JPH08290288A - 無鉛はんだ - Google Patents
無鉛はんだInfo
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- JPH08290288A JPH08290288A JP9533995A JP9533995A JPH08290288A JP H08290288 A JPH08290288 A JP H08290288A JP 9533995 A JP9533995 A JP 9533995A JP 9533995 A JP9533995 A JP 9533995A JP H08290288 A JPH08290288 A JP H08290288A
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- Japan
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- solder
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- free solder
- tin
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 無鉛はんだに関し、鉛−錫系に代わる二成分
系はんだの実用化を目的とする。 【構成】 周期率表において IＶ族Ｂ列にある鉛元素に
隣接して存在し、自然環境中で生ずる化合物が人体に対
して無害であるインジウム，ビスマスおよび錫を組合せ
て二成分はんだを構成し、被処理基板のはんだ付け位置
に金，銀，銅，ニッケル，パラジウム，白金の内の一つ
よりなる濡れ性向上層を設けて使用することを特徴とし
て無鉛はんだを構成する。
系はんだの実用化を目的とする。 【構成】 周期率表において IＶ族Ｂ列にある鉛元素に
隣接して存在し、自然環境中で生ずる化合物が人体に対
して無害であるインジウム，ビスマスおよび錫を組合せ
て二成分はんだを構成し、被処理基板のはんだ付け位置
に金，銀，銅，ニッケル，パラジウム，白金の内の一つ
よりなる濡れ性向上層を設けて使用することを特徴とし
て無鉛はんだを構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子部品や半導体部品の
配線接続に使用する無鉛はんだに関する。はんだ（Sold
er) は融点が450 ℃以下のろう（鑞）付け用の合金を指
し、軟ろうとも云われており、鉛（Ｐb ）ー錫（Ｓn ）
系合金が代表的なものである。
配線接続に使用する無鉛はんだに関する。はんだ（Sold
er) は融点が450 ℃以下のろう（鑞）付け用の合金を指
し、軟ろうとも云われており、鉛（Ｐb ）ー錫（Ｓn ）
系合金が代表的なものである。
【０００２】こゝで、Ｐb37 Ｓn63 組成は183 ℃の共晶
温度を示し、共晶はんだとして標準的に使用されてお
り、Ｓn 組成比を10〜90％に変えたものも用途に応じて
使用されている。すなわち、Ｓn 組成比の大きなもの程
接着性は良好であり、またＰbの含有量が少ないので毒
性は少ないものゝ機械的に脆いと云う問題がある。一
方、Ｐb は単独では硬度（ブリネル硬度）が2.5 〜３と
小さく軟らかいものゝ、合金化することにより硬度が増
し、また、Ｐb-Ｓn 系の場合は融点が低くなり、流れが
良くなって金属の狭い隙間までろう付けできると云う特
徴がある。
温度を示し、共晶はんだとして標準的に使用されてお
り、Ｓn 組成比を10〜90％に変えたものも用途に応じて
使用されている。すなわち、Ｓn 組成比の大きなもの程
接着性は良好であり、またＰbの含有量が少ないので毒
性は少ないものゝ機械的に脆いと云う問題がある。一
方、Ｐb は単独では硬度（ブリネル硬度）が2.5 〜３と
小さく軟らかいものゝ、合金化することにより硬度が増
し、また、Ｐb-Ｓn 系の場合は融点が低くなり、流れが
良くなって金属の狭い隙間までろう付けできると云う特
徴がある。
【０００３】
【従来の技術】Ｐb-Ｓn 系はんだは代表的なろう材であ
って、半導体部品と配線基板にパターン形成されている
導体線路との回路接続に使われているが、加熱の影響を
避ける必要がある場合があり、このような場合にはＰb-
Ｓn 系よりも更に融点の低いＳn-Ｃd(カドミウム)-Ｐb
系やＢi(ビスマス)-Ｓn-Ｐb 系などが使用されてきた。
って、半導体部品と配線基板にパターン形成されている
導体線路との回路接続に使われているが、加熱の影響を
避ける必要がある場合があり、このような場合にはＰb-
Ｓn 系よりも更に融点の低いＳn-Ｃd(カドミウム)-Ｐb
系やＢi(ビスマス)-Ｓn-Ｐb 系などが使用されてきた。
【０００４】このように、今まで各種のはんだが実用化
されているが、多くのはんだはＰbを構成要素とする二
成分系或いは三成分系のものが多い。然し、Ｐb の使用
は環境衛生の面から、また、トランジスタに対するソフ
トエラーの面からも問題があり、使用が敬遠されつゝあ
る。
されているが、多くのはんだはＰbを構成要素とする二
成分系或いは三成分系のものが多い。然し、Ｐb の使用
は環境衛生の面から、また、トランジスタに対するソフ
トエラーの面からも問題があり、使用が敬遠されつゝあ
る。
【０００５】すなわち、廃棄処理されたプリント配線基
板を屋外において雨曝しにしておくと、はんだ中のＰb
が溶出して地下水を汚染し、人体に悪影響を及ぼすと云
う問題がある。また、天然のＰb は四種類の同位元素す
なわち、204 Ｐb,206 Ｐb, 207 Ｐb,208 Ｐb の混合物で
あり、Ｐb はトリウム（Ｔh ）崩壊系列，ウラニウム
（Ｕ）崩壊系列，アクチウム（Ａc ）崩壊系列の最終生
成物であることから、α崩壊を伴い、α線を放出するこ
とから、このα線の照射によりトランジスタが誤動作
（ソフトエラー）を生ずると云う問題がある。
板を屋外において雨曝しにしておくと、はんだ中のＰb
が溶出して地下水を汚染し、人体に悪影響を及ぼすと云
う問題がある。また、天然のＰb は四種類の同位元素す
なわち、204 Ｐb,206 Ｐb, 207 Ｐb,208 Ｐb の混合物で
あり、Ｐb はトリウム（Ｔh ）崩壊系列，ウラニウム
（Ｕ）崩壊系列，アクチウム（Ａc ）崩壊系列の最終生
成物であることから、α崩壊を伴い、α線を放出するこ
とから、このα線の照射によりトランジスタが誤動作
（ソフトエラー）を生ずると云う問題がある。
【０００６】そこで、このような問題を避けるために各
種の対策が施されている。例えば廃棄電子機器の野積み
を止めるとか、フリップ・チップ・タイプの半導体集積
回路（ＩＣ）の装着は、半球状をしたはんだバンプを多
層回路基板上にパターン形成されているバンプ（Bump）
に位置合わせして融着する装着方法が採られているが、
この場合に、はんだバンプより発するα線によるソフト
エラーを防ぐために、はんだバンプをトランジスタがマ
トリックス状に形成してある活性領域からずらせて周辺
領域に形成し、距離を稼ぐことによってα線の照射を防
ぐなどの方法が行われてきた。
種の対策が施されている。例えば廃棄電子機器の野積み
を止めるとか、フリップ・チップ・タイプの半導体集積
回路（ＩＣ）の装着は、半球状をしたはんだバンプを多
層回路基板上にパターン形成されているバンプ（Bump）
に位置合わせして融着する装着方法が採られているが、
この場合に、はんだバンプより発するα線によるソフト
エラーを防ぐために、はんだバンプをトランジスタがマ
トリックス状に形成してある活性領域からずらせて周辺
領域に形成し、距離を稼ぐことによってα線の照射を防
ぐなどの方法が行われてきた。
【０００７】然し、これらの方法は何れも応急的なもの
であり、本質的な方法として無鉛はんだの実用化が望ま
れている。
であり、本質的な方法として無鉛はんだの実用化が望ま
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】現在、はんだ付けには
二成分系或いは三成分系のはんだが使用されているが、
殆どのものが、Ｐb を構成成分として含んでいる。すな
わち、Ｐb は柔軟な金属であって、溶融はんだの流れを
良くし、狭い隙間に侵入させることができるなどの特徴
から採用されている。然し、Ｐb は野晒しにすると酸性
雨などの影響により炭酸鉛（Ｐb ＣＯ3 ）や硫酸鉛（Ｐ
b ＳＯ4 ）となって溶出し、地下水を汚染すると云う問
題があり、また、はんだバンプを構成するＰb からはα
線が照射されてトランジスタを誤動作させると云う問題
があり、これらの問題を無くするために無鉛はんだを実
用化することが課題である。
二成分系或いは三成分系のはんだが使用されているが、
殆どのものが、Ｐb を構成成分として含んでいる。すな
わち、Ｐb は柔軟な金属であって、溶融はんだの流れを
良くし、狭い隙間に侵入させることができるなどの特徴
から採用されている。然し、Ｐb は野晒しにすると酸性
雨などの影響により炭酸鉛（Ｐb ＣＯ3 ）や硫酸鉛（Ｐ
b ＳＯ4 ）となって溶出し、地下水を汚染すると云う問
題があり、また、はんだバンプを構成するＰb からはα
線が照射されてトランジスタを誤動作させると云う問題
があり、これらの問題を無くするために無鉛はんだを実
用化することが課題である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の課題は周期律表に
おいて IＶ族Ｂ列にあるＰbに隣接して存在し、自然環
境中で生ずる化合物が人体に対して無害であるインジウ
ム，ビスマスおよび錫を組合せて二成分はんだを構成
し、被処理基板のはんだ付け位置に金，銀，銅，ニッケ
ル，パラジウム，白金の内の一つよりなる濡れ性向上層
を設けて使用することを特徴として無鉛はんだを構成す
ることにより解決することができる。
おいて IＶ族Ｂ列にあるＰbに隣接して存在し、自然環
境中で生ずる化合物が人体に対して無害であるインジウ
ム，ビスマスおよび錫を組合せて二成分はんだを構成
し、被処理基板のはんだ付け位置に金，銀，銅，ニッケ
ル，パラジウム，白金の内の一つよりなる濡れ性向上層
を設けて使用することを特徴として無鉛はんだを構成す
ることにより解決することができる。
【００１０】
【作用】はんだの必要条件は、 半導体チップとこれを装着する回路基板との熱膨張
係数の違いにより生ずる応力を吸収できるような柔軟さ
を有すること、 ＤＩＰ（Dual-in-line Package) 方式やＱＦＰ（Qu
adruped Flat Package)方式をとる半導体装置を装着す
る場合のように高い接合強度をもっていること、 狭い隙間の間にも浸透できるように良好な流れ性を
もっていること、 であり、これらの条件を満たす代表的なものがＰb37 Ｓ
n63 共晶はんだである。
係数の違いにより生ずる応力を吸収できるような柔軟さ
を有すること、 ＤＩＰ（Dual-in-line Package) 方式やＱＦＰ（Qu
adruped Flat Package)方式をとる半導体装置を装着す
る場合のように高い接合強度をもっていること、 狭い隙間の間にも浸透できるように良好な流れ性を
もっていること、 であり、これらの条件を満たす代表的なものがＰb37 Ｓ
n63 共晶はんだである。
【００１１】発明者等はＰb レスはんだを実用化するに
当たって、Ｐb の代替となる元素の必要条件を検討した
結果、Ｐb と類似の性質を示すことが必須条件であり、
これは元素の周期律表においてＰb の周囲にあり、且
つ、毒性を有しない金属元素の組合せが適当であると考
えた。
当たって、Ｐb の代替となる元素の必要条件を検討した
結果、Ｐb と類似の性質を示すことが必須条件であり、
これは元素の周期律表においてＰb の周囲にあり、且
つ、毒性を有しない金属元素の組合せが適当であると考
えた。
【００１２】図１はＰb の周囲の周期律表を示すもの
で、元素番号82のＰb を囲んで元素番号49のＩn,元素番
号50のＳn,元素番号51のＳb,元素番号81のＴl,元素番号
83のＢi が存在するが、Ｔl とＳb はＰb と同様に化合
物は有毒なことから必要条件から外れ、結局、Ｉn,Ｂi,
Ｓn の組合せ、すなわち、Ｉn-Ｂi 系、Ｂi-Ｓn 系およ
びＩn-Ｓn 系をＰb レスはんだの候補として選んだ。そ
して、図２に示すメニスコグラフ試験などを行い、はん
だ付け性を調べた結果、何れの組合せについても良好な
結果を得ることができた。
で、元素番号82のＰb を囲んで元素番号49のＩn,元素番
号50のＳn,元素番号51のＳb,元素番号81のＴl,元素番号
83のＢi が存在するが、Ｔl とＳb はＰb と同様に化合
物は有毒なことから必要条件から外れ、結局、Ｉn,Ｂi,
Ｓn の組合せ、すなわち、Ｉn-Ｂi 系、Ｂi-Ｓn 系およ
びＩn-Ｓn 系をＰb レスはんだの候補として選んだ。そ
して、図２に示すメニスコグラフ試験などを行い、はん
だ付け性を調べた結果、何れの組合せについても良好な
結果を得ることができた。
【００１３】こゝで、これら二成分系のはんだは組成比
として共晶はんだが融点が最も低く、また、析出した合
金組成が同一であることから望ましいが、一方、Ｐb Ｓ
n 系はんだにおいて、Ｓn の組成比10〜90重量％のもの
が使用されているように組成比の異なる二成分合金が次
第に析出し、最終的に共晶合金が析出しても一向に差し
障りない。
として共晶はんだが融点が最も低く、また、析出した合
金組成が同一であることから望ましいが、一方、Ｐb Ｓ
n 系はんだにおいて、Ｓn の組成比10〜90重量％のもの
が使用されているように組成比の異なる二成分合金が次
第に析出し、最終的に共晶合金が析出しても一向に差し
障りない。
【００１４】次に、図２に示すメニスコグラフ試験を説
明すると、はんだ付けする試験片１にフラックスを塗布
した後、圧力センサを備えたメニスコグラフ試験機に装
着し（１の段階）、同図（Ａ）に示すようにはんだ浴２
の中に挿入すると、当初は溶融はんだが試験片１を弾き
出そうとする反撥力３が現れ（２の段階）、同図（Ｂ）
に示すように反撥力３が記録されるが、加温されたフラ
ックスにより試験片１の表面にある酸化膜が除去される
に従って濡れ性を生じて試験片１がはんだ浴２の中への
引き込み力４が生ずる（４の段階）。こゝで、メニスコ
グラフ試験は試験片１をはんだ浴２の挿入した後、試験
片１に加わる力が反撥力３から引き込み力４に変わるま
での時間を濡れ時間として評価する方法である。
明すると、はんだ付けする試験片１にフラックスを塗布
した後、圧力センサを備えたメニスコグラフ試験機に装
着し（１の段階）、同図（Ａ）に示すようにはんだ浴２
の中に挿入すると、当初は溶融はんだが試験片１を弾き
出そうとする反撥力３が現れ（２の段階）、同図（Ｂ）
に示すように反撥力３が記録されるが、加温されたフラ
ックスにより試験片１の表面にある酸化膜が除去される
に従って濡れ性を生じて試験片１がはんだ浴２の中への
引き込み力４が生ずる（４の段階）。こゝで、メニスコ
グラフ試験は試験片１をはんだ浴２の挿入した後、試験
片１に加わる力が反撥力３から引き込み力４に変わるま
での時間を濡れ時間として評価する方法である。
【００１５】次に、被処理基板のはんだ付けに当たって
はそのまゝでははんだ付けできない金属があり、また、
濡れ性の悪い金属があることからはんだ付け性向上のた
めの予備処理が必要となる。
はそのまゝでははんだ付けできない金属があり、また、
濡れ性の悪い金属があることからはんだ付け性向上のた
めの予備処理が必要となる。
【００１６】例えば、鉄（Ｆe ），チタン（Ｔi ），ク
ローム（Ｃr ）やアルミ（Ａl ）のように表面に不動態
皮膜を備える金属はそのまゝでははんだ付けできない。
また、Ｐb Ｓn 系はんだに対して金（Ａu ）は濡れ性は
極めて良好ではあるが、ＰbＳn 系はんだと容易に合金
を作って溶け込む（通称喰われ）と云う問題があり、そ
のために被処理基板のはんだ付け位置には濡れ性向上層
／バリア層／密着性向上層の三層構造の表面処理が行わ
れることが多い。
ローム（Ｃr ）やアルミ（Ａl ）のように表面に不動態
皮膜を備える金属はそのまゝでははんだ付けできない。
また、Ｐb Ｓn 系はんだに対して金（Ａu ）は濡れ性は
極めて良好ではあるが、ＰbＳn 系はんだと容易に合金
を作って溶け込む（通称喰われ）と云う問題があり、そ
のために被処理基板のはんだ付け位置には濡れ性向上層
／バリア層／密着性向上層の三層構造の表面処理が行わ
れることが多い。
【００１７】すなわち、被処理基板のはんだ付け位置に
はスパッタ法や真空蒸着法などの手段によりＴi やＣr
など、被処理基板との接着性の優れた金属膜を密着性向
上層として形成し、この上にニッケル（Ｎi ）のよう
に、はんだ付け性は良いが融点が高く（Ｎi の融点は14
55℃）容易にはんだ喰われが生じない金属膜をバリア層
として形成し、更に、この上にＡu ，銀（Ａg ），銅
（Ｃu ）, パラジウム（Ｐd ）, 白金（Ｐt ）など、は
んだの濡れ性の良い金属膜を濡れ性向上層として形成し
ている。そして、濡れ性向上層／バリア層／密着性向上
層の膜厚は3000Å／1000Å／1000Å程度をとることが多
い。
はスパッタ法や真空蒸着法などの手段によりＴi やＣr
など、被処理基板との接着性の優れた金属膜を密着性向
上層として形成し、この上にニッケル（Ｎi ）のよう
に、はんだ付け性は良いが融点が高く（Ｎi の融点は14
55℃）容易にはんだ喰われが生じない金属膜をバリア層
として形成し、更に、この上にＡu ，銀（Ａg ），銅
（Ｃu ）, パラジウム（Ｐd ）, 白金（Ｐt ）など、は
んだの濡れ性の良い金属膜を濡れ性向上層として形成し
ている。そして、濡れ性向上層／バリア層／密着性向上
層の膜厚は3000Å／1000Å／1000Å程度をとることが多
い。
【００１８】そこで、本発明に係るＰb レスはんだにお
いても、従来のＰb Ｓn 系はんだに使用されている三層
構造と同様な処理を施した結果、良好なはんだ付け性を
得ることができた。
いても、従来のＰb Ｓn 系はんだに使用されている三層
構造と同様な処理を施した結果、良好なはんだ付け性を
得ることができた。
【００１９】
実施例１：（Ｉn-Ｂi 系） 試験片としては厚さが500 μm のシリコン（Ｓi ）ウエ
ハを40×５ mm の寸法に切断した後、このＳi 片に密着
性向上層としてチタン（Ｔi ）を1000Åの厚さに、バリ
ア層としてニッケル（Ｎi ）を1000Åの厚さにスパッタ
した後、この上に濡れ性向上層として金（Ａu ），銀
（Ａg ）の二種類の金属をスパッタして試験片とし、は
んだ付け性を調べた。
ハを40×５ mm の寸法に切断した後、このＳi 片に密着
性向上層としてチタン（Ｔi ）を1000Åの厚さに、バリ
ア層としてニッケル（Ｎi ）を1000Åの厚さにスパッタ
した後、この上に濡れ性向上層として金（Ａu ），銀
（Ａg ）の二種類の金属をスパッタして試験片とし、は
んだ付け性を調べた。
【００２０】次に、はんだ浴としては、図３に示すＩn-
Ｂi 系状態図において、共晶組成イ（共晶温度72℃) を
示すＩn-34wtＢi と、Ｉn2Ｂi の合金組成( 融点89℃)
と、Ｉn Ｂi の合金組成( 融点110 ℃) を示す３種類の
はんだ浴について、それぞれの浴温を130 ℃,150℃およ
び160 ℃に保ち、Ａg を濡れ性向上層とする試料を用い
てメニスコグラフ試験を行った。
Ｂi 系状態図において、共晶組成イ（共晶温度72℃) を
示すＩn-34wtＢi と、Ｉn2Ｂi の合金組成( 融点89℃)
と、Ｉn Ｂi の合金組成( 融点110 ℃) を示す３種類の
はんだ浴について、それぞれの浴温を130 ℃,150℃およ
び160 ℃に保ち、Ａg を濡れ性向上層とする試料を用い
てメニスコグラフ試験を行った。
【００２１】その結果、３種類のはんだ浴の濡れ時間の
平均値は2.23秒,1.52 秒および1.57秒であって良好な結
果を得ることができた。 実施例２：（Ｓn-Ｂi 系) はんだ浴としては、図４に示すＳn-Ｂi 系状態図におい
て、共晶組成イ（共晶温度139 ℃) を示すＳn-57wtＢi
とＳn-79wtＢi(融点200 ℃) の２種類のはんだ浴につい
て、それぞれの浴温を190 ℃および265 ℃に保ち、Ａu
とＡg を濡れ性向上層とする試料を用いてメニスコグラ
フ試験を行った。
平均値は2.23秒,1.52 秒および1.57秒であって良好な結
果を得ることができた。 実施例２：（Ｓn-Ｂi 系) はんだ浴としては、図４に示すＳn-Ｂi 系状態図におい
て、共晶組成イ（共晶温度139 ℃) を示すＳn-57wtＢi
とＳn-79wtＢi(融点200 ℃) の２種類のはんだ浴につい
て、それぞれの浴温を190 ℃および265 ℃に保ち、Ａu
とＡg を濡れ性向上層とする試料を用いてメニスコグラ
フ試験を行った。
【００２２】その結果、２種類のはんだ浴の濡れ時間の
平均値はＡu を濡れ性向上層とする試料については0.52
秒および0.28秒、また、Ａg を濡れ性向上層とする試料
については0.42秒および0.32秒であって良好な結果を得
ることができた。 実施例３：（Ｉn-Ｓn 系) はんだ浴としては、図５に示すＩn-Ｓn 系状態図におい
て、共晶組成イ（共晶温度117 ℃) を示すＩn-48wtＳn
とＩn-30wtＳn （融点130 ℃) の２種類のはんだ浴につ
いて、それぞれの浴温を190 ℃および180 ℃に保ち、Ａ
u とＡg を濡れ性向上層とする試料を用いてメニスコグ
ラフ試験を行った。
平均値はＡu を濡れ性向上層とする試料については0.52
秒および0.28秒、また、Ａg を濡れ性向上層とする試料
については0.42秒および0.32秒であって良好な結果を得
ることができた。 実施例３：（Ｉn-Ｓn 系) はんだ浴としては、図５に示すＩn-Ｓn 系状態図におい
て、共晶組成イ（共晶温度117 ℃) を示すＩn-48wtＳn
とＩn-30wtＳn （融点130 ℃) の２種類のはんだ浴につ
いて、それぞれの浴温を190 ℃および180 ℃に保ち、Ａ
u とＡg を濡れ性向上層とする試料を用いてメニスコグ
ラフ試験を行った。
【００２３】その結果、２種類のはんだ浴の濡れ時間の
平均値はＡu を濡れ性向上層とする試料については0.48
秒および0.33秒、また、Ａg を濡れ性向上層とする試料
については0.83秒および0.67秒であって良好な結果を得
ることができた。
平均値はＡu を濡れ性向上層とする試料については0.48
秒および0.33秒、また、Ａg を濡れ性向上層とする試料
については0.83秒および0.67秒であって良好な結果を得
ることができた。
【００２４】
【発明の効果】Ｐb37 Ｓn63 をはんだ浴とし実施例に使
用したＡu を濡れ性向上層とする試料についてメニスコ
グラフ試験を行った結果は濡れ時間の平均値は0.46秒で
あり、これに較べてＩn-Ｂi 系，Ｓn-Ｂi 系およびＩn-
Ｓn 系の何れについても同様な結果を得ることができ、
これにより無鉛はんだとして使用できることが明らかに
なった。
用したＡu を濡れ性向上層とする試料についてメニスコ
グラフ試験を行った結果は濡れ時間の平均値は0.46秒で
あり、これに較べてＩn-Ｂi 系，Ｓn-Ｂi 系およびＩn-
Ｓn 系の何れについても同様な結果を得ることができ、
これにより無鉛はんだとして使用できることが明らかに
なった。
【図１】 周期律表の一部である。
【図２】 メニスコグラフ試験の説明図である。
【図３】 Ｉn-Ｂi 系状態図である。
【図４】 Ｓn-Ｂi 系状態図である。
【図５】 Ｉn-Ｓn 系状態図である。
１ 試験片 ２ はんだ浴 ３ 反撥力 ４ 引き込み力
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 赤松 俊也 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 清水 浩三 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 周期律表において IＶ族Ｂ列にある鉛元
素に隣接して存在し、自然環境中で生ずる化合物が人体
に対して無害であるインジウム，ビスマスおよび錫を組
合せて二成分はんだを構成し、被処理基板のはんだ付け
位置に金，銀，銅，ニッケル，パラジウム，白金の内の
一つよりなる濡れ性向上層を設けて使用することを特徴
とする無鉛はんだ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09533995A JP3185600B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | はんだ層 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09533995A JP3185600B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | はんだ層 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08290288A true JPH08290288A (ja) | 1996-11-05 |
| JP3185600B2 JP3185600B2 (ja) | 2001-07-11 |
Family
ID=14134951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09533995A Expired - Fee Related JP3185600B2 (ja) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | はんだ層 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3185600B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000141079A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-05-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 無鉛はんだ合金 |
| JP2004202581A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Agilent Technol Inc | ハーメチックシールを形成するシステム及び方法 |
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1995
- 1995-04-20 JP JP09533995A patent/JP3185600B2/ja not_active Expired - Fee Related
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