JPH0864497A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH0864497A
JPH0864497A JP6198351A JP19835194A JPH0864497A JP H0864497 A JPH0864497 A JP H0864497A JP 6198351 A JP6198351 A JP 6198351A JP 19835194 A JP19835194 A JP 19835194A JP H0864497 A JPH0864497 A JP H0864497A
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photomask
light
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image
light beam
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JP6198351A
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Koichi Matsumoto
宏一 松本
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 一枚だけのマスクを用い、照明光の可干渉性
を利用して、且つ光軸に対して傾斜した光束分割面を使
用することなく、結像特性を向上させる。 【構成】 フォトマスク22の上下に、共に光軸AXの
回りに回転対称な面を持つ光束分割手段となる第1ハー
フミラー21及び第2ハーフミラー24を配置し、フォ
トマスク22のパターン像を光学系43、第2ハーフミ
ラー24、光学系43、光学系42、第1ハーフミラー
21、及び光学系42よりなる第1結像光学系を介し
て、再びフォトマスク22上に結像させ、その結像光を
照明光として、そのパターンの像を、光学系43、第2
ハーフミラー24、及び光学系44よりなる第2結像光
学系を介して感光基板23上に結像させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子、液
晶表示素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で
製造する際に、フォトマスク上のパターンを感光基板上
に投影露光するために使用される投影露光装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えばLSI等の半導体素子、液晶表示
素子又は薄膜磁気ヘッド等をリソグラフィ工程で製造す
る際に、フォトマスク又はレチクル(以下、「フォトマ
スク」と総称する)のパターンをフォトレジストを塗布
したウエハ等の感光基板上に投影露光する投影露光装置
が使用されている。
【0003】従来の投影露光装置では、フォトマスクは
照明光学系の光軸に対してほぼ垂直に水平に保持され、
照明光学系から射出された所定波長の露光光によって透
過照明される。従来から汎用されているフォトマスク
は、透明基板上にクロム等の金属からなる遮光パターン
を形成した構造であり、透過照明されることによって、
パターン形状に応じた回折光が発生する。これらの回折
光は、結像光学系で再度像面に集められ、これにより像
面に合致するように保持されたウエハの露光面上にフォ
トマスクのパターン像が転写される。
【0004】上記の如き従来の技術に於いては、フォト
マスクを露光光により均一な照度で照明しなければなら
ないという装置上の要請があるため、照明光学系の光源
に空間コヒーレンシィを持たせることができなかった。
つまり、フォトマスクを照明する露光光のうち、投影光
学系の光軸に対する傾斜角である照明角の異なるもの同
士が可干渉性を有していると、フオトマスク上に干渉縞
が形成されてしまい、フォトマスクを均一に照明すると
いう要請と相入れなくなってしまう。そのため、光源の
空間コヒーレンシィを投影光学系の性能向上を計るため
のパラメータとして採り得なかった。
【0005】これに対して、最近本出願人は、2枚のフ
ォトマスクを用いて露光を行うことにより、光源の空間
コヒーレンシィを利用した投影露光装置を、特願平4−
277032号及び特願平4−277033号において
開示した。図3は、その本出願人の先願に係る投影露光
装置を示し、この図3において、照明光学系1から所定
の波長の露光光が射出される。その照明光学系1から順
に、第1フォトマスク2、第1結像光学系3、第2フォ
トマスク4、第2結像光学系5及び感光基板6が配置さ
れる。そして、直列的に配置された第1結像光学系3及
び第2結像光学系5により投影光学系が構成され、第2
結像光学系5に関して、感光基板6と第2フォトマスク
4とが共役であり、第1結像光学系3に関して、第2フ
ォトマスク4と第1フォトマスク2とがほぼ共役であ
る。
【0006】図3の構成では、第1フォトマスク2は、
上方に配置された照明光学系1からの露光光7に照明さ
れ、第1フォトマスク2上に形成されたパターンにより
その露光光7の回折光8,9が生じ、この回折光8,9
が第1結像光学系3を介して第2フォトマスク4上のパ
ターンを照明する。この際、各回折光8及び9は互いに
可干渉性を有している。更に、それら回折光8,9によ
り照明された結果、第2フォトマスク4上に形成された
パターンから回折光10,11が生じ、それらが第2結
像光学系5を介して感光基板6の上に像を形成する。
【0007】図3の構成において、一例として第1フォ
トマスク2及び第2フォトマスク4上に共に孤立した開
口パターンを形成した場合を考える。そして、第1結像
光学系3の投影倍率をβとすると、第2フォトマスク4
上の孤立開口パターンはほぼ第1フォトマスク2上の孤
立開口パターンのβ倍である。但し、それら孤立開口パ
ターンの実際の大きさ及び形状は、良好な結像特性が得
られるように、第1フォトマスク2上及び第2フォトマ
スク4上でそれぞれ独立に調整される。この場合には、
第1フォトマスク2から射出される回折光8及び9が互
いに可干渉性を有していることから、第2フォトマスク
4の感光基板6上の投影像には、エッジ強調型位相シフ
トマスクを使用した場合と類似の結像特性が得られる。
【0008】また、図3の構成における別の例として、
第1フォトマスク2及び第2フォトマスク4上に共に、
一次元的な周期パターンであるライン・アンド・スペー
スパターンを形成した場合を考える。そして、それら2
個の一次元的な周期パターンのピッチ方向(周期方向)
が互いに平行であるとする。この場合には、所謂変形照
明のような斜照明が適しているのであるが、その斜照明
の場合を考えると第1フォトマスク2から射出される回
折光8及び9が互いに可干渉性を有していることから、
第2フォトマスク4の感光基板6上の投影像には、所謂
変形照明法を使用した場合よりもコントラストの高い結
像特性が得られる。
【0009】更に、例えば第1フォトマスク2に位相パ
ターンのみを形成し、第2フォトマスク4に遮光パター
ンのみを形成した場合には、位相シフトマスクを使用し
た場合と同様の結像特性を得ることができる。即ち、そ
の本出願人の先願に係る投影露光装置は、1枚目のフォ
トマスク2上の一点で回折される光が互いに可干渉性を
有していることを積極的に利用して、感光基板6上での
結像性能を向上させるものである。
【0010】しかしながら、図3の投影露光装置におい
ては、1枚の感光基板を露光するのに2枚のフォトマス
クを必要とするという不都合があった。そのため、本発
明者は1枚のフォトマスクを用いて感光基板への露光を
行うと共に、フォトマスクを照明する光の可干渉性を積
極的にコントロールして感光基板上での結像性能を向上
させる投影露光装置を特願平5−4907号において開
示した。以下、図4を参照してその概要を説明する。
【0011】図4は、その本出願人の先願に係る投影露
光装置の一例を示し、この図4において、露光光供給部
20からの図4の紙面に垂直な方向に偏光したs偏光の
露光光IL1が、偏光ビームスプリッター15の偏光ビ
ームスプリッター面15aで反射された後、1/4波長
板16を介してフォトマスク14を照明し、フォトマス
ク14の像が第1レンズ系13により平面鏡12上に結
像される。そして、平面鏡12からの反射光により第1
レンズ系13を介してフォトマスク14上にフォトマス
ク14のパターンの像を結像する。この結像光のもと
で、フォトマスク14のパターンの像を1/4波長板1
6、偏光ビームスプリッター15、1/4波長板17及
び第2レンズ系18を介して感光基板19上に結像する
ものである。
【0012】この投影露光装置は、一枚だけのフォトマ
スクを使用して2枚のフォトマスクを使用した場合と等
価な光学系を構成し、光源のコヒーレンシィを巧みに利
用しようとするものであった。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図4に
示す偏光ビームスプリッター15を構成するプリズムを
作るためには、特別大きな硝材を必要とする。しかし、
現在の技術ではそのような大きな硝材を製造することに
は非常に難しいという不都合がある。このため、例えば
偏光ビームスプリッター15を平面板にて構成し、この
平面板を光軸に対して45°傾けて配置することも考え
られるが、結像光学系の光路中に傾いた平面板を配置す
ると、コマ収差、非点収差等の非対称収差の原因となっ
てしまう。即ち、特願平5−4907号に開示した投影
露光装置は、光束分割手段としての偏光ビームスプリッ
ター15の光束分割面が光軸に対して傾斜した構成をも
つため、製造が困難な程大きなプリズムを必要とする点
も含めて、現時点での実施は困難である。
【0014】本発明は斯かる点に鑑み、1枚のフォトマ
スクを用いて感光基板への露光を行うと共に、フォトマ
スクを照明する光の可干渉性を積極的に利用して感光基
板上での結像性能を向上させ、なおかつ光路中に傾斜し
た光束分割手段を含まない投影光学系を有する投影露光
装置を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図1に示す如く、フォトマスク(22)の
パターンの像を感光基板(23)上に投影する投影露光
装置において、露光用の照明光(IL)でそのフォトマ
スク(22)を照明する照明光学系(20,41,2
1,42)と、そのフォトマスク(22)のパターンの
中間像をそのフォトマスク(22)上に形成する第1結
像光学系(43,24,43,42,21,42)と、
その中間像の結像光束の内でそのフォトマスク(22)
を経た光束よりその感光基板(23)上にそのフォトマ
スク(22)のパターンの像を形成する第2結像光学系
(43,24,44)とを有し、その第1結像光学系
(43,24,43,42,21,42)は、その照明
光学系(20,41,21,42)内に配置された第1
光束分割手段(21)と、その第2結像光学系(43,
24,44)内に配置された第2光束分割手段(24)
と、その第1光束分割手段(21)及びその第2光束分
割手段(24)の間に配置された光学系(42,43)
とから構成され、その第1光束分割手段(21)及びそ
の第2光束分割手段(24)は、それぞれその照明光学
系(20,41,21,42)の光軸(AX)及びその
第2結像光学系(43,24,44)の光軸(AX)に
関して回転対称の光束分割面(21a,24a)を有す
るものである。
【0016】この場合、それら第1及び第2光束分割手
段(27,28)のそれぞれの光束分割面(27a,2
8a)を、偏向ビームスプリッタ面として、それら第1
及び第2光束分割手段(27,28)の間に1/2波長
板(29)が配置されることが好ましい。更に、その第
2光束分割手段(28)とその感光基板(23)との間
に1/4波長板(30)が配置されることも好ましい。
【0017】更に、その第1及び第2光束分割手段(2
1,24)のそれぞれの光束分割面(21a,24a)
の最も単純な例は、平面である。
【0018】
【作用】斯かる本発明の投影露光装置によれば、フォト
マスク(22)上にこのフォトマスク(22)自体の像
が合焦状態又はデフォーカスされた状態で投影され、こ
の結像光のもとでフォトマスク(22)の像が感光基板
(23)上に露光される。従って、2枚のフォトマスク
を用いた場合と等価な光学系が構成され、フォトマスク
(22)が互いに可干渉性のある照明光で照明されるこ
とになるので、例えば位相シフトマスクを用いた場合の
ように結像性能が向上する。
【0019】また、第1光束分割手段(21)と第2光
束分割手段(24)とが光軸に対して回転対称な光束分
割面(21a,24a)を有しているので、ハーフミラ
ー等の平面板を光軸に対して傾けて配置する場合と比較
して、コマ収差、非点収差等の非対称収差の発生を抑え
ることができる。一方、光束分割面を光軸に対して傾け
る(非対称にする)場合の他の例は、プリズム型ビーム
スプリッターを使用する場合であり、プリズムを用いれ
ば上記非対称収差の発生を抑えることができるが、その
場合はプリズムを構成する大きな硝材を製造することが
難しい。これに対して本発明の構成によれば、このよう
な不都合は無い。
【0020】また、第1及び第2光束分割手段(27,
28)のそれぞれの光束分割面(27a,28a)が、
偏向ビームスプリッタ面であり、第1及び第2光束分割
手段(27,28)の間に1/2波長板(29)が配置
される場合には、例えば第1光束分割手段(27)を透
過した偏光成分は、1/2波長板(29)により第2光
束分割手段(28)で反射される偏光成分に変えられ
る。その後、第1光束分割手段(27)でも反射された
光束は、今度は1/2波長板(29)により第2光束分
割手段(28)を透過する偏光成分に変えられる。従っ
て、感光基板(23)上での結像は二重結像系による結
像成分のみによるものとなり、光の利用効率を高めるこ
とができる。
【0021】更に、第2光束分割手段(28)と感光基
板(23)との間に1/4波長板(30)が配置される
場合には、第2光束分割手段(28)を経た直線偏光の
光束が円偏光の光束に変換されるため、フォトマスク
(22)のパターンの方向性による結像特性の差が解消
される。また、第1及び第2光束分割手段(21,2
4)のそれぞれの光束分割面が平面である場合には、最
も構成が簡単で且つ配置し易い。
【0022】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図1を参照して説明する。図1は、本例の投影露
光装置を示し、この図1において、光学系41の下に順
に、第1ハーフミラー21、光学系42、転写対象とす
るパターンが形成されたフォトマスク22、光学系4
3、第2ハーフミラー24、光学系44、及び感光基板
23を配置し、更に、光学系41の上部に露光光供給部
20を配置する。
【0023】ここで、露光光供給部20、光学系41、
第1ハーフミラー21、及び光学系42により照明光学
系が構成されている。また、光学系43、第2ハーフミ
ラー24、光学系43、光学系42、第1ハーフミラー
21、及び光学系42により第1結像光学系が構成さ
れ、光学系43、第2ハーフミラー24、及び光学系4
4により第2結像光学系が構成されている。更に、照明
光学系内の第1ハーフミラー21の光束分割面21a及
び第2結像光学系内の第2ハーフミラー24の光束分割
面24aは、共に光軸AXの回りに回転対称な平面にて
構成されている。
【0024】次に、本例の動作につき説明する。露光光
供給部20から射出された露光光ILは、光学系41、
第1ハーフミラー21、及び光学系42を透過し、フォ
トマスク22を照明する。フォトマスク22上のパター
ン51により回折された光は、光学系43を透過して第
2ハーフミラー24に入射し、第2ハーフミラー24に
より反射された光束が、再度光学系43を透過して、フ
ォトマスク22のパターンの中間像52を形成する。こ
の中間像52から発散する光が、光学系42を透過して
第1ハーフミラー21に戻り、第1ハーフミラー21に
より反射された光束が、再度光学系42を透過した後、
フォトマスク22上にフォトマスク22のパターン像5
3を形成する。なお、この場合、露光光供給部20から
射出された露光光ILの一部は、第1ハーフミラー21
を透過することなく反射し、また、第1ハーフミラー2
1に下方向から入射する光の一部は、第1ハーフミラー
21で反射することなく透過する。
【0025】このフォトマスク22のパターン像53の
結像光は、フォトマスク22上のパターン51に対する
照明光として機能し、この結像光により照明されたフォ
トマスク22からの回折光は、光学系43、第2ハーフ
ミラー24、光学系44を順次透過し、感光基板23上
にフォトマスク22のパターン像を結像する。即ち、本
実施例においては、露光光供給部20から射出される光
は、照明光学系を介してフォトマスク22を照明し、こ
のフォトマスク22のパターンの像が第1結像光学系を
介して再びフォトマスク22上に結像される。そして、
その結像光を照明光としてフォトマスク22のパターン
の像が第2結像光学系を介して感光基板23上に結像さ
れる。
【0026】この場合、照明光学系から供給される照明
光のもとで、フォトマスク22のパターンにより回折さ
れた光の内第2ハーフミラー24をそのまま透過する光
により結像される像は、従来の結像法に対応する結像成
分であり、第2ハーフミラー24で1回反射された後、
第2ハーフミラー24を透過する光により結像される像
は、本出願人の先願に係る図3の二重結像系による結像
成分である。また、第2ハーフミラー24で2回以上反
射された後、第2ハーフミラー24を透過する光により
結像される像は、三重以上の多重結像系による結像成分
である。
【0027】このように、本例においては、図3に示し
た本出願人の先願に係わる投影露光装置のような二重結
像系による結像成分以外に、一重結像系による結像成分
及び三重以上の多重結像系による結像成分が含まれてい
る。また、露光光供給部20から射出された後に第1ハ
ーフミラー21で反射される光、及び第1ハーフミラー
21に下方向から入射する光の内、第1ハーフミラー2
1を透過する光は、全て結像光にはならない構成となっ
ている。
【0028】以上、本例ではフォトマスクのパターンの
結像光となる回折光は全て可干渉性を有し、感光基板上
での結像性能が従来のものに比較し格段に向上する。ま
た、1枚だけのフォトマスクを使用する簡便な方法であ
り、且つ光路中に傾斜した光束分割手段を含まない構成
を有しているので、コマ収差、非点収差等の非対称収差
を生ずることもない。
【0029】次に、二重結像系による結像成分のみによ
りフォトマスク22のパターンを感光基板23上に結像
させ、光の利用効率を更に高める変形例につき説明す
る。この変形例では、図1において第1ハーフミラー2
1及び第2ハーフミラー24の代わりにそれぞれ、s偏
光を反射してp偏光を透過させる第1偏光ミラー27及
び第2偏光ミラー28を配置する。更に、図1において
二点鎖線で示すようにフォトマスク22の上側で第1偏
光ミラー27の下側の位置、又はフォトマスク22の下
側で第2偏光ミラー28の上側の位置に、1/2波長板
29を配置する。また、露光光供給部20から射出され
る露光光は第1偏光ミラー27に対してp偏光とする。
ここで、s偏光とは入射面(図1の紙面に平行な面)に
垂直な方向に電場ベクトルが振動している直線偏光であ
り、またs偏光と直交する直線偏光をp偏光と呼んでい
る。
【0030】この変形例によれば、露光光供給部20か
ら射出される露光光はp偏光であるため、第1偏光ミラ
ー27で全部が透過して、1/2波長板29に入射す
る。1/2波長板29は、その主軸がs偏光の振動方向
から45°回転した方向になるよう設置されているの
で、1/2波長板29に入射したp偏光はs偏光に変換
される。s偏光に変換された光は、フォトマスク22を
照明し、光学系43を透過し、第2偏光ミラー28に入
射するが、入射する光がs偏光であるため、全ての入射
光が第2偏光ミラー28により反射される。第2偏光ミ
ラー28により反射された光は、更に光学系43及び光
学系42を透過し、第1偏光ミラー27に入射する。
【0031】ここでも入射する光が依然s偏光であるた
め、全ての入射光が反射され、その反射光は光学系42
を透過して、1/2波長板29に入射する。ここで入射
するs偏光はp偏光に変換され、フォトマスク22上に
フォトマスク22のパターン像を結像する。そして、フ
ォトマスク22を透過したp偏光の光は、光学系43を
透過し、第2偏光ミラー28に入射する。この入射光
は、p偏光なので、第2偏光ミラー28を透過し、光学
系44を介して、感光基板23上にフォトマスク22の
パターン像を結像する。
【0032】この場合、感光基板23上に結像される像
は、二重結像系による結像成分のみであり、結像性能は
良好である。更に、露光光供給部20から射出された露
光光の光量損失が少なく光の利用効率が極めて高い。更
に、感光基板23の上方に1/4波長板を設ける構成も
考えられる。この場合、図1において二点鎖線で示すよ
うに、第2偏光ミラー28の下側で感光基板23の上側
に1/4波長板30を配置する。この1/4波長板30
は、p偏光という直線偏光を円偏光に変換するものであ
り、これによりフォトマスク22上のパターンの方向性
による結像特性の差が解消される。
【0033】なお、第1、第2ハーフミラー21,24
又は第1、第2偏光ミラー27,28として平面板でな
く、光束分割面が光軸の回りに回転対称な球面又は非球
面形状のものを使用してもよい。図2は、そのように光
束分割面が非平面である他の実施例を示し、この図2に
おいて、図1の第1、第2ハーフミラー21,24又は
第1、第2偏光ミラー27,28と対応する場所には、
それぞれ凹レンズ形状の第1、第2ハーフミラー21
A,24A又は第1、第2偏光ミラー27A,28Aが
配置される。この場合、第1ハーフミラー21A及び第
2ハーフミラー24Aの各光束分割面21Aa及び24
Aaは凹面の球面であり、第1偏光ミラー27A及び第
2偏光ミラー28Aの各光束分割面27Aa及び28A
aも凹面の球面である。
【0034】この図2の実施例のように第1、第2ハー
フミラー又は第1、第2偏光ミラーとして平面板ではな
く、凹レンズ形状のミラーを用いることにより各種の光
学的収差を小さくすることができる。このように本発明
は上述実施例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で種々の構成を取り得る。
【0035】
【発明の効果】本発明の投影露光装置によれば、1枚の
フォトマスクを用いるだけで2枚以上のフォトマスクを
用いる多重結像系と同様に、フォトマスクから射出され
る光の可干渉性を積極的に利用して感光基板上での結像
性能を向上できる利点がある。これにより、フォトマス
ク作成に要するコストの低減が図れると共に、複数枚の
フォトマスクの相対位置合わせが不要となり、装置構成
の簡略化及び装置稼働時のスループットの向上に寄与で
きる。
【0036】また、光学系の中に光軸に対して傾斜する
光束分割面が含まれずに、全ての光束分割面が光軸の回
りに回転対称な面にて構成されているので、結像におけ
る非対称収差の要因を排除できる。更に、光束分割手段
としてのプリズムを必要とせず、硝材の確保が容易で、
且つ装置の製造組立が容易になるという効果がある。ま
た、第1及び第2光束分割手段のそれぞれの光束分割面
が、偏向ビームスプリッタ面であり、第1及び第2光束
分割手段の間に1/2波長板が配置される場合には、無
駄になる光が減少し、光の利用効率を更に高めることが
できる。
【0037】更に、第2光束分割手段と感光基板との間
に1/4波長板が配置される場合には、フォトマスクの
パターンの方向性による結像特性の差が解消される。ま
た、第1及び第2光束分割手段のそれぞれの光束分割面
が平面である場合には、最も構成が簡単で且つ配置し易
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による投影露光装置の一実施例及び変形
例を示す概略構成図である。
【図2】本発明の他の実施例を示す概略構成図である。
【図3】本出願人の先願に係る投影露光装置を示す概略
構成図である。
【図4】本出願人の別の先願に係る投影露光装置を示す
概略構成図である。
【符号の説明】
20 露光光供給部 21,24 平板状のハーフミラー 21A,24A 凹レンズ状のハーフミラー 22 フォトマスク 23 感光基板 27,28 平板状の偏光ミラー 27A,28A 凹レンズ状の偏光ミラー 29 1/2波長板 30 1/4波長板 41,42,43,44 光学系

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フォトマスクのパターンの像を感光基板
    上に投影する投影露光装置において、 露光用の照明光で前記フォトマスクを照明する照明光学
    系と、 前記フォトマスクのパターンの中間像を前記フォトマス
    ク上に形成する第1結像光学系と、 前記中間像の結像光束の内で前記フォトマスクを経た光
    束より前記感光基板上に前記フォトマスクのパターンの
    像を形成する第2結像光学系とを有し、 前記第1結像光学系は、前記照明光学系内に配置された
    第1光束分割手段と、前記第2結像光学系内に配置され
    た第2光束分割手段と、前記第1光束分割手段及び前記
    第2光束分割手段の間に配置された光学系とから構成さ
    れ、 前記第1光束分割手段及び前記第2光束分割手段は、そ
    れぞれ前記照明光学系の光軸及び前記第2結像光学系の
    光軸に関して回転対称の光束分割面を有することを特徴
    とする投影露光装置。
  2. 【請求項2】 前記第1及び第2光束分割手段のそれぞ
    れの前記光束分割面は偏向ビームスプリッタ面であり、
    前記第1及び第2光束分割手段の間に1/2波長板が配
    置されたことを特徴とする請求項1記載の投影露光装
    置。
  3. 【請求項3】 前記第2光束分割手段と前記感光基板と
    の間に1/4波長板が配置されたことを特徴とする請求
    項2記載の投影露光装置。
  4. 【請求項4】 前記第1及び第2光束分割手段のそれぞ
    れの前記光束分割面は平面であることを特徴とする請求
    項1、2又は3記載の投影露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2013094286A1 (ja) * 2011-12-20 2013-06-27 株式会社ニコン 基板処理装置、デバイス製造システム、及びデバイス製造方法
JPWO2013094286A1 (ja) * 2011-12-20 2015-04-27 株式会社ニコン 基板処理装置、デバイス製造システム、及びデバイス製造方法

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