JPH08725B2 - ビスマス系超電導体の製造法 - Google Patents
ビスマス系超電導体の製造法Info
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- JPH08725B2 JPH08725B2 JP1342458A JP34245889A JPH08725B2 JP H08725 B2 JPH08725 B2 JP H08725B2 JP 1342458 A JP1342458 A JP 1342458A JP 34245889 A JP34245889 A JP 34245889A JP H08725 B2 JPH08725 B2 JP H08725B2
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- JP
- Japan
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- superconducting
- based superconductor
- cooled
- bismuth
- superconductor
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ビスマス系超電導体の製造法に関し、更に
詳しくは焼成・徐冷・結晶化し冷却する第一工程と不活
性ガス雰囲気下で熱処理する第二工程とからなるビスマ
ス系超電導体の製造法に関する。
詳しくは焼成・徐冷・結晶化し冷却する第一工程と不活
性ガス雰囲気下で熱処理する第二工程とからなるビスマ
ス系超電導体の製造法に関する。
近年、超電導特性を有する超電導材料で作製された超
電導磁石を用いて、核磁気共鳴（NMR）分析装置、核磁
気共鳴コンピュータ断層診断装置（MRI:Magnetic Reson
ance Imaging）、磁気浮上列車等が開発されつつあり、
また、核融合炉等の新エネルギー開発、MHD発電等の新
エネルギー変換技術にも超電導磁石の強磁界の適用が検
討されている。
電導磁石を用いて、核磁気共鳴（NMR）分析装置、核磁
気共鳴コンピュータ断層診断装置（MRI:Magnetic Reson
ance Imaging）、磁気浮上列車等が開発されつつあり、
また、核融合炉等の新エネルギー開発、MHD発電等の新
エネルギー変換技術にも超電導磁石の強磁界の適用が検
討されている。
このような超電導材料として、各種の酸化物超電導体
が研究開発されている。これら酸化物超電導体の中で
も、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系のビスマス系（以下、Bi系と
する。）超電導セラミックスは、臨界温度（Tc）が高
く、特に注目を集めている。
が研究開発されている。これら酸化物超電導体の中で
も、Bi−Sr−Ca−Cu−Ｏ系のビスマス系（以下、Bi系と
する。）超電導セラミックスは、臨界温度（Tc）が高
く、特に注目を集めている。
Bi系超電導体の製造において、高い臨界電流密度（J
c）を得るためには、焼成時に部分溶融して、その後結
晶化させる必要があるが、この結晶化においても高Tc相
と低Tc相とが同時に析出したり、超電導相以外の異相が
生じる等の問題がある。
c）を得るためには、焼成時に部分溶融して、その後結
晶化させる必要があるが、この結晶化においても高Tc相
と低Tc相とが同時に析出したり、超電導相以外の異相が
生じる等の問題がある。
そのため部分溶融状態での制御や結晶化ための熱処理
について、従来から種々の提案がなされている。例え
ば、特開平１−203257号公報では、Bi系超電導体を製造
する方法として、750〜880℃で熱処理焼結した後、その
焼結体を500〜700℃まで徐冷し、または500〜740℃に保
持し、その後急冷することが提案されている。
について、従来から種々の提案がなされている。例え
ば、特開平１−203257号公報では、Bi系超電導体を製造
する方法として、750〜880℃で熱処理焼結した後、その
焼結体を500〜700℃まで徐冷し、または500〜740℃に保
持し、その後急冷することが提案されている。
しかしながら、上記提案のBi系超電導体製造において
は、500〜740℃から急冷することになり、クラックや割
れが生じ易く、特に大型品ではそのクラック等の発生が
顕著となり良好な超電導特性を有する大型製品を得るこ
とは困難であり、また、急冷のための装置が必要となり
工業的には経済性が問題となる。
は、500〜740℃から急冷することになり、クラックや割
れが生じ易く、特に大型品ではそのクラック等の発生が
顕著となり良好な超電導特性を有する大型製品を得るこ
とは困難であり、また、急冷のための装置が必要となり
工業的には経済性が問題となる。
更にまた、従来の他の提案においても、高Jcを示し十
分な超電導特性を有するBi系超電導体を得るには至って
いない。
分な超電導特性を有するBi系超電導体を得るには至って
いない。
本発明は、高Jcを示し、製品の大小を問わず良好な超
電導特性を有するBi系超電導体を提供することを目的と
して、Bi系超電導体の前駆体であるビスマス（Bi）及び
銅（Cu）を含んでなる超電導酸化物から焼成・結晶化等
の工程について種々検討した結果、Bi系超電導焼成体を
得て、次いで高Jcを付与するための熱処理を行うBi及び
Cuを含んでなる超電導酸化物を２工程で処理することに
よりクラック等の欠陥の無いBi系超電導体を安定的に製
造することができることを見出し、本発明を完成した。
電導特性を有するBi系超電導体を提供することを目的と
して、Bi系超電導体の前駆体であるビスマス（Bi）及び
銅（Cu）を含んでなる超電導酸化物から焼成・結晶化等
の工程について種々検討した結果、Bi系超電導焼成体を
得て、次いで高Jcを付与するための熱処理を行うBi及び
Cuを含んでなる超電導酸化物を２工程で処理することに
よりクラック等の欠陥の無いBi系超電導体を安定的に製
造することができることを見出し、本発明を完成した。
本発明によれば、ビスマス系超電導体の製造法におい
て、ビスマス及び銅を含んでなる超電導酸化物を、酸素
雰囲気下で焼成後結晶化温度まで徐冷し、さらに結晶化
後200℃以下まで冷却する第一工程と、前記第一工程の
冷却焼成体を不活性ガス雰囲気下で熱処理する第二工程
で処理してなることを特徴とするビスマス系超電導体の
製造法が提供される。
て、ビスマス及び銅を含んでなる超電導酸化物を、酸素
雰囲気下で焼成後結晶化温度まで徐冷し、さらに結晶化
後200℃以下まで冷却する第一工程と、前記第一工程の
冷却焼成体を不活性ガス雰囲気下で熱処理する第二工程
で処理してなることを特徴とするビスマス系超電導体の
製造法が提供される。
以下、本発明について更に詳しく説明する。
本発明のBi系超電導体は、ビスマス（Bi）及び銅（C
u）を含んでなる超電導酸化物を焼成して得られるBi2Sr
2CaCu2Oy、BiSrCaCu2Oy等の組成のものが代表的である
が、組成・結晶化する工程により超電導特性を発現する
組成のものであればいずれでもよい。例えば、鉛（P
b）、アンチモン（Sb）等を添加した組成のもの、定比
組成からずれた非定比組成のものまたはBi系超電導体組
成の主要元素を他の元素で一部または全部置換した組成
のもの等にいずれの組成のものでもよい。
u）を含んでなる超電導酸化物を焼成して得られるBi2Sr
2CaCu2Oy、BiSrCaCu2Oy等の組成のものが代表的である
が、組成・結晶化する工程により超電導特性を発現する
組成のものであればいずれでもよい。例えば、鉛（P
b）、アンチモン（Sb）等を添加した組成のもの、定比
組成からずれた非定比組成のものまたはBi系超電導体組
成の主要元素を他の元素で一部または全部置換した組成
のもの等にいずれの組成のものでもよい。
上記Bi系超電導体の原料は、特に制限されるものでな
く、通常のBi系超電導体原料として知られている酸化
物、例えば、Bi及びCuを含んでなる超電導酸化物とな
り、焼成等により超電導特性が発現するように、Bi
2O3、SrCO3、CaCO3、CuO等を所定量混合配合された化合
物粉末、あるいは、その仮焼粉末、またはその融点以上
で溶融・急冷して非晶化したガラス状粉末等の１種また
は２種以上のものを用いることができる。
く、通常のBi系超電導体原料として知られている酸化
物、例えば、Bi及びCuを含んでなる超電導酸化物とな
り、焼成等により超電導特性が発現するように、Bi
2O3、SrCO3、CaCO3、CuO等を所定量混合配合された化合
物粉末、あるいは、その仮焼粉末、またはその融点以上
で溶融・急冷して非晶化したガラス状粉末等の１種また
は２種以上のものを用いることができる。
本発明の第一工程は、上記の超電導酸化物を酸化雰囲
気下、880〜920℃で１分間以上、好ましくは15分〜２時
間焼成し、その後、徐冷して750〜870℃をして結晶化
し、結晶化後更に冷却して200℃以下とする。
気下、880〜920℃で１分間以上、好ましくは15分〜２時
間焼成し、その後、徐冷して750〜870℃をして結晶化
し、結晶化後更に冷却して200℃以下とする。
第一工程の酸化雰囲気下における焼成温度が880〜920
℃の範囲以外であると、上記Bi2Sr2CaCu2Oy等のBi系超
電導結晶の単相を得ることが困難となり、高JcのBi系超
電導体を得ることができない。
℃の範囲以外であると、上記Bi2Sr2CaCu2Oy等のBi系超
電導結晶の単相を得ることが困難となり、高JcのBi系超
電導体を得ることができない。
焼成後の徐冷においては、冷却速度２℃／分以下、好
ましくは１℃／分以下で焼成体を750〜870℃まで温度降
下させるのが好ましい。冷却速度が、２℃／分を超える
と超電導結晶相が単相でなくなり異相が生じたり、結晶
粒子の成長も十分行なわれず、高Jcが得られない。この
場合、通常は、焼成後そのまま焼成炉内に徐冷する。
ましくは１℃／分以下で焼成体を750〜870℃まで温度降
下させるのが好ましい。冷却速度が、２℃／分を超える
と超電導結晶相が単相でなくなり異相が生じたり、結晶
粒子の成長も十分行なわれず、高Jcが得られない。この
場合、通常は、焼成後そのまま焼成炉内に徐冷する。
本発明の第一工程において、焼成体を、徐冷して結晶
化後更に200℃以下まで冷却する。この場合の冷却速度
は５℃／分以下で行うのが好ましく、上記徐冷と同様に
冷却は、そのまま焼成炉内で行うことができる。この冷
却速度が５℃／分を超えると焼成体にクラック等の欠陥
が生じるおそれがあり、好ましくない。冷却して200℃
以下にするのは、熱衝撃によるクラック等の欠陥を防止
するためである。
化後更に200℃以下まで冷却する。この場合の冷却速度
は５℃／分以下で行うのが好ましく、上記徐冷と同様に
冷却は、そのまま焼成炉内で行うことができる。この冷
却速度が５℃／分を超えると焼成体にクラック等の欠陥
が生じるおそれがあり、好ましくない。冷却して200℃
以下にするのは、熱衝撃によるクラック等の欠陥を防止
するためである。
また、冷却は焼成温度から上記結晶化温度まで徐冷し
た後、直ちに上記のように冷却してもよいし、徐冷して
降下させ上記結晶化温度において、即ち750〜870℃で、
一定時間例えば１〜50時間保持した後に冷却を開始して
もよい。上記結晶化温度にて一定時間保持することは、
超電導相の結晶粒子をより成長させることができ、好ま
しい。
た後、直ちに上記のように冷却してもよいし、徐冷して
降下させ上記結晶化温度において、即ち750〜870℃で、
一定時間例えば１〜50時間保持した後に冷却を開始して
もよい。上記結晶化温度にて一定時間保持することは、
超電導相の結晶粒子をより成長させることができ、好ま
しい。
上記のようにして本発明の第一工程において得られた
冷却焼成体は、クラック等の欠陥を生じることなく外観
的には良好であるが、そのままではJcが高くなく超電導
特性が良好でない。
冷却焼成体は、クラック等の欠陥を生じることなく外観
的には良好であるが、そのままではJcが高くなく超電導
特性が良好でない。
本発明は、上記第一工程で得られた冷却焼成体を、第
二工程において更に不活性ガス雰囲気下で熱処理する。
二工程において更に不活性ガス雰囲気下で熱処理する。
本発明は、第二工程の熱処理を行うことによりJcが比
較的低い第一工程の冷却焼成体であるBi系超電導体を高
JcのBi系超電導体に変換することができる。高JcのBi系
超電導体に変換することができる理由は明らかでない
が、第一工程における焼成に引く続く酸素雰囲気下での
徐冷及び200℃以下までの冷却過程は、Bi系超電導体組
成の酸素含有量を増加させ、超電導特性を劣化させるこ
とになるが、第二工程の不活性ガス雰囲気下での熱処理
により、酸素元素が過剰に含まれるBi系超電導体組成か
ら過剰の酸素が離脱・除去され、超電導特性の優れたBi
系超電導体組成に変換されるものと推定される。
較的低い第一工程の冷却焼成体であるBi系超電導体を高
JcのBi系超電導体に変換することができる。高JcのBi系
超電導体に変換することができる理由は明らかでない
が、第一工程における焼成に引く続く酸素雰囲気下での
徐冷及び200℃以下までの冷却過程は、Bi系超電導体組
成の酸素含有量を増加させ、超電導特性を劣化させるこ
とになるが、第二工程の不活性ガス雰囲気下での熱処理
により、酸素元素が過剰に含まれるBi系超電導体組成か
ら過剰の酸素が離脱・除去され、超電導特性の優れたBi
系超電導体組成に変換されるものと推定される。
本発明の第二工程の熱処理における不活性ガス雰囲気
は、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の希ガス雰
囲気などが利用でき、これらのうち窒素雰囲気が工業的
に有用であるが、酸素分圧が0.01気圧以下の雰囲気下で
あれば、特に限定されるものでない。
は、例えば、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気等の希ガス雰
囲気などが利用でき、これらのうち窒素雰囲気が工業的
に有用であるが、酸素分圧が0.01気圧以下の雰囲気下で
あれば、特に限定されるものでない。
本発明の第二工程の熱処理は、好ましくは300〜600℃
の範囲の温度で行うのがよい。熱処理温度が300℃より
低いと第一工程で得られた冷却焼成体に含まれる過剰の
酸素の離脱・除去が十分に達成できず、また600℃より
高温になると含有酸素の離脱速度が速く、Bi系超電導体
組成の適切な酸素含有量に制御することができなくな
り、更に超電導特性の劣化が生じ好ましくない。
の範囲の温度で行うのがよい。熱処理温度が300℃より
低いと第一工程で得られた冷却焼成体に含まれる過剰の
酸素の離脱・除去が十分に達成できず、また600℃より
高温になると含有酸素の離脱速度が速く、Bi系超電導体
組成の適切な酸素含有量に制御することができなくな
り、更に超電導特性の劣化が生じ好ましくない。
また、第二工程の熱処理時間は、熱処理温度及び第一
工程で得られる冷却焼成体の組成等により、超電導特性
が優れ適切な成分組成を有するBi系超電導体になるよう
に適宜選択することができる。通常は、300℃で５〜20
時間、600℃で１〜５時間である。
工程で得られる冷却焼成体の組成等により、超電導特性
が優れ適切な成分組成を有するBi系超電導体になるよう
に適宜選択することができる。通常は、300℃で５〜20
時間、600℃で１〜５時間である。
更に、本発明において、Bi系超電導体を成形体として
得る場合、成形方法としてプレス成形法、スラリー塗布
法、ドクターブレード法等公知の何れの方法を用いても
よく、上記出発原料に応じて適宜選択すればよい。第一
工程での焼成時において、上記のBi系超電導体の超電導
酸化物または成形体を基板上に載置するか、スプレー塗
布法等では所望形状の基板に直接塗布し、その後第一工
程で焼成するのが一般的である。例えば、焼成時の金属
基板としては銀基板を用いるのが好ましく、銀基板とは
銀の単体で構成されたもの、またステンレス等の他の金
属板やセラミックス板上に約１μｍ〜1mmの銀薄膜を形
成したもの等銀成分上にBi系超電導体の出発原料または
成形体を載置して部分溶融できれば、特に制限されるも
のでない。
得る場合、成形方法としてプレス成形法、スラリー塗布
法、ドクターブレード法等公知の何れの方法を用いても
よく、上記出発原料に応じて適宜選択すればよい。第一
工程での焼成時において、上記のBi系超電導体の超電導
酸化物または成形体を基板上に載置するか、スプレー塗
布法等では所望形状の基板に直接塗布し、その後第一工
程で焼成するのが一般的である。例えば、焼成時の金属
基板としては銀基板を用いるのが好ましく、銀基板とは
銀の単体で構成されたもの、またステンレス等の他の金
属板やセラミックス板上に約１μｍ〜1mmの銀薄膜を形
成したもの等銀成分上にBi系超電導体の出発原料または
成形体を載置して部分溶融できれば、特に制限されるも
のでない。
本発明においては、第一工程及び第二工程は、同一の
炉、例えば電気炉等で処理してもよいし、異なる炉を用
いて処理することもできる。異なる炉を用いる場合は、
各工程における雰囲気の制御が容易であり、製品の生産
効率も高くなり、工業的に有用である。
炉、例えば電気炉等で処理してもよいし、異なる炉を用
いて処理することもできる。異なる炉を用いる場合は、
各工程における雰囲気の制御が容易であり、製品の生産
効率も高くなり、工業的に有用である。
以下に、本発明の実施例について詳しく説明する。但
し、本発明は、本実施例に限定されるものでない。
し、本発明は、本実施例に限定されるものでない。
実施例１〜９ 原料Bi2O3、SrCO3、CaCO3、CuOをBi:Sr:Ca:Cu＝2:2:
1:2（モル比）となるように調合し、蒸留水を添加しボ
ールミルで16時間粉砕混合した。得られた混合物の水分
を蒸発させ、更に粒径100μｍ程度に造粒した混合粉末
を、大気中800℃で10時間仮焼した。その後、仮焼物を
トルエンを溶媒として、ボールミルで粒径10μｍ以下に
粉砕して、超電導酸化物粉砕粉末を得た。
1:2（モル比）となるように調合し、蒸留水を添加しボ
ールミルで16時間粉砕混合した。得られた混合物の水分
を蒸発させ、更に粒径100μｍ程度に造粒した混合粉末
を、大気中800℃で10時間仮焼した。その後、仮焼物を
トルエンを溶媒として、ボールミルで粒径10μｍ以下に
粉砕して、超電導酸化物粉砕粉末を得た。
次いで、得られた超電導酸化物粉砕粉末を金型プレス
成型で厚さ2mm、20×30（mm）の直方体の超電導酸化物
の成形体を作製した。
成型で厚さ2mm、20×30（mm）の直方体の超電導酸化物
の成形体を作製した。
得られ成形体を電気炉中で酸素雰囲気下910℃で10分
間焼成し、その後、炉中で冷却速度0.5℃／分で800℃ま
で徐冷し、引き続き800℃で10時間保持した。その後、
３℃／分で200℃まで冷却した。
間焼成し、その後、炉中で冷却速度0.5℃／分で800℃ま
で徐冷し、引き続き800℃で10時間保持した。その後、
３℃／分で200℃まで冷却した。
冷却した焼成体を、電気炉から取り出し、外観を観察
したが、割れ、クラックは生じていなかった。
したが、割れ、クラックは生じていなかった。
次に、上記で得た冷却焼成体を、第１表に示した不活
性ガス雰囲気、温度及び時間で熱処理して、Bi系超電導
体を得た。得られたBi系超電導体から厚さ1mm、２×20
（mm）の試験片を切り出し、臨界温度（Tc）及び液体窒
素温度における臨界電流密度（Jc）を測定した。測定結
果を第１表に示す。
性ガス雰囲気、温度及び時間で熱処理して、Bi系超電導
体を得た。得られたBi系超電導体から厚さ1mm、２×20
（mm）の試験片を切り出し、臨界温度（Tc）及び液体窒
素温度における臨界電流密度（Jc）を測定した。測定結
果を第１表に示す。
比較例１〜５ 実施例１〜９と同様にして得た冷却焼成体、その冷却
焼成体を第１表に示したようにそれぞれ大気中で、及び
不活性ガスの窒素中で高温及び低温で熱処理して、Bi系
超電導体を得た。
焼成体を第１表に示したようにそれぞれ大気中で、及び
不活性ガスの窒素中で高温及び低温で熱処理して、Bi系
超電導体を得た。
その結果を第１表に示した。
上記実施例及び比較例から、Tcについては本発明と比
較例とは差は余りないが、Jcに関しては格段に良好な超
電導特性を示すことが分かる。
較例とは差は余りないが、Jcに関しては格段に良好な超
電導特性を示すことが分かる。
実施例10 実施例１と同様にして、超電導酸化物粉砕粉末を得
て、その粉砕粉末を用いてシート成形法により、厚さ1m
m、300×300（mm）のプレート状成形体を作製した。
て、その粉砕粉末を用いてシート成形法により、厚さ1m
m、300×300（mm）のプレート状成形体を作製した。
次いで、上記プレート状成形体を電気炉中で酸素雰囲
気下900℃で30分間焼成し、その後、炉中で冷却速度1.0
℃／分で800℃まで徐冷し、引き続き800℃で10時間保持
した。その後、２℃／分で室温まで冷却した。
気下900℃で30分間焼成し、その後、炉中で冷却速度1.0
℃／分で800℃まで徐冷し、引き続き800℃で10時間保持
した。その後、２℃／分で室温まで冷却した。
冷却した焼成体を、電気炉から取り出し、外観を観察
したが、割れ、クラックは生じていなかった。
したが、割れ、クラックは生じていなかった。
次に、上記で得た冷却焼成体を、窒素ガス雰囲気、50
0℃で６時間熱処理して、プレート状Bi系超電導体を得
た。ここで得られたプレート状Bi系超電導体もクラック
等の欠陥は観察されなかった。
0℃で６時間熱処理して、プレート状Bi系超電導体を得
た。ここで得られたプレート状Bi系超電導体もクラック
等の欠陥は観察されなかった。
得られたプレート状Bi系超電導体から厚さ0.7mm、２
×20（mm）の試験片を切り出し、Tc及び液体窒素温度に
おけるJcを測定した。測定結果は、Tcが87Kで、Jcは960
A/cm2で良好な超電導特性を示した。
×20（mm）の試験片を切り出し、Tc及び液体窒素温度に
おけるJcを測定した。測定結果は、Tcが87Kで、Jcは960
A/cm2で良好な超電導特性を示した。
比較例６ 実施例10と同様のプレート状成形体を電気炉中で酸素
雰囲気下900℃で30分間焼成し、その後、炉中で冷却速
度1.0℃／分で800℃まで徐冷し、引き続き800℃で10時
間保持した。その後、直ちに炉外に取り出し急冷したと
ころ、大きく３つに割れを生じた。
雰囲気下900℃で30分間焼成し、その後、炉中で冷却速
度1.0℃／分で800℃まで徐冷し、引き続き800℃で10時
間保持した。その後、直ちに炉外に取り出し急冷したと
ころ、大きく３つに割れを生じた。
本発明は、Bi系超電導体の製造において、Bi系超電導
酸化物を酸素雰囲気下で焼成・徐冷・結晶化して冷却す
る第一工程と、不活性ガス雰囲気下で熱処理する第二工
程とから構成されるため、Bi系超電導成形体の大小に拘
らず、割れ、クラック等の欠陥を生ずることがなく、し
かも第二工程において優れた超電導特性を有するBi系超
電導体組成への変換制御を的確に行うことができ、特に
従来法では極めて困難とされた超電導磁気シールド体等
の大型のBi系超電導体を得ることができ、工業的に有用
である。
酸化物を酸素雰囲気下で焼成・徐冷・結晶化して冷却す
る第一工程と、不活性ガス雰囲気下で熱処理する第二工
程とから構成されるため、Bi系超電導成形体の大小に拘
らず、割れ、クラック等の欠陥を生ずることがなく、し
かも第二工程において優れた超電導特性を有するBi系超
電導体組成への変換制御を的確に行うことができ、特に
従来法では極めて困難とされた超電導磁気シールド体等
の大型のBi系超電導体を得ることができ、工業的に有用
である。
Claims (2)
- 【請求項１】ビスマス系超電導体の製造法において、ビ
スマス及び銅を含んでなる超電導化物を、酸素雰囲気下
で焼成後結晶化温度まで徐冷し、さらに結晶化後200℃
以下まで冷却する第一工程と、前記第一工程の冷却焼成
体を不活性ガス雰囲気下で熱処理する第二工程で処理し
てなることを特徴とするビスマス系超電導体の製造法。 - 【請求項２】前記第二工程における熱処理を300〜600℃
で行う請求項（１）記載のビスマス系超電導体の製造
法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1342458A JPH08725B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ビスマス系超電導体の製造法 |
| EP90303255A EP0390499B2 (en) | 1989-03-30 | 1990-03-27 | Process for producing bismuth-based superconducting material |
| DE69024244A DE69024244D1 (de) | 1989-03-30 | 1990-03-27 | Verfahren zur Herstellung von supraleitendem Material auf Bismuth-Basis |
| DE69024244T DE69024244T4 (de) | 1989-03-30 | 1990-03-27 | Verfahren zur Herstellung von supraleitendem Material auf Bismuth-Basis |
| US07/501,723 US5089468A (en) | 1989-03-30 | 1990-03-28 | Process for producing bismuth-based superconducting oxide |
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|---|---|---|---|
| JP1342458A JPH08725B2 (ja) | 1989-12-28 | 1989-12-28 | ビスマス系超電導体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03199159A JPH03199159A (ja) | 1991-08-30 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1342458A Expired - Lifetime JPH08725B2 (ja) | 1989-03-30 | 1989-12-28 | ビスマス系超電導体の製造法 |
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| JP (1) | JPH08725B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1989
- 1989-12-28 JP JP1342458A patent/JPH08725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03199159A (ja) | 1991-08-30 |
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