JPH01176932A - 微小異物検査装置 - Google Patents
微小異物検査装置Info
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- JPH01176932A JPH01176932A JP63000453A JP45388A JPH01176932A JP H01176932 A JPH01176932 A JP H01176932A JP 63000453 A JP63000453 A JP 63000453A JP 45388 A JP45388 A JP 45388A JP H01176932 A JPH01176932 A JP H01176932A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、平面基板、例えばウェハなどの表面上の微
小異物の有無などを自動的に検査する微小異物検査装置
に関する。
小異物の有無などを自動的に検査する微小異物検査装置
に関する。
ウェハ表面上の微小異物検査装置として、ウェハ表面上
に１本ないし数本の光ビームを斜め方向・から照射し、
その照射内に存在した微小異物からの散乱光を光電素子
に入射させ、微小異物の有無、大きさなどをビームとウ
ェハとを相対的に移動させ、自動的に判定できる型式の
ものがある。また、パターンからの散乱光と微小異物か
らの散乱光を偏光を利用して識別可能とし、パターン付
ウェハにおける微小異物の検出を可能とした型式のもの
もある。
に１本ないし数本の光ビームを斜め方向・から照射し、
その照射内に存在した微小異物からの散乱光を光電素子
に入射させ、微小異物の有無、大きさなどをビームとウ
ェハとを相対的に移動させ、自動的に判定できる型式の
ものがある。また、パターンからの散乱光と微小異物か
らの散乱光を偏光を利用して識別可能とし、パターン付
ウェハにおける微小異物の検出を可能とした型式のもの
もある。
ウェハ表面上の微小異物は、インプロセスにおいて存在
した場合、デバイスの性能に大きく影ツし、そのデバイ
スが不良品となる可能性が極めて高い。従来の微小異物
検査装置では、微小異物の存在の有無、大きさ、個数な
どは、検出可能であるが、その微小異物の正体までは、
判定できない。
した場合、デバイスの性能に大きく影ツし、そのデバイ
スが不良品となる可能性が極めて高い。従来の微小異物
検査装置では、微小異物の存在の有無、大きさ、個数な
どは、検出可能であるが、その微小異物の正体までは、
判定できない。
そこで本発明は、微小異物の存否と有機物の存否とを検
出できる微小異物検査装置を得ることを目的とする。
出できる微小異物検査装置を得ることを目的とする。
（問題点を解決する為の手段）
そこで、本発明は、平面基板に斜め方向からスポット光
を投射する第１照明手段（４，２４）と、前記平面基板
にその表面に垂直な方向から前記スポット光の照射位置
に重なるように、励起光を投射する第２照明手段（８，
９，１０，１１，７）と、前記平面基板を載置して２次
元的に移動し、前記スポット光によって前記平面基板を
２次元的に走査させる走査手段（ｌａ、１．５２．５４
．５８）と、前記スポット光による前記平面基板からの
散乱光と前記励起光による前記平面基板からの螢光とを
受光すると共に、前記散乱光と前記螢光とを波長分離し
て各々の光電変換信号を出力する受光手段（７，１１，
１２，１３、Ａ、１８．１９．２０）と、前記散乱光の
光電変換信号から前記平面基板上の微小異物の存否を、
また、前記螢光の光電変換信号から前記平面基板上の有
機物の存否をそれぞれ判定し、表示する演算表示手段（
５６，５７，５８，６０）と、を有することを特徴とす
る微小異物検査装置、によって上記目的を達成した。
を投射する第１照明手段（４，２４）と、前記平面基板
にその表面に垂直な方向から前記スポット光の照射位置
に重なるように、励起光を投射する第２照明手段（８，
９，１０，１１，７）と、前記平面基板を載置して２次
元的に移動し、前記スポット光によって前記平面基板を
２次元的に走査させる走査手段（ｌａ、１．５２．５４
．５８）と、前記スポット光による前記平面基板からの
散乱光と前記励起光による前記平面基板からの螢光とを
受光すると共に、前記散乱光と前記螢光とを波長分離し
て各々の光電変換信号を出力する受光手段（７，１１，
１２，１３、Ａ、１８．１９．２０）と、前記散乱光の
光電変換信号から前記平面基板上の微小異物の存否を、
また、前記螢光の光電変換信号から前記平面基板上の有
機物の存否をそれぞれ判定し、表示する演算表示手段（
５６，５７，５８，６０）と、を有することを特徴とす
る微小異物検査装置、によって上記目的を達成した。
（作 用）
本発明によれば、第１照明手段のスポット光による散乱
光と、第２照明手段の励起光による螢光とを検出してい
るので、微小異物の存否と共に、有機物の存否も知るこ
とができる。従って、微小異物の無機物か有機物かを識
別できるばかりでなく、平面基板上のレジストの残りを
検出することもできる。さらに、パターン付ウェハにお
いては、散乱光を用いて微小異物を検出する構成の場合
には、パターンでの散乱光と微小異物での散乱光とを識
別できないため、微小異物の検出ができなかっだが、励
起光による螢光検出によれば、ウェハ上にパターンがあ
っても、ウェハ上の有機物（有機物のごみ、レジスト等
）を識別することができる。
光と、第２照明手段の励起光による螢光とを検出してい
るので、微小異物の存否と共に、有機物の存否も知るこ
とができる。従って、微小異物の無機物か有機物かを識
別できるばかりでなく、平面基板上のレジストの残りを
検出することもできる。さらに、パターン付ウェハにお
いては、散乱光を用いて微小異物を検出する構成の場合
には、パターンでの散乱光と微小異物での散乱光とを識
別できないため、微小異物の検出ができなかっだが、励
起光による螢光検出によれば、ウェハ上にパターンがあ
っても、ウェハ上の有機物（有機物のごみ、レジスト等
）を識別することができる。
（実施例）
第１図は本発明の第１実施例の光学系を示す図、第２図
は照射位置近傍の斜視図、第３図は原理説明図、第４図
は電気ブロック図である。
は照射位置近傍の斜視図、第３図は原理説明図、第４図
は電気ブロック図である。
ステージ１の載物部材１ａには平面基板としてのウェハ
２が載置されている。載物部材１ａは、Ｘ方向、２方向
、φ方向（第２図参照）へ公知の機構により移動可能で
ある。
２が載置されている。載物部材１ａは、Ｘ方向、２方向
、φ方向（第２図参照）へ公知の機構により移動可能で
ある。
レーザ、レーザダイオード、ＬＥＤ等から構成される第
１照明光源４からの照明光は、集光レンズ２４によって
集光され、スポット光としてウェハ２に斜め方向から投
射される。このスポット光の入射角と等しい反射角方向
には集光レンズ２３があり、この集光レンズ２３は、ウ
ェハ２がＺ方向基準位置にあるときに、ウェハ２上の光
スポットを振動スリット６上に集光する。振動スリット
６は紙面に垂直な方向へスリットが形成され、光軸に垂
直な矢印Ｐ方向へ振動する。この振動中心位置は、ウェ
ハ２が基準位置にあるときに、集光レンズ２３により光
スポットが生じる位置である。
１照明光源４からの照明光は、集光レンズ２４によって
集光され、スポット光としてウェハ２に斜め方向から投
射される。このスポット光の入射角と等しい反射角方向
には集光レンズ２３があり、この集光レンズ２３は、ウ
ェハ２がＺ方向基準位置にあるときに、ウェハ２上の光
スポットを振動スリット６上に集光する。振動スリット
６は紙面に垂直な方向へスリットが形成され、光軸に垂
直な矢印Ｐ方向へ振動する。この振動中心位置は、ウェ
ハ２が基準位置にあるときに、集光レンズ２３により光
スポットが生じる位置である。
振動スリット６の透過光は検出器５に入射し、光電変換
される。この光電変換信号は、適当に処理された後、演
算装置に入力され、載物部材１ａのＺ方向位置制御に用
いられる。すなわち、第１照明光源４、集光レンズ２４
．２３、振動スリット６、検出器５によって、周知の合
焦検出系が構成される。
される。この光電変換信号は、適当に処理された後、演
算装置に入力され、載物部材１ａのＺ方向位置制御に用
いられる。すなわち、第１照明光源４、集光レンズ２４
．２３、振動スリット６、検出器５によって、周知の合
焦検出系が構成される。
水銀ランプ、レーザ等から構成される第２照明光源８か
らの射出光は、集光レンズ９、励起フィルタ１０、グイ
クロイックミラー１１によって、励起波長の光が選択さ
れ、対物レンズ７の後側焦点位置に集光する。従って、
対物レンズ７によって、励起光が平行光束となり、その
光束が対物レンズにより集光されてウェハ２に入射する
。そして、対物レンズ７の光軸は、基準位置にあるウェ
ハ２の表面で交差する集光レンズ２３．２４の交差点を
通るように設定される。
らの射出光は、集光レンズ９、励起フィルタ１０、グイ
クロイックミラー１１によって、励起波長の光が選択さ
れ、対物レンズ７の後側焦点位置に集光する。従って、
対物レンズ７によって、励起光が平行光束となり、その
光束が対物レンズにより集光されてウェハ２に入射する
。そして、対物レンズ７の光軸は、基準位置にあるウェ
ハ２の表面で交差する集光レンズ２３．２４の交差点を
通るように設定される。
ウェハ２の表面にごみ等の微小異物３があると、第１照
明光源４によるスポット光の散乱光が生じ、この散乱光
は対物レンズ７、ダイクロイックミラー１１、吸収フィ
ルタ１２を通って測光絞り１３上に集光する。測光絞り
１３は、ウェハ２が基準位置にあると、ウェハ２表面と
対物レンズ７によって共役になっている。従って、測光
絞り１３の孔と共役なウェハ２上の領域からの散乱光の
みが測光絞り１３を通過し、不図示のリレーレンズを介
して分光器Ａの入射スリット１４に入る。入射スリット
からの入射光は全反射鏡２１、凹面鏡１５で反射した後
、回折格子１６で０次光が反射され、この反射光がさら
に凹面鏡１５、全反射鏡２２で反射して出射スリット１
７から射出される。
明光源４によるスポット光の散乱光が生じ、この散乱光
は対物レンズ７、ダイクロイックミラー１１、吸収フィ
ルタ１２を通って測光絞り１３上に集光する。測光絞り
１３は、ウェハ２が基準位置にあると、ウェハ２表面と
対物レンズ７によって共役になっている。従って、測光
絞り１３の孔と共役なウェハ２上の領域からの散乱光の
みが測光絞り１３を通過し、不図示のリレーレンズを介
して分光器Ａの入射スリット１４に入る。入射スリット
からの入射光は全反射鏡２１、凹面鏡１５で反射した後
、回折格子１６で０次光が反射され、この反射光がさら
に凹面鏡１５、全反射鏡２２で反射して出射スリット１
７から射出される。
出射スリット１７を射出した散乱光は、ダイクロイック
ミラー１８を透過して、光電変換素子２０に入り、光電
変換される。
ミラー１８を透過して、光電変換素子２０に入り、光電
変換される。
一方、微小異物３が螢光を発生する物質であると、励起
光の照射によ゛り螢光が発生し、この螢光は、対物レン
ズ７、グイクロイックミラー１１吸収フイルタ１２を通
って測光絞り１３上に集光する。ウェハ２が基準位置に
あれば、測光絞り１３の孔と共役なウェハ２上の領域か
らの螢光のみが測光絞り１３を通過し、分光器Ａを通っ
てダイクロイックミラー１８で反射し、光電変換素子１
９に入り、光電変換される。光電変換素子１９．２０の
出力信号は、演算表示装置２０に入力され、演算処理、
表示が行なわれる。
光の照射によ゛り螢光が発生し、この螢光は、対物レン
ズ７、グイクロイックミラー１１吸収フイルタ１２を通
って測光絞り１３上に集光する。ウェハ２が基準位置に
あれば、測光絞り１３の孔と共役なウェハ２上の領域か
らの螢光のみが測光絞り１３を通過し、分光器Ａを通っ
てダイクロイックミラー１８で反射し、光電変換素子１
９に入り、光電変換される。光電変換素子１９．２０の
出力信号は、演算表示装置２０に入力され、演算処理、
表示が行なわれる。
第３図は上述した第１照明光源４からの照明光、その異
物による散乱光、励起光、励起光により異物から生ずる
螢光を、それぞれの波長に着目して表わしたもので第１
照明光源４からの照明光の波長をλ１、異物による散乱
光は同一波長であるので同じくλ１、励起光の波長をλ
２、螢光の波長をλ、として示しである。なお、第３図
においては、第１図で示した部材を簡略化のために一部
省略しである。第３図からもわかるように、ダイクロイ
ックミラー１１は励起光の波長λ２を反射し、散乱光の
波長λ１、螢光の波長λ、を透過する特性を有し、また
、ダイクロイックミラー１８は散乱光の波長λ１を透過
し、螢光の波長λ、を反射する特性を有している。
物による散乱光、励起光、励起光により異物から生ずる
螢光を、それぞれの波長に着目して表わしたもので第１
照明光源４からの照明光の波長をλ１、異物による散乱
光は同一波長であるので同じくλ１、励起光の波長をλ
２、螢光の波長をλ、として示しである。なお、第３図
においては、第１図で示した部材を簡略化のために一部
省略しである。第３図からもわかるように、ダイクロイ
ックミラー１１は励起光の波長λ２を反射し、散乱光の
波長λ１、螢光の波長λ、を透過する特性を有し、また
、ダイクロイックミラー１８は散乱光の波長λ１を透過
し、螢光の波長λ、を反射する特性を有している。
第４図は第１図の光学系と共に用いられる電気ブロック
図であり、検出器５を有する２方向位置検出器５０から
の位置検出信号によって、演算装置５８はステージ１の
２方向駆動装置５１を制御し、ウェハ２を２方向基準位
置に設定する。その後、演算装置５８は、ステージ１の
Ｘ方向駆動装置５３、回転駆動装置５５を制御し、スポ
ット光がウェハ２上をスパイラル状に走査するようにな
す。その際、Ｘ方向位置検出器５２、回転位置検出器５
４からの位置信号が演算装置５８に入力されているので
、演算装置は、スポット光が照射されているウェハ２上
の座標位置を演算できる。この座標位置は、曲座標によ
ってもまた、Ｘ−Ｙ座標によっても良いことは当然のこ
とである。
図であり、検出器５を有する２方向位置検出器５０から
の位置検出信号によって、演算装置５８はステージ１の
２方向駆動装置５１を制御し、ウェハ２を２方向基準位
置に設定する。その後、演算装置５８は、ステージ１の
Ｘ方向駆動装置５３、回転駆動装置５５を制御し、スポ
ット光がウェハ２上をスパイラル状に走査するようにな
す。その際、Ｘ方向位置検出器５２、回転位置検出器５
４からの位置信号が演算装置５８に入力されているので
、演算装置は、スポット光が照射されているウェハ２上
の座標位置を演算できる。この座標位置は、曲座標によ
ってもまた、Ｘ−Ｙ座標によっても良いことは当然のこ
とである。
スポット光がウェハ２上をスパイラル状に走査していく
間で、スポット光がウェハ２上の異物３で散乱されると
、この散乱光は対物レンズ７、ダイクロイックミラー１
１、吸収フィルタ１２、測光絞り１３、入射スリット１
４、分光器Ａ、ダイクロイックミラー１８を通って光電
変換素子２０へ入射する。その結果、光電変換素子２０
を含む異物検出器５６から異物検出信号が演算装置５日
に入る。演算装置５８は、異物検出器５８から異物検出
信号が入力されたときのＸ方向位置検出器５２、一回転
位置検出器５４からの位置信号を異物存在座標値として
メモリに記憶する。
間で、スポット光がウェハ２上の異物３で散乱されると
、この散乱光は対物レンズ７、ダイクロイックミラー１
１、吸収フィルタ１２、測光絞り１３、入射スリット１
４、分光器Ａ、ダイクロイックミラー１８を通って光電
変換素子２０へ入射する。その結果、光電変換素子２０
を含む異物検出器５６から異物検出信号が演算装置５日
に入る。演算装置５８は、異物検出器５８から異物検出
信号が入力されたときのＸ方向位置検出器５２、一回転
位置検出器５４からの位置信号を異物存在座標値として
メモリに記憶する。
上記異物３が有機物であるときには、異物３で生じた螢
光が、対物レンズ７、ダイクロイックミラー１１、吸収
フィルタ１２、測光絞り１３、分光器Ａ１ダイクロイッ
クミラー１８によって光電変換素子１９に入る。その結
果、光電変換素子１９を含む有機物検出器５７から有機
物検出信号が演算装置５８に入る。演算装置５８は、有
機物検出器５７から有機物検出信号が入力されると、異
物検出器５８からの異物検出信号によって認知された異
物が、有機物質である旨ラベリングを行う。
光が、対物レンズ７、ダイクロイックミラー１１、吸収
フィルタ１２、測光絞り１３、分光器Ａ１ダイクロイッ
クミラー１８によって光電変換素子１９に入る。その結
果、光電変換素子１９を含む有機物検出器５７から有機
物検出信号が演算装置５８に入る。演算装置５８は、有
機物検出器５７から有機物検出信号が入力されると、異
物検出器５８からの異物検出信号によって認知された異
物が、有機物質である旨ラベリングを行う。
なお、レジストの残りがある場合のように、有機動検出
器５７から有機物検出信号が出力されても、異物検出器
５８から異物検出信号が出力されない場合もある。
器５７から有機物検出信号が出力されても、異物検出器
５８から異物検出信号が出力されない場合もある。
載物部材１ａの移動によって、スポット光２によるウェ
ハ２の走査が終了すると、演算装置５Ｂは、Ｘ方向位置
検出器５２、回転位置検出器５４からの位置信号に応じ
て（演算装置５８は、Ｘ方向最大移動位置及び最大回転
数になるまで、Ｘ方向駆動装置５３、回転駆動装置５５
を制御する）、Ｘ方向駆動装置５３によって、載物部材
１ａを初期位置に戻す、また、演算装置５８は、メモリ
に記憶された異物の存在する座標値を表示器６０に表示
せしめる。その際、有機物のラベリングのあるものは、
異物が有機物であることを併せて表示する。
ハ２の走査が終了すると、演算装置５Ｂは、Ｘ方向位置
検出器５２、回転位置検出器５４からの位置信号に応じ
て（演算装置５８は、Ｘ方向最大移動位置及び最大回転
数になるまで、Ｘ方向駆動装置５３、回転駆動装置５５
を制御する）、Ｘ方向駆動装置５３によって、載物部材
１ａを初期位置に戻す、また、演算装置５８は、メモリ
に記憶された異物の存在する座標値を表示器６０に表示
せしめる。その際、有機物のラベリングのあるものは、
異物が有機物であることを併せて表示する。
また、不図示のキーボード等からのオペレータの指示に
より、演算装置５８は有機物の分析を行なうよう動作す
る。すなわち、演算装置５８は、有機物のラベリングの
ある座標位置に載物部材１ａがくるように（この位置は
、微小異物３がほぼ対物レンズ７の光軸に一致する位置
である）、メモリの内容に応じてＸ方向駆動装置５３、
回転駆動装置５５を順次制御する。具体的には、演算装
置５８はまず初期座標位置から順次有機物のラベリング
のある座標位置をメモリにて検索し、有機物のラベリン
グの座標位置に載物部材１ａを移動し、分光器Ａの格子
駆動装置５９に制御信号を出力して回折格子１６を波長
スキャンさせる。その結果、光電変換素子１９の出力と
格子駆動装置５９の制御信号との同期を取ることで、演
算装置５８は測定座標位置の有機物の波長スペクトルを
得ることができる。このデータはメモリに記憶される。
より、演算装置５８は有機物の分析を行なうよう動作す
る。すなわち、演算装置５８は、有機物のラベリングの
ある座標位置に載物部材１ａがくるように（この位置は
、微小異物３がほぼ対物レンズ７の光軸に一致する位置
である）、メモリの内容に応じてＸ方向駆動装置５３、
回転駆動装置５５を順次制御する。具体的には、演算装
置５８はまず初期座標位置から順次有機物のラベリング
のある座標位置をメモリにて検索し、有機物のラベリン
グの座標位置に載物部材１ａを移動し、分光器Ａの格子
駆動装置５９に制御信号を出力して回折格子１６を波長
スキャンさせる。その結果、光電変換素子１９の出力と
格子駆動装置５９の制御信号との同期を取ることで、演
算装置５８は測定座標位置の有機物の波長スペクトルを
得ることができる。このデータはメモリに記憶される。
このように、全ての有機物の波長スペクトルが得られる
と、演算装置５８はあらかじめメモリに記憶されていた
各種の有機物の波長スペクトルとの比較対応を測定した
波長スペクトルの各々に対して行い、物質の同定を行っ
て、座標値と共に、物質名を表示器６０に表示する。
と、演算装置５８はあらかじめメモリに記憶されていた
各種の有機物の波長スペクトルとの比較対応を測定した
波長スペクトルの各々に対して行い、物質の同定を行っ
て、座標値と共に、物質名を表示器６０に表示する。
第５図は本発明の第２実−例であり、第１図と同機能の
ものには同符号を付して説明を省略する。
ものには同符号を付して説明を省略する。
全反射鏡２１より反射された光は、凹面回折格子２７に
より分光され、リニアイメージセンサアレイ２日上に螢
光スペクトルが結像する。凹面回折格子２７は、回折格
子を回転させず、広範囲の波長の光を一度に分光できる
特徴をもっている。２８上に結像された螢光スペクトル
は、２８により一度に光電変換され、データ処理部３０
に送られるので、第１図の例に比べて高速化が可能とな
る。
より分光され、リニアイメージセンサアレイ２日上に螢
光スペクトルが結像する。凹面回折格子２７は、回折格
子を回転させず、広範囲の波長の光を一度に分光できる
特徴をもっている。２８上に結像された螢光スペクトル
は、２８により一度に光電変換され、データ処理部３０
に送られるので、第１図の例に比べて高速化が可能とな
る。
以上のように本発明によれば、光ビームの斜め入射によ
る散乱光と垂直入射による螢光を同位置、同範囲の照野
からの微小異物のものとして、該散乱光、該螢光の波長
の差に基づいて、同時に測光することが可能となり、該
微小異物の無機、有機の判定をウェハまたはそれ以外の
検査対象物の全領域を高速で行なうことができる。
る散乱光と垂直入射による螢光を同位置、同範囲の照野
からの微小異物のものとして、該散乱光、該螢光の波長
の差に基づいて、同時に測光することが可能となり、該
微小異物の無機、有機の判定をウェハまたはそれ以外の
検査対象物の全領域を高速で行なうことができる。
また、有機物からの前記螢光を分光器を用いて、高速で
定性分析を行なうことで物質の同定ができさらに、散乱
光、前記螢光をリニアイメージセンサ−アレイを用いた
マルチチャンネル型の分光器を用いて測光することによ
り、前記無機物、前記有機物の判定、及び前記有機物の
定性分析が同時に検出可能となる。
定性分析を行なうことで物質の同定ができさらに、散乱
光、前記螢光をリニアイメージセンサ−アレイを用いた
マルチチャンネル型の分光器を用いて測光することによ
り、前記無機物、前記有機物の判定、及び前記有機物の
定性分析が同時に検出可能となる。
第１図は本発明の第１実施例の光学系を示す図、第２図
は照射位置近傍の斜視図、第３図は原理説明図、第４図
は第１実施例の電気ブロック図、第５図は本発明の第２
実施例の光学系を示す図、である。 （主要部分の符号の説明） １・・・ステージ、 ４・・・第１照明光源、８・・・
第２照明光源、 １１．１日・・・グイクロイックミラー１９．２０・・
・光電変換素子。 出願人 日本光学工業株式会社
は照射位置近傍の斜視図、第３図は原理説明図、第４図
は第１実施例の電気ブロック図、第５図は本発明の第２
実施例の光学系を示す図、である。 （主要部分の符号の説明） １・・・ステージ、 ４・・・第１照明光源、８・・・
第２照明光源、 １１．１日・・・グイクロイックミラー１９．２０・・
・光電変換素子。 出願人 日本光学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 平面基板に斜め方向からスポット光を投射する第１照
明手段と、 前記平面基板にその表面に垂直な方向から前記スポット
光の照射位置に重なるように、励起光を投射する第２照
明手段と、 前記平面基板を載置して２次元的に移動し、前記スポッ
ト光によって前記平面基板を２次元的に走査させる走査
手段と、 前記スポット光による前記平面基板からの散乱光と前記
励起光による前記平面基板からのケイ螢光とを受光する
と共に、前記散乱光と前記螢光とを波長分離して各々の
光電変換信号を出力する受光手段と、 前記散乱光の光電変換信号から前記平面基板上の微小異
物の存否を、また、前記螢光の光電変換信号から前記平
面基板上の有機物の存否をそれぞれ判定し、表示する演
算表示手段と、 を有することを特徴とする微小異物検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45388A JPH0795040B2 (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 微小異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP45388A JPH0795040B2 (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 微小異物検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01176932A true JPH01176932A (ja) | 1989-07-13 |
| JPH0795040B2 JPH0795040B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=11474213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP45388A Expired - Fee Related JPH0795040B2 (ja) | 1988-01-05 | 1988-01-05 | 微小異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795040B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04165641A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Nec Corp | ウェーハ外観検査装置 |
| EP0838850A2 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for placing flourescent single molecules on surface of substrate and method for visualizing structural defect of surface of substrate |
| KR100783309B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2007-12-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | 평판 표시 장치의 검사 시스템 |
| JP2017203781A (ja) * | 2012-05-15 | 2017-11-16 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | 汚染特定システム |
-
1988
- 1988-01-05 JP JP45388A patent/JPH0795040B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04165641A (ja) * | 1990-10-30 | 1992-06-11 | Nec Corp | ウェーハ外観検査装置 |
| EP0838850A2 (en) * | 1996-10-24 | 1998-04-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for placing flourescent single molecules on surface of substrate and method for visualizing structural defect of surface of substrate |
| EP0838850A3 (en) * | 1996-10-24 | 1999-05-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for placing flourescent single molecules on surface of substrate and method for visualizing structural defect of surface of substrate |
| US5965446A (en) * | 1996-10-24 | 1999-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for placing fluorescent single molecules on surface of substrate and method for visualizing structural defect of surface of substrate |
| KR100783309B1 (ko) * | 2006-02-15 | 2007-12-10 | 주식회사 동진쎄미켐 | 평판 표시 장치의 검사 시스템 |
| JP2017203781A (ja) * | 2012-05-15 | 2017-11-16 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅ Ｂｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | 汚染特定システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0795040B2 (ja) | 1995-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |