JPH0837256A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0837256A JPH0837256A JP17385394A JP17385394A JPH0837256A JP H0837256 A JPH0837256 A JP H0837256A JP 17385394 A JP17385394 A JP 17385394A JP 17385394 A JP17385394 A JP 17385394A JP H0837256 A JPH0837256 A JP H0837256A
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- semiconductor chip
- package
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- semiconductor device
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】パッケージの形状、大きさを変更せずに放熱効
果を向上させた半導体装置を提供すること。 【構成】半導体装置１は、タブ３に搭載された半導体チ
ップ２と、外部導出リード５、半導体チップ２に設けら
れた電極パッド（図示せず）と外部導出リード５とを電
気的に接続するワイヤ４、及び半導体チップ２、インナ
ーリード、ワイヤ４を樹脂封止しているパッケージ６と
から構成され、半導体チップ２上には粒状または粉状の
放熱材７を設けている。放熱材７は、例えば金、銀、銅
等の金属粉末、あるいは酸化アルミニウムのような金属
酸化物、窒化珪素のような窒化物等、熱伝導率の高い物
質の粒または粉末を用いられている。この放熱材７は、
容器７ａに充填されており、容器ごと半導体チップの表
面に接着されている。容器７ａもまた、熱伝導率の高い
材料で形成されたものを用いる。容器７ａの封止部材と
しては、金属板８を用いている。
果を向上させた半導体装置を提供すること。 【構成】半導体装置１は、タブ３に搭載された半導体チ
ップ２と、外部導出リード５、半導体チップ２に設けら
れた電極パッド（図示せず）と外部導出リード５とを電
気的に接続するワイヤ４、及び半導体チップ２、インナ
ーリード、ワイヤ４を樹脂封止しているパッケージ６と
から構成され、半導体チップ２上には粒状または粉状の
放熱材７を設けている。放熱材７は、例えば金、銀、銅
等の金属粉末、あるいは酸化アルミニウムのような金属
酸化物、窒化珪素のような窒化物等、熱伝導率の高い物
質の粒または粉末を用いられている。この放熱材７は、
容器７ａに充填されており、容器ごと半導体チップの表
面に接着されている。容器７ａもまた、熱伝導率の高い
材料で形成されたものを用いる。容器７ａの封止部材と
しては、金属板８を用いている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造分野に関す
るものであり、特にパッケージング技術に利用して有効
なものである。
るものであり、特にパッケージング技術に利用して有効
なものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は年々高機能化されるにつ
れ、搭載されるデバイスが高速化、高周波化、高集積化
されており、それに伴い発熱量も多くなっているため、
パッケージもまた、低熱抵抗化されてきている。低熱抵
抗パッケージに関しては、例えば、特開平３−２１４７
６３号公報第１頁右欄第８行目乃至第１７行目に記載さ
れている。すなわち、モールド封入（樹脂封止型）のパ
ッケージでは、ＤＩＰタイプの放熱フィン付半導体集積
回路装置のリードフレームやＳＩＰタイプの放熱フィン
付リードフレームがあるが、モールド封入のフラットパ
ッケージやＳＯＰタイプのパッケージには、特に、露出
した放熱フィンのように構造的に熱をにがす技術が少な
い。
れ、搭載されるデバイスが高速化、高周波化、高集積化
されており、それに伴い発熱量も多くなっているため、
パッケージもまた、低熱抵抗化されてきている。低熱抵
抗パッケージに関しては、例えば、特開平３−２１４７
６３号公報第１頁右欄第８行目乃至第１７行目に記載さ
れている。すなわち、モールド封入（樹脂封止型）のパ
ッケージでは、ＤＩＰタイプの放熱フィン付半導体集積
回路装置のリードフレームやＳＩＰタイプの放熱フィン
付リードフレームがあるが、モールド封入のフラットパ
ッケージやＳＯＰタイプのパッケージには、特に、露出
した放熱フィンのように構造的に熱をにがす技術が少な
い。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記公報のように、半
導体パッケージにおいて、放熱手段が備えられたフラッ
トパッケージの発明は種々出願されているが、図６に示
すような放熱ピンや、図７に示すような放熱板内蔵型の
パッケージでは、放熱材料の形状や熱伝導率によりその
放熱効果が左右される。特に放熱材料の形状による放熱
効果は、その表面積によって大きく変わるが、現状の放
熱ピンや放熱板を内蔵したパッケージでは、その放熱材
の表面積が限られるため、放熱効果の大幅な向上には至
っていない。また、放熱板内蔵型は、封止用樹脂による
成形が難しいという欠点もある。
導体パッケージにおいて、放熱手段が備えられたフラッ
トパッケージの発明は種々出願されているが、図６に示
すような放熱ピンや、図７に示すような放熱板内蔵型の
パッケージでは、放熱材料の形状や熱伝導率によりその
放熱効果が左右される。特に放熱材料の形状による放熱
効果は、その表面積によって大きく変わるが、現状の放
熱ピンや放熱板を内蔵したパッケージでは、その放熱材
の表面積が限られるため、放熱効果の大幅な向上には至
っていない。また、放熱板内蔵型は、封止用樹脂による
成形が難しいという欠点もある。
【０００４】そこで本発明の目的は、パッケージの形
状、大きさを変更せずに放熱効果を向上させた半導体装
置を提供することにある。
状、大きさを変更せずに放熱効果を向上させた半導体装
置を提供することにある。
【０００５】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになる
であろう。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、半導体チップと、外部導出
用リードと、前記半導体チップの電極パッドと前記外部
導出用リードのインナーリードとを電気的に接続するワ
イヤと、前記半導体チップ、前記ワイヤ、及び前記イン
ナーリードを封止する樹脂封止体とから構成される半導
体装置であって、前記樹脂封止体中の前記半導体チップ
上には、粒状または粉状の放熱材を設けるものである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次
のとおりである。すなわち、半導体チップと、外部導出
用リードと、前記半導体チップの電極パッドと前記外部
導出用リードのインナーリードとを電気的に接続するワ
イヤと、前記半導体チップ、前記ワイヤ、及び前記イン
ナーリードを封止する樹脂封止体とから構成される半導
体装置であって、前記樹脂封止体中の前記半導体チップ
上には、粒状または粉状の放熱材を設けるものである。
【０００７】
【作用】半導体チップ上に、粒状または粉状の放熱材を
設けることにより、放熱材の粒子の表面が放熱面とな
り、多数の粒子によって放熱面積が大きなものとなる。
従って、パッケージ内で放熱材が占める領域を小さくし
ても、放熱面積が結果的に大きいため、放熱効果を大幅
に向上させることができる。
設けることにより、放熱材の粒子の表面が放熱面とな
り、多数の粒子によって放熱面積が大きなものとなる。
従って、パッケージ内で放熱材が占める領域を小さくし
ても、放熱面積が結果的に大きいため、放熱効果を大幅
に向上させることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明
する。図１（ａ）は、本発明の半導体装置の断面図、
（ｂ）は、その斜視図である。半導体装置１は、アウタ
ーリードがガルウイング状に成形され、４方向へ導出し
ているＱＦＰ（Quad Flat P-ackage）タイプの半導体装
置であり、タブ３に搭載された半導体チップ２と、外部
導出リード５、半導体チップ２に設けられた電極パッド
（図示せず）と外部導出リード５とを電気的に接続する
ワイヤ４、及び半導体チップ２、インナーリード、ワイ
ヤ４を樹脂封止しているパッケージ６とから構成され
る。本発明では、半導体チップ２上に粒状または粉状の
放熱材７を設けている。放熱材７は、例えば金、銀、銅
等の金属粉末、あるいは酸化アルミニウムのような金属
酸化物、窒化珪素のような窒化物等、熱伝導率の高い物
質の粒または粉末を用いられている。この放熱材７は、
容器７ａに充填されており、容器ごと半導体チップの表
面に接着されている。容器７ａもまた、熱伝導率の高い
材料で形成されたものを用いる。容器７ａの封止部材と
しては、金属板８を用いている。このような粒状または
粉状の放熱材を用いることにより、放熱材の粒子の表面
が放熱面となり、多数の粒子によって放熱面積が大きな
ものとなる。従って、パッケージ内で放熱材が占める領
域を小さくしても、放熱面積が結果的に大きくできるた
め、放熱効果を大幅に向上させることができる。
する。図１（ａ）は、本発明の半導体装置の断面図、
（ｂ）は、その斜視図である。半導体装置１は、アウタ
ーリードがガルウイング状に成形され、４方向へ導出し
ているＱＦＰ（Quad Flat P-ackage）タイプの半導体装
置であり、タブ３に搭載された半導体チップ２と、外部
導出リード５、半導体チップ２に設けられた電極パッド
（図示せず）と外部導出リード５とを電気的に接続する
ワイヤ４、及び半導体チップ２、インナーリード、ワイ
ヤ４を樹脂封止しているパッケージ６とから構成され
る。本発明では、半導体チップ２上に粒状または粉状の
放熱材７を設けている。放熱材７は、例えば金、銀、銅
等の金属粉末、あるいは酸化アルミニウムのような金属
酸化物、窒化珪素のような窒化物等、熱伝導率の高い物
質の粒または粉末を用いられている。この放熱材７は、
容器７ａに充填されており、容器ごと半導体チップの表
面に接着されている。容器７ａもまた、熱伝導率の高い
材料で形成されたものを用いる。容器７ａの封止部材と
しては、金属板８を用いている。このような粒状または
粉状の放熱材を用いることにより、放熱材の粒子の表面
が放熱面となり、多数の粒子によって放熱面積が大きな
ものとなる。従って、パッケージ内で放熱材が占める領
域を小さくしても、放熱面積が結果的に大きくできるた
め、放熱効果を大幅に向上させることができる。
【０００９】次に、半導体装置１の製造方法について説
明する。まず、図２（ａ）に示すように、半導体チップ
２をリードフレーム９のタブ３へボンディンングした
後、半導体チップ２上に形成された電極パッド（図示せ
ず）と、リードフレーム９のインナーリードとを金、あ
るいはアルミニウムからなるワイヤ４で電気的接続を、
周知のワイヤボンディング技術を用いて行う。その後、
容器７ａに充填され、金属板８で封止された放熱材７
を、半導体チップ２上に接着する。接着の際には吸着コ
レット１０を用いる。
明する。まず、図２（ａ）に示すように、半導体チップ
２をリードフレーム９のタブ３へボンディンングした
後、半導体チップ２上に形成された電極パッド（図示せ
ず）と、リードフレーム９のインナーリードとを金、あ
るいはアルミニウムからなるワイヤ４で電気的接続を、
周知のワイヤボンディング技術を用いて行う。その後、
容器７ａに充填され、金属板８で封止された放熱材７
を、半導体チップ２上に接着する。接着の際には吸着コ
レット１０を用いる。
【００１０】以上のように形成された組立体は、図２
（ｂ）に示すように、樹脂封止装置の樹脂封止用金型１
１にセットされ、周知の樹脂封止方法により、半導体チ
ップ２、ワイヤ４、インナーリード、タブ３、及び放熱
材７を熱硬化性の封止用樹脂によって封止する。樹脂封
止された組立体は、樹脂封止用金型１１から外された
後、切断・成形工程において、個々の半導体装置に分離
され、アウターリードが成形されて、半導体装置が形成
される。
（ｂ）に示すように、樹脂封止装置の樹脂封止用金型１
１にセットされ、周知の樹脂封止方法により、半導体チ
ップ２、ワイヤ４、インナーリード、タブ３、及び放熱
材７を熱硬化性の封止用樹脂によって封止する。樹脂封
止された組立体は、樹脂封止用金型１１から外された
後、切断・成形工程において、個々の半導体装置に分離
され、アウターリードが成形されて、半導体装置が形成
される。
【００１１】このような製造方法によると、放熱材を半
導体チップに接着するだけで良いので、新しく樹脂封止
用金型を設計する必要がなく、従来通りの樹脂封止用金
型を用いて放熱材内蔵の半導体装置を製造することがで
きる。
導体チップに接着するだけで良いので、新しく樹脂封止
用金型を設計する必要がなく、従来通りの樹脂封止用金
型を用いて放熱材内蔵の半導体装置を製造することがで
きる。
【００１２】以上、本発明者によって、なされた発明を
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、上記実施例では、半導体チップの上にのみ放熱材を
設けていたが、図３に示すように、タブ１８の下にも同
様の放熱材２３を設けると、更に放熱効率が向上する。
また、放熱材を容器を用いずにパッケージに直に設ける
場合は、図４に示すように、パッケージ３２自体に凹部
３３を設け、その中に放熱材３０を充填し、封止テープ
３１を貼り付けて放熱材３０を封止する。封止テープ３
１は、熱伝導率の高い材料、例えば、銅板やアルミニウ
ム板等の金属板が好ましく、また、その面積を大きく取
ることにより、放熱材３０からの熱を効率良くパッケー
ジ３２の外へ放散させることができる。
実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例え
ば、上記実施例では、半導体チップの上にのみ放熱材を
設けていたが、図３に示すように、タブ１８の下にも同
様の放熱材２３を設けると、更に放熱効率が向上する。
また、放熱材を容器を用いずにパッケージに直に設ける
場合は、図４に示すように、パッケージ３２自体に凹部
３３を設け、その中に放熱材３０を充填し、封止テープ
３１を貼り付けて放熱材３０を封止する。封止テープ３
１は、熱伝導率の高い材料、例えば、銅板やアルミニウ
ム板等の金属板が好ましく、また、その面積を大きく取
ることにより、放熱材３０からの熱を効率良くパッケー
ジ３２の外へ放散させることができる。
【００１３】凹部３３は、図５に示すように、凸部３９
が設けられた樹脂封止用金型３５に、リードフレーム３
４、半導体チップ２６、ワイヤ２８等からなる組立体を
セットし、封止用樹脂４０を注入することにより形成さ
れる。
が設けられた樹脂封止用金型３５に、リードフレーム３
４、半導体チップ２６、ワイヤ２８等からなる組立体を
セットし、封止用樹脂４０を注入することにより形成さ
れる。
【００１４】以下、本発明の作用効果について説明す
る。
る。
【００１５】（１）半導体チップ上に、粒状または粉状
の放熱材を設けることにより、体積が小さい放熱材の表
面積を大幅に増加させることができる。従って、パッケ
ージの形状大きさを変更せずに放熱効果を大きく向上さ
せることができる。
の放熱材を設けることにより、体積が小さい放熱材の表
面積を大幅に増加させることができる。従って、パッケ
ージの形状大きさを変更せずに放熱効果を大きく向上さ
せることができる。
【００１６】（２）放熱材に金属粉末を用いるので、熱
伝導率が高いことにより放熱効果を一層高めることがで
きる。
伝導率が高いことにより放熱効果を一層高めることがで
きる。
【００１７】（３）放熱材を容器に充填し、半導体チッ
プ上に容器ごと接着することにより、新しく樹脂封止用
金型を設計する必要がなく、従来通りの樹脂封止用金型
を用いて放熱材内蔵の半導体装置を製造することができ
る。
プ上に容器ごと接着することにより、新しく樹脂封止用
金型を設計する必要がなく、従来通りの樹脂封止用金型
を用いて放熱材内蔵の半導体装置を製造することができ
る。
【００１８】（４）放熱材を、パッケージに形成された
凹部に充填し、凹部の領域よりも広い面積を有する金属
板によって凹部を封止することにより、放熱材からの熱
を効率良くパッケージの外へ放散させることができる。
凹部に充填し、凹部の領域よりも広い面積を有する金属
板によって凹部を封止することにより、放熱材からの熱
を効率良くパッケージの外へ放散させることができる。
【００１９】（５）パッケージ内の半導体チップ上、及
びタブの裏面に、粒状または粉状の放熱材を設けたこと
により、半導体チップの上下から放熱が可能なため、さ
らに放熱効率を向上させることができる。
びタブの裏面に、粒状または粉状の放熱材を設けたこと
により、半導体チップの上下から放熱が可能なため、さ
らに放熱効率を向上させることができる。
【００２０】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２１】すなわち、半導体チップ上に、粒状または
粉状の放熱材を設けることにより、体積が小さい放熱材
の表面積を大幅に増加させることができる。従って、パ
ッケージの形状大きさを変更せずに放熱効果を大きく向
上させることができるものである。
粉状の放熱材を設けることにより、体積が小さい放熱材
の表面積を大幅に増加させることができる。従って、パ
ッケージの形状大きさを変更せずに放熱効果を大きく向
上させることができるものである。
【００２２】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施例である半導体装置
の断面図、（ｂ）は、その斜視図である。
の断面図、（ｂ）は、その斜視図である。
【図２】（ａ）は、本発明の一実施例である半導体装置
の組立方法を示す図、（ｂ）は、封止方法を示す図であ
る。
の組立方法を示す図、（ｂ）は、封止方法を示す図であ
る。
【図３】本発明の他の実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図４】本発明の他の実施例である半導体装置の断面図
である。
である。
【図５】本発明の他の実施例である半導体装置の封止方
法を示す図である。
法を示す図である。
【図６】従来の放熱ピン付半導体装置の断面図である。
【図７】従来の放熱板内蔵型の半導体装置の断面図であ
る。
る。
１……半導体装置，２……半導体チップ，３……タブ，
４……ワイヤ，５……アウターリード，６……パッケー
ジ，７……放熱材，７……容器，８……金属板，９……
リードフレーム，１０……吸着コレット，１１……樹脂
封止用金型，１２……キャビティ，１３……ゲート，１
４……ランナ，１５……封止用樹脂，１６……半導体装
置，１７……半導体チップ，１８……タブ，１９……ワ
イヤ，２０……アウターリード，２１……放熱材，２２
……金属板，２３……放熱材，２４……金属板，２５…
…半導体装置，２６……半導体チップ，２７……タブ，
２８……ワイヤ，２９……アウターリード，３０……放
熱材，３１……封止テープ，３２……パッケージ，３３
……凹部，３４……リードフレーム，３５……樹脂封止
用金型，３６……キャビティ，３７……ゲート，３８…
…ランナ，３９……凸部，４０……封止用樹脂，４１…
…半導体装置，４２……ペレット，４３……アイラン
ド，４４……ピン，４５……ボンディングワイヤ，４６
……モールド樹脂，４７……放熱ピン，４８……半導体
装置，４９……半導体チップ，５０……放熱板，５１…
…アウターリード，５２……ワイヤ，５３……パッケー
ジ
４……ワイヤ，５……アウターリード，６……パッケー
ジ，７……放熱材，７……容器，８……金属板，９……
リードフレーム，１０……吸着コレット，１１……樹脂
封止用金型，１２……キャビティ，１３……ゲート，１
４……ランナ，１５……封止用樹脂，１６……半導体装
置，１７……半導体チップ，１８……タブ，１９……ワ
イヤ，２０……アウターリード，２１……放熱材，２２
……金属板，２３……放熱材，２４……金属板，２５…
…半導体装置，２６……半導体チップ，２７……タブ，
２８……ワイヤ，２９……アウターリード，３０……放
熱材，３１……封止テープ，３２……パッケージ，３３
……凹部，３４……リードフレーム，３５……樹脂封止
用金型，３６……キャビティ，３７……ゲート，３８…
…ランナ，３９……凸部，４０……封止用樹脂，４１…
…半導体装置，４２……ペレット，４３……アイラン
ド，４４……ピン，４５……ボンディングワイヤ，４６
……モールド樹脂，４７……放熱ピン，４８……半導体
装置，４９……半導体チップ，５０……放熱板，５１…
…アウターリード，５２……ワイヤ，５３……パッケー
ジ
Claims (5)
- 【請求項１】半導体チップと、外部導出用リードと、前
記半導体チップの電極パッドと前記外部導出用リードの
インナーリードとを電気的に接続するワイヤと、前記半
導体チップ、前記ワイヤ、及び前記インナーリードを封
止するパッケージとから構成される半導体装置であっ
て、前記パッケージ内の前記半導体チップ上には、粒状
または粉状の放熱材を設けたことを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】前記放熱材は、金属粉末であることを特徴
とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記放熱材は容器に充填されており、前記
半導体チップ上に容器ごと接着されていることを特徴と
する請求項１又は２記載の半導体装置。 - 【請求項４】前記放熱材は、前記パッケージに形成され
た凹部に充填され、該凹部の領域よりも広い面積を有す
る金属板によって前記凹部を封止してなることを特徴と
する請求項１または２記載の半導体装置。 - 【請求項５】半導体チップと、該半導体チップが接着さ
れているタブと、外部導出用リードと、前記半導体チッ
プの電極パッドと前記外部導出用リードのインナーリー
ドとを電気的に接続するワイヤと、前記半導体チップ、
前記タブ、前記ワイヤ、及び前記インナーリードを封止
するパッケージとから構成される半導体装置であって、
前記パッケージ内の前記半導体チップ上、及び前記タブ
の裏面には、粒状または粉状の放熱材を設けたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17385394A JPH0837256A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17385394A JPH0837256A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0837256A true JPH0837256A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15968371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17385394A Pending JPH0837256A (ja) | 1994-07-26 | 1994-07-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0837256A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120133039A1 (en) * | 2010-11-29 | 2012-05-31 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Semiconductor package with thermal via and method of fabrication |
| JP2012151172A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| CN102711551A (zh) * | 2009-10-27 | 2012-10-03 | 欧莱雅 | 用于涂抹化妆品或护理产品组合物的包括涂抹器的装置 |
| JP2014107384A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2017168486A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 日本電気株式会社 | 電子装置およびその製造方法 |
| KR20210062698A (ko) * | 2019-01-22 | 2021-05-31 | 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. | 집적 회로 패키징 구조 및 그 제조 방법 |
-
1994
- 1994-07-26 JP JP17385394A patent/JPH0837256A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102711551A (zh) * | 2009-10-27 | 2012-10-03 | 欧莱雅 | 用于涂抹化妆品或护理产品组合物的包括涂抹器的装置 |
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| FR2968126A1 (fr) * | 2010-11-29 | 2012-06-01 | St Microelectronics Grenoble 2 | Boitier semi-conducteur a via thermique et procédé de fabrication |
| JP2012151172A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
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| KR20210062698A (ko) * | 2019-01-22 | 2021-05-31 | 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. | 집적 회로 패키징 구조 및 그 제조 방법 |
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