JPH0875834A - 磁気センサの製造方法 - Google Patents
磁気センサの製造方法Info
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- JPH0875834A JPH0875834A JP6235999A JP23599994A JPH0875834A JP H0875834 A JPH0875834 A JP H0875834A JP 6235999 A JP6235999 A JP 6235999A JP 23599994 A JP23599994 A JP 23599994A JP H0875834 A JPH0875834 A JP H0875834A
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- squid
- turns
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ＳＱＵＩＤと該ＳＱＵＩＤと共通の磁界に配置
されたインプットコイルを含む磁束トランスとを組み合
わせてなる磁気センサを製造する際に、種々の値のイン
ダクタンスを有する複数のＳＱＵＩＤに対して、該ＳＱ
ＵＩＤの各々の値に対して最適な巻き数のインプットコ
イルを備えた磁束トランスを使用した場合に得られる有
効磁束捕獲面積に対して所定の割合の性能が得られるよ
うなインプットコイルの特定の巻き数を選択し該複数の
ＳＱＵＩＤの何れに対しても該特定の巻き数のインプッ
トコイルを備えた磁束トランスを組み合わせる。
されたインプットコイルを含む磁束トランスとを組み合
わせてなる磁気センサを製造する際に、種々の値のイン
ダクタンスを有する複数のＳＱＵＩＤに対して、該ＳＱ
ＵＩＤの各々の値に対して最適な巻き数のインプットコ
イルを備えた磁束トランスを使用した場合に得られる有
効磁束捕獲面積に対して所定の割合の性能が得られるよ
うなインプットコイルの特定の巻き数を選択し該複数の
ＳＱＵＩＤの何れに対しても該特定の巻き数のインプッ
トコイルを備えた磁束トランスを組み合わせる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気センサの製造方法
に関する。より詳細には、本発明は、酸化物超電導薄膜
により形成されたＳＱＵＩＤと磁束トランスとを組み合
わせて構成される磁気センサを製造する際に、その仕様
を決定する新規な方法に関する。
に関する。より詳細には、本発明は、酸化物超電導薄膜
により形成されたＳＱＵＩＤと磁束トランスとを組み合
わせて構成される磁気センサを製造する際に、その仕様
を決定する新規な方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導材料の開発は超電導技術の
実用化に大きく寄与することが期待されている。即ち、
酸化物超電導材料はその超電導臨界温度が高く、単に高
い温度で超電導現象を利用できるだけではなく、臨界温
度よりも充分に低い温度まで容易に冷却できるので超電
導現象を安定させた状態で使用できる等、多くの利点が
知られている。
実用化に大きく寄与することが期待されている。即ち、
酸化物超電導材料はその超電導臨界温度が高く、単に高
い温度で超電導現象を利用できるだけではなく、臨界温
度よりも充分に低い温度まで容易に冷却できるので超電
導現象を安定させた状態で使用できる等、多くの利点が
知られている。
【０００３】一方、超電導現象を利用したデバイスとし
て最も基本的なもののひとつにＳＱＵＩＤがある。ＳＱ
ＵＩＤは、少なくともひとつの弱結合を含む環状の超電
導電流路により形成されており、自身の内部を通過する
磁束の変動により出力電圧が変化する。このようなＳＱ
ＵＩＤの特性を利用して極めて高感度な磁気センサが構
成できるので、酸化物超電導材料により形成されたＳＱ
ＵＩＤは多くの分野で実用化が期待されている。
て最も基本的なもののひとつにＳＱＵＩＤがある。ＳＱ
ＵＩＤは、少なくともひとつの弱結合を含む環状の超電
導電流路により形成されており、自身の内部を通過する
磁束の変動により出力電圧が変化する。このようなＳＱ
ＵＩＤの特性を利用して極めて高感度な磁気センサが構
成できるので、酸化物超電導材料により形成されたＳＱ
ＵＩＤは多くの分野で実用化が期待されている。
【０００４】図２は、ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサの
典型的な構成とその製造過程を示す図である。
典型的な構成とその製造過程を示す図である。
【０００５】図２(a) に示すように、磁気センサは、第
１基板11上に形成された弱結合１ａを含む超電導ループ
からなるＳＱＵＩＤ１と、第２基板12上に形成されたピ
ックアップコイル２ａおよびインプットコイル２ｂを含
む磁束トランス２とから構成されている。ここで、第２
基板12上の磁束トランス２では、ピックアップコイル２
ａの巻き数が１回であるのに対して、インプットコイル
２ｂは巻き数が多くなっている。このため、インプット
コイル２ｂの中心側をピックアップコイル２ａに接続す
る接続線路がインプットコイル２ｂ自身と短絡しないよ
うに、インプット２ａ上には部分的に絶縁膜３が形成さ
れている。
１基板11上に形成された弱結合１ａを含む超電導ループ
からなるＳＱＵＩＤ１と、第２基板12上に形成されたピ
ックアップコイル２ａおよびインプットコイル２ｂを含
む磁束トランス２とから構成されている。ここで、第２
基板12上の磁束トランス２では、ピックアップコイル２
ａの巻き数が１回であるのに対して、インプットコイル
２ｂは巻き数が多くなっている。このため、インプット
コイル２ｂの中心側をピックアップコイル２ａに接続す
る接続線路がインプットコイル２ｂ自身と短絡しないよ
うに、インプット２ａ上には部分的に絶縁膜３が形成さ
れている。
【０００６】これらの部材は、図２(b) に示すように、
第１基板11および第２基板12を貼り合わせることにより
磁気センサとして完成する。このとき、ＳＱＵＩＤ１の
中心と、インプットトコイル２ｂの中心とが一致するよ
うに両者は貼り合わされ、磁界の検出はピックアップコ
イル２ａ側で行われる。なお、ＳＱＵＩＤと磁束トラン
スとは、絶縁性接着剤あるいは適当なスペーサにより相
互に絶縁されている。このような構成により、磁気セン
サとしての入力感度を調節することができるほか、物理
的なレイアウトの選択の範囲が広くなる。
第１基板11および第２基板12を貼り合わせることにより
磁気センサとして完成する。このとき、ＳＱＵＩＤ１の
中心と、インプットトコイル２ｂの中心とが一致するよ
うに両者は貼り合わされ、磁界の検出はピックアップコ
イル２ａ側で行われる。なお、ＳＱＵＩＤと磁束トラン
スとは、絶縁性接着剤あるいは適当なスペーサにより相
互に絶縁されている。このような構成により、磁気セン
サとしての入力感度を調節することができるほか、物理
的なレイアウトの選択の範囲が広くなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような磁気セン
サを作製する場合、使用するＳＱＵＩＤの特性とそれに
組み合わせる磁束トランスの特性とは相互に関係があ
り、両者を組み合わせて得られる磁気センサの性能は、
各構成要素単独の特性もさることながら、両者のマッチ
ングにより強く影響される。このため、ＳＱＵＩＤを用
いた磁気センサを作製する場合は、ＳＱＵＩＤ単独の特
性、例えばインダクタンスに合わせて磁束トランスのイ
ンプットコイルの仕様を決定する必要がある。
サを作製する場合、使用するＳＱＵＩＤの特性とそれに
組み合わせる磁束トランスの特性とは相互に関係があ
り、両者を組み合わせて得られる磁気センサの性能は、
各構成要素単独の特性もさることながら、両者のマッチ
ングにより強く影響される。このため、ＳＱＵＩＤを用
いた磁気センサを作製する場合は、ＳＱＵＩＤ単独の特
性、例えばインダクタンスに合わせて磁束トランスのイ
ンプットコイルの仕様を決定する必要がある。
【０００８】しかしながら、同じ仕様で作製されたＳＱ
ＵＩＤでも、実際に完成した各製品の特性は必ずしも一
定ではない。また、用途によっては磁気センサをマルチ
チャンネルで使用するために各ＳＱＵＩＤのインダクタ
ンスを意図的に変える場合もある。このために、ＳＱＵ
ＩＤを用いた磁気センサを製造する場合は、対応するＳ
ＱＵＩＤのインダクタンスに合わせて磁束トランスのイ
ンプットコイルの巻き数を個別に決定しなければならず
設計段階でも製造段階でも極めて効率が悪いという問題
がある。
ＵＩＤでも、実際に完成した各製品の特性は必ずしも一
定ではない。また、用途によっては磁気センサをマルチ
チャンネルで使用するために各ＳＱＵＩＤのインダクタ
ンスを意図的に変える場合もある。このために、ＳＱＵ
ＩＤを用いた磁気センサを製造する場合は、対応するＳ
ＱＵＩＤのインダクタンスに合わせて磁束トランスのイ
ンプットコイルの巻き数を個別に決定しなければならず
設計段階でも製造段階でも極めて効率が悪いという問題
がある。
【０００９】そこで、本発明は、上記従来技術の問題点
を解決し、使用するＳＱＵＩＤに組み合わせる磁束トラ
ンスの仕様を容易且つ効率良く選択することができ、最
終的に磁気センサとしての高い性能を再現性良く発揮さ
せることができる新規な製造方法を提供することをその
目的としている。
を解決し、使用するＳＱＵＩＤに組み合わせる磁束トラ
ンスの仕様を容易且つ効率良く選択することができ、最
終的に磁気センサとしての高い性能を再現性良く発揮さ
せることができる新規な製造方法を提供することをその
目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明に従うと、
ＳＱＵＩＤと該ＳＱＵＩＤと共通の磁界に配置されたイ
ンプットコイルを含む磁束トランスとを組み合わせてな
る磁気センサを製造する際に、種々の値のインダクタン
スを有する複数のＳＱＵＩＤに対して、該ＳＱＵＩＤの
各々の値について最適な巻き数のインプットコイルを備
えた磁束トランスを使用した場合に得られる有効磁束捕
獲面積に対して所定の割合の性能が得られるようなイン
プットコイルの特定の巻き数を選択し、該複数のＳＱＵ
ＩＤの何れに対しても該特定の巻き数のインプットコイ
ルを備えた磁束トランスを組み合わせるように設計する
ことを特徴とする製造方法が提供される。
ＳＱＵＩＤと該ＳＱＵＩＤと共通の磁界に配置されたイ
ンプットコイルを含む磁束トランスとを組み合わせてな
る磁気センサを製造する際に、種々の値のインダクタン
スを有する複数のＳＱＵＩＤに対して、該ＳＱＵＩＤの
各々の値について最適な巻き数のインプットコイルを備
えた磁束トランスを使用した場合に得られる有効磁束捕
獲面積に対して所定の割合の性能が得られるようなイン
プットコイルの特定の巻き数を選択し、該複数のＳＱＵ
ＩＤの何れに対しても該特定の巻き数のインプットコイ
ルを備えた磁束トランスを組み合わせるように設計する
ことを特徴とする製造方法が提供される。
【００１１】
【作用】従来の磁気センサの製造方法では、使用するＳ
ＱＵＩＤ毎に、そのインダクタンスに応じてひとつずつ
最適値なインプットコイルの巻き数を算出して磁束トラ
ンスを作製しなければならなかった。これに対して、本
発明に係る方法では、特定のＳＱＵＩＤに対する最適値
ではなく、一定の範囲の値のインダクタンスを有するＳ
ＱＵＩＤに対して充分なマッチングがとれるようなイン
プットコイルの巻き数を決定して磁束トランスを作製す
る点に主要な特徴がある。
ＱＵＩＤ毎に、そのインダクタンスに応じてひとつずつ
最適値なインプットコイルの巻き数を算出して磁束トラ
ンスを作製しなければならなかった。これに対して、本
発明に係る方法では、特定のＳＱＵＩＤに対する最適値
ではなく、一定の範囲の値のインダクタンスを有するＳ
ＱＵＩＤに対して充分なマッチングがとれるようなイン
プットコイルの巻き数を決定して磁束トランスを作製す
る点に主要な特徴がある。
【００１２】以下、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
に説明するが、以下の開示は本発明の一実施例に過ぎ
ず、本発明の技術的範囲を何ら限定するものではない。
【００１３】
【実施例】ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサの性能を評価
するための代表的な評価項目として磁場分解能が挙げら
れる。磁場分解能は、使用したＳＱＵＩＤの磁束分解能
を有効磁束捕獲面積Ａeff で割ることにより得られ、Ｓ
ＱＵＩＤに磁束トランスを組み合わせることは有効磁束
捕獲面積Ａeff を大きくすることができることを意味し
ている。従って、例えば、一定の磁束分解能を有するＳ
ＱＵＩＤを使用して磁気センサを設計する場合、有効磁
束捕獲面積Ａeff が大きくなるように磁束トランスの仕
様を決定する必要がある。
するための代表的な評価項目として磁場分解能が挙げら
れる。磁場分解能は、使用したＳＱＵＩＤの磁束分解能
を有効磁束捕獲面積Ａeff で割ることにより得られ、Ｓ
ＱＵＩＤに磁束トランスを組み合わせることは有効磁束
捕獲面積Ａeff を大きくすることができることを意味し
ている。従って、例えば、一定の磁束分解能を有するＳ
ＱＵＩＤを使用して磁気センサを設計する場合、有効磁
束捕獲面積Ａeff が大きくなるように磁束トランスの仕
様を決定する必要がある。
【００１４】磁気センサにおける有効磁束捕獲面積Ａ
eff は、下記の〔式１〕により表すことができる。
eff は、下記の〔式１〕により表すことができる。
【００１５】
【式１】Ａeff ＝ＡS ＋Ａp 〔α（Ｌi ・ＬS ）1/2 〕
／（Ｌi ＋Ｌp ） 但し、上記〔式１〕において、Ａeff は磁気センサの有
効磁束捕獲面積、ＡSはＳＱＵＩＤ単体での有効磁束捕
獲面積、Ａp はピックアップコイルの磁場検出面積、Ｌ
i 、ＬS およびＬp は、インプットコイル、ＳＱＵＩＤ
およびピックアップコイルの各インダクタンスをそれぞ
れ示す。
／（Ｌi ＋Ｌp ） 但し、上記〔式１〕において、Ａeff は磁気センサの有
効磁束捕獲面積、ＡSはＳＱＵＩＤ単体での有効磁束捕
獲面積、Ａp はピックアップコイルの磁場検出面積、Ｌ
i 、ＬS およびＬp は、インプットコイル、ＳＱＵＩＤ
およびピックアップコイルの各インダクタンスをそれぞ
れ示す。
【００１６】ここで、〔式１〕において、ピックアップ
コイルの磁場検出面積Ａp に対して非常に小さいＳＱＵ
ＩＤ単体の有効磁束捕獲面積ＡS は無視し、インプット
コイルとＳＱＵＩＤとの結合係数αが理想的な状態（α
＝１）であると考え、更に、ある磁気センサにおいて、
ＳＱＵＩＤのインダクタンスＬS 、ＳＱＵＩＤ単体の磁
束捕獲面積ＡS 、ピックアップコイルのインダクタンス
Ｌp およびピックアップコイルの磁場検出面積Ａp が一
定であるとすると、インプットコイルとピックアップコ
イルの各インダクタンスが互いに等しいとき（Ｌi ＝Ｌ
p ）に有効磁束捕獲面積Ａeff が最大になる。今、イン
プットコイルの巻き数ｎに対してＬi ＝ｎ2 ＬS という
関係から、インプットコイルの最適な巻き数ｎは下記の
〔式２〕で表すことができる。
コイルの磁場検出面積Ａp に対して非常に小さいＳＱＵ
ＩＤ単体の有効磁束捕獲面積ＡS は無視し、インプット
コイルとＳＱＵＩＤとの結合係数αが理想的な状態（α
＝１）であると考え、更に、ある磁気センサにおいて、
ＳＱＵＩＤのインダクタンスＬS 、ＳＱＵＩＤ単体の磁
束捕獲面積ＡS 、ピックアップコイルのインダクタンス
Ｌp およびピックアップコイルの磁場検出面積Ａp が一
定であるとすると、インプットコイルとピックアップコ
イルの各インダクタンスが互いに等しいとき（Ｌi ＝Ｌ
p ）に有効磁束捕獲面積Ａeff が最大になる。今、イン
プットコイルの巻き数ｎに対してＬi ＝ｎ2 ＬS という
関係から、インプットコイルの最適な巻き数ｎは下記の
〔式２〕で表すことができる。
【００１７】
【式２】ｎ＝（Ｌp ／ＬS ）1/2
【００１８】そこで、従来の方法で磁気センサを設計す
る場合は、使用するＳＱＵＩＤのインダクタンスに応じ
て、最終的に得られる磁気センサの有効磁束捕獲面積Ａ
effが最も大きくなるようなインプットトランスの巻き
数ｎを決定していた。但し、この方法では、複数のＳＱ
ＵＩＤに対しては、それぞれのＳＱＵＩＤのインダクタ
ンスに合わせて最適のインプットコイルの巻き数を決定
する必要があった。
る場合は、使用するＳＱＵＩＤのインダクタンスに応じ
て、最終的に得られる磁気センサの有効磁束捕獲面積Ａ
effが最も大きくなるようなインプットトランスの巻き
数ｎを決定していた。但し、この方法では、複数のＳＱ
ＵＩＤに対しては、それぞれのＳＱＵＩＤのインダクタ
ンスに合わせて最適のインプットコイルの巻き数を決定
する必要があった。
【００１９】これに対して、本発明に係る製造方法によ
れば、特定のＳＱＵＩＤに対して最適なインプットコイ
ルの巻き数を選択するのではなく、ＳＱＵＩＤのインダ
クタンスについて一定の範囲を想定し、その範囲内で、
最適な巻き数のインプットコイルを有する磁束トランス
を使用した場合に対して一定の範囲以上の性能が常に得
られるような磁束トランスのインプットコイルの巻き数
を選択する。
れば、特定のＳＱＵＩＤに対して最適なインプットコイ
ルの巻き数を選択するのではなく、ＳＱＵＩＤのインダ
クタンスについて一定の範囲を想定し、その範囲内で、
最適な巻き数のインプットコイルを有する磁束トランス
を使用した場合に対して一定の範囲以上の性能が常に得
られるような磁束トランスのインプットコイルの巻き数
を選択する。
【００２０】即ち、例えば、前記した〔式１〕におい
て、Ａeff の最大値に対して85％以上の有効磁束捕獲面
積Ａeff を得るためには、下記の式〔式３〕を満足する
ようなｎを捜せばよい。
て、Ａeff の最大値に対して85％以上の有効磁束捕獲面
積Ａeff を得るためには、下記の式〔式３〕を満足する
ようなｎを捜せばよい。
【００２１】
【式３】Ａp 〔ｎＬS ／（ｎ2 ＬS ＋Ｌp ）〕≧0.85Ａ
p ／〔２（Ｌp ／ＬS ）1/2 〕
p ／〔２（Ｌp ／ＬS ）1/2 〕
【００２２】即ち、下記の〔式４〕を解けばよい。
【００２３】
【式４】ＬS ｎ2 −〔（１／0.85）｛２（Ｌp ／ＬS ）
1/2 ｝ＬS 〕ｎ＋Ｌp ≦０
1/2 ｝ＬS 〕ｎ＋Ｌp ≦０
【００２４】尚、Ｙ1Ba2Cu3Ｏ7-x なる組成を有する酸
化物超電導薄膜によりＳＱＵＩＤを作製する場合、イン
ダクタンスが20ｐＨよりも低いものを作製することは酸
化物超電導薄膜に対するパターニング技術の限界等から
難しい。一方、インダクタンスが 100ｐＨを越えると77
Ｋで動作させたときのＳＱＵＩＤの出力電圧ＶPPが低下
して結局は磁束分解能が低下してしまう。従って、実際
に使用できるＳＱＵＩＤのインダクタンスは20〜100 ｐ
Ｈの範囲内となる。
化物超電導薄膜によりＳＱＵＩＤを作製する場合、イン
ダクタンスが20ｐＨよりも低いものを作製することは酸
化物超電導薄膜に対するパターニング技術の限界等から
難しい。一方、インダクタンスが 100ｐＨを越えると77
Ｋで動作させたときのＳＱＵＩＤの出力電圧ＶPPが低下
して結局は磁束分解能が低下してしまう。従って、実際
に使用できるＳＱＵＩＤのインダクタンスは20〜100 ｐ
Ｈの範囲内となる。
【００２５】図１は、磁気センサにおける磁束トランス
のインプットコイルの巻き数と有効磁束捕獲面積Ａeff
との関係を、20、40、60、80および100 ｐＨのインダク
タンスを有するＳＱＵＩＤについて併せて示すグラフで
ある。尚、図１では、ピックアップコイルのインダクタ
ンスは23ｎＨ、ピックアップコイルの磁場検出面積は24
0mm2 としている。このグラフから有効磁束捕獲面積Ａ
eff が最適値の85％以上になる巻き数を読み取るか〔式
４〕を計算することにより下記の表１に示すような値が
得られる。
のインプットコイルの巻き数と有効磁束捕獲面積Ａeff
との関係を、20、40、60、80および100 ｐＨのインダク
タンスを有するＳＱＵＩＤについて併せて示すグラフで
ある。尚、図１では、ピックアップコイルのインダクタ
ンスは23ｎＨ、ピックアップコイルの磁場検出面積は24
0mm2 としている。このグラフから有効磁束捕獲面積Ａ
eff が最適値の85％以上になる巻き数を読み取るか〔式
４〕を計算することにより下記の表１に示すような値が
得られる。
【００２６】
【表１】
【００２７】即ち、上記表１から、インプットコイルの
巻き数を19〜27とすれば、20ｐＨから 100ｐＨのインダ
クタンスを有するＳＱＵＩＤに対して、最適値の85％以
上の有効磁束捕獲面積が得られるということが判る。そ
こで、本実施例では、インプットコイルの巻き数として
20回を選択し、 240mm2 の磁場検出面積Ａp と23ｎＨの
インダクタンスＬp とを有するピックアップコイルと組
み合わせた磁束トランスを設計して、前記した種々のイ
ンダクタンスを有するＳＱＵＩＤに組み合わせて磁気セ
ンサを構成した。それぞれの組合せにより得られる磁気
センサの有効磁束捕獲面積Ａeff の計算値を、各ＳＱＵ
ＩＤに対する最適値で設計した磁束トランスを使用した
磁気センサの有効磁束捕獲面積Ａeff の計算値と比較し
て表２に示す。
巻き数を19〜27とすれば、20ｐＨから 100ｐＨのインダ
クタンスを有するＳＱＵＩＤに対して、最適値の85％以
上の有効磁束捕獲面積が得られるということが判る。そ
こで、本実施例では、インプットコイルの巻き数として
20回を選択し、 240mm2 の磁場検出面積Ａp と23ｎＨの
インダクタンスＬp とを有するピックアップコイルと組
み合わせた磁束トランスを設計して、前記した種々のイ
ンダクタンスを有するＳＱＵＩＤに組み合わせて磁気セ
ンサを構成した。それぞれの組合せにより得られる磁気
センサの有効磁束捕獲面積Ａeff の計算値を、各ＳＱＵ
ＩＤに対する最適値で設計した磁束トランスを使用した
磁気センサの有効磁束捕獲面積Ａeff の計算値と比較し
て表２に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】表２に示す結果から明らかなように、巻き
数を20としたインプットコイルを備えた磁束トランス
は、20〜100 ｐＨのインダクタンスを有するＳＱＵＩＤ
に対しても最適値で設定した磁束トランスを使用した場
合に比較して87％以上の有効磁束捕獲面積Ａeff が実現
される。このように、本発明によれば、単一の仕様の磁
束トランスを用いているにもかかわらず大きな有効磁束
捕獲面積を有する複数の磁気センサが得られる。
数を20としたインプットコイルを備えた磁束トランス
は、20〜100 ｐＨのインダクタンスを有するＳＱＵＩＤ
に対しても最適値で設定した磁束トランスを使用した場
合に比較して87％以上の有効磁束捕獲面積Ａeff が実現
される。このように、本発明によれば、単一の仕様の磁
束トランスを用いているにもかかわらず大きな有効磁束
捕獲面積を有する複数の磁気センサが得られる。
【００３０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る磁気センサの製造方法によれば、単一の仕様の磁束ト
ランスを使用しながら、様々なインダクタンス値を有す
るＳＱＵＩＤを用いて特性の良好な磁気センサを製造す
ることが可能になる。
る磁気センサの製造方法によれば、単一の仕様の磁束ト
ランスを使用しながら、様々なインダクタンス値を有す
るＳＱＵＩＤを用いて特性の良好な磁気センサを製造す
ることが可能になる。
【００３１】また、マルチチャンネルシステムにおいて
ＳＱＵＩＤのインダクタンスを変えてある場合でも、一
定の仕様の磁束トランスで対応できる。
ＳＱＵＩＤのインダクタンスを変えてある場合でも、一
定の仕様の磁束トランスで対応できる。
【図１】磁気センサにおける磁束トランスのインプット
コイルの巻き数ｎと、磁気センサの有効磁束捕獲面積Ａ
eff との関係を、種々のインダクタンスを有するＳＱＵ
ＩＤについて計算した結果を示すグラフである。
コイルの巻き数ｎと、磁気センサの有効磁束捕獲面積Ａ
eff との関係を、種々のインダクタンスを有するＳＱＵ
ＩＤについて計算した結果を示すグラフである。
【図２】ＳＱＵＩＤを用いた磁気センサの一般的な構成
とその製造過程とを示す図である。
とその製造過程とを示す図である。
１・・・ＳＱＵＩＤ、 １ａ・・弱結合、 ２・・・磁束トランス、 ２ａ・・ピックアップコイル、 ２ｂ・・インプットコイル、 ３・・・絶縁膜、 11・・・第１基板、 12・・・第２基板
Claims (3)
- 【請求項１】ＳＱＵＩＤと該ＳＱＵＩＤと共通の磁界に
配置されたインプットコイルを含む磁束トランスとを組
み合わせてなる磁気センサを製造する際に、 種々の値のインダクタンスを有する複数のＳＱＵＩＤに
対して、該ＳＱＵＩＤの各々の値について最適な巻き数
のインプットコイルを備えた磁束トランスを使用した場
合に得られる有効磁束捕獲面積に対して所定の割合の性
能が得られるようなインプットコイルの巻き数を選択
し、 該複数のＳＱＵＩＤの何れに対しても上記選択した巻き
数のインプットコイルを備えた磁束トランスを組み合わ
せることを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載された製造方法において、
前記ＳＱＵＩＤおよび前記磁気トランスが、Ｙ1Ba2Cu3
Ｏ7-x なる組成の複合酸化物超電導薄膜により形成され
ていることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３】請求項２に記載された製造方法において、
20〜100 ｐＨの範囲のインダクタンスを有する複数のＳ
ＱＵＩＤに対して、各ＳＱＵＩＤに対応した最適仕様の
磁束トランスを使用した場合の有効磁束捕獲面積の85％
以上が常に得られるような磁束トランスの巻き数を選択
することを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP23599994A JP3351122B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 磁気センサの製造方法 |
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| JP23599994A JP3351122B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 磁気センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0875834A true JPH0875834A (ja) | 1996-03-22 |
| JP3351122B2 JP3351122B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=16994307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP23599994A Expired - Fee Related JP3351122B2 (ja) | 1994-09-05 | 1994-09-05 | 磁気センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3351122B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111025203A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-17 | 中国船舶重工集团有限公司第七一0研究所 | 一种squid器件感应线圈 |
| WO2022102155A1 (ja) * | 2020-11-10 | 2022-05-19 | スミダコーポレーション株式会社 | フラックストランスフォーマー設計支援方法、フラックストランスフォーマー設計支援装置、フラックストランスフォーマー設計支援プログラム、およびセンサーモジュール |
| WO2022244399A1 (ja) | 2021-05-18 | 2022-11-24 | スミダコーポレーション株式会社 | 磁場測定装置および磁場測定方法 |
| WO2023013234A1 (ja) | 2021-08-03 | 2023-02-09 | スミダコーポレーション株式会社 | 磁場測定装置および磁場測定方法 |
-
1994
- 1994-09-05 JP JP23599994A patent/JP3351122B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111025203A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-04-17 | 中国船舶重工集团有限公司第七一0研究所 | 一种squid器件感应线圈 |
| WO2022102155A1 (ja) * | 2020-11-10 | 2022-05-19 | スミダコーポレーション株式会社 | フラックストランスフォーマー設計支援方法、フラックストランスフォーマー設計支援装置、フラックストランスフォーマー設計支援プログラム、およびセンサーモジュール |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3351122B2 (ja) | 2002-11-25 |
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