JP2820202B2 - スポットサイズ変換器の製造方法 - Google Patents
スポットサイズ変換器の製造方法Info
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Description
換器の製造方法に関し、特に、光導波路の幅方向のみな
らず高さ方向についてもスポットサイズの変換を行うス
ポットサイズ変換器の製造方法に関する。
光送受信モジュール等の小型化、薄型化が重要な課題と
なっている。そして、このような光送受信モジュールの
小型化、薄型化に伴ない、スポットサイズの異なる2つ
の光導波路をより高い効率で光結合させる必要性が高ま
っている。つまり、光通信システムにおける光源である
半導体レーザーダイオードや、光の増幅を行う半導体型
光アンプ、光路の切り替えを行う半導体型光スイッチ及
び光ゲート等と、光ファイバの実装基板として利用で
き、光フィルタ及び光カプラ等のパッシブな光部品を集
積化できる低損失の石英系光導波路との高効率な光結合
の必要性が高まっている。
光結合する場合において、各光導波路のスポットサイズ
をW1 、W2 とし、これらの光導波路の間に軸ずれ、角
度ずれが無いと仮定すると、2つの光導波路の結合効率
ηは、η=4/(W1 /W2+W2 /W1 )2 、で表さ
れる。ここで、光導波路のスポットサイズとは、光導波
路における光の電界分布がガウシアンであると仮定した
とき、電界が最大値の1/eになるときの幅の1/2を
いう。
系光導波路とを接続する場合、半導体型光導波路デバイ
スのスポットサイズは約1μm、石英系光導波路のスポ
ットサイズは約5μmであって、その結合効率ηは、約
0.148となる。即ち、半導体型光導波路デバイスと
石英系光導波路とをそのまま結合すると、結合損失が約
8.3dBにもなってしまう。そこで、スポットサイズ
の異なる2つの光導波路を接続する場合には、スポット
サイズの違いによる結合損失を無くすために、これら2
つの光導波路の間でスポットサイズの変換を行うスポッ
トサイズ変換器が挿入結合される。
変換器を示す。このスポットサイズ変換器は、シリコン
基板31上に形成された石英系光導波路層32を有して
いる。ここで、石英系光導波路層32は、シリコン基板
31上に成膜された下層クラッド層33と、下層クラッ
ド層33上に成膜されテーパ形状にパターニングされた
下層クラッド層33よりも高屈折率のコア層34と、コ
ア層34を埋め込む上層クラッド層35とを有してい
る。
にコア層34の形状をテーパ形状とすることによって、
横方向(図の矢印方向)に関して光導波路の幅を段階的
に変化させ、スポットサイズを変化させている。
は、高さ方向(図の上下方向)に関して全く考慮されて
おらず、高さ方向のスポットサイズが異なる光導波路同
士を結合する場合において、大きな結合損失が発生する
という欠点がある。
サイズ変換器として、Journal of Lightwave Technolog
y, Vol.8 No.4, APRIL 1990 に記載されたスポットサイ
ズ変換器がある。そのスポットサイズ変換器の断面図を
図4に示す。
すように、シリコン基板41上に、反射防止膜42、下
層クラッド層43、コア層44、及び上層クラッド層4
5が形成されている。このスポットサイズ変換器の製造
は以下のようにして行われる。
2を形成し、その上に、石英よりなる屈折率1.4638、厚
さ6μmの下層クラッド層43を成膜する。次に、高さ
の異なるコア層44a及び44bを順次成膜する。この
コア層44a及び44bの成膜は、まず、コア層44a
を成膜する領域以外の領域にマスクを形成し、屈折率1.
54、厚さ0.6 μmの高屈折率コア層44aを成膜する。
このコア層44aの形状は、滑らかなテーパ形状(図3
参照)とする。この後、マスクを剥離除去し、コア層4
4bを成膜する領域以外の領域にマスクを形成する。そ
して、屈折率1.4638、厚さ3.5 μmのコア層44bを成
膜する。最後に、マスクを剥離除去した後、屈折率1.46
38、厚さ4μmの上部クラッド層45を成膜してコア層
44a、44bを覆い、スポットサイズ変換器とする。
の小さい光源から出射した光がコア44aと効率良く結
合した後、コア44bへと伝搬する。このとき、スポッ
トサイズは、幅方向及び高さ方向について変換され、0.
5 μmから2.7 μmへと変化する。
方向に関して導波路の幅を制御したスポットサイズ変換
器を製造するためには、コア層を形成するために、2度
にわたるコア層の成膜と、同数のマスクの成膜とが必要
で、製造に手間がかかるという問題点がある。
ク形成は、段差を有する表面に対して行われるため、め
あわせにおけるずれの影響を受けやすく、製造されたス
ポットサイズ変換器に過剰損失が発生しやすいという問
題点もある。
をパターニングするためのマスク形成工程がそれぞれ1
回ですみ、また、コア層をパターニングする際のマスク
を平面上に形成することができるスポット変換器の製造
方法を提供することを目的とする。
ポットサイズ変換器を提供することを目的とする。
のスポットサイズと出射側のスポットサイズが異なる光
導波路を基板上に形成するスポットサイズ変換器の製造
方法において、前記基板の表面に段差を形成する工程
と、該段差が形成された基板上に該段差と交差する向き
に前記光導波路を形成する工程とを含むことを特徴とす
るスポットサイズ変換器の製造方法が得られる。
成する工程が、前記基板上に下層クラッドを形成する工
程と、該下層クラッド上にコアを形成する工程と、該コ
アを研磨して当該コアの表面を平坦化する工程と、該コ
アを埋め込む上層クラッドを形成する工程とを含むこと
を特徴とするスポットサイズ変換器の製造方法が得られ
る。なお、ここでは、コアの厚みが、基板に形成された
段差の高さよりも厚くなるようにする必要がある。
ドの形成工程において、該下層クラッドの厚みを前記段
差の高さよりも厚くするとともに、該下層クラッドを研
磨して当該下層クラッドの表面に表われる段差の高さを
前記基板の段差の高さよりも小さくしたことを特徴とす
るスポットサイズ変換器の製造方法が得られる。
路を形成する工程が、前記基板上に第1の下層クラッド
を形成する工程と、該第1の下層クラッド上に第2の下
層クラッドを形成する工程と、少なくとも該第2の下層
クラッドを研磨して前記第1の下層クラッドを露出させ
て表面を平坦化する工程と、前記第1及び第2の下層ク
ラッドの表面にコアを形成する工程と、該コアを埋め込
む上層クラッドを形成する工程とを含むことを特徴とす
るスポットサイズ変換器の製造方法が得られる。なお、
ここでは、前記第1の下層クラッドと前記第2の下層ク
ラッドとの厚みの合計が、前記段差の高さよりも大きい
ことが必要である。また、前記第1の下層クラッドと前
記第2の下層クラッドとは、互いに屈折率の異なる材料
を用いなければならない。
パターニングする工程を含むスポットサイズ変換器の製
造方法が得られる。
トサイズと出射側のスポットサイズが異なる光導波路が
基板上に形成されたスポットサイズ変換器において、前
記基板の表面に段差が形成されており、前記光導波路が
前記基板上に前記段差と交差する向きに形成されている
ことを特徴とするスポットサイズ変換器が得られる。
前記基板上に形成された下層クラッドと、該下層クラッ
ド上に形成され、上面が研磨により平坦化されたコア
と、該コアを埋め込む上層クラッドとを有することを特
徴とするスポットサイズ変換器が得られる。
ドの上面に表われる段差が、該下層クラッドの研磨によ
り、前記基板表面の段差よりも小さくなっていることを
特徴とするスポットサイズ変換器が得られる。
路が、前記基板上に形成された第1の下層クラッドと、
該第1の下層クラッドの上面の段差を消滅させるよう
に、該第1の下層クラッド上に形成された第2の下層ク
ラッドと、前記第1の下層クラッド及び前記第2の下層
クラッドにより形成される平面上に形成されたコアと、
該コアを埋め込む上層クラッドとを有することを特徴と
するスポットサイズ変換器が得られる。ここで、前記第
1の下層クラッドと前記第2の下層クラッドとの屈折率
が互いに異なっている。
状にパターニングされていることを特徴とするスポット
サイズ変換器が得られる。
れたコアを研磨してその表面を平坦にすれば、コアの厚
さを光の伝搬方向に沿って段階的に滑らかに変化させる
ことができる。また、コアの表面が平坦なので、コアの
パターニングに使用されるマスクの作製を容易かつ精度
良く行うことができる。
第1の下層クラッドの表面に表われる段差を埋めるよう
に第2の下層クラッドを形成するようにしたことで、こ
れら下層クラッド上に形成されるコアの表面は平坦とな
り、マスクの作製を容易かつ精度良く行うことができ
る。
アの厚さの変化、あるは、下層クラッドの屈折率変化に
より実現できる。
施の形態について説明する。図1に本発明のスポットサ
イズ変換器の第1の実施の形態の断面図を示す。このス
ポットサイズ変換器は、表面に段差を有するシリコン基
板11、シリコン基板11上に形成された下層クラッド
12、下層クラッド12上に形成され、研磨によって表
面を平坦化したコア13、及びコア13を埋め込む上層
クラッド14を有している。
うにして行われる。即ち、まず、(100)面が基板表
面であるシリコン基板11を用意する。そして、基板1
1の表面の所定領域(段差の高い部分となる領域)に、
酸化珪素のエッチングマスク(図示せず)を形成する。
このエッチングマスクの形成は、通常のフォトリソグラ
フィの技術を用いて形成することができる。
49wt%水酸化カリウム水溶液による異方性エッチング
によって、基板11に高さ4μmの段差を形成する。こ
の異方性エッチングにより基板11の表面に形成される
段差の傾きは、面方位を所定の方向に傾けた基板を使用
することにより任意の傾きとすることができる。
外に、ガラス基板や、ガリウム砒素、インジウムリン等
のIII −V族半導体基板、セラミック基板などを使用す
ることができる。また、段差を形成する方法として、ウ
ェットエッチング、ドライエッチング、リフトオフ、選
択成長、研削、放電加工など様々な方法を用いることも
できる。
基板11の上に、CVD法を用いて下層クラッド12を
厚さ15μmとなるように形成する。この下層クラッド
12としては、例えば、屈折率1.468 の、リンをドープ
した石英であるPSG(phosphosilicate glass )が利
用できる。
ッド12の上にコア13を厚さ7μmとなるように形成
する。コア13としては、例えば、屈折率1.479 の、ゲ
ルマニウム及びリンをドープした石英であるGPSGを
用いることができる。続いて、このコア13の表面の段
差を消滅させるように、コア13を研磨する。ここで
は、基板の段差の高さが4μmとしたので、コア13の
段差の高いほうのみを4μmだけ研磨すれば、コア13
の表面は平坦化される。この結果、コア13は、厚さが
光の導波方向に沿って3μmから7μmへと滑らかに変
化する構造となる。なお、コア13の厚さが段差の大き
さより大きくなければ、その平面を平坦にすることがで
きないことはいうまでもない。
3の表面上にレジストマスクを形成し、反応性イオンエ
ッチングによりコア13をエッチングしてコアリッジを
形成する。コアリッジの形状は、マスクの形状により任
意の形状に制御できるが、ここではテーパ形状(図3参
照)とする。例えば、コアリッジの端部の幅は、厚さ3
μm側(図の左側)で3μm、厚さ7μm側(図の右
側)で7μmとする。
VD法により上部クラッド14を厚さ15μm形成す
る。
は、2.5μmから3.8μmへのスポットサイズ変換
動作が実現できる。このスポットサイズ変換器によれ
ば、スポットサイズ1.2μmの半導体光導波路と、石
英系光導波路との接続損失が、従来より、1.3dB減
少した。
コア13の成膜をCVD方を用いて行ったが、火炎堆積
法、スパッタ法、ゾル−ゲル法、及びスピンコート法な
どの導波路材料塗布方法等により行うこともできる。
間に屈折率差を生じさせるために、石英ガラスのドーパ
ントとして、ゲルマニウムやリンなどを用いたが、チタ
ンや、ボロン、あるいはタンタル等も使用することがで
きる。
い部分と薄い部分との厚みの差は、基板11に形成した
段差と等しくなるが、下層クラッド12を研磨するよう
にすれば、基板11上に形成された段差の高さよりもコ
ア13の厚みの差を小さくすることができる。この場
合、基板11に形成された段差の高さよりも厚い下層ク
ラッド12を形成することが好ましい。
に必要なレジストマスクの形成工程が1回であり、この
レジストマスクは平坦なコア13表面上に形成される。
したがって、製造工程が簡略化されると共に、コアリッ
ジを精度良く形成することができ、歩留まりの向上、結
合損失の減少(過剰損失の減少)を実現することができ
る。
イズ変換器の第2の実施の形態について説明する。この
スポットサイズ変換器は、表面に段差が形成された基板
21、基板上に形成された第1の下層クラッド22、第
1の下層クラッド22の表面に表われる段差を埋めるよ
うに形成された第2の下層クラッド23、第1及び第2
の下層クラッド22、23上に形成されたコア24、及
びコア24上に形成された上層クラッド25を有してい
る。
ようにして行われる。即ち、第1の実施の形態と同様に
して、高さ4μmの段差を形成した基板21の上に、屈
折率1.468 、厚さ10μmの第1の下層クラッド22を
成膜し、さらに、その上に屈折率1.43、厚さ4μmの第
2の下層クラッド23を成膜する。そして、第2のクラ
ッド23を研磨して第1の下層クラッド22を露出さ
せ、表面を平坦化する。ここで、第2の下層クラッド2
3を研磨して表面を平坦化するには、第1の下層クラッ
ドと第2の下層クラッドとの厚さの合計が段差の高さよ
り大きくなければならないことはいうまでもない。ま
た、第1の下層クラッド22を露出させた後、さらに、
第1及び第2の下層クラッド22、23を研磨しても良
い。
ラッド22、23の表面に屈折率1.479 、厚さ6μmの
コア24を成膜し、フォトリソグラフィによりレジスト
マスクを形成してエッチングを行い、コアリッジを形成
する。
層クラッド25を成膜してコアリッジを埋め込み、スポ
ットサイズ変換器とする。
層クラッド23上の光導波路が、第1の下層クラッド2
2上の光導波路に比べて、屈折率差が大きくなるので、
光の閉じ込めが弱くなり光の電界分布が広くなる。逆
に、下層クラッド22上の光導波路は、光の閉じ込めが
強くなり電界分布が狭くなる。この結果、このスポット
サイズ変換器によるスポットサイズの変換が実現され
る。
層クラッド23の屈折率は互いに異なっていればよく、
第2のクラッド23の屈折率が、第1の下層クラッド2
2の屈折率よりも大きくても良い。
を形成した基板を用いるようにしたことで、高さ方向の
スポットサイズを制御できるスポットサイズ変換器を容
易に精度良く製造することができる。
ことで、コアの上面を平坦にでき、コアリッジ作製用の
レジストマスクを平面上に形成することができるので、
作製精度が向上する。これにより、過剰損失の発生が抑
制されたスポットサイズ変換器を得ることができる。
形態を示す断面図である。
形態を示す断面図である。
る。
Claims (16)
- 【請求項1】 入射側のスポットサイズと出射側のスポ
ットサイズが異なる光導波路を基板上に形成するスポッ
トサイズ変換器の製造方法において、前記基板の表面に
段差を形成する工程と、該段差が形成された基板上に該
段差と交差する向きに前記光導波路を形成する工程とを
含むことを特徴とするスポットサイズ変換器の製造方
法。 - 【請求項2】 前記光導波路を形成する工程が、前記基
板上に下層クラッドを形成する工程と、該下層クラッド
上にコアを形成する工程と、該コアを研磨して当該コア
の表面を平坦化する工程と、該コアを埋め込む上層クラ
ッドを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項1
のスポットサイズ変換器の製造方法。 - 【請求項3】 前記コアの形成工程において、該コアの
厚みが、前記段差の高さよりも厚くなるようにしたこと
を特徴とする請求項2のスポットサイズ変換器の製造方
法。 - 【請求項4】 前記下層クラッドの形成工程において、
該下層クラッドの厚みを前記段差の高さよりも厚くする
とともに、該下層クラッドを研磨して当該下層クラッド
の表面に表われる段差の高さを前記基板の段差の高さよ
りも小さくしたことを特徴とする請求項2のスポットサ
イズ変換器の製造方法。 - 【請求項5】 前記コアの表面を平坦化する工程の後、
該コアを所定形状にパターニングする工程を行うことを
特徴とする請求項2、3、または、4のスポットサイズ
変換器の製造方法。 - 【請求項6】 前記光導波路を形成する工程が、前記基
板上に第1の下層クラッドを形成する工程と、該第1の
下層クラッド上に第2の下層クラッドを形成する工程
と、少なくとも該第2の下層クラッドを研磨して前記第
1の下層クラッドを露出させて表面を平坦化する工程
と、前記第1及び第2の下層クラッドの表面にコアを形
成する工程と、該コアを埋め込む上層クラッドを形成す
る工程とを含むことを特徴とする請求項1のスポットサ
イズ変換器の製造方法。 - 【請求項7】 前記第1の下層クラッドと前記第2の下
層クラッドとの厚みの合計が、前記段差の高さよりも大
きいことを特徴とする請求項6のスポットサイズ変換器
の製造方法。 - 【請求項8】 前記第1の下層クラッドと前記第2の下
層クラッドとは、互いに屈折率の異なる材料を用いて形
成されることを特徴とする請求項6または7のスポット
サイズ変換器の製造方法。 - 【請求項9】 前記コアを形成する工程の後、該コアを
所定形状にパターニングする工程を行うことを特徴とす
る請求項6、7、または、8のスポットサイズ変換器の
製造方法。 - 【請求項10】 入射側のスポットサイズと出射側のス
ポットサイズが異なる光導波路が基板上に形成されたス
ポットサイズ変換器において、前記基板の表面に段差が
形成されており、前記光導波路が前記基板上に前記段差
と交差する向きに形成されていることを特徴とするスポ
ットサイズ変換器。 - 【請求項11】 前記光導波路が、前記基板上に形成さ
れた下層クラッドと、該下層クラッド上に形成され、上
面が研磨により平坦化されたコアと、該コアを埋め込む
上層クラッドとを有することを特徴とする請求項10の
スポットサイズ変換器。 - 【請求項12】 前記下層クラッドの上面に表われる段
差が、該下層クラッドの研磨により、前記基板表面の段
差よりも小さくなっていることを特徴とする請求項11
のスポットサイズ変換器。 - 【請求項13】 前記コア層が所定形状にパターニング
れていることを特徴とする請求項11または12のスポ
ットサイズ変換器。 - 【請求項14】 前記光導波路が、前記基板上に形成さ
れた第1の下層クラッドと、該第1の下層クラッドの上
面の段差を消滅させるように、該第1の下層クラッド上
に形成された第2の下層クラッドと、前記第1の下層ク
ラッド及び前記第2の下層クラッドにより形成される平
面上に形成されたコアと、該コアを埋め込む上層クラッ
ドとを有することを特徴とする請求項10のスポットサ
イズ変換器。 - 【請求項15】 前記第1の下層クラッドと前記第2の
下層クラッドとの屈折率が互いに異なっていることを特
徴とする請求項14のスポットサイズ変換器。 - 【請求項16】 前記コアが所定形状にパターニングさ
れていることを特徴とする請求項14または15のスポ
ットサイズ変換器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP555696A JP2820202B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | スポットサイズ変換器の製造方法 |
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JP555696A JP2820202B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | スポットサイズ変換器の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH09197153A JPH09197153A (ja) | 1997-07-31 |
JP2820202B2 true JP2820202B2 (ja) | 1998-11-05 |
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JP6372112B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-08-15 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光導波路素子を作製する方法 |
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1996
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