JPH08293642A - Manufacture and evaluation of semiconductor laser - Google Patents
Manufacture and evaluation of semiconductor laserInfo
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- JPH08293642A JPH08293642A JP7098557A JP9855795A JPH08293642A JP H08293642 A JPH08293642 A JP H08293642A JP 7098557 A JP7098557 A JP 7098557A JP 9855795 A JP9855795 A JP 9855795A JP H08293642 A JPH08293642 A JP H08293642A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に用いる半導
体レーザ装置の製造方法及び評価方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing and evaluating a semiconductor laser device used for optical communication and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７（ａ）〜（ｇ）は、半導体レーザ装
置の従来の製造方法及び評価方法を示す斜視図である。
図において、１は半導体レーザ装置の基板となるウエ
ハ、３は導波路、４は各導波路３を分離するための分離
溝、５は絶縁膜、６は表面電極、７はレーザ素子、８は
低反射率コーティング、９は高反射率コーティング、１
０は光ファイバー１１を備えたレーザ特性測定装置で、
特開平２―１３４８８８号公報に示されたものである。7A to 7G are perspective views showing a conventional method of manufacturing and evaluating a semiconductor laser device.
In the figure, 1 is a wafer serving as a substrate of a semiconductor laser device, 3 is a waveguide, 4 is a separation groove for separating each waveguide 3, 5 is an insulating film, 6 is a surface electrode, 7 is a laser element, and 8 is Low reflectance coating, 9 is high reflectance coating, 1
0 is a laser characteristic measuring device equipped with an optical fiber 11,
This is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-134888.
【０００３】図７（ａ）に示すウエハ１上に、図７
（ｂ）のウエハ１の部分拡大図に示すように複数の導波
路３を形成する。導波路３の形成は、従来から知られて
いるように、例えば、ｐ―ＩｎＰからなるウエハ１上
に、ｐ―ＩｎＰからなる下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ
からなる活性層を順次形成した後、導波路３を残してエ
ッチングを行い、さらに、ｐ―ＩｎＰからなるバッファ
層、ｎ―ＩｎＰからなる上クラッドおよびｎ+―ＩｎＰ
からなるコンタクト層を順次形成して導波路３を埋め込
む構造にする。On the wafer 1 shown in FIG.
A plurality of waveguides 3 are formed as shown in a partially enlarged view of the wafer 1 in (b). As is conventionally known, the waveguide 3 is formed, for example, on a wafer 1 made of p-InP, a lower cladding layer made of p-InP, and InGaAsP.
After sequentially forming an active layer of p-InP, a buffer layer of p-InP, an upper cladding of n-InP, and n + -InP are formed.
A contact layer made of is sequentially formed to fill the waveguide 3.
【０００４】次に、図７（ｃ）に示すように、各導波路
３を分離するための分離溝４をウエットエッチングで形
成した後、例えばＳｉＯ2などの絶縁膜５を図７（ｄ）
に示すように形成し、さらに、導波路３上方及び電極６
を形成する面の絶縁膜５をエッチングで除去し、図７
（ｅ）のように、金などからなる表面電極６を形成す
る。Next, as shown in FIG. 7C, a separation groove 4 for separating each waveguide 3 is formed by wet etching, and then an insulating film 5 such as SiO 2 is formed in FIG. 7D.
As shown in FIG.
The insulating film 5 on the surface forming the
As shown in (e), the surface electrode 6 made of gold or the like is formed.
【０００５】次に、導波路３と垂直な面が現れる角度、
すなわちレーザ光出射部が現れる角度にへき開し、図７
（ｆ）に示すように、レーザ素子７が並列したバー状態
にする。次に、レーザ光が出射する出射面側前面にＡｌ
2Ｏ3などからなる低反射率コーティング８を施し、出射
面と反対側の面にＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉの多層膜な
どからなる高反射率コーティング９を施す。Next, the angle at which a plane perpendicular to the waveguide 3 appears,
That is, cleavage is performed at an angle at which the laser beam emitting portion appears, and
As shown in (f), the laser elements 7 are placed in a parallel bar state. Next, on the front surface of the emitting surface from which the laser light is emitted, Al
A low-reflectance coating 8 made of 2 O 3 or the like is applied, and a high-reflectance coating 9 made of a multilayer film of Al 2 O 3 , SiO 2 , or Si is applied to the surface opposite to the emission surface.
【０００６】次に、図７（ｇ）に示すように、バー状態
のレーザ素子７に電流を印加し、レーザ素子７から発生
するレーザ光を光ファイバー１１に導入し、レーザ特性
測定装置１０で測定する。Next, as shown in FIG. 7 (g), a current is applied to the laser element 7 in the bar state, the laser light generated from the laser element 7 is introduced into the optical fiber 11 and measured by the laser characteristic measuring device 10. To do.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】図７に示したような従
来の製造工程及び評価方法においては、多数のバー状態
のレーザ素子７に分割されているので、低反射率コーテ
ィング８と高反射率コーティング９とを良品不良品にか
かわらず、レーザ素子７のバー状態の数だけ多数回にわ
たってコーティングしなければならない。現状における
通信用レーザのウエハ１内の良品は数％のレベルである
ため、多数回にわたるコーティングのほとんどが無駄に
なって加工費が非常に高くなり、コスト低減の大きな問
題点の一つになっている。In the conventional manufacturing process and evaluation method as shown in FIG. 7, since the laser element 7 is divided into a large number of bar states, the low reflectance coating 8 and the high reflectance are provided. Regardless of whether the coating 9 is a good product or a defective product, it must be coated as many times as the number of bar states of the laser element 7. Since the good products in the wafer 1 of the communication laser at the current level are several%, most of the coatings performed many times are wasted, and the processing cost becomes very high, which is one of the major problems of cost reduction. ing.
【０００８】また、ウエハ１内のレーザ素子７を結晶方
位に沿ったへき開によってバー状態にするために、導波
路３及び電極６等のパターンを結晶方位に合わせるため
の高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置
が必要であった。さらに、ウエハ１の結晶方位を示す切
り欠きであるオリエンテーションフラットも結晶方位に
高精度に合わせた特殊仕様のものが必要とされ、ウエハ
１の価格も高いものが必要とされていた。Further, in order to make the laser element 7 in the wafer 1 into a bar state by cleaving along the crystal orientation, a high precision alignment mechanism for aligning the pattern of the waveguide 3 and the electrode 6 with the crystal orientation is provided. Wafer process equipment was required. Furthermore, the orientation flat, which is a notch indicating the crystal orientation of the wafer 1, also needs to have a special specification that matches the crystal orientation with high precision, and the wafer 1 must also have a high price.
【０００９】本発明は、上記のような問題を解決するも
ので、製造コストを大幅に低減するとともに、高精度ア
ライメントを必要としないものとし、さらに、通常仕様
のオリエンテーションフラットを使用できるようにして
ウエハの価格を大幅に低減することを目的とする。The present invention solves the above problems, significantly reduces the manufacturing cost, does not require high-precision alignment, and enables the use of an ordinary orientation flat. The purpose is to significantly reduce the price of wafers.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ウエハ上に複数の導波路を形成する工程、上記導波路に
沿った分離溝及び上記導波路と垂直方向の導波路端面形
成溝を形成し、レーザ光出射面とレーザ光反射面とを有
する複数のレーザ素子を配設するとともに、上記レーザ
光反射面と対向したフォトダイオードを配設する工程、
上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工程、上記レーザ光
出射面に低反射率コーティング膜を成膜するとともに、
上記レーザ光反射面に高反射率コーティング膜を成膜す
る工程を有する半導体レーザ装置の製造方法である。The invention according to claim 1 is
A step of forming a plurality of waveguides on a wafer, forming a separation groove along the waveguide and a groove for forming a waveguide end face in a direction perpendicular to the waveguide, and forming a plurality of laser light emitting surfaces and laser light reflecting surfaces. A step of disposing a laser element and also disposing a photodiode facing the laser light reflecting surface,
A step of forming an insulating film above the waveguide, while forming a low reflectance coating film on the laser light emitting surface,
It is a method of manufacturing a semiconductor laser device, which comprises a step of forming a high reflectance coating film on the laser light reflecting surface.
【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、導波路端面形成溝
をドライエッチングで形成するものである。According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the first aspect, the waveguide end face forming groove is formed by dry etching.
【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、分離溝と導波路端
面形成溝とをドライエッチングで形成するものである。According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the first aspect, the separation groove and the waveguide end face forming groove are formed by dry etching.
【００１３】請求項４に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、レーザ素子の近傍
に位置検出用のマークを形成するものである。According to a fourth aspect of the invention, in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the first aspect, a mark for position detection is formed in the vicinity of the laser element.
【００１４】請求項５に係る発明は、請求項４記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、マークが分離溝の
レーザ光出射面前方に形成されているものである。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the fourth aspect, the mark is formed in front of the laser beam emitting surface of the separation groove.
【００１５】請求項６に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、絶縁膜を成膜する
工程は、低反射率コーティング膜と高反射率コーティン
グ膜とを成膜する工程において行われるものである。According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a semiconductor laser device according to the first aspect, the step of forming the insulating film is a step of forming a low reflectance coating film and a high reflectance coating film. Is done in.
【００１６】請求項７に係る発明は、導波路と、この導
波路と垂直なレーザ光出射面及びレーザ光反射面と、表
面電極とを有する複数のレーザ素子及び上記レーザ光反
射面と対向するフォトダイオードとを配設したウエハ
を、チャック上に載置し、順次、上記表面電極に信号を
印加して上記レーザ素子及びフォトダイオードを動作さ
せ、上記レーザ光出射面から発生する出力光を上記レー
ザ光出射面に位置合わせした光ファイバーに導入して上
記レーザ素子の特性を評価する半導体レーザ装置の評価
方法である。According to a seventh aspect of the present invention, a plurality of laser elements each having a waveguide, a laser light emitting surface and a laser light reflecting surface perpendicular to the waveguide, and a surface electrode are opposed to the laser light reflecting surface. A wafer provided with a photodiode is placed on a chuck, and a signal is sequentially applied to the surface electrode to operate the laser element and the photodiode, and output light generated from the laser light emitting surface is output. This is an evaluation method for a semiconductor laser device, which is introduced into an optical fiber aligned with a laser light emission surface to evaluate the characteristics of the laser element.
【００１７】請求項８に係る発明は、請求項７記載の半
導体レーザ装置の評価方法において、光ファイバーを微
動機構でレーザ光出射面に位置合わせするものである。The invention according to claim 8 is the method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein the optical fiber is aligned with the laser beam emitting surface by a fine movement mechanism.
【００１８】請求項９に係る発明は、請求項８記載の半
導体レーザ装置の評価方法において、微動機構をピエゾ
素子で駆動するものである。The invention according to claim 9 is the method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 8, wherein the fine movement mechanism is driven by a piezo element.
【００１９】請求項１０に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍に第１のマークを形成するとともに、光ファイバーに
第２のマークを形成し、上記第１のマークの位置座標と
上記第２のマークの位置座標とを検知して上記光ファイ
バーを位置合わせするものである。According to a tenth aspect of the present invention, in the method for evaluating a semiconductor laser device according to the seventh aspect, the first mark is formed in the vicinity of the laser element, and the second mark is formed on the optical fiber. The position coordinates of the first mark and the position coordinates of the second mark are detected to align the optical fibers.
【００２０】請求項１１に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍にマークを形成するとともに、光ファイバーにこの先
端に突起を有するカンチレバーを形成し、上記マークを
上記カンチレバーの突起で検知することによって上記光
ファイバーを位置合わせするものである。According to an eleventh aspect of the present invention, in the method for evaluating a semiconductor laser device according to the seventh aspect, a mark is formed in the vicinity of the laser element, and a cantilever having a protrusion is formed on the optical fiber, and the mark is formed. Is detected by the projection of the cantilever to align the optical fiber.
【００２１】請求項１２に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハを熱伝導
性ラバーを介してチャック上に載置し、上記ウエハの発
熱を放散するものである。According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for evaluating a semiconductor laser device according to the seventh aspect, a wafer is placed on a chuck via a heat conductive rubber to dissipate heat generated by the wafer. .
【００２２】請求項１３に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハをヘリウ
ムチャックを介してチャック上に載置し、上記ウエハの
発熱を放散するものである。According to a thirteenth aspect of the present invention, in the method for evaluating a semiconductor laser device according to the seventh aspect, a wafer is placed on the chuck via a helium chuck to dissipate heat generated by the wafer.
【００２３】請求項１４に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子に形
成した表面電極にヒートシンクを接触させ、上記レーザ
素子の発熱を放散するものである。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the method for evaluating a semiconductor laser device according to the seventh aspect, a heat sink is brought into contact with a surface electrode formed on the laser element to dissipate heat generated by the laser element.
【００２４】[0024]
【作用】請求項１に係る発明によれば、ウエハ１上に、
複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及び導波
路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成することによ
ってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複数のレ
ーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ素子の
レーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイオード
を多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の良否が
判定できるとともに、低反射率コーティング膜と高反射
率コーティング膜の成膜は１回ですみ、さらに、良品の
みパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の
多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することが
できる。According to the invention of claim 1, on the wafer 1,
A plurality of laser elements having a laser light emitting surface and a laser light reflecting surface are formed on a wafer by forming a plurality of waveguides and forming a separation groove along the waveguides and a groove for forming a waveguide end face in a direction perpendicular to the waveguide. Since a large number of photodiodes are formed on the surface of the photodiode, facing the laser light reflecting surface of the laser element, the quality of the laser element can be determined in the wafer state, and a low reflectance coating film and a high reflectance coating film can be used. Since the film only needs to be formed once, and only the non-defective product is assembled into a package or the like, it is possible to greatly reduce the processing cost, which conventionally occupies a large proportion of the price.
【００２５】請求項２及び３に係る発明によれば、導波
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
１は通常のオリエンテーションフラットを有するものが
使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、高
精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を必
要とせず、製造が容易になる。According to the second and third aspects of the present invention, by forming the waveguide end face forming groove by dry etching, a favorable laser light output face can be obtained for the laser light emitting face and the laser light reflecting face. Further, since the laser light emitting surface and the laser light reflecting surface are formed by dry etching instead of cleavage, strict regulation of the crystal orientation is not required, and the wafer 1 having a normal orientation flat can be used. Can be significantly reduced, and a wafer process device equipped with a high-precision alignment mechanism is not required, which facilitates manufacturing.
【００２６】請求項４及び５に係る発明によれば、レー
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。According to the inventions of claims 4 and 5, by forming the mark for position detection on the laser element,
Positioning of the laser light emitting surface and the optical fiber for measurement becomes easy.
【００２７】請求項６に係る発明によれば、低反射率コ
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。According to the invention of claim 6, since the insulating film is formed in the step of forming the low reflectance coating film and the high reflectance coating film, the step of forming the insulating film can be omitted. it can.
【００２８】請求項７に係る発明によれば、レーザ光出
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。According to the invention of claim 7, a plurality of laser elements having a laser beam emitting surface and a laser beam reflecting surface are formed on the wafer, and are arranged to face the laser beam reflecting surface of the laser element. Forming a large number of photodiodes,
Since the quality of the laser element can be determined in the wafer state and only the non-defective product can be selected to assemble a package or the like, it is possible to greatly reduce the processing cost, which conventionally occupies a large proportion of the price.
【００２９】請求項８に係る発明によれば、光ファイバ
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。According to the invention of claim 8, the optical fiber can be aligned with the laser light emitting surface by the fine movement mechanism, so that an accurate evaluation can be performed.
【００３０】請求項９に係る発明によれば、微動機構を
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面に対してより正確に位置合わせすることができる。According to the invention of claim 9, since the fine movement mechanism is driven by the piezo element, the optical fiber can be more accurately aligned with the laser light emitting surface.
【００３１】請求項１０及び１１に係る発明によれば、
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。According to the inventions of claims 10 and 11,
Easy alignment of optical fibers.
【００３２】請求項１２〜１４に係る発明によれば、測
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。According to the twelfth to fourteenth aspects of the present invention, the heat generated by the laser element during the measurement can be dissipated and an accurate evaluation can be performed.
【００３３】請求項１２に係る発明によれば、ウエハ及
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。According to the twelfth aspect of the invention, the contact area between the wafer and the chuck can be increased to efficiently dissipate the heat.
【００３４】請求項１３に係る発明によれば、熱伝導性
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。According to the thirteenth aspect of the present invention, heat can be efficiently dissipated by the helium chuck having good thermal conductivity.
【００３５】請求項１４に係る発明によれば、レーザ素
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。According to the fourteenth aspect of the invention, heat can be dissipated from the surface electrode side of the laser element, so that the thickness of the wafer can be increased and the handling becomes easy.
【００３６】[0036]
実施例１．図１は、本発明の一実施例になる半導体レー
ザ装置の製造工程及び評価方法を示す斜視図（ａ）〜
（ｄ）及び断面図（ｅ），（ｆ）で、従来と同じ符号は
同一箇所または相当部分を示し、説明は省略する。図に
おいて、１２は導波路端面形成溝、１３はレーザ光出射
面、１４はレーザ光反射面、１５は絶縁膜を兼ねた低反
射率コーティング膜、１６は絶縁膜を兼ねた高反射率コ
ーティング膜、１７はフォトダイオード、１８は評価機
構であり、評価機構１８は、信号入力部１９、高周波プ
ローブ２０、光ファイバー２１、微動機構２２及び図示
しない光スペクトラムアナライザーを備える。Example 1. 1A to 1C are perspective views showing a manufacturing process and an evaluation method of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention.
In (d) and the cross-sectional views (e) and (f), the same reference numerals as those in the related art indicate the same or corresponding portions, and the description thereof will be omitted. In the figure, 12 is a groove for forming an end face of a waveguide, 13 is a laser beam emitting surface, 14 is a laser beam reflecting surface, 15 is a low reflectance coating film that also serves as an insulating film, and 16 is a high reflectance coating film that also serves as an insulating film. , 17 is a photodiode, and 18 is an evaluation mechanism. The evaluation mechanism 18 includes a signal input unit 19, a high frequency probe 20, an optical fiber 21, a fine movement mechanism 22 and an optical spectrum analyzer (not shown).
【００３７】まず、図１（ａ）に示す、通常のオリエン
テーションフラットを有するウエハ１上に、図１（ｂ）
のウエハ１の部分拡大図に示すように複数の導波路３を
形成する。導波路３の形成は、従来から知られているよ
うに、例えば、ｐ―ＩｎＰからなるウエハ１上にｐ―Ｉ
ｎＰからなる下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる活
性層を順次形成した後、導波路３を残してエッチングを
行い、さらに、ｐ―ＩｎＰからなるバッファ層、ｎ―Ｉ
ｎＰからなる上クラッドおよびｎ+―ＩｎＰからなるコ
ンタクト層を順次形成して導波路３を埋め込む構造にす
る。First, a wafer 1 having a normal orientation flat shown in FIG.
A plurality of waveguides 3 are formed as shown in a partially enlarged view of the wafer 1. As is conventionally known, the waveguide 3 is formed by, for example, p-I on the wafer 1 made of p-InP.
After sequentially forming a lower cladding layer made of nP and an active layer made of InGaAsP, etching is performed while leaving the waveguide 3, and a buffer layer made of p-InP and n-I are formed.
An upper clad made of nP and a contact layer made of n + -InP are successively formed to fill the waveguide 3.
【００３８】次に、図１（ｃ）に示すように、各導波路
３を分離するための分離溝４と導波路端面形成溝１２を
同時にドライエッチングで形成し、レーザ光出射面１３
とレーザ光反射面１４とを有するレーザ素子７及びフォ
トダイオード１７を得る。この工程において、分離溝４
をウエットエッチングで形成し、導波路端面形成溝１２
をドライエッチングで形成してもよい。導波路端面形成
溝１２をドライエッチングで形成することによって、レ
ーザ光出射面１３とレーザ光反射面１４は良好なレーザ
光出力面が得られる。Next, as shown in FIG. 1C, a separation groove 4 for separating each waveguide 3 and a waveguide end face forming groove 12 are simultaneously formed by dry etching, and a laser beam emitting surface 13 is formed.
The laser element 7 and the photodiode 17 having the laser light reflection surface 14 are obtained. In this process, the separation groove 4
Are formed by wet etching to form the waveguide end face forming groove 12
May be formed by dry etching. By forming the waveguide end face forming groove 12 by dry etching, a favorable laser light output surface can be obtained for the laser light emitting surface 13 and the laser light reflecting surface 14.
【００３９】次に、図１（ｄ）に示すように、レーザ光
出射面１３及びレーザ光反射面１４の斜め前方からそれ
ぞれ、Ａｌ2Ｏ3などからなる低反射率コーティング膜１
５及びＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉの多層膜などからなる
高反射率コーティング膜１６を成膜する。低反射率コー
ティング膜１５及び高反射率コーティング膜１６は導波
路３上方を含む全面にも成膜されるので、これを絶縁膜
として兼用することができる。Next, as shown in FIG. 1D, a low reflectance coating film 1 made of Al 2 O 3 or the like is provided obliquely in front of the laser light emitting surface 13 and the laser light reflecting surface 14, respectively.
5 and a high reflectance coating film 16 composed of a multilayer film of Al 2 O 3 , SiO 2 , Si, etc. is formed. Since the low-reflectance coating film 15 and the high-reflectance coating film 16 are formed on the entire surface including the upper portion of the waveguide 3, they can also be used as an insulating film.
【００４０】次に、導波路３上方及び電極６形成面の低
反射率コーティング膜１５及び高反射率コーティング膜
１６をエッチングによって除去し、金などからなる電極
６を形成して、ウエハ１上にフォトダイオード１７を備
えた多数のレーザ素子７を形成する。Next, the low reflectance coating film 15 and the high reflectance coating film 16 above the waveguide 3 and on the surface on which the electrode 6 is formed are removed by etching to form the electrode 6 made of gold or the like on the wafer 1. A large number of laser elements 7 having photodiodes 17 are formed.
【００４１】次に、図１（ｅ）に示すように、ウエハ１
上のレーザ素子７に、評価機構１８の信号入力部１９か
ら高周波プローブ２０を介して信号を印加してレーザ素
子７を作動させ、微動機構２２によってレーザ素子７の
レーザ光出射面１３に配置した光ファイバー２１から送
られたレーザ光を図示しない光スペクトルアナライザー
で測定しレーザ素子７の良否を判定する。また、この
時、レーザ素子７のレーザ光反射面１４に対向して配置
されたフォトダイオード１７は、レーザ光反射面１４か
らのレーザ光を受け、レーザ素子７の動作状態の良否を
判定する。Next, as shown in FIG. 1E, the wafer 1
A signal is applied to the upper laser element 7 from the signal input section 19 of the evaluation mechanism 18 through the high frequency probe 20 to operate the laser element 7, and the fine movement mechanism 22 arranges it on the laser light emitting surface 13 of the laser element 7. The quality of the laser element 7 is determined by measuring the laser light sent from the optical fiber 21 with an optical spectrum analyzer (not shown). Further, at this time, the photodiode 17 arranged so as to face the laser light reflecting surface 14 of the laser element 7 receives the laser light from the laser light reflecting surface 14 and determines whether the operating state of the laser element 7 is good or bad.
【００４２】次に、図１（ｆ）に示すように、ダイシン
グソーでフォトダイオード１７を備えた状態でレーザ素
子７個々に分離し、その後、良品のみパッケージに組み
込む。Next, as shown in FIG. 1 (f), the laser elements 7 are separated by a dicing saw in the state where the photodiodes 17 are provided, and then only non-defective products are incorporated into the package.
【００４３】以上のように、ウエハ１上に、複数の導波
路３を形成し、導波路３に沿った分離溝４及び導波路３
と垂直方向の導波路端面形成溝１２とをドライエッチン
グで形成することによってレーザ光出射面１３とレーザ
光反射面１４を有する複数のレーザ素子７をウエハ１上
に形成するとともに、レーザ素子７のレーザ光反射面１
４と対向して配置されたフォトダイオード１７を多数形
成したので、ウエハ状態でレーザ素子７の良否が判定で
きるとともに、低反射率コーティング膜１５と高反射率
コーティング膜１６の成膜は１回ですみ、さらに、良品
のみパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格
の多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減すること
ができる。As described above, a plurality of waveguides 3 are formed on the wafer 1, and the separation groove 4 and the waveguides 3 along the waveguide 3 are formed.
And a waveguide end face forming groove 12 in the vertical direction are formed by dry etching to form a plurality of laser elements 7 having a laser light emitting surface 13 and a laser light reflecting surface 14 on the wafer 1, and Laser light reflection surface 1
Since a large number of photodiodes 17 arranged opposite to 4 are formed, it is possible to judge the quality of the laser device 7 in a wafer state, and the low reflectance coating film 15 and the high reflectance coating film 16 are formed once. In addition, since only non-defective products are assembled into packages and the like, it is possible to significantly reduce the processing cost, which conventionally occupies a large proportion of the price.
【００４４】また、レーザ光出射面１３とレーザ光反射
面１４の形成をへき開ではなくドライエッチングによっ
て行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエ
ハ１は通常のオリエンテーションフラットを有するもの
が使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、
高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を
必要とせず、製造が容易になる。Further, since the laser beam emitting surface 13 and the laser beam reflecting surface 14 are formed by dry etching instead of cleavage, strict regulation of the crystal orientation is not required, and the wafer 1 having a normal orientation flat is preferable. It can be used, material cost can be significantly reduced,
Manufacturing is facilitated without the need for a wafer process device equipped with a high-precision alignment mechanism.
【００４５】なお、ダイシングソーによる切断位置をレ
ーザ素子７のレーザ光出射面１３から離しすぎると、図
２に示すように切断端部で反射するいわゆるケラレ光２
３が発生するので、切断位置はできるだけレーザ光出射
面１３に近付ける必要がある。If the cutting position by the dicing saw is too far from the laser light emitting surface 13 of the laser element 7, so-called vignetting light 2 reflected at the cutting end as shown in FIG.
3 occurs, it is necessary to place the cutting position as close to the laser light emitting surface 13 as possible.
【００４６】実施例２．図１（ｅ）に示した、ウエハ状
態での評価方法において、レーザ素子７から発生する熱
を効率よく逃がすようにすることが肝要で、そのために
ウエハ１の厚さは、例えば１００μｍとするなどの工夫
が必要である。Example 2. In the evaluation method in the wafer state shown in FIG. 1E, it is essential to efficiently dissipate the heat generated from the laser element 7, and therefore the thickness of the wafer 1 is set to 100 μm, for example. It is necessary to devise.
【００４７】図３は、ウエハ１を載置し固定するチャッ
ク２４の上面に熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャッ
ク２５を設け、チャック２４（ヒートシンク）に熱を放
散させるようにしたものである。また、熱伝導性ラバー
２５を用いることによって、ウエハ１及びチャック２４
との接触面積が大きくなり、発熱を効率よく逃がすこと
ができる。また、ヘリウムチャック２５は熱伝導性が極
めてよいので、発熱を効率よく逃がすことができる。In FIG. 3, a heat conductive rubber or helium chuck 25 is provided on the upper surface of the chuck 24 on which the wafer 1 is placed and fixed, and the heat is dissipated to the chuck 24 (heat sink). Further, by using the heat conductive rubber 25, the wafer 1 and the chuck 24
The contact area with and becomes large, and heat can be efficiently dissipated. Further, since the helium chuck 25 has extremely good thermal conductivity, it is possible to efficiently release heat generation.
【００４８】次に肝要なことは、ウエハ１上に多数形成
されたレーザ素子７を順次評価するために、高周波プロ
ーブ２０と光ファイバー２１を順次移動させ、高周波プ
ローブ２０を電極６に位置合わせするとともに、光ファ
イバー２１をレーザ光出射面１３の最適位置に位置合わ
せすることである。Next, it is important to sequentially move the high-frequency probe 20 and the optical fiber 21 to align the high-frequency probe 20 with the electrode 6 in order to sequentially evaluate the laser elements 7 formed on the wafer 1. That is, the optical fiber 21 is aligned with the optimum position of the laser light emitting surface 13.
【００４９】図３において、移動機構２６は高周波プロ
ーブ２０と光ファイバー２１を一体に３軸方向に移動さ
せる機構であり、微動機構２２は光ファイバー２１を最
適位置に駆動する機構である。In FIG. 3, a moving mechanism 26 is a mechanism for integrally moving the high frequency probe 20 and the optical fiber 21 in three axial directions, and a fine movement mechanism 22 is a mechanism for driving the optical fiber 21 to an optimum position.
【００５０】まず、移動機構２６によって、高周波プロ
ーブ２０を測定すべきレーザ素子７の電極６に位置合わ
せし、接触させる。信号入力部１９に高周波プローブ２
０を介して信号を印加してレーザ素子７を動作させ、次
に、微動機構２２によって光ファイバー２１に入るレー
ザ光量が最大となるように光ファイバー２１を位置合わ
せする。First, the moving mechanism 26 positions the high frequency probe 20 on the electrode 6 of the laser element 7 to be measured, and brings the electrode 6 into contact therewith. The high frequency probe 2 is provided in the signal input section 19.
A signal is applied via 0 to operate the laser element 7, and then the fine movement mechanism 22 aligns the optical fiber 21 so that the amount of laser light entering the optical fiber 21 is maximized.
【００５１】次に、高周波変調信号を高周波プローブ２
０から印加しながら、出力レーザ光を光スペクトラムア
ナライザでモニターし、順次ウエハ１上のレーザ素子７
を評価し良否を判定する。Next, the high frequency modulated signal is sent to the high frequency probe 2.
While applying from 0, the output laser light is monitored by the optical spectrum analyzer, and the laser elements 7 on the wafer 1 are sequentially
Is evaluated to judge pass / fail.
【００５２】本実施例は、上記のように、チャック２４
（ヒートシンク）に熱を放散させるための熱伝導性ラバ
ーあるいはヘリウムチャック２５を設け、高周波プロー
ブ２０と光ファイバー２１を一体に３軸方向に移動させ
る移動機構２６と、光ファイバー２１を最適位置に駆動
する微動機構２２とを設けたので、ウエハ状態で多数の
レーザ素子７のレーザ特性を評価することができる。In this embodiment, the chuck 24 is used as described above.
A heat conductive rubber or helium chuck 25 for dissipating heat is provided on the (heat sink), a moving mechanism 26 for integrally moving the high frequency probe 20 and the optical fiber 21 in the three axial directions, and a fine movement for driving the optical fiber 21 to an optimum position. Since the mechanism 22 is provided, the laser characteristics of many laser elements 7 can be evaluated in a wafer state.
【００５３】実施例３．レーザ光出射面の大きさは、例
えば、０．１μｍ×１．３μｍのように非常に小さく、
０．１μｍ以下の精度で位置合わせする必要がある。Example 3. The size of the laser light emitting surface is very small, for example, 0.1 μm × 1.3 μm,
It is necessary to perform alignment with an accuracy of 0.1 μm or less.
【００５４】図３において、微動機構２２はピエゾ素子
を用いたもので、原子間力顕微鏡のカンチレバーの微動
機構に用いられているように、数オングストロームのス
テップで１００μｍ程度の移動ができるとともに、微動
機構２２を小さくすることができる。In FIG. 3, the fine movement mechanism 22 uses a piezo element, and as with the fine movement mechanism of the cantilever of the atomic force microscope, the fine movement mechanism can move about 100 μm in steps of several angstroms, and the fine movement can be performed. The mechanism 22 can be downsized.
【００５５】実施例４．実施例２において、図３に示し
たように、レーザ素子７の発熱をチャック２４に放散さ
せるようにするために、ウエハ１の厚さを薄くした。そ
のため、ウエハ１が割れ易く、取り扱いが極めて困難に
なるという問題があった。Embodiment 4 FIG. In the second embodiment, as shown in FIG. 3, the thickness of the wafer 1 is reduced in order to dissipate the heat generated by the laser element 7 to the chuck 24. Therefore, there is a problem that the wafer 1 is easily broken and is extremely difficult to handle.
【００５６】本実施例は、図４に示すように、表面電極
６にヒートシンク２７を圧し当て、ヒートシンク２７に
発熱を放散させるもので、ウエハ１の厚さを薄くする必
要がなく、ウエハ１の取り扱いが極めて楽になるととも
に、ウエハ１の厚さを調整するための研削工程等が不要
になる。In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the heat sink 27 is pressed against the surface electrode 6 to dissipate the heat generated by the heat sink 27. It is not necessary to reduce the thickness of the wafer 1 and the wafer 1 It is extremely easy to handle, and a grinding process for adjusting the thickness of the wafer 1 is not necessary.
【００５７】なお、ヒートシンク２７と表面電極６との
熱伝導性をよくするために、ヒートシンク２７の電極６
との接触面にＩｎ（インジウム）等を用いてもよく、ま
た、アピエゾングリース等のグリース類あるいはフロリ
ナート等の溶剤を塗布してもよい結果が得られる。In order to improve the thermal conductivity between the heat sink 27 and the surface electrode 6, the electrode 6 of the heat sink 27 is used.
In (indium) or the like may be used on the contact surface with, and grease such as Apiezon grease or a solvent such as Fluorinert may be applied to obtain a result.
【００５８】実施例５．図５は光ファイバーのアライメ
ント方法を説明する平面図である。１はウエハ、７はウ
エハ１上に多数形成され、表面電極６を有するレーザ素
子、１３はレーザ光出射面、１７はフォトダイオード、
２１は光ファイバー、２８は各レーザ素子７の近傍に設
けられた第１のマーク、２９は光ファイバー２１に設け
られた第２のマークである。Example 5. FIG. 5 is a plan view illustrating an optical fiber alignment method. Reference numeral 1 is a wafer, 7 is a laser element having a large number of surface electrodes 6 formed on the wafer 1, 13 is a laser beam emitting surface, 17 is a photodiode,
Reference numeral 21 is an optical fiber, 28 is a first mark provided near each laser element 7, and 29 is a second mark provided on the optical fiber 21.
【００５９】表面電極６に図示していない高周波プロー
ブを接触させた後、上方から第１のマーク２８をモニタ
ーで観察し、画像処理により第１のマーク２８の位置座
標を検知する。予め入力した第２のマーク２９の位置座
標と第１のマーク２８の位置座標から３軸方向の微小移
動量が求められ、図示していない微動機構で前記微小移
動量だけ移動して、光ファイバー２１の先端をレーザ光
出射面１３に位置合わせすることができる。After bringing a high-frequency probe (not shown) into contact with the surface electrode 6, the first mark 28 is observed from above with a monitor, and the position coordinates of the first mark 28 are detected by image processing. From the position coordinates of the second mark 29 and the position coordinates of the first mark 28 input in advance, the minute movement amounts in the three axis directions are obtained, and the minute movement amount is moved by a fine movement mechanism (not shown), and the optical fiber 21 The tip of the can be aligned with the laser beam emitting surface 13.
【００６０】実施例６．図６は光ファイバーのアライメ
ント方法の他の実施例を説明する斜視図である。図にお
いて、３０はウエハ１の上に形成された凹部または凸部
からなるクロス状マーク、２は光ファイバー２１の先端
部の下面に設けられ突起部３１を有するカンチレバー、
３２は光ファイバー２１のコア部である。Example 6. FIG. 6 is a perspective view for explaining another embodiment of the optical fiber alignment method. In the figure, 30 is a cross-shaped mark formed of a concave portion or a convex portion on the wafer 1, 2 is a cantilever provided on the lower surface of the tip of the optical fiber 21 and having a protrusion 31,
Reference numeral 32 is a core portion of the optical fiber 21.
【００６１】微動機構で光ファイバー２１を駆動し、カ
ンチレバー２の突起部３１とウエハ１表面との原子間力
を検知し、凹部または凸部３０クロス部にカンチレバー
２の突起部３１の先端を移動させることによって、光フ
ァイバー２１の先端部をレーザ光出射面に位置合わせす
ることができる。The fine movement mechanism drives the optical fiber 21 to detect the atomic force between the protrusion 31 of the cantilever 2 and the surface of the wafer 1, and moves the tip of the protrusion 31 of the cantilever 2 to the cross portion of the recess or protrusion 30. As a result, the tip of the optical fiber 21 can be aligned with the laser light emitting surface.
【００６２】[0062]
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、ウエハ１
上に、複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及
び導波路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成するこ
とによってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複
数のレーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ
素子のレーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイ
オードを多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の
良否が判定できるとともに、低反射率コーティング膜と
高反射率コーティング膜の成膜は１回ですみ、良品のみ
パッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の多
くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することがで
きる。According to the invention of claim 1, the wafer 1
A plurality of lasers having a laser light emitting surface and a laser light reflecting surface by forming a plurality of waveguides on the waveguide and forming a separation groove along the waveguides and a waveguide end face forming groove in a direction perpendicular to the waveguides. Since the device is formed on the wafer and a large number of photodiodes are formed so as to face the laser light reflecting surface of the laser device, the quality of the laser device can be determined in the wafer state, and the low reflectance coating film and high Since the coating of the reflectance coating film only needs to be performed once, and only non-defective products are assembled into a package or the like, it is possible to significantly reduce the processing cost, which conventionally occupies a large proportion of the price.
【００６３】請求項２及び３に係る発明によれば、導波
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
１は通常のオリフラを有するものが使用でき、材料コス
トを大幅に低減できるとともに、高精度アライメント機
構を備えたウエハプロセス装置を必要とせず、製造が容
易になる。According to the second and third aspects of the present invention, by forming the waveguide end face forming groove by dry etching, a favorable laser light output face can be obtained as the laser light emitting face and the laser light reflecting face. Further, since the laser light emitting surface and the laser light reflecting surface are formed by dry etching instead of cleavage, strict regulation of the crystal orientation is not required, and the wafer 1 having a normal orientation flat can be used, which reduces the material cost. The number can be significantly reduced, and a wafer process device equipped with a high-precision alignment mechanism is not required, which facilitates manufacturing.
【００６４】請求項４及び５に係る発明によれば、レー
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。According to the inventions of claims 4 and 5, by forming the mark for position detection on the laser element,
Positioning of the laser light emitting surface and the optical fiber for measurement becomes easy.
【００６５】請求項６に係る発明によれば、低反射率コ
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。According to the invention of claim 6, since the insulating film is formed in the step of forming the low reflectance coating film and the high reflectance coating film, the step of forming the insulating film can be omitted. it can.
【００６６】請求項７に係る発明によれば、レーザ光出
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。According to the invention of claim 7, a plurality of laser elements having a laser beam emitting surface and a laser beam reflecting surface are formed on the wafer and arranged so as to face the laser beam reflecting surface of the laser element. Forming a large number of photodiodes,
Since the quality of the laser element can be determined in the wafer state and only the non-defective product can be selected to assemble a package or the like, it is possible to greatly reduce the processing cost, which conventionally occupies a large proportion of the price.
【００６７】請求項８に係る発明によれば、光ファイバ
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。According to the invention of claim 8, since the optical fiber can be aligned with the laser beam emitting surface by the fine movement mechanism, accurate evaluation can be performed.
【００６８】請求項９に係る発明によれば、微動機構を
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面により性格に位置合わせすることができる。According to the ninth aspect of the invention, since the fine movement mechanism is driven by the piezo element, the optical fiber can be more accurately aligned with the laser light emitting surface.
【００６９】請求項１０及び１１に係る発明によれば、
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。According to the inventions of claims 10 and 11,
Easy alignment of optical fibers.
【００７０】請求項１２〜１４に係る発明によれば、測
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。According to the twelfth to fourteenth aspects of the present invention, it is possible to dissipate the heat generated by the laser element during measurement and perform an accurate evaluation.
【００７１】請求項１２に係る発明によれば、ウエハ及
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。According to the twelfth aspect of the present invention, the contact area between the wafer and the chuck can be increased to efficiently dissipate heat.
【００７２】請求項１３に係る発明によれば、熱伝導性
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。According to the thirteenth aspect of the present invention, heat can be efficiently dissipated by the helium chuck having good thermal conductivity.
【００７３】請求項１４に係る発明によれば、レーザ素
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。According to the fourteenth aspect of the invention, heat can be dissipated from the surface electrode side of the laser element, so that the thickness of the wafer can be increased and the handling becomes easier.
【図１】 本発明の一実施例になる製造法及び評価方法
を示す斜視図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び断面
図（ｅ）、（ｆ）である。FIG. 1 is perspective views (a), (b), (c), (d) and sectional views (e), (f) showing a manufacturing method and an evaluation method according to an embodiment of the present invention.
【図２】 ケラレ光の発生を説明する断面図である。FIG. 2 is a sectional view illustrating generation of vignetting light.
【図３】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す断
面図である。FIG. 3 is a sectional view showing an evaluation method according to another embodiment of the present invention.
【図４】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す断
面図である。FIG. 4 is a sectional view showing an evaluation method according to another embodiment of the present invention.
【図５】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す平
面図である。FIG. 5 is a plan view showing an evaluation method according to another embodiment of the present invention.
【図６】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す斜
視図である。FIG. 6 is a perspective view showing an evaluation method according to another embodiment of the present invention.
【図７】 従来の製造方法及び評価方法を示す斜視図で
ある。FIG. 7 is a perspective view showing a conventional manufacturing method and evaluation method.
１ ウエハ、２ カンチレバー、３ 導波路、４ 分離
溝、５ 絶縁膜、６表面電極、７ レーザ素子、８ 低
反射率コーティング、９ 高反射率コーティング、１０
レーザ特性測定装置、１１及び２１ 光ファイバー、
１２ 導波路端面形成溝、１３ レーザ光出射面、１４
レーザ光反射面、１５ 低反射率コーティング膜、１
６ 高反射率コーティング膜、１７ フォトダイオー
ド、１８評価機構、１９ 信号入力部、２０ 高周波プ
ローブ、２２ 微動機構、２３ケラレ光、２４ チャッ
ク、２５ 熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャック、
２６ 移動機構、２７ ヒートシンク、２８ 第１のマ
ーク２８、２９ 第２のマーク、３０ クロス部、３１
突起部、３２ コア部1 wafer, 2 cantilever, 3 waveguide, 4 separation groove, 5 insulating film, 6 surface electrode, 7 laser element, 8 low reflectance coating, 9 high reflectance coating, 10
Laser characteristic measuring device, 11 and 21 optical fiber,
12 waveguide end face forming groove, 13 laser light emitting surface, 14
Laser light reflecting surface, 15 low reflectance coating film, 1
6 high reflectance coating film, 17 photodiode, 18 evaluation mechanism, 19 signal input section, 20 high frequency probe, 22 fine movement mechanism, 23 vignetting light, 24 chuck, 25 heat conductive rubber or helium chuck,
26 moving mechanism, 27 heat sink, 28 first mark 28, 29 second mark, 30 cross part, 31
Protrusion, 32 core
Claims (14)
程、上記導波路に沿った分離溝及び上記導波路と垂直方
向の導波路端面形成溝を形成し、レーザ光出射面とレー
ザ光反射面とを有する複数のレーザ素子を配設するとと
もに、上記レーザ光反射面と対向したフォトダイオード
を配設する工程、上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工
程、上記レーザ光出射面に低反射率コーティング膜を成
膜するとともに、上記レーザ光反射面に高反射率コーテ
ィング膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法。1. A step of forming a plurality of waveguides on a wafer, a separation groove along the waveguide and a groove for forming a waveguide end face in a direction perpendicular to the waveguide are formed, and a laser light emitting surface and a laser light reflection are formed. A plurality of laser elements each having a surface and a photodiode facing the laser light reflection surface, a step of forming an insulating film above the waveguide, and A method of manufacturing a semiconductor laser device, comprising: forming a reflectance coating film and forming a high reflectance coating film on the laser light reflecting surface.
形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the waveguide end face forming groove is formed by dry etching.
ッチングで形成することを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法。3. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the separation groove and the waveguide end face forming groove are formed by dry etching.
を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。4. The method for manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein a mark for position detection is formed in the vicinity of the laser element.
形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体
レーザ装置の製造方法。5. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 4, wherein the mark is formed in front of the laser beam emitting surface of the separation groove.
ティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工程
において行われることを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置の製造方法。6. The method of manufacturing a semiconductor laser device according to claim 1, wherein the step of forming the insulating film is performed in the step of forming the low reflectance coating film and the high reflectance coating film. .
出射面及びレーザ光反射面と、表面電極とを有する複数
のレーザ素子及び上記レーザ光反射面と対向するフォト
ダイオードとを配設したウエハを、チャック上に載置
し、順次、上記表面電極に信号を印加して上記レーザ素
子及びフォトダイオードを動作させ、上記レーザ光出射
面から発生する出力光を上記レーザ光出射面に位置合わ
せした光ファイバーに導入して上記レーザ素子の特性を
評価することを特徴とする半導体レーザ装置の評価方
法。7. A plurality of laser elements each having a waveguide, a laser light emitting surface and a laser light reflecting surface perpendicular to the waveguide, and a surface electrode, and a photodiode facing the laser light reflecting surface. The wafer is placed on a chuck, a signal is sequentially applied to the surface electrode to operate the laser element and the photodiode, and the output light generated from the laser light emitting surface is positioned on the laser light emitting surface. A method for evaluating a semiconductor laser device, which comprises introducing the combined optical fiber to evaluate the characteristics of the laser element.
面に位置合わせすることを特徴とする請求項７記載の半
導体レーザ装置の評価方法。8. The method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein the optical fiber is aligned with the laser light emitting surface by a fine movement mechanism.
特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置の評価方
法。9. The method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 8, wherein the fine movement mechanism is driven by a piezo element.
成するとともに、光ファイバーに第２のマークを形成
し、上記第１のマークの位置座標と上記第２のマークの
位置座標とを検知して上記光ファイバーを位置合わせす
ることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の
評価方法。10. A first mark is formed in the vicinity of the laser element, and a second mark is formed on the optical fiber to detect the position coordinates of the first mark and the position coordinates of the second mark. 8. The method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein the optical fiber is aligned with each other.
とともに、光ファイバーにこの先端に突起部を有するカ
ンチレバーを設け、上記マークを上記カンチレバーの突
起部で検知することによって上記光ファイバーを位置合
わせすることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ
装置の評価方法。11. A mark is formed in the vicinity of the laser element, a cantilever having a protrusion is provided on the tip of the optical fiber, and the optical fiber is aligned by detecting the mark by the protrusion of the cantilever. The method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein the method is for evaluating a semiconductor laser device.
ック上に載置し、上記ウエハの発熱を放散することを特
徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の評価方法。12. The method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein the wafer is placed on a chuck via a heat conductive rubber, and heat generated from the wafer is dissipated.
ャック上に載置し、上記ウエハの発熱を放散することを
特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の評価方
法。13. A method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein the wafer is placed on the chuck via a helium chuck, and heat generated from the wafer is dissipated.
トシンクを接触させ、上記レーザ素子の発熱を放散する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の評
価方法。14. The method for evaluating a semiconductor laser device according to claim 7, wherein a heat sink is brought into contact with a surface electrode formed on the laser element to dissipate heat generated by the laser element.
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- 1995-04-24 JP JP09855795A patent/JP3755160B2/en not_active Expired - Fee Related
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