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部が設けられていること
を特徴とするものである。
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドとを有するフィルムキャリア
において、上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部
側の部位には、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部が設けられていること
を特徴とするものである。
【0016】第3の手段は、フィルム部材からなるサポ
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、このサ
ポ−トリングの内側に突設するインナ−リ−ド部および
外側に突設するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上
記インナ−リ−ド部に接続された半導体素子とを有する
半導体パッケ−ジにおいて、上記サポ−トリングには、
この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半導体パ
ッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子と基板
の接触を規制する補強体が突設されていることを特徴と
するものである。
−トリングと、このサポ−トリングに設けられ、このサ
ポ−トリングの内側に突設するインナ−リ−ド部および
外側に突設するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上
記インナ−リ−ド部に接続された半導体素子とを有する
半導体パッケ−ジにおいて、上記サポ−トリングには、
この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半導体パ
ッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子と基板
の接触を規制する補強体が突設されていることを特徴と
するものである。
【0017】第4の手段は、半導体素子が搭載されてな
るパッケ−ジ部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ
部内の半導体素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ
−ジ部の外方へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する
半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部の上記
パッケ−ジ部側の基端部には、このアウタリ−ドの他の
部位よりも断面積が小さく形成されてなる微細部が設け
られていることを特徴とするものである。
るパッケ−ジ部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ
部内の半導体素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ
−ジ部の外方へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する
半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部の上記
パッケ−ジ部側の基端部には、このアウタリ−ドの他の
部位よりも断面積が小さく形成されてなる微細部が設け
られていることを特徴とするものである。
【0018】第5の手段は、第2の手段あるいは第4の
手段の半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部
は、上記微細部を挟持固定された状態で、折り曲げ形成
されることを特徴とするものである。
手段の半導体パッケ−ジにおいて、上記アウタリ−ド部
は、上記微細部を挟持固定された状態で、折り曲げ形成
されることを特徴とするものである。
【0019】第6の手段は、デバイスホ−ルとこのデバ
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のイ
ンナ−リ−ド部側の部位に設けられ他の部分よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部とを有するフィルムキ
ャリアを供給する工程と、このフィルムキャリアのデバ
イスホ−ル内に半導体素子を搭載し、上記インナ−リ−
ド部をこの半導体素子にボンディングする工程と、上記
アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、上記
細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲する工
程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの製造
方法である。
イスホ−ルの外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルと
を有する可撓性のベ−スフィルムと、このベ−スフィル
ム上に形成されインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ル
に突出させると共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ド
ホ−ルに架設されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のイ
ンナ−リ−ド部側の部位に設けられ他の部分よりも断面
積が小さく形成されてなる微細部とを有するフィルムキ
ャリアを供給する工程と、このフィルムキャリアのデバ
イスホ−ル内に半導体素子を搭載し、上記インナ−リ−
ド部をこの半導体素子にボンディングする工程と、上記
アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、上記
細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲する工
程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの製造
方法である。
【0020】
【作用】このような手段によれば、半導体パッケ−ジを
基板に装着する場合の、半導体素子と基板との衝突を防
止でき、かつ、リフロ−ハンダ付けにおけるアウタリ−
ドの変形を許容して良好なハンダ付けを行うことができ
る。
基板に装着する場合の、半導体素子と基板との衝突を防
止でき、かつ、リフロ−ハンダ付けにおけるアウタリ−
ドの変形を許容して良好なハンダ付けを行うことができ
る。
【0021】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図面を参照して
説明する。まず、第1の実施例について説明する。最初
に、フィルムキャリアの構成について図1(a)、
(b)を参照して説明する。
説明する。まず、第1の実施例について説明する。最初
に、フィルムキャリアの構成について図1(a)、
(b)を参照して説明する。
【0022】図中1はフィルムキャリアである。このフ
ィルムキャリア1は、幅方向両側部にスプロケットホ−
ル2a…が形成されてなる長尺シネフィルム状のベ−ス
フィルム2を具備する。このベ−スフィルム2は絶縁材
料により成形された薄肉の可撓性フィルムである。
ィルムキャリア1は、幅方向両側部にスプロケットホ−
ル2a…が形成されてなる長尺シネフィルム状のベ−ス
フィルム2を具備する。このベ−スフィルム2は絶縁材
料により成形された薄肉の可撓性フィルムである。
【0023】このベ−スフィルム2の幅方向中央部に
は、長手方向に沿って所定間隔で複数個のデバイスホ−
ル3…が設けられている。図1中左側の図に示すよう
に、このデバイスホ−ル3の外側には、このデバイスホ
−ル3の各辺と平行な4つのアウタリ−ドホ−ル4…が
設けられている。
は、長手方向に沿って所定間隔で複数個のデバイスホ−
ル3…が設けられている。図1中左側の図に示すよう
に、このデバイスホ−ル3の外側には、このデバイスホ
−ル3の各辺と平行な4つのアウタリ−ドホ−ル4…が
設けられている。
【0024】また、このフィルムキャリア1の表面に
は、図に示すように複数本のリ−ド5が形成されてい
る。このリ−ド5は、例えば上記ベ−スフィルム2上に
被着された導電箔(銅箔)をエッチング加工することで
成形されたものである。
は、図に示すように複数本のリ−ド5が形成されてい
る。このリ−ド5は、例えば上記ベ−スフィルム2上に
被着された導電箔(銅箔)をエッチング加工することで
成形されたものである。
【0025】このリ−ド5は、インナ−リ−ド5a(イ
ンナ−リ−ド部)を上記デバイスホ−ル3内に突出さ
せ、アウタリ−ド5b(アウタリ−ド部)を上記アウタ
リ−ドホ−ル4に架設させた状態で設けられている。
ンナ−リ−ド部)を上記デバイスホ−ル3内に突出さ
せ、アウタリ−ド5b(アウタリ−ド部)を上記アウタ
リ−ドホ−ル4に架設させた状態で設けられている。
【0026】上記インナ−リ−ド5aは、例えば幅
μm、隣り合うインナ−リ−ド5aとの間隔 μmで
設けられている。また、上記アウタリ−ド5bは、例え
ば幅 μm、隣り合うアウタリ−ド5bとの間隔
μmで設けられている。
μm、隣り合うインナ−リ−ド5aとの間隔 μmで
設けられている。また、上記アウタリ−ド5bは、例え
ば幅 μm、隣り合うアウタリ−ド5bとの間隔
μmで設けられている。
【0027】なお、上記アウタリ−ド5bの上記インナ
−リ−ド5a側の基端部には、図のAで示す部分を拡大
した図 に示すように、エッチング加工によって幅方向
両側部に切欠6が形成され、他の部分より幅の狭い細幅
部7が設けられている。
−リ−ド5a側の基端部には、図のAで示す部分を拡大
した図 に示すように、エッチング加工によって幅方向
両側部に切欠6が形成され、他の部分より幅の狭い細幅
部7が設けられている。
【0028】すなわち、この細幅部7は、このアウタリ
−ド5bの他の部分よりも変形しやすいように形成され
ている。次に、このフィルムキャリア1を用いたTCP
(Tape Carrier package)の製造について説明する。
−ド5bの他の部分よりも変形しやすいように形成され
ている。次に、このフィルムキャリア1を用いたTCP
(Tape Carrier package)の製造について説明する。
【0029】このフィルムキャリア1は、図示しないリ
−ルに巻回収納された状態でインナ−リ−ドボンディン
グ装置に取り付けられる。このインナ−リ−ドボンディ
ング装置は、このフィルムキャリア1に半導体素子をイ
ンナ−リ−ドボンディングする装置である。
−ルに巻回収納された状態でインナ−リ−ドボンディン
グ装置に取り付けられる。このインナ−リ−ドボンディ
ング装置は、このフィルムキャリア1に半導体素子をイ
ンナ−リ−ドボンディングする装置である。
【0030】このインナ−リ−ドボンディング装置は、
上記リ−ルから上記フィルムキャリア1を順次繰出し、
略水平に張設して、図1に矢印(イ)で示す方向に間欠
的に送り駆動する。
上記リ−ルから上記フィルムキャリア1を順次繰出し、
略水平に張設して、図1に矢印(イ)で示す方向に間欠
的に送り駆動する。
【0031】そして、このインナ−リ−ドボンディング
装置は、図1中左側に示す未だ半導体素子が搭載されて
いないデバイスホ−ル3を所定のボンディング位置に停
止させる。
装置は、図1中左側に示す未だ半導体素子が搭載されて
いないデバイスホ−ル3を所定のボンディング位置に停
止させる。
【0032】このボンディング位置の下方には図示しな
いボンディングステ−ジが設けられている。このボンデ
ィングステ−ジは、上記フィルムキャリア1の下側で図
1中右側に9で示す半導体素子を保持し、この半導体素
子9に設けられた図示しない各電極パッドを上記デバイ
スホ−ル3内に突出したインナ−リ−ド5aの下面に対
向させる。
いボンディングステ−ジが設けられている。このボンデ
ィングステ−ジは、上記フィルムキャリア1の下側で図
1中右側に9で示す半導体素子を保持し、この半導体素
子9に設けられた図示しない各電極パッドを上記デバイ
スホ−ル3内に突出したインナ−リ−ド5aの下面に対
向させる。
【0033】また、このボンディングステ−ジ(図示し
ない)の上記フィルムキャリア1を挟む上方には、同じ
く図示しないボンディング機構が設けられている。この
ボンディング機構は、上記インナ−リ−ド5aを上記半
導体素子9に対して加熱し加圧することで、両者を接合
(インナ−リ−ドボンディング)する。このことで、上
記半導体素子9は、図1中右側に示すように上記フィル
ムキャリア1に搭載される。
ない)の上記フィルムキャリア1を挟む上方には、同じ
く図示しないボンディング機構が設けられている。この
ボンディング機構は、上記インナ−リ−ド5aを上記半
導体素子9に対して加熱し加圧することで、両者を接合
(インナ−リ−ドボンディング)する。このことで、上
記半導体素子9は、図1中右側に示すように上記フィル
ムキャリア1に搭載される。
【0034】インナ−リ−ドボンディングが終了したな
らば、上記フィルムキャリア1はさらに送り駆動され、
上記半導体素子9が搭載された部位を図示しない樹脂封
止装置に対向させる。
らば、上記フィルムキャリア1はさらに送り駆動され、
上記半導体素子9が搭載された部位を図示しない樹脂封
止装置に対向させる。
【0035】この樹脂封止装置は、図1(b)中左側に
示すように、上記半導体素子7の上面および上記インナ
−リ−ド5aの全体を覆うように封止用樹脂10を塗布
する。
示すように、上記半導体素子7の上面および上記インナ
−リ−ド5aの全体を覆うように封止用樹脂10を塗布
する。
【0036】塗布された封止用樹脂は、このフィルムキ
ャリア1を図示しない硬化炉内に通過させることで、硬
化せられる。このことで、樹脂封止工程が終了する。次
に、上記フィルムキャリア1上には、図1(a)に11
で示す金属板(補強板)が接着される。この金属板11
は、矩形状の外形を有し、上記アウタリ−ドホ−ル4の
内側に接着される。
ャリア1を図示しない硬化炉内に通過させることで、硬
化せられる。このことで、樹脂封止工程が終了する。次
に、上記フィルムキャリア1上には、図1(a)に11
で示す金属板(補強板)が接着される。この金属板11
は、矩形状の外形を有し、上記アウタリ−ドホ−ル4の
内側に接着される。
【0037】そして、この金属板11の中央部には上記
半導体素子9およびインナ−リ−ド5aを位置させるた
めの同じく矩形状の貫通孔11aが設けられている。な
お、この金属板11は、絶縁性接着剤(図示しない)を
介して上記フィルムキャリア1に接着されている。した
がって、上記フィルムキャリア1上に設けられたリ−ド
5どうしがショ−トすることはない。
半導体素子9およびインナ−リ−ド5aを位置させるた
めの同じく矩形状の貫通孔11aが設けられている。な
お、この金属板11は、絶縁性接着剤(図示しない)を
介して上記フィルムキャリア1に接着されている。した
がって、上記フィルムキャリア1上に設けられたリ−ド
5どうしがショ−トすることはない。
【0038】また、この金属板11の厚さは、同図
(b)および図2に示すように、上記半導体素子9の厚
さよりも厚く形成されている。したがって、上記金属板
11の下面は、上記半導体素子9の下面よりも下方に突
出するようになっている。
(b)および図2に示すように、上記半導体素子9の厚
さよりも厚く形成されている。したがって、上記金属板
11の下面は、上記半導体素子9の下面よりも下方に突
出するようになっている。
【0039】ついで、このフィルムキャリア1は、図1
(a)中左側に示す一点鎖線に沿って切断され打ち抜か
れると共に、上記アウタリ−ド5bをガルウイング状に
折曲される。
(a)中左側に示す一点鎖線に沿って切断され打ち抜か
れると共に、上記アウタリ−ド5bをガルウイング状に
折曲される。
【0040】このフィルムキャリア1の打ち抜きおよび
成形は、図3に示す金型装置で行う。同図中12で示す
のはこの金型装置の下型であり、13は上型である。ま
た、図に14で示すのは、上記アウタリ−ド5aを切断
・折曲するためのポンチである。
成形は、図3に示す金型装置で行う。同図中12で示す
のはこの金型装置の下型であり、13は上型である。ま
た、図に14で示すのは、上記アウタリ−ド5aを切断
・折曲するためのポンチである。
【0041】上記下型12および上型13は、互いに接
離する方向に移動自在に設けられ、開閉自在となってい
る。また、上記ポンチ14は、上記上型13から下型1
2の方向へ突没自在に設けられている。
離する方向に移動自在に設けられ、開閉自在となってい
る。また、上記ポンチ14は、上記上型13から下型1
2の方向へ突没自在に設けられている。
【0042】この金型装置で打ち抜きアウタリ−ド5b
のフォ−ミングを行う場合には、まず、開かれた上型1
3と下型12との間に上記フィルムキャリア1の打ち抜
き部位を停止させ、ついで、上記上型13と下型12と
を閉じる。
のフォ−ミングを行う場合には、まず、開かれた上型1
3と下型12との間に上記フィルムキャリア1の打ち抜
き部位を停止させ、ついで、上記上型13と下型12と
を閉じる。
【0043】このとき、上記アウタリ−ド5の細幅部7
は、上記下型12および上型13に突設された下側保持
部12aおよび上側保持部13aとによって移動不能に
挟持される。このことで、アウタリ−ド5の成形中にこ
の細幅部7が変形あるいは破断することを防止する。
は、上記下型12および上型13に突設された下側保持
部12aおよび上側保持部13aとによって移動不能に
挟持される。このことで、アウタリ−ド5の成形中にこ
の細幅部7が変形あるいは破断することを防止する。
【0044】ついで、上記ポンチ14が下降駆動され、
図3(b)に示すように、上記アウタリ−ド5bの外端
部をフィルムキャリア1から切り離すと共に、このアウ
タリ−ド5bを折曲する。このことによって、上記アウ
タリ−ド5bは、上記細幅部7と、下方向に折曲されて
なるリフト部16と、再び水平に折曲されてなる水平部
17とからなるガルウイング状に成形される。
図3(b)に示すように、上記アウタリ−ド5bの外端
部をフィルムキャリア1から切り離すと共に、このアウ
タリ−ド5bを折曲する。このことによって、上記アウ
タリ−ド5bは、上記細幅部7と、下方向に折曲されて
なるリフト部16と、再び水平に折曲されてなる水平部
17とからなるガルウイング状に成形される。
【0045】このことで図4に示すTCP(Tape carri
er package)18が完成する。なお、同図に1(2)で
示すフィルムキャリアはこのTCP18においては、サ
ポ−トリングと称される。そして、上記封止用樹脂10
により封止された部位はパッケ−ジ部と称される。
er package)18が完成する。なお、同図に1(2)で
示すフィルムキャリアはこのTCP18においては、サ
ポ−トリングと称される。そして、上記封止用樹脂10
により封止された部位はパッケ−ジ部と称される。
【0046】したがって、完成したTCP18は、同図
に示すように、上記サポ−トリング1(2)に、上記ア
ウタリ−ド5bの折り曲げられた方向と同方向に突出す
る上記金属板11が接着された構造となる。
に示すように、上記サポ−トリング1(2)に、上記ア
ウタリ−ド5bの折り曲げられた方向と同方向に突出す
る上記金属板11が接着された構造となる。
【0047】なお、金属板11の突出量(厚さ)は、上
記アウタリ−ド5bのリフト高さhよりも若干小さくな
るように設定されている。次に、このTCP18を基板
に実装する工程について説明する。なお、この工程は、
アウタリ−ドボンディングと呼ばれ、アウタリ−ドボン
ディング装置によって行われる。また、基板としては、
例えばセラミックパッケ−ジに用いる多層セラミック基
板等が対象となる。
記アウタリ−ド5bのリフト高さhよりも若干小さくな
るように設定されている。次に、このTCP18を基板
に実装する工程について説明する。なお、この工程は、
アウタリ−ドボンディングと呼ばれ、アウタリ−ドボン
ディング装置によって行われる。また、基板としては、
例えばセラミックパッケ−ジに用いる多層セラミック基
板等が対象となる。
【0048】このアウタリ−ドボンディング装置は、図
5に示すように、このTCP18の上面を吸着ノズル1
9で保持し、図に20で示す基板に対向させる。この基
板20上には、上記TCP18の各アウタリ−ド5bに
対応する電極パッド21が設けられ、この電極パッド2
1上には、あらかじめハンダ材22が供給されている。
5に示すように、このTCP18の上面を吸着ノズル1
9で保持し、図に20で示す基板に対向させる。この基
板20上には、上記TCP18の各アウタリ−ド5bに
対応する電極パッド21が設けられ、この電極パッド2
1上には、あらかじめハンダ材22が供給されている。
【0049】ついで、上記吸着ノズル19を下降駆動す
ることで、同図に示すように、上記アウタリ−ド15b
の水平部17を上記電極パッド21(ハンダ材22)に
当接させ、このTAB部品18を上記基板20上に載置
する。
ることで、同図に示すように、上記アウタリ−ド15b
の水平部17を上記電極パッド21(ハンダ材22)に
当接させ、このTAB部品18を上記基板20上に載置
する。
【0050】このとき、同図に示すように、アウタリ−
ド5bが変形することがあるが、上記金属板11が上記
基板20の表面に当接することで、上記アウタリ−ド5
bのそれ以上の変形は防止され、上記半導体素子9が上
記基板に衝突することはない。
ド5bが変形することがあるが、上記金属板11が上記
基板20の表面に当接することで、上記アウタリ−ド5
bのそれ以上の変形は防止され、上記半導体素子9が上
記基板に衝突することはない。
【0051】このことで、上記アウタリ−ド5bの塑性
変形が防止され、また、上記半導体素子9の破損も防止
できる。このTCP18が基板20に装着されたなら
ば、この基板20は、リフロ−炉内に挿入される。
変形が防止され、また、上記半導体素子9の破損も防止
できる。このTCP18が基板20に装着されたなら
ば、この基板20は、リフロ−炉内に挿入される。
【0052】このことで、上記電極パッド21上に供給
されたハンダ材22が再溶融し、上記アウタリ−ド5b
の水平部17は図6(a)、(b)に示すように、上記
電極パッド21にハンダ付けされる。
されたハンダ材22が再溶融し、上記アウタリ−ド5b
の水平部17は図6(a)、(b)に示すように、上記
電極パッド21にハンダ付けされる。
【0053】なお、このとき、上記アウタリ−ド5bの
水平部が図5に示すように浮き上がっていることがあ
る。この場合であっても、上記溶融したハンダ材21の
表面張力、濡れ力あるいは硬化時の凝縮力により上記ア
ウタリ−ド5bの水平部17が下方向に引っ張られ、こ
のことにより上記アウタリ−ド5bの細幅部7が変形
し、上記水平部17の浮き上がりが矯正される。
水平部が図5に示すように浮き上がっていることがあ
る。この場合であっても、上記溶融したハンダ材21の
表面張力、濡れ力あるいは硬化時の凝縮力により上記ア
ウタリ−ド5bの水平部17が下方向に引っ張られ、こ
のことにより上記アウタリ−ド5bの細幅部7が変形
し、上記水平部17の浮き上がりが矯正される。
【0054】また、水平部17が浮き上がっていないア
ウタリ−ドであっても、図5にBで示す位置に溜まった
ハンダ材22の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によっ
て上記半導体素子9の方向(図に矢印で示す方向)に引
っ張られるということがある。
ウタリ−ドであっても、図5にBで示す位置に溜まった
ハンダ材22の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によっ
て上記半導体素子9の方向(図に矢印で示す方向)に引
っ張られるということがある。
【0055】この場合にも、上記細幅部7が変形するこ
とで、上記アウタリ−ド5bの同方向への移動を許容さ
れるから、このTCP18全体の浮き上がりやこのアウ
タリ−ド5bの破損が有効に防止される。
とで、上記アウタリ−ド5bの同方向への移動を許容さ
れるから、このTCP18全体の浮き上がりやこのアウ
タリ−ド5bの破損が有効に防止される。
【0056】このような構成によれば、以下に説明する
効果がある。第1に、TCP18を基板20に装着する
際の半導体素子9の破損を有効に防止できる効果があ
る。
効果がある。第1に、TCP18を基板20に装着する
際の半導体素子9の破損を有効に防止できる効果があ
る。
【0057】すなわち、サポ−トリング1(2)(フィ
ルムキャリア)の基板20側の面に、上記半導体素子9
の裏面よりも上記基板20側に突出する補強材としての
金属板11を接着するようにした。
ルムキャリア)の基板20側の面に、上記半導体素子9
の裏面よりも上記基板20側に突出する補強材としての
金属板11を接着するようにした。
【0058】このことで、フィルムキャリア1の補強が
なされ、他の電子部品と共にリフロ−ハンダ付けを行え
る。そして、リフロ−ハンダ付けを行う際には、このT
CP18を基板20上へまず装着する必要があるが、こ
の際に上記TCP18のアウタリ−ド5bが変形したと
しても、上記金属板11によって上記半導体素子9の基
板20への衝突が規制されるから、この半導体素子9の
破損を有効に防止することができる。
なされ、他の電子部品と共にリフロ−ハンダ付けを行え
る。そして、リフロ−ハンダ付けを行う際には、このT
CP18を基板20上へまず装着する必要があるが、こ
の際に上記TCP18のアウタリ−ド5bが変形したと
しても、上記金属板11によって上記半導体素子9の基
板20への衝突が規制されるから、この半導体素子9の
破損を有効に防止することができる。
【0059】さらに、上記金属板11が存在することに
より、このTCP18を基板20に搭載する際の上記ア
ウタリ−ド5bの変形を最小量で押さえることができ、
このアウタリ−ド5bが完全に塑性変形してしまうとい
うことが防止される。
より、このTCP18を基板20に搭載する際の上記ア
ウタリ−ド5bの変形を最小量で押さえることができ、
このアウタリ−ド5bが完全に塑性変形してしまうとい
うことが防止される。
【0060】なお、従来の構成であると、上記半導体素
子9の基板20への衝突や上記アウタリ−ド5bの塑性
変形を防止するには、上記TCP18を保持する吸着ノ
ズルなどの装着機構に高精度の荷重調整手段を設ける必
要があった。このため、装置が大形化し、かつ高価にな
るという問題や、装着速度が低下するという問題があっ
た。
子9の基板20への衝突や上記アウタリ−ド5bの塑性
変形を防止するには、上記TCP18を保持する吸着ノ
ズルなどの装着機構に高精度の荷重調整手段を設ける必
要があった。このため、装置が大形化し、かつ高価にな
るという問題や、装着速度が低下するという問題があっ
た。
【0061】しかし、この発明では、そのような装置が
不要になるから、装置を小形化することができると共
に、装着を高速で行うことができる効果がある。なお、
上記アウタリ−ド5bのリフト高さhを上記金属板11
の厚さよりも大きく設定することで、上記アウタリ−ド
5bの水平部17と上記基板20に設けられた電極パッ
ド21上のハンダ材22との接触を確実に確保すること
ができる。
不要になるから、装置を小形化することができると共
に、装着を高速で行うことができる効果がある。なお、
上記アウタリ−ド5bのリフト高さhを上記金属板11
の厚さよりも大きく設定することで、上記アウタリ−ド
5bの水平部17と上記基板20に設けられた電極パッ
ド21上のハンダ材22との接触を確実に確保すること
ができる。
【0062】第2に、アウタリ−ド5bの破損を防止し
つつハンダ付けを良好に行える効果がある。すなわち、
この発明では、アウタリ−ド5bの一部に細幅部7を設
け、この部分を他の部分と比較して特に変形しやすいよ
うに形成した。
つつハンダ付けを良好に行える効果がある。すなわち、
この発明では、アウタリ−ド5bの一部に細幅部7を設
け、この部分を他の部分と比較して特に変形しやすいよ
うに形成した。
【0063】このことで、ハンダ付け時の溶融ハンダ材
22の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によるアウタリ
−ド5bの変形を許容し、このアウタリ−ド5bの水平
部17の浮きを矯正することができると共に、このアウ
タリ−ド5bの内部応力の増加をこの細幅部7で有効に
吸収するすることができる。
22の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力によるアウタリ
−ド5bの変形を許容し、このアウタリ−ド5bの水平
部17の浮きを矯正することができると共に、このアウ
タリ−ド5bの内部応力の増加をこの細幅部7で有効に
吸収するすることができる。
【0064】したがって、リフロ−ハンダ付けを確実に
行え、導電不良の発生を防止することができると共に、
アウタリ−ド5bの破損やTCP18全体の浮き上がり
を有効に防止することができる。
行え、導電不良の発生を防止することができると共に、
アウタリ−ド5bの破損やTCP18全体の浮き上がり
を有効に防止することができる。
【0065】また、上記細幅部7のみを特に変形しやす
くすると共に、上記アウタリ−ド5bの成形時には、こ
の細幅部7を上型13および下型12とによって移動不
能、変形不能に挟持するようにした。
くすると共に、上記アウタリ−ド5bの成形時には、こ
の細幅部7を上型13および下型12とによって移動不
能、変形不能に挟持するようにした。
【0066】このことで、アウタリ−ド5b全体を微細
化する場合と異なり、成形時におけるアウタリ−ド5b
の変形や破損を有効に防止することができる。一方、成
形後は上記細幅部7によって上記アウタリ−ド5bの変
形性を確保することができる。
化する場合と異なり、成形時におけるアウタリ−ド5b
の変形や破損を有効に防止することができる。一方、成
形後は上記細幅部7によって上記アウタリ−ド5bの変
形性を確保することができる。
【0067】したがって、アウタリ−ド5bの破損を有
効に防止しつつ前述したようにハンダ付けを良好に行う
ことができる効果がある。なお、この発明は、上記一実
施例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形可能である。
効に防止しつつ前述したようにハンダ付けを良好に行う
ことができる効果がある。なお、この発明は、上記一実
施例に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しな
い範囲で種々変形可能である。
【0068】例えば、上記一実施例においては、リフロ
−ハンダ付けによってハンダ付けを行ったが、ボンディ
ングツ−ルを用いた従来のハンダ付け方法であっても、
相応の効果を得ることができる。
−ハンダ付けによってハンダ付けを行ったが、ボンディ
ングツ−ルを用いた従来のハンダ付け方法であっても、
相応の効果を得ることができる。
【0069】すなわち、リフロ−ハンダ付けの場合と同
様に、このTCP18を基板20に対向させる際におけ
る半導体素子9と基板20との衝突を防止できると共
に、ハンダ付け時には、ボンディングツ−ルの押圧面と
基板20との平行度が正確でない場合であっても、溶融
したハンダ材22の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力に
よって上記アウタリ−ド5bの水平部17が上記電極パ
ッド21に引き付けられ良好なハンダ付けを行うことが
できる効果がある。
様に、このTCP18を基板20に対向させる際におけ
る半導体素子9と基板20との衝突を防止できると共
に、ハンダ付け時には、ボンディングツ−ルの押圧面と
基板20との平行度が正確でない場合であっても、溶融
したハンダ材22の表面張力、濡れ力あるいは凝縮力に
よって上記アウタリ−ド5bの水平部17が上記電極パ
ッド21に引き付けられ良好なハンダ付けを行うことが
できる効果がある。
【0070】また、上記一実施例では、半導体パッケ−
ジとしてTCP18を上げたが、これに限定されるもの
ではなく、QFPやSOPなどのプラスチック半導体パ
ッケ−ジであっても良い。
ジとしてTCP18を上げたが、これに限定されるもの
ではなく、QFPやSOPなどのプラスチック半導体パ
ッケ−ジであっても良い。
【0071】プラスチック半導体パッケ−ジにおいて
は、上記金属板11は不要であるが、パッケ−ジ部から
外方に突出するアウタリ−ドの基端側に同様に細幅部を
設けておくことで、このアウタリ−ドを曲り易くして上
記一実施例と同様の効果を得ることができる。
は、上記金属板11は不要であるが、パッケ−ジ部から
外方に突出するアウタリ−ドの基端側に同様に細幅部を
設けておくことで、このアウタリ−ドを曲り易くして上
記一実施例と同様の効果を得ることができる。
【0072】また、上記一実施例では、アウタリ−ドの
幅を細くすることで、このアウタリ−ドの他の部位より
も断面積が小さく形成されてなる微細部(細幅部7)を
設けたが、上記アウタリ−ドの厚さを小さくすること
で、微細部を設けるようにしても良い。
幅を細くすることで、このアウタリ−ドの他の部位より
も断面積が小さく形成されてなる微細部(細幅部7)を
設けたが、上記アウタリ−ドの厚さを小さくすること
で、微細部を設けるようにしても良い。
【0073】
【発明の効果】以上述べたように、この発明は、第1
に、フィルムキャリアのデバイスホ−ルとアウタリ−ド
ホ−ルの間のベ−スフィルム上に、このベ−スフィルム
を補強すると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−
リ−ドに接続される半導体素子の厚さより大きく形成さ
れてなる補強体を設けるようにしたので、このフィルム
キャリアにより形成される半導体パッケ−ジを基板上に
装着する際に、この半導体パッケ−ジと基板との衝突を
規制でき、上記半導体パッケ−ジの破損を有効に防止す
ることができる効果がある。
に、フィルムキャリアのデバイスホ−ルとアウタリ−ド
ホ−ルの間のベ−スフィルム上に、このベ−スフィルム
を補強すると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−
リ−ドに接続される半導体素子の厚さより大きく形成さ
れてなる補強体を設けるようにしたので、このフィルム
キャリアにより形成される半導体パッケ−ジを基板上に
装着する際に、この半導体パッケ−ジと基板との衝突を
規制でき、上記半導体パッケ−ジの破損を有効に防止す
ることができる効果がある。
【0074】第2に、フィルムキャリアに形成されたア
ウタリ−ド部のインナ−リ−ド部側の部位には、このア
ウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されて
なる微細部が設けられているから、このフィルムキャリ
アにより成形される半導体パッケ−ジのアウタリ−ドを
基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の表面
張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容して
上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることができる
効果がある。
ウタリ−ド部のインナ−リ−ド部側の部位には、このア
ウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されて
なる微細部が設けられているから、このフィルムキャリ
アにより成形される半導体パッケ−ジのアウタリ−ドを
基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の表面
張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容して
上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることができる
効果がある。
【0075】第3に、半導体パッケ−ジのサポ−トリン
グに、この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半
導体パッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子
と基板の接触を規制する補強体を突設することにより、
この半導体パッケ−ジを基板上に装着する際に、この半
導体パッケ−ジと基板との衝突を規制でき、上記半導体
パッケ−ジの破損を有効に防止することができる効果が
ある。
グに、この半導体パッケ−ジを補強すると共に、この半
導体パッケ−ジを基板に装着する際に、上記半導体素子
と基板の接触を規制する補強体を突設することにより、
この半導体パッケ−ジを基板上に装着する際に、この半
導体パッケ−ジと基板との衝突を規制でき、上記半導体
パッケ−ジの破損を有効に防止することができる効果が
ある。
【0076】第4に、半導体パッケ−ジのパッケ−ジ部
から突出するアウタリ−ド部の既端部に、このアウタリ
−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されてなる微
細部を設けたから、この半導体パッケ−ジのアウタリ−
ドを基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の
表面張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容
して上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることがで
きる効果がある。
から突出するアウタリ−ド部の既端部に、このアウタリ
−ドの他の部位よりも断面積が小さく形成されてなる微
細部を設けたから、この半導体パッケ−ジのアウタリ−
ドを基板上にハンダ付けする際に、溶融したハンダ材の
表面張力あるいは濡れ力による上記微細部の変形を許容
して上記アウタリ−ドを良好にハンダ付けすることがで
きる効果がある。
【0077】第5に、フィルムキャリアのアウタリ−ド
ホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、このアウタリ−ド
部の基端側に設けられた細幅部を挟持固定しつつ切断し
所定の形状に折曲するようにしたから、このアウタリ−
ドの折曲時における変形や破損を防止でき、かつ基板上
にハンダ付けする際に溶融したハンダ材の表面張力ある
いは濡れ力による上記微細部の変形を許容して上記アウ
タリ−ドを良好にハンダ付けすることができる半導体パ
ッケ−ジを得ることができる効果がある。
ホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、このアウタリ−ド
部の基端側に設けられた細幅部を挟持固定しつつ切断し
所定の形状に折曲するようにしたから、このアウタリ−
ドの折曲時における変形や破損を防止でき、かつ基板上
にハンダ付けする際に溶融したハンダ材の表面張力ある
いは濡れ力による上記微細部の変形を許容して上記アウ
タリ−ドを良好にハンダ付けすることができる半導体パ
ッケ−ジを得ることができる効果がある。
【図1】この発明の一実施例を示すフィルムキャリアの
平面図および縦断面図。
平面図および縦断面図。
【図2】同じく、アウタリ−ドを拡大して示す縦断面図
および平面図。
および平面図。
【図3】同じく、半導体パッケ−ジの製造工程における
アウタリ−ドの切断、折曲工程を示す縦断面図。
アウタリ−ドの切断、折曲工程を示す縦断面図。
【図4】同じく、半導体パッケ−ジの一部を拡大して示
す縦断面図および斜視図。
す縦断面図および斜視図。
【図5】同じく、半導体パッケ−ジの基板への装着工程
を示す縦断面図。
を示す縦断面図。
【図6】同じく、半導体パッケ−ジのハンダ付け工程を
示す縦断面図および斜視図。
示す縦断面図および斜視図。
1…フィルムキャリア、2…ベ−スフィルム、3…デバ
イスホ−ル、4…アウタリ−ドホ−ル、5…リ−ド、5
a…インナ−リ−ド(インナ−リ−ド部)、5b…アウ
タリ−ド(アウタリ−ド部)、7…細幅部(微細部)、
9…半導体素子、11…金属板(補強材)、20…基
板、21…電極パッド、22…ハンダ材。
イスホ−ル、4…アウタリ−ドホ−ル、5…リ−ド、5
a…インナ−リ−ド(インナ−リ−ド部)、5b…アウ
タリ−ド(アウタリ−ド部)、7…細幅部(微細部)、
9…半導体素子、11…金属板(補強材)、20…基
板、21…電極パッド、22…ハンダ材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井澤 勲 東京都府中市東芝町1番地 株式会社東芝 府中工場内 (72)発明者 中嶋 宣行 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東 芝電子エンジニアリング株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
されたリ−ドとを有するフィルムキャリアにおいて、 上記ベ−スフィルムの上記デバイスホ−ルと上記アウタ
リ−ドホ−ルとの間には、このベ−スフィルムを補強す
ると共に、その厚さが少なくとも上記インナ−リ−ドに
接続される半導体素子の厚さより大きく形成されてなる
補強体が設けられていることを特徴とするフィルムキャ
リア。 - 【請求項2】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
されたリ−ドとを有するフィルムキャリアにおいて、 上記アウタリ−ド部の上記インナ−リ−ド部側の部位に
は、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく
形成されてなる微細部が設けられていることを特徴とす
るフィルムキャリア。 - 【請求項3】 フィルム部材からなるサポ−トリング
と、このサポ−トリングに設けられ、このサポ−トリン
グの内側に突設するインナ−リ−ド部および外側に突設
するアウタリ−ド部とを有するリ−ドと、上記インナ−
リ−ド部に接続された半導体素子とを有する半導体パッ
ケ−ジにおいて、 上記サポ−トリングには、この半導体パッケ−ジを補強
すると共に、この半導体パッケ−ジを基板に装着する際
に、上記半導体素子と基板の接触を規制する補強体が突
設されていることを特徴とする半導体パッケ−ジ。 - 【請求項4】 半導体素子が搭載されてなるパッケ−ジ
部と、インナ−リ−ド部をこのパッケ−ジ部内の半導体
素子に接続されアウタリ−ドをこのパッケ−ジ部の外方
へ突設させた複数本のリ−ドとを具備する半導体パッケ
−ジにおいて、 上記アウタリ−ド部の上記パッケ−ジ部側の基端部に
は、このアウタリ−ドの他の部位よりも断面積が小さく
形成されてなる微細部が設けられていることを特徴とす
る半導体パッケ−ジ。 - 【請求項5】 請求項2あるいは請求項4記載の半導体
パッケ−ジにおいて、 上記アウタリ−ド部は、上記微細部を挟持固定された状
態で、折り曲げ形成されることを特徴とする半導体パッ
ケ−ジ。 - 【請求項6】 デバイスホ−ルとこのデバイスホ−ルの
外周側に設けられたアウタリ−ドホ−ルとを有する可撓
性のベ−スフィルムと、このベ−スフィルム上に形成さ
れインナ−リ−ド部を上記デバイスホ−ルに突出させる
と共にアウタリ−ド部を上記アウタリ−ドホ−ルに架設
されたリ−ドと、上記アウタリ−ド部のインナ−リ−ド
部側の部位に設けられ他の部分よりも断面積が小さく形
成されてなる微細部とを有するフィルムキャリアを供給
する工程と、 このフィルムキャリアのデバイスホ−ル内に半導体素子
を搭載し、上記インナ−リ−ド部をこの半導体素子にボ
ンディングする工程と、 上記アウタリ−ドホ−ルに位置するアウタリ−ド部を、
上記細幅部を挟持固定しつつ切断し所定の形状に折曲す
る工程とを有することを特徴とする半導体パッケ−ジの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6206616A JPH0878482A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | フィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6206616A JPH0878482A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | フィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0878482A true JPH0878482A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16526329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6206616A Pending JPH0878482A (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | フィルムキャリア、半導体パッケ−ジおよび半導体パッケ−ジの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0878482A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283684A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Omron Corp | 電子部品およびその製造方法 |
US6093958A (en) * | 1998-01-19 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Lead-on-chip type semiconductor device having thin plate and method for manufacturing the same |
US6342729B1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-01-29 | Fujitsu Limited | Tape carrier package |
US7169643B1 (en) | 1998-12-28 | 2007-01-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, circuit board, and electronic apparatus |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6206616A patent/JPH0878482A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09283684A (ja) * | 1996-04-09 | 1997-10-31 | Omron Corp | 電子部品およびその製造方法 |
US6093958A (en) * | 1998-01-19 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Lead-on-chip type semiconductor device having thin plate and method for manufacturing the same |
US6342729B1 (en) * | 1998-11-20 | 2002-01-29 | Fujitsu Limited | Tape carrier package |
US7169643B1 (en) | 1998-12-28 | 2007-01-30 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of fabricating the same, circuit board, and electronic apparatus |
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