JPH0863792A - 光ディスク及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明の目的は、光ディスク製造時、光ディス
ク使用時、かつ光ディスク保管時の不良を低減した光デ
ィスクの及びその製造方法を提供するものである。 【構成】光ディスクの仕様として、情報パタ−ン面に少
なくとも一層の記録膜を形成した透明基板の一対を接着
剤で貼りあわせた断面構造をもつ光ディスクであって、
２液性硬化型シリコーン接着剤を用いて、減圧下で貼り
合わせた光ディスク。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，音声，画像，情報など
の保存，記録，再生をするのに好適な光ディスク及びそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、サーボトラック用などの
溝状又は穴状の凹凸を有するガラス、透明プラスチック
などの透明レプリカ基板上に記録用金属膜を形成し、該
透明レプリカ基板を、該記録用金属膜が内側になるよう
に、一定間隙で対向させ、接着剤を用いて貼り合わせる
ことにより形成されている。

【０００３】従来の光ディスク製造方法では、ホットメ
ルト接着剤や、化学反応型接着剤が、透明レプリカ基板
の接着に用いられている。ホットメルト系接着剤は、製
造作業性の簡素化、低コスト化などの点で優れており、
特開昭６３−６７２３８号公報では、熱可塑性のホット
メルト系接着剤が用いられている。

【０００４】また、化学反応型接着剤は、ディスクの変
形を抑える効果があり、１液性嫌気性硬化型接着剤（特
開昭６１−１５１８５３号公報に記載されている）、２
液性非混合型接着剤（特開昭６１−５０２３１号公報に
記載されている）、および、１液性湿気硬化型粘着接着
剤（高分子２４巻２月号（１９９３）１１１ｐに記載さ
れている）が使用されていた。

【０００５】近年、光ディスクについて、記録する情報
量の増大や処理速度の高速化などの要求が近年急速に高
まりつつある。これらの要求を満足するためには、記憶
容量を増大し、かつ高速でディスクを回転する必要があ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記接着剤
は、下記のような問題点を有していた。熱可塑性のホッ
トメルト系接着剤は、接着剤塗布時の熱や貼り合せ時の
圧力による欠陥、又は高速回転時の塑性、弾性変形、保
管時の経時的変化による変形や剥がれの何れかが生じて
しまう。

【０００７】また、１液性嫌気性硬化型接着剤は、その
硬化時間が秒単位と短く、かつ、常圧下で貼り合わせ硬
化させる。このため、気泡が混入し易く、また、混入し
た気泡が抜けにくく、気泡を混入したまま硬化してしま
うことになる。さらに、硬化して得られる硬化物が固い
ため、気泡を十分に吸収緩和できず、ディスク平坦性不
良が発生したり、気泡部分の未硬化物が記録層を腐食さ
せるなどの欠陥をもたらす。

【０００８】２液性非混合型接着剤を用いる場合、２液
を別々に数十μｍ膜厚で順次塗布し、圧力をかけること
により、基板を貼り合わせる。このような接着方法を採
る場合、貼り合わせ時の圧力により硬化むらが生じるこ
ととなる。これは、上記接着剤の塗膜が不均一になるこ
とが原因である。このような硬化むらは、記録層にシワ
を発生させ、記録再生不良の原因になる。

【０００９】１液性湿気硬化型接着剤は、周囲の湿気に
より反応が開始され、接着剤表面を粘着性にするもので
ある。該接着剤を用いる場合、該接着剤を基板に塗布
後、粘着性が失われる前に貼り合わせる。１液性湿気硬
化型接着剤は、周囲の湿気で反応させるものであるた
め、硬化の制御が困難で作業性が悪い。さらに、貼り合
わせ後の接着剤の硬化速度が極めて遅いため、ディスク
の変形の原因となる。

【００１０】以上のように、熱可塑性のホットメルト系
接着剤を用いる場合は、光ディスク製造時に欠陥が生じ
てしまうことがある。さらに、光ディスクの使用時に、
高速アクセスおよび高速回転による変形が生じてしまう
ことがある。また、光ディスクの保管時に、経時変化に
よる変形や剥がれが生じてしまうことがある。また、１
液性嫌気硬化型接着剤、２液非混合型接着剤、または、
１液性湿気硬化型粘着接着剤を用いる場合は、使用時、
保管時は問題とならないが、光ディスクの製造時に不良
が発生するとゆう問題がある。

【００１１】そこで本発明は、光ディスク製造時の欠陥
と、光ディスクの保管時の経時変化による変形および剥
がれとを低減した、光ディスク及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、一対の対向する基板と、接着層を有
し、該基板の少なくとも一方は記録膜を有し、上記接着
層は、上記一対の対向する基板の間隙に配置される光デ
ィスクにおいて、上記接着層は、２液性硬化型シリコー
ン樹脂を含有することを特徴とする光ディスクを提供す
る。なお、上記接着層は、その粘度が１０〜７００ポイ
ズであることが望ましく、また、硬化後の樹脂の硬度
は、２０〜８０（ＪＩＳ Ａ）であることが望ましい。

【００１３】また、本発明では、少なくとも一方に記録
層を形成した２枚の透明基板に、接着剤を塗布して接着
層を形成する接着剤塗布工程と、該接着層が内側になる
ように上記２枚の透明基板を対向させて加圧し接着する
接着工程とを有する光ディスク製造方法において、上記
接着剤は、２液性硬化型シリコーン接着剤を含有するこ
とを特徴とする光ディスク製造方法を提供する。前記接
着剤は、粘度が１０〜７００ポイズであり、硬化後の硬
度は、２０〜８０（ＪＩＳ Ａ）であることが望まし
い。また、前記接着工程の加圧が、０．４〜０．８ｋｇ
／ｃｍ２であることが望ましい。さらに、前記接着工程
は、１〜２０Ｔｏｒｒの減圧雰囲気で行なうことが望ま
しい。

【００１４】

【作用】本発明によれば、光ディスクを作製する際、基
板の接着に、粘度が１０〜７００ポイズ、硬化後の硬度
が２０〜８０（ＪＩＳ Ａ）の２液混合型シリコーン接
着剤を用いる。このようにすれば、接着層が均一に硬化
し、未硬化物による記録膜の腐食を無くすことができ
る。

【００１５】接着剤は、貼り合わせ後に均一に反応が完
了し硬化することが望ましい。これは、不均一な反応に
よる未硬化物の残留を避けるためである。接着層が不均
一に反応し未硬化物が残留すると、未硬化物により記録
膜の腐食が生じたりする。１液性湿気硬化型接着剤のよ
うに、外気の湿気で反応硬化するものは、基板の内周や
外周は外気と接しているため反応が比較的速く硬化する
が、湿気が入りにくい中周部は反応が遅く硬化が不十分
になり未硬化物が残留してしまう。そこで、本発明で
は、硬化剤を用いた２液性の接着剤を用いる。また、上
記接着剤の粘度は、基板上に接着層を塗布むらがなく均
一に形成でき、貼り合わせた際の接着剤の不均一な流動
を無くし基板の凹凸発生を防止でき、かつ、粘着効果に
より貼り合わせ後の硬化までの基板のずれを少なくでき
る。さらに、上記硬化後の硬度は、接着層に混入した気
泡や反応むらによる歪を吸収緩和し、基板の凹凸の発生
を防止できる。

【００１６】貼り合わせ時の基板に加圧する圧力は、
０．４〜０．８ｋｇ／ｃｍ２にすることが望ましい。圧
力不足による基板の密着不良や高圧による接着剤の流動
を無くすことができる。

【００１７】貼り合わせ工程を減圧雰囲気にすることが
望ましい。これは、接着層への気泡の混入と、未硬化物
の発生を防止し、さらに、一旦混入した気泡の放出を促
進するためである。大気圧雰囲気では、混入した気泡に
より記録膜に凹凸を生じさせるとゆう悪影響をおよぼ
す。

【００１８】次に、本発明の光ディスクに用いた２液性
硬化型シリコーン接着剤について詳細に説明する。２液
性硬化型シリコーン接着剤は主剤と硬化剤とからなり、
塗布前に混合し、２液が反応硬化するものであり、熱可
塑性のホットメルト系接着剤に比較し、接着力、耐熱
性、機械的強度の面で優れ、光ディスクの接着剤に用い
た場合、耐熱性が優れているため様々な環境に適し、機
械的強度が優れ、特に、記録膜への悪影響が少なく腐食
させることがない極めて信頼性の高い光ディスクを得る
ことができる。

【００１９】２液性の成分の組合せは、主剤にベースポ
リマと架橋剤、硬化剤に硬化触媒、主剤にベースポリ
マ、硬化剤に架橋剤と硬化触媒、主剤にベースポリマと
硬化触媒、硬化剤に架橋剤、以上の３種類がある。

【００２０】上記２液性硬化型シリコーン接着剤の構成
は、末端に官能基をもったジオルガノポリシロキサンを
ベースポリマとし、ベースポリマを３次元架橋させる３
官能以上のシランまたはシロキサンなどの架橋剤、ベー
スポリマと架橋剤を反応させる硬化触媒を分けて２液化
して用いる。尚、これらに、充填剤やその他の添加剤を
好敵に配合して用いても良い。上記ベースポリマを例示
すると、末端ヒドロキシ変性メチルポリシロキサン、末
端ヒドロキシ変性フェニルポリシロキサン、末端ビニル
基変性メチルポリシロキサン、末端ビニル基変性フェニ
ルポリシロキサン、末端水素化メチルポリシロキサン、
末端水素化フェニルポリシロキサンなどがある。

【００２１】また、上記架橋剤について例示すると、テ
トラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ビニルト
リメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメチ
ルアミノトリメトキシシラン、ジメチルアミノトリエト
キシシランなどがある。

【００２２】また、上記硬化触媒について例示すると、
脱アルコール反応をのためのスズ化合物、脱水素反応の
為の白金化合物、スズ化合物、付加反応のための白金化
合物などがある。

【００２３】

【実施例】以下に本発明の実施例を、図面を引用して説
明する。

【００２４】図１に本発明の光ディスクの模式図を示
す。なお、光ディスクは、中央に孔３４の開いた円盤型
をしている、内部構造を見やすくするため、一部破断、
一部断面図として示した。また、この図１のＡＢ間の断
面図を図２に示す。以下の各実施例の光ディスクは、一
対の対向する基板３の間隙に配置され、２液性硬化型シ
リコーン接着剤の硬化物からなる。上記基板３は、透明
レプリカ基板１と、記録用金属膜（記録膜）２とを有
し、記録膜２が内側になるように、対向している。な
お、以下の各実施例では、２枚の、同じように凹凸と記
録膜とを有する基板３を貼り合わせて、両面に情報を記
録できる光ディスクを作製しているが、一方の基板は、
凹凸や記録膜２を有さなくてもよい。この場合、片面に
のみ記録できる。

【００２５】透明レプリカ基板１は、記録再生の為のレ
ーザが透過する媒体である。このため、光学的に等方性
で、光学特性の目安となる光学歪が５０ｎｍ以下の特性
を有している必要がある。特に種類は限定されないが、
例示すると、ガラス基板、ポリメチルメタクリレート基
板、ポリカーボネート基板、ポリオレフィン基板、熱又
は光硬化樹脂基板などがある。記録膜２は、０．６〜１
μｍ程度の光スポット径に対応し、相変化や光磁気など
のように記録膜の形状が変化しない、記録ドメインを形
成するものであればよく、特に種類は限定されない。例
示すると、テルル酸化膜(ＴｅＯｘ)、ＳｂＳｅ／ＢｉＴ
ｅ積層膜、希土類−遷移金属アモルファス合金、ＴｂＦ
ｅＣｏ系酸化膜、ＧｄＴｂＦｅ系酸化膜、ＤｙＦｅＣｏ
系酸化膜、ＴｂＤｙＦｅＣｏ系酸化膜、ガ−ネット系酸
化膜、Ｐｔ／Ｃｏ積層材料、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴ
ｅＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ、Ｉｎ−Ｓｂ系合金などである。

【００２６】以下の実施例では、東レ・シリコーン
（株）製の２液性硬化型シリコーン接着剤を用いた。実
施例１〜１０における、各接着剤の特性を（表１）に示
す。

【００２７】

【表１】

【００２８】以下に記載した各実施例では、光ディスク
を製造するためにスタンパを使用している。なお、スタ
ンパは、情報パターンに相当する凹凸形状が形成され、
この凹凸表面が、離型性に優れる複写の型であれば特に
種類は限定しない。例えば、電鋳スタンパ、樹脂スタン
パ、ガラススタンパ等のいずれを用いてもよい。各実施
例で使用したスタンパは、図３の外径３００ｍｍ光ディ
スク用及び図４の外径１３０ｍｍ光ディスク用を（ａ）
〜（ｆ）の製造方法に従って作製した。

【００２９】外径３００ｍｍ光ディスク用のスタンパ
は、両面が研磨されたガラス円盤１７（外径：３５０ｍ
ｍ，内径：１０ｍｍ，厚さ：１０ｍｍ）を用意する
（ａ）。次に、ガラス円盤１７の研磨された一方にポジ
型フォトレジストをスピン塗布し、０．１４μｍの膜厚
を有するフォトレジスト膜１６を形成する（ｂ）。つい
で、記録機より、該フォトレジスト膜１６にＡｒレーザ
（波長：４５８ｎｍ）を用いて情報信号を書き込み、フ
ォトレジスト膜現像して、情報信号を表すグルーブやピ
ットの凹凸を形成する（ｃ）。なお、本実施例で作製さ
れる光ディスクにおいては、上記凹凸は、番地など、記
録膜に記録された情報を読み取るための補助情報を表し
ている。以上のようにして凹凸の形成されたされたフォ
トレジスト膜１６に、真空蒸着法により４０ｎｍの膜厚
を有するＮｉ膜５を形成する（ｄ）。さらに、Ｎｉ膜５
を電極として、電解メッキ法により３００μｍの膜厚を
有するＮｉ電鋳膜６を形成し（ｅ）、ガラス円盤１７と
Ｎｉ膜５の間を剥離して、Ｎｉ製スタンパ７を作成した
（ｆ）。

【００３０】外径１３０ｍｍ光ディスク用のスタンパ
は、両面が研磨されたガラス円盤１７（外径：２００ｍ
ｍ，内径：５ｍｍ，厚さ：１０ｍｍ）を用意する
（ａ）。次に、ガラス円盤１７の研磨された一方にポジ
型フォトレジストをスピン塗布し、０．１４μｍの膜厚
を有するフォトレジスト膜１６を形成する（ｂ）。つい
で、記録機より、該フォトレジスト膜１６にＡｒレーザ
（波長：４５８ｎｍ）を用いて情報信号を書き込み、フ
ォトレジスト膜現像して、情報信号を表すグルーブやピ
ットの凹凸を形成する（ｃ）。なお、本実施例で作製さ
れる光ディスクにおいては、上記凹凸は、番地など、記
録膜に記録された情報を読み取るための補助情報を表し
ている。以上のようにして凹凸の形成されたされたフォ
トレジスト膜１６に、真空蒸着法により４０ｎｍの膜厚
を有するＮｉ膜５を形成する（ｄ）。さらに、Ｎｉ膜５
を電極として、電解メッキ法により３００μｍの膜厚を
有するＮｉ電鋳膜６を形成し（ｅ）、ガラス円盤１７と
Ｎｉ膜５の間を剥離して、Ｎｉ製スタンパ７を作成した
（ｆ）。

【００３１】（実施例１〜２）接着剤として、表１の実
施例１〜２の欄に記載した接着剤を用い、次のようにし
て光ディスクを製造した。製造方法を、図５に示す。本
実施例では、ポリカーボネート樹脂性のレプリカ基板１
を調整し、記録膜２として、ＳｉＮエンハンス膜１２、
ＴｂＦｅＣｏ磁性膜１３、ＡｌＮ反射膜１４、および、
ＳｉＮ保護膜１５の４層の膜をレプリカ基板１上に形成
し、上記接着剤を用いて接着して、光ディスクを得た。

【００３２】まず、１３０ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。スタンパ７を、注入孔を有する成形型８
に取付け、成形型８内の間隙９にポリカーボネート樹脂
１０（分子量：約１５０００）を加熱溶融させて注入す
る（ｂ）。なお、上記間隙９は、外径が１３０ｍｍ、厚
さが１．２ｍｍの円盤型をしており、中心に１５ｍｍの
内径の中心孔を有する（すなわち、成形型８は、中心部
に外径１５ｍｍの円柱形の突起部（図示せず）を有し、
スタンパ７と成形型８とを外せば、スタンパ７のグルー
ブやピットの凹凸が転写された、ポリカーボネート樹脂
製のレプリカ基板１（外径：１３０ｍｍ，中心孔径：１
５ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ）を得ることができる
（ｃ）。

【００３３】ついで、得られたレプリカ基板１の凹凸が
転写された面（情報パターン面）に、ＳｉＮエンハンス
膜１２（厚さ：３０ｎｍ），ＴｂＦｅＣｏ磁性膜１３
（厚さ：３０ｎｍ），ＡｌＮ反射膜１４（厚さ：３０ｎ
ｍ），ＳｉＮ保護膜１５（厚さ：３０ｎｍ）をスパッタ
法により順次成膜して、記録膜２とし、基板３を得た
（ｄ）。

【００３４】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例１〜３の２液性硬化型シリコーン接
着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート法
により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形成
した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成し
た基板３をもう１枚作製した。

【００３５】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００３６】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た。

【００３７】（実施例３）接着剤として、表１の実施例
３の欄に記載した接着剤を用い、次のようにして光ディ
スクを製造した。製造方法を、図６に示す。本実施例で
は、ポリカーボネート樹脂性のレプリカ基板１を調整
し、記録膜２として、ＳｉＮエンハンス膜１２、ＴｂＦ
ｅＣｏ磁性膜１３、ＡｌＮ反射膜１４、および、ＳｉＮ
保護膜１５の４層の膜をレプリカ基板１上に形成し、上
記接着剤を用いて接着して、光ディスクを得た。

【００３８】まず、３００ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。スタンパ７を、注入孔を有する成形型８
に取付け、成形型８内の間隙９にポリカーボネート樹脂
１０（分子量：約１５０００）を加熱溶融させて注入す
る（ｂ）。なお、上記間隙９は、外径が３００ｍｍ、厚
さが１．２ｍｍの円盤型をしており、中心に３５ｍｍの
内径の中心孔を有する（すなわち、成形型８は、中心部
に外径３５ｍｍの円柱形の突起部（図示せず）を有し、
スタンパ７と成形型８とを外せば、スタンパ７のグルー
ブやピットの凹凸が転写された、ポリカーボネート樹脂
製のレプリカ基板１（外径：３００ｍｍ，中心孔径：３
５ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ）を得ることができる
（ｃ）。

【００３９】ついで、得られたレプリカ基板１の凹凸が
転写された面（情報パターン面）に、ＳｉＮエンハンス
膜１２（厚さ：３０ｎｍ），ＴｂＦｅＣｏ磁性膜１３
（厚さ：３０ｎｍ），ＡｌＮ反射膜１４（厚さ：３０ｎ
ｍ），ＳｉＮ保護膜１５（厚さ：３０ｎｍ）をスパッタ
法により順次成膜して、記録膜２とし、基板３を得た
（ｄ）。

【００４０】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例１〜３の２液性硬化型シリコーン接
着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート法
により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形成
した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成し
た基板３をもう１枚作製した。

【００４１】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００４２】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た。

【００４３】（実施例４〜５）接着剤として、表１の実
施例４〜５の欄に記載した接着剤を用い、次のようにし
て光ディスクを製造した。製造方法を、図７に示す。本
実施例では、紫外線硬化樹脂とプラスチック板とからな
るレプリカ基板１を調整し、記録膜２として、ＧｅＳｂ
Ｔｅ記録膜２５，ＳｂＢｉ反射膜２６，ＳｉＮ保護膜２
７の３層の膜をレプリカ基板１上に形成し、上記接着剤
を用いて接着して、光ディスクを得た。

【００４４】まず、１３０ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。該スタンパ７凹凸面に、紫外線硬化樹脂
２２（粘度：２００ｃｐ）を滴下し、プラスチック板２
３（外形：１３０ｍｍ，内径：１５ｍｍ，厚さ：１．１
ｍｍ）で、紫外線硬化性樹脂２２の膜厚が８０μｍにな
るように押し広げる。つぎに、紫外線照射装置２０によ
り、プラスチック板側より、３０秒、１００ｍＷ／ｃｍ
²の強さの紫外線を照射し、前記紫外線硬化性樹脂２２
を硬化させる（ｂ）。スタンパ７と紫外線硬化性樹脂２
２との間を剥離させれば、スタンパ７のグルーブやピッ
トの凹凸が転写されたレプリカ基板１が得られる
（ｃ）。

【００４５】上記レプリカ基板１の情報パターン面に、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜２５（厚さ：３０ｎｍ），ＳｂＢｉ
反射膜２６（厚さ：２０ｎｍ），ＳｉＮ保護膜２７（厚
さ：３０ｎｍ）をスパッタ法により順次成膜し、レプリ
カ基板１上に記録膜２８が形成された、基板３を作製し
た（ｄ）。

【００４６】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例４〜６の２液性硬化型シリコーン接
着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート法
により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形成
した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成し
た基板３をもう１枚作製した。

【００４７】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００４８】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た
（ｉ）。

【００４９】（実施例６）接着剤として、表１の実施例
６の欄に記載した接着剤を用い、次のようにして光ディ
スクを製造した。製造方法を、図８に示す。本実施例で
は、紫外線硬化樹脂とプラスチック板とからなるレプリ
カ基板１を調整し、記録膜２として、ＧｅＳｂＴｅ記録
膜２５，ＳｂＢｉ反射膜２６，ＳｉＮ保護膜２７の３層
の膜をレプリカ基板１上に形成し、上記接着剤を用いて
接着して、光ディスクを得た。

【００５０】まず、３００ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。該スタンパ７凹凸面に、紫外線硬化樹脂
２２（粘度：２００ｃｐ）を滴下し、プラスチック板２
３（外形：３００ｍｍ，内径：３５ｍｍ，厚さ：１．１
ｍｍ）で、紫外線硬化性樹脂２２の膜厚が８０μｍにな
るように押し広げる。つぎに、紫外線照射装置２０によ
り、プラスチック板側より、３０秒、１００ｍＷ／ｃｍ
²の強さの紫外線を照射し、前記紫外線硬化性樹脂２２
を硬化させる（ｂ）。スタンパ７と紫外線硬化性樹脂２
２との間を剥離させれば、スタンパ７のグルーブやピッ
トの凹凸が転写されたレプリカ基板１が得られる
（ｃ）。

【００５１】上記レプリカ基板１の情報パターン面に、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜２５（厚さ：３０ｎｍ），ＳｂＢｉ
反射膜２６（厚さ：２０ｎｍ），ＳｉＮ保護膜２７（厚
さ：３０ｎｍ）をスパッタ法により順次成膜し、レプリ
カ基板１上に記録膜２８が形成された、基板３を作製し
た（ｄ）。

【００５２】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例４〜６の２液性硬化型シリコーン接
着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート法
により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形成
した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成し
た基板３をもう１枚作製した。

【００５３】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００５４】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た
（ｉ）。

【００５５】（実施例７）接着剤として、表１の実施例
７の欄に記載した接着剤を用い、次のようにして光ディ
スクを製造した。製造方法を、図９に示す。本実施例で
は、ポリカーボネート樹脂性のレプリカ基板１を調整
し、記録膜２として、ＧｅＳｂＴｅ記録膜２５，ＳｂＢ
ｉ反射膜２６，ＳｉＮ保護膜２７の３層の膜をレプリカ
基板１上に形成し、上記接着剤を用いて接着して、光デ
ィスクを得た。

【００５６】まず、１３０ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。スタンパ７を、注入孔を有する成形型８
に取付け、成形型８内の間隙９にポリカーボネート樹脂
１０（分子量：約１５０００）を加熱溶融させて注入す
る（ｂ）。なお、上記間隙９は、外径が１３０ｍｍ、厚
さが１．２ｍｍの円盤型をしており、中心に１５ｍｍの
内径の中心孔を有する（すなわち、成形型８は、中心部
に外径１５ｍｍの円柱形の突起部（図示せず）を有し、
スタンパ７と成形型８とを外せば、スタンパ７のグルー
ブやピットの凹凸が転写された、ポリカーボネート樹脂
製のレプリカ基板１（外径：１３０ｍｍ，中心孔径：１
５ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ）を得ることができる
（ｃ）。

【００５７】上記レプリカ基板１の情報パターン面に、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜２５（厚さ：３０ｎｍ），ＳｂＢｉ
反射膜２６（厚さ：２０ｎｍ），ＳｉＮ保護膜２７（厚
さ：３０ｎｍ）をスパッタ法により順次成膜して、記録
膜２とし、基板３を得た（ｄ）。

【００５８】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例７、８の２液性硬化型シリコーン接
着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート法
により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形成
した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成し
た基板３をもう１枚作製した。

【００５９】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００６０】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た。

【００６１】（実施例８）接着剤として、表１の実施例
８の欄に記載した接着剤を用い、次のようにして光ディ
スクを製造した。製造方法を、図１０に示す。本実施例
では、ポリカーボネート樹脂性のレプリカ基板１を調整
し、記録膜２として、ＧｅＳｂＴｅ記録膜２５，ＳｂＢ
ｉ反射膜２６，ＳｉＮ保護膜２７の３層の膜をレプリカ
基板１上に形成し、上記接着剤を用いて接着して、光デ
ィスクを得た。

【００６２】まず、３００ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。スタンパ７を、注入孔を有する成形型８
に取付け、成形型８内の間隙９にポリカーボネート樹脂
１０（分子量：約１５０００）を加熱溶融させて注入す
る（ｂ）。なお、上記間隙９は、外径が３００ｍｍ、厚
さが１．２ｍｍの円盤型をしており、中心に３５ｍｍの
内径の中心孔を有する（すなわち、成形型８は、中心部
に外径３５ｍｍの円柱形の突起部（図示せず）を有し、
スタンパ７と成形型８とを外せば、スタンパ７のグルー
ブやピットの凹凸が転写された、ポリカーボネート樹脂
製のレプリカ基板１（外径：３００ｍｍ，中心孔径：３
５ｍｍ，厚さ：１．２ｍｍ）を得ることができる
（ｃ）。

【００６３】上記レプリカ基板１の情報パターン面に、
ＧｅＳｂＴｅ記録膜２５（厚さ：３０ｎｍ），ＳｂＢｉ
反射膜２６（厚さ：２０ｎｍ），ＳｉＮ保護膜２７（厚
さ：３０ｎｍ）をスパッタ法により順次成膜して、記録
膜２とし、基板３を得た（ｄ）。

【００６４】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例７、８の２液性硬化型シリコーン接
着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート法
により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形成
した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成し
た基板３をもう１枚作製した。

【００６５】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００６６】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た。

【００６７】（実施例９）接着剤として、表１の実施例
９の欄に記載した接着剤を用い、次のようにして光ディ
スクを製造した。製造方法を、図１１に示す。本実施例
では、紫外線硬化樹脂とプラスチック板とからなるレプ
リカ基板１を調整し、記録膜２として、ＳｉＮエンハン
ス膜１２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜１３、ＡｌＮ反射膜１
４、および、ＳｉＮ保護膜１５の４層の膜をレプリカ基
板１上に形成し、上記接着剤を用いて接着して、光ディ
スクを得た。

【００６８】まず、１３０ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。該スタンパ７凹凸面に、紫外線硬化樹脂
２２（粘度：２００ｃｐ）を滴下し、プラスチック板２
３（外形：１３０ｍｍ，内径：１５ｍｍ，厚さ：１．１
ｍｍ）で、紫外線硬化性樹脂２２の膜厚が８０μｍにな
るように押し広げる。つぎに、紫外線照射装置２０によ
り、プラスチック板側より、３０秒、１００ｍＷ／ｃｍ
²の強さの紫外線を照射し、前記紫外線硬化性樹脂２２
を硬化させる（ｂ）。スタンパ７と紫外線硬化性樹脂２
２との間を剥離させれば、スタンパ７のグルーブやピッ
トの凹凸が転写されたレプリカ基板１が得られる
（ｃ）。

【００６９】上記レプリカ基板１の情報パターン面に、
ＳｉＮエンハンス膜１２（厚さ：３０ｎｍ），ＴｂＦｅ
Ｃｏ磁性膜１３（厚さ：３０ｎｍ），ＡｌＮ反射膜１４
（厚さ：３０ｎｍ），ＳｉＮ保護膜１５（厚さ：３０ｎ
ｍ）をスパッタ法により順次成膜し、レプリカ基板１上
に記録膜２８が形成された、基板３を作製した（ｄ）。

【００７０】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例９，１０の２液性硬化型シリコーン
接着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート
法により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形
成した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成
した基板３をもう１枚作製した。

【００７１】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００７２】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た
（ｉ）。

【００７３】（実施例１０）接着剤として、表１の実施
例１０の欄に記載した接着剤を用い、次のようにして光
ディスクを製造した。製造方法を、図１２に示す。本実
施例では、紫外線硬化樹脂とプラスチック板とからなる
レプリカ基板１を調整し、記録膜２として、ＳｉＮエン
ハンス膜１２、ＴｂＦｅＣｏ磁性膜１３、ＡｌＮ反射膜
１４、および、ＳｉＮ保護膜１５の４層の膜をレプリカ
基板１上に形成し、上記接着剤を用いて接着して、光デ
ィスクを得た。

【００７４】まず、３００ｍｍ用Ｎｉ製スタンパ７を用
意する（ａ）。該スタンパ７凹凸面に、紫外線硬化樹脂
２２（粘度：２００ｃｐ）を滴下し、プラスチック板２
３（外形：３００ｍｍ，内径：３５ｍｍ，厚さ：１．１
ｍｍ）で、紫外線硬化性樹脂２２の膜厚が８０μｍにな
るように押し広げる。つぎに、紫外線照射装置２０によ
り、プラスチック板側より、３０秒、１００ｍＷ／ｃｍ
²の強さの紫外線を照射し、前記紫外線硬化性樹脂２２
を硬化させる（ｂ）。スタンパ７と紫外線硬化性樹脂２
２との間を剥離させれば、スタンパ７のグルーブやピッ
トの凹凸が転写されたレプリカ基板１が得られる
（ｃ）。

【００７５】上記レプリカ基板１の情報パターン面に、
ＳｉＮエンハンス膜１２（厚さ：３０ｎｍ），ＴｂＦｅ
Ｃｏ磁性膜１３（厚さ：３０ｎｍ），ＡｌＮ反射膜１４
（厚さ：３０ｎｍ），ＳｉＮ保護膜１５（厚さ：３０ｎ
ｍ）をスパッタ法により順次成膜し、レプリカ基板１上
に記録膜２８が形成された、基板３を作製した（ｄ）。

【００７６】以上のようにして作製した基板３の記録膜
上に、表１の実施例９，１０の２液性硬化型シリコーン
接着剤の主剤と硬化剤を混合した接着剤をスピンコート
法により塗布し、３０μｍの厚さを有する接着層４を形
成した（ｅ）。更にこの工程を繰返し、接着層４を形成
した基板３をもう１枚作製した。

【００７７】つぎに、上記基板３を、密閉容器２１内
に、接着層４を内側にして、基板３間の間隙３５が５ｍ
ｍになるように対向させ、該密閉容器２１内を、減圧雰
囲気にするために１Ｔｏｒｒに減圧する（ｆ）。

【００７８】その後、２枚の基板３の接着層を接触さ
せ、５秒間、０．４ｋｇ／ｃｍ２の圧力をかけて貼り合
わせた（ｇ）。最後に、容器２１内より取り出し、２枚
の基板３と接着層２とを有する光ディスクを得た
（ｉ）。

【００７９】比較例１，２ 本比較例では、表１の比較例１，２の接着剤を用いて、
実施例３と同様な光ディスク製造方法により光ディスク
を作成した。

【００８０】比較例３，４ 本比較例では、表１の比較例３，４の接着剤を用いて、
実施例６と同様な光ディスク製造方法により光ディスク
を作成した。

【００８１】比較例５，６ 本比較例では、表１の比較例５と表２の比較例６の接着
剤を用いて、実施例８と同様な光ディスク製造方法によ
り光ディスクを作成した。

【００８２】

【表２】

【００８３】比較例７ 本比較例では、表２の比較例７の接着剤を用いて、実施
例１０と同様な光ディスク製造方法により光ディスクを
作成した。

【００８４】比較例８ 本比較例では、表３の比較例８のホットメルト接着剤を
用い、実施例３の

【００８５】

【表３】

【００８６】図６ｉ−１で得られた記録膜が形成された
レプリカ基板２枚を用意し、２枚のレプリカ基板の記録
膜面にホットメルトコータによりホットメルト接着剤を
膜厚３０μｍになるように塗布し、接着剤塗布面を向い
合わせにして、２ｋｇ／ｃｍ²の荷重で貼り合わせた比
較例９の光ディスクと２０ｋｇ／ｃｍ²の荷重で貼り合
わせた比較例１０の光ディスクを作成した。

【００８７】比較例９ 本比較例では、表３の比較例９の１液性嫌気硬化型接着
剤を用い、実施例３の図６ｉ−１で得られた記録膜が形
成されたレプリカ基板２枚を用意し、２枚のレプリカ基
板の一方の記録膜面に１液性嫌気硬化型接着剤をスピン
塗布し、２枚のレプリカ基板を２０ｍＴｏｒｒの減圧下
で貼り合わせ光ディスクを作成した。

【００８８】比較例１０ 本比較例では、表３の比較例１０の２液非混合接着剤を
用い、実施例３の図６ｉ−１で得られた記録膜が形成さ
れたレプリカ基板２枚を用意し、２枚のレプリカ基板の
一方の記録膜面に２液非混合接着剤のＡ剤を、もう一方
のレプリカ基板の記録面にＢ剤をそれぞれスピン塗布
し、２枚のレプリカ基板を２０ｍＴｏｒｒの減圧下で貼
り合わせ光ディスクを作成した。

【００８９】（各実施例の効果）以上、種々の接着剤を
用いて貼り合わせた実施例１〜１０及び比較例１〜１０
の光ディスクについて、貼り合わせ後の凹凸欠陥の発生
状況と対応する上下振れ加速度、ディスクの変形状態と
対応する傾き角、８０℃／１ｈ放置後の基板ずれ量，
貼り合わせ直後の基板ずれの有無（目視観察），貼り
合わせ後（製造時）と加熱処理後の（使用，保管時）の
ディスク表面の凹凸欠陥や反り等の不良の有無（目視観
察）ついて検討した。実施例１〜１０についての測定結
果を（表４）に示し、比較例１〜１０についての測定結
果を（表５）に示す。

【００９０】尚、これらの特性の測定は、次のようにし
て行なった。機械特性（上下振れ加速度および傾き角）
は、光ディス機械特性測定装置（レーザ波長：７８０ｎ
ｍ，測定回転数：２４００ｒｐｍ，測定位置：３００ｍ
ｍディスクの場合φ２９０ｍｍ，１３０ｍｍディスクの
場合φ１２０ｍｍ）により測定した。ずれ量は、ディス
ク片（膜厚：３０μｍ、接着面積：６ｃｍ²）に５００
ｇの剪断荷重を加えたときの変位量を測定した。目視観
察による貼り合わせ直後の基板ずれは基板中心あるいは
外周を支持した時の基板ずれの有無を判別した。目視観
察による不良の有無は、被照射物に光を当てその反射光
を拡大投影する装置（シャドウグラフ）により判別し
た。例えば、光ディスクの表面に凹凸や反りが生じてい
る場合、投影物に光の明暗や投影の大きさが異なって拡
大投影される。

【００９１】

【表４】

【００９２】

【表５】

【００９３】表４，５の結果より、実施例１〜１０のデ
ィスクは、上下振れ加速度（目標：≦２Ｇ），傾き角
（≦５ｍｒａｄ）及びずれ量（≦２０μｍ）を満たして
いることが判明し、更に貼り合わせ直後の基板ずれ，製
造時又は加熱放置の欠陥の発生が見られなかった。一
方、比較例１，３，７は、上下振れ加速度が目標を満た
してなくかつ製造時および加熱による欠陥の発生が見ら
れた。比較例２，４は、傾き角の目標を満たしてなくか
つ貼り合わせ直後の基板ずれと加熱による欠陥の発生が
見られた。比較例５は、上下振れ加速度の目標を満たし
てなくかつ貼り合わせ直後の基板ずれ，製造時および加
熱による欠陥の発生が見られた。比較例６は、傾き角と
加熱によるずれ量が目標を満たしてなくかつ貼り合わせ
直後の基板ずれと加熱による欠陥の発生が見られた。比
較例８は、いずれの目標も満たしてなくかつ製造時およ
び加熱による欠陥の発生が見られた。比較例１０は、上
下振れ加速度および傾き角の目標を満たしてなくかつ貼
り合わせ直後の基板ずれ，加熱による欠陥の発生が見ら
れた。

【００９４】以上の結果から、接着剤粘度と貼り合わせ
直後の基板ずれ，接着剤硬化後の硬度と上下振れ加速
度、傾き角、基板ずれ量に相関性が見られる。貼り合わ
せ直後に基板ずれが発生しているディスクは接着剤粘度
が１０ポアズに満たない粘度が低い接着剤で貼り合わせ
た場合に発生している。又、７００ポアズ以上では接着
剤の不均一な塗布面により上下振れ加速度が大きくな
る。また、傾き角、基板ずれ量が目標を満たしていない
ものは接着剤硬化後の硬度が２０以下であり、上下振れ
加速度の目標を満たしていないものは接着剤硬化後の硬
度が８０以上であることが判った。

【００９５】更に、実施例１〜１０の光ディスクについ
て記録再生装置（６８０ｎｍのレーザを光源として開口
数０．５５，焦点深度約２μｍの集光レンズを用いた光
ヘッド）によりディスク回転数２４００ｒｐｍで記録再
生を行った結果、記録再生不良が発生しなかった。

【００９６】このことより本発明の接着剤で貼り合わせ
た光ディスクは、平坦性に優れ加熱雰囲気でも凹凸や変
形の少ない高精度なものである。

【００９７】

【表６】

【００９８】

【発明の効果】本発明によれば、高速アクセス、高速回
転による変形、かつ保管時の経時変化による変形や剥が
れを低減し、高精度かつ高信頼性の優れた光ディスク及
びその製造方法を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光ディスク模式図である。

【図２】本発明の光ディスク断面図である。

【図３】本発明のスタンパの製造工程図である。

【図４】本発明のスタンパの製造工程図である。

【図５】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図６】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図７】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図８】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図９】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図１０】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図１１】本発明の光ディスク製造工程図である。

【図１２】本発明の光ディスク製造工程図である。

【符号の説明】

１…レプリカ基板、２…記録用金属膜、３…基板 ４…接着層、５…Ｎｉ膜、６…Ｎｉ電鋳膜、７…スタン
パ、８…成形型、９…成形型内間隙、１０…ポリカーボ
ネート樹脂、１２…ＳｉＮエンハンス膜、１３…ＴｂＦ
ｅＣｏ磁性膜、１４…ＡｌＮ反射膜、１５…ＳｉＮ保護
膜、１６フォトレジスト膜、１７…ガラス円盤、１８…
減圧、２０…紫外線照射装置、２１…密閉容器、２２…
紫外線硬化性樹脂、２３…プラスチック板、２４…レプ
リカ基板、２５…ＧｅＳｂＴｅ記録膜、２６…ＳｂＢｉ
反射膜、２７…ＳｉＮ保護膜、３４…光ディスク中央の
孔、３５…基板間隙、

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田嶋 哲夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 古性 均 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マク セル株式会社内 (72)発明者 泰井 俊明 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号日立マク セル株式会社内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一対の対向する基板と、接着層を有し、該
   基板の少なくとも一方は記録膜を有し、上記接着層は、
   上記一対の対向する基板の間隙に配置される光ディスク
   において、 上記接着層は、２液性硬化型シリコーン樹脂を含有する
   ことを特徴とする光ディスク。
2. 【請求項２】請求項１において、 前記接着層の粘度は、１０〜７００ポイズであることを
   特徴とする光ディスク。
3. 【請求項３】請求項１において、 前記接着層の硬度は、２０〜８０（ＪＩＳ Ａ）である
   ことを特徴とする光ディスク。
4. 【請求項４】少なくとも一方に記録層を形成した２枚の
   透明基板に、接着剤を塗布して接着層を形成する接着剤
   塗布工程と、該接着層が内側になるように上記２枚の透
   明基板を対向させて加圧し接着する工程とを有する光デ
   ィスク製造方法において、 上記接着剤は、２液性硬化型シリコーン接着剤を含有す
   ることを特徴とする光ディスク製造方法。
5. 【請求項５】請求項４において、 前記接着剤の粘度は、１０〜７００ポイズであることを
   特徴とする光ディスク製造方法。
6. 【請求項６】請求項４において、 前記接着剤の硬化後の硬度は、２０〜８０（ＪＩＳ
   Ａ）であることを特徴とする光ディスク製造方法。
7. 【請求項７】請求項４において、 前記加圧が、０．４〜０．８ｋｇ／ｃｍ２であることを
   特徴とする光ディスク製造方法。
8. 【請求項８】請求項４において、 前記接着工程は、減圧雰囲気で行なわれ、 上記減圧雰囲気が、１〜２０Ｔｏｒｒであることを特徴
   とする光ディスク製造方法。