JPH08293642A - 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法Info
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- JPH08293642A JPH08293642A JP7098557A JP9855795A JPH08293642A JP H08293642 A JPH08293642 A JP H08293642A JP 7098557 A JP7098557 A JP 7098557A JP 9855795 A JP9855795 A JP 9855795A JP H08293642 A JPH08293642 A JP H08293642A
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Abstract
トを大幅に低減するとともに、通常仕様のオリエンテー
ションフラットのウエハを使用できるようにしてウエハ
の価格を大幅に低減する製造方法及び評価方法を提供す
る。 【構成】 本発明の半導体レーザの製造方法は、ウエハ
1上に複数の導波路3を形成し、導波路3に沿った分離
溝4及び導波路3と垂直方向の導波路端面形成溝12を
形成して、レーザ光出射面13とレーザ光反射面14と
を有する複数のレーザ素子7と、レーザ光反射面14と
対向したフォトダイオード17を配設し、絶縁膜を兼ね
た低反射率コーティング膜15と高反射率コーティング
膜16を成膜する工程を有するものである。
Description
体レーザ装置の製造方法及び評価方法に関するものであ
る。
置の従来の製造方法及び評価方法を示す斜視図である。
図において、1は半導体レーザ装置の基板となるウエ
ハ、3は導波路、4は各導波路3を分離するための分離
溝、5は絶縁膜、6は表面電極、7はレーザ素子、8は
低反射率コーティング、9は高反射率コーティング、1
0は光ファイバー11を備えたレーザ特性測定装置で、
特開平2―134888号公報に示されたものである。
(b)のウエハ1の部分拡大図に示すように複数の導波
路3を形成する。導波路3の形成は、従来から知られて
いるように、例えば、p―InPからなるウエハ1上
に、p―InPからなる下クラッド層、InGaAsP
からなる活性層を順次形成した後、導波路3を残してエ
ッチングを行い、さらに、p―InPからなるバッファ
層、n―InPからなる上クラッドおよびn+―InP
からなるコンタクト層を順次形成して導波路3を埋め込
む構造にする。
3を分離するための分離溝4をウエットエッチングで形
成した後、例えばSiO2などの絶縁膜5を図7(d)
に示すように形成し、さらに、導波路3上方及び電極6
を形成する面の絶縁膜5をエッチングで除去し、図7
(e)のように、金などからなる表面電極6を形成す
る。
すなわちレーザ光出射部が現れる角度にへき開し、図7
(f)に示すように、レーザ素子7が並列したバー状態
にする。次に、レーザ光が出射する出射面側前面にAl
2O3などからなる低反射率コーティング8を施し、出射
面と反対側の面にAl2O3、SiO2、Siの多層膜な
どからなる高反射率コーティング9を施す。
のレーザ素子7に電流を印加し、レーザ素子7から発生
するレーザ光を光ファイバー11に導入し、レーザ特性
測定装置10で測定する。
来の製造工程及び評価方法においては、多数のバー状態
のレーザ素子7に分割されているので、低反射率コーテ
ィング8と高反射率コーティング9とを良品不良品にか
かわらず、レーザ素子7のバー状態の数だけ多数回にわ
たってコーティングしなければならない。現状における
通信用レーザのウエハ1内の良品は数%のレベルである
ため、多数回にわたるコーティングのほとんどが無駄に
なって加工費が非常に高くなり、コスト低減の大きな問
題点の一つになっている。
位に沿ったへき開によってバー状態にするために、導波
路3及び電極6等のパターンを結晶方位に合わせるため
の高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置
が必要であった。さらに、ウエハ1の結晶方位を示す切
り欠きであるオリエンテーションフラットも結晶方位に
高精度に合わせた特殊仕様のものが必要とされ、ウエハ
1の価格も高いものが必要とされていた。
ので、製造コストを大幅に低減するとともに、高精度ア
ライメントを必要としないものとし、さらに、通常仕様
のオリエンテーションフラットを使用できるようにして
ウエハの価格を大幅に低減することを目的とする。
ウエハ上に複数の導波路を形成する工程、上記導波路に
沿った分離溝及び上記導波路と垂直方向の導波路端面形
成溝を形成し、レーザ光出射面とレーザ光反射面とを有
する複数のレーザ素子を配設するとともに、上記レーザ
光反射面と対向したフォトダイオードを配設する工程、
上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工程、上記レーザ光
出射面に低反射率コーティング膜を成膜するとともに、
上記レーザ光反射面に高反射率コーティング膜を成膜す
る工程を有する半導体レーザ装置の製造方法である。
導体レーザ装置の製造方法において、導波路端面形成溝
をドライエッチングで形成するものである。
導体レーザ装置の製造方法において、分離溝と導波路端
面形成溝とをドライエッチングで形成するものである。
導体レーザ装置の製造方法において、レーザ素子の近傍
に位置検出用のマークを形成するものである。
導体レーザ装置の製造方法において、マークが分離溝の
レーザ光出射面前方に形成されているものである。
導体レーザ装置の製造方法において、絶縁膜を成膜する
工程は、低反射率コーティング膜と高反射率コーティン
グ膜とを成膜する工程において行われるものである。
波路と垂直なレーザ光出射面及びレーザ光反射面と、表
面電極とを有する複数のレーザ素子及び上記レーザ光反
射面と対向するフォトダイオードとを配設したウエハ
を、チャック上に載置し、順次、上記表面電極に信号を
印加して上記レーザ素子及びフォトダイオードを動作さ
せ、上記レーザ光出射面から発生する出力光を上記レー
ザ光出射面に位置合わせした光ファイバーに導入して上
記レーザ素子の特性を評価する半導体レーザ装置の評価
方法である。
導体レーザ装置の評価方法において、光ファイバーを微
動機構でレーザ光出射面に位置合わせするものである。
導体レーザ装置の評価方法において、微動機構をピエゾ
素子で駆動するものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍に第1のマークを形成するとともに、光ファイバーに
第2のマークを形成し、上記第1のマークの位置座標と
上記第2のマークの位置座標とを検知して上記光ファイ
バーを位置合わせするものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍にマークを形成するとともに、光ファイバーにこの先
端に突起を有するカンチレバーを形成し、上記マークを
上記カンチレバーの突起で検知することによって上記光
ファイバーを位置合わせするものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハを熱伝導
性ラバーを介してチャック上に載置し、上記ウエハの発
熱を放散するものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハをヘリウ
ムチャックを介してチャック上に載置し、上記ウエハの
発熱を放散するものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子に形
成した表面電極にヒートシンクを接触させ、上記レーザ
素子の発熱を放散するものである。
複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及び導波
路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成することによ
ってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複数のレ
ーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ素子の
レーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイオード
を多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の良否が
判定できるとともに、低反射率コーティング膜と高反射
率コーティング膜の成膜は1回ですみ、さらに、良品の
みパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の
多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することが
できる。
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
1は通常のオリエンテーションフラットを有するものが
使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、高
精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を必
要とせず、製造が容易になる。
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面に対してより正確に位置合わせすることができる。
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。
ザ装置の製造工程及び評価方法を示す斜視図(a)〜
(d)及び断面図(e),(f)で、従来と同じ符号は
同一箇所または相当部分を示し、説明は省略する。図に
おいて、12は導波路端面形成溝、13はレーザ光出射
面、14はレーザ光反射面、15は絶縁膜を兼ねた低反
射率コーティング膜、16は絶縁膜を兼ねた高反射率コ
ーティング膜、17はフォトダイオード、18は評価機
構であり、評価機構18は、信号入力部19、高周波プ
ローブ20、光ファイバー21、微動機構22及び図示
しない光スペクトラムアナライザーを備える。
テーションフラットを有するウエハ1上に、図1(b)
のウエハ1の部分拡大図に示すように複数の導波路3を
形成する。導波路3の形成は、従来から知られているよ
うに、例えば、p―InPからなるウエハ1上にp―I
nPからなる下クラッド層、InGaAsPからなる活
性層を順次形成した後、導波路3を残してエッチングを
行い、さらに、p―InPからなるバッファ層、n―I
nPからなる上クラッドおよびn+―InPからなるコ
ンタクト層を順次形成して導波路3を埋め込む構造にす
る。
3を分離するための分離溝4と導波路端面形成溝12を
同時にドライエッチングで形成し、レーザ光出射面13
とレーザ光反射面14とを有するレーザ素子7及びフォ
トダイオード17を得る。この工程において、分離溝4
をウエットエッチングで形成し、導波路端面形成溝12
をドライエッチングで形成してもよい。導波路端面形成
溝12をドライエッチングで形成することによって、レ
ーザ光出射面13とレーザ光反射面14は良好なレーザ
光出力面が得られる。
出射面13及びレーザ光反射面14の斜め前方からそれ
ぞれ、Al2O3などからなる低反射率コーティング膜1
5及びAl2O3、SiO2、Siの多層膜などからなる
高反射率コーティング膜16を成膜する。低反射率コー
ティング膜15及び高反射率コーティング膜16は導波
路3上方を含む全面にも成膜されるので、これを絶縁膜
として兼用することができる。
反射率コーティング膜15及び高反射率コーティング膜
16をエッチングによって除去し、金などからなる電極
6を形成して、ウエハ1上にフォトダイオード17を備
えた多数のレーザ素子7を形成する。
上のレーザ素子7に、評価機構18の信号入力部19か
ら高周波プローブ20を介して信号を印加してレーザ素
子7を作動させ、微動機構22によってレーザ素子7の
レーザ光出射面13に配置した光ファイバー21から送
られたレーザ光を図示しない光スペクトルアナライザー
で測定しレーザ素子7の良否を判定する。また、この
時、レーザ素子7のレーザ光反射面14に対向して配置
されたフォトダイオード17は、レーザ光反射面14か
らのレーザ光を受け、レーザ素子7の動作状態の良否を
判定する。
グソーでフォトダイオード17を備えた状態でレーザ素
子7個々に分離し、その後、良品のみパッケージに組み
込む。
路3を形成し、導波路3に沿った分離溝4及び導波路3
と垂直方向の導波路端面形成溝12とをドライエッチン
グで形成することによってレーザ光出射面13とレーザ
光反射面14を有する複数のレーザ素子7をウエハ1上
に形成するとともに、レーザ素子7のレーザ光反射面1
4と対向して配置されたフォトダイオード17を多数形
成したので、ウエハ状態でレーザ素子7の良否が判定で
きるとともに、低反射率コーティング膜15と高反射率
コーティング膜16の成膜は1回ですみ、さらに、良品
のみパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格
の多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減すること
ができる。
面14の形成をへき開ではなくドライエッチングによっ
て行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエ
ハ1は通常のオリエンテーションフラットを有するもの
が使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、
高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を
必要とせず、製造が容易になる。
ーザ素子7のレーザ光出射面13から離しすぎると、図
2に示すように切断端部で反射するいわゆるケラレ光2
3が発生するので、切断位置はできるだけレーザ光出射
面13に近付ける必要がある。
態での評価方法において、レーザ素子7から発生する熱
を効率よく逃がすようにすることが肝要で、そのために
ウエハ1の厚さは、例えば100μmとするなどの工夫
が必要である。
ク24の上面に熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャッ
ク25を設け、チャック24(ヒートシンク)に熱を放
散させるようにしたものである。また、熱伝導性ラバー
25を用いることによって、ウエハ1及びチャック24
との接触面積が大きくなり、発熱を効率よく逃がすこと
ができる。また、ヘリウムチャック25は熱伝導性が極
めてよいので、発熱を効率よく逃がすことができる。
されたレーザ素子7を順次評価するために、高周波プロ
ーブ20と光ファイバー21を順次移動させ、高周波プ
ローブ20を電極6に位置合わせするとともに、光ファ
イバー21をレーザ光出射面13の最適位置に位置合わ
せすることである。
ーブ20と光ファイバー21を一体に3軸方向に移動さ
せる機構であり、微動機構22は光ファイバー21を最
適位置に駆動する機構である。
ーブ20を測定すべきレーザ素子7の電極6に位置合わ
せし、接触させる。信号入力部19に高周波プローブ2
0を介して信号を印加してレーザ素子7を動作させ、次
に、微動機構22によって光ファイバー21に入るレー
ザ光量が最大となるように光ファイバー21を位置合わ
せする。
0から印加しながら、出力レーザ光を光スペクトラムア
ナライザでモニターし、順次ウエハ1上のレーザ素子7
を評価し良否を判定する。
(ヒートシンク)に熱を放散させるための熱伝導性ラバ
ーあるいはヘリウムチャック25を設け、高周波プロー
ブ20と光ファイバー21を一体に3軸方向に移動させ
る移動機構26と、光ファイバー21を最適位置に駆動
する微動機構22とを設けたので、ウエハ状態で多数の
レーザ素子7のレーザ特性を評価することができる。
えば、0.1μm×1.3μmのように非常に小さく、
0.1μm以下の精度で位置合わせする必要がある。
を用いたもので、原子間力顕微鏡のカンチレバーの微動
機構に用いられているように、数オングストロームのス
テップで100μm程度の移動ができるとともに、微動
機構22を小さくすることができる。
たように、レーザ素子7の発熱をチャック24に放散さ
せるようにするために、ウエハ1の厚さを薄くした。そ
のため、ウエハ1が割れ易く、取り扱いが極めて困難に
なるという問題があった。
6にヒートシンク27を圧し当て、ヒートシンク27に
発熱を放散させるもので、ウエハ1の厚さを薄くする必
要がなく、ウエハ1の取り扱いが極めて楽になるととも
に、ウエハ1の厚さを調整するための研削工程等が不要
になる。
熱伝導性をよくするために、ヒートシンク27の電極6
との接触面にIn(インジウム)等を用いてもよく、ま
た、アピエゾングリース等のグリース類あるいはフロリ
ナート等の溶剤を塗布してもよい結果が得られる。
ント方法を説明する平面図である。1はウエハ、7はウ
エハ1上に多数形成され、表面電極6を有するレーザ素
子、13はレーザ光出射面、17はフォトダイオード、
21は光ファイバー、28は各レーザ素子7の近傍に設
けられた第1のマーク、29は光ファイバー21に設け
られた第2のマークである。
ブを接触させた後、上方から第1のマーク28をモニタ
ーで観察し、画像処理により第1のマーク28の位置座
標を検知する。予め入力した第2のマーク29の位置座
標と第1のマーク28の位置座標から3軸方向の微小移
動量が求められ、図示していない微動機構で前記微小移
動量だけ移動して、光ファイバー21の先端をレーザ光
出射面13に位置合わせすることができる。
ント方法の他の実施例を説明する斜視図である。図にお
いて、30はウエハ1の上に形成された凹部または凸部
からなるクロス状マーク、2は光ファイバー21の先端
部の下面に設けられ突起部31を有するカンチレバー、
32は光ファイバー21のコア部である。
ンチレバー2の突起部31とウエハ1表面との原子間力
を検知し、凹部または凸部30クロス部にカンチレバー
2の突起部31の先端を移動させることによって、光フ
ァイバー21の先端部をレーザ光出射面に位置合わせす
ることができる。
上に、複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及
び導波路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成するこ
とによってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複
数のレーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ
素子のレーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイ
オードを多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の
良否が判定できるとともに、低反射率コーティング膜と
高反射率コーティング膜の成膜は1回ですみ、良品のみ
パッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の多
くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することがで
きる。
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
1は通常のオリフラを有するものが使用でき、材料コス
トを大幅に低減できるとともに、高精度アライメント機
構を備えたウエハプロセス装置を必要とせず、製造が容
易になる。
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面により性格に位置合わせすることができる。
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。
を示す斜視図(a)、(b)、(c)、(d)及び断面
図(e)、(f)である。
面図である。
面図である。
面図である。
視図である。
ある。
溝、5 絶縁膜、6表面電極、7 レーザ素子、8 低
反射率コーティング、9 高反射率コーティング、10
レーザ特性測定装置、11及び21 光ファイバー、
12 導波路端面形成溝、13 レーザ光出射面、14
レーザ光反射面、15 低反射率コーティング膜、1
6 高反射率コーティング膜、17 フォトダイオー
ド、18評価機構、19 信号入力部、20 高周波プ
ローブ、22 微動機構、23ケラレ光、24 チャッ
ク、25 熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャック、
26 移動機構、27 ヒートシンク、28 第1のマ
ーク28、29 第2のマーク、30 クロス部、31
突起部、32 コア部
Claims (14)
- 【請求項1】 ウエハ上に複数の導波路を形成する工
程、上記導波路に沿った分離溝及び上記導波路と垂直方
向の導波路端面形成溝を形成し、レーザ光出射面とレー
ザ光反射面とを有する複数のレーザ素子を配設するとと
もに、上記レーザ光反射面と対向したフォトダイオード
を配設する工程、上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工
程、上記レーザ光出射面に低反射率コーティング膜を成
膜するとともに、上記レーザ光反射面に高反射率コーテ
ィング膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項2】 導波路端面形成溝をドライエッチングで
形成することを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項3】 分離溝と導波路端面形成溝とをドライエ
ッチングで形成することを特徴とする請求項1記載の半
導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項4】 レーザ素子の近傍に位置検出用のマーク
を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項5】 マークが分離溝のレーザ光出射面前方に
形成されていることを特徴とする請求項4記載の半導体
レーザ装置の製造方法。 - 【請求項6】 絶縁膜を成膜する工程は、低反射率コー
ティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工程
において行われることを特徴とする請求項1記載の半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項7】 導波路と、この導波路と垂直なレーザ光
出射面及びレーザ光反射面と、表面電極とを有する複数
のレーザ素子及び上記レーザ光反射面と対向するフォト
ダイオードとを配設したウエハを、チャック上に載置
し、順次、上記表面電極に信号を印加して上記レーザ素
子及びフォトダイオードを動作させ、上記レーザ光出射
面から発生する出力光を上記レーザ光出射面に位置合わ
せした光ファイバーに導入して上記レーザ素子の特性を
評価することを特徴とする半導体レーザ装置の評価方
法。 - 【請求項8】 光ファイバーを微動機構でレーザ光出射
面に位置合わせすることを特徴とする請求項7記載の半
導体レーザ装置の評価方法。 - 【請求項9】 微動機構をピエゾ素子で駆動することを
特徴とする請求項8記載の半導体レーザ装置の評価方
法。 - 【請求項10】 レーザ素子の近傍に第1のマークを形
成するとともに、光ファイバーに第2のマークを形成
し、上記第1のマークの位置座標と上記第2のマークの
位置座標とを検知して上記光ファイバーを位置合わせす
ることを特徴とする請求項7記載の半導体レーザ装置の
評価方法。 - 【請求項11】 レーザ素子の近傍にマークを形成する
とともに、光ファイバーにこの先端に突起部を有するカ
ンチレバーを設け、上記マークを上記カンチレバーの突
起部で検知することによって上記光ファイバーを位置合
わせすることを特徴とする請求項7記載の半導体レーザ
装置の評価方法。 - 【請求項12】 ウエハを熱伝導性ラバーを介してチャ
ック上に載置し、上記ウエハの発熱を放散することを特
徴とする請求項7記載の半導体レーザ装置の評価方法。 - 【請求項13】 ウエハをヘリウムチャックを介してチ
ャック上に載置し、上記ウエハの発熱を放散することを
特徴とする請求項7記載の半導体レーザ装置の評価方
法。 - 【請求項14】 レーザ素子に形成した表面電極にヒー
トシンクを接触させ、上記レーザ素子の発熱を放散する
ことを特徴とする請求項7記載の半導体レーザ装置の評
価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09855795A JP3755160B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 半導体レーザ装置の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09855795A JP3755160B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 半導体レーザ装置の評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08293642A true JPH08293642A (ja) | 1996-11-05 |
JP3755160B2 JP3755160B2 (ja) | 2006-03-15 |
Family
ID=14223001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP09855795A Expired - Fee Related JP3755160B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 半導体レーザ装置の評価方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
JP2008283089A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Denso Corp | 検査装置 |
JP2019201189A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 株式会社堀場製作所 | 半導体レーザ素子の製造方法及びその半導体レーザ装置並びにガス分析装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5462677U (ja) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | ||
JPS59178786A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
JPS61265888A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPS62119969A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nec Corp | 複合光集積素子 |
JPS63200584A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路およびその製造方法 |
JPS63228790A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JPH01181491A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその評価方法ならびにその製造方法 |
JPH02273982A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの検査方法 |
JPH0645707A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの評価方法および半導体装置 |
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1995
- 1995-04-24 JP JP09855795A patent/JP3755160B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5462677U (ja) * | 1977-10-13 | 1979-05-02 | ||
JPS59178786A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ素子 |
JPS61265888A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
JPS62119969A (ja) * | 1985-11-19 | 1987-06-01 | Nec Corp | 複合光集積素子 |
JPS63200584A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光集積回路およびその製造方法 |
JPS63228790A (ja) * | 1987-03-18 | 1988-09-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JPH01181491A (ja) * | 1988-01-08 | 1989-07-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその評価方法ならびにその製造方法 |
JPH02273982A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-08 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザの検査方法 |
JPH0645707A (ja) * | 1992-07-24 | 1994-02-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの評価方法および半導体装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
JP2008283089A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Denso Corp | 検査装置 |
JP2019201189A (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 株式会社堀場製作所 | 半導体レーザ素子の製造方法及びその半導体レーザ装置並びにガス分析装置 |
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