JPH07131101A - レーザ光発生装置 - Google Patents
レーザ光発生装置Info
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- JPH07131101A JPH07131101A JP27846993A JP27846993A JPH07131101A JP H07131101 A JPH07131101 A JP H07131101A JP 27846993 A JP27846993 A JP 27846993A JP 27846993 A JP27846993 A JP 27846993A JP H07131101 A JPH07131101 A JP H07131101A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 レーザ共振器１３を構成する一対の反射鏡１
４、１８の間に、基本波レーザ光を発生するＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 のレーザ媒質１６、１／４波長板１５、及びタイプ
IIの位相整合をとり基本波レーザ光の第２高調波を発生
する非線形光学結晶素子（ＫＴＰ）１７を配置する。Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 のレーザ媒質１６の結晶のｃ軸と非線形光
学結晶素子１７の結晶のｃ軸とを同じ方向に配置する。 【効果】 励起光パワー消費を少なくでき、広い温度範
囲にわたって安定な第２高調波発生が行える。
４、１８の間に、基本波レーザ光を発生するＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 のレーザ媒質１６、１／４波長板１５、及びタイプ
IIの位相整合をとり基本波レーザ光の第２高調波を発生
する非線形光学結晶素子（ＫＴＰ）１７を配置する。Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 のレーザ媒質１６の結晶のｃ軸と非線形光
学結晶素子１７の結晶のｃ軸とを同じ方向に配置する。 【効果】 励起光パワー消費を少なくでき、広い温度範
囲にわたって安定な第２高調波発生が行える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光発生装置に関
し、特に、非線形光学結晶素子を用いて高次高調波レー
ザ光を発生させるレーザ光源を有するレーザ光発生装置
に関する。
し、特に、非線形光学結晶素子を用いて高次高調波レー
ザ光を発生させるレーザ光源を有するレーザ光発生装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】共振器内部の高いパワー密度を利用して
効率良く波長変換を行うことが従来より提案されてお
り、例えば、外部共振型のＳＨＧ（第２高調波発生）
や、レーザ共振器内部の非線形光学素子によるＳＨＧ等
が試みられている。
効率良く波長変換を行うことが従来より提案されてお
り、例えば、外部共振型のＳＨＧ（第２高調波発生）
や、レーザ共振器内部の非線形光学素子によるＳＨＧ等
が試みられている。
【０００３】レーザ共振器内第２高調波発生タイプの例
としては、共振器を構成する少なくとも１対の反射鏡の
間にレーザ媒質及び非線形光学結晶素子を配置したもの
が知られている。このタイプのレーザ光発生装置の場合
には、共振器内部の非線形光学結晶素子において、基本
波レーザ光に対して第２高調波レーザ光を位相整合させ
ることにより、効率良く第２高調波レーザ光を取り出す
ことができる。
としては、共振器を構成する少なくとも１対の反射鏡の
間にレーザ媒質及び非線形光学結晶素子を配置したもの
が知られている。このタイプのレーザ光発生装置の場合
には、共振器内部の非線形光学結晶素子において、基本
波レーザ光に対して第２高調波レーザ光を位相整合させ
ることにより、効率良く第２高調波レーザ光を取り出す
ことができる。
【０００４】上記位相整合を実現する方法としては、基
本波レーザ光及び第２高調波レーザ光間にタイプＩ又は
タイプIIの位相整合条件を成り立たせるようにする。す
なわち、タイプＩの位相整合は、基本波レーザ光の常光
線を利用して、同一方向に偏光した２つの光子から周波
数が２倍の１つの光子を作るような現象を生じさせるこ
とを原理とするものである。これに対して、タイプIIの
位相整合は、互いに直交する２つの基本波固有偏光を非
線形光学結晶素子に入射することにより、２つの固有偏
光についてそれぞれ位相整合条件を成り立たせるように
するもので、基本波レーザ光は非線形光学結晶素子の内
部において常光線及び異常光線に分かれて第２高調波レ
ーザ光の異常光線に対して位相整合を生じる。
本波レーザ光及び第２高調波レーザ光間にタイプＩ又は
タイプIIの位相整合条件を成り立たせるようにする。す
なわち、タイプＩの位相整合は、基本波レーザ光の常光
線を利用して、同一方向に偏光した２つの光子から周波
数が２倍の１つの光子を作るような現象を生じさせるこ
とを原理とするものである。これに対して、タイプIIの
位相整合は、互いに直交する２つの基本波固有偏光を非
線形光学結晶素子に入射することにより、２つの固有偏
光についてそれぞれ位相整合条件を成り立たせるように
するもので、基本波レーザ光は非線形光学結晶素子の内
部において常光線及び異常光線に分かれて第２高調波レ
ーザ光の異常光線に対して位相整合を生じる。
【０００５】ところが、タイプIIの位相整合条件を用い
て第２高調波レーザ光を発生させようとする場合、基本
波レーザ光が非線形光学結晶素子を繰り返し通る毎に基
本波レーザ光の固有偏光の位相が変化するため、第２高
調波レーザ光の発生を安定に継続し得なくなる虞れがあ
る。
て第２高調波レーザ光を発生させようとする場合、基本
波レーザ光が非線形光学結晶素子を繰り返し通る毎に基
本波レーザ光の固有偏光の位相が変化するため、第２高
調波レーザ光の発生を安定に継続し得なくなる虞れがあ
る。
【０００６】すなわち、レーザ媒質において発生された
基本波レーザ光が共振動作によって非線形光学結晶素子
を繰り返し通過する毎に、直交する固有振動（すなわち
ｐ波成分及びｓ波成分）の位相がそれぞれずれてゆく
と、共振器の各部において基本波レーザ光が効率良く互
いに強め合うような定常状態が得られなくなることによ
り、強い共振状態（強い定在波）を形成できなくなり、
結果として基本波レーザ光の第２高調波レーザ光への変
換効率が劣化すると共に、第２高調波レーザ光にノイズ
を生じさせる虞れがある。
基本波レーザ光が共振動作によって非線形光学結晶素子
を繰り返し通過する毎に、直交する固有振動（すなわち
ｐ波成分及びｓ波成分）の位相がそれぞれずれてゆく
と、共振器の各部において基本波レーザ光が効率良く互
いに強め合うような定常状態が得られなくなることによ
り、強い共振状態（強い定在波）を形成できなくなり、
結果として基本波レーザ光の第２高調波レーザ光への変
換効率が劣化すると共に、第２高調波レーザ光にノイズ
を生じさせる虞れがある。
【０００７】そこで、本件出願人は、特開平１−２２０
８７９号公報において、非線形光学結晶素子によって第
２高調波レーザ光を発生するようになされたレーザ光源
において、基本波レーザ光の共振光路中に、１／４波長
板等の複屈折性素子を挿入することにより、出力レーザ
光として出射する第２高調波レーザ光を安定させるよう
にしたレーザ光源を提案している。
８７９号公報において、非線形光学結晶素子によって第
２高調波レーザ光を発生するようになされたレーザ光源
において、基本波レーザ光の共振光路中に、１／４波長
板等の複屈折性素子を挿入することにより、出力レーザ
光として出射する第２高調波レーザ光を安定させるよう
にしたレーザ光源を提案している。
【０００８】この特開平１−２２０８７９号公報に開示
されたレーザ光源は、レーザ共振器を構成する一対の反
射面間に配設されたＮｄ：ＹＡＧを用いたレーザ媒質に
半導体レーザからの励起用レーザ光を入射して基本波レ
ーザ光を発生させ、この基本波レーザ光を上記共振器内
に設けられたＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）より成る非線形
光学結晶素子に通過させて共振動作させることでタイプ
IIの第２高調波レーザ光を発生させるものにおいて、上
記共振器内に複屈折性素子としての１／４波長板を挿入
することで上記基本波レーザ光の互いに直交する２つの
固有偏光モード間の和周波発生によるカップリングを抑
制し、発振を安定化させている。ここで上記複屈折性素
子としての１／４波長板は、光の伝播方向に垂直な面内
において、異常光方向屈折率ｎe の方向が、非線形光学
結晶素子（ＫＴＰ）の異常光方向屈折率ｎKTPeの方向に
対して所定の方位角θ（例えばθ＝４５°）だけ傾くよ
うな光軸位置に設定されている。
されたレーザ光源は、レーザ共振器を構成する一対の反
射面間に配設されたＮｄ：ＹＡＧを用いたレーザ媒質に
半導体レーザからの励起用レーザ光を入射して基本波レ
ーザ光を発生させ、この基本波レーザ光を上記共振器内
に設けられたＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4 ）より成る非線形
光学結晶素子に通過させて共振動作させることでタイプ
IIの第２高調波レーザ光を発生させるものにおいて、上
記共振器内に複屈折性素子としての１／４波長板を挿入
することで上記基本波レーザ光の互いに直交する２つの
固有偏光モード間の和周波発生によるカップリングを抑
制し、発振を安定化させている。ここで上記複屈折性素
子としての１／４波長板は、光の伝播方向に垂直な面内
において、異常光方向屈折率ｎe の方向が、非線形光学
結晶素子（ＫＴＰ）の異常光方向屈折率ｎKTPeの方向に
対して所定の方位角θ（例えばθ＝４５°）だけ傾くよ
うな光軸位置に設定されている。
【０００９】このように、共振器内に１／４波長板（複
屈折性素子）を設けることにより、非線形光学結晶素子
（ＫＴＰ）の残留リターデーションもしくは位相遅延量
にかかわらず直交偏光間の縦モード競合ノイズの抑制に
効果がある。特に、ＫＴＰの位相遅延量が９０°のと
き、Ｎｄ：ＹＡＧ（レーザ媒質）内の固有偏光モードが
円偏光となるから、その利得の飽和が均一になり、さら
に同一偏光間の縦モード競合ノイズが発生しにくくなる
メリットがある。
屈折性素子）を設けることにより、非線形光学結晶素子
（ＫＴＰ）の残留リターデーションもしくは位相遅延量
にかかわらず直交偏光間の縦モード競合ノイズの抑制に
効果がある。特に、ＫＴＰの位相遅延量が９０°のと
き、Ｎｄ：ＹＡＧ（レーザ媒質）内の固有偏光モードが
円偏光となるから、その利得の飽和が均一になり、さら
に同一偏光間の縦モード競合ノイズが発生しにくくなる
メリットがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで近年におい
て、レーザ媒質としてＮｄ：ＹＶＯ4 が、Ｎｄ：ＹＡＧ
に比べていくつかの利点、特に高い吸収係数の広いポン
ピング吸収帯域と、１０６４．１ｎｍでの大きな誘導放
出断面積の利点を有することが知られてきている。これ
らの利点を利用して、効率的な低雑音のＳＨＧ（第２高
調波発生）Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ光発生装置を構成する
ことが望まれている。
て、レーザ媒質としてＮｄ：ＹＶＯ4 が、Ｎｄ：ＹＡＧ
に比べていくつかの利点、特に高い吸収係数の広いポン
ピング吸収帯域と、１０６４．１ｎｍでの大きな誘導放
出断面積の利点を有することが知られてきている。これ
らの利点を利用して、効率的な低雑音のＳＨＧ（第２高
調波発生）Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ光発生装置を構成する
ことが望まれている。
【００１１】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たものであり、レーザ媒質にＮｄ：ＹＶＯ4 を用いて共
振器内ＳＨＧ（第２高調波発生）型レーザ光発生装置を
構成することを目的とする。
たものであり、レーザ媒質にＮｄ：ＹＶＯ4 を用いて共
振器内ＳＨＧ（第２高調波発生）型レーザ光発生装置を
構成することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ光発
生装置は、励起光源素子と、この励起光源素子からの励
起光によって励起されるレーザ媒質としてのＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 等の複屈折性レーザ媒質と、このレーザ媒質の前後
に配置され上記レーザ媒質より発生された基本波レーザ
光を反射してレーザ共振器を構成する一対の反射手段
と、このレーザ共振器内に配設された非線形光学結晶素
子と、このレーザ共振器内に配設され上記非線形光学結
晶素子によるタイプIIの位相整合をとって第２高調波発
生を行う際のモード競合ノイズを低減させるための複屈
折性素子とを有し、上記複屈折性レーザ媒質（Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 等）の結晶のｃ軸を上記非線形光学結晶素子の結
晶のｃ軸と同じ方向に配置して成ることにより、上述の
課題を解決する。
生装置は、励起光源素子と、この励起光源素子からの励
起光によって励起されるレーザ媒質としてのＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 等の複屈折性レーザ媒質と、このレーザ媒質の前後
に配置され上記レーザ媒質より発生された基本波レーザ
光を反射してレーザ共振器を構成する一対の反射手段
と、このレーザ共振器内に配設された非線形光学結晶素
子と、このレーザ共振器内に配設され上記非線形光学結
晶素子によるタイプIIの位相整合をとって第２高調波発
生を行う際のモード競合ノイズを低減させるための複屈
折性素子とを有し、上記複屈折性レーザ媒質（Ｎｄ：Ｙ
ＶＯ4 等）の結晶のｃ軸を上記非線形光学結晶素子の結
晶のｃ軸と同じ方向に配置して成ることにより、上述の
課題を解決する。
【００１３】ここで、上記複屈折性レーザ媒質として
は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 （Yttrium OrthoVanadate）や、こ
のＮｄ：ＹＶＯ4 に類似した複屈折性レーザ媒質、例え
ばＮｄ：ＧｄＶＯ4 、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＳＶＡＰ等
を用いることができる。
は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 （Yttrium OrthoVanadate）や、こ
のＮｄ：ＹＶＯ4 に類似した複屈折性レーザ媒質、例え
ばＮｄ：ＧｄＶＯ4 、Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＳＶＡＰ等
を用いることができる。
【００１４】また、上記モード競合ノイズを低減させる
ための上記複屈折性素子として、基本波の１／４波長板
を用い、その光学軸が非線形光学結晶素子の光学軸と４
５°をなすように配置することが好ましい。また、上記
レーザ媒質、上記非線形光学結晶素子及び上記複屈折性
素子を密接させて順次重ね合わせて一体に構成すること
が好ましい。
ための上記複屈折性素子として、基本波の１／４波長板
を用い、その光学軸が非線形光学結晶素子の光学軸と４
５°をなすように配置することが好ましい。また、上記
レーザ媒質、上記非線形光学結晶素子及び上記複屈折性
素子を密接させて順次重ね合わせて一体に構成すること
が好ましい。
【００１５】
【作用】レーザ媒質としてＮｄ：ＹＡＧに比べて効率が
高いが異方性の結晶（一軸性の結晶）であるＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 等の複屈折性レーザ媒質を用いる際に、複屈折性レ
ーザ媒質の結晶のｃ軸を上記非線形光学結晶素子の結晶
のｃ軸と同じ方向に配置することにより、上記複屈折性
素子を挿入して互いに直交する固有偏光間の第２高調波
発生を通じてエネルギの授受を生じさせないようにし、
モード競合によるノイズを低減させている。従って、良
好な特性のＮｄ：ＹＶＯ4 等の複屈折性レーザ媒質を用
いて、タイプIIの位相整合をとった第２高調波発生が安
定して行える。
高いが異方性の結晶（一軸性の結晶）であるＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 等の複屈折性レーザ媒質を用いる際に、複屈折性レ
ーザ媒質の結晶のｃ軸を上記非線形光学結晶素子の結晶
のｃ軸と同じ方向に配置することにより、上記複屈折性
素子を挿入して互いに直交する固有偏光間の第２高調波
発生を通じてエネルギの授受を生じさせないようにし、
モード競合によるノイズを低減させている。従って、良
好な特性のＮｄ：ＹＶＯ4 等の複屈折性レーザ媒質を用
いて、タイプIIの位相整合をとった第２高調波発生が安
定して行える。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明に係るレーザ光発生装置の一
実施例の概略構成を示す構成図である。この図１におい
て、励起光源素子としての半導体レーザ素子であるレー
ザダイオード１１から、励起光としてのレーザ光が出射
される。この励起レーザ光は、レンズ１２で集光され、
レーザ共振器１３の反射鏡１４及び１／４波長板１５を
介して、Ｎｄ：ＹＶＯ4 （Yttrium Ortho Vanadate）を
用いたレーザ媒質１６に入射される。反射鏡１４には内
側が凹面とされた凹面鏡等が用いられている。レーザ媒
質１６は、上記励起光の入射に応じて基本波レーザ光を
発生し、この基本波レーザ光が、例えばＫＴＰ（ＫＴｉ
ＯＰＯ4 ）を用いた非線形光学結晶素子１７を通って反
射鏡１８で反射される。レーザ媒質１６のＮｄ：ＹＶＯ
4 結晶のｃ軸を非線形光学結晶素子１７のＫＴＰ結晶の
ｃ軸と同じ方向に配置している。
実施例の概略構成を示す構成図である。この図１におい
て、励起光源素子としての半導体レーザ素子であるレー
ザダイオード１１から、励起光としてのレーザ光が出射
される。この励起レーザ光は、レンズ１２で集光され、
レーザ共振器１３の反射鏡１４及び１／４波長板１５を
介して、Ｎｄ：ＹＶＯ4 （Yttrium Ortho Vanadate）を
用いたレーザ媒質１６に入射される。反射鏡１４には内
側が凹面とされた凹面鏡等が用いられている。レーザ媒
質１６は、上記励起光の入射に応じて基本波レーザ光を
発生し、この基本波レーザ光が、例えばＫＴＰ（ＫＴｉ
ＯＰＯ4 ）を用いた非線形光学結晶素子１７を通って反
射鏡１８で反射される。レーザ媒質１６のＮｄ：ＹＶＯ
4 結晶のｃ軸を非線形光学結晶素子１７のＫＴＰ結晶の
ｃ軸と同じ方向に配置している。
【００１７】ＫＴＰのような非線形光学結晶素子１７
は、タイプIIの位相整合により、上記基本波レーザ光の
２倍の周波数の第２高調波レーザ光（ＳＨＧ光）を発生
する。例えば基本波レーザ光の波長λを１０６４ｎｍと
すると、第２高調波レーザ光の波長はλ／２の５３２ｎ
ｍとなる。反射鏡１４の反射面１４Ｒは、上記励起光
（例えば波長８０８．７ｎｍ）を透過し、レーザ媒質１
６で発生した基本波レーザ光を反射するような特性を有
し、反射鏡１８の反射面１８Ｒは、基本波レーザ光を反
射し、第２高調波レーザ光を透過するような特性を有し
ている。これらの反射鏡１４、１８は、いわゆるダイク
ロイックミラーにより形成できる。従って、レーザ媒質
１６で発生した基本波レーザ光は、レーザ共振器１３の
反射鏡１４、１８の間を往復進行し、レーザ光の発振が
行われる。
は、タイプIIの位相整合により、上記基本波レーザ光の
２倍の周波数の第２高調波レーザ光（ＳＨＧ光）を発生
する。例えば基本波レーザ光の波長λを１０６４ｎｍと
すると、第２高調波レーザ光の波長はλ／２の５３２ｎ
ｍとなる。反射鏡１４の反射面１４Ｒは、上記励起光
（例えば波長８０８．７ｎｍ）を透過し、レーザ媒質１
６で発生した基本波レーザ光を反射するような特性を有
し、反射鏡１８の反射面１８Ｒは、基本波レーザ光を反
射し、第２高調波レーザ光を透過するような特性を有し
ている。これらの反射鏡１４、１８は、いわゆるダイク
ロイックミラーにより形成できる。従って、レーザ媒質
１６で発生した基本波レーザ光は、レーザ共振器１３の
反射鏡１４、１８の間を往復進行し、レーザ光の発振が
行われる。
【００１８】この図１の例では反射鏡１８に平面鏡が用
いているが、反射鏡１４に平面鏡を用い、反射鏡１８に
凹面鏡を用いるようにしてもよい。また、各素子の配列
順序は任意であり、例えば図２に示すように、励起光を
入射する側から順に、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質
１６、ＫＴＰ結晶の非線形光学結晶素子１７、及び複屈
折性結晶素子である１／４波長板１５のように配列して
もよい。さらに、上記反射鏡を別個に設ける代わりに、
外側の素子の外面に反射膜をコーティング形成してもよ
い。例えば、図２のレーザ媒質（Ｎｄ：ＹＶＯ4 ）１６
の励起光入射面側に波長８０８．７ｎｍの励起光を透過
し波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射する反射膜
１６Ｒを形成し、１／４波長板１５のＳＨＧ光出射面側
に波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射し波長５３
２ｎｍのＳＨＧ光を透過する反射膜１５Ｒを形成し、一
方を凹面鏡とすればよい。
いているが、反射鏡１４に平面鏡を用い、反射鏡１８に
凹面鏡を用いるようにしてもよい。また、各素子の配列
順序は任意であり、例えば図２に示すように、励起光を
入射する側から順に、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質
１６、ＫＴＰ結晶の非線形光学結晶素子１７、及び複屈
折性結晶素子である１／４波長板１５のように配列して
もよい。さらに、上記反射鏡を別個に設ける代わりに、
外側の素子の外面に反射膜をコーティング形成してもよ
い。例えば、図２のレーザ媒質（Ｎｄ：ＹＶＯ4 ）１６
の励起光入射面側に波長８０８．７ｎｍの励起光を透過
し波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射する反射膜
１６Ｒを形成し、１／４波長板１５のＳＨＧ光出射面側
に波長１０６４ｎｍの基本波レーザ光を反射し波長５３
２ｎｍのＳＨＧ光を透過する反射膜１５Ｒを形成し、一
方を凹面鏡とすればよい。
【００１９】これらのレーザ媒質（Ｎｄ：ＹＶＯ4 ）１
６、非線形光学結晶素子（ＫＴＰ）１７、及び複屈折性
結晶素子である１／４波長板１５の結晶の光学軸は、図
３のように設定されている。
６、非線形光学結晶素子（ＫＴＰ）１７、及び複屈折性
結晶素子である１／４波長板１５の結晶の光学軸は、図
３のように設定されている。
【００２０】この図３において、レーザ媒質１６である
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のｃ軸と、非線形光学結晶素子１７
であるＫＴＰ結晶のｃ軸とは、互いに同じ方向となるよ
うに配置されており、この結晶のｃ軸に対して、複屈折
性結晶素子である１／４波長板１５の進相軸（fast axi
s ）Ｆが４５°の角度だけ傾いて配置されている。
Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のｃ軸と、非線形光学結晶素子１７
であるＫＴＰ結晶のｃ軸とは、互いに同じ方向となるよ
うに配置されており、この結晶のｃ軸に対して、複屈折
性結晶素子である１／４波長板１５の進相軸（fast axi
s ）Ｆが４５°の角度だけ傾いて配置されている。
【００２１】すなわち、この１／４波長板１５は、本件
出願人が、先に特開平１−２２０８７９号公報や、特願
平２−１２５８５４号の明細書及び図面、特願平３−１
７０６８号の明細書及び図面等において開示した技術に
基づき用いられる複屈折性素子であり、非線形光学結晶
素子１７の光学軸に対して方位角θ＝４５°だけ傾いた
方位にその光学軸が設定された１／４波長板１５を通る
ことにより、共振器１３の各部におけるレーザ光のパワ
ーを安定化するためのものである。
出願人が、先に特開平１−２２０８７９号公報や、特願
平２−１２５８５４号の明細書及び図面、特願平３−１
７０６８号の明細書及び図面等において開示した技術に
基づき用いられる複屈折性素子であり、非線形光学結晶
素子１７の光学軸に対して方位角θ＝４５°だけ傾いた
方位にその光学軸が設定された１／４波長板１５を通る
ことにより、共振器１３の各部におけるレーザ光のパワ
ーを安定化するためのものである。
【００２２】この１／４波長板１５を挿入することによ
り、 （ｉ）和周波発生に起因する偏光モード間の非線形結合
がなくなり、偏光モード間のモード競合を防止できる。 （ii）２つの偏光モード間で空間位相差が９０°となる
ので、２つの偏光モードが発振することにより空間的ホ
ールバーニング効果を抑止でき、縦２モード（偏光２モ
ード）の安定発振が得られる。 という作用効果が得られるものである。
り、 （ｉ）和周波発生に起因する偏光モード間の非線形結合
がなくなり、偏光モード間のモード競合を防止できる。 （ii）２つの偏光モード間で空間位相差が９０°となる
ので、２つの偏光モードが発振することにより空間的ホ
ールバーニング効果を抑止でき、縦２モード（偏光２モ
ード）の安定発振が得られる。 という作用効果が得られるものである。
【００２３】次に、上記レーザ媒質１６として用いられ
るＮｄ：ＹＶＯ4 の物理特性、特にレーザ動作の種々の
特性について説明する。
るＮｄ：ＹＶＯ4 の物理特性、特にレーザ動作の種々の
特性について説明する。
【００２４】Ｎｄ：ＹＶＯ4 は、一軸性の結晶であるこ
とより、ポンピング光の偏光方向がｃ軸に垂直な成分
（σ偏光）と平行な成分（π偏光）とで吸収係数が異な
る。図４は、上記π偏光、σ偏光、及びＮｄ：ＹＡＧの
吸収スペクトルをそれぞれ示している。この図４におい
て、曲線ａ、ｂは、Ｎｄ濃度が１．１ at.％のａ軸切り
出しＮｄ：ＹＶＯ4 についてのπ偏光吸収スペクトル
（ａ）及びσ偏光吸収スペクトル（ｂ）をそれぞれ示
し、曲線ｃは、Ｎｄ濃度が０．８５ at.％の吸収スペク
トルを示している。曲線ａ（Ｎｄ：ＹＶＯ4 のπ偏光吸
収スペクトル）では、吸収係数が６ｍｍ-1と高く、吸収
深さは１７０μｍ弱と小さい。吸収ＦＷＨＭ（半値全
幅、Full Width Half Max.）は、略１．７ｎｍである。
とより、ポンピング光の偏光方向がｃ軸に垂直な成分
（σ偏光）と平行な成分（π偏光）とで吸収係数が異な
る。図４は、上記π偏光、σ偏光、及びＮｄ：ＹＡＧの
吸収スペクトルをそれぞれ示している。この図４におい
て、曲線ａ、ｂは、Ｎｄ濃度が１．１ at.％のａ軸切り
出しＮｄ：ＹＶＯ4 についてのπ偏光吸収スペクトル
（ａ）及びσ偏光吸収スペクトル（ｂ）をそれぞれ示
し、曲線ｃは、Ｎｄ濃度が０．８５ at.％の吸収スペク
トルを示している。曲線ａ（Ｎｄ：ＹＶＯ4 のπ偏光吸
収スペクトル）では、吸収係数が６ｍｍ-1と高く、吸収
深さは１７０μｍ弱と小さい。吸収ＦＷＨＭ（半値全
幅、Full Width Half Max.）は、略１．７ｎｍである。
【００２５】図５及び図６は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 の蛍光ス
ペクトルを示し、図５はσ偏光を、図６はπ偏光をそれ
ぞれ示している。これらの蛍光スペクトルで、σ偏光成
分は１０６２．５ｎｍ、１０６４．１ｎｍ、１０６４．
８ｎｍ及び１０６６．４ｎｍにあり、π偏光成分は１０
６４．１ｎｍにある。最強の蛍光ラインは、中心波長が
１０６４．１ｎｍのπ偏光にあり、ＦＷＨＭは１．１ｎ
ｍである。この波長での誘導放出断面積は２．８×１０
-18 ｃｍ2 であり、同じ波長でのσの４倍以上大きい。
また、Ｎｄ濃度が０．８５ at.％のＮｄ：ＹＡＧでは
０．６×１０-18ｃｍ2 であり、Ｎｄ：ＹＶＯ4 の方が
４倍以上大きい。
ペクトルを示し、図５はσ偏光を、図６はπ偏光をそれ
ぞれ示している。これらの蛍光スペクトルで、σ偏光成
分は１０６２．５ｎｍ、１０６４．１ｎｍ、１０６４．
８ｎｍ及び１０６６．４ｎｍにあり、π偏光成分は１０
６４．１ｎｍにある。最強の蛍光ラインは、中心波長が
１０６４．１ｎｍのπ偏光にあり、ＦＷＨＭは１．１ｎ
ｍである。この波長での誘導放出断面積は２．８×１０
-18 ｃｍ2 であり、同じ波長でのσの４倍以上大きい。
また、Ｎｄ濃度が０．８５ at.％のＮｄ：ＹＡＧでは
０．６×１０-18ｃｍ2 であり、Ｎｄ：ＹＶＯ4 の方が
４倍以上大きい。
【００２６】このようなＮｄ：ＹＶＯ4 をレーザ媒質と
して用い、ＫＴＰによりタイプIIの位相整合をとってＳ
ＨＧレーザ光発生を行う場合の共振動作が安定化する理
由について以下に説明する。
して用い、ＫＴＰによりタイプIIの位相整合をとってＳ
ＨＧレーザ光発生を行う場合の共振動作が安定化する理
由について以下に説明する。
【００２７】この安定化の手法は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 の短
い吸収深さを利用して空間ホールバーニングを低減する
点と、共振器内の１／４波長板を用いて偏光モードをデ
カップリングする点とを総合したものである。
い吸収深さを利用して空間ホールバーニングを低減する
点と、共振器内の１／４波長板を用いて偏光モードをデ
カップリングする点とを総合したものである。
【００２８】ここで、上記図３の構造におけるＮｄ：Ｙ
ＶＯ4 レーザ媒質１６の端面位置をＰ1 、ＫＴＰ結晶素
子１７の端面位置をＰ2 とする。共振器内を偏光が一往
復するとき、位置Ｐ1 を開始点とするときのジョーンズ
行列Ｍ１、及び位置Ｐ2 はを開始点とするときのジョー
ンズ行列Ｍ２は、それぞれ
ＶＯ4 レーザ媒質１６の端面位置をＰ1 、ＫＴＰ結晶素
子１７の端面位置をＰ2 とする。共振器内を偏光が一往
復するとき、位置Ｐ1 を開始点とするときのジョーンズ
行列Ｍ１、及び位置Ｐ2 はを開始点とするときのジョー
ンズ行列Ｍ２は、それぞれ
【００２９】
【数１】
【００３０】
【数２】
【００３１】となる。これらの（１）、（２）式におい
て、ＭNd:YVO4 、ＭKTP 、ＭQWP は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 、
ＫＴＰ、ＱＷＰ（１／４波長板）による偏光状態をジョ
ーンズ行列で表したものであり、Ｒ+QWP（Ｒ-QWP）はＱ
ＷＰ（１／４波長板）を方位角＋α（−α）だけ回転さ
せたときの偏光状態をジョーンズ行列で表したものであ
り、Ｃ（δX ）は、光学素子Ｘを偏光が通過する際に複
屈折によって位相量δだけ位相がずれるときの偏光状態
をジョーンズ行列で表したものである。またｉは虚数単
位（−１）1/2 を示す。
て、ＭNd:YVO4 、ＭKTP 、ＭQWP は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 、
ＫＴＰ、ＱＷＰ（１／４波長板）による偏光状態をジョ
ーンズ行列で表したものであり、Ｒ+QWP（Ｒ-QWP）はＱ
ＷＰ（１／４波長板）を方位角＋α（−α）だけ回転さ
せたときの偏光状態をジョーンズ行列で表したものであ
り、Ｃ（δX ）は、光学素子Ｘを偏光が通過する際に複
屈折によって位相量δだけ位相がずれるときの偏光状態
をジョーンズ行列で表したものである。またｉは虚数単
位（−１）1/2 を示す。
【００３２】このとき、２つの固有偏光の電場ベクトル
は、上記位置Ｐ1 で、
は、上記位置Ｐ1 で、
【００３３】
【数３】
【００３４】となり、上記位置Ｐ2 で、
【００３５】
【数４】
【００３６】となる。また、非線形偏光については、上
記位置Ｐ1 で、
記位置Ｐ1 で、
【００３７】
【数５】
【００３８】となり、上記位置Ｐ2 で、
【００３９】
【数６】
【００４０】となる。次に、第２高調波出力パワーの時
間平均は、上記位置Ｐ1 で、
間平均は、上記位置Ｐ1 で、
【００４１】
【数７】
【００４２】となり、上記位置Ｐ2 で、
【００４３】
【数８】
【００４４】となる。従って、２つの偏光モードは、Ｋ
ＴＰ結晶内での和周波発生に起因する何らかの損失を有
して結合することがなく、安定した発振が可能である。
ＴＰ結晶内での和周波発生に起因する何らかの損失を有
して結合することがなく、安定した発振が可能である。
【００４５】また、図２あるいは図３の構成におけるＮ
ｄ：ＹＶＯ4 レーザ媒質１６、ＫＴＰ結晶素子１７、及
び１／４波長板１５を順次密接させるように一体化した
構成とすることにより、共振器の寸法を小さくし、励起
用レーザダイオードやレンズと共に小型パッケージ内に
収納して、レーザ光発生装置全体の構成をさらに小型化
することができる。
ｄ：ＹＶＯ4 レーザ媒質１６、ＫＴＰ結晶素子１７、及
び１／４波長板１５を順次密接させるように一体化した
構成とすることにより、共振器の寸法を小さくし、励起
用レーザダイオードやレンズと共に小型パッケージ内に
収納して、レーザ光発生装置全体の構成をさらに小型化
することができる。
【００４６】次に、図７は、本発明に係るレーザ光発生
装置の他の実施例を示す概略構成図である。この実施例
において、上記図１の実施例の各部と対応する部分には
同じ指示符号を付して説明を省略する。
装置の他の実施例を示す概略構成図である。この実施例
において、上記図１の実施例の各部と対応する部分には
同じ指示符号を付して説明を省略する。
【００４７】この図７に示す実施例における上記図１、
図２に示す実施例との相違点は、レーザ共振器１３内の
光路を反射鏡１９によって屈折させたことである。すな
わち、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６とＫＴＰ結
晶の非線形光学結晶素子１７との間に凹面の反射面１９
Ｒを有する反射鏡１９を配設している。この反射面１９
Ｒは、上記基本波レーザ光（例えば波長１０６４ｎｍ）
を反射し、ＳＨＧ光（例えば波長５３２ｎｍ）を透過す
る光学特性を有し、この反射鏡１９を介してＳＨＧ光が
取り出される。共振器１３内の他の光学素子の配列順序
や構造は、例えば上記図２の例と同様にしており、励起
光がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６内に端面の反
射面１６Ｒを介して入射され、発生された基本波レーザ
光は、反射鏡１９で反射され、ＫＴＰ結晶の非線形光学
結晶素子１７を通過し複屈折性素子である１／４波長板
１５に入射され、端面の反射面１５Ｒで反射される。各
反射面１６Ｒ、１５Ｒの反射、透過特性は上記図２の例
と同様である。
図２に示す実施例との相違点は、レーザ共振器１３内の
光路を反射鏡１９によって屈折させたことである。すな
わち、Ｎｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６とＫＴＰ結
晶の非線形光学結晶素子１７との間に凹面の反射面１９
Ｒを有する反射鏡１９を配設している。この反射面１９
Ｒは、上記基本波レーザ光（例えば波長１０６４ｎｍ）
を反射し、ＳＨＧ光（例えば波長５３２ｎｍ）を透過す
る光学特性を有し、この反射鏡１９を介してＳＨＧ光が
取り出される。共振器１３内の他の光学素子の配列順序
や構造は、例えば上記図２の例と同様にしており、励起
光がＮｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６内に端面の反
射面１６Ｒを介して入射され、発生された基本波レーザ
光は、反射鏡１９で反射され、ＫＴＰ結晶の非線形光学
結晶素子１７を通過し複屈折性素子である１／４波長板
１５に入射され、端面の反射面１５Ｒで反射される。各
反射面１６Ｒ、１５Ｒの反射、透過特性は上記図２の例
と同様である。
【００４８】この図７の構造において、レーザ媒質１６
のＮｄ：ＹＶＯ4 結晶は例えば１ｍｍ程度の厚さに、非
線形光学結晶素子１７のＫＴＰは例えば５ｍｍ程度の厚
さにし、反射鏡１９の反射面１９Ｒの凹面の直径は４０
ｍｍとしている。１／４波長板１５には１°のウェッジ
をつけている。このように３つの鏡により折り畳まれた
構造の共振器によれば、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ媒質１６
での緩やかにフォーカスされたビーム（ビーム径約２５
０μｍ）を維持しながらＫＴＰ結晶素子１７での緊密な
フォーカシング（ビーム径約５０μｍ）を許容する。Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６と反射鏡１９との間
は例えば１００ｍｍ程度、反射鏡１９と１／４波長板１
５との間は例えば２３ｍｍ程度に設定されている。レー
ザダイオード１１には、例えば波長が８０８．７ｎｍで
パワーが２００ｍＷのレーザ光を出力するブロードエリ
ア型レーザダイオードを用いる。各結晶１６、１７、１
５は、ペルチェ効果を利用して温度を１０°Ｃ〜４０°
Ｃの間に制御するいわゆるＴＥ（サーモエレクトリッ
ク）素子上にマウントされている。
のＮｄ：ＹＶＯ4 結晶は例えば１ｍｍ程度の厚さに、非
線形光学結晶素子１７のＫＴＰは例えば５ｍｍ程度の厚
さにし、反射鏡１９の反射面１９Ｒの凹面の直径は４０
ｍｍとしている。１／４波長板１５には１°のウェッジ
をつけている。このように３つの鏡により折り畳まれた
構造の共振器によれば、Ｎｄ：ＹＶＯ4 レーザ媒質１６
での緩やかにフォーカスされたビーム（ビーム径約２５
０μｍ）を維持しながらＫＴＰ結晶素子１７での緊密な
フォーカシング（ビーム径約５０μｍ）を許容する。Ｎ
ｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６と反射鏡１９との間
は例えば１００ｍｍ程度、反射鏡１９と１／４波長板１
５との間は例えば２３ｍｍ程度に設定されている。レー
ザダイオード１１には、例えば波長が８０８．７ｎｍで
パワーが２００ｍＷのレーザ光を出力するブロードエリ
ア型レーザダイオードを用いる。各結晶１６、１７、１
５は、ペルチェ効果を利用して温度を１０°Ｃ〜４０°
Ｃの間に制御するいわゆるＴＥ（サーモエレクトリッ
ク）素子上にマウントされている。
【００４９】図８は、ＳＨＧレーザ光の出力パワーＰ
out をＮｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６に入射され
るポンピング光（励起光）パワーＰLDの関数として表す
グラフである。このパワー特性は、ＫＴＰ結晶素子１７
の温度が２５°Ｃ、レーザダイオード１１の温度が２５
°Ｃのとき得られたものである。波長８０８．７ｎｍの
励起光から波長５３２ｎｍのＳＨＧレーザ光への変換効
率は、励起光パワーが１６０ｍＷのとき約５％である。
また、ＳＨＧレーザ光が得られる閾値は４０ｍＷよりも
下であり、これは従来（Ｎｄ：ＹＡＧを用いた場合）に
比べて充分に低い値である。
out をＮｄ：ＹＶＯ4 結晶のレーザ媒質１６に入射され
るポンピング光（励起光）パワーＰLDの関数として表す
グラフである。このパワー特性は、ＫＴＰ結晶素子１７
の温度が２５°Ｃ、レーザダイオード１１の温度が２５
°Ｃのとき得られたものである。波長８０８．７ｎｍの
励起光から波長５３２ｎｍのＳＨＧレーザ光への変換効
率は、励起光パワーが１６０ｍＷのとき約５％である。
また、ＳＨＧレーザ光が得られる閾値は４０ｍＷよりも
下であり、これは従来（Ｎｄ：ＹＡＧを用いた場合）に
比べて充分に低い値である。
【００５０】図９は、レーザダイオード１１の温度ＴLD
を変化させたときのＳＨＧレーザ光の出力パワーＰout
を示している。この測定は、ＫＴＰ結晶素子１７の温度
が２５°Ｃで、励起光パワーが１００ｍＷで行われた。
出力パワーの時間軌跡から全測定期間を通じて安定した
ＳＨＧレーザ光出力が得られることがわかった。図９の
グラフからは、レーザダイオード１１の温度を２０°Ｃ
（Δλ≒５．６ｎｍ）以上の範囲で変化させてもＳＨＧ
レーザ光出力パワーの変動を５０％より小さくすること
ができ、１５°Ｃの範囲の変化ではパワー変動を２５％
以下に抑えることができることがわかる。
を変化させたときのＳＨＧレーザ光の出力パワーＰout
を示している。この測定は、ＫＴＰ結晶素子１７の温度
が２５°Ｃで、励起光パワーが１００ｍＷで行われた。
出力パワーの時間軌跡から全測定期間を通じて安定した
ＳＨＧレーザ光出力が得られることがわかった。図９の
グラフからは、レーザダイオード１１の温度を２０°Ｃ
（Δλ≒５．６ｎｍ）以上の範囲で変化させてもＳＨＧ
レーザ光出力パワーの変動を５０％より小さくすること
ができ、１５°Ｃの範囲の変化ではパワー変動を２５％
以下に抑えることができることがわかる。
【００５１】図１０は、ＳＨＧレーザ光の出力パワーＰ
out を、ＫＴＰ結晶素子１７の温度ＴKTP の関数として
表したグラフである。ここで、レーザダイオード１１の
温度を２５°Ｃ、励起光パワーを１００ｍＷとしてい
る。この具体例のレーザ光発生装置は、概略１０°Ｃの
ＫＴＰ温度許容範囲を有しているので、測定中には出力
が安定に維持された。ＳＨＧレーザ光パワーの変動は２
０％より小さい。
out を、ＫＴＰ結晶素子１７の温度ＴKTP の関数として
表したグラフである。ここで、レーザダイオード１１の
温度を２５°Ｃ、励起光パワーを１００ｍＷとしてい
る。この具体例のレーザ光発生装置は、概略１０°Ｃの
ＫＴＰ温度許容範囲を有しているので、測定中には出力
が安定に維持された。ＳＨＧレーザ光パワーの変動は２
０％より小さい。
【００５２】以上のような具体例によれば、レーザダイ
オード１１から入射される励起光パワーを１６０ｍＷと
したとき、８ｍＷのＳＨＧレーザ光パワーが得られる。
レーザパワー閾値は入射励起光パワーの４０ｍＷより小
さい。ＳＨＧレーザ光パワーは、励起用レーザダイオー
ド１１の温度変化範囲が２０°Ｃ以上、ＫＴＰ結晶素子
１７の温度変化範囲が１０°Ｃの条件で、安定に保たれ
る。これは、レーザ媒質にＮｄ：ＹＡＧを用いる場合に
比べて、少ないパワー消費と広い許容温度範囲の点で優
れている。
オード１１から入射される励起光パワーを１６０ｍＷと
したとき、８ｍＷのＳＨＧレーザ光パワーが得られる。
レーザパワー閾値は入射励起光パワーの４０ｍＷより小
さい。ＳＨＧレーザ光パワーは、励起用レーザダイオー
ド１１の温度変化範囲が２０°Ｃ以上、ＫＴＰ結晶素子
１７の温度変化範囲が１０°Ｃの条件で、安定に保たれ
る。これは、レーザ媒質にＮｄ：ＹＡＧを用いる場合に
比べて、少ないパワー消費と広い許容温度範囲の点で優
れている。
【００５３】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
るものではなく、例えば、複屈折性レーザ媒質として
は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 以外にも、このＮｄ：ＹＶＯ4 に類
似した複屈折性レーザ媒質、例えばＮｄ：ＧｄＶＯ4 、
Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＳＶＡＰ等を用いることができ
る。また、タイプIIの位相整合により第２高調波発生を
行うための非線形結晶素子としては、ＫＴＰに限定され
ず、例えばＬＮ、ＢＢＯ、ＬＢＯ等を用いることができ
る。
るものではなく、例えば、複屈折性レーザ媒質として
は、Ｎｄ：ＹＶＯ4 以外にも、このＮｄ：ＹＶＯ4 に類
似した複屈折性レーザ媒質、例えばＮｄ：ＧｄＶＯ4 、
Ｎｄ：ＹＬＦ、Ｎｄ：ＳＶＡＰ等を用いることができ
る。また、タイプIIの位相整合により第２高調波発生を
行うための非線形結晶素子としては、ＫＴＰに限定され
ず、例えばＬＮ、ＢＢＯ、ＬＢＯ等を用いることができ
る。
【００５４】
【発明の効果】本発明に係るレーザ光発生装置によれ
ば、タイプIIの第２高調波レーザ光を発生させる共振器
内に、複屈折性レーザ媒質（Ｎｄ：ＹＶＯ4 等）を用
い、この複屈折性レーザ媒質の結晶のｃ軸を第２高調波
発生用の非線形光学結晶素子のｃ軸と同じ向きに配置す
ることにより、レーザ媒質にＮｄ：ＹＡＧを用いた場合
に比べて、効率が高く、少ない消費パワーで大きなＳＨ
Ｇ光出力パワーが得られ、安定動作が可能な温度変化範
囲も約１０°Ｃと広い。従って、温度安定化のための構
成を簡略化してコストダウンを図ることもできる。
ば、タイプIIの第２高調波レーザ光を発生させる共振器
内に、複屈折性レーザ媒質（Ｎｄ：ＹＶＯ4 等）を用
い、この複屈折性レーザ媒質の結晶のｃ軸を第２高調波
発生用の非線形光学結晶素子のｃ軸と同じ向きに配置す
ることにより、レーザ媒質にＮｄ：ＹＡＧを用いた場合
に比べて、効率が高く、少ない消費パワーで大きなＳＨ
Ｇ光出力パワーが得られ、安定動作が可能な温度変化範
囲も約１０°Ｃと広い。従って、温度安定化のための構
成を簡略化してコストダウンを図ることもできる。
【００５５】さらに、各光学素子を密接配置すること
で、レーザ光発生装置全体を小型に構成でき、光ディス
ク装置等に適用する際にも省スペース化や小型化に貢献
することができる。
で、レーザ光発生装置全体を小型に構成でき、光ディス
ク装置等に適用する際にも省スペース化や小型化に貢献
することができる。
【図１】本発明に係るレーザ光発生装置の基本的な実施
例の概略構成を示す構成図である。
例の概略構成を示す構成図である。
【図２】該実施例のレーザ共振器内の素子の配置を変え
た変形例を示す概略構成図である。
た変形例を示す概略構成図である。
【図３】図２の各素子の結晶軸の方向を説明するための
概略斜視図である。
概略斜視図である。
【図４】Ｎｄ：ＹＶＯ4 に入射される励起光がπ偏光、
σ偏光の場合の吸収スペクトル及びＮｄ：ＹＡＧの吸収
スペクトルを示すグラフである。
σ偏光の場合の吸収スペクトル及びＮｄ：ＹＡＧの吸収
スペクトルを示すグラフである。
【図５】Ｎｄ：ＹＶＯ4 のσ偏光の蛍光スペクトルを示
すグラフである。
すグラフである。
【図６】Ｎｄ：ＹＶＯ4 のπ偏光の蛍光スペクトルを示
すグラフである。
すグラフである。
【図７】本発明に係るレーザ光発生装置の他の実施例の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図８】ＳＨＧレーザ光出力パワーＰout をＮｄ：ＹＶ
Ｏ4 に入射される励起光パワーＰLDの関数として表すグ
ラフである。
Ｏ4 に入射される励起光パワーＰLDの関数として表すグ
ラフである。
【図９】レーザダイオードの温度ＴLDを変化させたとき
のＳＨＧレーザ光の出力パワーＰout を示すグラフであ
る。
のＳＨＧレーザ光の出力パワーＰout を示すグラフであ
る。
【図１０】ＳＨＧレーザ光出力パワーＰout をＫＴＰの
温度ＴKTP の関数として表すグラフである。
温度ＴKTP の関数として表すグラフである。
１１・・・・・レーザダイオード １３・・・・・レーザ共振器 １４・・・・・反射鏡 １５・・・・・１／４波長板 １６・・・・・レーザ媒質（Ｎｄ：ＹＶＯ4 ） １７・・・・・非線形光学結晶素子（ＫＴＰ） １８・・・・・反射鏡
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/136
Claims (3)
- 【請求項１】 レーザ媒質において発生した基本波レー
ザ光を共振器内に設けられた非線形光学結晶素子を通過
するように共振動作させることにより、第２高調波レー
ザ光を発生させ、上記共振器内の光路中に複屈折性素子
を挿入してモード競合によるノイズを低減させるレーザ
光発生装置であって、 上記レーザ媒質として複屈折性レーザ媒質を用い、この
複屈折性レーザ媒質の結晶のｃ軸を上記非線形光学結晶
素子の結晶のｃ軸と同じ方向に配置して成ることを特徴
とするレーザ光発生装置。 - 【請求項２】 上記複屈折性素子として基本波の１／４
波長板を用い、その光学軸が非線形光学結晶素子の光学
軸と４５°をなすことを特徴とする請求項１記載のレー
ザ光発生装置。 - 【請求項３】 上記レーザ媒質、上記非線形光学結晶素
子及び上記複屈折性素子を密接させて順次重ね合わせて
一体に構成して成ることを特徴とする請求項１記載のレ
ーザ光発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27846993A JPH07131101A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | レーザ光発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27846993A JPH07131101A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | レーザ光発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07131101A true JPH07131101A (ja) | 1995-05-19 |
Family
ID=17597769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27846993A Pending JPH07131101A (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | レーザ光発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07131101A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100337374C (zh) * | 2004-12-06 | 2007-09-12 | 郑州大学 | 高功率内腔倍频激光器 |
| CN100337373C (zh) * | 2004-12-01 | 2007-09-12 | 郑州大学 | 激光二极管泵浦的内腔倍频激光器 |
| JP2008058947A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 波長変換レーザー装置及びこれに用いられる非線形光学結晶 |
| WO2012124266A1 (ja) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | パナソニック株式会社 | 波長変換レーザ光源及び画像表示装置 |
| WO2014091540A1 (ja) * | 2012-12-10 | 2014-06-19 | 三菱電機株式会社 | 平面導波路型レーザ装置 |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP27846993A patent/JPH07131101A/ja active Pending
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