JP6653665B2 - 半導体画素、このような画素のマトリクス、このような画素を製造するための半導体構造、およびそれらの製作方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009396 hybridization Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Led Devices (AREA)
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Description
−簡単なやり方で無機半導体(したがって、潜在的に高光度を有する)から製造され得、例えば10μm以下の横方向サイズまで小型化され得る半導体画素構造、
−スクリーン、プロジェクタまたは点燈装置において使用され得るこのような画素のマトリクス、
−このような画素または画素のマトリクスを製造するために使用され得るモノリシック半導体構造、および
−このような画素または画素のマトリクスを製作する方法、を獲得することを目的とする。
−それぞれの前記副画素は、電流が通されると第1の波長の光を発射するように構成された第1の活性層を含み、
−少なくとも1つの前記副画素(第1の副画素と称される)はまた、電流が流され得るように前記第1の活性層の両側に配置された第1と第2の電極を含み、
−前記副画素のうちの別の副画素(第2の副画素と称される)はまた、前記第1の波長より長い第2の波長の光を発射するように構成された第2の活性層を含み、
−前記副画素のうちの別の副画素(第3の副画素と称される)はまた、前記第1の波長より長くかつ前記第2の波長と異なる第3の波長の光を発射するように構成された第3の活性層を含み、
前記第2と第3の活性層の少なくとも1つは、同じ副画素の前記第1の活性層により発射された第1の波長の光により励起されると前記光を発射するように構成され、前記画素は、
前記第1の活性層は前記第2の波長に対して少なくとも部分的に透明であり得、前記第2の副画素の前記第2の活性層は前記第1の活性層の第1の側に配置され、電流が横切ると前記第2の波長の前記光を発射するように構成され、前記第2の副画素はまた、電流が前記第1の活性層を通ることなく前記第2の活性層を通れるように前記第2の活性層の両側に配置された第3および第4の電極を含み、前記第3の副画素の前記第3の活性層は、前記第1の側と反対の前記第1の活性層の第2の側に配置され、前記第3の副画素の前記第1の活性層により発射された第1の波長の光により励起されると、前記第3の波長の前記光を発射するように構成され、前記第3の副画素はまた、電流が流され得るように前記第1の活性層の両側に配置された第5と第6の電極を含むことを特徴とする。
−前記第1の波長は可視スペクトルの青色部分に、前記第2の波長はその赤色部分に前記第3の波長はその緑色部分に属し得る。
−変形形態として、前記第1の波長は可視スペクトルの青色部分に、前記第2の波長はその緑色部分に前記第3の波長はその赤色部分に属し得る。
−このような画素はモノリシック構造を呈示し得る。代替的に、このような画素は、次に追加される前記第3の活性層を除きモノリシック構造を呈示し得る。
−前記活性層は(Al,Ga,In)Nに基づき製造され得る。
−前記副画素の前記第1の活性層は同じ組成および同じ構造の同一平面上にあり得る。
a)上述のような半導体構造を獲得する工程と、
b)少なくとも前記第1と第2の活性層を貫通するエッチングにより、それぞれの副画素を形成するように意図された第1、第2、および第3のパッドを画定するように前記構造をエッチングする工程と、
c)前記第2の活性層を除去するように前記第2のパッドではなく前記第1のパッドと前記第3のパッドをエッチングする工程と、
d)前記第3の前記第2の活性層の両側に位置する一対の電気的コンタクトと前記第1と第2のパッドの前記第1の活性層の両側に位置する二対の電気的コンタクトとを製造する工程と、
e)前記基板を除去する工程と、
f)前記第3のパッドではなく前記第1と第2のパッドに対応する前記第3の活性層を除去するように構造をエッチングする工程とを含む。
a’)第1の波長と称する波長の光を発射するように構成された第1の活性層と称するエレクトロルミネセンス層を含む発光ダイオードを形成する半導体層の第1のサブセットと、前記第1の波長より長い第2の波長と称する波長の光を発射するように構成された第2の活性層(52’)と称するエレクトロルミネセンス層を含む発光ダイオードを形成する半導体層の第2のサブセットとを含む半導体構造を獲得する工程と、
b)前記第1と第2の活性層を貫通するエッチングにより、それぞれの副画素を形成するように意図された第1、第2、および第3のパッドを画定するように前記構造をエッチングする工程と、
c)前記第2の活性層を除去するように前記第2のパッドではなく前記第1のパッドと前記第3のパッドをエッチングする工程と、
d)前記第3の前記第2の活性層の両側に位置する一対の電気的コンタクトと前記第1と第2のパッドの前記第1の活性層の両側に位置する二対の電気的コンタクトとを製造する工程と、
e)前記基板を除去する工程と、
f’)前記基板の代わりに、前記第1の波長の光により励起されると第3の波長の光を発射するように構成された第3の活性層と称するフォトルミネセンス層を追加し、次に、前記第1と第2のパッドに対応する前記第3の活性層をエッチングすることにより除去する工程、または、前記第1と第2のパッドを除いて前記第3パッドに対応する前記第3の活性層を追加する工程のいずれかの工程とを含む。
−「光」または「発光放射」により380〜780nmの波長の電磁放射、
−「青色光」または「青色放射」により380〜490nmの波長、好適には430nm〜470nmの波長の電磁放射、
−「緑色光」または「緑色放射」により500nm〜560nmの波長、好適には510nm〜530nmの波長の電磁放射、
−「赤色光」または「赤色放射」により600〜780nmの波長、好適には610nm〜640nmの波長の電磁放射、
−「部分的透明層」により、25%以上、有利には50%以上、好適には75%以上、さらにより好適なやり方では90%以上、または実に95%以上の透過率を呈示する層であることを理解する。
−例えばサファイアで作られた基板1、この基板は製作方法の過程で削除されることになり、結局、構造を構成する他の層のエピタキシャル成長を可能にするという条件で、その性質は、ほとんど重要ではないものである。したがってサファイアの代わりに例えばSi、SiCまたはZnOで作られた基板を使用することが可能だろう。
−電気伝導機能だけを有する例えば2μmに等しい厚さのタイプnドープGaNの層21と、量子井戸(Ga,In)N/(Al,Ga,In)Nの積層を含みまたタイプnのドープを呈示するまたは意図的にドープされていなくかつ青色光放射により励起されると緑色光放射を発射することができる「活性」(すなわち発光)層22とを順番に含む半導体層2の第1のサブセット。活性層は例えば50In0.25Ga0.75N(2nm)/GaN(10nm)周期を含み得る。
−発光ダイオードを形成する半導体層3の第2のサブセットであって、nドープGaNの層31(1μm)を含み、nドープのまたは意図的にドープされなくかつ電気的に励起されると青色放射を発射することができる量子井戸(Ga,In)N/(Al,Ga,In)Nの積層(例えば5In0.15Ga0.85N(2nm)/GaN(10nm)周期を含む)を含む「活性」層32と、pn接合を形成するようにpドープGaNの別の層33(例えば200nmに等しい厚さの)とを含む半導体層3の第2のサブセット。
−トンネル接合4(例えば50nmに等しい厚さのp++/n++)。
−発光ダイオードを形成する半導体層5の第3のサブセットであって、nドープGaN(1μm)の層51と、nドープのまたは意図的にドープされなくかつ電気的に励起されると赤色放射を発射することができる量子井戸(Ga,In)N/(Al,Ga,In)Nの積層(例えば5In0.40Ga0.60N(2nm)/GaN(10nm)周期を含む)を含む「活性」層52と、pn接合とp++ドープコンタクト層54(20nm)とを形成するようにpドープGaN(200nm)の別の層53とを含む半導体層5の第3のサブセット。トンネル接合4は、ダイオード3、5が順バイアスされると逆バイアスされるであろう寄生pn接合を層33、51が形成するのを妨げ得るようにするということに注意されたい。原理的には、トンネル接合を使用しないように構造を修正することが可能だろうが、これは、pドープ層上でエッチング工程を停止することを強制させるであろう。これは技術的理由のために望ましくない。
−深さという意味で層31まで延びる2つの溝S1、S2により分離されたそれぞれの副画素を形成するように意図された3つのパッドP1、P2、P3を画定する第1のエッチング工程であって、同じ深さの第3の溝S3はパッドP3の側でエッチングされる、工程。これらの溝が少なくとも活性層32、52を貫通することは重要であるが、基板に至るまでの構造全体を貫通しない。
−層52、53、54と、層51の一部と、パッドP1、P3とを除去してパッドP2の層52のレベルに「階段」を作製する第2のエッチング工程。
−溝S2、S3の底部のおよび前述の「階段」上のパッドP1、P2、P3の頂点に電気的コンタクトを作製する金属堆積工程。これらの電気的コンタクトは参照子C11、C12、C21、C22、C31、C32により識別される。
Claims (10)
- それぞれが半導体層の積層を含む互いに並んで配置された少なくとも3つの副画素(P1,P2,P3;P1’,P2’,P3’;P1”,P2”,P3”)を含む画素であって、
−前記それぞれの副画素は電流が通されると、第1の波長(λ1)の光を発射するように構成された第1の活性層(32,360)を含み、
−第1の副画素(P1,P1’,P1”)と称される少なくとも1つの前記副画素はまた、電流が通り得るように前記第1の活性層の上側と下側に配置された第1の電極(C11)と第2の電極(C12)とを含み、
−前記副画素のうちの第2の副画素(P2,P2’,P2”)と称される別の副画素はまた、前記第1の波長より長い第2の波長(λ2)の光を発射するように構成された第2の活性層(52,52’)を含み、
−前記副画素のうちの第3の副画素(P3,P3’,P3”)と称される別の副画素はまた、前記第1の波長より長くかつ前記第2の波長と異なる第3の波長(λ3)の光を発射するように構成された第3の活性層(22,6,320)を含み、
前記第2と第3の活性層の少なくとも1つは、対応する副画素の前記第1の活性層により発射された前記第1の波長の光により励起されると光を発射するように構成され、前記画素は、
−前記副画素が、2つの溝(S1、S2)によって分離され、第3の溝(S3)が、前記第3の副画素の側でエッチングされ、前記3つの溝は、少なくとも第1および第2の活性層を貫通し、
−前記第1の活性層(32)は前記第2の波長(λ2)に対して少なくとも部分的に透明であり、
−前記第2の副画素の前記第2の活性層(52,52’)は前記第1の活性層の第1の側に配置され、電流が横切ると前記第2の波長(λ2)の前記光を発射するように構成され、
前記第2の副画素はまた、電流が前記第1の活性層を通ることなく前記第2の活性層を通り得るように前記第2の活性層の上側と下側に配置された第3の電極(C21)と第4の電極(C22)とを含み、
−前記第3の副画素の前記第3の活性層(22,6)は、前記第1の側と反対の前記第1の活性層の第2の側に配置され、前記第3の副画素の前記第1の活性層により発射された第1の波長の光により励起されると、前記第3の波長(λ3)の前記光を発射するように構成され、前記第3の副画素はまた、電流が通り得るように前記第1の活性層の上側と下側に配置された第5の電極(C31)と第6の電極(C32)とを含むことを特徴とする、画素。 - 前記第1の波長は可視スペクトルの青色部分に、前記第2の波長はその赤色部分に前記第3の波長はその緑色部分に属する、請求項1に記載の画素。
- 前記第1の波長は可視スペクトルの青色部分に、前記第2の波長はその緑色部分に前記第3の波長はその赤色部分に属する、請求項1に記載の画素。
- モノリシック構造を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の画素。
- 追加される前記第3の活性層(6)を除きモノリシック構造を備える請求項3に記載の画素。
- 前記活性層は(Al,Ga,In)N族の材料を使用して製造される、請求項1から5のいずれか一項に記載の画素。
- 前記第1、第2および第3の副画素の前記第1の活性層は、同じ組成および同じ構造の同一平面である、請求項1から6のいずれか一項に記載の画素。
- 前記第1、第2および第3の副画素の制御回路を担持するホスト基板(7)上にハイブリッド化された画素のマトリクスにおいて、前記第2および第3の活性層はそれぞれ前記ホスト基板に最も近いおよびそれから最も遠い活性層である、請求項1から7のいずれか一項に記載の画素を複数含む画素のマトリクス。
- 請求項1から3のいずれか一項に記載の画素を製作する方法であって、
a)基板(1)上に堆積された半導体のエピタキシャル層の積層を含む半導体構造を獲得する工程であって、前記積層は、前記基板から始まり、
−第3の波長(λ 3 )と称する波長の光を発射するように構成された第3の活性層と称する少なくとも1つのフォトルミネセンス層(22)を含む同一タイプのドーピングを呈示する半導体層(2)の第1のサブセットを含み、次に、
−第1の波長(λ 1 )と称する波長の光を発射するように構成された第1の活性層と称するエレクトロルミネセンス層(32)を含む発光ダイオードを形成する半導体層(3)の第2のサブセットを含み、次に、
−第2の波長(λ 2 )と称する波長の光を発射するように構成された第2の活性層と称するエレクトロルミネセンス層(52)を含む発光ダイオードを形成する半導体層(5)の第3のサブセットを含み、
前記第1、第2および第3の波長は互いに異なり、前記第1の波長は前記第2と第3の波長より短い、工程と、
b)少なくとも前記第1と第2の活性層を貫通するエッチングにより、それぞれの副画素を形成するように意図された第1のパッド(P1)、第2のパッド(P2)、および第3のパッド(P3)を画定するように前記構造をエッチングする工程であって、前記第1、第2および第3のパッドは、それぞれ、前記第1、第2および第3の副画素に対応する、工程と、
c)前記第2の活性層を除去するように前記第2のパッドではなく前記第1のパッドと前記第3のパッドをエッチングする工程と、
d)前記第2のパッドの前記第2の活性層の上側と下側に位置する一対の電気的コンタクト(C 21 ,C 22 )と前記第1と第3のパッドの前記第1の活性層の上側と下側に位置する二対の電気的コンタクト(C11,C12;C 31 ,C 32 )を製造する工程と、
e)前記基板を除去する工程と、
f)前記第3のパッドではなく前記第1と第2のパッドに対応する前記第3の活性層を除去するように構造をエッチングする工程とを含む、方法。 - 請求項5に記載の画素を製作する方法であって、
a’)第1の波長と称する波長の光を発射するように構成された第1の活性層(32)と称するエレクトロルミネセンス層を含む発光ダイオードを形成する半導体層の第1のサブセット(3’)と、前記第1の波長より長い第2の波長と称する波長の光を発射するように構成された第2の活性層(52’)と称するエレクトロルミネセンス層を含む発光ダイオードを形成する半導体層の第2のサブセット(5’)とを含む半導体構造を獲得する工程と、
b)前記第1と第2の活性層を貫通するエッチングにより、それぞれの副画素を形成するように意図された第1のパッド(P1’)、第2のパッド(P2’)、および第3のパッド(P3’)を画定するように前記構造をエッチングする工程であって、前記第1、第2および第3のパッドは、それぞれ、前記第1、第2および第3の副画素に対応する、工程と、
c)前記第2の活性層を除去するように前記第2のパッドではなく前記第1のパッドと前記第3のパッドをエッチングする工程と、
d)前記第2のパッドの前記第2の活性層の上側と下側に位置する一対の電気的コンタクト(C21,C22)と前記第1と第3のパッドの前記第1の活性層の上側と下側に位置する二対の電気的コンタクト(C11,C12;C31,C32)を製造する工程と、
e)前記基板を除去する工程と、
f’)前記基板の代わりに、前記第1の波長の光により励起されると第3の波長の光を発射するように構成された第3の活性層と称するフォトルミネセンス層を追加し、次に、前記第1と第2のパッドに対応する前記第3の活性層をエッチングすることにより除去する工程、または、前記第1と第2のパッドを除いて前記第3パッドに対応する前記第3の活性層を追加する工程のいずれかの工程とを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1452876 | 2014-04-01 | ||
FR1452876A FR3019380B1 (fr) | 2014-04-01 | 2014-04-01 | Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la realisation de tels pixels et leurs procedes de fabrication |
PCT/EP2015/056779 WO2015150281A1 (fr) | 2014-04-01 | 2015-03-27 | Pixel semiconducteur, matrice de tels pixels, structure semiconductrice pour la realisation de tels pixels et leurs procedes de fabrication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017513225A JP2017513225A (ja) | 2017-05-25 |
JP6653665B2 true JP6653665B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=51982641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016560409A Active JP6653665B2 (ja) | 2014-04-01 | 2015-03-27 | 半導体画素、このような画素のマトリクス、このような画素を製造するための半導体構造、およびそれらの製作方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10103195B2 (ja) |
EP (1) | EP3127159B1 (ja) |
JP (1) | JP6653665B2 (ja) |
KR (1) | KR102413460B1 (ja) |
FR (1) | FR3019380B1 (ja) |
WO (1) | WO2015150281A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230093340A (ko) * | 2020-11-12 | 2023-06-27 | 루미레즈 엘엘씨 | 식각 정지 층을 갖는 iii-질화물 다중 파장 led 어레이들 |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015115810A1 (de) | 2015-09-18 | 2017-03-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und 3D-Drucker |
FR3048817B1 (fr) | 2016-03-11 | 2018-06-15 | Valeo Comfort And Driving Assistance | Ecran et afficheur tete haute comprenant un tel ecran |
KR20180133436A (ko) * | 2016-05-04 | 2018-12-14 | 글로 에이비 | 상이한 색상의 led를 포함하는 일체형 다색 직시형 디스플레이와 이의 제조 방법 |
DE102017103883A1 (de) | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung zur Ausleuchtung und Aufzeichnung einer Szene |
FR3066045A1 (fr) * | 2017-05-02 | 2018-11-09 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Diode electroluminescente comprenant des couches de conversion en longueur d'onde |
FR3075468B1 (fr) * | 2017-12-19 | 2019-12-20 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de fabrication d'un dispositif optoelectronique par report d'une structure de conversion sur une structure d'emission |
US20190198709A1 (en) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | Lumileds Llc | Iii-nitride multi-color on wafer micro-led enabled by tunnel junctions |
FR3076080B1 (fr) * | 2017-12-27 | 2019-11-29 | Aledia | Pseudo-substrat pour dispositif optoelectronique et son procede de fabrication |
CN110212064B (zh) * | 2018-02-28 | 2020-10-09 | 华为技术有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制备方法 |
KR102039992B1 (ko) * | 2018-02-28 | 2019-11-04 | 광주과학기술원 | 발광 다이오드 칩 및 이의 제조방법 |
DE102018107483A1 (de) * | 2018-03-28 | 2019-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement mit einer vielzahl von stegen und verfahren zur herstellung des optoelektronischen bauelements |
KR102592696B1 (ko) * | 2018-06-05 | 2023-10-24 | 삼성전자주식회사 | 다파장 광원 장치, 이를 포함하는 다기능 프로젝터 및 다기능 프로젝터를 포함하는 전자 장치 |
KR102579311B1 (ko) | 2018-07-13 | 2023-09-15 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 발광 소자의 제조 방법 및 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
US11621253B2 (en) * | 2018-11-02 | 2023-04-04 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device |
FR3089686B1 (fr) * | 2018-12-11 | 2020-11-13 | Aledia | Dispositif optoélectronique comportant des pixels émettant trois couleurs |
FR3091022B1 (fr) | 2018-12-20 | 2020-12-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de structures optoelectroniques pourvues de diodes electroluminescentes coplanaires |
KR102630680B1 (ko) * | 2019-05-02 | 2024-01-30 | 삼성전자주식회사 | Led 소자, led 소자의 제조 방법 및 led 소자를 포함하는 디스플레이 패널 |
JP7323783B2 (ja) | 2019-07-19 | 2023-08-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP7414419B2 (ja) * | 2019-07-30 | 2024-01-16 | キヤノン株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
GB2586580B (en) * | 2019-08-06 | 2022-01-12 | Plessey Semiconductors Ltd | LED array and method of forming a LED array |
US11798974B2 (en) * | 2019-09-27 | 2023-10-24 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting device for display and display apparatus having the same |
CN110896121B (zh) * | 2019-12-04 | 2021-09-07 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示面板 |
US11264530B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-03-01 | Lumileds Llc | Light emitting diode (LED) devices with nucleation layer |
US11211527B2 (en) | 2019-12-19 | 2021-12-28 | Lumileds Llc | Light emitting diode (LED) devices with high density textures |
US11923398B2 (en) * | 2019-12-23 | 2024-03-05 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
US11404473B2 (en) * | 2019-12-23 | 2022-08-02 | Lumileds Llc | III-nitride multi-wavelength LED arrays |
JP7149486B2 (ja) | 2020-04-21 | 2022-10-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP7333504B2 (ja) | 2020-11-16 | 2023-08-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
JP7300603B2 (ja) * | 2020-11-17 | 2023-06-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
CN112420885A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-02-26 | 福建兆元光电有限公司 | 一种集成式Micro LED芯片及其制造方法 |
US11476386B2 (en) * | 2020-12-16 | 2022-10-18 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
WO2023007178A1 (en) * | 2021-07-28 | 2023-02-02 | Poro Technologies Ltd | Led display device, method of controlling the same, and method of manufacturing a led display device |
TWI778790B (zh) * | 2021-09-15 | 2022-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
US20230369304A1 (en) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Pixel device and display apparatus having the same |
WO2024107371A1 (en) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Lumileds Llc | Light-emitting diode, light-emitting diode array and method of manufacturing a light-emitting diode die |
WO2024107372A1 (en) * | 2022-11-18 | 2024-05-23 | Lumileds Llc | Visualization system including direct and converted polychromatic led array |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02283079A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JPH07254732A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
JP3620877B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2005-02-16 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体平面発光素子 |
JP3341492B2 (ja) * | 1994-09-16 | 2002-11-05 | 豊田合成株式会社 | 3族窒化物半導体発光素子 |
US6542526B1 (en) * | 1996-10-30 | 2003-04-01 | Hitachi, Ltd. | Optical information processor and semiconductor light emitting device suitable for the same |
US5757139A (en) * | 1997-02-03 | 1998-05-26 | The Trustees Of Princeton University | Driving circuit for stacked organic light emitting devices |
JPH10261818A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Fujitsu Ltd | 発光半導体装置 |
JP3559446B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2004-09-02 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
WO2000021143A1 (de) * | 1998-10-05 | 2000-04-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Strahlungsemittierender halbleiterchip |
JP4044261B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2008-02-06 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
US6596079B1 (en) * | 2000-03-13 | 2003-07-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | III-V nitride substrate boule and method of making and using the same |
JP4047150B2 (ja) * | 2002-11-28 | 2008-02-13 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
CN1275337C (zh) * | 2003-09-17 | 2006-09-13 | 北京工大智源科技发展有限公司 | 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管 |
KR100970611B1 (ko) * | 2003-12-17 | 2010-07-15 | 우리엘에스티 주식회사 | 다수 파장의 광들을 방출하는 발광 다이오드 및 그의제조방법 |
DE102004004765A1 (de) * | 2004-01-29 | 2005-09-01 | Rwe Space Solar Power Gmbh | Aktive Zonen aufweisende Halbleiterstruktur |
US7361938B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-04-22 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Luminescent ceramic for a light emitting device |
DE102004052245A1 (de) * | 2004-06-30 | 2006-02-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem derartigen Halbleiterchip |
US20070170444A1 (en) * | 2004-07-07 | 2007-07-26 | Cao Group, Inc. | Integrated LED Chip to Emit Multiple Colors and Method of Manufacturing the Same |
US7402831B2 (en) * | 2004-12-09 | 2008-07-22 | 3M Innovative Properties Company | Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission |
US7045375B1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-05-16 | Au Optronics Corporation | White light emitting device and method of making same |
JP2007095844A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Oki Data Corp | 半導体発光複合装置 |
FR2898434B1 (fr) * | 2006-03-13 | 2008-05-23 | Centre Nat Rech Scient | Diode electroluminescente blanche monolithique |
KR101213487B1 (ko) * | 2006-12-04 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광추출효율이 향상된 유기전계 발광소자 |
JP2010525555A (ja) * | 2007-03-08 | 2010-07-22 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 発光素子のアレイ |
US20090001389A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Motorola, Inc. | Hybrid vertical cavity of multiple wavelength leds |
TWI397192B (zh) * | 2007-08-03 | 2013-05-21 | Au Optronics Corp | 白色發光二極體 |
US8058663B2 (en) * | 2007-09-26 | 2011-11-15 | Iii-N Technology, Inc. | Micro-emitter array based full-color micro-display |
US7623560B2 (en) * | 2007-09-27 | 2009-11-24 | Ostendo Technologies, Inc. | Quantum photonic imagers and methods of fabrication thereof |
DE112008003200A5 (de) * | 2007-09-28 | 2010-09-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper |
WO2009048425A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Agency For Science, Technology And Research | Fabrication of phosphor free red and white nitride-based leds |
US20110121319A1 (en) * | 2007-12-10 | 2011-05-26 | Haase Michael A | Semiconductor light emitting device and method of making same |
US7732803B2 (en) * | 2008-05-01 | 2010-06-08 | Bridgelux, Inc. | Light emitting device having stacked multiple LEDS |
JP2011523212A (ja) * | 2008-06-05 | 2011-08-04 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体波長変換器が接合された発光ダイオード |
JP5198972B2 (ja) * | 2008-08-11 | 2013-05-15 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
KR101154758B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2012-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지 |
KR20110099761A (ko) * | 2008-12-24 | 2011-09-08 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 양면 파장 변환기 및 이를 이용하는 광 발생 소자를 제조하는 방법 |
JP2012514329A (ja) * | 2008-12-24 | 2012-06-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 両方の側に波長変換器を有する光生成デバイス |
EP2433314A1 (en) * | 2009-04-20 | 2012-03-28 | 3M Innovative Properties Company | Non-radiatively pumped wavelength converter |
DE102010002966B4 (de) * | 2010-03-17 | 2020-07-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
US8604498B2 (en) * | 2010-03-26 | 2013-12-10 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Single phosphor layer photonic device for generating white light or color lights |
DE102011116232B4 (de) * | 2011-10-17 | 2020-04-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung |
US20130270514A1 (en) * | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Adam William Saxler | Low resistance bidirectional junctions in wide bandgap semiconductor materials |
FR3003402B1 (fr) * | 2013-03-14 | 2016-11-04 | Centre Nat Rech Scient | Dispositif monolithique emetteur de lumiere. |
-
2014
- 2014-04-01 FR FR1452876A patent/FR3019380B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-27 US US15/129,679 patent/US10103195B2/en active Active
- 2015-03-27 KR KR1020167029679A patent/KR102413460B1/ko active IP Right Grant
- 2015-03-27 JP JP2016560409A patent/JP6653665B2/ja active Active
- 2015-03-27 WO PCT/EP2015/056779 patent/WO2015150281A1/fr active Application Filing
- 2015-03-27 EP EP15741856.7A patent/EP3127159B1/fr active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230093340A (ko) * | 2020-11-12 | 2023-06-27 | 루미레즈 엘엘씨 | 식각 정지 층을 갖는 iii-질화물 다중 파장 led 어레이들 |
KR102590362B1 (ko) | 2020-11-12 | 2023-10-19 | 루미레즈 엘엘씨 | 식각 정지 층을 갖는 iii-질화물 다중 파장 led 어레이들 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102413460B1 (ko) | 2022-06-24 |
FR3019380A1 (fr) | 2015-10-02 |
EP3127159B1 (fr) | 2019-04-24 |
WO2015150281A1 (fr) | 2015-10-08 |
FR3019380B1 (fr) | 2017-09-01 |
US20170213868A1 (en) | 2017-07-27 |
US10103195B2 (en) | 2018-10-16 |
KR20160139004A (ko) | 2016-12-06 |
JP2017513225A (ja) | 2017-05-25 |
EP3127159A1 (fr) | 2017-02-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190108 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200128 |
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