JPH08334803A - 紫外レーザー光源 - Google Patents

紫外レーザー光源

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JPH08334803A
JPH08334803A JP7140805A JP14080595A JPH08334803A JP H08334803 A JPH08334803 A JP H08334803A JP 7140805 A JP7140805 A JP 7140805A JP 14080595 A JP14080595 A JP 14080595A JP H08334803 A JPH08334803 A JP H08334803A
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JP
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laser
light
wavelength
ultraviolet
light source
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JP7140805A
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English (en)
Inventor
Soichi Yamato
壮一 大和
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】露光機の光源として充分な出力と低コヒーレン
スとを備えた紫外光を、長時間安定して発生することが
でき、かつ、小型でメインテナンスが容易な紫外レーザ
ー光源を提供する。 【構成】10本×10本で計100本のレーザー要素か
ら構成されており、各レーザー要素は、可視光あるいは
赤外光の長波長光を発生するレーザー光発生部100
と、発生したレーザー光を紫外光へ変換する波長変換部
14とを有し、レーザー光発生部100は、半導体レー
ザー11、光ファイバー12、及び、固体レーザー13
を有し、波長変換部14は、入射光の波長を変換して出
力する非線形結晶を含んで構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程で使用
される露光機の光源に係り、特に、紫外レーザー光を発
生することができる紫外レーザー光源に関する。
【0002】
【従来の技術】情報機器の進歩にともない、半導体集積
回路の機能および記憶容量の向上が求められており、そ
のためには集積度を上げる必要がある。集積度をあげる
ためには、個々の回路パターンを小さくすればよいが、
最小パターン寸法は、製造過程で使用される露光機の性
能で決まる。
【0003】露光機は、マスク上に作られた回路パター
ンを、光学的に半導体ウェハーに投影、転写する。その
際のウェハー上での最小パターン寸法Rは、露光機で投
影に用いられる光の波長λ、投影レンズの開口数NAに
よって、以下の式で与えられる。
【0004】R=K・λ/NA ここで、Kは、照明光学系やプロセスによって決まる定
数であり、通常0.5から0.8程度の値をとる。
【0005】解像度を向上させる、すなわち最小パター
ン寸法Rを小さくする努力は、この定数Kを小さくしよ
うとする方向と、開口数NAを大きくする方向、そし
て、露光光の波長λを小さくする方向に向かってなされ
ている。
【0006】定数Kを小さくする方法は、まとめて広い
意味での超解像と呼ばれている。今までに、照明光学系
の改良、変形照明、フェーズシフトマスク法などが提
案、研究されてきた。しかし、適用できるパターンに条
件があるなどの難点があった。一方、開口数NAは、大
きいほど最小パターン寸法Rを小さくできるが、同時に
焦点深度が小さくなってしまうので、大きくするのにも
限界がある。通常0.5から0.6程度が適当とされて
いる。
【0007】したがって、最小パターン寸法Rを小さく
するのに最も単純かつ有効なのは、露光に用いる光の波
長λを小さくすることであり、短波長の光を発生する、
露光機の光源を提供することである。本発明は、この要
求に対応してなされたものである。
【0008】ここで、露光機の光源を作るうえでは、短
波長化を実現する以外にも、備えるべき条件がいくつか
ある。以下、これらの条件について説明する。
【0009】第1に、数ワットの光出力が求められる。
これは、集積回路パターンの露光・転写に要する時間を
短く保つために必要である。
【0010】第2に、波長300nm以下の紫外光の場
合、露光機のレンズとして使える材料が限られ、色収差
の補正が難しくなることから、発光スペクトルの線幅を
1pm以下にすることが求められる。
【0011】第3に、この狭い線幅にともない時間的コ
ヒーレンス(干渉性)が上がるため、狭い線幅の光をそ
のまま照射すると、スペックルと呼ばれる不要な干渉パ
ターンが生ずる。したがって、これを消すために、光源
ではその空間的コヒーレンスを低下させる必要がある。
【0012】次に、従来使用されてきた代表的な露光機
用光源について説明すると共に、各光源が、以上のよう
な条件を満たし、かつ、紫外光を発生しようとする場合
の問題点について説明する。
【0013】(1)水銀ランプ 水銀ランプの発光輝線のうち、g線(波長436nm)
およびi線(波長365nm)が用いられてきた。この
とき得られる最小パターン寸法(以下では最小寸法と呼
ぶ)はそれぞれ、約500nmおよび約350nmであ
る。これらの光源のスペクトル線幅は、後述するレーザ
ーより広く、したがって、時間的なコヒーレンスが低か
った。線幅が広くても、これらの波長ではレンズの色収
差の補正が可能であったので、従来は問題はなかった。
また、水銀ランプの空間的コヒーレンスもレーザーに比
べれば低く、これらのふたつのコヒーレンスの低さか
ら、スペックルの発生は問題とならなかった。
【0014】しかし、上記水銀輝線は波長が長く、新し
く要求される最小寸法に対応することが困難になってき
た。水銀輝線の、より短波長の紫外輝線を使う方法も一
部で用いられたが、そのスペクトル線幅が広く、紫外線
域では色消しレンズの利用ができないため、紫外領域で
の使用が困難であるとされている。
【0015】(2)KrFエキシマレーザー KrFエキシマレーザーは、248nmの光を発する。
したがって、最小寸法も250nm付近になる。この波
長では、色消しレンズの製作が困難であるので、光源レ
ーザーのスペクトル線幅を、1pm以下に狭帯域化する
必要がある。
【0016】ところが、この狭帯域化にともなって、時
間的コヒーレンスが上がり、スペックルの発生が問題と
なる。このため、例えば「エキシマレーザーステッパ
ー」(牛田一雄、光学、23巻10号、p602、19
94年10月)に記載の例では、空間的コヒーレンスを
低下させるための光学系を加えて、スペックルの発生を
抑えている。
【0017】露光機用のKrFエキシマレーザーは、す
でに開発され使用されているが、エキシマレーザーは水
銀ランプに比べて、高価で大型であり、有毒のフッ素ガ
スを用いる。さらに、光学系やフッ素ガスの交換などの
メンテナンスが必要で、その費用が高額になるという問
題があった。
【0018】また、発生する光がパルス光であるので、
連続光に比べてピークパワーが大きくなり、レーザーお
よび露光機内部の光学部品が光損傷を受けやすいという
問題があった。
【0019】(3)ArFエキシマレーザー ArFエキシマレーザーは、193nmの光を発する。
このときの実用的な最小寸法は、190nm程度であ
る。現在、露光機用のものは開発中であるが、このレー
ザーには、KrFエキシマレーザーと同じ短所がある。
すなわち、高価で大型で、有毒のフッ素ガスを用い、さ
らに、光学系やフッ素ガスの交換などのメンテナンスが
必要で、その費用が高額になる等である。
【0020】さらに加えて、露光機の色収差低減のため
に、レーザーの発振線幅を1pm以下に狭帯域化するこ
とが、KrFエキシマレーザーに比べて困難であるとい
う短所がある。
【0021】また、KrFレーザーに比べてもさらにエ
ネルギーの高い短波長のパルス光であることによって、
レーザーや露光機の光学部品の損傷がKrFレーザーに
比べてさらにひどくなるという欠点がある。
【0022】(4)半導体レーザー励起固体レーザーの
高調波発生による光源 紫外光を発生する方法として、2次の非線形光学効果を
利用して、長波長の光(可視光、赤外光)を紫外光に変
換する方法がある。例えば「Longitudinal
ly diode−pumped continuou
s−wave3.5−W green laser
(L.Y.Liu,M.Oka,W.Wiechman
n and S.Kubota,Optics Let
ters,Vol.19(1994),p.189)」
に記載されている例のように、半導体レーザー励起の固
体レーザーからの光を、波長変換するレーザー光源が開
発されてきている。この従来例では、Nd:YAGレー
ザーの発する1064nmの光を変換して、非線形結晶
を用いて波長変換し、4倍高調波である266nmを発
生させる方式が開示されている。
【0023】このような従来の半導体レーザー励起固体
レーザー光源は、コンパクトであること、エキシマレー
ザーよりもメンテナンスが容易であること、電力効率が
高いこと、光出力の制御が容易であることなどを長所と
して持つ。さらに、パルス光発生以外にも、連続光発生
も可能である点も利点である。さらに、発振線幅を小さ
くする際にも、波長変換する前の長波長の段階で行うこ
とができて、直接に紫外光を制御する必要のあるエキシ
マレーザーに比べて、その制御が容易である、という長
所がある。
【0024】このような長所があるにもかかわらず、上
記従来技術は、未だ露光機には応用されておらず、レー
ザー開発が実験室レベルで行われている。露光機の光源
としていまだ利用されていない一つの理由は、出力パワ
ーを上げようとすると、非線形結晶の損傷が起きて、装
置の寿命が短くなるという欠点があったためである。
【0025】さらに、後述するような理由により、エキ
シマレーザーのときよりもさらに、空間的コヒーレンス
が高くなってスペックルが発生するという欠点もある。
【0026】次に、スペックルの発生とコヒーレンスと
の関係について、より詳細に説明する。
【0027】スペックルなどの不要な干渉パターンの除
去は、光の時間的コヒーレンスを低下させること、ある
いは空間的コヒーレンスを低下させることで成し遂げら
れる。時間的コヒーレンスを低くするということは、い
ろいろな周波数の光を混ぜることを意味している。一
方、空間的コヒーレンスを低下させるということは、発
生場所と伝搬方向の異なる光を混ぜることを意味してい
る。
【0028】ところが、露光機で使用される紫外光は、
発振線幅を1pm以下にすることが求められており、こ
れは、結果として時間的コヒーレンスを高めてしまう。
また、レーザーの発生する光は、有限個の横モードから
なっており、この横モードの数が少ないことは空間的コ
ヒーレンスの高いことを意味する。
【0029】従来、KrFエキシマレーザーを用いる露
光機では、振動する反射鏡を用いてビームを複数に分割
し、空間的コヒーレンスを低下させてきた。エキシマレ
ーザーはもともと数100の横モードで発振し、空間的
コヒーレンスはレーザーとしては低めであったので、上
記方法で問題はなかった。
【0030】ところが、固体レーザーを非線形結晶で波
長変換する場合には、非線形結晶中でビームを強くしぼ
る必要から、通常、ひとつの横モードで発振させること
となる。これは、空間的コヒーレンスを最高に高い状態
にしてしまう事を意味し、このような場合に空間的コヒ
ーレンスの低下させるのは、従来は困難であった。
【0031】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の各問題点、例えば露光機の紫外光源として、エキシ
マレーザーを用いた場合に生ずる問題であるところの、
装置の大型化、有毒のフッ素ガスの使用、メンテナンス
の困難さと高価さという諸問題や、露光機の紫外光源と
して半導体レーザー励起の固体レーザーを用いた場合に
予想される、波長変換用の非線形光学結晶の損傷や、空
間的コヒーレンスの増加に伴うスペックルの発生等の問
題を考慮して成されたものである。
【0032】本発明の目的は、露光機の光源として充分
な出力と低コヒーレンスとを備えた紫外光を、長時間安
定して発生することができ、かつ、小型でメインテナン
スが容易な紫外レーザー光源を提供することにある。
【0033】
【課題を解決するための手段】上記目的は、赤外から可
視までの波長範囲内の光を発生するレーザー光発生部
と、前記発生した光を非線形光学結晶を用いて紫外光に
波長変換する波長変換光学系とを有するレーザー要素を
複数並列に束ねて構成したことを特徴とする紫外レーザ
ー光源により達成される。
【0034】より具体的には、各レーザー要素のレーザ
ー発生部に、例えば半導体レーザー、あるいは、半導体
レーザーと当該半導体レーザーにより発生された光によ
り励起される固体レーザーとを備えるものとする。
【0035】
【作用】本発明においては、各レーザー要素において、
例えば半導体レーザーを備えたレーザー光発生部からの
赤外光あるいは可視光を、波長変換光学系に設けられた
非線形光学結晶により波長変換し、紫外光を発生させ
る。
【0036】このような構成のレーザー要素を複数本束
ねることによって、光出力を足し合わせて、最終的に光
源装置全体からの出力を高出力にする事ができる。さら
に、互いに独立したレーザ要素から光を出力すること
で、時間的及び空間的なコヒーレンスを減少させること
ができる。
【0037】さらに、レーザ要素を複数本束ねて目標と
する光出力を得ているため、各レーザ要素からの出力を
目標とする光出力よりも小さくすることができる。この
ため、波長変換部の非線形光学結晶への負担を低減する
ことができ、その劣化を最低限に抑えることができる。
よって、長時間安定に動作させることができると共に、
装置の寿命を長くすることができる。
【0038】
【実施例】本発明を適用した紫外レーザー光源の一実施
例を図1を参照して説明する。
【0039】本実施例の紫外レーザー光源は、図1に示
すように、10本×10本で計100本のレーザー要素
から構成されている。各レーザー要素は、可視光あるい
は赤外光の長波長光を発生するレーザー光発生部100
と、発生したレーザー光を紫外光へ変換する波長変換部
14とを有する。本実施例では、レーザー光発生部10
0として、半導体レーザー励起の固体レーザーを用いた
例を説明する。
【0040】レーザー光発生部100は、半導体レーザ
ー11、光ファイバー12、及び、固体レーザー13を
有する。また、波長変換部14は、波長を変換する非線
形結晶を含んで構成される。なお、レーザー要素には、
その他にも、光学要素として、反射鏡、レンズ、波長
板、偏光子などが含まれるが、その詳細構成に関して
は、以下の実施例で説明するものとし、ここでの説明は
省略する。
【0041】半導体レーザー11を除く、各レーザー要
素の断面の寸法は、5mm×5mm程度である。なお、
本実施例では、レーザー要素を100本組み合わせた構
成を例としているが、レーザー要素の数はこれに限定さ
れるものではなく、本発明では、2本から1000本程
度までを想定している。
【0042】半導体レーザー11は、固体レーザー13
を励起するために用いられる。半導体レーザー11から
の光によって励起された固体レーザー13は、可視光ま
たは近赤外光を発振する。本実施例では、それを波長変
換部14の非線形結晶によって短波長の紫外光に変換す
る。
【0043】波長を変換する非線形結晶を固体レーザー
の共振器構造中に挿入し、固体レーザー13と波長変換
部14とを一体化する方式(内部共振器法)もある。こ
の構成を使用した紫外レーザー光源については、後述す
る実施例で詳細に説明する。
【0044】本実施例によれば、上記構成のレーザー要
素を複数本束ねることによって、光出力を足し合わせて
高出力にする事ができると共に、互いに独立したレーザ
要素から光を出力することで、時間的及び空間的なコヒ
ーレンスを減少させることができる。
【0045】さらに、レーザ要素を複数本束ねること
で、各レーザ要素からの出力を大きくする必要がないた
め、波長変換部14の非線形結晶への負担を低減するこ
とで、その劣化を最低限に抑えることができ、よって、
装置の寿命を長くすることができる。
【0046】本実施例の構成のレーザー要素の発生する
波長の線幅は、1pmよりは十分小さくすることがで
き、レーザー要素間相互の波長の差も、固体レーザー媒
質や、レーザー共振器長、波長選択用光学系の構成を調
整することにより、1pm以下に合わせることができ
る。
【0047】次に、半導体レーザー11について、より
詳細に説明する。
【0048】半導体レーザーは、半導体内部での電子の
遷移によって発光する。この電子は、外部から注入され
る電流によって励起される。発光する波長は、現在のと
ころ、600nmから1500nm(1.5μm)の範
囲であり、800nm付近を発光するものには、単体で
10Wクラスの光出力を得られるものが知られている。
【0049】ただし、このような高光出力の半導体レー
ザーから出力される光は、横モードの性質が悪く、ビー
ムの強度分布が単一ではない。このため、非線形結晶に
よる波長変換をしても効率が低い。
【0050】一方、上記のような高光出力の半導体レー
ザーは、通常、固体レーザーを励起するには十分な集光
性がある。また、投入した電力に対しての光出力が大き
く、コンパクトで、流入する電流により発振出力や発振
波長の微調整が可能であるという、他のレーザー光源に
はない利点がある。このため、半導体レーザーは光源の
コンパクトさを実現するために最適である。
【0051】半導体レーザーは、通常、数cm立方の箱
形の装置で、10W程度の光出力が可能であり、しかも
光ファイバーにて光を取り出すことができる。
【0052】本実施例の半導体レーザー11としては、
例えば、上記のような高光出力の半導体レーザーを用い
る。
【0053】また、上記のような高出力の半導体レーザ
ーと異なり、横モードの単一な半導体レーザーも知られ
ているが、一般的に出力が小さい。現在のところ最高で
約200mWである。しかし、次第に高出力のものも開
発されてきている。このため、このような横モードの単
一な半導体レーザを、本実施例の半導体レーザー11と
して利用する構成としても良い。
【0054】この単一横モード半導体レーザーを本実施
例の半導体レーザー11として用いる場合には、半導体
レーザー11から出力される光を、直接に非線形結晶で
波長変換して紫外光を得ることもできる。その場合も、
本実施例の特徴である複数本のレーザーの並列使用によ
り、非線形結晶の光損傷の低減、時間的及び空間的コヒ
ーレンスの低減という効果を、本実施例の場合と同様
に、達成することができる。
【0055】次に、固体レーザー13について、より詳
細に説明する。
【0056】固体レーザーとは、固体のレーザー媒質を
持つレーザーの総称である。半導体レーザーも固体レー
ザーのひとつであるが、通常は、固体レーザーというと
光によって励起される固体レーザーのことをさす。ここ
でもそのように区別する。
【0057】本実施例においては、励起光は半導体レー
ザー11より得られる。固体レーザー13は、固体のレ
ーザー媒質と、反射鏡などの光学部品とにより構成され
る。また、後述する実施例で説明するように、波長変換
のための非線形結晶を内蔵する構成としても良い。
【0058】固体レーザー13としては、例えば、Nd
をドープしたYttrium Aluminum Ga
rnet(Nd:YAG)をレーザー媒質とするレーザ
ーで、1064nmの光を発生するものを用いる。この
とき、励起源の半導体レーザー11としては、808n
m付近の波長を発生するものを用いる。
【0059】また、現在開発されているの500nm付
近の青緑色光を発する高出力の半導体レーザーを用いる
ことができれば、固体レーザーとして、Tiをドープし
たサファイア(Ti:Sapphire)を用いること
ができる。固体レーザーの発生する光は横モードの分布
も良く(横モードが単一である)、非線形結晶によっ
て、より短波長への波長変換を効率良く実行することが
可能である。
【0060】次に、波長変換部14に含まれる非線形光
学結晶について、その波長変換作用も含めて、その構成
をより詳細に説明する。
【0061】非線形光学結晶と呼ばれる、2次の非線形
感受率を持った結晶、例えばβ−BaB24(BBO)
や、LiB35(LBO)は、周波数ω1(波長λ1)の
光を、2ω1の光(波長λ2=λ1/2)に変換(第2高
調波発生)したり、周波数ω1と周波数ω2の光から、周
波数ω3=ω1+ω2の光(波長λ3は、1/λ3=1/λ1
+1/λ2)を発生(和周波発生)させることができる
性質を持っている。
【0062】これらの非線形光学結晶での波長変換は、
変換される波長の短波長側への限界がある。限界を決め
るひとつの要因は、非線形光学結晶の透過率の限界であ
り、もう一つの要因は、結晶の複屈折によって変換前後
の2種類の光の位相速度を合わせる位相整合の限界であ
る。
【0063】BBOは透過率の点から、190nm付近
が限界とされる。LBOは、透過率では155nm付近
まで透明であるが、第2高調波発生では紫外光の発生は
できず、異なる波長の和周波発生を使うと187nm付
近まで可能である。
【0064】また、非線形光学結晶としては、KBe2
BO32(KBBF)や、Sr2Be227(SBB
O)を用いることも可能である。これらを用いること
で、より短波長の紫外光を発生することができる可能性
がある。
【0065】非線形光学効果による波長変換の変換効率
は、基になる基本波の強度(単位断面積あたりのパワ
ー)に比例する。すなわち、強い光ほど効率よく変換さ
れる性質も持っている。この性質を利用するため、本実
施例では、例えば、以下のような3つの方法のうち、い
ずれかまたはそれらの組み合わせを用いるものとする。
【0066】1.非線形光学結晶へ入射するレーザービ
ームを、集光レンズや反射鏡によって細くしぼり込む。
なお、これを行うためには、基になる固体レーザーの横
モードが、単一モードであることが必要である。
【0067】2.共振器中に非線形結晶をいれ、共振器
内での光の多重反射による光強度の増強を用いて波長変
換の高効率を図る。この方法の具体例としては、固体レ
ーザーの共振器中に非線形結晶を入れる内部共振器(i
ntra−cavity)法と呼ばれるものと、固体レ
ーザーの共振器の外に、もう一つの共振器を設けてその
中に非線形結晶を入れる外部共振器(external
resonantcavity)法とがある。
【0068】3.レーザー発振をパルス化し、エネルギ
ーを短時間に集中させることによって、瞬間的な光強度
を増す。この方法では、非線形結晶は共振器の中に置か
ずに、非線形結晶を単独で配置し、それに光を一方向へ
通すだけでよい。
【0069】なお、上記各方法に対応する構成について
は、後述する実施例でより詳細に説明する。
【0070】また、本実施例の構成に当たって注意しな
ければならない点として、非線形結晶の光損傷がある。
すなわち、非線形結晶は、強すぎる光強度によって損傷
して変換効率が落ちるという問題がある。一方、非線形
結晶において変換効率を上げるためには光の強度を上げ
ねばならないというので、これが装置の設計においての
ジレンマとなる。
【0071】現在知られているところでは、ある一定の
光強度までは、光損傷はほとんど起こらない。実際の紫
外発生レーザーの例でいうと、BBOによる連続光の紫
外光(266nm)の発生において、紫外光の出力が1
00mWでは損傷は小さいが、1Wを超えると損傷が著
しくなる。
【0072】本実施例においては、紫外レーザー光源全
体では数ワットの光出力を発生するが、数個から数10
0個の複数のレーザー要素が光出力を分担し、レーザー
要素一個当たりの出力を低出力に抑える構成としてい
る。この構成により、本実施例に含まれる複数個の非線
形結晶では、光損傷が起きにくく、長期間の安定した動
作が可能となる。
【0073】また、本実施例においては、露光機への適
用を考慮して、各レーザー要素は、個々の発振波長の線
幅が1pm以下であること、及び、複数のレーザー要素
相互の波長の差が1pm以下であることの二つの条件が
求められている。
【0074】本実施例では、例えば、次のようにして上
記2つの条件を満たすように波長を制御する。
【0075】各レーザー要素は、いくつかの縦モード
(発振波長に対応する)の中から、一個の縦モードのみ
で発振するように調整される。そのためには共振器長を
調整し、必要のあるときは波長選択性のある光学素子を
挿入する。
【0076】1つの縦モードの発振線幅は、典型的には
0.01pm以下である。そこで、ひとつの縦モードで
の発振(Single frequency oper
ation)をさせることにより、個々のレーザー要素
の発振線幅は、要求の1pm以下となる。
【0077】また、縦モードの固有波長は周期的に存在
し、その波長間隔Δλは、レーザー共振器の1往復の長
さを2L、共振器内部の物質の屈折率をn、発振する波
長をλとすると、以下の式で与えられる。
【0078】Δλ=λ2/(2L・n) 本実施例の典型的な例の場合として、L=10cm、N
d:YAGの基本波の1064nmを用い、nとしてN
d:YAGや非線形結晶の平均として1.7を用いる
と、Δλとして、2.9pmを得るが、これの5倍波の
213nmでは、Δλ=0.6pmとなる。
【0079】通常1つの縦モードを発振させると、レー
ザー媒質の増幅率の最も大きな波長の縦モードが発振す
る。この波長は、レーザー媒質により決定されるもの
で、複数のレーザー要素の発振している波長はレーザー
媒質に固有な波長付近に揃うことになる。さらに詳しく
言うと、固体レーザー媒質のもっとも増幅率の大きな波
長を中心として、個々のレーザー要素では、最大で縦モ
ード間隔の1/2(上記の例では±0.6pm/2=±
0.3pm)しか、互いに離れていないことになる。
【0080】共振器長Lがここで述べた場合よりも小さ
いときには、モード間隔Δλが離れてしまうので、各レ
ーザー要素の共振器長Lまたは波長選択素子の特性を調
整することによって、発振波長をそろえることができ
る。
【0081】また、本実施例では、複数のレーザー要素
から光が発生するので、もともと空間的コヒーレンスは
低い。さらに、従来のレーザーのように、元々一本であ
ったビームを複数に分割したものに比べてもコヒーレン
スは低い。それは、複数のレーザー要素は上述したよう
に非常に近い波長(波長の差は1pm以下)を発生する
が、それは周波数の違いにして通常1GHz程度になる
からである。
【0082】各レーザーの発振周波数は、なんら手を施
さなくても自然に数百MHzから1GHz程度以上離れ
る。ちなみに波長200nm付近では、±0.3pmの
波長の違いは、周波数の差にして、±2.2GHzにな
る。
【0083】これは、複数のレーザーから発した光によ
る干渉縞が、1GHz程度の周波数で明滅することを意
味している。半導体ウェハーの露光の時間スケールで見
ると、各レーザー要素間で作られたの干渉縞は平均化さ
れてなくなる。これは事実上各レーザーからでた光は干
渉しないことを意味している。
【0084】本実施例によれば、このように空間的コヒ
ーレンスを低下させているので従来の一本ビームの固体
レーザーの時よりもスペックル低減に有利である。
【0085】本発明を適用した他の実施例について、図
2及び図3を用いて説明する。ここで、図2は本実施例
の紫外レーザー光源の全体図、図3は各レーザ要素の構
成図である。
【0086】本実施例の紫外レーザー光源は、図2に示
すように、縦10本、横10本の計100本のレーザー
要素からなる。各レーザ要素は、励起光を発生する半導
体レーザー21と、前記励起光を伝える光ファイバー2
2と、非線形結晶を含む内部共振器型の固体レーザー2
3とを有する。
【0087】固体レーザー23は、213nmの連続光
の紫外光を右方向に発生するものであり、図3に示すよ
うに、共振器中に、レーザー媒質であるNd:YAG3
4と、波長を変換する4個の非線形結晶35、36、3
7、39と、反射鏡33、40と、波長板38とを有す
る。
【0088】本実施例において、レーザ要素一本あたり
の紫外光出力は100mW(0.1W)程度が見込ま
れ、そのとき本実施例の光源全体では10W程度の出力
になる。また、各レーザー要素の固体レーザー23は、
断面寸法が約3mm角であり、全100本の束で、およ
そ50mm角の光源となる。各レーザー要素は、図示さ
れていない冷却機構により冷却される。冷却機構として
は、例えば、各レーザー要素を銅でできたプロックに埋
め込み、この銅ブロックを冷却装置により冷却する機構
を用いることができる。
【0089】光ファイバー22は柔軟であり、長さも数
cmから数mくらい可能であるので、配置方法の変更が
自由にできる。とくに、半導体レーザー21の大きさ
が、数cm立法である(図2では縮小して描いている)
のに対して、固体レーザー23の断面寸法が数mm角で
あるので、光ファイバー22の柔軟性を生かして配置を
行う。
【0090】本実施例の固体レーザー23は、入力され
た光の5倍波を発生するもので、例えば、従来報告され
ている4倍波発生用のレーザーから発生された4倍波
を、さらに変換し、5倍波を発生させたものである。
【0091】半導体レーザー21としては、発振波長が
808nm、光ファイバー22の出口における出力が1
0W程度のものを使う。半導体レーザー31からの励起
光(波長808nm)は、光ファイバー32を通して、
固体レーザー23のレーザー共振器(33から40)に
導かれ、反射鏡33を通してレーザー媒質であるNd:
YAGロッド34を励起する。
【0092】Nd:YAGロッド34の断面寸法は、3
mm角程度以下(円断面でも良い)にし、長さは10m
m程度にする。反射鏡33は、波長808nmの励起光
に対しては高透過率とし、波長1064nmの固体レー
ザーの基本波に対しては高反射率となるようにする。反
射鏡33は個別の部品とせずに、Nd:YAGロッド3
4の左端面に反射膜を付着させて代用しても良い。
【0093】レーザー媒質34から発した波長1064
nmの基本波(周波数ω)は、非線形結晶35、36、
37、波長板38、及び、非線形結晶39を透過し、反
射鏡33と、もう一方の反射鏡40の間に構成されるレ
ーザー共振器中を往復する。各非線形結晶の断面寸法
は、3mm角程度、長さは10mm程度にする。
【0094】このレーザー共振器中を基本波の光が往復
する際、各非線形結晶などの端面での反射や散乱、内部
での吸収、高調波へのエネルギーの変換などで、基本波
はエネルギーを失うが、レーザー媒質のNd:YAGロ
ッド34を通過する際に強度の増幅を受ける。その結
果、共振器中の基本波の強度は増して、およそ数十ワッ
トから数百ワットに達する。
【0095】基本波が左から右へ非線形結晶35を通る
際に、波長532nm(周波数2ω)の2倍波が発生
(第2高調波発生、ω+ω=2ω)する。非線形結晶3
5としては、LBOを用いる。基本波は、そのエネルギ
ーの一部を変換により多少失うが、その絶対的な強度は
依然として高く、高強度を保つことができる。ここで
は、いわゆる、タイプIの位相整合が成り立つように、
LBO端面のカット方向を決める。タイプI位相整合で
は、垂直方向の偏光方向を持っていた基本波から、水平
方向の偏光を持った2倍波が発生する。
【0096】発生した2倍波は、基本波と共に右方向へ
進み、次の非線形結晶(LBO)36に進む。そこで、
2倍波と基本波の和周波発生(ω+2ω=3ω)が行わ
れ、3倍波(波長355nm)が発生する。その際に2
倍波、基本波とも強度は多少低下するが、基本波は依然
として高強度を保つ。ここでは、いわゆるタイプIIの
位相整合が行われるように、LBO端面をカットしてお
く。タイプII位相整合では垂直方向の基本波と、水平
方向の2倍波から、垂直方向成分を持った3倍波が発生
する。なお、水平方向成分もあるが、ここでは無関係で
ある。
【0097】さらに、次の非線形結晶(LBO)37に
よって、ω+3ω=4ωの和周波発生が行われ、4倍波
の266nmが発生する。ここでは、タイプIの位相整
合が行われ、4倍波は水平方向の偏光方向を持つ。
【0098】次に、波長板38によって、基本波の偏光
方向(垂直)は変えずに、4倍波の偏光方向が垂直にさ
れる。垂直偏光の4倍波は非線形結晶(BBO)39へ
入射する。
【0099】非線形結晶39では、タイプIIの位相整
合により、ω+4ω=5ωの和周波発生が行なわれ、5
倍波(波長213nm)を発生させる。BBO39を出
たところでも、依然として基本波は高強度である。ま
た、発生した5倍波は、およそ100mWの出力が見込
まれる。
【0100】固体レーザー23(レーザー共振器)の右
端では、波長選択性のある反射鏡40により、基本波を
反射させて上記レーザー共振器中に折り返させる一方、
発生した5倍波は透過させる。なお、2倍波から4倍波
までの高調波は強度が弱まっているので、透過させても
反射させても良い。反射鏡40のよって反射された基本
波は、上記共振器中を逆に戻り、再びNd:YAGロッ
ド34のよって増幅される。
【0101】本実施例では、上記レーザー共振器中の光
学部品の、Nd:YAGロッド34、非線形結晶35、
36、37、39等には、その端面に反射防止膜を施
す。また、反射防止膜を用いずに各光学部品を密着(接
着またはオプティカルコンタクト)させて反射を防止さ
せても良い。また、反射鏡33と同様に、反射鏡40も
個別部品とせずに、非線形結晶39の端面に反射膜を付
着させて反射面とすることで、反射鏡40を代用する構
成としても良い。
【0102】また、本実施例では、5倍波以外の高調波
と基本波も、低強度ながらも反射鏡40を通して出力さ
れる。もし、これらが露光に悪影響をおよぼす場合に
は、レーザーの外部にフィルターを設け、それによって
除外する。
【0103】また、本実施例でのレーザー要素が単一の
縦モードで発振しない場合には、さらに波長選択素子を
加える構成としても良い。
【0104】本実施例によれば、波長213nmの紫外
光で、全出力が約10W、スペクトル線幅が1pm以下
で、非線形結晶の損傷が少なく、空間的コヒーレンスの
低い紫外レーザー光源が実現される。
【0105】本発明を適用した他の実施例について、図
4を用いて説明する。ここで、図4は本実施例における
各レーザ要素の構成、及び、その内部でのレーザービー
ムの伝搬経路を示した図である。
【0106】本実施例の紫外レーザー光源は、上記図
2、3の実施例と同様に、複数のレーザー要素を並列に
束にして構成したものであり、図4に示すような光学的
な構造を有する。すなわち、本実施例の各レーザー要素
は、長波長のレーザーを発生する小型レーザー41と、
波長変換を行う非線形結晶43、45と、小型レーザー
41と非線形結晶43との間、非線形結晶43と非線形
結晶45との間、非線形結晶45の出射側にそれぞれ設
けられた、レンズ42、44、46とを有する。
【0107】本実施例では、小型レーザー41として
は、波長820nmを発する出力150mW程度の単一
横モードの半導体レーザー41を用いるもので、使用さ
れる波長変換の方法は外部共振器法である。
【0108】外部共振器法としては、例えば「Gene
ration of 41 mWof blue ra
diation by frequency doub
ling of a GaAlAs diode la
ser(W.J.Kozlovsky,W.Lent
h,E.E.Latta,A.Moser andG.
L.Bona,Applied Physics Le
tters,Vol.56,p.2291,(199
0))」に記載の例のように、856nmを428nm
に波長変換させるものがある。本実施例のレーザー要素
は、このような外部共振器法を利用して、820nmか
ら410nmへ、さらに410nmから205nmへの
2段変換としたものである。
【0109】本実施例において、半導体レーザー41か
ら出た波長820nmの光は、レンズ42で方向と収束
角を整えて、非線形結晶43に入射される。ここで、非
線形結晶43としては、LBOを用いる。
【0110】非線形結晶43の左右両端面は、図4に示
すように傾いた凸状の鏡面に研磨され、さらに820n
mの基本波に対しては高反射率になり、波長410nm
の2倍波に対しては高透過率になるような波長選択性の
反射膜が形成されている。非線形結晶43の断面は、5
mm角程度、長さは15mm程度である。
【0111】非線形結晶43の内部はリング共振器構造
を形成している。すなわち、左右両端面と、平面に研磨
された下面の全反射を用いて3角形に光を閉じこめる構
造(リング共振器)になっている。このように、一体の
結晶からなる共振器をモノリシック共振器という。
【0112】非線形結晶43に入射した820nmの基
本波は、その共振器構造中でその強度が強められ、最も
ビームのしぼり込まれた水平方向のビーム位置で第2高
調波発生が強く起こり、2倍波の410nmの光が水平
方向(右方向)に発生する。
【0113】発生した2倍波は、そのほとんどが非線形
結晶43の右端から出射し、レンズ44を経て角度と収
束角を整えて、次の非線形結晶45に入射する。一方、
800nmの基本波は、そのほとんどが非線形結晶43
の中に閉じこめられ、その右端面から出射するものの強
度は低い。
【0114】非線形結晶45としては、BBOを用い
る。また、非線形結晶45の左右両端には、410nm
の2倍波には高反射率で、205nmの4倍波には高透
過率の波長選択性の反射膜を形成する。非線形結晶45
も、非線形結晶43と同じ構成を有するモノリシック共
振器であり、第2高調波発生によって、410nmの2
倍波から205nmの4倍波を発生し、発生した4倍波
をその右端面から出射する。非線形結晶45の寸法も、
非線形結晶43と同程度とする。
【0115】発生された4倍波は、レンズ46へ入射し
方向と発散角が整えられて、紫外レーザー出力として出
力される。最終的な205nmの紫外光の出力として
は、一個のレーザー要素あたり、50mW程度が見込ま
れる。
【0116】また、ふたつの非線形結晶モノリシックキ
ャビティーの共振波長と、半導体レーザーの発振波長を
合わせるための構成として、例えば「Longitud
inally diode−pumped conti
nuous−wave 3.5−W green la
ser(L.Y.Liu,M.Oka,W.Wiech
mann and S.Kubota,Optics
Letters,Vol.19,p.189(199
4))」に記載されているような、周知のサーボ制御の
電気回路を設けても良い。
【0117】モノリシックキャビティーの共振線幅は、
通常、1pmよりも充分に小さいが、さらに、複数の半
導体レーザーの中から、使用しようとする発振波長のも
のを選択し、非線形結晶の寸法を各レーザー要素間で一
致させることによって、レーザー要素間の波長の差を小
さくすることができる。
【0118】波長の一致がそれでも不十分の場合には、
エタロンなどの波長選択素子を挿入するか、種になる光
を各半導体レーザーに入射させるインジェクションロッ
クと呼ばれる周知の方法を用いることで、各レーザー要
素間の波長を一致させる構成としても良い。
【0119】本実施例の紫外レーザー光源によれば、1
00本のレーザー要素の合計で5W程度の紫外光出力が
見込まれる。なお、半導体レーザー41として、772
nmの光を発生するものを使えば、4倍波は193nm
となり、ArFエキシマレーザーと同じ波長になる。こ
の場合にはエキシマレーザーの代替として使用すること
ができる。そのとき4倍波発生用の結晶としては、KB
BFを用いる。
【0120】本発明を適用した紫外レーザー光源の他の
実施例を図5を用いて説明する。
【0121】本実施例の紫外レーザー光源は、上記図2
の実施例と同様に、複数のレーザー要素を並列に束にし
て構成したものであり、各レーザー要素は、図5に示す
ような光学的な構造を有する。
【0122】すなわち、各レーザー要素は、励起光を発
生する半導体レーザー51と、励起光により励起され基
本波の光を発生すると共に、当該基本波を2倍波へ変換
するレーザー共振器(固体レーザー)501と、当該2
倍波を4倍波に変換する外部共振器構造を有する波長変
換部502と、レーザー共振器501と波長変換部50
2との間に設けられた集光用レンズ57とを有し、最終
的に266nmの紫外光を出力する。
【0123】レーザー共振器501は、レンズ52と、
反射鏡53、56と、固体レーザー媒質のNd:YAG
ロッド54と、波長変換を行う非線形結晶55とを有す
る。また、波長変換部502は、波長変換を行う非線形
結晶59と、当該非線形結晶59の両側に配置された反
射鏡58、60とを有する。
【0124】半導体レーザー51からの波長808nm
の励起光(出力3W)は、レンズ52で集光され、反射
鏡53を通して、Nd:YAGロッド54に入射する。
ここで、図3の実施例と同様に光ファイバーを用いて半
導体レーザーからの光を、反射鏡まで導入する構成とし
ても良い。
【0125】反射鏡53は、波長808nmの励起光に
対しては高透過率、波長1064nmの光には高反射
率、波長532nmの光に対しては高透過率の反射膜を
形成する。Nd:YAGロッド54は、半導体レーザー
51からの励起光が入射され、1064nmの基本波を
発生するもので、その断面寸法は、3mm角程度、長さ
は10mm程度である。
【0126】発生された基本波は、非線形結晶55へ入
射し、そこで2倍波へ変換される。非線形結晶55は、
2倍波発生用の非線形結晶KTiOPO4(KTP)5
5を含んで構成されるもので、Nd:YAGロッド54
とほぼ同じ寸法を持つ。
【0127】反射鏡56には、波長1064nmの基本
波に対しては高反射率、532nmの2倍波に対して
は、高透過率の反射膜が施されている。レーザー共振器
501には、上記構成に加え、さらに、縦モードを単一
にするための、波長板や偏光素子(どちらも図不示)を
含むものとする。
【0128】本実施例では、レーザー共振器501中に
は、高強度の1064nmの基本波が閉じこめられ、非
線形結晶55によって、532nmの2倍波の光が発生
して、この2倍波が反射鏡56から出射される。
【0129】ここで、本実施例の反射鏡53を、レーザ
ー媒質54の左端面に反射膜を形成することで代用する
構成としても良い。同様に、反射鏡56を非線形結晶5
5の右端を反射面とすることで代用する構成としても良
い。
【0130】レーザー共振器501を出射した2倍波の
532nm光は、レンズ57で収束角を整えられて、非
線形結晶59を含んで共振器構造を形成する波長変換部
502(以下では外部共振器と呼ぶ)へ入射する。非線
形結晶59としてはBBOを用いる。外部共振器502
へ入射した532nmの2倍波光は、266nmの4倍
波光に変換される。
【0131】なお、外部共振器502の共振波長が、レ
ーザー共振器501から発生する光の波長に同調するよ
うに、周知の電気的なサーボ回路を設ける構成としても
良い。また、本実施例の反射鏡58、60の代わりに、
非線形結晶59の両端面を加工、反射膜を形成し、反射
鏡58、60を省略する構成としても良い。
【0132】本実施例によれば、半導体レーザー51と
して3W程度の出力のものを用いたとき、各レーザー要
素からの最終的に出力される266nmの紫外光の光出
力として、100mW程度が見込まれる。
【0133】本発明を適用した紫外レーザー光源の他の
実施例を、図6を用いて説明する。本実施例は、上記図
3〜図5の実施例で用いられた連続光の代わりに、パル
ス光を用いるものである。
【0134】本実施例の紫外レーザー光源も、図2の実
施例と同様に、複数本のレーザー要素を並列にして構成
されるものであり、各レーザー要素は、図6に示すよう
な光学的構造を有している。
【0135】すなわち、本実施例の各レーザー要素は、
周知のQ−スイッチ法によるパルスレーザーと、2倍波
への変換用の非線形結晶67と、4倍波への変換用の非
線形結晶68とを有する。
【0136】パルスレーザーは、半導体レーザー61
と、光ファイバー62と、固体レーザー(レーザー共振
器)601とから構成される。レーザー共振器601
は、レーザー媒質64及び変調器65と、その両側に配
置される反射鏡63、66とを有する。
【0137】半導体レーザー61からの励起光は、光フ
ァイバー62を通してレーザー共振器601に導かれ、
反射鏡63を通り、レーザー媒質であるNd:YLF結
晶64を励起する。なお、光ファイバー62を用いず
に、図5の実施例で行われたようにレンズで集光して、
レーザー共振器601まで導く構成としても良い。
【0138】レーザー共振器601には、音響光学効果
による変調器64が内蔵されており、いわゆるQ−スイ
ッチ法により、波長1064nmのパルス光を発生す
る。この発生されたパルス光のパルス幅は約10ns、
1パルスのエネルギーは約100μJ、パルスの繰り返
し周波数は、約10kHzである。この構成によれば、
平均エネルギー出力は約1Wとなる。
【0139】レーザー共振器601から出力されたパル
ス光は、ピーク出力が大きいので、波長変換の際に共振
器構造を利用しなくても、効率の高い波長変換が行われ
る。
【0140】本実施例では、レーザー共振器601から
出射された1064nmの基本波を、最初の非線形結晶
(KTP)67で532nmの2倍波にし、2個目の非
線形結晶(BBO)68で4倍波の266nmの紫外光
を発生する。さらに、BBO結晶によって、基本波と4
倍波の和周波発生を行い、213nmの紫外光の発生も
可能である。
【0141】ここで、波長の変換効率をさらに上げるた
めに、集光レンズを設け、レーザー光を集光した後に非
線形結晶に光を通す構成としても良い。
【0142】本実施例のレーザー要素の構成によれば、
最終的に得られる266nmの紫外光出力(平均出力)
としては、100mW程度が見込まれる。よって、上記
レーザー要素を10×10の計100本を束にした、紫
外レーザー光源全体としては、10W程度の合計出力が
見込まれる。
【0143】本実施例によれば、コンパクト性、空間的
コヒーレンスの低さ、メンテナンスの容易性などの利点
を達成することができ、かつ、パルス光を発生すること
ができる、紫外レーザー光源を実現することができる。
【0144】なお、本実施例はパルス光を用いているた
め、このままではスペクトル線幅がひろく、出力される
紫外光の線幅にして、100pm程度になる。このた
め、露光機で使用する場合には、色消し設計のされた露
光機で用いる。
【0145】しかし、インジェクションロックと呼ばれ
る公知の方法により、スペクトル線幅を1pm以下にす
ることも可能である。
【0146】
【効果】本発明によれば、コンパクトでメンテナンスが
容易で、電力利用効率が高く、光出力の制御が容易で、
しかも非線形結晶の損傷が小さくて、空間的コヒーレン
スの低い紫外光を発生する紫外レーザー光源を提供する
ことができる。
【0147】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による紫外レーザー光源の一実施例の全
体構成を示す斜視図である。
【図2】本発明の他の実施例の全体構成を示す斜視図で
ある。
【図3】図2の実施例のレーザー要素の光学的構造の一
例を示す説明図である。
【図4】本発明の他の実施例のレーザー要素の光学的構
造の一例を示す説明図である。
【図5】本発明の他の実施例のレーザー要素の光学的構
造の一例を示す説明図である。
【図6】本発明の他の実施例のレーザー要素の光学的構
造の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
11…半導体レーザー、12…光ファイバー、13…固
体レーザー、14…波長変換部、21…半導体レーザ
ー、22…光ファイバー、23…固体レーザー、33…
反射鏡、34…レーザー媒質、35、36、37…非線
形結晶、38…波長板、39…非線形結晶、40…反射
鏡、100…レーザー光発生部。

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】赤外から可視までの波長範囲内の光を発生
    するレーザー光発生部と、前記発生した光を非線形光学
    結晶を用いて紫外光に波長変換する波長変換光学系とを
    有するレーザー要素を複数並列に束ねて構成したことを
    特徴とする紫外レーザー光源。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記レーザー光発生部
    は、半導体レーザーを有することを特徴とする紫外レー
    ザー光源。
  3. 【請求項3】請求項2において、前記レーザー光発生部
    は、前記半導体レーザーにより発生された光により励起
    される固体レーザーをさらに有することを特徴とする紫
    外レーザー光源。
  4. 【請求項4】請求項1において、前記レーザー要素は、 半導体レーザーと、 前記半導体レーザーにより発生された光により励起され
    るレーザー媒質、及び、前記レーザー媒質で励起された
    基本波を5倍波とする、並列配置された複数の非線形光
    学結晶を有するレーザー共振器とを有することを特徴と
    する紫外レーザー光源。
  5. 【請求項5】請求項1〜3のいずれかにおいて、前記波
    長変換光学系は、直列配置された1つまたは複数の非線
    形結晶のモノシリック共振器を有することを特徴とする
    紫外レーザー光源。
  6. 【請求項6】請求項1において、前記レーザー要素は、 半導体レーザーと、 前記半導体レーザーにより発生された光により励起され
    るレーザー媒質、及び、前記レーザー媒質で励起された
    光を波長変換する非線形光学結晶を有するレーザー共振
    器と、 前記レーザー共振器で波長変換された光を、さらに波長
    変換することで紫外光を発生させる、非線形光学結晶を
    備えた共振器とを有することを特徴とする紫外レーザー
    光源。
  7. 【請求項7】請求項1において、前記レーザー光発生部
    は、パルス光を発生するパルスレーザーであることを特
    徴とする紫外レーザー光源。
  8. 【請求項8】請求項4または6において、 前記各レーザー要素のうち前記半導体レーザーを除く部
    分を、複数並列に束ねて、紫外光の出射端面を形成する
    ものであり、 前記レーザー要素のそれぞれは、前記半導体レーザーで
    発生した光を前記レーザー共振器へ導入する光ファイバ
    ーをさらに有することを特徴とする紫外レーザー光源。
  9. 【請求項9】請求項1において、 前記複数のレーザー要素は、各レーザー要素の紫外光の
    出射端面がマトリクスを形成するように並列配置される
    ことを特徴とする紫外レーザー光源。
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