JPH0878346A - プラズマ成膜装置 - Google Patents
プラズマ成膜装置Info
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- JPH0878346A JPH0878346A JP23598994A JP23598994A JPH0878346A JP H0878346 A JPH0878346 A JP H0878346A JP 23598994 A JP23598994 A JP 23598994A JP 23598994 A JP23598994 A JP 23598994A JP H0878346 A JPH0878346 A JP H0878346A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異常放電を起こすことなく、しかも大きな異
方性で成膜処理を行うことのできるプラズマ成膜装置を
提供すること。 【構成】 アースに接続された真空室１内に、昇降機構
２１が接続された載置台２と、これに対向する対向電極
３とを設置し、載置台２の周囲に防着板５を設け、載置
台２を囲むように一端が載置台２にフランジ部４１を介
して接続され、他端が真空室１内壁にフランジ部４２を
介して固定されるベローズ体４を配設する。ベローズ体
の内方側において、フランジ部４１、４２に夫々第１の
導電体６１、第２の導電体６２を配設し、これら導電体
同士が摺動するように構成する。防着板５はフランジ部
４１、導電体６１、６２、フランジ部４２、真空室１を
介してアースに接続され、下部電極２２は高周波電源Ｅ
に接続されるため、異常放電が防止され、また両者は電
位が異なるため、下部電極２２付近の電界の横方向への
広がりが抑えられ、異方性が大きくなる。
方性で成膜処理を行うことのできるプラズマ成膜装置を
提供すること。 【構成】 アースに接続された真空室１内に、昇降機構
２１が接続された載置台２と、これに対向する対向電極
３とを設置し、載置台２の周囲に防着板５を設け、載置
台２を囲むように一端が載置台２にフランジ部４１を介
して接続され、他端が真空室１内壁にフランジ部４２を
介して固定されるベローズ体４を配設する。ベローズ体
の内方側において、フランジ部４１、４２に夫々第１の
導電体６１、第２の導電体６２を配設し、これら導電体
同士が摺動するように構成する。防着板５はフランジ部
４１、導電体６１、６２、フランジ部４２、真空室１を
介してアースに接続され、下部電極２２は高周波電源Ｅ
に接続されるため、異常放電が防止され、また両者は電
位が異なるため、下部電極２２付近の電界の横方向への
広がりが抑えられ、異方性が大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマＣＶＤ（Chem
ical Vapor Deposition ）法により成膜を行うプラズマ
成膜装置に関する。
ical Vapor Deposition ）法により成膜を行うプラズマ
成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハという）に成
膜を行う手法の一つとしてプラズマＣＶＤ法が知られて
いる。この方法は、処理ガスに電気エネルギーを与えて
プラズマを発生させ、そのプラズマ中の粒子を被処理面
に堆積する方法であり、例えばＴＥＯＳ（テトラエチル
オルソシリケート）及び酸素ガスを処理ガスとして用
い、これをプラズマ化すると共にウエハを加熱して気相
反応により層間絶縁膜であるＳｉＯ2 膜が半導体ウエハ
（以下ウエハという）の表面に形成される。
膜を行う手法の一つとしてプラズマＣＶＤ法が知られて
いる。この方法は、処理ガスに電気エネルギーを与えて
プラズマを発生させ、そのプラズマ中の粒子を被処理面
に堆積する方法であり、例えばＴＥＯＳ（テトラエチル
オルソシリケート）及び酸素ガスを処理ガスとして用
い、これをプラズマ化すると共にウエハを加熱して気相
反応により層間絶縁膜であるＳｉＯ2 膜が半導体ウエハ
（以下ウエハという）の表面に形成される。
【０００３】従来のプラズマＣＶＤ装置について図４を
参照しながら述べると、真空室１内には処理時における
加熱部２０を内蔵した載置台２が設置されると共にこの
載置台２の上方側に載置台２と対向するように対向電極
３が配設されている。前記対向電極３は、処理ガス供給
管３１から真空室１内に処理ガスを供給するガス供給部
を兼用している。一方載置台２は昇降機構２１により昇
降できるように構成されている。その理由については、
載置台２と対向電極３との距離が例えば４０ｍｍ程度と
短く、この領域ではウエハＷの受け渡しを行うことが困
難であることから、ウエハＷの受け渡し時と処理時とに
おいて載置台２の高さを変える必要があるからである。
図では載置台２はウエハの受け渡し位置にある。なお載
置台２の下部側には載置台２を囲むようにリング状のベ
ローズ体４が設けられ、昇降機構２１などを真空室１の
雰囲気から気密に隔離している。
参照しながら述べると、真空室１内には処理時における
加熱部２０を内蔵した載置台２が設置されると共にこの
載置台２の上方側に載置台２と対向するように対向電極
３が配設されている。前記対向電極３は、処理ガス供給
管３１から真空室１内に処理ガスを供給するガス供給部
を兼用している。一方載置台２は昇降機構２１により昇
降できるように構成されている。その理由については、
載置台２と対向電極３との距離が例えば４０ｍｍ程度と
短く、この領域ではウエハＷの受け渡しを行うことが困
難であることから、ウエハＷの受け渡し時と処理時とに
おいて載置台２の高さを変える必要があるからである。
図では載置台２はウエハの受け渡し位置にある。なお載
置台２の下部側には載置台２を囲むようにリング状のベ
ローズ体４が設けられ、昇降機構２１などを真空室１の
雰囲気から気密に隔離している。
【０００４】載置台２は、ウエハＷが載置される下部電
極２２を絶縁性の電極支持体２３の上に設けてなり、こ
の載置台２の側周部には、これを囲むように例えばアル
ミニウムやステンレスなどから構成される防着板５が設
けられている。この防着板５は真空室１の内壁面及び載
置台２側周面にＣＶＤ処理時の反応生成物が付着するの
を防止するものである。
極２２を絶縁性の電極支持体２３の上に設けてなり、こ
の載置台２の側周部には、これを囲むように例えばアル
ミニウムやステンレスなどから構成される防着板５が設
けられている。この防着板５は真空室１の内壁面及び載
置台２側周面にＣＶＤ処理時の反応生成物が付着するの
を防止するものである。
【０００５】そしてＣＶＤ処理を行う場合には、下部電
極２２上にウエハＷを載置し、例えば、下部電極２２に
高周波電源Ｅを接続する一方対向電極３を接地して電極
２２、３間に高周波電圧を印加し、処理ガスをプラズマ
化してウエハＷ上に反応生成物を被着堆積する。このと
き防着板５は電気的にフロ−ティングの状態にすると、
防着板５に電荷が蓄積して異常放電を起こし、これによ
りプラズマ密度の均一性が悪くなることがあるため、下
部電極２２に対して固定するための固定ネジを介して下
部電極２２と同電位（カソード）としていた。
極２２上にウエハＷを載置し、例えば、下部電極２２に
高周波電源Ｅを接続する一方対向電極３を接地して電極
２２、３間に高周波電圧を印加し、処理ガスをプラズマ
化してウエハＷ上に反応生成物を被着堆積する。このと
き防着板５は電気的にフロ−ティングの状態にすると、
防着板５に電荷が蓄積して異常放電を起こし、これによ
りプラズマ密度の均一性が悪くなることがあるため、下
部電極２２に対して固定するための固定ネジを介して下
部電極２２と同電位（カソード）としていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでデバイスのパ
ターンが増々微細化する傾向にあることから成膜すべき
凹部のアスペクト比が大きくなりつつあり、このため異
方性を大きくする必要がある。ここに従来の装置では防
着板５の電位を下部電極２２の電位と同じにしているた
め、電界が下部電極２２の周囲に広がって処理ガスのプ
ラズマ粒子の垂直性が悪くなり、大きな異方性が確保で
きないので微細パターンに対して良好な成膜処理を行う
ことができないという問題がある。
ターンが増々微細化する傾向にあることから成膜すべき
凹部のアスペクト比が大きくなりつつあり、このため異
方性を大きくする必要がある。ここに従来の装置では防
着板５の電位を下部電極２２の電位と同じにしているた
め、電界が下部電極２２の周囲に広がって処理ガスのプ
ラズマ粒子の垂直性が悪くなり、大きな異方性が確保で
きないので微細パターンに対して良好な成膜処理を行う
ことができないという問題がある。
【０００７】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、異常放電を起こすことなくし
かも大きな異方性で成膜処理を行うことのできるプラズ
マ成膜装置を提供することにある。
ものであり、その目的は、異常放電を起こすことなくし
かも大きな異方性で成膜処理を行うことのできるプラズ
マ成膜装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
室内に設けられ、被処理体が載置される第１の電極を備
えた載置台と、前記第１の電極に対向する第２の電極
と、前記載置台の周囲に設けられた蒸着物シールド用の
防着板とを有し、前記第１の電極及び第２の電極間に電
圧を印加して処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマに
より載置台上の被処理体に成膜処理を行う装置におい
て、前記防着板をバイアス電源部に接続して、防着板が
第１の電極とは異なる電位となるように構成したことを
特徴とする。
室内に設けられ、被処理体が載置される第１の電極を備
えた載置台と、前記第１の電極に対向する第２の電極
と、前記載置台の周囲に設けられた蒸着物シールド用の
防着板とを有し、前記第１の電極及び第２の電極間に電
圧を印加して処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマに
より載置台上の被処理体に成膜処理を行う装置におい
て、前記防着板をバイアス電源部に接続して、防着板が
第１の電極とは異なる電位となるように構成したことを
特徴とする。
【０００９】請求項２の発明は、真空室内に設けられ、
被処理体が載置される第１の電極と加熱部とを備えた昇
降自在な載置台と、前記第１の電極に対向する第２の電
極と、前記載置台の周囲に設けられた蒸着物シールド用
の防着板と、前記載置台を昇降させる昇降機構と真空室
内雰囲気とを気密に隔離するために載置台を囲むように
かつ一縁が載置台に固定されたリング状のベロース体
と、を有し、前記第１の電極及び第２の電極間に電圧を
印加して処理ガスをプラズマ化し、載置台上の加熱され
た被処理体にプラズマにより成膜処理を行う装置におい
て、前記載置台の外側に設けられ、一端部及び他端部が
夫々載置台側及びベローズ体の固定部側に固定されると
共に載置台の昇降に追従して長さが変わる導電体を備
え、この導電体の一端部及び他端部を夫々防着板及びバ
イアス電源部に接続し、このバイアス電源部により前記
防着板が第１の電極と異なる電位となるように構成した
ことを特徴とする。
被処理体が載置される第１の電極と加熱部とを備えた昇
降自在な載置台と、前記第１の電極に対向する第２の電
極と、前記載置台の周囲に設けられた蒸着物シールド用
の防着板と、前記載置台を昇降させる昇降機構と真空室
内雰囲気とを気密に隔離するために載置台を囲むように
かつ一縁が載置台に固定されたリング状のベロース体
と、を有し、前記第１の電極及び第２の電極間に電圧を
印加して処理ガスをプラズマ化し、載置台上の加熱され
た被処理体にプラズマにより成膜処理を行う装置におい
て、前記載置台の外側に設けられ、一端部及び他端部が
夫々載置台側及びベローズ体の固定部側に固定されると
共に載置台の昇降に追従して長さが変わる導電体を備
え、この導電体の一端部及び他端部を夫々防着板及びバ
イアス電源部に接続し、このバイアス電源部により前記
防着板が第１の電極と異なる電位となるように構成した
ことを特徴とする。
【００１０】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、導電体は、載置台側に固定された第１の導電体と、
ベローズ体の固定部側に固定された第２の導電体とに分
割されると共に、載置台の昇降時にこれら導電体同士が
摺動するように構成され、前記第１の導電体及び第２の
導電体は夫々防着板及びバイアス電源部に接続されてい
ることを特徴とする。
て、導電体は、載置台側に固定された第１の導電体と、
ベローズ体の固定部側に固定された第２の導電体とに分
割されると共に、載置台の昇降時にこれら導電体同士が
摺動するように構成され、前記第１の導電体及び第２の
導電体は夫々防着板及びバイアス電源部に接続されてい
ることを特徴とする。
【００１１】請求項４の発明は、請求項３の発明におい
て、第１の導電体または第２の導電体の一方は、弾性構
造体よりなり、その弾性力により他方の導電体に圧接さ
れていることを特徴とする。
て、第１の導電体または第２の導電体の一方は、弾性構
造体よりなり、その弾性力により他方の導電体に圧接さ
れていることを特徴とする。
【００１２】
【作用】ＣＶＤ処理時において反応副生成物が生成され
るが、防着板の存在により、載置台の側周部及び真空室
の内壁面ヘの反応副生成物等の付着が防止される。そし
てこれら防着板と第１の電極の電位は異なり、例えば第
１の電極が高周波電源に接続され、防着板が例えば接地
されるため、防着板は電気的に浮遊することなく、異常
放電が防止され、また第１の電極付近の電界の横方向の
広がりが抑えられ、第１の電極へ引き寄せられるイオン
の垂直性が高くなり、異方性が大きくなる。この場合載
置台の外部において導電体を構成して防着板をバイアス
電源部（例えばア−ス）に接続すれば、載置台の熱が導
電部を通じて放熱することを抑えることができる。さら
に導電体を分割して弾性力により互いに摺動するように
構成すれば、確実な電気的接触を図ることができる。
るが、防着板の存在により、載置台の側周部及び真空室
の内壁面ヘの反応副生成物等の付着が防止される。そし
てこれら防着板と第１の電極の電位は異なり、例えば第
１の電極が高周波電源に接続され、防着板が例えば接地
されるため、防着板は電気的に浮遊することなく、異常
放電が防止され、また第１の電極付近の電界の横方向の
広がりが抑えられ、第１の電極へ引き寄せられるイオン
の垂直性が高くなり、異方性が大きくなる。この場合載
置台の外部において導電体を構成して防着板をバイアス
電源部（例えばア−ス）に接続すれば、載置台の熱が導
電部を通じて放熱することを抑えることができる。さら
に導電体を分割して弾性力により互いに摺動するように
構成すれば、確実な電気的接触を図ることができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。図１
は本発明の一実施例に係るプラズマ成膜装置の全体構成
を示す略断面図である。図中の符号のうち、既述の図４
に示す従来のプラズマＣＶＤ装置の符号と同一の部分は
同一の構造を示している。図中１はアースに接続された
例えばアルミニウムよりなる真空室であり、この真空室
１には外側壁にロードロック室１１との間を気密にシー
ルするゲートバルブ１２が設けられると共に、下部側壁
に図示しない真空ポンプに接続された排気管１３が設け
られている。
は本発明の一実施例に係るプラズマ成膜装置の全体構成
を示す略断面図である。図中の符号のうち、既述の図４
に示す従来のプラズマＣＶＤ装置の符号と同一の部分は
同一の構造を示している。図中１はアースに接続された
例えばアルミニウムよりなる真空室であり、この真空室
１には外側壁にロードロック室１１との間を気密にシー
ルするゲートバルブ１２が設けられると共に、下部側壁
に図示しない真空ポンプに接続された排気管１３が設け
られている。
【００１４】真空室１内には、ウエハＷを載置するため
の載置台２が設置されている。この載置台２は、加熱部
２０を内蔵した例えばアルミニウム製の第１の電極をな
す下部電極２２を、例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）から
構成される絶縁性の電極支持体２３の上に設けてなり、
下部電極２２は電極支持体２３を通して高周波電源Ｅに
接続されると共に、電極支持体２３の下部には昇降軸２
１ａを介して昇降機構２１が接続されていて、載置台２
が昇降できるように構成されている。
の載置台２が設置されている。この載置台２は、加熱部
２０を内蔵した例えばアルミニウム製の第１の電極をな
す下部電極２２を、例えばＡｌ2 Ｏ3 （アルミナ）から
構成される絶縁性の電極支持体２３の上に設けてなり、
下部電極２２は電極支持体２３を通して高周波電源Ｅに
接続されると共に、電極支持体２３の下部には昇降軸２
１ａを介して昇降機構２１が接続されていて、載置台２
が昇降できるように構成されている。
【００１５】また下部電極２２には、ウエハＷの搬送時
に載置面に対して接離するための例えば３本のプッシャ
−ピン２４が設けられており、このプッシャ−ピン２４
は電極支持体２３の中心の中空部及び昇降軸２１ａの中
を通る図示しないエアシリンダ部のエアの圧力を変える
ことにより駆動される。
に載置面に対して接離するための例えば３本のプッシャ
−ピン２４が設けられており、このプッシャ−ピン２４
は電極支持体２３の中心の中空部及び昇降軸２１ａの中
を通る図示しないエアシリンダ部のエアの圧力を変える
ことにより駆動される。
【００１６】電極支持体２３の下部側には、電極支持体
２３を囲むようにリング状の金属製ベローズ体４が設け
られ、一端側（上端側）のフランジ部４１は電極支持体
２３の段部に固定される一方他端側は真空室１の内壁部
に固定されている。また電極支持体２３の側周部には、
蒸着物シールド用の、つまりＣＶＤ処理時の反応副生成
物などをここでシールドして載置台２に付着しないよう
にするための例えばアルミニウムやステンレス等よりな
る防着板５が設けられている。
２３を囲むようにリング状の金属製ベローズ体４が設け
られ、一端側（上端側）のフランジ部４１は電極支持体
２３の段部に固定される一方他端側は真空室１の内壁部
に固定されている。また電極支持体２３の側周部には、
蒸着物シールド用の、つまりＣＶＤ処理時の反応副生成
物などをここでシールドして載置台２に付着しないよう
にするための例えばアルミニウムやステンレス等よりな
る防着板５が設けられている。
【００１７】この防着板５は電極支持体２３に固定さ
れ、載置台２を囲むように鉛直に配設された筒状部５１
と、載置台２と真空室１の内壁部との間に下部電極２２
を囲むように、筒状部５１の上端部に設けられた水平な
リング状部５２とから構成される。筒状部５１の内周面
は、後述のように所定の電位にするため確実な電気的接
触が確保できるようにフランジ部４１の外周部に固定さ
れている。
れ、載置台２を囲むように鉛直に配設された筒状部５１
と、載置台２と真空室１の内壁部との間に下部電極２２
を囲むように、筒状部５１の上端部に設けられた水平な
リング状部５２とから構成される。筒状部５１の内周面
は、後述のように所定の電位にするため確実な電気的接
触が確保できるようにフランジ部４１の外周部に固定さ
れている。
【００１８】前記ベローズ体４の内方側には、第１の導
電体６１をなす、例えば厚さ３．０ｍｍ、幅１０ｍｍの
板状体が鉛直方向に沿って設けられており、その一端部
（上端部）はＬ字状に屈曲されてフランジ部４１の下面
に接合して固定されると共に、下端部がベローズ体４の
下端部よりも更に下方側の位置まで伸びている。一方ベ
ローズ体４の下方側のフランジ部４２が固定されている
真空室１の内壁部には、板状体を屈曲させて、屈曲方向
に力が加わって曲げられたときに、その力の方向と反対
方向に弾性力を生じるように構成された、第２の導電体
６２をなす弾性構造体がフランジ部４２に接合して固定
されている。
電体６１をなす、例えば厚さ３．０ｍｍ、幅１０ｍｍの
板状体が鉛直方向に沿って設けられており、その一端部
（上端部）はＬ字状に屈曲されてフランジ部４１の下面
に接合して固定されると共に、下端部がベローズ体４の
下端部よりも更に下方側の位置まで伸びている。一方ベ
ローズ体４の下方側のフランジ部４２が固定されている
真空室１の内壁部には、板状体を屈曲させて、屈曲方向
に力が加わって曲げられたときに、その力の方向と反対
方向に弾性力を生じるように構成された、第２の導電体
６２をなす弾性構造体がフランジ部４２に接合して固定
されている。
【００１９】この弾性構造体は屈曲部分の外周面が、外
方側（図１中右側）に復元力が作用する状態で前記第１
の導電体６１に圧接されており、載置台２が昇降したと
きに、その復元力により第１の導電体６１に圧接した状
態で相対的に摺動するようになっている。第１の導電体
６１及び第２の導電体６２は例えばアルミニウムやステ
ンレス等により構成されており、防着板５はベローズ体
４の上部フランジ部４１、第１の導電体６１、第２の導
電体６２、ベローズ体４の下部フランジ部４２、真空室
１を介して、バイアス電源部例えばアースに電気的に接
続されている。なお防着板５はベローズ体４を介してア
ースに接続してもよいが、通常ベローズ体４は薄い材料
で構成されているため、確実な電気的接触を確保するた
めには本実施例の構成が好ましい。
方側（図１中右側）に復元力が作用する状態で前記第１
の導電体６１に圧接されており、載置台２が昇降したと
きに、その復元力により第１の導電体６１に圧接した状
態で相対的に摺動するようになっている。第１の導電体
６１及び第２の導電体６２は例えばアルミニウムやステ
ンレス等により構成されており、防着板５はベローズ体
４の上部フランジ部４１、第１の導電体６１、第２の導
電体６２、ベローズ体４の下部フランジ部４２、真空室
１を介して、バイアス電源部例えばアースに電気的に接
続されている。なお防着板５はベローズ体４を介してア
ースに接続してもよいが、通常ベローズ体４は薄い材料
で構成されているため、確実な電気的接触を確保するた
めには本実施例の構成が好ましい。
【００２０】そして真空室１内の載置台２の上方側に
は、載置台２と対向するように第２の電極をなし、多数
のガス噴射口を備えたガス拡散板よりなる対向電極３が
配設されている。この対向電極３は真空室１内に処理ガ
スを供給するガス供給部を兼用するものであり、頂部に
は処理ガス供給管３１が接続されている。
は、載置台２と対向するように第２の電極をなし、多数
のガス噴射口を備えたガス拡散板よりなる対向電極３が
配設されている。この対向電極３は真空室１内に処理ガ
スを供給するガス供給部を兼用するものであり、頂部に
は処理ガス供給管３１が接続されている。
【００２１】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず被処理体である半導体ウエハＷを、ロードロック室１
１から図示しない搬送アームによりゲートバルブ１２を
介して、真空室１内に搬入し、下部電極２２のウエハ載
置面上にプッシャ−ピン２４を介して載置した後、昇降
機構２１により載置台２を所定の位置例えば載置台２と
対向電極３との距離が例えば４０ｍｍの位置まで上昇さ
せる。そして処理ガス供給管３１より、対向電極３を介
して真空室１内に例えばＴＥＯＳ及び酸素ガスからなる
処理ガスを供給すると共に、排気管１３を介して真空ポ
ンプにより排気し、真空室１内を所定の真空度に維持し
ながら、更に載置台２と対向電極３との間に、高周波電
源Ｅにより、例えば１３．５６ＭＨｚ、１０００Ｗの高
周波電圧を印加して電極２、３間にプラズマを発生さ
せ、ウエハＷの表面にＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）を
成膜する。成膜処理後、昇降機構２１より載置台２を、
図１に示すウエハＷの受け渡し位置まで下降させる。こ
の後昇降軸２１ａ内のエアの圧力を調整してプッシャ−
ピン２４を駆動し、このプッシャ−ピン２４によりウエ
ハＷを押し上げて、図示しない搬送アームにより真空室
１から搬出する。
ず被処理体である半導体ウエハＷを、ロードロック室１
１から図示しない搬送アームによりゲートバルブ１２を
介して、真空室１内に搬入し、下部電極２２のウエハ載
置面上にプッシャ−ピン２４を介して載置した後、昇降
機構２１により載置台２を所定の位置例えば載置台２と
対向電極３との距離が例えば４０ｍｍの位置まで上昇さ
せる。そして処理ガス供給管３１より、対向電極３を介
して真空室１内に例えばＴＥＯＳ及び酸素ガスからなる
処理ガスを供給すると共に、排気管１３を介して真空ポ
ンプにより排気し、真空室１内を所定の真空度に維持し
ながら、更に載置台２と対向電極３との間に、高周波電
源Ｅにより、例えば１３．５６ＭＨｚ、１０００Ｗの高
周波電圧を印加して電極２、３間にプラズマを発生さ
せ、ウエハＷの表面にＳｉＯ2 膜（シリコン酸化膜）を
成膜する。成膜処理後、昇降機構２１より載置台２を、
図１に示すウエハＷの受け渡し位置まで下降させる。こ
の後昇降軸２１ａ内のエアの圧力を調整してプッシャ−
ピン２４を駆動し、このプッシャ−ピン２４によりウエ
ハＷを押し上げて、図示しない搬送アームにより真空室
１から搬出する。
【００２２】ここで載置台２の昇降時には、第１の導電
体６１は復元力により第２の導電体６２と圧接しながら
載置台２と共に昇降する。このため導電体６１、６２同
士は常に確実に電気的に接続されており、しかもこの導
電路の断面積を大きくとることができるので、防着板５
はフランジ部４１、第１の導電体６１、第２の導電体６
２及び真空室１を介して確実にアース電位に維持され
る。なお載置台２の昇降時ベローズ体４は伸縮し、昇降
機構２１、導電体６１、６２等は真空室１の雰囲気から
気密に隔離される。
体６１は復元力により第２の導電体６２と圧接しながら
載置台２と共に昇降する。このため導電体６１、６２同
士は常に確実に電気的に接続されており、しかもこの導
電路の断面積を大きくとることができるので、防着板５
はフランジ部４１、第１の導電体６１、第２の導電体６
２及び真空室１を介して確実にアース電位に維持され
る。なお載置台２の昇降時ベローズ体４は伸縮し、昇降
機構２１、導電体６１、６２等は真空室１の雰囲気から
気密に隔離される。
【００２３】上述の成膜処理の際、ＳｉＯ2 と共にカー
ボンＣを中心とした種々の重合物などの反応中間生成物
も生成されるが、この反応副生成物は防着板５の筒状体
５１及びリング状体５２に付着する。従って載置台２の
側周部や真空室１の内壁部への反応副生成物の付着は防
止される。また防着板５はアースに接続されており、電
気的にフローティングの状態ではないため異常放電が防
止される上、下部電極２２は高周波電源Ｅに接続されて
おり、下部電極２２と防着板５との電位が異なるため、
電界の横方向の広がりが抑えられる。従って処理ガスの
プラズマ粒子の垂直性が高くなり、大きな異方性が確保
できるので、微細パターンに対しても良好な成膜処理を
行うことができる。また導電体６１、６２は載置台２の
外部に配設されているため、加熱部２０の熱が電極支持
体２３及び導電体６１、６２を通じて放熱されることを
抑えることができる。
ボンＣを中心とした種々の重合物などの反応中間生成物
も生成されるが、この反応副生成物は防着板５の筒状体
５１及びリング状体５２に付着する。従って載置台２の
側周部や真空室１の内壁部への反応副生成物の付着は防
止される。また防着板５はアースに接続されており、電
気的にフローティングの状態ではないため異常放電が防
止される上、下部電極２２は高周波電源Ｅに接続されて
おり、下部電極２２と防着板５との電位が異なるため、
電界の横方向の広がりが抑えられる。従って処理ガスの
プラズマ粒子の垂直性が高くなり、大きな異方性が確保
できるので、微細パターンに対しても良好な成膜処理を
行うことができる。また導電体６１、６２は載置台２の
外部に配設されているため、加熱部２０の熱が電極支持
体２３及び導電体６１、６２を通じて放熱されることを
抑えることができる。
【００２４】以上において第１の導電体６１及び第２の
導電体６２は例えば図３に示すようにベローズ体４の外
方側に設けてもよいし、上側に第１の導電体６１をなす
弾性構造体を設け、下側に第２の導電体６２をなす板状
体を設けるようにしてもよい。また導電体６１、６２は
アースに限らず、直流源よりなるバイアス電源部６０に
接続して所定の電位（下部電極２２とは異なる電位）と
してもよい。さらに導電体として、載置台２の前記段部
とベロ−ズ体４の固定部側との間で伸縮するバネを設け
てもよいし、導電体は載置台２の内部に設けてもよい。
そしてまた載置台側の第１の電極を接地し、対向電極で
ある第２の電極を高周波電源に接続する場合にも適用で
きる。
導電体６２は例えば図３に示すようにベローズ体４の外
方側に設けてもよいし、上側に第１の導電体６１をなす
弾性構造体を設け、下側に第２の導電体６２をなす板状
体を設けるようにしてもよい。また導電体６１、６２は
アースに限らず、直流源よりなるバイアス電源部６０に
接続して所定の電位（下部電極２２とは異なる電位）と
してもよい。さらに導電体として、載置台２の前記段部
とベロ−ズ体４の固定部側との間で伸縮するバネを設け
てもよいし、導電体は載置台２の内部に設けてもよい。
そしてまた載置台側の第１の電極を接地し、対向電極で
ある第２の電極を高周波電源に接続する場合にも適用で
きる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、防着板を電気的に浮遊
させることなく、バイアス電源部に接続して第１の電極
とは異なる電位に設定しているので異常放電が防止され
しかも第１の電極付近の電界の横方向の広がりが抑えら
れ、第１の電極へ引き寄せられるイオンの垂直性が高く
なり、異方性が大きくなる。また載置台の外部において
導電体を構成して防着板をバイアス電源部に接続してい
るので、載置台の熱が導電体を通じて放熱することを抑
えることができる。さらに導電体を分割して弾性力によ
り互いに摺動するように構成すれば、確実な電気的接触
を図ることができる。
させることなく、バイアス電源部に接続して第１の電極
とは異なる電位に設定しているので異常放電が防止され
しかも第１の電極付近の電界の横方向の広がりが抑えら
れ、第１の電極へ引き寄せられるイオンの垂直性が高く
なり、異方性が大きくなる。また載置台の外部において
導電体を構成して防着板をバイアス電源部に接続してい
るので、載置台の熱が導電体を通じて放熱することを抑
えることができる。さらに導電体を分割して弾性力によ
り互いに摺動するように構成すれば、確実な電気的接触
を図ることができる。
【図１】本発明のプラズマ成膜装置の一例を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明の導電体、ベローズ体、載置台を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】本発明の導電体の他の例を示す断面図である。
【図４】従来のプラズマ成膜装置の断面図である。
１ 真空室 ２ 載置台 ２１ 昇降機構 ２２ 下部電極 ２３ 電極支持体 ３ 対向電極 ４ ベローズ体 ５ 防着板 ５１ 筒状体 ５２ リング状体 ６１ 第１の導電体 ６２ 第２の導電体
Claims (4)
- 【請求項１】 真空室内に設けられ、被処理体が載置さ
れる第１の電極を備えた載置台と、前記第１の電極に対
向する第２の電極と、前記載置台の周囲に設けられた蒸
着物シールド用の防着板とを有し、前記第１の電極及び
第２の電極間に電圧を印加して処理ガスをプラズマ化
し、そのプラズマにより載置台上の被処理体に成膜処理
を行う装置において、 前記防着板をバイアス電源部に接続して、防着板が第１
の電極とは異なる電位となるように構成したことを特徴
とするプラズマ成膜装置。 - 【請求項２】 真空室内に設けられ、被処理体が載置さ
れる第１の電極と加熱部とを備えた昇降自在な載置台
と、前記第１の電極に対向する第２の電極と、前記載置
台の周囲に設けられた蒸着物シールド用の防着板と、前
記載置台を昇降させる昇降機構と真空室内雰囲気とを気
密に隔離するために載置台を囲むようにかつ一縁が載置
台に固定されたリング状のベロース体と、を有し、 前記第１の電極及び第２の電極間に電圧を印加して処理
ガスをプラズマ化し、載置台上の加熱された被処理体に
プラズマにより成膜処理を行う装置において、前記載置
台の外側に設けられ、一端部及び他端部が夫々載置台側
及びベローズ体の固定部側に固定されると共に載置台の
昇降に追従して長さが変わる導電体を備え、この導電体
の一端部及び他端部を夫々防着板及びバイアス電源部に
接続し、このバイアス電源部により前記防着板が第１の
電極と異なる電位となるように構成したことを特徴とす
るプラズマ成膜装置。 - 【請求項３】 導電体は、載置台側に固定された第１の
導電体と、ベローズ体の固定部側に固定された第２の導
電体とに分割されると共に、載置台の昇降時にこれら導
電体同士が摺動するように構成され、 前記第１の導電体及び第２の導電体は夫々防着板及びバ
イアス電源部に接続されていることを特徴とする請求項
２記載のプラズマ成膜装置。 - 【請求項４】 第１の導電体または第２の導電体の一方
は、弾性構造体よりなり、その弾性力により他方の導電
体に圧接されていることを特徴とする請求項３記載のプ
ラズマ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06235989A JP3131865B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | プラズマ成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06235989A JP3131865B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | プラズマ成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878346A true JPH0878346A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3131865B2 JP3131865B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=16994168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06235989A Expired - Fee Related JP3131865B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | プラズマ成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3131865B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011037107A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
| CN103367089A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种具有双外壳的等离子体处理装置 |
| CN114078680A (zh) * | 2020-08-20 | 2022-02-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP06235989A patent/JP3131865B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011037107A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
| JP2011068918A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
| KR101347596B1 (ko) * | 2009-09-24 | 2014-01-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 재치대 구조체 및 플라즈마 성막 장치 |
| US9324600B2 (en) | 2009-09-24 | 2016-04-26 | Tokyo Electron Limited | Mounting table structure and plasma film forming apparatus |
| CN103367089A (zh) * | 2012-03-30 | 2013-10-23 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种具有双外壳的等离子体处理装置 |
| CN103367089B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-04-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种具有双外壳的等离子体处理装置 |
| CN114078680A (zh) * | 2020-08-20 | 2022-02-22 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
| CN114078680B (zh) * | 2020-08-20 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3131865B2 (ja) | 2001-02-05 |
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