JPH0863119A - 単色ledを用いた全色画像表示装置 - Google Patents

単色ledを用いた全色画像表示装置

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JPH0863119A
JPH0863119A JP21129995A JP21129995A JPH0863119A JP H0863119 A JPH0863119 A JP H0863119A JP 21129995 A JP21129995 A JP 21129995A JP 21129995 A JP21129995 A JP 21129995A JP H0863119 A JPH0863119 A JP H0863119A
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JP
Japan
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substrate
plate
light emitting
emitting diodes
light
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Pending
Application number
JP21129995A
Other languages
English (en)
Inventor
Lee Shin-Chan
シン−チャン・リー
Shieh Chan-Long
チャン−ロン・シェ
Michael S Lebby
マイケル・エス・レビー
O Pietersen Ronald
ロナルド・オー・ピーターセン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 単一色LEDを用いた全色画像表示装置およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 全色画像表示装置は、基板(45)と、
この基板に隣接して取り付けられた透明板(60)と、
この板に個別的に取り付けられた異なる蛍光体(67,
68)とを有し、各蛍光体は前記板の異なる領域内に位
置付けられ、蛍光体を励起するのに十分なエネルギを有
する光子に衝突されると、異なる蛍光体が各々異なる色
の光を生成する。複数のGaN LED(40,41,
42)が基板上に形成され、蛍光体を励起し光を放出さ
せるのに十分なエネルギを有する光子を放出する。これ
らの光子は複数の蛍光体の異なる1つに入射する。単一
色の赤色および緑色蛍光体、ならびにGaN LEDの
いくつかからの青色光とによって、全色画像が形成され
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、全色画像(full color
image)を生成する装置に関し、更に特定すれば、単色発
光ダイオードを用いた全色表示装置に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】発光ダイオード(LED)は、多数のL
EDを含むアレイとして製造され、仮想画像(virtual
tmage)を生成する画像装置に利用されている。かかる
装置に用いられるLEDアレイに伴う問題の1つは、得
られる色が1色のみであるという事実である。最初の装
置では、利用されたLEDは赤色光しか発光することが
できなかったので、生成される画像も赤く比較的見るこ
とが困難であった。後のモデルではオレンジ色や琥珀色
のLEDも利用されたが、それでも画像は単一色であっ
た。
【0003】入手可能なLEDの種類が限られているた
め、着色光の種類も限られることになる。問題なのは、
全色画像を生成するためには、各画素が3つの色(通
常、赤、緑および青)を生成するための3つの異なるL
EDを含まなければならないことである。したがって、
各画素に異なるタイプのLEDの各々を別個に製造しな
ければならないので、全色画像を生成するためのLED
アレイの製造は非常に複雑である。このように、全色L
EDアレイを製造しようとすると、3通りの異なる製造
プロセスを連続的にかつ完全に行わなければならない。
【0004】従来のLEDに伴う更に他の問題は、非常
に効率が低く、生成する出力が非常に低いことである。
例えば、LEDアレイによって生成される光量は非常に
少ないので、発生される画像は直接または仮想画像(拡
大等)によって目視しなければならない。従来技術のL
EDは、例えば離れたスクリーン等に画像を形成する程
十分な光を生成することはできない。
【0005】したがって、単一色LEDアレイから全色
画像を生成することができれば有利であろう。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、単一
色LEDを用いた、新規で改良された全色画像表示装置
を提供することである。
【0007】本発明の他の目的は、多色蛍光体(multi-c
olor phosphors)を励起するのに十分高いエネルギの光
子を生成する単一色LEDアレイを用いた、新規で改良
された全色画像表示装置を提供することである。
【0008】本発明の更に他の目的は、単一色LEDア
レイを用いた全色画像表示装置を製造する、新規で改良
された方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述のおよびその他の問
題の実質的な解決、および上述のおよびその他の目的の
実現は、基板と、その上に形成された複数の単一色発光
ダイオード(LED)とを含む、全色画像表示装置にお
いて達成される。光学的に透明な板が基板に隣接して取
り付けられ、複数の別個の領域がその上に規定される。
更に、この板の配置は、複数のLEDの各々によって発
せられる光が、板の複数の別個領域の各1つに入射する
ように決められる。複数の異なる蛍光体が別個に板に取
り付けられ、各々板の複数の別個領域の異なる1つに、
複数のLEDの異なる1つからの光が衝突するように位
置付けられる。異なる蛍光体は各々、LEDからの光に
衝突されると、異なる色の光を生成する。
【0010】上述のおよびその他の問題の実質的な解
決、および上述のおよびその他の目的の実現は、複数の
単一色発光ダイオードを基板上に形成する段階を含む、
全色画像表示装置の製造方法において達成される。複数
のLEDの各々から放出される光子が、基板から離間さ
れた面における複数の別個領域の異なる1つに向かうよ
うに、LEDを位置付ける。光子を放出する複数のLE
Dの各々は、適切に付勢されると、蛍光体を励起し光を
放出させるのに十分なエネルギを発生する。光学的に透
明な板が用意され、その上に複数の別個領域を規定し、
この板に、複数の異なる蛍光体を、各々板の複数の別個
領域の異なる1つに、別個に固定する。異なる蛍光体は
各々、蛍光体を励起するのに十分なエネルギを有する光
子によって衝突されると、異なる色の光を生成する。板
は基板に隣接して取り付けられ、板の別個領域内の蛍光
体が各々、基板から離間された面内の別個領域の1つに
位置付けられる。
【0011】
【実施例】具体的に図1を参照すると、***状(ridge t
ype)発光ダイオード(LED)15が示されている。L
ED15は基板16と、その上に形成されたバッファ層
(buffer layer)17とを含む。第1導電型の第1オーム
層18がバッファ層17上に位置付けられ、更に第1導
電型の第1クラッディング層(cladding layer)19が第
1オーム層(ohmic layer)18上に位置付けられてい
る。1つ以上の量子井戸(quantum well)を含む活性層
が、クラッディング層19上に位置付けられ、第2導電
型の第2クラッディング層21が活性層20上に位置付
けられている。第2オーム層22が第2クラッディング
層21上に位置付けられ、発光表面即ちLED15の領
域を規定する。
【0012】電気接点23が第2オーム層22上に形成
されている。電気接点23は、被覆せずに発光領域を取
り囲むようにパターニングするか、或いは光学的に透明
な物質(例えば、ITO)を用い放出光がそれを通過で
きるようにしてもよい。第2電気接点24が、基板16
の裏面または図1に示すように上面上に位置付けられ
る。図1の特定実施例では、基板16は半絶縁性(semi-
insalating)であり、層18,19,20の一部をエッ
チング或いは除去し、第2電気接点24が第1オーム層
18に接触して形成できるようにする。この特定実施例
では、接点23はp−型接点であり、接点24はダイオ
ードの対向側にあるn−型接点である。公知のように、
電気接点23,24間に適切な電流を印加することによ
り、活性領域20を活性化し、オーム層22の上表面内
の放出領域を通過して、特定波長の光が放出される。
【0013】基板16およびその上に形成される種々の
層は比較的大きな領域(例えば、半導体ウエハ等)を有
し、その上には通常数千個ものLEDが所定の配列で形
成される。層21,22をエッチングするか、或いは物
質を除去し、1つまたは複数のアレイ内の各LEDを他
のLED全てから分離する。
【0014】特定例として、本実施例では、基板16を
全体的に、炭化シリコン(SiC)、サファイア、または酸化
鉛(ZnO)で形成する。バッファ層17を、低温窒化アル
ミニウム(AlN)または窒化ガリウム(GaN)で形成する。第
1オーム層18をn−型GaNで形成し、第1クラッデ
ィング層19をn−型窒化アルミニウム・ガリウム(AlG
aN)で形成する。活性層20を窒化インジウム・ガリウ
ム・アルミニウム(InGaAlN)で形成し、数個の量子井戸
を含ませる。第2クラッディング層21をp−型AlG
aNで形成し、第2オーム層22をp−型GaNで形成
する。種々の層17−22は、当技術では公知のMOC
VDのようなエピタキシャル技法を用いて、基板16上
にエピタキシャル成長させるものである。LED15は
波長が約450nmの光(青色)を放出する。この放出
波長は、バンドギャップ機構を用いていくらかの増減が
可能であり、約380nmないし520nmの範囲の放
出波長を得ることができる。
【0015】LED15は、新たな材料および半導体技
術によって基板上に製造される効率の高いダイオードで
あり、これまでよりも多くの熱を運び去ることができる
ので、より効率的な動作を可能とする。現行のGaN
LEDは約15mAおよび1mW以上のパワーを発生す
ることができ、より具体的には、LED15は約40m
Aおよび2mWの出力パワー(output power)を有する青
色を生成する。この出力パワーは、約11ルーメン/ワ
ットの出力に変換される。
【0016】第2タイプのLEDを図2に示す。これ
は、一般的にプレーナ型LEDと呼ばれているものであ
る。このタイプでは、チップ上の隣接するLED間のL
ED分離は、高抵抗、または反対の導電型の領域25を
上側層に打ち込むことによって達成される。全体的に環
状に形成される高抵抗領域25は、領域25内の中央部
(central region)に電流の流れを制限し、中央部を周囲
の物質全てから効果的に分離するものである。このタイ
プのLEDの利点は、上表面が平面状であり、これを用
いれば、平面化層を設ける工程を付加することなく、そ
の上に追加される構造を容易に支持することができると
いう事実である。
【0017】LEDから放出される光は通常ランバーテ
ィアン(Lambertian)(即ち、通常半球状に放射される)
であるので、隣接するLED間のクロストークを防止或
いは低減する光分離部が提供されるという利点がある。
通常、クロストークが起こるのは、1つのLEDからの
光が他のLEDに入射するとき、または他のLEDの放
出領域から放出されるように見えるときである。光分離
部を設ける1つの方法は、チップまたはウエハの上表面
上に、各LEDの発光領域を包囲し光を所望の方向に向
ける、***部27を形成することである。場合によって
は、光吸収材料で***部27を形成し、反射やその結果
生じるクロストークを更に防止または低減することがで
きる。例えば、LEDが赤い光を放出するときは、赤い
光を吸収するゲルマニウムで***部27を作る。
【0018】蛍光体は、非常に明るい光を非常に多種類
の色で生成することができる。通常、蛍光体を励起する
ためには、これらに高エネルギ電子または高エネルギ光
子を衝突させなければならない。例えば、全色画像を発
生することができる陰極線管(CRT)を製造すること
は一般的であるが、CRTの面板(faceplate)上の蛍光
体を励起するのに十分なエネルギを有する電子流を生成
するには、CRTは大量の電力および過度に高い電圧を
必要とする。
【0019】CRT内の電子銃を半導体レーザで置き換
える示唆がいくつかなされたが、公知の従来技術のLE
Dは、全てが蛍光体を励起するのに十分なエネルギを有
する光を生成する訳ではない。上述のGaN LEDの
高い効率のために、そして放出光の波長のために、放出
される光子(光)は、蛍光体を励起しかつ二次的な放出
(secondary emission)を行うのに十分高いエネルギを有
する。図4のグラフに示すように、ここで用いられる典
型的な蛍光体は、波長が450nmの光子を含む光子
(曲線28)を吸収し、異なる波長の光子を放出する
(曲線29)。本例では、緑色の蛍光体は450nmの
波長の光子(青色光)を吸収し、550nmの光子(緑
色光)を放出する。典型的に、変換率は50%〜100
%である。即ち、450nmの光子が1つ吸収される
と、その結果550nmの光子1つが放出される。
【0020】具体的に図5を参照すると、図2に示した
アレイに類似したLEDアレイが示されている。LED
アレイの一部を分解し、3つのLED40,41,42
のみを図示することによって、この説明を簡略化するこ
とにする。LED40,41,42が基板45上に形成
され、バッファ層がその一部として(または、用途によ
っては、その上の付加層として)形成され、更に、第1
オーム層46、第1クラッディング層47、活性領域5
0、第2クラッディング層52、および第2オーム層5
3がその上に連続的に形成されている。高抵抗領域55
が第2オーム層53内に注入して形成され、LED4
0,41,42を互いに分離すると共に、アレイ内の他
のLEDからも分離する。また、物質層57が第2オー
ム層53の上表面上に位置付けられ、パターニングによ
って***部が形成されている。***部は、光を外側に
(図5の上方向に)向け、隣接するLEDから遠ざける
ように作用する。
【0021】全体的にLEDアレイとは離間された関係
で、板60が基板45に並んで(adjacent)位置付けら
れ、複数の個別領域(separate area)61,62,63
がその上に規定されている。板60は、ガラス、プラス
チック、水晶等のような光学的に透明な物質で形成され
る。更に、板60の配置は、LEDアレイの各LED、
具体的に本実施例では、LED40,41,42から放
出される光(矢印65で表される)が、板60の複数の
個別領域の異なる1つにそれぞれ入射するように決めら
れている。複数の異なる蛍光体67,68が、板60の
複数の個別領域61,62の異なる1つに個別的に(ind
ividually)取り付けられ、それぞれ複数の発光ダイオー
ド40,41の異なる1つからの光が衝突するように位
置付けられる。異なる蛍光体67,68は各々、LED
40,41からの光がそれぞれ衝突すると、異なる色の
光を生成する。
【0022】この特定実施例では、蛍光体67はLED
からの光子に適切に付勢されると、緑色光を放出するよ
うに選択され、蛍光体68はLED41からの光子によ
って適切に付勢されると、赤色光を放出するように選択
される。LED40,41,42は、青色光を放出する
ように構成されているので、板60の領域63は、青色
光が直接通過するように、単に透明のままである。青色
光を生成するには変換(conversion)即ち二次放出が不要
なので、用途によってはLED40,41をLED42
より幾分大きく作る(図5に示すように)ことによっ
て、板60の上表面から最終的に放出される光が、各領
域61,62,63においてほぼ同一にすることも好都
合である。
【0023】図6に多少異なる実施例を示す。ここで
は、光学的に透明な板60を、多孔性ガラス(porous gl
ass)、バイカー・メイス(vycor mace)等で置き換えてい
る。他の素子は、図5に関連して述べたものと基本的に
同一であるので、ここではこれ以上論じないことにす
る。この特定実施例では、多孔性板70に複数の領域7
1,72,73を規定し、複数の有機性色素(organic d
yes)を選択し、例えば、緑色の色素を領域71に配し、
赤色の色素を領域72に配する。ここでも、領域73に
は色素を用いず透明な状態のままなので、対応するLE
Dからの青色光は、変換を受けずに、それを直接通過す
ることに注意されたい。本開示のために、有機性色素お
よび光子が入射することによって励起され発光を行う他
の全物質は、「蛍光体」の定義に含まれると考えること
とする。
【0024】他の異なる実施例を図7に示す。ここで
は、板60が単純に除去され、複数の蛍光体物質75,
76が各LEDの表面上に直接配されている(青色光を
放出させるための1つを除く)。残りの素子は、図5に
関連して述べたものと基本的に同一であるので、ここで
はこれ以上論じないことにする。本実施例は、素子の数
が少なくて済むという利点があり、より安価にそして簡
単に製造することができる。
【0025】上述の各実施例では、LEDアレイは、そ
の上に画像を形成するように個別に指定できるように(a
ddressable)、全体的に行および列状に配列されてい
る。また、全色画像を形成するために、画像の各画素は
それぞれ三原色の1つ(即ち、赤、緑および青)に対応
する3つのLEDを含む。色に多少の変更を加えたり、
用途によっては2色のみを用いても、実質的に全色が得
られることは、勿論理解されよう。図8を参照すると、
LEDアレイを全色画素に配列する1つの可能性が示さ
れている。一例として4つの全色画素が示されており、
LEDにはR,G,Bと表記して、それぞれ赤、緑およ
び青を示している。種々のLEDへの電気接続が、正確
な機能および画素の配列を決定することは理解されよ
う。
【0026】図8に示すLEDアレイは、LEDとその
間の間隔の大体の寸法も示している。例えば、この特定
実施例では、各LEDの直径Xの測定値は約20ミクロ
ンであり、中心から中心までの間隔Sは約40ミクロン
未満である。この程度の寸法と新たな多色の概念を利用
すれば、例えば、列および行当たり1000または20
00個のLEDを含む全色アレイは、比較的容易に製造
することができる。
【0027】図9を具体的に参照すると、本発明による
全色画像表示パッケージ90の拡大簡略断面図が示され
ている。パッケージ90は、先の説明にしたがって製造
され、たとえば図5または図6に示した構造に類似した
LEDアレイが形成された基板91を含む。支持用また
は実装用基板92を設けるが、これはたとえば駆動回路
等が形成されたシリコン集積回路(IC)でもよい。ま
た、支持用基板92は、その上表面上に相互接続回路9
3が形成され、基板91のLEDアレイを実装用基板9
2の集積回路に接続する。複数のC4型バンプ(C4 type
bump)またはエポキシ接着剤95を用いて、蛍光体領域
(通常、上述のような)を有する板96を基板91に並
んで取り付け、ダイオード・アレイによってそれらを照
射する。バンプ95は板96の縁部に図示されている
が、用途によっては、高めの***部57(図5参照)を
形成するか、或いはその上に実装用バンプを配置する方
が好都合である。以上のように、比較的製造および使用
が容易な、小型で便利な全色画像表示パッケージが開示
された。
【0028】図10を参照すると、本発明による全色画
像表示パッケージ100の他の実施例が示されている。
パッケージ100は、先の説明にしたがって製造され、
たとえば図5または図6に示した構造に類似したLED
アレイが形成された基板101を含む。支持用または実
装用基板102を設けるが、これはたとえば駆動回路等
が形成されたシリコン集積回路(IC)でもよい。支持
用基板102は、その上表面に凹部103が形成されて
おり、エポキシ、バンプ接合等のような都合の良い手段
によって、基板101がその中に取り付けられている。
また、支持用基板102は、その上表面上に相互接続回
路105が形成されており、基板101のLEDアレイ
を実装用基板102の集積回路に接続する。相互接続回
路は凹部103内に延在し、凹部内でバンプ接合によっ
てLEDアレイに接続することができる。或いは、ワイ
ヤ・ボンディングによって、または基板101を正しく
位置付けした後に接続部を形成することによって、基板
101の上表面上の接点に直接接続することもできる。
【0029】蛍光体載置板(phosphor carrying plate)
110が、基板101に隣接し、その上のLEDアレイ
を覆う関係で取り付けられている。1つ以上のレンズ1
15が板110に隣接して取り付けられ、LEDアレイ
によって形成される画像を、操作者が十分認知または理
解できる程度に拡大する。本実施例は図7に示した構造
を組み込むことができ、この場合プレート110を除去
し、レンズ115を単にLEDアレイ上に配すればよい
ことは理解されよう。レンズ115はパッケージ100
内に含まれているので、携帯用通信装置(たとえば、電
話機、ページャ、双方向無線機、セルラ電話機等)、デ
ータ・バンク、小型テレビジョン等のような電子装置
に、パッケージ全体を単純にかつ効率的に組み込むこと
ができる。
【0030】以上、画像表示装置およびその製造方法の
実施例をいくつか開示した。具体的には、単一色LED
を利用し全色LEDアレイを生成する、非常に簡素化し
た装置が開示された。単一色LEDを利用して複数の有
色蛍光体を励起することができるという事実によって、
製造プロセスを大幅に簡素化することができる。また、
過度に複雑で大きな電子ビーム発生器またはレーザを必
要とせず、LEDを利用して複数の有色蛍光体を励起す
ることができるという事実により、更に製造プロセスを
簡素化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】***状即ちメサ型発光ダイオードの高拡大簡略
断面図。
【図2】プレーナ型発光ダイオードの高拡大簡略断面
図。
【図3】分離用吸収層を利用した発光ダイオードの高拡
大簡略断面図。
【図4】蛍光体における吸収と放出との関係を表わすグ
ラフ。
【図5】本発明による全色画像表示装置の一実施例の一
部を取り出して示す、高拡大簡略断面図。
【図6】本発明による全色画像表示装置の他の実施例の
一部を取り出して示す、高拡大簡略断面図。
【図7】本発明による全色画像表示装置の更に他の実施
例の一部を取り出して示す、高拡大簡略断面図。
【図8】図7の画像表示装置の一部を取り出して示す、
高拡大上面図。
【図9】本発明による全色画像表示パッケージの拡大簡
略断面図。
【図10】本発明による全色画像表示パッケージにレン
ズ系を組み込んだ、他の実施例の拡大簡略斜視図。
【符号の説明】
15 発光ダイオード(LED) 16 基板 17 バッファ層 18 第1オーム層 19 第1クラッディング層 20 活性層 21 第2クラッディング層 23,24 電気接点 25 高抵抗領域 27 ***部 40,41,42 LED 46 第1オーム層 47 第1クラッディング層 50 活性領域 52 第2クラッディング層 53 第2オーム層 55 高抵抗領域 57 物質層 60 板 61,62,63 別個領域 67,68 蛍光体 90 全色画像表示パッケージ 91 基板 92 実装用基板 95 エポキシ接着剤 96 板 100 全色画像表示パッケージ 101 基板 102 実装用基板 103 凹部 105 相互接続回路 110 蛍光体載置板 115 レンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル・エス・レビー アメリカ合衆国アリゾナ州アパチェ・ジャ ンクション、ノース・ラバージ・ロード30 (72)発明者 ロナルド・オー・ピーターセン アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 イースト・マウンテン・セイジ・ドライブ 778

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】全色画像表示装置であって:基板(4
    5);前記基板上に形成された複数の単色発光ダイオー
    ド(40,41,42);前記複数の発光ダイオードに
    関して個別に配置された複数の個別蛍光体(67,6
    8)であって、前記複数の発光ダイオードの各々から放
    出される光が前記複数の個別蛍光体の異なる1つに入射
    するように配置され、発光ダイオードから前記複数の個
    別蛍光体を励起するのに十分なエネルギを有する光子が
    衝突すると、各々異なる色の光を生成する前記蛍光体;
    から成り、 前記複数の発光ダイオードの各々は、適切に付勢される
    と、前記複数の個別蛍光体の1つを励起するのに十分な
    エネルギを有する光子を放出することを特徴とする表示
    装置。
  2. 【請求項2】全色画像表示装置であって:基板(4
    5);前記基板上に形成された複数の単色発光ダイオー
    ド(40,41,42);前記基板に並んで取り付けら
    れる光学的に透明な板(60)であって、当該板には複
    数の個別領域(61,62,63)が規定され更に、前
    記複数の発光ダイオードの各々によって放出される光
    が、前記板の前記複数の個別領域の異なる1つに入射す
    るように位置付けられた前記板;および前記板に個別的
    に取り付けられた複数の個別蛍光体(67,68)であ
    って、前記板の前記複数の個別領域の異なる1つ内に、
    前記複数の発光ダイオードの内異なる1つからの光が各
    々衝突するように位置付けられ、発光ダイオードからの
    光が衝突すると、異なる色の光を各々生成する前記蛍光
    体;から成ることを特徴とする表示装置。
  3. 【請求項3】全色画像表示装置であって:基板(4
    5);前記基板に並んで取り付けられる光学的に透明な
    板(60)であって、当該板には複数の領域(61,6
    2,63)が形成される板(60);前記板に個別的
    に、前記板の前記複数の個別領域の異なる1つ内に取り
    付けられた、複数の個別蛍光体(67,68)であっ
    て、発光ダイオードからの前記蛍光体を励起するのに十
    分なエネルギを有する光子が衝突すると、異なる色の光
    を各々生成する前記蛍光体;および前記基板上に形成さ
    れた複数の単一色発光ダイオード(40,41,42)
    であって、前記複数の発光ダイオードの各々によって放
    出される光子が、前記板の前記複数の個別領域上の異な
    る1つに入射するように位置付けられ、各々、適切に付
    勢されると、前記複数の異なる蛍光体を励起するのに十
    分なエネルギを有する光子を放出する前記複数の発光ダ
    イオード;から成ることを特徴とする表示装置。
  4. 【請求項4】全色画像表示装置の製造方法であって:基
    板(45)を用意する段階;前記基板上に発光ダイオー
    ド(40,41,42)を形成する段階であって、前記
    複数の発光ダイオードの各々によって放出される光子
    が、前記基板から離間された面内の複数の個別領域(6
    1,62,63)の異なる1つに向けられるように位置
    付け、各々、適切に付勢されると、蛍光体を励起して光
    を放出させるのに十分なエネルギを有する光子を放出す
    るように前記複数の発光ダイオードを形成する段階;複
    数の個別領域(61,62,63)を規定する光学的に
    透明な板(60)を用意する段階;複数の個別蛍光体
    (67,68)を、各々前記板の複数の個別領域の異な
    る1つに取り付ける段階であって、前記蛍光体を励起す
    るのに十分なエネルギを有する光子が衝突すると、個別
    蛍光体が異なる色の光を各々生成するように前記蛍光体
    を取り付ける段階;および前記基板に並んで前記板を配
    置し、前記板の個別領域内の蛍光体が各々、前記基板か
    ら離間された前記板内の個別領域の1つに位置付けられ
    るように取り付ける段階;から成ることを特徴とする方
    法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321906A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2000174346A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置
JP2000323756A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Asahi Rubber:Kk シート部材およびそれを用いた発光装置
JP2002531955A (ja) * 1998-11-30 2002-09-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 視感度の高い蛍光体による発光デバイス
US6614179B1 (en) 1996-07-29 2003-09-02 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device with blue light LED and phosphor components
US7033865B2 (en) 2000-06-01 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermally conductive substrate, thermally conductive substrate manufacturing method and power module
US7058103B2 (en) 2002-08-23 2006-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus, phosphor, and method of producing it
JP2006308858A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Mitsubishi Chemicals Corp 表示装置
JP2007251193A (ja) * 2007-05-11 2007-09-27 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
US20090140630A1 (en) 2005-03-18 2009-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
JP2012060165A (ja) * 2011-12-14 2012-03-22 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光装置
US8766298B2 (en) 2006-09-01 2014-07-01 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
CN111667777A (zh) * 2019-03-08 2020-09-15 夏普株式会社 图像显示元件

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196800B2 (en) 1996-06-26 2015-11-24 Osram Gmbh Light-radiating semiconductor component with a luminescence conversion element
US6614179B1 (en) 1996-07-29 2003-09-02 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device with blue light LED and phosphor components
US9130130B2 (en) 1996-07-29 2015-09-08 Nichia Corporation Light emitting device and display comprising a plurality of light emitting components on mount
JPH10321906A (ja) * 1997-05-16 1998-12-04 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2002531955A (ja) * 1998-11-30 2002-09-24 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 視感度の高い蛍光体による発光デバイス
JP2000174346A (ja) * 1998-12-01 2000-06-23 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置
JP2000323756A (ja) * 1999-05-14 2000-11-24 Asahi Rubber:Kk シート部材およびそれを用いた発光装置
JP4606530B2 (ja) * 1999-05-14 2011-01-05 株式会社朝日ラバー シート部材およびそれを用いた発光装置
US7033865B2 (en) 2000-06-01 2006-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thermally conductive substrate, thermally conductive substrate manufacturing method and power module
US7700001B2 (en) 2002-08-23 2010-04-20 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus, phosphor and method of producing it
US8287760B2 (en) 2002-08-23 2012-10-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus, phosphorescent portion, and method of producing the same
US7058103B2 (en) 2002-08-23 2006-06-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus, phosphor, and method of producing it
US20090140630A1 (en) 2005-03-18 2009-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
US8269410B2 (en) 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
US9028718B2 (en) 2005-03-18 2015-05-12 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
JP2006308858A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Mitsubishi Chemicals Corp 表示装置
US8766298B2 (en) 2006-09-01 2014-07-01 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
JP2007251193A (ja) * 2007-05-11 2007-09-27 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置
JP2012060165A (ja) * 2011-12-14 2012-03-22 Sony Corp 半導体発光素子、半導体発光素子の製造方法、及び半導体発光装置
CN111667777A (zh) * 2019-03-08 2020-09-15 夏普株式会社 图像显示元件

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