JPH08293642A - 半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法及び評価方法Info
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- JPH08293642A JPH08293642A JP7098557A JP9855795A JPH08293642A JP H08293642 A JPH08293642 A JP H08293642A JP 7098557 A JP7098557 A JP 7098557A JP 9855795 A JP9855795 A JP 9855795A JP H08293642 A JPH08293642 A JP H08293642A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度アライメントを必要とせず、製造コス
トを大幅に低減するとともに、通常仕様のオリエンテー
ションフラットのウエハを使用できるようにしてウエハ
の価格を大幅に低減する製造方法及び評価方法を提供す
る。 【構成】 本発明の半導体レーザの製造方法は、ウエハ
１上に複数の導波路３を形成し、導波路３に沿った分離
溝４及び導波路３と垂直方向の導波路端面形成溝１２を
形成して、レーザ光出射面１３とレーザ光反射面１４と
を有する複数のレーザ素子７と、レーザ光反射面１４と
対向したフォトダイオード１７を配設し、絶縁膜を兼ね
た低反射率コーティング膜１５と高反射率コーティング
膜１６を成膜する工程を有するものである。
トを大幅に低減するとともに、通常仕様のオリエンテー
ションフラットのウエハを使用できるようにしてウエハ
の価格を大幅に低減する製造方法及び評価方法を提供す
る。 【構成】 本発明の半導体レーザの製造方法は、ウエハ
１上に複数の導波路３を形成し、導波路３に沿った分離
溝４及び導波路３と垂直方向の導波路端面形成溝１２を
形成して、レーザ光出射面１３とレーザ光反射面１４と
を有する複数のレーザ素子７と、レーザ光反射面１４と
対向したフォトダイオード１７を配設し、絶縁膜を兼ね
た低反射率コーティング膜１５と高反射率コーティング
膜１６を成膜する工程を有するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信等に用いる半導
体レーザ装置の製造方法及び評価方法に関するものであ
る。
体レーザ装置の製造方法及び評価方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図７（ａ）〜（ｇ）は、半導体レーザ装
置の従来の製造方法及び評価方法を示す斜視図である。
図において、１は半導体レーザ装置の基板となるウエ
ハ、３は導波路、４は各導波路３を分離するための分離
溝、５は絶縁膜、６は表面電極、７はレーザ素子、８は
低反射率コーティング、９は高反射率コーティング、１
０は光ファイバー１１を備えたレーザ特性測定装置で、
特開平２―１３４８８８号公報に示されたものである。
置の従来の製造方法及び評価方法を示す斜視図である。
図において、１は半導体レーザ装置の基板となるウエ
ハ、３は導波路、４は各導波路３を分離するための分離
溝、５は絶縁膜、６は表面電極、７はレーザ素子、８は
低反射率コーティング、９は高反射率コーティング、１
０は光ファイバー１１を備えたレーザ特性測定装置で、
特開平２―１３４８８８号公報に示されたものである。
【０００３】図７（ａ）に示すウエハ１上に、図７
（ｂ）のウエハ１の部分拡大図に示すように複数の導波
路３を形成する。導波路３の形成は、従来から知られて
いるように、例えば、ｐ―ＩｎＰからなるウエハ１上
に、ｐ―ＩｎＰからなる下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ
からなる活性層を順次形成した後、導波路３を残してエ
ッチングを行い、さらに、ｐ―ＩｎＰからなるバッファ
層、ｎ―ＩｎＰからなる上クラッドおよびｎ+―ＩｎＰ
からなるコンタクト層を順次形成して導波路３を埋め込
む構造にする。
（ｂ）のウエハ１の部分拡大図に示すように複数の導波
路３を形成する。導波路３の形成は、従来から知られて
いるように、例えば、ｐ―ＩｎＰからなるウエハ１上
に、ｐ―ＩｎＰからなる下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰ
からなる活性層を順次形成した後、導波路３を残してエ
ッチングを行い、さらに、ｐ―ＩｎＰからなるバッファ
層、ｎ―ＩｎＰからなる上クラッドおよびｎ+―ＩｎＰ
からなるコンタクト層を順次形成して導波路３を埋め込
む構造にする。
【０００４】次に、図７（ｃ）に示すように、各導波路
３を分離するための分離溝４をウエットエッチングで形
成した後、例えばＳｉＯ2などの絶縁膜５を図７（ｄ）
に示すように形成し、さらに、導波路３上方及び電極６
を形成する面の絶縁膜５をエッチングで除去し、図７
（ｅ）のように、金などからなる表面電極６を形成す
る。
３を分離するための分離溝４をウエットエッチングで形
成した後、例えばＳｉＯ2などの絶縁膜５を図７（ｄ）
に示すように形成し、さらに、導波路３上方及び電極６
を形成する面の絶縁膜５をエッチングで除去し、図７
（ｅ）のように、金などからなる表面電極６を形成す
る。
【０００５】次に、導波路３と垂直な面が現れる角度、
すなわちレーザ光出射部が現れる角度にへき開し、図７
（ｆ）に示すように、レーザ素子７が並列したバー状態
にする。次に、レーザ光が出射する出射面側前面にＡｌ
2Ｏ3などからなる低反射率コーティング８を施し、出射
面と反対側の面にＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉの多層膜な
どからなる高反射率コーティング９を施す。
すなわちレーザ光出射部が現れる角度にへき開し、図７
（ｆ）に示すように、レーザ素子７が並列したバー状態
にする。次に、レーザ光が出射する出射面側前面にＡｌ
2Ｏ3などからなる低反射率コーティング８を施し、出射
面と反対側の面にＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉの多層膜な
どからなる高反射率コーティング９を施す。
【０００６】次に、図７（ｇ）に示すように、バー状態
のレーザ素子７に電流を印加し、レーザ素子７から発生
するレーザ光を光ファイバー１１に導入し、レーザ特性
測定装置１０で測定する。
のレーザ素子７に電流を印加し、レーザ素子７から発生
するレーザ光を光ファイバー１１に導入し、レーザ特性
測定装置１０で測定する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図７に示したような従
来の製造工程及び評価方法においては、多数のバー状態
のレーザ素子７に分割されているので、低反射率コーテ
ィング８と高反射率コーティング９とを良品不良品にか
かわらず、レーザ素子７のバー状態の数だけ多数回にわ
たってコーティングしなければならない。現状における
通信用レーザのウエハ１内の良品は数％のレベルである
ため、多数回にわたるコーティングのほとんどが無駄に
なって加工費が非常に高くなり、コスト低減の大きな問
題点の一つになっている。
来の製造工程及び評価方法においては、多数のバー状態
のレーザ素子７に分割されているので、低反射率コーテ
ィング８と高反射率コーティング９とを良品不良品にか
かわらず、レーザ素子７のバー状態の数だけ多数回にわ
たってコーティングしなければならない。現状における
通信用レーザのウエハ１内の良品は数％のレベルである
ため、多数回にわたるコーティングのほとんどが無駄に
なって加工費が非常に高くなり、コスト低減の大きな問
題点の一つになっている。
【０００８】また、ウエハ１内のレーザ素子７を結晶方
位に沿ったへき開によってバー状態にするために、導波
路３及び電極６等のパターンを結晶方位に合わせるため
の高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置
が必要であった。さらに、ウエハ１の結晶方位を示す切
り欠きであるオリエンテーションフラットも結晶方位に
高精度に合わせた特殊仕様のものが必要とされ、ウエハ
１の価格も高いものが必要とされていた。
位に沿ったへき開によってバー状態にするために、導波
路３及び電極６等のパターンを結晶方位に合わせるため
の高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置
が必要であった。さらに、ウエハ１の結晶方位を示す切
り欠きであるオリエンテーションフラットも結晶方位に
高精度に合わせた特殊仕様のものが必要とされ、ウエハ
１の価格も高いものが必要とされていた。
【０００９】本発明は、上記のような問題を解決するも
ので、製造コストを大幅に低減するとともに、高精度ア
ライメントを必要としないものとし、さらに、通常仕様
のオリエンテーションフラットを使用できるようにして
ウエハの価格を大幅に低減することを目的とする。
ので、製造コストを大幅に低減するとともに、高精度ア
ライメントを必要としないものとし、さらに、通常仕様
のオリエンテーションフラットを使用できるようにして
ウエハの価格を大幅に低減することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
ウエハ上に複数の導波路を形成する工程、上記導波路に
沿った分離溝及び上記導波路と垂直方向の導波路端面形
成溝を形成し、レーザ光出射面とレーザ光反射面とを有
する複数のレーザ素子を配設するとともに、上記レーザ
光反射面と対向したフォトダイオードを配設する工程、
上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工程、上記レーザ光
出射面に低反射率コーティング膜を成膜するとともに、
上記レーザ光反射面に高反射率コーティング膜を成膜す
る工程を有する半導体レーザ装置の製造方法である。
ウエハ上に複数の導波路を形成する工程、上記導波路に
沿った分離溝及び上記導波路と垂直方向の導波路端面形
成溝を形成し、レーザ光出射面とレーザ光反射面とを有
する複数のレーザ素子を配設するとともに、上記レーザ
光反射面と対向したフォトダイオードを配設する工程、
上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工程、上記レーザ光
出射面に低反射率コーティング膜を成膜するとともに、
上記レーザ光反射面に高反射率コーティング膜を成膜す
る工程を有する半導体レーザ装置の製造方法である。
【００１１】請求項２に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、導波路端面形成溝
をドライエッチングで形成するものである。
導体レーザ装置の製造方法において、導波路端面形成溝
をドライエッチングで形成するものである。
【００１２】請求項３に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、分離溝と導波路端
面形成溝とをドライエッチングで形成するものである。
導体レーザ装置の製造方法において、分離溝と導波路端
面形成溝とをドライエッチングで形成するものである。
【００１３】請求項４に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、レーザ素子の近傍
に位置検出用のマークを形成するものである。
導体レーザ装置の製造方法において、レーザ素子の近傍
に位置検出用のマークを形成するものである。
【００１４】請求項５に係る発明は、請求項４記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、マークが分離溝の
レーザ光出射面前方に形成されているものである。
導体レーザ装置の製造方法において、マークが分離溝の
レーザ光出射面前方に形成されているものである。
【００１５】請求項６に係る発明は、請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法において、絶縁膜を成膜する
工程は、低反射率コーティング膜と高反射率コーティン
グ膜とを成膜する工程において行われるものである。
導体レーザ装置の製造方法において、絶縁膜を成膜する
工程は、低反射率コーティング膜と高反射率コーティン
グ膜とを成膜する工程において行われるものである。
【００１６】請求項７に係る発明は、導波路と、この導
波路と垂直なレーザ光出射面及びレーザ光反射面と、表
面電極とを有する複数のレーザ素子及び上記レーザ光反
射面と対向するフォトダイオードとを配設したウエハ
を、チャック上に載置し、順次、上記表面電極に信号を
印加して上記レーザ素子及びフォトダイオードを動作さ
せ、上記レーザ光出射面から発生する出力光を上記レー
ザ光出射面に位置合わせした光ファイバーに導入して上
記レーザ素子の特性を評価する半導体レーザ装置の評価
方法である。
波路と垂直なレーザ光出射面及びレーザ光反射面と、表
面電極とを有する複数のレーザ素子及び上記レーザ光反
射面と対向するフォトダイオードとを配設したウエハ
を、チャック上に載置し、順次、上記表面電極に信号を
印加して上記レーザ素子及びフォトダイオードを動作さ
せ、上記レーザ光出射面から発生する出力光を上記レー
ザ光出射面に位置合わせした光ファイバーに導入して上
記レーザ素子の特性を評価する半導体レーザ装置の評価
方法である。
【００１７】請求項８に係る発明は、請求項７記載の半
導体レーザ装置の評価方法において、光ファイバーを微
動機構でレーザ光出射面に位置合わせするものである。
導体レーザ装置の評価方法において、光ファイバーを微
動機構でレーザ光出射面に位置合わせするものである。
【００１８】請求項９に係る発明は、請求項８記載の半
導体レーザ装置の評価方法において、微動機構をピエゾ
素子で駆動するものである。
導体レーザ装置の評価方法において、微動機構をピエゾ
素子で駆動するものである。
【００１９】請求項１０に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍に第１のマークを形成するとともに、光ファイバーに
第２のマークを形成し、上記第１のマークの位置座標と
上記第２のマークの位置座標とを検知して上記光ファイ
バーを位置合わせするものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍に第１のマークを形成するとともに、光ファイバーに
第２のマークを形成し、上記第１のマークの位置座標と
上記第２のマークの位置座標とを検知して上記光ファイ
バーを位置合わせするものである。
【００２０】請求項１１に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍にマークを形成するとともに、光ファイバーにこの先
端に突起を有するカンチレバーを形成し、上記マークを
上記カンチレバーの突起で検知することによって上記光
ファイバーを位置合わせするものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子の近
傍にマークを形成するとともに、光ファイバーにこの先
端に突起を有するカンチレバーを形成し、上記マークを
上記カンチレバーの突起で検知することによって上記光
ファイバーを位置合わせするものである。
【００２１】請求項１２に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハを熱伝導
性ラバーを介してチャック上に載置し、上記ウエハの発
熱を放散するものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハを熱伝導
性ラバーを介してチャック上に載置し、上記ウエハの発
熱を放散するものである。
【００２２】請求項１３に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハをヘリウ
ムチャックを介してチャック上に載置し、上記ウエハの
発熱を放散するものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、ウエハをヘリウ
ムチャックを介してチャック上に載置し、上記ウエハの
発熱を放散するものである。
【００２３】請求項１４に係る発明は、請求項７記載の
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子に形
成した表面電極にヒートシンクを接触させ、上記レーザ
素子の発熱を放散するものである。
半導体レーザ装置の評価方法において、レーザ素子に形
成した表面電極にヒートシンクを接触させ、上記レーザ
素子の発熱を放散するものである。
【００２４】
【作用】請求項１に係る発明によれば、ウエハ１上に、
複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及び導波
路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成することによ
ってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複数のレ
ーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ素子の
レーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイオード
を多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の良否が
判定できるとともに、低反射率コーティング膜と高反射
率コーティング膜の成膜は１回ですみ、さらに、良品の
みパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の
多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することが
できる。
複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及び導波
路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成することによ
ってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複数のレ
ーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ素子の
レーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイオード
を多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の良否が
判定できるとともに、低反射率コーティング膜と高反射
率コーティング膜の成膜は１回ですみ、さらに、良品の
みパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の
多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することが
できる。
【００２５】請求項２及び３に係る発明によれば、導波
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
１は通常のオリエンテーションフラットを有するものが
使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、高
精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を必
要とせず、製造が容易になる。
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
１は通常のオリエンテーションフラットを有するものが
使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、高
精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を必
要とせず、製造が容易になる。
【００２６】請求項４及び５に係る発明によれば、レー
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。
【００２７】請求項６に係る発明によれば、低反射率コ
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。
【００２８】請求項７に係る発明によれば、レーザ光出
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。
【００２９】請求項８に係る発明によれば、光ファイバ
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。
【００３０】請求項９に係る発明によれば、微動機構を
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面に対してより正確に位置合わせすることができる。
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面に対してより正確に位置合わせすることができる。
【００３１】請求項１０及び１１に係る発明によれば、
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。
【００３２】請求項１２〜１４に係る発明によれば、測
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。
【００３３】請求項１２に係る発明によれば、ウエハ及
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。
【００３４】請求項１３に係る発明によれば、熱伝導性
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。
【００３５】請求項１４に係る発明によれば、レーザ素
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。
【００３６】
実施例１．図１は、本発明の一実施例になる半導体レー
ザ装置の製造工程及び評価方法を示す斜視図（ａ）〜
（ｄ）及び断面図（ｅ），（ｆ）で、従来と同じ符号は
同一箇所または相当部分を示し、説明は省略する。図に
おいて、１２は導波路端面形成溝、１３はレーザ光出射
面、１４はレーザ光反射面、１５は絶縁膜を兼ねた低反
射率コーティング膜、１６は絶縁膜を兼ねた高反射率コ
ーティング膜、１７はフォトダイオード、１８は評価機
構であり、評価機構１８は、信号入力部１９、高周波プ
ローブ２０、光ファイバー２１、微動機構２２及び図示
しない光スペクトラムアナライザーを備える。
ザ装置の製造工程及び評価方法を示す斜視図（ａ）〜
（ｄ）及び断面図（ｅ），（ｆ）で、従来と同じ符号は
同一箇所または相当部分を示し、説明は省略する。図に
おいて、１２は導波路端面形成溝、１３はレーザ光出射
面、１４はレーザ光反射面、１５は絶縁膜を兼ねた低反
射率コーティング膜、１６は絶縁膜を兼ねた高反射率コ
ーティング膜、１７はフォトダイオード、１８は評価機
構であり、評価機構１８は、信号入力部１９、高周波プ
ローブ２０、光ファイバー２１、微動機構２２及び図示
しない光スペクトラムアナライザーを備える。
【００３７】まず、図１（ａ）に示す、通常のオリエン
テーションフラットを有するウエハ１上に、図１（ｂ）
のウエハ１の部分拡大図に示すように複数の導波路３を
形成する。導波路３の形成は、従来から知られているよ
うに、例えば、ｐ―ＩｎＰからなるウエハ１上にｐ―Ｉ
ｎＰからなる下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる活
性層を順次形成した後、導波路３を残してエッチングを
行い、さらに、ｐ―ＩｎＰからなるバッファ層、ｎ―Ｉ
ｎＰからなる上クラッドおよびｎ+―ＩｎＰからなるコ
ンタクト層を順次形成して導波路３を埋め込む構造にす
る。
テーションフラットを有するウエハ１上に、図１（ｂ）
のウエハ１の部分拡大図に示すように複数の導波路３を
形成する。導波路３の形成は、従来から知られているよ
うに、例えば、ｐ―ＩｎＰからなるウエハ１上にｐ―Ｉ
ｎＰからなる下クラッド層、ＩｎＧａＡｓＰからなる活
性層を順次形成した後、導波路３を残してエッチングを
行い、さらに、ｐ―ＩｎＰからなるバッファ層、ｎ―Ｉ
ｎＰからなる上クラッドおよびｎ+―ＩｎＰからなるコ
ンタクト層を順次形成して導波路３を埋め込む構造にす
る。
【００３８】次に、図１（ｃ）に示すように、各導波路
３を分離するための分離溝４と導波路端面形成溝１２を
同時にドライエッチングで形成し、レーザ光出射面１３
とレーザ光反射面１４とを有するレーザ素子７及びフォ
トダイオード１７を得る。この工程において、分離溝４
をウエットエッチングで形成し、導波路端面形成溝１２
をドライエッチングで形成してもよい。導波路端面形成
溝１２をドライエッチングで形成することによって、レ
ーザ光出射面１３とレーザ光反射面１４は良好なレーザ
光出力面が得られる。
３を分離するための分離溝４と導波路端面形成溝１２を
同時にドライエッチングで形成し、レーザ光出射面１３
とレーザ光反射面１４とを有するレーザ素子７及びフォ
トダイオード１７を得る。この工程において、分離溝４
をウエットエッチングで形成し、導波路端面形成溝１２
をドライエッチングで形成してもよい。導波路端面形成
溝１２をドライエッチングで形成することによって、レ
ーザ光出射面１３とレーザ光反射面１４は良好なレーザ
光出力面が得られる。
【００３９】次に、図１（ｄ）に示すように、レーザ光
出射面１３及びレーザ光反射面１４の斜め前方からそれ
ぞれ、Ａｌ2Ｏ3などからなる低反射率コーティング膜１
５及びＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉの多層膜などからなる
高反射率コーティング膜１６を成膜する。低反射率コー
ティング膜１５及び高反射率コーティング膜１６は導波
路３上方を含む全面にも成膜されるので、これを絶縁膜
として兼用することができる。
出射面１３及びレーザ光反射面１４の斜め前方からそれ
ぞれ、Ａｌ2Ｏ3などからなる低反射率コーティング膜１
５及びＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｓｉの多層膜などからなる
高反射率コーティング膜１６を成膜する。低反射率コー
ティング膜１５及び高反射率コーティング膜１６は導波
路３上方を含む全面にも成膜されるので、これを絶縁膜
として兼用することができる。
【００４０】次に、導波路３上方及び電極６形成面の低
反射率コーティング膜１５及び高反射率コーティング膜
１６をエッチングによって除去し、金などからなる電極
６を形成して、ウエハ１上にフォトダイオード１７を備
えた多数のレーザ素子７を形成する。
反射率コーティング膜１５及び高反射率コーティング膜
１６をエッチングによって除去し、金などからなる電極
６を形成して、ウエハ１上にフォトダイオード１７を備
えた多数のレーザ素子７を形成する。
【００４１】次に、図１（ｅ）に示すように、ウエハ１
上のレーザ素子７に、評価機構１８の信号入力部１９か
ら高周波プローブ２０を介して信号を印加してレーザ素
子７を作動させ、微動機構２２によってレーザ素子７の
レーザ光出射面１３に配置した光ファイバー２１から送
られたレーザ光を図示しない光スペクトルアナライザー
で測定しレーザ素子７の良否を判定する。また、この
時、レーザ素子７のレーザ光反射面１４に対向して配置
されたフォトダイオード１７は、レーザ光反射面１４か
らのレーザ光を受け、レーザ素子７の動作状態の良否を
判定する。
上のレーザ素子７に、評価機構１８の信号入力部１９か
ら高周波プローブ２０を介して信号を印加してレーザ素
子７を作動させ、微動機構２２によってレーザ素子７の
レーザ光出射面１３に配置した光ファイバー２１から送
られたレーザ光を図示しない光スペクトルアナライザー
で測定しレーザ素子７の良否を判定する。また、この
時、レーザ素子７のレーザ光反射面１４に対向して配置
されたフォトダイオード１７は、レーザ光反射面１４か
らのレーザ光を受け、レーザ素子７の動作状態の良否を
判定する。
【００４２】次に、図１（ｆ）に示すように、ダイシン
グソーでフォトダイオード１７を備えた状態でレーザ素
子７個々に分離し、その後、良品のみパッケージに組み
込む。
グソーでフォトダイオード１７を備えた状態でレーザ素
子７個々に分離し、その後、良品のみパッケージに組み
込む。
【００４３】以上のように、ウエハ１上に、複数の導波
路３を形成し、導波路３に沿った分離溝４及び導波路３
と垂直方向の導波路端面形成溝１２とをドライエッチン
グで形成することによってレーザ光出射面１３とレーザ
光反射面１４を有する複数のレーザ素子７をウエハ１上
に形成するとともに、レーザ素子７のレーザ光反射面１
４と対向して配置されたフォトダイオード１７を多数形
成したので、ウエハ状態でレーザ素子７の良否が判定で
きるとともに、低反射率コーティング膜１５と高反射率
コーティング膜１６の成膜は１回ですみ、さらに、良品
のみパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格
の多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減すること
ができる。
路３を形成し、導波路３に沿った分離溝４及び導波路３
と垂直方向の導波路端面形成溝１２とをドライエッチン
グで形成することによってレーザ光出射面１３とレーザ
光反射面１４を有する複数のレーザ素子７をウエハ１上
に形成するとともに、レーザ素子７のレーザ光反射面１
４と対向して配置されたフォトダイオード１７を多数形
成したので、ウエハ状態でレーザ素子７の良否が判定で
きるとともに、低反射率コーティング膜１５と高反射率
コーティング膜１６の成膜は１回ですみ、さらに、良品
のみパッケージなどの組み立てをするので、従来、価格
の多くの割合を占めていた加工費を大幅に低減すること
ができる。
【００４４】また、レーザ光出射面１３とレーザ光反射
面１４の形成をへき開ではなくドライエッチングによっ
て行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエ
ハ１は通常のオリエンテーションフラットを有するもの
が使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、
高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を
必要とせず、製造が容易になる。
面１４の形成をへき開ではなくドライエッチングによっ
て行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエ
ハ１は通常のオリエンテーションフラットを有するもの
が使用でき、材料コストを大幅に低減できるとともに、
高精度アライメント機構を備えたウエハプロセス装置を
必要とせず、製造が容易になる。
【００４５】なお、ダイシングソーによる切断位置をレ
ーザ素子７のレーザ光出射面１３から離しすぎると、図
２に示すように切断端部で反射するいわゆるケラレ光２
３が発生するので、切断位置はできるだけレーザ光出射
面１３に近付ける必要がある。
ーザ素子７のレーザ光出射面１３から離しすぎると、図
２に示すように切断端部で反射するいわゆるケラレ光２
３が発生するので、切断位置はできるだけレーザ光出射
面１３に近付ける必要がある。
【００４６】実施例２．図１（ｅ）に示した、ウエハ状
態での評価方法において、レーザ素子７から発生する熱
を効率よく逃がすようにすることが肝要で、そのために
ウエハ１の厚さは、例えば１００μｍとするなどの工夫
が必要である。
態での評価方法において、レーザ素子７から発生する熱
を効率よく逃がすようにすることが肝要で、そのために
ウエハ１の厚さは、例えば１００μｍとするなどの工夫
が必要である。
【００４７】図３は、ウエハ１を載置し固定するチャッ
ク２４の上面に熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャッ
ク２５を設け、チャック２４（ヒートシンク）に熱を放
散させるようにしたものである。また、熱伝導性ラバー
２５を用いることによって、ウエハ１及びチャック２４
との接触面積が大きくなり、発熱を効率よく逃がすこと
ができる。また、ヘリウムチャック２５は熱伝導性が極
めてよいので、発熱を効率よく逃がすことができる。
ク２４の上面に熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャッ
ク２５を設け、チャック２４（ヒートシンク）に熱を放
散させるようにしたものである。また、熱伝導性ラバー
２５を用いることによって、ウエハ１及びチャック２４
との接触面積が大きくなり、発熱を効率よく逃がすこと
ができる。また、ヘリウムチャック２５は熱伝導性が極
めてよいので、発熱を効率よく逃がすことができる。
【００４８】次に肝要なことは、ウエハ１上に多数形成
されたレーザ素子７を順次評価するために、高周波プロ
ーブ２０と光ファイバー２１を順次移動させ、高周波プ
ローブ２０を電極６に位置合わせするとともに、光ファ
イバー２１をレーザ光出射面１３の最適位置に位置合わ
せすることである。
されたレーザ素子７を順次評価するために、高周波プロ
ーブ２０と光ファイバー２１を順次移動させ、高周波プ
ローブ２０を電極６に位置合わせするとともに、光ファ
イバー２１をレーザ光出射面１３の最適位置に位置合わ
せすることである。
【００４９】図３において、移動機構２６は高周波プロ
ーブ２０と光ファイバー２１を一体に３軸方向に移動さ
せる機構であり、微動機構２２は光ファイバー２１を最
適位置に駆動する機構である。
ーブ２０と光ファイバー２１を一体に３軸方向に移動さ
せる機構であり、微動機構２２は光ファイバー２１を最
適位置に駆動する機構である。
【００５０】まず、移動機構２６によって、高周波プロ
ーブ２０を測定すべきレーザ素子７の電極６に位置合わ
せし、接触させる。信号入力部１９に高周波プローブ２
０を介して信号を印加してレーザ素子７を動作させ、次
に、微動機構２２によって光ファイバー２１に入るレー
ザ光量が最大となるように光ファイバー２１を位置合わ
せする。
ーブ２０を測定すべきレーザ素子７の電極６に位置合わ
せし、接触させる。信号入力部１９に高周波プローブ２
０を介して信号を印加してレーザ素子７を動作させ、次
に、微動機構２２によって光ファイバー２１に入るレー
ザ光量が最大となるように光ファイバー２１を位置合わ
せする。
【００５１】次に、高周波変調信号を高周波プローブ２
０から印加しながら、出力レーザ光を光スペクトラムア
ナライザでモニターし、順次ウエハ１上のレーザ素子７
を評価し良否を判定する。
０から印加しながら、出力レーザ光を光スペクトラムア
ナライザでモニターし、順次ウエハ１上のレーザ素子７
を評価し良否を判定する。
【００５２】本実施例は、上記のように、チャック２４
（ヒートシンク）に熱を放散させるための熱伝導性ラバ
ーあるいはヘリウムチャック２５を設け、高周波プロー
ブ２０と光ファイバー２１を一体に３軸方向に移動させ
る移動機構２６と、光ファイバー２１を最適位置に駆動
する微動機構２２とを設けたので、ウエハ状態で多数の
レーザ素子７のレーザ特性を評価することができる。
（ヒートシンク）に熱を放散させるための熱伝導性ラバ
ーあるいはヘリウムチャック２５を設け、高周波プロー
ブ２０と光ファイバー２１を一体に３軸方向に移動させ
る移動機構２６と、光ファイバー２１を最適位置に駆動
する微動機構２２とを設けたので、ウエハ状態で多数の
レーザ素子７のレーザ特性を評価することができる。
【００５３】実施例３．レーザ光出射面の大きさは、例
えば、０．１μｍ×１．３μｍのように非常に小さく、
０．１μｍ以下の精度で位置合わせする必要がある。
えば、０．１μｍ×１．３μｍのように非常に小さく、
０．１μｍ以下の精度で位置合わせする必要がある。
【００５４】図３において、微動機構２２はピエゾ素子
を用いたもので、原子間力顕微鏡のカンチレバーの微動
機構に用いられているように、数オングストロームのス
テップで１００μｍ程度の移動ができるとともに、微動
機構２２を小さくすることができる。
を用いたもので、原子間力顕微鏡のカンチレバーの微動
機構に用いられているように、数オングストロームのス
テップで１００μｍ程度の移動ができるとともに、微動
機構２２を小さくすることができる。
【００５５】実施例４．実施例２において、図３に示し
たように、レーザ素子７の発熱をチャック２４に放散さ
せるようにするために、ウエハ１の厚さを薄くした。そ
のため、ウエハ１が割れ易く、取り扱いが極めて困難に
なるという問題があった。
たように、レーザ素子７の発熱をチャック２４に放散さ
せるようにするために、ウエハ１の厚さを薄くした。そ
のため、ウエハ１が割れ易く、取り扱いが極めて困難に
なるという問題があった。
【００５６】本実施例は、図４に示すように、表面電極
６にヒートシンク２７を圧し当て、ヒートシンク２７に
発熱を放散させるもので、ウエハ１の厚さを薄くする必
要がなく、ウエハ１の取り扱いが極めて楽になるととも
に、ウエハ１の厚さを調整するための研削工程等が不要
になる。
６にヒートシンク２７を圧し当て、ヒートシンク２７に
発熱を放散させるもので、ウエハ１の厚さを薄くする必
要がなく、ウエハ１の取り扱いが極めて楽になるととも
に、ウエハ１の厚さを調整するための研削工程等が不要
になる。
【００５７】なお、ヒートシンク２７と表面電極６との
熱伝導性をよくするために、ヒートシンク２７の電極６
との接触面にＩｎ（インジウム）等を用いてもよく、ま
た、アピエゾングリース等のグリース類あるいはフロリ
ナート等の溶剤を塗布してもよい結果が得られる。
熱伝導性をよくするために、ヒートシンク２７の電極６
との接触面にＩｎ（インジウム）等を用いてもよく、ま
た、アピエゾングリース等のグリース類あるいはフロリ
ナート等の溶剤を塗布してもよい結果が得られる。
【００５８】実施例５．図５は光ファイバーのアライメ
ント方法を説明する平面図である。１はウエハ、７はウ
エハ１上に多数形成され、表面電極６を有するレーザ素
子、１３はレーザ光出射面、１７はフォトダイオード、
２１は光ファイバー、２８は各レーザ素子７の近傍に設
けられた第１のマーク、２９は光ファイバー２１に設け
られた第２のマークである。
ント方法を説明する平面図である。１はウエハ、７はウ
エハ１上に多数形成され、表面電極６を有するレーザ素
子、１３はレーザ光出射面、１７はフォトダイオード、
２１は光ファイバー、２８は各レーザ素子７の近傍に設
けられた第１のマーク、２９は光ファイバー２１に設け
られた第２のマークである。
【００５９】表面電極６に図示していない高周波プロー
ブを接触させた後、上方から第１のマーク２８をモニタ
ーで観察し、画像処理により第１のマーク２８の位置座
標を検知する。予め入力した第２のマーク２９の位置座
標と第１のマーク２８の位置座標から３軸方向の微小移
動量が求められ、図示していない微動機構で前記微小移
動量だけ移動して、光ファイバー２１の先端をレーザ光
出射面１３に位置合わせすることができる。
ブを接触させた後、上方から第１のマーク２８をモニタ
ーで観察し、画像処理により第１のマーク２８の位置座
標を検知する。予め入力した第２のマーク２９の位置座
標と第１のマーク２８の位置座標から３軸方向の微小移
動量が求められ、図示していない微動機構で前記微小移
動量だけ移動して、光ファイバー２１の先端をレーザ光
出射面１３に位置合わせすることができる。
【００６０】実施例６．図６は光ファイバーのアライメ
ント方法の他の実施例を説明する斜視図である。図にお
いて、３０はウエハ１の上に形成された凹部または凸部
からなるクロス状マーク、２は光ファイバー２１の先端
部の下面に設けられ突起部３１を有するカンチレバー、
３２は光ファイバー２１のコア部である。
ント方法の他の実施例を説明する斜視図である。図にお
いて、３０はウエハ１の上に形成された凹部または凸部
からなるクロス状マーク、２は光ファイバー２１の先端
部の下面に設けられ突起部３１を有するカンチレバー、
３２は光ファイバー２１のコア部である。
【００６１】微動機構で光ファイバー２１を駆動し、カ
ンチレバー２の突起部３１とウエハ１表面との原子間力
を検知し、凹部または凸部３０クロス部にカンチレバー
２の突起部３１の先端を移動させることによって、光フ
ァイバー２１の先端部をレーザ光出射面に位置合わせす
ることができる。
ンチレバー２の突起部３１とウエハ１表面との原子間力
を検知し、凹部または凸部３０クロス部にカンチレバー
２の突起部３１の先端を移動させることによって、光フ
ァイバー２１の先端部をレーザ光出射面に位置合わせす
ることができる。
【００６２】
【発明の効果】請求項１に係る発明によれば、ウエハ１
上に、複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及
び導波路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成するこ
とによってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複
数のレーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ
素子のレーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイ
オードを多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の
良否が判定できるとともに、低反射率コーティング膜と
高反射率コーティング膜の成膜は１回ですみ、良品のみ
パッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の多
くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することがで
きる。
上に、複数の導波路を形成し、導波路に沿った分離溝及
び導波路と垂直方向の導波路端面形成溝とを形成するこ
とによってレーザ光出射面とレーザ光反射面を有する複
数のレーザ素子をウエハ上に形成するとともに、レーザ
素子のレーザ光反射面と対向して配置されたフォトダイ
オードを多数形成したので、ウエハ状態でレーザ素子の
良否が判定できるとともに、低反射率コーティング膜と
高反射率コーティング膜の成膜は１回ですみ、良品のみ
パッケージなどの組み立てをするので、従来、価格の多
くの割合を占めていた加工費を大幅に低減することがで
きる。
【００６３】請求項２及び３に係る発明によれば、導波
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
１は通常のオリフラを有するものが使用でき、材料コス
トを大幅に低減できるとともに、高精度アライメント機
構を備えたウエハプロセス装置を必要とせず、製造が容
易になる。
路端面形成溝をドライエッチングで形成することによっ
て、レーザ光出射面とレーザ光反射面は良好なレーザ光
出力面が得られる。また、レーザ光出射面とレーザ光反
射面の形成をへき開ではなくドライエッチングによって
行うので、厳密な結晶方位の規制は必要とせず、ウエハ
１は通常のオリフラを有するものが使用でき、材料コス
トを大幅に低減できるとともに、高精度アライメント機
構を備えたウエハプロセス装置を必要とせず、製造が容
易になる。
【００６４】請求項４及び５に係る発明によれば、レー
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。
ザ素子に位置検出用のマークを形成することによって、
レーザ光出射面と測定用の光ファイバーとの位置合わせ
が容易になる。
【００６５】請求項６に係る発明によれば、低反射率コ
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。
ーティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工
程において絶縁膜を形成するので、絶縁膜を成膜する工
程を省略することができる。
【００６６】請求項７に係る発明によれば、レーザ光出
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。
射面とレーザ光反射面を有する複数のレーザ素子をウエ
ハ上に形成するとともに、レーザ素子のレーザ光反射面
と対向して配置されたフォトダイオードを多数形成し、
ウエハ状態でレーザ素子の良否が判定でき、良品のみを
選択しパッケージなどの組み立てをすることができるの
で、従来、価格の多くの割合を占めていた加工費を大幅
に低減することができる。
【００６７】請求項８に係る発明によれば、光ファイバ
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。
ーを微動機構でレーザ光出射面に位置合わせすることが
できるので、正確な評価ができる。
【００６８】請求項９に係る発明によれば、微動機構を
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面により性格に位置合わせすることができる。
ピエゾ素子で駆動するので、光ファイバーをレーザ光出
射面により性格に位置合わせすることができる。
【００６９】請求項１０及び１１に係る発明によれば、
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。
光ファイバーの位置合わせが容易にできる。
【００７０】請求項１２〜１４に係る発明によれば、測
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。
定時におけるレーザ素子の発熱を放散し正確な評価をす
ることができる。
【００７１】請求項１２に係る発明によれば、ウエハ及
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。
びチャックとの接触面積を大きくして熱放散を効率的に
行うことができる。
【００７２】請求項１３に係る発明によれば、熱伝導性
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。
のよいヘリウムチャックによって、熱放散を効率的に行
うことができる。
【００７３】請求項１４に係る発明によれば、レーザ素
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。
子の表面電極側から熱放散する事ができるので、ウエハ
の厚さを厚くすることができ、取扱いが容易になる。
【図１】 本発明の一実施例になる製造法及び評価方法
を示す斜視図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び断面
図（ｅ）、（ｆ）である。
を示す斜視図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）及び断面
図（ｅ）、（ｆ）である。
【図２】 ケラレ光の発生を説明する断面図である。
【図３】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す断
面図である。
面図である。
【図５】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す平
面図である。
面図である。
【図６】 本発明の他の実施例になる評価方法を示す斜
視図である。
視図である。
【図７】 従来の製造方法及び評価方法を示す斜視図で
ある。
ある。
１ ウエハ、２ カンチレバー、３ 導波路、４ 分離
溝、５ 絶縁膜、６表面電極、７ レーザ素子、８ 低
反射率コーティング、９ 高反射率コーティング、１０
レーザ特性測定装置、１１及び２１ 光ファイバー、
１２ 導波路端面形成溝、１３ レーザ光出射面、１４
レーザ光反射面、１５ 低反射率コーティング膜、１
６ 高反射率コーティング膜、１７ フォトダイオー
ド、１８評価機構、１９ 信号入力部、２０ 高周波プ
ローブ、２２ 微動機構、２３ケラレ光、２４ チャッ
ク、２５ 熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャック、
２６ 移動機構、２７ ヒートシンク、２８ 第１のマ
ーク２８、２９ 第２のマーク、３０ クロス部、３１
突起部、３２ コア部
溝、５ 絶縁膜、６表面電極、７ レーザ素子、８ 低
反射率コーティング、９ 高反射率コーティング、１０
レーザ特性測定装置、１１及び２１ 光ファイバー、
１２ 導波路端面形成溝、１３ レーザ光出射面、１４
レーザ光反射面、１５ 低反射率コーティング膜、１
６ 高反射率コーティング膜、１７ フォトダイオー
ド、１８評価機構、１９ 信号入力部、２０ 高周波プ
ローブ、２２ 微動機構、２３ケラレ光、２４ チャッ
ク、２５ 熱伝導性ラバーあるいはヘリウムチャック、
２６ 移動機構、２７ ヒートシンク、２８ 第１のマ
ーク２８、２９ 第２のマーク、３０ クロス部、３１
突起部、３２ コア部
Claims (14)
- 【請求項１】 ウエハ上に複数の導波路を形成する工
程、上記導波路に沿った分離溝及び上記導波路と垂直方
向の導波路端面形成溝を形成し、レーザ光出射面とレー
ザ光反射面とを有する複数のレーザ素子を配設するとと
もに、上記レーザ光反射面と対向したフォトダイオード
を配設する工程、上記導波路上方に絶縁膜を成膜する工
程、上記レーザ光出射面に低反射率コーティング膜を成
膜するとともに、上記レーザ光反射面に高反射率コーテ
ィング膜を成膜する工程を有することを特徴とする半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項２】 導波路端面形成溝をドライエッチングで
形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
装置の製造方法。 - 【請求項３】 分離溝と導波路端面形成溝とをドライエ
ッチングで形成することを特徴とする請求項１記載の半
導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項４】 レーザ素子の近傍に位置検出用のマーク
を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体レー
ザ装置の製造方法。 - 【請求項５】 マークが分離溝のレーザ光出射面前方に
形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体
レーザ装置の製造方法。 - 【請求項６】 絶縁膜を成膜する工程は、低反射率コー
ティング膜と高反射率コーティング膜とを成膜する工程
において行われることを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項７】 導波路と、この導波路と垂直なレーザ光
出射面及びレーザ光反射面と、表面電極とを有する複数
のレーザ素子及び上記レーザ光反射面と対向するフォト
ダイオードとを配設したウエハを、チャック上に載置
し、順次、上記表面電極に信号を印加して上記レーザ素
子及びフォトダイオードを動作させ、上記レーザ光出射
面から発生する出力光を上記レーザ光出射面に位置合わ
せした光ファイバーに導入して上記レーザ素子の特性を
評価することを特徴とする半導体レーザ装置の評価方
法。 - 【請求項８】 光ファイバーを微動機構でレーザ光出射
面に位置合わせすることを特徴とする請求項７記載の半
導体レーザ装置の評価方法。 - 【請求項９】 微動機構をピエゾ素子で駆動することを
特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置の評価方
法。 - 【請求項１０】 レーザ素子の近傍に第１のマークを形
成するとともに、光ファイバーに第２のマークを形成
し、上記第１のマークの位置座標と上記第２のマークの
位置座標とを検知して上記光ファイバーを位置合わせす
ることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の
評価方法。 - 【請求項１１】 レーザ素子の近傍にマークを形成する
とともに、光ファイバーにこの先端に突起部を有するカ
ンチレバーを設け、上記マークを上記カンチレバーの突
起部で検知することによって上記光ファイバーを位置合
わせすることを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ
装置の評価方法。 - 【請求項１２】 ウエハを熱伝導性ラバーを介してチャ
ック上に載置し、上記ウエハの発熱を放散することを特
徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の評価方法。 - 【請求項１３】 ウエハをヘリウムチャックを介してチ
ャック上に載置し、上記ウエハの発熱を放散することを
特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の評価方
法。 - 【請求項１４】 レーザ素子に形成した表面電極にヒー
トシンクを接触させ、上記レーザ素子の発熱を放散する
ことを特徴とする請求項７記載の半導体レーザ装置の評
価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09855795A JP3755160B2 (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 半導体レーザ装置の評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Cited By (3)
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1995
- 1995-04-24 JP JP09855795A patent/JP3755160B2/ja not_active Expired - Fee Related
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