JPH0876073A - 液晶表示装置の製法 - Google Patents

液晶表示装置の製法

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JPH0876073A
JPH0876073A JP21011894A JP21011894A JPH0876073A JP H0876073 A JPH0876073 A JP H0876073A JP 21011894 A JP21011894 A JP 21011894A JP 21011894 A JP21011894 A JP 21011894A JP H0876073 A JPH0876073 A JP H0876073A
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JP
Japan
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substrate
liquid crystal
display device
crystal display
manufacturing
Prior art date
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Application number
JP21011894A
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English (en)
Inventor
Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製品の歩留り及び品質を向上させ、信頼性の
問題を解決する。 【構成】 ダイシングされた各基板10は回路素子等の
部分2が形成される面側の端部に面取り加工が施され
る。このTFT基板10TとCF基板10Cのそれぞれ
の表示部にポリイミド配向膜が形成され、ラビングによ
る配向が行われる。これらの配向の行われたTFT基板
10TとCF基板10Cが回路素子等の部分2が形成さ
れる面が対向するように所定のギャップを形成して重ね
合わされ、表示部の周囲がシール4され、その内部に液
晶5が封入され、熱処理が行われる。そしてTFT基板
10TとCF基板10Cが重ね合わされた周囲で、面取
り加工によって生じる凹部にシール剤7が塗布され、紫
外線の照射等によって硬化される。またフレキシブル基
板8とTFT基板10Tの接合面で、面取り加工によっ
て生じる凹部に接着剤9が塗布され、紫外線の照射等に
よって硬化される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも第1及び第
2基板と、フレキシブル基板とが組み合わされてなる液
晶表示装置の製法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置の製造は、例えば以下のよ
うにして行われている。
【0003】すなわち例えばガラス基体上に駆動回路等
の薄膜トランジスタ(TFT)による回路素子が繰り返
し形成されたTFT基体と、同じくガラス基体上に色フ
ィルタ(CF)や所定の表示電極等が繰り返し形成され
たCF基体とが用意される。これらのTFT基体とCF
基体とが、それぞれダイシング等によって、所定の形状
の個々の基板(TFT基板、CF基板)に分割される。
【0004】これらの分割された各基板の表示部にポリ
イミド配向膜が形成され、さらにラビングによる配向が
行われる。これらの配向の行われたTFT基板とCF基
板とが、互いに回路素子及び色フィルタの形成された面
が対向するように所定のギャップを形成して重ね合わさ
れる。そして上述の表示部の周囲がシールされ、その内
部に液晶が封入され、液晶の配向状態をきれいに整列さ
せるさせるための熱処理が行われる。
【0005】またTFT基板には、信号の入出力のため
のパッド部が設けられる。そして実装時に、フレキシブ
ル基板が異方性導電膜等を介してこのパッド部に熱圧着
されて接合が行われる。これによってこのフレキシブル
基板を介して、TFT基板及びCF基板への信号の入出
力が行われ、この信号に従って表示部の液晶が駆動され
て、所望の表示が行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのような液
晶表示装置の製法において、上述の配向を行うためのラ
ビングでは、綿布(ラビングバフ)でポリイミド配向膜
を摩擦するが、その際、双方の摩擦で静電気が発生し易
く、この静電気によってTFTが破壊されて、歩留り及
び品質が低下(変動)し易い。
【0007】また、TFT基板及びCF基板をダイシン
グによって個々に分割している場合には、その端面が鋭
くなっており、このためラビング材が削られる量が多
く、塵の付着が多くなったり、ラビングバフのポリイミ
ド配向膜への擦り圧(押し込み量)が変動して、配向性
ムラ不良が起き易くなり、これによっても歩留り及び品
質が低下(変動)し易い。
【0008】さらに、上述のTFT基板とCF基板間の
表示部の周囲のシールには、紫外線硬化型あるいは紫外
線及び加熱硬化型のシール剤が使用されるが、シール幅
の少なさや、シール剤の厚さのばらつき、ギャップの狭
さによって充分な性能を発揮するのが困難であり、特に
耐湿性が低下し易く、染み不良の発生等の信頼性の面で
問題が生じていた。
【0009】また、液晶表示装置の実装に当たっては、
上述のようにTFT基板のパッド部に、フレキシブル基
板が異方性導電膜等を介して熱圧着されて接合が行われ
るが、鋭い端面エッジでのフレキシブル基板への損傷の
恐れがあり、また接着強度も低下し易いなどの潜在的な
信頼性の問題が生じていた。
【0010】なお接着強度の問題に関しては、先にTF
T基板のパッド部の裏面のエッジ部を削る対策が提案さ
れているが、削るための工程数の増加や、端面エッジで
のフレキシブル基板への損傷などに対する抜本的な対策
にはなっていなかった。
【0011】この出願はこのような点に鑑みて成された
ものであって、解決しようとする問題点は、従来の液晶
表示装置の製法では、歩留り及び品質が低下(変動)し
易く、また信頼性の面で問題が生じていたというもので
ある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の手段
は、少なくとも第1及び第2基板と、フレキシブル基板
とが組み合わされてなる液晶表示装置の製法において、
上記第1及び第2基板の少なくとも一方の分割される前
の基体の分割線に沿って、上記素子が形成された面側に
V溝または三角溝のテーパー加工を施し、その後分割を
行うようにした液晶表示装置の製法である。
【0013】本発明による第2の手段は、少なくとも第
1及び第2基板と、フレキシブル基板とが組み合わされ
てなる液晶表示装置の製法において、上記第1及び第2
基板の少なくとも一方の分割される前の基体を分割線に
沿って上記基板に分割し、その後上記基板の素子が形成
された面側の端部に砥石加工を施すようにした液晶表示
装置の製法である。
【0014】本発明による第3の手段は、第1または第
2の手段記載の液晶表示装置の製法において、上記第1
及び第2基板を、上記素子が形成された面側が対向する
ように重ね合わせてシールし、液晶を封入すると共に、
上記テーパー加工の施された部分にシール剤を塗布して
上記第1及び第2基板間の接合と上記シールの補強を行
うようにした液晶表示装置の製法である。
【0015】本発明による第4の手段は、第1または第
2の手段記載の液晶表示装置の製法において、上記基板
に上記フレキシブル基板を接合する位置の上記テーパー
加工の施された部分に接着剤を塗布して上記基板と上記
フレキシブル基板間の接合の補強を行うようにした液晶
表示装置の製法である。
【0016】
【作用】これによれば、第1及び第2基板の少なくとも
一方の素子が形成された面側の端部に面取り加工が施さ
れているので、ラビング材が削られることによる塵の発
生は少なくなり、またラビングバフの磨耗が少なく、ポ
リイミド配向膜への擦り状態が安定して配向性ムラ不良
が少なくなり、歩留り及び品質を向上させることができ
る。
【0017】また、重ね合わせた第1及び第2基板の面
取り加工の施された部分にシール剤を塗布して第1及び
第2基板間の接合を行うようにしたことにより、内部の
シール剤と共にシールを充分に行うことができ、耐湿性
等の信頼性の問題を容易に解決することができる。
【0018】さらに、フレキシブル基板を接合する位置
の面取り加工の施された部分に接着剤を塗布して基板と
フレキシブル基板間の接合を行うようにしたことによ
り、端面エッジでのフレキシブル基板への損傷の恐れが
なく、また接着強度も容易に向上させることができると
共に、第1及び第2基板間の接合強度を極めて向上させ
ることができる。
【0019】
【実施例】図1は本発明による液晶表示装置の製法の一
例の各工程を示す図である。
【0020】この図1において、図1のAは、例えばガ
ラス基体1の一方の表面に駆動回路等の薄膜トランジス
タ(TFT)による回路素子が繰り返し形成されたTF
T基体、あるいは色フィルタ(CF)や所定の表示電極
等が繰り返し形成されたCF基体を示す。なお図中の斜
線は、上述の回路素子あるいは色フィルタ等の形成され
る部分2を示す。
【0021】このTFT基体あるいはCF基体が、図1
のBにおいて、ダイシングシート3に貼着される。さら
にこのダイシングシート3に貼着されたTFT基体ある
いはCF基体が、図1のCにおいて、ダイシングされて
基板10に分割される。
【0022】ここで図1のCにおけるダイシングは、例
えば図2あるいは図3に示すように行われる。すなわ
ち、まず図2のAにおいて、V溝(ベベル=テーパー)
加工用のブレード20が用いられる。これによって基体
の表面に例えば回路素子あるいは色フィルタ等の形成さ
れる部分2より僅かに深い程度の断面V形状の溝21が
形成される。次にBにおいて通常のダイシング用のブレ
ード22が用いられ、断面V形状の溝21の最深部から
ガラス基体1を切断する分割23が行われる。
【0023】なおこのようなダイシングは、例えば2軸
のダイシング装置を用いて行うことができるが、1軸の
装置であっても、ブレードを取り替えて行うことができ
る。また図2のAにおける溝21の形状は、例えば頂角
はブレード20の選択によって、例えば90〜120度
の範囲で任意に定めることができる。また深さは基体の
全体厚さを0.8mmとして0.1〜0.2mm程度と
される。さらに仕上げの荒さもブレード20の選択によ
って任意に定めることができるものである。
【0024】あるいは図3のAにおいて、先端部が平坦
でテーパーのつけられた三角溝加工用のブレード24が
用いられる。これによって基体の表面に例えば回路素子
あるいは色フィルタ等の形成される部分2より僅かに深
い程度の断面三角形状の溝25が形成される。次にBに
おいて通常のダイシング用のブレード22が用いられ、
断面三角形状の溝25の最深部からガラス基体1を切断
する分割23が行われる。このようにしても、上述のV
溝加工用のブレード20を用いた図2の場合と同様のダ
イシングを行うことができる。
【0025】なお、図3のAにおける溝25の形状は、
例えばテーパーの角度はブレード24の選択によって、
例えば45±15度の範囲で任意に定めることができ
る。また深さは図2の場合と同様に、基体の全体厚さを
0.8mmとして0.1〜0.2mm程度とされる。さ
らに仕上げの荒さもブレード24の選択によって任意に
定めることができるものである。そしてこのような三角
溝加工用のブレード24を用いた場合には、ブレード2
4の刃先磨耗を少なくし、ダイシングの作業効率を向上
させることができる。
【0026】従って、上述の図2、図3のようなダイシ
ングが行われた場合には、分割された各基板10は、図
1のCに示すように回路素子等の部分2が形成される面
側の端部に面取り加工が施される。
【0027】このように分割されたTFT基板10Tと
CF基板10Cのそれぞれの表示部にポリイミド配向膜
(図示せず)が形成され、ラビングによる配向が行われ
る。これらの配向の行われたTFT基板10TとCF基
板10Cが、図1のDにおいて、回路素子等の部分2が
形成される面が対向するように所定のギャップを形成し
て重ね合わされる。そして上述の表示部の周囲がシール
4され、その内部に液晶5が封入され、液晶の配向状態
をきれいに整列させるさせるための熱処理が行われる。
【0028】そして図1のEにおいて、TFT基板10
TとCF基板10Cが重ね合わされた周囲で、上述の端
部に施された面取り加工によって生じるV部または凹部
にシール剤7が塗布され、紫外線の照射または紫外線の
照射と加熱によってシール剤7が硬化される。すなわち
シール剤7がアクリル系の樹脂の場合には紫外線の照射
による硬化が行われ、エポキシ系の樹脂の場合には紫外
線の照射と加熱による硬化が行われる。
【0029】またTFT基板10Tには、信号の入出力
のためのパッド部6が設けられる。そして実装時には、
図1のFに示すようにフレキシブル基板8が異方性導電
膜(図示せず)等を介してこのパッド部6に熱圧着され
て接合が行われる。これによってこのフレキシブル基板
8を介して、TFT基板10T及びCF基板10Cへの
信号の入出力が行われ、この信号に従って表示部の液晶
5が駆動されて、所望の表示が行われる。
【0030】そしてさらに図1のFにおいて、フレキシ
ブル基板8とTFT基板10Tの接合面で、TFT基板
10Tの端部に施された面取り加工によって生じるV部
または凹部に接着剤9が塗布され、紫外線の照射等によ
って接着剤9が硬化される。
【0031】こうして上述の装置によれば、第1及び第
2基板の少なくとも一方の素子が形成された面側の端部
に面取り加工が施されているので、ラビング材が削られ
ることによる塵の発生は少なくなり、またラビングバフ
の磨耗が少なく、ポリイミド配向膜への擦り状態が安定
して配向性ムラ不良が少なくなり、歩留り及び品質を向
上させることができるものである。
【0032】また、重ね合わせた第1及び第2基板の面
取り加工の施された部分にシール剤を塗布して第1及び
第2基板間の接合を行うようにしたことにより、内部の
シール剤と共にシールを充分に行うことができ、耐湿性
等の信頼性の問題を容易に解決することができると共
に、第1及び第2基板間の接合強度を極めて向上させる
ことができるものである。
【0033】さらに、フレキシブル基板を接合する位置
の面取り加工の施された部分に接着剤を塗布して基板と
フレキシブル基板間の接合を行うようにしたことによ
り、端面エッジでのフレキシブル基板への損傷の恐れが
なく、また接着強度も容易に向上させることができるも
のである。
【0034】また、図4は本発明による液晶表示装置の
製法の他の例の要部の工程を示す図である。
【0035】この図4のAで、例えばガラス基体1がダ
イシングシート3に貼着されて示されている。図中の斜
線は、回路素子あるいは色フィルタ等の形成される部分
2を示す。そしてこの部分2の表面には、工程中での回
路素子あるいは色フィルタ等の形成される部分2を損傷
から保護するための、紫外線硬化樹脂からなる保護テー
プ11が貼付けられている。
【0036】このTFT基体あるいはCF基体が、図4
のBにおいて、ダイシングあるいはスクライブブレーク
によって基板10に分割される。そしてこの例では、こ
の分割された基板10に対して、例えば砥石加工によっ
て図4のCに示すように回路素子等の部分2が形成され
る面側の端部に面取り加工が施される。また、この加工
後に紫外線の照射等によって保護テープ11の剥離が行
われる。
【0037】従ってこの製法においても、分割された各
基板10は、図4のCに示すように回路素子等の部分2
が形成される面側の端部に面取り加工が施される。以下
の工程は、上述の図1のD〜Fと同様に行われる。
【0038】こうしてこの例においても、上述の図1の
実施例と同様の作用効果を得ることができる。
【0039】
【発明の効果】この発明によれば、第1及び第2基板の
少なくとも一方の素子が形成された面側の端部に面取り
加工が施されているので、ラビング材が削られることに
よる塵の発生は少なくなり、またラビングバフの磨耗が
少なく、ポリイミド配向膜への擦り状態が安定して配向
性ムラ不良が少なくなり、歩留り及び品質を向上させる
ことができるようになった。
【0040】また、重ね合わせた第1及び第2基板の面
取り加工の施された部分にシール剤を塗布して第1及び
第2基板間の接合を行うようにしたことにより、内部の
シール剤と共にシールを充分に行うことができ、耐湿性
等の信頼性の問題を容易に解決することができると共
に、第1及び第2基板間の接合強度を極めて向上させる
ことができるようになった。
【0041】さらに、フレキシブル基板を接合する位置
の面取り加工の施された部分に接着剤を塗布して基板と
フレキシブル基板間の接合を行うようにしたことによ
り、端面エッジでのフレキシブル基板への損傷の恐れが
なく、また接着強度も容易に向上させることができるよ
うになった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による液晶表示装置の製法の一例の工程
図である。
【図2】その説明のための図である。
【図3】その説明のための図である。
【図4】本発明による液晶表示装置の製法の他の例の要
部の工程図である。
【符号の説明】
1 ガラス基体 2 回路素子あるいは色フィルタ等の形成される部分 3 ダイシングシート 4 シール 5 液晶 6 パッド部 7 シール剤 8 フレキシブル基板 9 接着剤 10T TFT基板 10C CF基板

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも第1及び第2基板と、フレキ
    シブル基板とが組み合わされてなる液晶表示装置の製法
    において、 上記第1及び第2基板の少なくとも一方の分割される前
    の基体の分割線に沿って、上記素子が形成された面側に
    V溝または三角溝のテーパー加工を施し、その後分割を
    行うようにした液晶表示装置の製法。
  2. 【請求項2】 少なくとも第1及び第2基板と、フレキ
    シブル基板とが組み合わされてなる液晶表示装置の製法
    において、 上記第1及び第2基板の少なくとも一方の分割される前
    の基体を分割線に沿って上記基板に分割し、その後上記
    基板の素子が形成された面側の端部に砥石加工を施すよ
    うにした液晶表示装置の製法。
  3. 【請求項3】 請求項1または2記載の液晶表示装置の
    製法において、 上記第1及び第2基板を、上記素子が形成された面側が
    対向するように重ね合わせてシールし、液晶を封入する
    と共に、 上記テーパー加工の施された部分にシール剤を塗布して
    上記第1及び第2基板間の接合と上記シールの補強を行
    うようにした液晶表示装置の製法。
  4. 【請求項4】 請求項1または2記載の液晶表示装置の
    製法において、 上記基板に上記フレキシブル基板を接合する位置の上記
    テーパー加工の施された部分に接着剤を塗布して上記基
    板と上記フレキシブル基板間の接合の補強を行うように
    した液晶表示装置の製法。
JP21011894A 1994-09-02 1994-09-02 液晶表示装置の製法 Pending JPH0876073A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172730B1 (en) 1998-03-06 2001-01-09 Nec Corporation Liquid crystal display apparatus having stepped section in glass substrate
JP2004142428A (ja) * 2002-10-04 2004-05-20 Seiko Epson Corp ダイシング方法、カバーガラス、液晶パネル、液晶プロジェクタ、撮像装置及びデジタル画像認識装置
WO2018131602A1 (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 大日本印刷株式会社 調光セル、調光部材、移動体、調光セルの製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6172730B1 (en) 1998-03-06 2001-01-09 Nec Corporation Liquid crystal display apparatus having stepped section in glass substrate
US6480254B1 (en) 1998-03-06 2002-11-12 Nec Corporation Liquid crystal display apparatus having stepped section in glass substrate
JP2004142428A (ja) * 2002-10-04 2004-05-20 Seiko Epson Corp ダイシング方法、カバーガラス、液晶パネル、液晶プロジェクタ、撮像装置及びデジタル画像認識装置
WO2018131602A1 (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 大日本印刷株式会社 調光セル、調光部材、移動体、調光セルの製造方法
JPWO2018131602A1 (ja) * 2017-01-10 2019-11-07 大日本印刷株式会社 調光セル、調光部材、移動体、調光セルの製造方法

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