JPH08313745A - 半導体光集積回路およびその製造方法 - Google Patents
半導体光集積回路およびその製造方法Info
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- JPH08313745A JPH08313745A JP7122364A JP12236495A JPH08313745A JP H08313745 A JPH08313745 A JP H08313745A JP 7122364 A JP7122364 A JP 7122364A JP 12236495 A JP12236495 A JP 12236495A JP H08313745 A JPH08313745 A JP H08313745A
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- Japan
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- semiconductor
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- light receiving
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Abstract
(57)【要約】
【目的】受光素子または発光素子の周囲に深いみぞを形
成し、その側面を不透明な薄膜でおおうことにより受光
素子への迷光を遮断することのできる半導体光集積回路
を実現する。 【構成】受光素子または発光素子の周囲にみぞを形成
し、その側面が受光部分または光出力部分を除き不透明
な薄膜でおおわれるように形成する。
成し、その側面を不透明な薄膜でおおうことにより受光
素子への迷光を遮断することのできる半導体光集積回路
を実現する。 【構成】受光素子または発光素子の周囲にみぞを形成
し、その側面が受光部分または光出力部分を除き不透明
な薄膜でおおわれるように形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体光集積回路に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より微弱な光を検出する光測定器で
は、受光素子に入射する信号光以外の光である迷光の除
去が重要な課題であり、光学的遮蔽板や光吸収体を用い
受光素子に入射する迷光を除いている。
は、受光素子に入射する信号光以外の光である迷光の除
去が重要な課題であり、光学的遮蔽板や光吸収体を用い
受光素子に入射する迷光を除いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この問題は種々の光学
素子を半導体基板上に集積化した半導体光集積回路にお
いても重要な課題であり、特に発光素子と受光素子を同
一基板上に形成した半導体光集積回路において大きな問
題となっている。
素子を半導体基板上に集積化した半導体光集積回路にお
いても重要な課題であり、特に発光素子と受光素子を同
一基板上に形成した半導体光集積回路において大きな問
題となっている。
【０００４】本発明の目的は、このような点に鑑み、受
光素子または発光素子の周囲に深いみぞを形成し、その
側面を不透明な薄膜でおおうことにより受光素子への迷
光を遮断することのできる半導体光集積回路を実現する
ことにある。本発明の他の目的は、受光素子または発光
素子の周囲に深いみぞを形成し、その側面を不透明な薄
膜でおおうことにより受光素子への迷光を遮断すること
のできる半導体光集積回路の製造方法を提供することに
ある。
光素子または発光素子の周囲に深いみぞを形成し、その
側面を不透明な薄膜でおおうことにより受光素子への迷
光を遮断することのできる半導体光集積回路を実現する
ことにある。本発明の他の目的は、受光素子または発光
素子の周囲に深いみぞを形成し、その側面を不透明な薄
膜でおおうことにより受光素子への迷光を遮断すること
のできる半導体光集積回路の製造方法を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本願の第１の発明では、発光素子と受光素子が
同一基板上に形成された半導体光集積回路において、前
記受光素子の周囲に半導体光吸収層より深いみぞが形成
され、そのみぞの側面が受光素子の受光部分を除き不透
明な薄膜でおおわれるように形成されたことを特徴とす
る。また本願の第２の発明では、発光素子と受光素子が
同一基板上に形成された半導体光集積回路において、前
記発光素子の周囲に半導体活性層より深いみぞが形成さ
れ、そのみぞの側面が光出力部分を除き不透明な薄膜で
おおわれるように形成されたことを特徴とする。
るために本願の第１の発明では、発光素子と受光素子が
同一基板上に形成された半導体光集積回路において、前
記受光素子の周囲に半導体光吸収層より深いみぞが形成
され、そのみぞの側面が受光素子の受光部分を除き不透
明な薄膜でおおわれるように形成されたことを特徴とす
る。また本願の第２の発明では、発光素子と受光素子が
同一基板上に形成された半導体光集積回路において、前
記発光素子の周囲に半導体活性層より深いみぞが形成さ
れ、そのみぞの側面が光出力部分を除き不透明な薄膜で
おおわれるように形成されたことを特徴とする。
【０００６】本願の方法の発明では、半導体結晶成長法
により、ＧａＡｓ基板上に、少なくともクラッド層と、
ＧＲＩＮ層と、量子井戸層と、ＧＲＩＮ層と、ガイド層
を成長させる工程と、前記ガイド層に半導体レーザ用の
回折格子とリブ型光導波路を形成する工程と、前記半導
体レーザと半導体受光素子からなる部分をマスクし、そ
れ以外の部分には不純物をイオン注入する工程と、半導
体結晶成長法により、前記回折格子とリブ型光導波路を
形成したガイド層上に、クラッド層とキャップ層を成長
させる工程と、前記半導体受光素子の電極を電気的に絶
縁しかつ半導体受光素子への迷光を遮断するためのみぞ
構造をエッチングする工程と、その後前記みぞ構造の側
面をおおうように半導体レーザと半導体受光素子に上部
電極と下部電極を形成する工程を含むことを特徴とす
る。
により、ＧａＡｓ基板上に、少なくともクラッド層と、
ＧＲＩＮ層と、量子井戸層と、ＧＲＩＮ層と、ガイド層
を成長させる工程と、前記ガイド層に半導体レーザ用の
回折格子とリブ型光導波路を形成する工程と、前記半導
体レーザと半導体受光素子からなる部分をマスクし、そ
れ以外の部分には不純物をイオン注入する工程と、半導
体結晶成長法により、前記回折格子とリブ型光導波路を
形成したガイド層上に、クラッド層とキャップ層を成長
させる工程と、前記半導体受光素子の電極を電気的に絶
縁しかつ半導体受光素子への迷光を遮断するためのみぞ
構造をエッチングする工程と、その後前記みぞ構造の側
面をおおうように半導体レーザと半導体受光素子に上部
電極と下部電極を形成する工程を含むことを特徴とす
る。
【０００７】
【作用】受光素子または発光素子の周囲にみぞを形成
し、その側面を不透明な薄膜でおおう。これにより受光
素子への迷光を遮断する。
し、その側面を不透明な薄膜でおおう。これにより受光
素子への迷光を遮断する。
【０００８】
【実施例】以下図面を用いて本発明を詳しく説明する。
ここでは、量子井戸構造の無秩序化を応用した集積化プ
ロセスを用いて、ＧａＡｓ半導体基板上に分布帰還型半
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ：Distributed Feedback - L
aser Diode）と、半導体受光素子と、光導波路を集積化
したワンチップ干渉計測用ヘッドを例にとって説明す
る。
ここでは、量子井戸構造の無秩序化を応用した集積化プ
ロセスを用いて、ＧａＡｓ半導体基板上に分布帰還型半
導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ：Distributed Feedback - L
aser Diode）と、半導体受光素子と、光導波路を集積化
したワンチップ干渉計測用ヘッドを例にとって説明す
る。
【０００９】図１は上記ワンチップ干渉計測用ヘッドの
一例を示す構成図である。図において、１はＧａＡｓ半
導体基板、２は分布帰還型半導体レーザ、３は半導体受
光素子、４は光導波路、５，６はレンズ、７はプリズム
である。
一例を示す構成図である。図において、１はＧａＡｓ半
導体基板、２は分布帰還型半導体レーザ、３は半導体受
光素子、４は光導波路、５，６はレンズ、７はプリズム
である。
【００１０】分布帰還型半導体レーザ２の出力光は光導
波路４で二分され、一方は曲がり導波路により直接半導
体受光素子３に向かい、他方は半導体基板１から出射し
て出力レンズ５でコリメートされプリズム７に向かう。
プリズム７で反射された出力光は入力レンズ６で集光さ
れ、半導体基板１上の光導波路４に再度入射し半導体受
光素子３に向かう。分布帰還型半導体レーザ２の曲がり
導波路を導波した出力光とプリズム７で反射して戻って
来た出力光の２つの光は半導体受光素子３の手前で結合
し、半導体受光素子３には両出力光の干渉信号が得られ
る。
波路４で二分され、一方は曲がり導波路により直接半導
体受光素子３に向かい、他方は半導体基板１から出射し
て出力レンズ５でコリメートされプリズム７に向かう。
プリズム７で反射された出力光は入力レンズ６で集光さ
れ、半導体基板１上の光導波路４に再度入射し半導体受
光素子３に向かう。分布帰還型半導体レーザ２の曲がり
導波路を導波した出力光とプリズム７で反射して戻って
来た出力光の２つの光は半導体受光素子３の手前で結合
し、半導体受光素子３には両出力光の干渉信号が得られ
る。
【００１１】次に作製プロセスについて説明する。 (1) 半導体結晶成長法、例えば有機金属気相成長法によ
り、図２の断面図に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１
上に、ｎ型ＧａＡｓバッファー層１２（厚さ０．５μ
ｍ）と、ｎ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層１３（厚さ
１．５μｍ）と、アンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝
０．６〜０．３）のＧＲＩＮ層１４（厚さ１５０ｎｍ）
と、アンドープＧａＡｓ量子井戸層１５（厚さ１０ｎ
ｍ）と、アンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝０．３〜
０．６）のＧＲＩＮ層１６（厚さ１５０ｎｍ）と、アン
ドープＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓのキャリアブロック層１７
（厚さ３０ｎｍ）と、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓのガイド層
１８（厚さ２０ｎｍ）を温度７８０゜Ｃで成長させる。
この場合、バッファー層１２、キャリアブロック層１７
は必ずしも必要とはしない。なお、アンドープＧａＡｓ
量子井戸層１５は、分布帰還型半導体レーザ２では活性
層として動作し、半導体受光素子３では光吸収層として
動作する。
り、図２の断面図に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１１
上に、ｎ型ＧａＡｓバッファー層１２（厚さ０．５μ
ｍ）と、ｎ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層１３（厚さ
１．５μｍ）と、アンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝
０．６〜０．３）のＧＲＩＮ層１４（厚さ１５０ｎｍ）
と、アンドープＧａＡｓ量子井戸層１５（厚さ１０ｎ
ｍ）と、アンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ（ｘ＝０．３〜
０．６）のＧＲＩＮ層１６（厚さ１５０ｎｍ）と、アン
ドープＡｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓのキャリアブロック層１７
（厚さ３０ｎｍ）と、Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓのガイド層
１８（厚さ２０ｎｍ）を温度７８０゜Ｃで成長させる。
この場合、バッファー層１２、キャリアブロック層１７
は必ずしも必要とはしない。なお、アンドープＧａＡｓ
量子井戸層１５は、分布帰還型半導体レーザ２では活性
層として動作し、半導体受光素子３では光吸収層として
動作する。
【００１２】(2) 電子ビーム露光と硫酸過水によるエッ
チングによって、ガイド層１８に分布帰還型半導体レー
ザ用の回折格子２１と、リブ型光導波路２２を形成す
る。エッチング後の上面図を図３に示し、図３のａ−ｂ
とｃ−ｄの断面をそれぞれ図４と図５に示す。このとき
のエッチングは、ガイド層１８を完全にエッチングしキ
ャリアブロック層１７中で止まるように制御する。これ
によりエッチングされた部分とされていない部分の違い
がガイド層の有無となり、エッチングによる屈折率差が
ガイド層の厚さにより決まることになる。
チングによって、ガイド層１８に分布帰還型半導体レー
ザ用の回折格子２１と、リブ型光導波路２２を形成す
る。エッチング後の上面図を図３に示し、図３のａ−ｂ
とｃ−ｄの断面をそれぞれ図４と図５に示す。このとき
のエッチングは、ガイド層１８を完全にエッチングしキ
ャリアブロック層１７中で止まるように制御する。これ
によりエッチングされた部分とされていない部分の違い
がガイド層の有無となり、エッチングによる屈折率差が
ガイド層の厚さにより決まることになる。
【００１３】(3) 分布帰還型半導体レーザ２と半導体受
光素子３からなる部分を図６に示すようにマスク（斜線
部分）３１ａ，３１ｂを施し、これ以外の部分にはエネ
ルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０13ｃｍ-2で不純
物例えばＳｉをイオン注入する。
光素子３からなる部分を図６に示すようにマスク（斜線
部分）３１ａ，３１ｂを施し、これ以外の部分にはエネ
ルギー１００ｋｅＶ、ドーズ量１×１０13ｃｍ-2で不純
物例えばＳｉをイオン注入する。
【００１４】(4) 有機金属気相成長法により、回折格子
２１とリブ型光導波路２２を形成したガイド層１８上
に、ｐ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層４１（厚さ１．
５μｍ）と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層４２（厚さ０．３
μｍ）を温度７５０゜Ｃで成長させる。Ｓｉ不純物によ
りＡｌとＧａの相互拡散が助長されるため、このときの
昇温によりＳｉをイオン注入した部分の量子井戸が無秩
序化する。この無秩序化により量子井戸の吸収端が短波
長側にシフトし、Ｓｉをイオン注入した部分が低損失の
導波路となる。図３中のｃ−ｄ断面を図７に示す。図中
点線部のＧａＡｓ量子井戸層１５１が無秩序化されてい
る。
２１とリブ型光導波路２２を形成したガイド層１８上
に、ｐ型Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層４１（厚さ１．
５μｍ）と、ｐ型ＧａＡｓキャップ層４２（厚さ０．３
μｍ）を温度７５０゜Ｃで成長させる。Ｓｉ不純物によ
りＡｌとＧａの相互拡散が助長されるため、このときの
昇温によりＳｉをイオン注入した部分の量子井戸が無秩
序化する。この無秩序化により量子井戸の吸収端が短波
長側にシフトし、Ｓｉをイオン注入した部分が低損失の
導波路となる。図３中のｃ−ｄ断面を図７に示す。図中
点線部のＧａＡｓ量子井戸層１５１が無秩序化されてい
る。
【００１５】(5) 分布帰還型半導体レーザ２部分の電流
注入領域を制限するための深さ１．６μｍのみぞ構造５
１と、半導体受光素子３の電極を電気的に絶縁し、かつ
半導体受光素子３への迷光を遮断するための深さ３μｍ
のみぞ構造５２をエッチングする。みぞ構造５１，５２
の上面図を図８に示す。
注入領域を制限するための深さ１．６μｍのみぞ構造５
１と、半導体受光素子３の電極を電気的に絶縁し、かつ
半導体受光素子３への迷光を遮断するための深さ３μｍ
のみぞ構造５２をエッチングする。みぞ構造５１，５２
の上面図を図８に示す。
【００１６】(6) ＳｉＯ2 膜６１の成膜と、分布帰還型
半導体レーザ２と半導体受光素子３部分のＳｉＯ2 膜６
１のエッチングを行い、その後分布帰還型半導体レーザ
２と半導体受光素子３に上部電極６２（分布帰還型半導
体レーザ２の上部電極を６２ａ、半導体受光素子３の上
部電極を６２ｂとする）と下部電極６３を形成する。図
９に上部電極６２ａ，６２ｂの上面図を、また図１０お
よび図１１に図９におけるｅ−ｆおよびｇ−ｈでの断面
図をそれぞれ示す。図９と図１１に示されるように、深
さ３μｍのみぞ構造５２の側面が半導体受光素子３の受
光部分を除いてすべて上部電極６２でおおわれる構造と
なっており、これにより、強力な発光源である分布帰還
型半導体レーザ２から側面方向へ放射され受光部分に入
る迷光を遮断することができる。
半導体レーザ２と半導体受光素子３部分のＳｉＯ2 膜６
１のエッチングを行い、その後分布帰還型半導体レーザ
２と半導体受光素子３に上部電極６２（分布帰還型半導
体レーザ２の上部電極を６２ａ、半導体受光素子３の上
部電極を６２ｂとする）と下部電極６３を形成する。図
９に上部電極６２ａ，６２ｂの上面図を、また図１０お
よび図１１に図９におけるｅ−ｆおよびｇ−ｈでの断面
図をそれぞれ示す。図９と図１１に示されるように、深
さ３μｍのみぞ構造５２の側面が半導体受光素子３の受
光部分を除いてすべて上部電極６２でおおわれる構造と
なっており、これにより、強力な発光源である分布帰還
型半導体レーザ２から側面方向へ放射され受光部分に入
る迷光を遮断することができる。
【００１７】以上のように側面を上部電極６２でおおっ
た深さ３μｍのみぞ構造５２は、半導体受光素子３を電
気的に絶縁し、かつ半導体受光素子３への迷光を遮断す
る効果を持ち、これにより微弱な干渉信号を測定するこ
とが可能となる。また不透明な薄膜として上部電極を用
いることにより、上部電極の形成と同じプロセスで迷光
遮断用の不透明薄膜を形成でき、作製プロセスが簡略化
できる。
た深さ３μｍのみぞ構造５２は、半導体受光素子３を電
気的に絶縁し、かつ半導体受光素子３への迷光を遮断す
る効果を持ち、これにより微弱な干渉信号を測定するこ
とが可能となる。また不透明な薄膜として上部電極を用
いることにより、上部電極の形成と同じプロセスで迷光
遮断用の不透明薄膜を形成でき、作製プロセスが簡略化
できる。
【００１８】なお、本発明は上記実施例に限定されな
い。例えば、上記実施例においては側面を不透明な薄膜
でおおったみぞ構造を受光素子の周囲に形成し、迷光を
遮断する構造としたが、逆に上記みぞ構造を半導体発光
素子３の周囲に形成し迷光を遮断する構造としてもよ
い。また両方を併用する構造としてもよい。
い。例えば、上記実施例においては側面を不透明な薄膜
でおおったみぞ構造を受光素子の周囲に形成し、迷光を
遮断する構造としたが、逆に上記みぞ構造を半導体発光
素子３の周囲に形成し迷光を遮断する構造としてもよ
い。また両方を併用する構造としてもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体光集積回路において受光素子または発光素子の周囲
に深いみぞを形成し、その側面を不透明な薄膜でおおう
ことにより、受光素子を電気的に絶縁し、かつ受光素子
への迷光を遮断することができ、これにより微弱な干渉
信号を測定することが可能になるという効果がある。ま
た、不透明な薄膜として上部電極を用いることにより、
上部電極の形成と同じプロセスで迷光遮断用の不透明薄
膜を形成でき、作製プロセスが簡略化できるという効果
がある。
導体光集積回路において受光素子または発光素子の周囲
に深いみぞを形成し、その側面を不透明な薄膜でおおう
ことにより、受光素子を電気的に絶縁し、かつ受光素子
への迷光を遮断することができ、これにより微弱な干渉
信号を測定することが可能になるという効果がある。ま
た、不透明な薄膜として上部電極を用いることにより、
上部電極の形成と同じプロセスで迷光遮断用の不透明薄
膜を形成でき、作製プロセスが簡略化できるという効果
がある。
【図１】本発明に係る半導体光集積回路の一実施例を示
す構成図
す構成図
【図２】図１に示す半導体光集積回路の断面図
【図３】半導体光集積回路の作製プロセスにおけるエッ
チング処理後の上面図
チング処理後の上面図
【図４】図３におけるａ−ｂでの断面図
【図５】図３におけるｃ−ｄでの断面図
【図６】イオン注入用マスクの形状を示す図
【図７】量子井戸層の無秩序化を示す図
【図８】みぞ構造の上面図
【図９】上部電極を示す図
【図１０】図９におけるｅ−ｆでの断面図
【図１１】図９におけるｇ−ｈでの断面図
１ ＧａＡｓ半導体基板 ２ 分布帰還型半導体レーザ ３ 半導体受光素子 ４ 光導波路 ５，６ レンズ ７ プリズム １１ ＧａＡｓ基板 １２ バッファー層 １３ クラッド層 １４ ＧＲＩＮ層 １５ 量子井戸層 １６ ＧＲＩＮ層 １７ ブロック層 １８ ガイド層 ２１ 回折格子 ２２ リブ型光導波路 ３１ａ，３１ｂ マスク ４１ クラッド層 ４２ キャップ層 ５１，５２ みぞ ６２，６２ａ，６２ｂ 上部電極 ６３ 下部電極 １５１ 無秩序化量子井戸層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ａ
Claims (4)
- 【請求項１】発光素子と受光素子が同一基板上に形成さ
れた半導体光集積回路において、 前記受光素子の周囲に半導体光吸収層より深いみぞが形
成され、そのみぞの側面が受光素子の受光部分を除き不
透明な薄膜でおおわれるように形成されたことを特徴と
する半導体光集積回路。 - 【請求項２】発光素子と受光素子が同一基板上に形成さ
れた半導体光集積回路において、 前記発光素子の周囲に半導体活性層より深いみぞが形成
され、そのみぞの側面が光出力部分を除き不透明な薄膜
でおおわれるように形成されたことを特徴とする半導体
光集積回路。 - 【請求項３】前記不透明な薄膜が、前記半導体光集積回
路において用いられる電極と同じ材料であることを特徴
とする請求項１または請求項２記載の半導体光集積回
路。 - 【請求項４】発光素子と受光素子が同一基板上に形成さ
れる半導体光集積回路の製造方法であって、 半導体結晶成長法により、ＧａＡｓ基板上に、少なくと
もクラッド層と、ＧＲＩＮ層と、量子井戸層と、ＧＲＩ
Ｎ層と、ガイド層を成長させる工程と、 前記ガイド層に半導体レーザ用の回折格子とリブ型光導
波路を形成する工程と、 前記半導体レーザと半導体受光素子からなる部分をマス
クし、それ以外の部分には不純物をイオン注入する工程
と、 半導体結晶成長法により、前記回折格子とリブ型光導波
路を形成したガイド層上に、クラッド層とキャップ層を
成長させる工程と、 前記半導体受光素子の電極を電気的に絶縁しかつ半導体
受光素子への迷光を遮断するためのみぞ構造をエッチン
グする工程と、 その後前記みぞ構造の側面をおおうように半導体レーザ
と半導体受光素子に上部電極と下部電極を形成する工程
を含むことを特徴とする半導体光集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7122364A JPH08313745A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 半導体光集積回路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7122364A JPH08313745A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 半導体光集積回路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08313745A true JPH08313745A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14834059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7122364A Pending JPH08313745A (ja) | 1995-05-22 | 1995-05-22 | 半導体光集積回路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08313745A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004023010A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-01-22 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| JP2004214059A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Smk Corp | 操作パネル入力装置 |
| JP2009047726A (ja) * | 2007-08-13 | 2009-03-05 | Fujitsu Ltd | 光変調器および光送信器 |
| JP2018026478A (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子、発光素子アレイ、及び光伝送装置 |
-
1995
- 1995-05-22 JP JP7122364A patent/JPH08313745A/ja active Pending
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