JPH08316139A - 多結晶シリコン層のホトリソグラフィープロセスにおける定在波効果を減少させる方法 - Google Patents
多結晶シリコン層のホトリソグラフィープロセスにおける定在波効果を減少させる方法Info
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Abstract
線幅の多結晶シリコン線を生じるホトリソグラフィープ
ロセスを提供する。 【解決手段】 多結晶シリコン層106を覆って窒化チ
タンのような金属を含む反射防止被覆108を堆積す
る。次いで、反射防止被覆108を覆ってホトレジスト
層110を堆積し、かつホトレジスト層110の部分を
光ビーム112に露光する。反射防止被覆108は、光
ビーム112を吸収して、定在波効果を減少させる。次
いで、ホトレジスト層110の部分を除去する。次い
で、ホトレジスト層110で覆われていない反射防止被
覆108及び多結晶シリコン層106の部分をエッチン
グする結果,均一な線幅の多結晶シリコン線を得る。
Description
理、特にホトリソグラフィーにおける反射防止被覆に関
する。
ィーは、金属相互接続線及び多結晶シリコンゲート電極
線のようなパターン化幾何学形状を形成するために使用
される。デバイスが高い密度になるに従い、これらの線
は狭くなる。これらの線が狭くなるに従い、ホトリソグ
ラフィーに関連した2つの問題がますます明確になる。
これには反射ノッチング問題と定在波問題とがある。ホ
トリソグラフィーは、パターン化しかつエッチングしよ
うとする材料を覆ってホトレジスト層を堆積することを
含む。次いで、光ビームがレチクルに通されてこのホト
レジスト層の部分を所望のパターンに露光する。次い
で、正極性又は負極性ホトレジストが使用されるかどう
かに従って、露光されたホトレジスト又は露光されなか
ったホトレジストのどちらかが除去される。次いで、エ
ッチングが遂行されてホトレジストによって覆われてい
ない材料が除去され、パターン化幾何学形状ができ上が
る。
は、ホトリソグラフィーに使用された光ビーム10がホ
トレジスト層12を通過しかつ高反射性下敷き材料14
(例えば、金属)の表面で反射されるとき、光の粒子性
に起因して起こる。トポグラフィー(物質表面状態)変
化に起因して、反射16が、レチクル18によって光ビ
ーム10から遮蔽されるべきホトレジスト層12の部分
を露光する反射角で、起こることがある。これが、図1
bに示されたように、結果の相互接続線22内にノッチ
20を生じる。
り、図2a〜bに図解されている。光定在波問題は、ビ
ーム10は所与の波長を有する。干渉パターンが、光ビ
ーム10の正常に入射した光と下敷き材料14の表面か
ら反射された光との間に発生する。定在波の目的のため
の下敷き材料14は、高反射性である必要はなく、か
つ、例えば、多結晶シリコンを含み得る。その結果、ホ
トレジスト層12内の光ビーム10の有効線量に局在的
な変動を生じる。干渉パターンは、(領域24から26
へ行くに従って)トポグラフィーの変化によって悪化さ
せられる。したがって、パターンの幅(ホトレジスト層
12の露光部分)は、トポグラフィーが変化するに従っ
て変動することがあり、図2bに示されたように結果の
相互接続線22又は多結晶シリコンゲート電極線の線幅
に変動を起こさせる。
るために使用されてきた。有機反射防止被覆は、ホトレ
ジスト層の堆積に先立ち施される。ホトレジスト層が光
ビームに露光されると、反射が有機反射防止被覆によっ
て禁止される。光ビームの線量の局在化変動は、このよ
うにして、減少させられる。
波効果を減少した改善されたホトリソグラフィー方法を
提供することである。
学的特性を有するホトリソグラフィープロセスを提供す
ることである。
を生じるホトリソグラフィープロセスを提供することで
ある。
リソグラフィープロセスにおける定在波効果を減少させ
る方法がここに記載されている。窒化チタンのような、
金属を含む反射防止被覆が、多結晶シリコン層を覆って
堆積される。次いで、ホトレジスト層が、反射防止被覆
を覆って堆積され、かつホトレジスト層の部分が光ビー
ムを使用して露光される。反射防止被覆は、光ビームを
吸収して、定在波効果を減少させる。次いで、ホトレジ
スト層の部分が除去される。次いて、ホトレジスト層に
よって覆われていない反射防止被覆及び多結晶シリコン
層の部分がエッチングされ、より均一な線幅を有する多
結晶シリコン線ができ上がる。
明細書を参照するならば当業者に明白であろう。
ければ、同一機能を有するものは同一符号で示されてい
る。
ロセスにおける定在波効果を減少させる方法てある。定
在波効果を減少されることによって、フィールド酸化物
領域からモート領域への遷移において起こるトポグラフ
ィーのようなむらのあるトポグラフィーを覆って多結晶
シリコン線が延びるときでも、より均一な多結晶シリコ
ン線が形成される。
プロセスを施される半導体基板100を図解する。半導
体基板100は、フィールド酸化物領域102及びモー
ト領域104を含む。フィールド酸化物領域102は、
モート領域104を、示されていない他のモート領域か
ら絶縁する。モート領域は、トランジスタが後ほど形成
される領域である。多結晶シリコン層106は、フィー
ルド酸化物領域102及びゲート酸化物105を覆って
配置される。例えは、メモリデバイスのような半導体デ
バイス内の1つ以上のゲート電極として働く多結晶シリ
コン線を形成するために多結晶シリコン層106をパタ
ーン化することが望ましい。
覆108が配置され、これは金属を含む。反射防止被覆
108は、下に更に論じるように定在波効果を減少させ
るように働く。反射防止被覆108は、300〜5,0
00Åの範囲にある厚さを有する。好適実施例において
は、550Åの程度の厚さを有する窒化チタンが反射防
止被覆108に使用される。ホトレジスト層を露光する
ために使用される光の波長において光吸収性質を有する
金属を含む他の反射防止被覆も、ゲートレベル処理にお
ける汚染を回避する限り、使用される。
08の上に配置される。マスク又はレチクル(図示され
ていない)は、所望パターンを区画しかつホトレジスト
層110の選択された領域からの光ビーム12を阻止す
る。反射防止被覆108は、光ビーム112の定在波効
果を減少させる。入射光ビーム112と反射ビームとの
間に正常に発生した干渉パターンは、反射防止被覆10
8の性質に起因して減少させられる。窒化チタンのよう
な金属を含む反射防止被覆は、先行技術の有機反射防止
被覆より優れた反射防止性質を有する。窒化チタンを含
む反射防止被覆は、より暗色でありかつホトレジストに
対して優れた電荷消散を提供しこのことがSEM(走査
型電子顕微鏡)画像上の雑音を除去するので、計測学用
に優れている。更に、酸化チタンは、期待されてもいる
ように、ゲートレベル処理に汚染問題を持ち込まない。
5a〜bはその断面図であり、基板100はその中にフ
ィールド酸化物領域102を形成され、この領域はモー
ト領域104及びゲート酸化物105を区画する。フィ
ールド酸化物領域102及びモート領域104の部分を
覆って均一幅を有する多結晶シリコン線を形成する方法
をいまから説明する。
層106が基板を含む構造の表面を覆って堆積される。
多結晶シリコン層106の厚さは、設計によって変動す
る。例えば、多結晶シリコン層106は、2,500Å
の程度の厚さであってよい。次に、反射防止被覆108
が、多結晶シリコン層106を覆って堆積される。反射
防止被覆108は、好適には、窒化チタンを含む。しか
しながら、金属を含む他の反射防止被覆も、構造の汚染
が回避されかつこの被覆の材料が後ほどホトレジストを
露光するために使用される光ビームの波長にある光を吸
収する限り、代わりに使用されてよい。反射防止被覆1
08は、300〜5,000Åの程度の厚さである。好
適実施例は、550Åの程度の厚さを使用する。次い
で、ホトレジスト層110が反射防止被覆108を覆っ
て堆積される。
ビーム112がレチクル114を通して構造に向けて送
られる。反射防止被覆108は、光ビーム112を反射
する代わりにこの光ビームを吸収することによって定在
波効果を減少させる。したがって、先行技術において起
こる干渉パターンを顕著に減少させる。窒化チタンのよ
うな金属を含む反射防止被覆は優れた光吸収性質を有す
るので、有機反射防止被覆に比較してさえも干渉パター
ンを減少させる。
て覆われない場所のホトレジスト層110を露光する。
次いで、図8a〜bに示されたように、ホトレジスト層
の露光されなかった部分が除去される、(もちろん、正
極性又は負極性ホトレジスト層が使用されるかどうかに
従って、露光されたホトレジスト層を代わりに除去する
こともできる。しかしながら、その場合は、異なるレチ
クルがその上にホトレジスト層の反転パターンを有して
使用されるであろう)。露光されなかったホトレジスト
層を選択的に除去する方法は、技術上周知である。
レジスト層110によって覆われていない反射防止被覆
108及び多結晶シリコン層106の部分を除去するた
めに異方性エッチングが遂行される。このようなエッチ
ングもまた、技術的に周知である(例えば、塩素基剤プ
ラズマエッチング)。多結晶シリコン層のエッチング及
びホトレジスト層110のストリッピングの後、図10
a〜bに示されたように反射防止被覆108が除去され
る。多結晶シリコン又はゲート酸化物を侵食しない湿式
エッチングが使用される。例えば、水酸化アンモニウム
又は過酸化水素の水溶液が使用される。自己整列サリサ
イド化プロセスにおける窒化チタンのストリッピングに
使用される溶液のような他の溶液も、代わりに使用され
ることがある。定在波効果の減少に起因して、図11に
示されたように、より均一な多結晶シリコン線116が
でき上がる。多結晶シリコン線116がフィールド酸化
物102からモート領域104へ延びるに従っての多結
晶シリコン線116の幅の変動(すなわち、トポグラフ
ィーの変化)は、顕著に減少する。
ース及びドレイン領域を形成するために、従来の処理が
続く。他の素子及びトランジスタがまた形成されるばか
りでなく、この技術に標準的であるように相互接続も形
成される。
されたが、この説明を限定的意味に解釈することを意図
している訳ではない。図解された実施例の種々の変形及
び組合わせばかりでなく、本発明の他の実施例もまたこ
の説明を参照したならば当業者に明白であろう。したが
って、添付の特許請求の範囲は、あらゆるこのような変
形及び実施例を包含することを意図する。
る。
フィープロセスにおける定在波効果を減少させる方法で
あって、前記多結晶シリコン層を覆って金属を含む反射
防止被覆を堆積するステップ、前記反射防止被覆を覆っ
てホトレジスト層を堆積するステップ、光ビームを用い
て前記ホトレジスト層の第1部分を露光するステップを
含み、前記光ビームを吸収する前記反射防止被覆によっ
て定在波効果を減少させる、方法。
ホトレジスト層の前記第1部分を前記露光するステップ
によって露光されなかった前記ホトレジスト層の第2部
分を除去するステップ、及び均一線幅を有する多結晶シ
リコン線を作成するために前記反射防止被覆と前記多結
晶シリコン層とをエッチングするステップを更に含む方
法。
多結晶シリコン線がフィールド酸化物領域とモート領域
とを覆って延びる、方法。
反射防止被覆と前記多結晶シリコン層とを前記エッチン
グするステップの後、前記反射防止被覆を除去するステ
ップを更に含む方法。
ホトレジスト層の前記第1部分を除去するステップ、及
び均一線幅を有する多結晶シリコン線を作成するために
前記反射防止被覆と前記多結晶シリコン層とをエッチン
グするステップを更に含む方法。
多結晶シリコン線がフィールド酸化物領域とモート領域
とを覆って延びる、方法。
反射防止被覆と前記多結晶シリコン層とを前記エッチン
グするステップの後、前記反射防止被覆を除去するステ
ップを更に含む方法。
反射防止被覆が窒化チタンを含む、方法。
反射防止被覆が300から5,000Åの範囲にある厚
さを有する、方法。
リソグラフィープロセスにおける定在波効果を減少させ
る方法であって、前記多結晶シリコンゲート層を覆って
窒化チタン層を堆積するステップ、前記窒化チタン層を
覆ってホトレジスト層を堆積するステップ、レチクルを
通してかつ前記ホトレジスト層の第1部分上へ光ビーム
を送るステップを含み、前記光ビームを吸収する前記窒
化チタン層によって定在波効果が減少させられる、方
法。
前記ホトレジスト層の前記第1部分上へ前記光ビームを
前記送るステップによって露光されなかった前記ホトレ
ジスト層の第2部分を除去するステップ、均一線幅を有
する多結晶シリコン線を作成するために前記窒化チタン
層と前記多結晶シリコンゲート層とをエッチングするス
テップ、及び前記窒化チタン層を除去するステップを更
に含む方法。
前記窒化チタン層を前記エッチングするステップが前記
多結晶シリコンゲート層を損傷しない湿式エッチングを
含む、方法。
前記多結晶シリコン線がフィールド酸化物領域とモート
領域とを覆って延びる、方法。
前記ホトレジスト層の前記第1部分を除去するステッ
プ、均一線幅を有する多結晶シリコン線を作成するため
に前記窒化チタン層と前記多結晶シリコンゲート層とを
エッチングするステップ、及び前記反射防止被覆を除去
するステップを更に含む方法。
前記多結晶シリコン線がフィールド酸化物領域とモート
領域とを覆って延びる、方法。
前記反射防止被覆を前記除去するステップが水酸化アン
モニウムと過酸化水素との水溶液で以て前記窒化チタン
をエッチングするステップを含む、方法。
前記窒化チタン層が300から5,000Åの範囲にあ
る厚さを有する、方法。
リソグラフィープロセスにおける定在波効果を減少させ
る方法がここに記載されている。窒化チタンのような、
金属を含む反射防止被覆108が、多結晶シリコン層1
06を覆って堆積させられる。次いで、ホトレジスト層
110が、反射防止被覆108を覆って堆積され、かつ
ホトレジスト層110の部分が光ビーム112を使用し
て露光される。反射防止被覆108は、光ビーム112
を吸収して、定在波効果を減少させる。次いで、ホトレ
ジスト層110の部分が除去される。次いで、ホトレジ
スト層110によって覆われていない反射防止被覆10
8及び多結晶シリコン層106の部分がエッチングさ
れ、より均一な線幅を有する多結晶シリコン線ができ上
がる。
体基板への反射ノッチングの影響を示す図であって、a
は上面図、bは断面図。
体基板への定在波効果を示す図であって、aは断面図、
bは上面図。
れる半導体基板の断面図。
れる半導体基板の多結晶シリコンの堆積、パターン化、
及びエッチング前の上面図。
れる図4の半導体基板の断面図であって、aは線A−
A′に沿う断面図、bは線B−B′に沿う断面図。
リソグラフィープロセスにおけるホトレジスト層を堆積
するステップを遂行した状態での断面図であって、aは
線A−A′に沿う断面図、bは線B−B′に沿う断面
図。
リソグラフィープロセスにおけるホトレジスト層を露光
するステップを遂行した状態での断面図であって、aは
線A−A′に沿う断面図、bは線B−B′に沿う断面
図。
リソグラフィープロセスにおけるホトレジスト層の部分
を除去するステップを遂行した状態での断面図であっ
て、aは線A−A′に沿う断面図、bは線B−B′に沿
う断面図。
リソグラフィープロセスにおける反射防止被覆及び多結
晶シリコン層の部分を除去するステップを遂行した状態
での断面図であって、aは線A−A′に沿う断面図、b
は線B−B′に沿う断面図。
トリソグラフィープロセスにおける反射防止被覆を除去
するステップを遂行した状態での断面図であって、aは
線A−A′に沿う断面図、bは線B−B′に沿う断面
図。
セスの結果の均一線幅を有する多結晶シリコン線の上面
図。
Claims (1)
- 【請求項1】 多結晶シリコン層のホトリソグラフィー
プロセスにおける定在波効果を減少させる方法であっ
て、 前記多結晶シリコン層を覆って金属を含む反射防止被覆
を堆積するステップ、 前記反射防止被覆を覆ってホトレジスト層を堆積するス
テップ、 光ビームを用いて前記ホトレジスト層の第1部分を露光
するステップを含み、 前記光ビームを吸収する前記反射防止被覆によって定在
波効果を減少させる、方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US43096595A | 1995-04-28 | 1995-04-28 | |
US430965 | 1995-04-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08316139A true JPH08316139A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=23709858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8143394A Pending JPH08316139A (ja) | 1995-04-28 | 1996-04-30 | 多結晶シリコン層のホトリソグラフィープロセスにおける定在波効果を減少させる方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0740330A3 (ja) |
JP (1) | JPH08316139A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008058961A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | リソグラフィプロセスにおけるレジストの限界寸法の変動の修正 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP3371143B2 (ja) * | 1991-06-03 | 2003-01-27 | ソニー株式会社 | ドライエッチング方法 |
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KR100434133B1 (ko) * | 1995-07-14 | 2004-08-09 | 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 중간층리쏘그래피 |
-
1996
- 1996-04-29 EP EP96106770A patent/EP0740330A3/en not_active Withdrawn
- 1996-04-30 JP JP8143394A patent/JPH08316139A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008058961A (ja) * | 2006-08-17 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | リソグラフィプロセスにおけるレジストの限界寸法の変動の修正 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0740330A2 (en) | 1996-10-30 |
EP0740330A3 (en) | 1998-05-13 |
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