JPH0835934A - 試料の内部欠陥評価装置 - Google Patents
試料の内部欠陥評価装置Info
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- JPH0835934A JPH0835934A JP17218494A JP17218494A JPH0835934A JP H0835934 A JPH0835934 A JP H0835934A JP 17218494 A JP17218494 A JP 17218494A JP 17218494 A JP17218494 A JP 17218494A JP H0835934 A JPH0835934 A JP H0835934A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はフォトルミネッセンス光（以下Ｐ
Ｌ）により試料の内部欠陥を評価する装置に係り，比較
的簡便に試料内部の特定深さ位置からのＰＬを測定し
て，該試料内部の欠陥を評価することのできる内部欠陥
評価装置の提供を目的とする。 【構成】 励起光源１１からの励起光１０が集光してＰ
Ｌが発生する試料１６内部での焦点位置と，このＰＬを
集光して通過させる位置，すなわち，ピンホール１９ａ
を設けた位置とが対応するため，この試料１６の焦点位
置からのＰＬのみを確実に検出装置２７に導いてその評
価をすることができる。そして，レンズ１５（第１のレ
ンズ手段）と試料１６の相対距離を変化させてその焦点
位置を変えることで，試料１６における特定の深さ位置
からのＰＬのみを効率よく検出することができる。
Ｌ）により試料の内部欠陥を評価する装置に係り，比較
的簡便に試料内部の特定深さ位置からのＰＬを測定し
て，該試料内部の欠陥を評価することのできる内部欠陥
評価装置の提供を目的とする。 【構成】 励起光源１１からの励起光１０が集光してＰ
Ｌが発生する試料１６内部での焦点位置と，このＰＬを
集光して通過させる位置，すなわち，ピンホール１９ａ
を設けた位置とが対応するため，この試料１６の焦点位
置からのＰＬのみを確実に検出装置２７に導いてその評
価をすることができる。そして，レンズ１５（第１のレ
ンズ手段）と試料１６の相対距離を変化させてその焦点
位置を変えることで，試料１６における特定の深さ位置
からのＰＬのみを効率よく検出することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，例えば多層構造を有す
る半導体ウエハなどの試料の内部欠陥を評価する内部欠
陥評価装置に関するものである。
る半導体ウエハなどの試料の内部欠陥を評価する内部欠
陥評価装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にフォトルミネッセンス光（以下Ｐ
Ｌ）は，励起光源からの励起光が試料に照射されたとき
に，この試料内部で発生する電子・正孔対が再結合した
ときに観測される発光である。そして，このＰＬの波長
は，電子・正孔の試料中での状態を反映し，ＰＬを分光
することによって試料の物性を詳細に調べることができ
る。そこで，試料内部からのＰＬによりその深さ方向に
かかる情報を得る従来の装置としては，例えば特開平５
−２６４４６８号公報に開示のものが知られている。上
記公報に開示の装置では，図６に示すごとく，試料５０
の表面に対して角度βをなして図外のレーザ光源（励起
光源）からレーザ光５１（励起光）が照射される。この
レーザ光５１は，試料５０内部に入射する際にその表面
において屈折角αで屈折し，この屈折したレーザ光によ
って発生する試料５０内のＰＬが上記試料５０の法線方
向に対してθの角度を持って配置されたレンズ５２で集
光され，検出器５３により検出される。発生した上記Ｐ
Ｌは，試料５０内での深さ位置５０ａ〜５０ｄの違いに
よって異なり，上記検出器５３内での視野５４内の位置
５４ａ〜５４ｄが異なって検出されるので，試料５０内
部からのＰＬによりその深さ位置に係る物性に関しての
情報を得ることができる。
Ｌ）は，励起光源からの励起光が試料に照射されたとき
に，この試料内部で発生する電子・正孔対が再結合した
ときに観測される発光である。そして，このＰＬの波長
は，電子・正孔の試料中での状態を反映し，ＰＬを分光
することによって試料の物性を詳細に調べることができ
る。そこで，試料内部からのＰＬによりその深さ方向に
かかる情報を得る従来の装置としては，例えば特開平５
−２６４４６８号公報に開示のものが知られている。上
記公報に開示の装置では，図６に示すごとく，試料５０
の表面に対して角度βをなして図外のレーザ光源（励起
光源）からレーザ光５１（励起光）が照射される。この
レーザ光５１は，試料５０内部に入射する際にその表面
において屈折角αで屈折し，この屈折したレーザ光によ
って発生する試料５０内のＰＬが上記試料５０の法線方
向に対してθの角度を持って配置されたレンズ５２で集
光され，検出器５３により検出される。発生した上記Ｐ
Ｌは，試料５０内での深さ位置５０ａ〜５０ｄの違いに
よって異なり，上記検出器５３内での視野５４内の位置
５４ａ〜５４ｄが異なって検出されるので，試料５０内
部からのＰＬによりその深さ位置に係る物性に関しての
情報を得ることができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが，このような
従来装置では，上述のごとく，レーザ光５１を試料５０
の表面に対して角度βで入射し，角度αで屈折したレー
ザ光によって発生するＰＬを試料５０表面の法線方向に
対してθをなして配置されたレンズ５２で集光する必要
があるため，これらの角度β，α，θを正確に設定ある
いは測定しなければならず，ＰＬの測定に際して多大の
時間を要する。また，上記屈折角αはその対象となる試
料によって異なるため，これらの異なる試料についての
集光点までの深さ位置の絶対値を正確に求めることがで
きない。そこで，本発明は，上記事情に鑑みて創案され
たものであり，比較的簡便に試料内部の特定深さ位置か
らのＰＬを測定して試料の内部欠陥を評価することので
きる内部欠陥評価装置の提供を目的とするものである。
従来装置では，上述のごとく，レーザ光５１を試料５０
の表面に対して角度βで入射し，角度αで屈折したレー
ザ光によって発生するＰＬを試料５０表面の法線方向に
対してθをなして配置されたレンズ５２で集光する必要
があるため，これらの角度β，α，θを正確に設定ある
いは測定しなければならず，ＰＬの測定に際して多大の
時間を要する。また，上記屈折角αはその対象となる試
料によって異なるため，これらの異なる試料についての
集光点までの深さ位置の絶対値を正確に求めることがで
きない。そこで，本発明は，上記事情に鑑みて創案され
たものであり，比較的簡便に試料内部の特定深さ位置か
らのＰＬを測定して試料の内部欠陥を評価することので
きる内部欠陥評価装置の提供を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，本発明が採用する主たる手段は，その要旨とすると
ころが，励起光源からの励起光を試料に照射することに
より発生するフォトルミネッセンス光を検出装置により
検出し，上記試料の内部欠陥を評価する装置において，
上記試料からのフォトルミネッセンス光の光路上に試料
表面の法線方向に光軸を向けて配置される第１のレンズ
手段と，上記第１のレンズ手段を上記フォトルミネッセ
ンス光の光軸方向へ相対的に移動させる移動手段と，上
記第１のレンズ手段を通る光を集光する第２のレンズ手
段と，上記検出装置に併設され，上記第１のレンズ手段
の焦点位置からのフォトルミネッセンス光のみを該検出
装置に向けて通過させるマスク手段とを具備してなる点
に係る試料の内部欠陥評価装置である。
に，本発明が採用する主たる手段は，その要旨とすると
ころが，励起光源からの励起光を試料に照射することに
より発生するフォトルミネッセンス光を検出装置により
検出し，上記試料の内部欠陥を評価する装置において，
上記試料からのフォトルミネッセンス光の光路上に試料
表面の法線方向に光軸を向けて配置される第１のレンズ
手段と，上記第１のレンズ手段を上記フォトルミネッセ
ンス光の光軸方向へ相対的に移動させる移動手段と，上
記第１のレンズ手段を通る光を集光する第２のレンズ手
段と，上記検出装置に併設され，上記第１のレンズ手段
の焦点位置からのフォトルミネッセンス光のみを該検出
装置に向けて通過させるマスク手段とを具備してなる点
に係る試料の内部欠陥評価装置である。
【０００５】
【作用】上記構成に係る内部欠陥評価装置では，励起光
源からの励起光が集光してＰＬが発生する試料内部での
焦点位置とこのＰＬを集光して通過させる位置，すなわ
ちピンホールを設けた位置とが対応するため，この試料
の焦点位置からのＰＬのみを確実に検出装置に導いてそ
の評価をすることができる。そして，第１のレンズ手段
と試料の相対距離を変化させてその焦点位置を変えるこ
とで，試料における特定の深さ位置からのＰＬのみを効
率よく検出することができる。
源からの励起光が集光してＰＬが発生する試料内部での
焦点位置とこのＰＬを集光して通過させる位置，すなわ
ちピンホールを設けた位置とが対応するため，この試料
の焦点位置からのＰＬのみを確実に検出装置に導いてそ
の評価をすることができる。そして，第１のレンズ手段
と試料の相対距離を変化させてその焦点位置を変えるこ
とで，試料における特定の深さ位置からのＰＬのみを効
率よく検出することができる。
【０００６】
【実施例】以下添付図面を参照して，本発明を具体化し
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の一実施例に係る試料の内部欠陥評価
装置の概略構成を示すブロック図，図２は上記内部欠陥
評価装置の要部拡大図，図３は第１のレンズ手段と試料
の相対距離を変化させることにより試料内部における深
さ位置を変えて情報を得る場合の説明図，図４は上記内
部欠陥評価装置により観測されるＰＬの一例を示すブラ
フ，図５は本発明の他の実施例に係る内部欠陥評価装置
の要部構成を示す説明図である。この実施例に係る内部
欠陥評価装置では，図１及び図２に示すごとく，Ｘ−Ｙ
ステージ１７上に固定された試料１６表面の法線方向
に，その上方から励起光源１１，凹レンズ８，レンズ
９，ピンホール１２ａを備えたプレート１２，レンズ１
３，ビームスプリッタ１４，レンズ１５（第１のレンズ
手段）が配設されている。上記励起光源１１としては，
例えばＡｒレーザが用いられ，この励起光源１１からの
励起光１０が上記試料１６の表面に照射される。上記レ
ンズ１５は，上記試料１６内で上記励起光１０を集光さ
せると共にその焦点位置からのフォトルミネッセンス光
（以下ＰＬ）を平行光となす作用をなし，上記試料１６
に対して上記ＰＬの光軸方向へレンズ駆動装置２５（移
動手段）により移動駆動される。尚，このレンズ駆動装
置２５は当該内部欠陥評価装置を統括するコンピュータ
を備えた制御装置２２により制御される。この場合，上
記レンズ１５を固定として上記Ｘ−Ｙステージ１７をこ
のレンズ１５に対して上記ＰＬの光軸方向へ移動駆動
し，レンズ１５と試料１６の相対距離を変化させるよう
にしてもよい。このようにすると，上記Ｘ−Ｙステージ
１７は上記制御装置２２により３次元空間内において試
料１６を移動調整可能となる。
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の一実施例に係る試料の内部欠陥評価
装置の概略構成を示すブロック図，図２は上記内部欠陥
評価装置の要部拡大図，図３は第１のレンズ手段と試料
の相対距離を変化させることにより試料内部における深
さ位置を変えて情報を得る場合の説明図，図４は上記内
部欠陥評価装置により観測されるＰＬの一例を示すブラ
フ，図５は本発明の他の実施例に係る内部欠陥評価装置
の要部構成を示す説明図である。この実施例に係る内部
欠陥評価装置では，図１及び図２に示すごとく，Ｘ−Ｙ
ステージ１７上に固定された試料１６表面の法線方向
に，その上方から励起光源１１，凹レンズ８，レンズ
９，ピンホール１２ａを備えたプレート１２，レンズ１
３，ビームスプリッタ１４，レンズ１５（第１のレンズ
手段）が配設されている。上記励起光源１１としては，
例えばＡｒレーザが用いられ，この励起光源１１からの
励起光１０が上記試料１６の表面に照射される。上記レ
ンズ１５は，上記試料１６内で上記励起光１０を集光さ
せると共にその焦点位置からのフォトルミネッセンス光
（以下ＰＬ）を平行光となす作用をなし，上記試料１６
に対して上記ＰＬの光軸方向へレンズ駆動装置２５（移
動手段）により移動駆動される。尚，このレンズ駆動装
置２５は当該内部欠陥評価装置を統括するコンピュータ
を備えた制御装置２２により制御される。この場合，上
記レンズ１５を固定として上記Ｘ−Ｙステージ１７をこ
のレンズ１５に対して上記ＰＬの光軸方向へ移動駆動
し，レンズ１５と試料１６の相対距離を変化させるよう
にしてもよい。このようにすると，上記Ｘ−Ｙステージ
１７は上記制御装置２２により３次元空間内において試
料１６を移動調整可能となる。
【０００７】上記ビームスプリッタ１４の上記ＰＬの光
軸と直交する方向には，帯域透過フィルタ２６，レンズ
１８（第２のレンズ手段），ピンホール１９ａを備えた
マスク１９（マスク手段），検出装置２７が配設されて
いる。上記レンズ１８は，上記レンズ１５を通るＰＬ２
４を集光する作用をなし，上記レンズ１５の焦点位置か
らのＰＬのみを上記検出装置２７に通過させるべく，そ
の集光位置に上記ピンホール１９ａが位置するように上
記マスク１９が取り付けられている（図２参照）。上記
マスク１２に併設された上記検出装置２７は，分光器２
０と検出器２１とにより構成され，上記制御装置２２に
接続されている。さらにこの制御装置２２には，解析用
の画像出力装置２３が接続されている。本実施例に係る
内部欠陥評価装置は上記したように構成されている。従
って，上記構成に係る評価装置では，励起光源１１から
出射された励起光１０は，凹レンズ８により光束を広げ
られてレンズ９により一旦収束され，プレート１２のピ
ンホール１２ａを通過することによって試料１６内で所
定のＰＬを発生させる励起光以外の光が除去される。そ
の後，レンズ１３によって上記励起光１０は平行光線と
される。上記のようにして平行光線とされた励起光１０
は，さらにビームスプリッタ１４を透過し，レンズ１５
によって収束され，試料１６の表面上で細く絞られる。
このようにして励起光１０が照射され，試料１６内部で
発生したＰＬは，上記レンズ１５によって集光されて平
行光線となる。即ち，この平行光線は，上記試料１６内
での焦点位置からのＰＬであって，ビームスプリッタ１
４によってその進路が変更される。そして，この平行光
線は帯域透過フィルタ２６の作用で所定のＰＬのみが透
過された後，レンズ１８によって収束される。上記レン
ズ１８による集光位置には前述のごとくピンホール１２
ａが設けられていることから，上記試料１６内での焦点
位置からのＰＬのみが分光器２０に入射されて分光さ
れ，検出器２１により検出される。
軸と直交する方向には，帯域透過フィルタ２６，レンズ
１８（第２のレンズ手段），ピンホール１９ａを備えた
マスク１９（マスク手段），検出装置２７が配設されて
いる。上記レンズ１８は，上記レンズ１５を通るＰＬ２
４を集光する作用をなし，上記レンズ１５の焦点位置か
らのＰＬのみを上記検出装置２７に通過させるべく，そ
の集光位置に上記ピンホール１９ａが位置するように上
記マスク１９が取り付けられている（図２参照）。上記
マスク１２に併設された上記検出装置２７は，分光器２
０と検出器２１とにより構成され，上記制御装置２２に
接続されている。さらにこの制御装置２２には，解析用
の画像出力装置２３が接続されている。本実施例に係る
内部欠陥評価装置は上記したように構成されている。従
って，上記構成に係る評価装置では，励起光源１１から
出射された励起光１０は，凹レンズ８により光束を広げ
られてレンズ９により一旦収束され，プレート１２のピ
ンホール１２ａを通過することによって試料１６内で所
定のＰＬを発生させる励起光以外の光が除去される。そ
の後，レンズ１３によって上記励起光１０は平行光線と
される。上記のようにして平行光線とされた励起光１０
は，さらにビームスプリッタ１４を透過し，レンズ１５
によって収束され，試料１６の表面上で細く絞られる。
このようにして励起光１０が照射され，試料１６内部で
発生したＰＬは，上記レンズ１５によって集光されて平
行光線となる。即ち，この平行光線は，上記試料１６内
での焦点位置からのＰＬであって，ビームスプリッタ１
４によってその進路が変更される。そして，この平行光
線は帯域透過フィルタ２６の作用で所定のＰＬのみが透
過された後，レンズ１８によって収束される。上記レン
ズ１８による集光位置には前述のごとくピンホール１２
ａが設けられていることから，上記試料１６内での焦点
位置からのＰＬのみが分光器２０に入射されて分光さ
れ，検出器２１により検出される。
【０００８】即ち，上記励起光源１１からの励起光が集
光してＰＬが発生する試料１６内部での焦点位置とこの
ＰＬを集光して通過させる位置，換言すればピンホール
１９ａを設けた位置とが対応するため，レンズ１５で平
行光線とならない試料１６内での焦点位置以外で発生し
たＰＬはレンズ１８により上記ピンホール１９ａの位置
で収束せず，上記分光器２０へ導かれることはない。従
って，試料１６の焦点位置からのＰＬのみを確実に検出
装置２７に導いてその評価をすることができる。そし
て，上記レンズ駆動装置２５によりレンズ１５をＰＬの
光軸方向へ移動させて試料１６に対する焦点位置を変化
させることにより，この試料１６における特定の深さ位
置からのＰＬのみを効率よく検出することができる。そ
の結果，当該装置によれば，試料１６内部からのＰＬに
よりその深さ方向にかかる所定位置に関しての情報を得
る場合には，従来装置の場合のように励起光の入射角，
屈折角あるいはＰＬを観察する方向角などを測定するこ
となく，試料内における所定の深さ位置からのＰＬのみ
を検出することができる。また，種類の異なる試料の場
合でも，該試料とレンズ１５との相対距離を変化させる
ことのみにより上記の場合と同様にして所定の深さ位置
におけるＰＬを測定することができる。図３に試料１６
の深さ位置を変えてＰＬを測定する状況を示す。さら
に，本実施例にかかる装置においては，試料１６を支持
するＸ−Ｙステージ１７を制御装置２２により駆動制御
して，該試料１６をＸ−Ｙ平面内で移動させつつＰＬの
測定を行うことにより，所定の深さ位置での２次元方向
にかかるＰＬの測定をも容易に行うことができる。
光してＰＬが発生する試料１６内部での焦点位置とこの
ＰＬを集光して通過させる位置，換言すればピンホール
１９ａを設けた位置とが対応するため，レンズ１５で平
行光線とならない試料１６内での焦点位置以外で発生し
たＰＬはレンズ１８により上記ピンホール１９ａの位置
で収束せず，上記分光器２０へ導かれることはない。従
って，試料１６の焦点位置からのＰＬのみを確実に検出
装置２７に導いてその評価をすることができる。そし
て，上記レンズ駆動装置２５によりレンズ１５をＰＬの
光軸方向へ移動させて試料１６に対する焦点位置を変化
させることにより，この試料１６における特定の深さ位
置からのＰＬのみを効率よく検出することができる。そ
の結果，当該装置によれば，試料１６内部からのＰＬに
よりその深さ方向にかかる所定位置に関しての情報を得
る場合には，従来装置の場合のように励起光の入射角，
屈折角あるいはＰＬを観察する方向角などを測定するこ
となく，試料内における所定の深さ位置からのＰＬのみ
を検出することができる。また，種類の異なる試料の場
合でも，該試料とレンズ１５との相対距離を変化させる
ことのみにより上記の場合と同様にして所定の深さ位置
におけるＰＬを測定することができる。図３に試料１６
の深さ位置を変えてＰＬを測定する状況を示す。さら
に，本実施例にかかる装置においては，試料１６を支持
するＸ−Ｙステージ１７を制御装置２２により駆動制御
して，該試料１６をＸ−Ｙ平面内で移動させつつＰＬの
測定を行うことにより，所定の深さ位置での２次元方向
にかかるＰＬの測定をも容易に行うことができる。
【０００９】ここで，測定対象となる試料として例えば
Ｓｉ結晶の多層構造を用いた場合，励起光としては例え
ば４００ｎｍから１０００ｎｍの波形を用いることが望
ましい・即ち，４００ｎｍの波長の励起光を用いた場合
には試料へのこの励起光の侵入深さは０．１μｍであ
り，これ以上短い波長の励起光では試料内部からのＰＬ
を効率よく測定することが出来ない。また，波長が１μ
ｍより長い励起光を用いた場合には，この励起光のエネ
ルギが少ないことから十分な電子・正孔を試料内部にお
いて発生させることができないからである。このとき，
観測されるＰＬの一例を図４に示す。即ち，上記励起光
により試料内には波長が１０００ｎｍから１７００ｎｍ
の範囲内でＰＬが発生するが，試料の結晶性を反映する
バンド端発光と，試料内の欠陥に起因する発光とが明瞭
に観測される。従って，このような発光の深さ位置を当
該装置により求めることで，試料内部における欠陥の深
さ位置を知ることができる。図５に本発明の他の実施例
に係る内部欠陥評価装置の要部構成を示す。即ち，前記
実施例においては励起光を試料１６の表面に対してその
法線方向から入射しているが，図５に示すように，試料
１６から発生するＰＬが減少しない範囲内においては該
試料１６表面の法線方向に対して斜め方向から励起光１
０′を入射するようにしてもよい。更に，上記実施例に
おける分光器２０に変えて，求めようとする波長のＰＬ
を透過させるようないわゆる狭帯域透過フィルタを用い
てもよい。
Ｓｉ結晶の多層構造を用いた場合，励起光としては例え
ば４００ｎｍから１０００ｎｍの波形を用いることが望
ましい・即ち，４００ｎｍの波長の励起光を用いた場合
には試料へのこの励起光の侵入深さは０．１μｍであ
り，これ以上短い波長の励起光では試料内部からのＰＬ
を効率よく測定することが出来ない。また，波長が１μ
ｍより長い励起光を用いた場合には，この励起光のエネ
ルギが少ないことから十分な電子・正孔を試料内部にお
いて発生させることができないからである。このとき，
観測されるＰＬの一例を図４に示す。即ち，上記励起光
により試料内には波長が１０００ｎｍから１７００ｎｍ
の範囲内でＰＬが発生するが，試料の結晶性を反映する
バンド端発光と，試料内の欠陥に起因する発光とが明瞭
に観測される。従って，このような発光の深さ位置を当
該装置により求めることで，試料内部における欠陥の深
さ位置を知ることができる。図５に本発明の他の実施例
に係る内部欠陥評価装置の要部構成を示す。即ち，前記
実施例においては励起光を試料１６の表面に対してその
法線方向から入射しているが，図５に示すように，試料
１６から発生するＰＬが減少しない範囲内においては該
試料１６表面の法線方向に対して斜め方向から励起光１
０′を入射するようにしてもよい。更に，上記実施例に
おける分光器２０に変えて，求めようとする波長のＰＬ
を透過させるようないわゆる狭帯域透過フィルタを用い
てもよい。
【００１０】
【発明の効果】本発明は，上記したように，励起光源か
らの励起光を試料に照射することにより発生するフォト
ルミネッセンス光を検出装置により検出し，上記試料の
内部欠陥を評価する装置において，上記試料からのフォ
トルミネッセンス光の光路上に試料表面の法線方向に光
軸を向けて配置される第１のレンズ手段と，上記第１の
レンズ手段を上記フォトルミネッセンス光の光軸方向へ
相対的に移動させる移動手段と，上記第１のレンズ手段
を通る光を集光する第２のレンズ手段と，上記検出装置
に併設され，上記第１のレンズ手段の焦点位置からのフ
ォトルミネッセンス光のみを該検出装置に向けて通過さ
せるマスク手段とを具備してなることを特徴とする試料
の内部欠陥評価装置であるから，比較的簡便に試料内部
の特定深さ位置からのＰＬを測定して該試料の内部欠陥
を評価することができる。
らの励起光を試料に照射することにより発生するフォト
ルミネッセンス光を検出装置により検出し，上記試料の
内部欠陥を評価する装置において，上記試料からのフォ
トルミネッセンス光の光路上に試料表面の法線方向に光
軸を向けて配置される第１のレンズ手段と，上記第１の
レンズ手段を上記フォトルミネッセンス光の光軸方向へ
相対的に移動させる移動手段と，上記第１のレンズ手段
を通る光を集光する第２のレンズ手段と，上記検出装置
に併設され，上記第１のレンズ手段の焦点位置からのフ
ォトルミネッセンス光のみを該検出装置に向けて通過さ
せるマスク手段とを具備してなることを特徴とする試料
の内部欠陥評価装置であるから，比較的簡便に試料内部
の特定深さ位置からのＰＬを測定して該試料の内部欠陥
を評価することができる。
【図１】 本発明の一実施例に係る試料の内部欠陥評価
装置の概略構成を示すブロック図。
装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】 上記内部欠陥評価装置の要部拡大図。
【図３】 第１のレンズ手段と試料の相対距離を変化さ
せることにより試料内部における深さ位置を変えて情報
を得る場合の説明図。
せることにより試料内部における深さ位置を変えて情報
を得る場合の説明図。
【図４】 上記内部欠陥評価装置により観測されるＰＬ
の一例を示すブラフ。
の一例を示すブラフ。
【図５】 本発明の他の実施例に係る内部欠陥評価装置
の要部構成を示す説明図。
の要部構成を示す説明図。
【図６】 従来の内部欠陥評価装置の概略構成を示す要
部ブロック図。
部ブロック図。
１０，１０′…励起光 １１…励起光源 １４…ビームスプリッタ １５…レンズ（第１のレンズ手段） １６…試料 １７…Ｘ−Ｙステージ １８…レンズ（第２のレンズ手段） １９…マスク（マスク手段） １９ａ…ピンホール ２０…分光器 ２１…検出器 ２２…制御装置 ２４…ＰＬ ２５…レンズ駆動装置（移動手段） ２７…検出装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森本 勉 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 励起光源からの励起光を試料に照射する
ことにより発生するフォトルミネッセンス光を検出装置
により検出し，上記試料の内部欠陥を評価する装置にお
いて，上記試料からのフォトルミネッセンス光の光路上
に試料表面の法線方向に光軸を向けて配置される第１の
レンズ手段と，上記第１のレンズ手段を上記フォトルミ
ネッセンス光の光軸方向へ相対的に移動させる移動手段
と，上記第１のレンズ手段を通る光を集光する第２のレ
ンズ手段と，上記検出装置に併設され，上記第１のレン
ズ手段の焦点位置からのフォトルミネッセンス光のみを
該検出装置に向けて通過させるマスク手段とを具備して
なることを特徴とする試料の内部欠陥評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17218494A JPH0835934A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 試料の内部欠陥評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17218494A JPH0835934A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 試料の内部欠陥評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0835934A true JPH0835934A (ja) | 1996-02-06 |
Family
ID=15937140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17218494A Pending JPH0835934A (ja) | 1994-07-25 | 1994-07-25 | 試料の内部欠陥評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0835934A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002148191A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体の特性評価方法およびその装置 |
| JP2005098970A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 異物識別方法及び異物識別装置 |
| JP2009512198A (ja) * | 2005-10-11 | 2009-03-19 | ビーティー イメージング ピーティーワイ リミテッド | 間接バンドギャップ半導体構造を検査する方法およびシステム |
| JP2015008284A (ja) * | 2013-05-29 | 2015-01-15 | 株式会社豊田中央研究所 | ヘテロ接合電界効果トランジスタ現象を観察する方法及び装置 |
-
1994
- 1994-07-25 JP JP17218494A patent/JPH0835934A/ja active Pending
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