JPH08304670A - 光モジュール及びその製造方法 - Google Patents
光モジュール及びその製造方法Info
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- JPH08304670A JPH08304670A JP7107238A JP10723895A JPH08304670A JP H08304670 A JPH08304670 A JP H08304670A JP 7107238 A JP7107238 A JP 7107238A JP 10723895 A JP10723895 A JP 10723895A JP H08304670 A JPH08304670 A JP H08304670A
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- laser diode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 位置合わせなしに光導波路を形成できる光モ
ジュールを得ることを目的としている。 【構成】 半導体基板１０に、レーザダイオード１１を
形成し、レーザ共振器端面１３をドライエッチングによ
り形成したのち、第１〜第３の誘電体薄膜１５、１６、
１７を順次形成し、レーザダイオード１１の発光部１２
を目印として、第１〜第３の誘電体薄膜を光導波路形状
に加工する。 【効果】 光に対する損失が小さい誘電体薄膜を用い
て、光軸合わせの調整なしに光導波路が形成できる。
ジュールを得ることを目的としている。 【構成】 半導体基板１０に、レーザダイオード１１を
形成し、レーザ共振器端面１３をドライエッチングによ
り形成したのち、第１〜第３の誘電体薄膜１５、１６、
１７を順次形成し、レーザダイオード１１の発光部１２
を目印として、第１〜第３の誘電体薄膜を光導波路形状
に加工する。 【効果】 光に対する損失が小さい誘電体薄膜を用い
て、光軸合わせの調整なしに光導波路が形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、同一基板上に形成さ
れた光部品（レーザダイオード、フォトダイオード、光
変調器等）間の光による接続に用いる光導波路を有する
光モジュール及びその製造方法に関するものである。
れた光部品（レーザダイオード、フォトダイオード、光
変調器等）間の光による接続に用いる光導波路を有する
光モジュール及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７は従来の光モジュールを示す斜視図
である。図において、１はＳｉ等の半導体基板又は誘電
体基板などの基板、２は基板１に取付けられたレーザダ
イオード、３はレーザダイオード２の発光部、４は基板
１に取付けられたフォトダイオード、５はガラスやＳｉ
等の基板で、基板１に固定されている。６は基板５上に
形成された光導波路、７は基板１に取付けられた光ファ
イバである。このような従来の光モジュールにおいて
は、レーザダイオード２の発光部３から出射される光
は、光導波路６を経て光ファイバ７へ入ると共に、光フ
ァイバ７から入射される光は光導波路６を介して、フォ
トダイオード４に入射する。
である。図において、１はＳｉ等の半導体基板又は誘電
体基板などの基板、２は基板１に取付けられたレーザダ
イオード、３はレーザダイオード２の発光部、４は基板
１に取付けられたフォトダイオード、５はガラスやＳｉ
等の基板で、基板１に固定されている。６は基板５上に
形成された光導波路、７は基板１に取付けられた光ファ
イバである。このような従来の光モジュールにおいて
は、レーザダイオード２の発光部３から出射される光
は、光導波路６を経て光ファイバ７へ入ると共に、光フ
ァイバ７から入射される光は光導波路６を介して、フォ
トダイオード４に入射する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の光
モジュールでは、光を効率よく光導波路６や光ファイバ
７に導くためには、光導波路６とレーザダイオード２や
フォトダイオード４、あるいは光ファイバ７を高い位置
精度で固定する必要がある。しかし、この位置合わせが
難しく、コストがかかるという問題点があった。また、
光導波路６をレーザダイオード２、フォトダイオード４
と同一の基板上で、半導体材料を用いて形成すれば、こ
のような位置合わせは不要となるが、半導体材料を用い
た光導波路の場合、光に対する損失が大きいという問題
点がある。
モジュールでは、光を効率よく光導波路６や光ファイバ
７に導くためには、光導波路６とレーザダイオード２や
フォトダイオード４、あるいは光ファイバ７を高い位置
精度で固定する必要がある。しかし、この位置合わせが
難しく、コストがかかるという問題点があった。また、
光導波路６をレーザダイオード２、フォトダイオード４
と同一の基板上で、半導体材料を用いて形成すれば、こ
のような位置合わせは不要となるが、半導体材料を用い
た光導波路の場合、光に対する損失が大きいという問題
点がある。
【０００４】この発明は、上述のような課題を解決する
ためになされたもので、第一の目的は、光に対する損失
が小さい誘電体薄膜導波路を用いて、位置合わせなしに
形成される光導波路を有する光モジュールを得るもので
ある。また、第二の目的は、同一基板上にレーザダイオ
ードとフォトダイオードを任意に集積化する光モジュー
ルを得るものである。さらに、第三の目的は、光波長フ
ィルタを組み込んだ光モジュールを得るものである。
ためになされたもので、第一の目的は、光に対する損失
が小さい誘電体薄膜導波路を用いて、位置合わせなしに
形成される光導波路を有する光モジュールを得るもので
ある。また、第二の目的は、同一基板上にレーザダイオ
ードとフォトダイオードを任意に集積化する光モジュー
ルを得るものである。さらに、第三の目的は、光波長フ
ィルタを組み込んだ光モジュールを得るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる光モジ
ュールにおいては、半導体基板に形成されたレーザダイ
オードの発光部に整列するように誘電体光導波路を半導
体基板に形成したものである。また、半導体基板に形成
されたレーザダイオードの発光部とフォトダイオード
に、それぞれ整列するように誘電体光導波路を半導体基
板に形成したものである。また、誘電体光導波路は、レ
ーザダイオードの発光部と高さ方向が整列される厚さに
形成されているものである。
ュールにおいては、半導体基板に形成されたレーザダイ
オードの発光部に整列するように誘電体光導波路を半導
体基板に形成したものである。また、半導体基板に形成
されたレーザダイオードの発光部とフォトダイオード
に、それぞれ整列するように誘電体光導波路を半導体基
板に形成したものである。また、誘電体光導波路は、レ
ーザダイオードの発光部と高さ方向が整列される厚さに
形成されているものである。
【０００６】さらに、誘電体光導波路は、第一、第二、
第三の順に積層された少なくとも三層の誘電体層を有
し、第二の誘電体層が、他の層の誘電体層より屈折率を
大としたものである。また、誘電体光導波路は、酸化シ
リコン−酸化チタン−酸化シリコンの順に積層された三
層の誘電体とするものである。また、誘電体光導波路
は、酸化シリコンの三層の誘電体とするものである。加
えて、誘電体光導波路の第二の誘電体層には、回折格子
が形成されているものである。
第三の順に積層された少なくとも三層の誘電体層を有
し、第二の誘電体層が、他の層の誘電体層より屈折率を
大としたものである。また、誘電体光導波路は、酸化シ
リコン−酸化チタン−酸化シリコンの順に積層された三
層の誘電体とするものである。また、誘電体光導波路
は、酸化シリコンの三層の誘電体とするものである。加
えて、誘電体光導波路の第二の誘電体層には、回折格子
が形成されているものである。
【０００７】また、誘電体光導波路の延長線上の基板端
面に、光ファイバーを配置するためのＶ型溝が設けられ
ているものである。さらにまた、この発明に係わる光モ
ジュールの製造方法においては、半導体基板に、発光部
を有するレーザ共振器端面を設けたレーザダイオードを
形成する工程と、このレーザダイオードの上面及びレー
ザ共振器端面を除き、半導体基板上に誘電体層を形成す
る工程と、レーザダイオードの発光部に整列するように
誘電体層を加工して光導波路を形成する工程を含むもの
である。また、半導体基板に、発光部を有するレーザ共
振器端面を設けたレーザダイオードを形成する工程と、
このレーザダイオードの上面及びレーザ共振器端面を除
き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程と、レーザ
ダイオードの発光部に整列するように、光導波路及びＶ
型溝のパターンを形成する工程と、誘電体層をエッチン
グすることにより光導波路を形成する工程と、半導体基
板をエッチングすることによりＶ型溝を形成する工程を
含むものである。
面に、光ファイバーを配置するためのＶ型溝が設けられ
ているものである。さらにまた、この発明に係わる光モ
ジュールの製造方法においては、半導体基板に、発光部
を有するレーザ共振器端面を設けたレーザダイオードを
形成する工程と、このレーザダイオードの上面及びレー
ザ共振器端面を除き、半導体基板上に誘電体層を形成す
る工程と、レーザダイオードの発光部に整列するように
誘電体層を加工して光導波路を形成する工程を含むもの
である。また、半導体基板に、発光部を有するレーザ共
振器端面を設けたレーザダイオードを形成する工程と、
このレーザダイオードの上面及びレーザ共振器端面を除
き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程と、レーザ
ダイオードの発光部に整列するように、光導波路及びＶ
型溝のパターンを形成する工程と、誘電体層をエッチン
グすることにより光導波路を形成する工程と、半導体基
板をエッチングすることによりＶ型溝を形成する工程を
含むものである。
【０００８】
【作用】上記のように構成された光モジュール及びその
製造方法においては、レーザダイオードの発光部を目印
にして誘電体光導波路を位置決めし、レーザダイオード
の発光部に整列するように誘電体光導波路を半導体基板
に形成する。また、レーザダイオードの発光部とフォト
ダイオードを目印にして誘電体光導波路を位置決めし、
レーザダイオードの発光部とフォトダイオードに、それ
ぞれ整列するように誘電体光導波路を半導体基板に形成
する。また、誘電体光導波路は、レーザダイオードの発
光部と高さ方向が整列される厚さに形成され、厚さによ
って高さ方向の整列を行う。
製造方法においては、レーザダイオードの発光部を目印
にして誘電体光導波路を位置決めし、レーザダイオード
の発光部に整列するように誘電体光導波路を半導体基板
に形成する。また、レーザダイオードの発光部とフォト
ダイオードを目印にして誘電体光導波路を位置決めし、
レーザダイオードの発光部とフォトダイオードに、それ
ぞれ整列するように誘電体光導波路を半導体基板に形成
する。また、誘電体光導波路は、レーザダイオードの発
光部と高さ方向が整列される厚さに形成され、厚さによ
って高さ方向の整列を行う。
【０００９】さらに、誘電体光導波路は、第一、第二、
第三の誘電体層を有し、第二の誘電体層が、他の層の誘
電体層より屈折率を大として、形成されている。加え
て、誘電体光導波路の第二の誘電体層には、回折格子が
形成され、波長選択性をもたせている。また、誘電体光
導波路の延長線上の基板端面に、光ファイバーを配置す
るためのＶ型溝が設けられ、レーザダイオードの発光部
を目印にして誘電体光導波路と同様に位置決めすること
ができる。
第三の誘電体層を有し、第二の誘電体層が、他の層の誘
電体層より屈折率を大として、形成されている。加え
て、誘電体光導波路の第二の誘電体層には、回折格子が
形成され、波長選択性をもたせている。また、誘電体光
導波路の延長線上の基板端面に、光ファイバーを配置す
るためのＶ型溝が設けられ、レーザダイオードの発光部
を目印にして誘電体光導波路と同様に位置決めすること
ができる。
【００１０】さらにまた、この発明に係わる光モジュー
ルの製造方法においては、半導体基板に、発光部を有す
るレーザ共振器端面を設けたレーザダイオードを形成す
る工程と、このレーザダイオードの上面及びレーザ共振
器端面を除き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程
と、レーザダイオードの発光部に整列するように誘電体
層を加工して光導波路を形成する工程を含み、レーザダ
イオードの発光部を目印にして誘電体光導波路を形成す
る。また、半導体基板に、発光部を有するレーザ共振器
端面を設けたレーザダイオードを形成する工程と、この
レーザダイオードの上面及びレーザ共振器端面を除き、
半導体基板上に誘電体層を形成する工程と、レーザダイ
オードの発光部に整列するように、光導波路及びＶ型溝
のパターンを形成する工程と、誘電体層をエッチングす
ることにより光導波路を形成する工程と、半導体基板を
エッチングすることによりＶ型溝を形成する工程を含
み、レーザダイオードの発光部を目印にして光導波路及
びＶ型溝のパターンを形成する。
ルの製造方法においては、半導体基板に、発光部を有す
るレーザ共振器端面を設けたレーザダイオードを形成す
る工程と、このレーザダイオードの上面及びレーザ共振
器端面を除き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程
と、レーザダイオードの発光部に整列するように誘電体
層を加工して光導波路を形成する工程を含み、レーザダ
イオードの発光部を目印にして誘電体光導波路を形成す
る。また、半導体基板に、発光部を有するレーザ共振器
端面を設けたレーザダイオードを形成する工程と、この
レーザダイオードの上面及びレーザ共振器端面を除き、
半導体基板上に誘電体層を形成する工程と、レーザダイ
オードの発光部に整列するように、光導波路及びＶ型溝
のパターンを形成する工程と、誘電体層をエッチングす
ることにより光導波路を形成する工程と、半導体基板を
エッチングすることによりＶ型溝を形成する工程を含
み、レーザダイオードの発光部を目印にして光導波路及
びＶ型溝のパターンを形成する。
【００１１】
実施例１．図１〜図３は、この発明の実施例１による誘
電体光導波路の作成過程を示す斜視図であり、図１はレ
ーザ共振器端面形成後を示し、図２は誘電体薄膜形成後
を示し、図３は光導波路形状形成後を示す完成図であ
る。図において、６は上記従来装置と同様のものであ
り、その説明を省略する。１０は共通の半導体基板、１
１は半導体基板１０上に活性層が埋め込まれて形成され
た埋め込み型半導体レーザダイオード、１２はこの埋め
込み型半導体レーザダイオード１１の活性層からなる発
光部、１３はレーザ共振器端面である。１４はフォトレ
ジスト、１５、１６、１７はそれぞれＳｉＯ2 、ＴｉＯ
2 等からなる第１、第２、第３の誘電体薄膜である。こ
のような光導波路の形成方法においては、図１のよう
に、半導体基板上に活性層が埋め込まれた埋め込み型半
導体レーザダイオード１１を形成し、ドライエッチング
技術を用いて、レーザ共振器端面１３を形成する。
電体光導波路の作成過程を示す斜視図であり、図１はレ
ーザ共振器端面形成後を示し、図２は誘電体薄膜形成後
を示し、図３は光導波路形状形成後を示す完成図であ
る。図において、６は上記従来装置と同様のものであ
り、その説明を省略する。１０は共通の半導体基板、１
１は半導体基板１０上に活性層が埋め込まれて形成され
た埋め込み型半導体レーザダイオード、１２はこの埋め
込み型半導体レーザダイオード１１の活性層からなる発
光部、１３はレーザ共振器端面である。１４はフォトレ
ジスト、１５、１６、１７はそれぞれＳｉＯ2 、ＴｉＯ
2 等からなる第１、第２、第３の誘電体薄膜である。こ
のような光導波路の形成方法においては、図１のよう
に、半導体基板上に活性層が埋め込まれた埋め込み型半
導体レーザダイオード１１を形成し、ドライエッチング
技術を用いて、レーザ共振器端面１３を形成する。
【００１２】次に図２のように、レーザ共振器端面１３
及び半導体レーザダイオード１１上面を、フォトレジス
ト１４で保護し、その上から第１の誘電体薄膜１５、第
２の誘電体薄膜１６、第３の誘電体薄膜１７を形成す
る。図３のように、発光部１２の位置を目印として、第
１〜第３の誘電体薄膜１５、１６、１７を任意の導波路
形状に加工する。第１〜第３の誘電体薄膜１５、１６、
１７は、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等を電子ビーム蒸着、ある
いはスパッタリング法により形成する。このとき第２の
誘電体薄膜１６は、第１及び第３の誘電体薄膜１５、１
７よりも、屈折率の高いもので構成する。例えば、第１
及び第３の誘電体薄膜１５、１７にＳｉＯ2 （屈折率
１．４６）、第２の誘電体薄膜１６にＴｉＯ2 （屈折率
２．２）を用いたとき、基本モードのみを伝搬させるた
め、第２の誘電体薄膜１６の膜厚は０．２μｍ以下に設
定する必要がある。また、第１〜第３の誘電体薄膜１
５、１６、１７ともＳｉＯX を用い、蒸着方法を変える
ことにより、第２の誘電体薄膜１６のみ屈折率を大きく
できる。高真空中で早く蒸着すると屈折率は大きくな
り、低真空中でゆっくり蒸着すると屈折率は小さくなる
ため、任意の値に設定可能である。この場合、例えば、
第２の誘電体薄膜１６の屈折率を、第１及び第３の誘電
体薄膜１５、１７の屈折率より５％大きくする場合は、
第２の誘電体薄膜１６の厚さを１μｍ以下に設定する必
要がある。
及び半導体レーザダイオード１１上面を、フォトレジス
ト１４で保護し、その上から第１の誘電体薄膜１５、第
２の誘電体薄膜１６、第３の誘電体薄膜１７を形成す
る。図３のように、発光部１２の位置を目印として、第
１〜第３の誘電体薄膜１５、１６、１７を任意の導波路
形状に加工する。第１〜第３の誘電体薄膜１５、１６、
１７は、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 等を電子ビーム蒸着、ある
いはスパッタリング法により形成する。このとき第２の
誘電体薄膜１６は、第１及び第３の誘電体薄膜１５、１
７よりも、屈折率の高いもので構成する。例えば、第１
及び第３の誘電体薄膜１５、１７にＳｉＯ2 （屈折率
１．４６）、第２の誘電体薄膜１６にＴｉＯ2 （屈折率
２．２）を用いたとき、基本モードのみを伝搬させるた
め、第２の誘電体薄膜１６の膜厚は０．２μｍ以下に設
定する必要がある。また、第１〜第３の誘電体薄膜１
５、１６、１７ともＳｉＯX を用い、蒸着方法を変える
ことにより、第２の誘電体薄膜１６のみ屈折率を大きく
できる。高真空中で早く蒸着すると屈折率は大きくな
り、低真空中でゆっくり蒸着すると屈折率は小さくなる
ため、任意の値に設定可能である。この場合、例えば、
第２の誘電体薄膜１６の屈折率を、第１及び第３の誘電
体薄膜１５、１７の屈折率より５％大きくする場合は、
第２の誘電体薄膜１６の厚さを１μｍ以下に設定する必
要がある。
【００１３】このとき発光部１２と第２の誘電体薄膜１
６の高さを調整する必要がある。この方法によると、発
光部１２と第２の誘電体薄膜１６の高さは、誘電体薄膜
の膜厚で調整でき、発光部１２の位置と合わせて光導波
路６を形成するため、光軸合わせの調整なしに光導波路
６を形成することができる。また、光導波路６を誘電体
薄膜で形成したので、低損失化の効果もある。
６の高さを調整する必要がある。この方法によると、発
光部１２と第２の誘電体薄膜１６の高さは、誘電体薄膜
の膜厚で調整でき、発光部１２の位置と合わせて光導波
路６を形成するため、光軸合わせの調整なしに光導波路
６を形成することができる。また、光導波路６を誘電体
薄膜で形成したので、低損失化の効果もある。
【００１４】実施例２．図４はこの発明の実施例２によ
る光モジュールを示す斜視図である。実施例１におい
て、第一〜第三の誘電体薄膜１５、１６、１７を加工す
るパターニング工程と同時に、光ファイバ７を固定する
溝１８のパターンを形成し、半導体基板１０をエッチン
グし、溝１８を形成する工程を追加した。溝１８を発光
部１２に合わせて、第１〜第３の誘電体薄膜１５、１
６、１７を加工するのと同時に形成できるため、光ファ
イバ７の位置を調整する必要がなく、組立が容易にな
る。
る光モジュールを示す斜視図である。実施例１におい
て、第一〜第三の誘電体薄膜１５、１６、１７を加工す
るパターニング工程と同時に、光ファイバ７を固定する
溝１８のパターンを形成し、半導体基板１０をエッチン
グし、溝１８を形成する工程を追加した。溝１８を発光
部１２に合わせて、第１〜第３の誘電体薄膜１５、１
６、１７を加工するのと同時に形成できるため、光ファ
イバ７の位置を調整する必要がなく、組立が容易にな
る。
【００１５】実施例３．図５はこの発明の実施例３によ
る光モジュールを示す斜視図である。実施例１におい
て、第２の誘電体薄膜１６に回折格子１９を形成し、波
長選択性を持たせる機能を付加している。光軸合わせの
調整が不要で、光波長フィルタを組み込むことが可能に
なる。
る光モジュールを示す斜視図である。実施例１におい
て、第２の誘電体薄膜１６に回折格子１９を形成し、波
長選択性を持たせる機能を付加している。光軸合わせの
調整が不要で、光波長フィルタを組み込むことが可能に
なる。
【００１６】実施例４．図６はこの発明の実施例４によ
る光モジュールを示す斜視図である。同一半導体基板１
０上に、レーザダイオード１１とフォトダイオード２０
を集積化し、これらを光導波路６で任意に結ぶようにし
ている。光軸合わせの調整が不要で、同一基板上に形成
したレーザダイオード１１、フォトダイオード２０を任
意に集積化することが可能になる。
る光モジュールを示す斜視図である。同一半導体基板１
０上に、レーザダイオード１１とフォトダイオード２０
を集積化し、これらを光導波路６で任意に結ぶようにし
ている。光軸合わせの調整が不要で、同一基板上に形成
したレーザダイオード１１、フォトダイオード２０を任
意に集積化することが可能になる。
【００１７】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。半導体
基板に形成されたレーザダイオードの発光部を目印にし
て誘電体光導波路を位置決めするので、レーザダイオー
ドと誘電体光導波路との光軸合わせの調整を不要にする
ことができる。また、半導体基板に形成されたレーザダ
イオードの発光部とフォトダイオードを目印にして誘電
体光導波路を位置決めするので、レーザダイオード、フ
ォトダイオードと誘電体光導波路との光軸合わせの調整
を不要にすることができ、同一基板上にレーザダイオー
ド、フォトダイオードを任意に集積化することができ
る。また、誘電体光導波路は、レーザダイオードの発光
部と高さ方向が整列される厚さに形成され、厚さによっ
て高さ方向の整列を行い、レーザダイオードと誘電体光
導波路との光軸合わせの調整を不要にすることができ
る。
れているので、以下に示すような効果を奏する。半導体
基板に形成されたレーザダイオードの発光部を目印にし
て誘電体光導波路を位置決めするので、レーザダイオー
ドと誘電体光導波路との光軸合わせの調整を不要にする
ことができる。また、半導体基板に形成されたレーザダ
イオードの発光部とフォトダイオードを目印にして誘電
体光導波路を位置決めするので、レーザダイオード、フ
ォトダイオードと誘電体光導波路との光軸合わせの調整
を不要にすることができ、同一基板上にレーザダイオー
ド、フォトダイオードを任意に集積化することができ
る。また、誘電体光導波路は、レーザダイオードの発光
部と高さ方向が整列される厚さに形成され、厚さによっ
て高さ方向の整列を行い、レーザダイオードと誘電体光
導波路との光軸合わせの調整を不要にすることができ
る。
【００１８】さらに、誘電体光導波路は、第一、第二、
第三の誘電体層を有し、第二の誘電体層が、他の層の誘
電体層より屈折率を大として、形成されているので、光
に対して低損失なものにすることができる。加えて、誘
電体光導波路の第二の誘電体層には、回折格子が形成さ
れ、波長選択性をもたせているので、レーザダイオード
と誘電体光導波路との光軸合わせの調整を不要にして、
光波長フィルタを組み込むことができる。また、誘電体
光導波路の延長線上の基板端面に、光ファイバーを配置
するためのＶ型溝が設けられ、レーザダイオードの発光
部を目印にして誘電体光導波路と同様に位置決めするの
で、誘電体光導波路と光ファイバーの位置調整を不要に
して、組立を容易にしている。
第三の誘電体層を有し、第二の誘電体層が、他の層の誘
電体層より屈折率を大として、形成されているので、光
に対して低損失なものにすることができる。加えて、誘
電体光導波路の第二の誘電体層には、回折格子が形成さ
れ、波長選択性をもたせているので、レーザダイオード
と誘電体光導波路との光軸合わせの調整を不要にして、
光波長フィルタを組み込むことができる。また、誘電体
光導波路の延長線上の基板端面に、光ファイバーを配置
するためのＶ型溝が設けられ、レーザダイオードの発光
部を目印にして誘電体光導波路と同様に位置決めするの
で、誘電体光導波路と光ファイバーの位置調整を不要に
して、組立を容易にしている。
【００１９】さらにまた、この発明に係わる光モジュー
ルの製造方法においては、半導体基板に、発光部を有す
るレーザ共振器端面を設けたレーザダイオードを形成す
る工程と、このレーザダイオードの上面及びレーザ共振
器端面を除き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程
と、レーザダイオードの発光部に整列するように誘電体
層を加工して光導波路を形成する工程を含み、レーザダ
イオードの発光部を目印にして誘電体光導波路を形成す
るので、レーザダイオードと誘電体光導波路との光軸合
わせの調整を不要にすることができる。また、半導体基
板に、発光部を有するレーザ共振器端面を設けたレーザ
ダイオードを形成する工程と、このレーザダイオードの
上面及びレーザ共振器端面を除き、半導体基板上に誘電
体層を形成する工程と、レーザダイオードの発光部に整
列するように、光導波路及びＶ型溝のパターンを形成す
る工程と、誘電体層をエッチングすることにより光導波
路を形成する工程と、半導体基板をエッチングすること
によりＶ型溝を形成する工程を含み、レーザダイオード
の発光部を目印にして光導波路及びＶ型溝のパターンを
形成するので、レーザダイオードと誘電体光導波路及び
誘電体光導波路と光ファイバーとの光軸合わせの調整を
不要にすることができる。
ルの製造方法においては、半導体基板に、発光部を有す
るレーザ共振器端面を設けたレーザダイオードを形成す
る工程と、このレーザダイオードの上面及びレーザ共振
器端面を除き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程
と、レーザダイオードの発光部に整列するように誘電体
層を加工して光導波路を形成する工程を含み、レーザダ
イオードの発光部を目印にして誘電体光導波路を形成す
るので、レーザダイオードと誘電体光導波路との光軸合
わせの調整を不要にすることができる。また、半導体基
板に、発光部を有するレーザ共振器端面を設けたレーザ
ダイオードを形成する工程と、このレーザダイオードの
上面及びレーザ共振器端面を除き、半導体基板上に誘電
体層を形成する工程と、レーザダイオードの発光部に整
列するように、光導波路及びＶ型溝のパターンを形成す
る工程と、誘電体層をエッチングすることにより光導波
路を形成する工程と、半導体基板をエッチングすること
によりＶ型溝を形成する工程を含み、レーザダイオード
の発光部を目印にして光導波路及びＶ型溝のパターンを
形成するので、レーザダイオードと誘電体光導波路及び
誘電体光導波路と光ファイバーとの光軸合わせの調整を
不要にすることができる。
【図１】 この発明の実施例１による誘電体光導波路の
作成過程を示す斜視図である。
作成過程を示す斜視図である。
【図２】 この発明の実施例１による誘電体光導波路の
作成過程を示す斜視図である。
作成過程を示す斜視図である。
【図３】 この発明の実施例１による誘電体光導波路の
作成過程を示す斜視図である。
作成過程を示す斜視図である。
【図４】 この発明の実施例２による光モジュールを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】 この発明の実施例３による光モジュールを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図６】 この発明の実施例４による光モジュールを示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図７】 従来の光モジュールを示す斜視図である。
【符号の説明】 ６ 光導波路、７ 光ファイバ、１０ 半導体基板、１
１ レーザダイオード、１２ 発光部、１３ レーザ共
振器端面、１５，１６，１７ 誘電体薄膜、１８ 溝、
１９ 回折格子、２０ フォトダイオード
１ レーザダイオード、１２ 発光部、１３ レーザ共
振器端面、１５，１６，１７ 誘電体薄膜、１８ 溝、
１９ 回折格子、２０ フォトダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｄ
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板、この半導体基板に形成され
た発光部を有するレーザダイオード、このレーザダイオ
ードの発光部に整列するように上記半導体基板に形成さ
れた誘電体光導波路を備えたことを特徴とする光モジュ
ール。 - 【請求項２】 半導体基板、この半導体基板に形成され
た発光部を有するレーザダイオード、上記半導体基板に
形成されたフォトダイオード、上記レーザダイオードの
発光部及び上記フォトダイオードにそれぞれ整列するよ
うに上記半導体基板に形成された誘電体光導波路を備え
たことを特徴とする光モジュール。 - 【請求項３】 誘電体光導波路は、レーザダイオードの
発光部と高さ方向が整列される厚さに形成されているこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の光モジュー
ル。 - 【請求項４】 誘電体光導波路は、第一、第二、第三の
順に積層された少なくとも三層の誘電体層を有し、第二
の誘電体層が、他の層の誘電体層より屈折率が大である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一
項記載の光モジュール。 - 【請求項５】 誘電体光導波路は、酸化シリコン−酸化
チタン−酸化シリコンの順に積層された三層の誘電体で
あることを特徴とする請求項４記載の光モジュール。 - 【請求項６】 誘電体光導波路は、酸化シリコンの三層
の誘電体であることを特徴とする請求項４記載の光モジ
ュール。 - 【請求項７】 誘電体光導波路の第二の誘電体層には、
回折格子が形成されていることを特徴とする請求項４な
いし請求項６のいずれか一項記載の光モジュール。 - 【請求項８】 誘電体光導波路の延長線上の基板端面
に、光ファイバーを配置するためのＶ型溝が設けられて
いることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれ
か一項記載の光モジュール。 - 【請求項９】 半導体基板に、発光部を有するレーザ共
振器端面を設けたレーザダイオードを形成する工程、こ
のレーザダイオードの上面及びレーザ共振器端面を除
き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程、上記レー
ザダイオードの発光部に整列するように上記誘電体層を
加工して光導波路を形成する工程を含むことを特徴とす
る光モジュールの製造方法。 - 【請求項１０】 半導体基板に、発光部を有するレーザ
共振器端面を設けたレーザダイオードを形成する工程、
このレーザダイオードの上面及びレーザ共振器端面を除
き、半導体基板上に誘電体層を形成する工程、上記レー
ザダイオードの発光部に整列するように、光導波路及び
Ｖ型溝のパターンを形成する工程、上記誘電体層をエッ
チングすることにより光導波路を形成する工程、上記半
導体基板をエッチングすることによりＶ型溝を形成する
工程を含むことを特徴とする光モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7107238A JPH08304670A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 光モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7107238A JPH08304670A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 光モジュール及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304670A true JPH08304670A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14453992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7107238A Pending JPH08304670A (ja) | 1995-05-01 | 1995-05-01 | 光モジュール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304670A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507358B1 (en) | 1997-06-02 | 2003-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-lens image pickup apparatus |
| JP2006189483A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路形成基板の製造方法および光導波路形成基板 |
| JP2010267642A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2017073546A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 側面発光レーザ光源、及びそれを含む三次元映像取得装置 |
-
1995
- 1995-05-01 JP JP7107238A patent/JPH08304670A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6507358B1 (en) | 1997-06-02 | 2003-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-lens image pickup apparatus |
| JP2006189483A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光導波路形成基板の製造方法および光導波路形成基板 |
| JP2010267642A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP2017073546A (ja) * | 2015-10-08 | 2017-04-13 | 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 側面発光レーザ光源、及びそれを含む三次元映像取得装置 |
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