JPH08307195A - 表面弾性波デバイスの実装構造 - Google Patents
表面弾性波デバイスの実装構造Info
- Publication number
- JPH08307195A JPH08307195A JP7128859A JP12885995A JPH08307195A JP H08307195 A JPH08307195 A JP H08307195A JP 7128859 A JP7128859 A JP 7128859A JP 12885995 A JP12885995 A JP 12885995A JP H08307195 A JPH08307195 A JP H08307195A
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- surface acoustic
- mounting
- wave device
- device chip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 特別にリセスを加工された回路基板を用いる
必要がなく、表面弾性波デバイス自体を外力及び内圧や
熱ひずみから充分に保護できる構造の表面弾性波デバイ
スの実装構造を得るにある。 【構成】 表面波伝搬路４を形成するデバイスチップ１
の機能面１ａを、実装される回路基板の実装面に対面さ
せ、前記機能面１ａと前記実装面との間に振動空間を保
った状態として、デバイスチップ１の周囲を封止樹脂で
被覆する表面弾性波デバイスの実装構造において、前記
デバイスチップ１の背面１ｂから実装用バンプ６の先端
までの高さｈ２よりも浅い深さｈ１の収容空間１１を下
面１０ａに形成した封止ブロック１０の前記収容空間１
１底面に前記デバイスチップ１の背面１ｂを接着し、前
記実装バンプ６を回路基板の導電層５ａに接続した状態
で前記封止ブロック１０の下面１０ａと前記実装面との
間に僅かの隙間を形成し、前記封止ブロック１０の周囲
を封止樹脂９で機密封止した表面弾性波デバイスの実装
構造。
必要がなく、表面弾性波デバイス自体を外力及び内圧や
熱ひずみから充分に保護できる構造の表面弾性波デバイ
スの実装構造を得るにある。 【構成】 表面波伝搬路４を形成するデバイスチップ１
の機能面１ａを、実装される回路基板の実装面に対面さ
せ、前記機能面１ａと前記実装面との間に振動空間を保
った状態として、デバイスチップ１の周囲を封止樹脂で
被覆する表面弾性波デバイスの実装構造において、前記
デバイスチップ１の背面１ｂから実装用バンプ６の先端
までの高さｈ２よりも浅い深さｈ１の収容空間１１を下
面１０ａに形成した封止ブロック１０の前記収容空間１
１底面に前記デバイスチップ１の背面１ｂを接着し、前
記実装バンプ６を回路基板の導電層５ａに接続した状態
で前記封止ブロック１０の下面１０ａと前記実装面との
間に僅かの隙間を形成し、前記封止ブロック１０の周囲
を封止樹脂９で機密封止した表面弾性波デバイスの実装
構造。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は弾性表面波フィルタ等と
して用いる表面弾性波デバイスに関し、特に、フェイス
ダウンボンディングにより回路基板に実装される形式の
表面弾性波デバイスの実装構造に関する。
して用いる表面弾性波デバイスに関し、特に、フェイス
ダウンボンディングにより回路基板に実装される形式の
表面弾性波デバイスの実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、弾性表面波フィルタ等と
して用いられる表面弾性波デバイスは、図５に示すよう
な構造に製作される。即ち、例えばセラミックで構成さ
れるデバイスチップ１Ａの機能面１ａには対にされたく
し歯状電極２Ａ，３Ａにより表面波伝搬路４Ａが形成さ
れ、プリント配線基板５Ａ等の回路基板との接続のため
に実装用バンプ６Ａが各くし歯状電極２Ａ，３Ａの端部
に配置される。
して用いられる表面弾性波デバイスは、図５に示すよう
な構造に製作される。即ち、例えばセラミックで構成さ
れるデバイスチップ１Ａの機能面１ａには対にされたく
し歯状電極２Ａ，３Ａにより表面波伝搬路４Ａが形成さ
れ、プリント配線基板５Ａ等の回路基板との接続のため
に実装用バンプ６Ａが各くし歯状電極２Ａ，３Ａの端部
に配置される。
【０００３】そして、このような構造の表面弾性波デバ
イスをプリント配線基板５Ａに搭載するには、図６に示
すように、前記機能面１ａをプリント配線基板５Ａに対
面させて表面弾性波デバイスの実装用バンプ６Ａをプリ
ント配線基板５Ａの導電層５ａに接続させるけれども、
前記プリント配線基板５Ａの表面波伝搬路対応部にはリ
セス７Ａが形成されて機能面１ａの振動を許容するキャ
ビテイ８Ａが形成され、機能面１ａへの湿気やほこり等
の侵入を防止するため、デバイスチップ１Ａの周囲に封
止樹脂９Ａが塗布されて気密封止が行われる。
イスをプリント配線基板５Ａに搭載するには、図６に示
すように、前記機能面１ａをプリント配線基板５Ａに対
面させて表面弾性波デバイスの実装用バンプ６Ａをプリ
ント配線基板５Ａの導電層５ａに接続させるけれども、
前記プリント配線基板５Ａの表面波伝搬路対応部にはリ
セス７Ａが形成されて機能面１ａの振動を許容するキャ
ビテイ８Ａが形成され、機能面１ａへの湿気やほこり等
の侵入を防止するため、デバイスチップ１Ａの周囲に封
止樹脂９Ａが塗布されて気密封止が行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
たような従来の表面弾性波デバイスの実装構造による
と、表面弾性波デバイスの実装のために特別にプリント
配線基板５Ａの表面にリセス７Ａを形成しなければなら
ないため、表面弾性波デバイスの搭載位置や表面弾性波
デバイスのサイズに応じた特別のプリント配線基板５Ａ
を用意する必要があり、表面弾性波デバイスのサイズ変
更や回路基板のパターン変更に対応することが困難であ
った。
たような従来の表面弾性波デバイスの実装構造による
と、表面弾性波デバイスの実装のために特別にプリント
配線基板５Ａの表面にリセス７Ａを形成しなければなら
ないため、表面弾性波デバイスの搭載位置や表面弾性波
デバイスのサイズに応じた特別のプリント配線基板５Ａ
を用意する必要があり、表面弾性波デバイスのサイズ変
更や回路基板のパターン変更に対応することが困難であ
った。
【０００５】また、同実装構造では、表面弾性波デバイ
スのデバイスチップ１Ａは外部に露呈状態におかれ、又
はチップ自体が封止構造体を構成する為、図６の矢印Ｐ
及びＰ’で示す外力及び内圧や熱ひずみにより破壊した
り、所定の特性を発揮できない場合があった。
スのデバイスチップ１Ａは外部に露呈状態におかれ、又
はチップ自体が封止構造体を構成する為、図６の矢印Ｐ
及びＰ’で示す外力及び内圧や熱ひずみにより破壊した
り、所定の特性を発揮できない場合があった。
【０００６】本発明の目的は、以上に述べたような従来
の表面弾性波デバイスの実装構造の問題に鑑み、特別に
リセスを加工された回路基板を用いる必要がなく、表面
弾性波デバイス自体を外力及び内圧や熱ひずみから充分
に保護できる構造の表面弾性波デバイスの実装構造を得
るにある。
の表面弾性波デバイスの実装構造の問題に鑑み、特別に
リセスを加工された回路基板を用いる必要がなく、表面
弾性波デバイス自体を外力及び内圧や熱ひずみから充分
に保護できる構造の表面弾性波デバイスの実装構造を得
るにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、表面波伝搬路を形成するデバイスチップ
の機能面を、実装される回路基板の実装面に対面させ、
前記機能面と前記実装面との間に振動空間を保った状態
として、デバイスチップの周囲を封止樹脂で被覆する表
面弾性波デバイスの実装構造において、前記デバイスチ
ップの背面から実装用バンプの先端までの高さよりも浅
い深さの収容空間を下面に形成した封止ブロックの前記
収容空間底面に前記デバイスチップの背面を接着し、前
記実装バンプを回路基板の導電層に接続した状態で前記
封止ブロックの下面と前記実装面との間に僅かの隙間を
形成し、前記封止ブロックの周囲を封止樹脂で機密封止
した表面弾性波デバイスの実装構造を提案するものであ
る。また、後述する本発明の好ましい実施例において
は、前記封止ブロックは導電性材料或いは導電性被膜を
施した絶縁材料からなり、この封止ブロックは少なくと
も前記封止樹脂の一部を構成する導電性樹脂を介して回
路基板の接地用導電層に導通状態におかれた構造が提案
される。
め、本発明は、表面波伝搬路を形成するデバイスチップ
の機能面を、実装される回路基板の実装面に対面させ、
前記機能面と前記実装面との間に振動空間を保った状態
として、デバイスチップの周囲を封止樹脂で被覆する表
面弾性波デバイスの実装構造において、前記デバイスチ
ップの背面から実装用バンプの先端までの高さよりも浅
い深さの収容空間を下面に形成した封止ブロックの前記
収容空間底面に前記デバイスチップの背面を接着し、前
記実装バンプを回路基板の導電層に接続した状態で前記
封止ブロックの下面と前記実装面との間に僅かの隙間を
形成し、前記封止ブロックの周囲を封止樹脂で機密封止
した表面弾性波デバイスの実装構造を提案するものであ
る。また、後述する本発明の好ましい実施例において
は、前記封止ブロックは導電性材料或いは導電性被膜を
施した絶縁材料からなり、この封止ブロックは少なくと
も前記封止樹脂の一部を構成する導電性樹脂を介して回
路基板の接地用導電層に導通状態におかれた構造が提案
される。
【０００８】
【実施例】以下、図１から図４について本発明の実施例
の詳細を説明する。図１及び図２は本発明の第１実施例
を示し、この実施例においては、図１に示すような表面
弾性波デバイスが用いられる。即ち、例えばセラミック
で構成されるデバイスチップ１の機能面１ａには、従来
と同様に、対にされたくし歯状電極２，３により表面波
伝搬路４が形成され、各くし歯状電極２，３の端部のボ
ンディングパッドには、プリント配線基板５等の回路基
板との接続のために、実装用バンプ６が周知の形成方法
により配置される。
の詳細を説明する。図１及び図２は本発明の第１実施例
を示し、この実施例においては、図１に示すような表面
弾性波デバイスが用いられる。即ち、例えばセラミック
で構成されるデバイスチップ１の機能面１ａには、従来
と同様に、対にされたくし歯状電極２，３により表面波
伝搬路４が形成され、各くし歯状電極２，３の端部のボ
ンディングパッドには、プリント配線基板５等の回路基
板との接続のために、実装用バンプ６が周知の形成方法
により配置される。
【０００９】そして、図１から理解されるように、前述
したデバイスチップ１は、セラミック等の剛性のある材
料から製作される封止ブロック１０の下面１０ａの収容
空間１１中に接着剤１２を用いて、機能面１ａを下に向
けた状態で固定される。
したデバイスチップ１は、セラミック等の剛性のある材
料から製作される封止ブロック１０の下面１０ａの収容
空間１１中に接着剤１２を用いて、機能面１ａを下に向
けた状態で固定される。
【００１０】即ち、封止ブロック１０の下面１０ａには
デバイスチップ１を収容できる収容空間１１が形成され
るけれども、同収容空間１１の深さｈ１は、前記デバイ
スチップ１の背面１ｂからの実装用バンプ６の先端まで
の高さｈ２よりも浅く作られる。
デバイスチップ１を収容できる収容空間１１が形成され
るけれども、同収容空間１１の深さｈ１は、前記デバイ
スチップ１の背面１ｂからの実装用バンプ６の先端まで
の高さｈ２よりも浅く作られる。
【００１１】図２は前述した表面弾性波デバイスを用い
てプリント配線基板５にデバイスチップ１を実装・封止
した状態を示し、同図から理解されるように、この実装
工程では、デバイスチップ１の機能面１ａを導電層５ａ
が形成されるプリント配線基板５の実装面に対面させた
フェイスダウンボンディング手法が採用される。つま
り、プリント配線基板５の各導電層５ａに対してはデバ
イスチップ１の対応実装用バンプ６がハンダや導電性レ
ジン等により接続されることになる。この組立状態にお
ける封止ブロック１０の下面１０ａとプリント配線基板
５の実装面との間には、僅かの隙間が形成される。この
後、封止ブロック１０の周囲にポッティングレジンとし
て知られる液状樹脂が塗布され、同封止樹脂９によりプ
リント配線基板５とデバイスチップ１との間に形成され
るキャビテイ８が気密封止される。この場合、封止ブロ
ック１０の周囲から封止ブロック１０の内部に流入する
封止樹脂９は、表面張力によりプリント配線基板５の実
装面と封止ブロック１０の下面１０ａとの間に形成され
た隙間に到達するが、同表面張力により同隙間の出口位
置で確実に堰き止められるため、デバイスチップ１の機
能面１ａの表面波を抑制しないキャビテイ８を形成でき
ることになる。
てプリント配線基板５にデバイスチップ１を実装・封止
した状態を示し、同図から理解されるように、この実装
工程では、デバイスチップ１の機能面１ａを導電層５ａ
が形成されるプリント配線基板５の実装面に対面させた
フェイスダウンボンディング手法が採用される。つま
り、プリント配線基板５の各導電層５ａに対してはデバ
イスチップ１の対応実装用バンプ６がハンダや導電性レ
ジン等により接続されることになる。この組立状態にお
ける封止ブロック１０の下面１０ａとプリント配線基板
５の実装面との間には、僅かの隙間が形成される。この
後、封止ブロック１０の周囲にポッティングレジンとし
て知られる液状樹脂が塗布され、同封止樹脂９によりプ
リント配線基板５とデバイスチップ１との間に形成され
るキャビテイ８が気密封止される。この場合、封止ブロ
ック１０の周囲から封止ブロック１０の内部に流入する
封止樹脂９は、表面張力によりプリント配線基板５の実
装面と封止ブロック１０の下面１０ａとの間に形成され
た隙間に到達するが、同表面張力により同隙間の出口位
置で確実に堰き止められるため、デバイスチップ１の機
能面１ａの表面波を抑制しないキャビテイ８を形成でき
ることになる。
【００１２】したがって、第１実施例の構造によると、
この構造では、プリント配線基板５の実装面に従来のよ
うなリセス７Ａを形成することがないため、特定の表面
弾性波デバイスのために特別のプリント配線基板５を設
計する必要がなくなり、市販のプリント配線基板５で表
面弾性波デバイスの設計変更に容易に対応できる安価な
実装構造となる。また、第１実施例で用いる封止ブロッ
ク１０によってデバイスチップ１は外力や、直接レジン
で封止する場合に、製造時や使用時にレジン及びそれと
の相関によって発生する応力ひずみにより期待する特性
が得られなくなるのを阻止できる。
この構造では、プリント配線基板５の実装面に従来のよ
うなリセス７Ａを形成することがないため、特定の表面
弾性波デバイスのために特別のプリント配線基板５を設
計する必要がなくなり、市販のプリント配線基板５で表
面弾性波デバイスの設計変更に容易に対応できる安価な
実装構造となる。また、第１実施例で用いる封止ブロッ
ク１０によってデバイスチップ１は外力や、直接レジン
で封止する場合に、製造時や使用時にレジン及びそれと
の相関によって発生する応力ひずみにより期待する特性
が得られなくなるのを阻止できる。
【００１３】なお、第１実施例の構造においては、液状
レジンを用いたものを説明したけれども、本発明の封止
樹脂としては、所謂Ｂステージ状態の固形封止材の使用
も可能であるのは改めて説明するまでもない。
レジンを用いたものを説明したけれども、本発明の封止
樹脂としては、所謂Ｂステージ状態の固形封止材の使用
も可能であるのは改めて説明するまでもない。
【００１４】図３は本発明の第２実施例の図２対応断面
図であり、同図においては図２と同一構造部分について
は同一符号を付して示してある。第２実施例の特徴は、
収容空間１１の開口部縁に形成された円弧状面取り１３
にあり、このような面取り１３を形成しておくことによ
り、封止ブロックに対し、チップが偏寄ってとりつけら
れても、収容空間１１の開口部に液溜り１４を形成でき
るから、収容空間１１中への封止樹脂９の流入を確実に
防止でき、デバイスチップ１の機能面１ａにキャビテイ
８を確実に形成できる。
図であり、同図においては図２と同一構造部分について
は同一符号を付して示してある。第２実施例の特徴は、
収容空間１１の開口部縁に形成された円弧状面取り１３
にあり、このような面取り１３を形成しておくことによ
り、封止ブロックに対し、チップが偏寄ってとりつけら
れても、収容空間１１の開口部に液溜り１４を形成でき
るから、収容空間１１中への封止樹脂９の流入を確実に
防止でき、デバイスチップ１の機能面１ａにキャビテイ
８を確実に形成できる。
【００１５】図４は本発明の第３実施例の図２対応断面
図であり、同図においては図２と同一構造部分について
は同一符号を付して示してある。この実施例の特徴は、
前述した封止ブロック１０Ａが金属等の導電性材料或い
は導電性被膜を施した絶縁材料で構成してある点と、同
封止ブロック１０Ａが導電性のある２次封止樹脂９Ｂを
用いてプリント配線基板５の導電層５ａの一部を構成す
る接地用導電層５ｂに導通状態におかれている点にあ
る。
図であり、同図においては図２と同一構造部分について
は同一符号を付して示してある。この実施例の特徴は、
前述した封止ブロック１０Ａが金属等の導電性材料或い
は導電性被膜を施した絶縁材料で構成してある点と、同
封止ブロック１０Ａが導電性のある２次封止樹脂９Ｂを
用いてプリント配線基板５の導電層５ａの一部を構成す
る接地用導電層５ｂに導通状態におかれている点にあ
る。
【００１６】第３実施例は実装構造は、以上のような構
成であるから、封止ブロック１０の内部に位置するデバ
イスチップ１は、導電性の封止ブロック１０Ａ及び２次
封止樹脂９Ｂにより外部電界や外部磁界から完全に遮蔽
されるため、外部電磁界等による誤動作を未然に防止で
きる。勿論、その他の点では、第１実施例の場合と同様
の作用効果を期待できる。
成であるから、封止ブロック１０の内部に位置するデバ
イスチップ１は、導電性の封止ブロック１０Ａ及び２次
封止樹脂９Ｂにより外部電界や外部磁界から完全に遮蔽
されるため、外部電磁界等による誤動作を未然に防止で
きる。勿論、その他の点では、第１実施例の場合と同様
の作用効果を期待できる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、回路基板に特別のリセス等を形成する必要が
ないから、市販の回路基板に表面弾性波デバイスを自由
に搭載できる実装構造となり、デバイスチップは封止ブ
ロックの内部に充分に保護された状態にあるから、外力
及び内圧や熱的歪み等の悪影響を阻止した実装構造を提
供できる。
によれば、回路基板に特別のリセス等を形成する必要が
ないから、市販の回路基板に表面弾性波デバイスを自由
に搭載できる実装構造となり、デバイスチップは封止ブ
ロックの内部に充分に保護された状態にあるから、外力
及び内圧や熱的歪み等の悪影響を阻止した実装構造を提
供できる。
【図１】本発明に用いる表面弾性波デバイスの断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１実施例による表面弾性波デバイス
の実装構造の拡大断面図である。
の実装構造の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２実施例による表面弾性波デバイス
の実装構造の拡大断面図である。
の実装構造の拡大断面図である。
【図４】本発明の第３実施例による表面弾性波デバイス
の実装構造の拡大断面図である。
の実装構造の拡大断面図である。
【図５】従来の表面弾性波デバイスの全体斜視図であ
る。
る。
【図６】従来の表面弾性波デバイスの実装構造の断面図
である。
である。
１ デバイスチップ １ａ 機能面 １ｂ 背面 ２，３ くし歯状電極 ４ 表面波伝搬路 ５ プリント配線基板 ５ａ 導電層 ６，６Ａ 実装用バンプ ８ キャビテイ ９ 封止樹脂 １０，１０Ａ 封止ブロック １０ａ 下面 １１ 収容空間 １２ 接着剤 １３ 面取り １４ 液溜り
Claims (3)
- 【請求項１】 表面波伝搬路を形成するデバイスチップ
の機能面を、実装される回路基板の実装面に対面させ、
前記機能面と前記実装面との間に振動空間を保った状態
として、デバイスチップの周囲を封止樹脂で被覆する表
面弾性波デバイスの実装構造において、前記デバイスチ
ップの背面から実装用バンプの先端までの高さよりも浅
い深さの収容空間を下面に形成した封止ブロックの前記
収容空間底面に前記デバイスチップの背面を接着し、前
記実装バンプを回路基板の導電層に接続した状態で前記
封止ブロックの下面と前記実装面との間に僅かの隙間を
形成し、前記封止ブロックの周囲を封止樹脂で機密封止
したことを特徴とする表面弾性波デバイスの実装構造。 - 【請求項２】 前記封止ブロックは導電性材料からな
り、この封止ブロックは少なくとも前記封止樹脂の一部
を構成する導電性樹脂を介して回路基板の接地用導電層
に導通状態におかれたことを特徴とする請求項１記載の
表面弾性波デバイスの実装構造。 - 【請求項３】 前記封止ブロックは導電性被膜を施した
絶縁材料からなり、この封止ブロックは少なくとも前記
封止樹脂の一部を構成する導電性樹脂を介して回路基板
の接地用導電層に導通状態におかれたことを特徴とする
請求項１記載の表面弾性波デバイスの実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128859A JPH08307195A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 表面弾性波デバイスの実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7128859A JPH08307195A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 表面弾性波デバイスの実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08307195A true JPH08307195A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14995139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7128859A Pending JPH08307195A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 表面弾性波デバイスの実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08307195A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP7128859A patent/JPH08307195A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6467139B1 (en) | 1998-08-03 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Mounting structure and mounting method for surface acoustic wave element |
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