JP2004514559A - ぬれ性の改善された鉛非含有合金 - Google Patents
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Abstract
Description
発明の分野
本発明の分野は、ダイ取付はんだである。
【0002】
発明の背景
通常、集積回路を搭載するシリコンウェーハを複数のダイに切り出し、続いてダイを物理的に保護するためにパッケージ材料に取り付け、ダイ上の集積回路を複数の電気的コンタクトに電気的に接続する。当技術分野では、ダイを取り付ける(すなわち、ダイ取付け)様々な構成と方法が知られているが、その全てまたはほとんど全てが1つまたは複数の欠点を有している。
【0003】
たとえば、一方法では、ダイをエポキシ樹脂またはシアン酸エステル樹脂など高分子接着剤で基板に取り付ける。高分子接着剤は、しばしばいくつかの望ましい品質を示す。なかでも、シアン酸エステル含有ダイ取付接着剤は、通常200℃未満の温度で比較的短時間内に(すなわち数分以内に)硬化することができる(たとえば、米国特許第5,150,195号、第5,195,299号、第5,250,600号、第5,399,907号、および第5,386,000号参照)。さらに、高分子接着剤のあるものは、Nguyen等の米国特許第5,612,403号に開示されたように、硬化後に構造的柔軟性を保持することによって、柔軟性のある基板上への集積回路のダイ取付けを可能にする。しかし、多くの高分子接着剤は樹脂のバリができ易く、潜在的にダイと基板との望ましくない電気的コンタクトの劣化、または部分的もしくは全体的なダイの剥離にさえつながる。さらに、高分子接着剤を基板および/またはダイへ塗布するには、通常有機溶媒を使用する必要があり、これにより、溶媒が除去されたときに接着剤中が不均質になり易い。
【0004】
樹脂のバリによる問題の少なくともいくつかを回避するために、シリコーン組成物を含むダイ取付接着剤を使用してもよい。たとえば、ミタニ等の、米国特許第5,982,041号には、アクリル官能化オルガノポリシロキサンのフリーラジカル反応と、アルケニル官能化オルガノポリシロキサンとケイ素結合水素で官能化したオルガノポリシロキサンとのヒドロシリル化反応の両方を経て硬化するシリコーン組成物が記載されている。ミタニのシリコーン組成物は有利には、低分子量シリコーン油が移出するのを抑制し、それによって、半導体チップまたはリードフレームへのワイヤボンデング性が損なわれること、および樹脂シーラントと半導体チップ、基板、パッケージ、および/またはリードフレームとの間の接合の欠陥を含め、潜在的な問題を緩和する。しかし、ミタニのシリコーン組成物の硬化プロセスには、高エネルギー放射源が必要であり、ダイ取付プロセスにかなりのコストがかかる。さらに、ミタニのシリコーン組成物はやはり溶媒を必要とする。
【0005】
他の方法では(たとえば、Dietz等の米国特許第4,459,166号)、約325℃〜425℃の軟化温度を有する、高鉛濃度のホウケイ酸塩を含むガラスペ−ストが、ダイを基板に結合するのに使用される。ガラスペーストをダイと基板の間に置いた後、ガラスペーストを乾燥し、ダイを基板に永久に結合させるために加熱する。ガラスペーストは、通常低分子量成分の浸出に伴って生じる問題を免れるが、ダイと基板を永久に結合するには425℃以上の温度がしばしば必要になる。さらに、ガラスペーストは加熱、および冷却中にしばしば結晶化し、それによって、結合層の接着品質が劣化する。
【0006】
高い焼成温度に伴う問題の少なくともいくつかを回避するために、Dietz等の米国特許第5,076,876号に開示された、V2O5、Ti2O3、P2O5、およびAgを含む改善したガラスペースト組成物を使用することができる。こうした組成物は有利には、焼成温度(すなわち、永久的な接合を達成するために必要な温度)を350℃未満に低下させ、同時に望ましくない結晶化の発生を少なくする。しかし、電子デバイスを350℃に加熱するのは、応用によってはまだ高すぎて望ましくない。さらに、この改良ガラスペースト組成物を使用するには一般に溶媒が必要であり、特にダイが比較的大きい場合溶媒を除去するのが困難である。
【0007】
さらに他の方法では、ダイをはんだ付けで基板に取り付ける。ダイを基板にはんだ付けすることには、処理が比較的単純、塗布に溶媒が不要、および特に鉛系のはんだを用いるときは比較的低コストであることを含め、様々な利点がある。しかし、鉛の使用は、製造中だけでなく、鉛系のダイ接着剤を含む電子デバイスを廃棄(たとえば、埋立)した後も環境と健康の問題を引き起こす可能性がある。鉛系はんだの毒性を低減させるために、Sn系の合金中の鉛をビスマスなど様々な低融点金属によって置き換えて、共晶合金代替品を形成してきた(Tucker等の米国特許第4,929,423号参照)。しかし、共晶合金代替品は通常270℃よりかなり低い溶融温度を示し、これが特に、組み立てられた電子デバイス(すなわち、ダイを基板に取り付けた)が下流の工程(たとえば、超音波はんだ付け)で共晶合金代替品の融点以上の温度に曝された場合に問題となる。
【0008】
当技術分野では、ダイ取付けの様々な方法が知られているが、その全てまたはほとんど全てが1つまたは複数の欠点を有している。したがって、ダイ取付けのための改善された方法および組成物がなお必要である。
【0009】
発明の概要
本発明は、ダイが結合層を介して基板の金属コンタクトに取り付けられた電子デバイスを対象とし、結合層がZn、Al、Mg、およびGaからなる群から選択される少なくとも2種の金属からなる合金を含み、この合金がさらに、Zn,Al、Mg、およびGa以外の少なくとも1種の犠牲用化学元素であって、合金より高い酸素親和力を有する元素を微量を超えて(すなわち、10ppmを超えて)含む。代替となる対象合金は、Sn、Ag、Bi、Zn、およびCuからなる群から選択される少なくとも2種の金属を含み、この合金がさらに、Sn、Ag、Bi、Zn、およびCu以外の少なくとも1種の犠牲用化学元素であって、合金より高い酸素親和力を有する元素を微量を超えて(すなわち、10ppmを超えて)含む。他の任意選択の合金は、Sn、Sb、Bi、およびAgからなる群から選択される少なくとも2種の金属を含み、この合金がさらに、Sn、Sb、Bi、およびAg以外の少なくとも1種の犠牲用化学元素であって、合金より高い酸素親和力を有する元素を微量を超えて(すなわち、10ppmを超えて)含む。このダイが、好ましくは半導体または集積回路を備え、金属コンタクトが、好ましくは銅または銅合金を含む。
【0010】
本発明の主題の一態様では、この合金がZn、Al、Mg、およびGaを、好ましくは、Znを85〜95重量%の範囲、Alを3〜8重量%の範囲、Mgを1〜5重量%の範囲、およびGaを1〜5重量%の範囲で含む。他の特別に企図された合金は、残部がSnであるとき、Ag、Cu、Bi、およびZnを、好ましくはAgが1〜5重量%の範囲にあり、Cuが0.5〜2.5重量%の範囲にあり、AgおよびCuがそれぞれ、0〜5重量%および0〜2.5重量%の範囲にあり、AgおよびBiがそれぞれ、0〜5重量%および0〜6重量%の範囲にあり、あるいはZnおよびBiがそれぞれ、0.5〜2.5重量%および0〜6重量%の範囲にある組成として含む。
【0011】
さらに特に対象とする合金は、Sn、Ag、Bi、およびSbを、好ましくは、Sbが5〜15重量%の範囲にあり、Biが0〜6重量%の範囲にあり、残りがSnである組成、あるいはAgが20〜30重量%の範囲にあり、Sbが5〜15重量%の範囲にあり、残部がSnである組成として含む。
【0012】
本発明の主題の他の態様では、合金より酸素親和力が高い犠牲用化学元素は、Al、Ba、Ca、Ce、Cs、Hf、Li、Mg、Nd、P、Sc、Sr、Ti、Y、またはZrである。この元素が約10ppm〜1000ppmの濃度で存在するのが好ましい。対象とする合金の融点は、少なくとも270℃、好ましくは270℃〜330℃である。
【0013】
本発明の様々な目的、特徴、態様、および利点は、添付図面と共に本発明の好ましい実施形態についての以下の詳細な説明からより明らかになろう。
【0014】
図面の簡単な説明
図1は、本発明の主題による電子デバイスの側面概略図である。
【0015】
詳細な説明
本明細書で用いられる、「合金」という用語は、2種またはもっと多種の金属の均質な混合物または固溶体であり、1種の金属の原子が、他種の金属の原子の間にある格子間位置に入れ替わるかまたはそこを占めることを指す。
【0016】
本明細書で用いられる、「酸素親和力」という用語は、化合物または元素が、酸素のラジカル、分子、またはイオンと反応して、それぞれの酸化物を生成する傾向を指すが、その酸化物は化学的に安定であるか(すなわち、酸化物は単離できる)、またはさらに反応して、化学的および/または熱力学的により安定な形態になるかもしれない。たとえば、カルシウムは、同じ反応条件下では白金よりかなり早い速度で酸化し、したがって、上記定義の範囲では、白金よりかなり酸素親和力が高い。
【0017】
図1では、電子デバイス100は、電気的コンタクト120が上に配置されている基板110を有する。結合層130により、ダイ140が電気的コンタクト120に電気的に接続され、かつ物理的に結合されている。
【0018】
基板110は通常、集積回路ダイのパッケージに使用される材料であり、対象とする材料としては、成型プラスチック、積層プラスチック、プレスセラミック、積層セラミックがある。当技術分野では、適当な基板用の多くの材料および構成が知られており、その全てが本明細書に示された教示と併せて使用することを意図している。たとえば、適当な基板の収集がC.A.HarperのElectronic Packaging & interconnection Handbook、出版元McGraw−Hill社、第2版、1997(ISBN 0−07−026694−8)に出ている。
【0019】
電気的コンタクト120に関しては、広範な様々な電気的コンタクトが適することを意図しており、特に好ましいコンタクトとしては、銅コンタクト、または金もしくは銀層をスパッタリングおよび/またはメッキした銅コンタクトがある。耐腐食性が特に望ましい場合は、適当なコンタクトとしては、金、白金、銀、その他を含む貴金属とその合金としてもよい。コンタクトおよび複数のコンタクトは基板よりかなり薄い(たとえば、500ミクロン未満の導電性の微量または薄い金属層)ものを意図しているが、ピン形コンタクト、または500ミクロンよりかなり厚いコンタクトも意図している。たとえば、コンタクトが同時に熱シンクとして使用される場合は、厚さが約800〜1000ミクロン以上の銅版を使用してもよい。さらに、コンタクトを、蒸着、電気メッキおよび無電解メッキ、スパッタリング、光化学蒸着を含む様々な方法、または接着剤を用いる方法によって基板上に取り付ける、または堆積させることを意図している。
【0020】
結合層130は、好ましくはZn、Mg、Al、およびGaを含む合金であり、Znが85〜95重量%の範囲、Alが3〜8重量%の範囲、Mgが1〜5重量%の範囲、Gaが1〜5重量%の範囲にある。本発明の主題のいっそう好ましい態様では、合金が、Znを約90重量%、Alを約5重量%、Mgを約3重量%、Gaを約2重量%含む。
【0021】
通常、Zn、Mg、Al、およびGaを含む合金が好ましいが、融解温度が少なくとも270℃、好ましくは約270℃〜450℃の範囲、よりいっそう好ましくは280℃〜380℃であれば、様々な代替の合金も対象とする。
【0022】
たとえば、経済的配慮が特に関連する場合は、代替合金は、Sn、Ag、Bi、Zn、およびCuを含んでもよい。特に好ましい態様では、Agを1〜5重量%の範囲で含み、残りがSnである。あるいはCuを0.5〜2.5重量%の範囲でSnと合金を作ってもよい。他の対象合金では、残りがSnであるとき、Ag、およびCuがそれぞれ0〜5重量%および0〜2.5重量%の範囲にあり、AgおよびBiがそれぞれ0〜5重量%および0〜6重量%、またはZn、およびBiがそれぞれ0.5〜2.5重量%および0〜6重量%の範囲にある。
【0023】
あるいは、ZnおよびCuの含有が望ましくない場合は、対象とする合金は、Sn、Ag、Bi、およびSbを、好ましくは、Sbが5〜15重量%の範囲、およびBiが0〜6重量%の範囲にあり、残部がSnである組成、またはAgが20〜30重量%の範囲、およびSbが5〜15重量%の範囲であり、残部がSnである組成として含んでもよい。
【0024】
しかし、明示的に除外されないが、Pbは対象とする合金として好ましくない成分であることを理解されたい。さらに、本明細書に示した本発明の主題の合金の組成は、有機もしくは無機成分、元素、および自然に生成されるその酸化物および/または誘導体の付随的な不純物を含んでもよいことを理解されたい。たとえば、不純物としては、オイル,アンチモン、ホウ酸塩、その他がある。
【0025】
酸素親和力が合金の他の成分より高い犠牲用化学元素に関しては、犠牲用化学元素はリン、カルシウム、もしくはチタン、またはその任意の組み合わせであることが好ましい。しかし、犠牲用化学元素の酸素親和力が合金の酸素親和力より高ければ、様々な代替犠牲用化学元素も対象となる。したがって、適当な犠牲用化学元素はまた、アルカリ金属、遷移金属、およびAl、Ba、Ca、Ce、Cs、Hf、Li、Mg、Nd、P、Sc、Sr、Ti、Y、またはZrを含む非遷移金属でもよい。特に、元素が合金の「非必須の成分」である、すなわち元素濃度が1重量%未満であることを意図している。したがって、元素の好ましい濃度は約10ppmから約1000ppmであり、主に、使用する個々の合金、金属コンタクト中に存在する酸化物量、およびダイ取付けのためのはんだ付け工程を実施する条件によって決まる。たとえばダイ取付けを不活性雰囲気下で実施する場合、および金属コンタクトが主に金を含む場合、約10〜100ppmの比較的低濃度が適当である。同様に、元素が比較的高い酸素親和力(たとえば、リチウム)を有する場合は、100ppm未満の濃度でもよい。
【0026】
一方、はんだ付け工程を酸素を含む雰囲気中で実施する場合は、10ppm〜1000ppm以上の高い元素濃度を意図している。同様に、酸素親和力が比較的低い元素が使用された場合(たとえば、チタン)は、適当な濃度は約200ppm〜1000ppm以上の範囲である。
【0027】
本発明の主題のさらに他の態様では、酸素親和力が合金の酸素親和力より高い1つ以上の元素を結合層中に使用することを意図しており、対象とする合金が2成分、3成分、およびより多い成分の元素の混合物を含んでもよい。たとえば、適当な合金は、混合物およびその個々の成分が合金の酸素親和力より高い酸素親和力を有していれば、PおよびTi、またはCa、Sr、およびPの混合物を含んでもよい。さらに、分子が合金の酸素親和力より大きな酸素親和力を有していれば、元素に限らず、有機および/または有機金属分子を使用してもよいことを理解されたい。たとえば、有機金属還元剤(すなわち、酸素親和力が比較的高い試薬)が望ましい場合は、CEP(トリスカルボキシエチルホスフィン)を使用してもよい。
【0028】
いかなる特定の理論にも縛られることは望まないが、合金より酸素親和力が高い元素は、融解したまたは溶融はんだの表面張力を増加させることが知られている、金属酸化物を還元することを意図している。したがって、はんだ付け中に金属酸化物量が減少すると、通常、溶融はんだの表面張力を減少させて、それによってはんだのぬれ性がかなり増加する。
【0029】
ダイ140に関しては、シリコンまたはサファイアウェーハから作製され、複数の半導体素子を設けるように処理することを意図している。当技術分野では多くのダイが知られており、本明細書ではその全てを使用することを意図している。好ましいダイは、集積回路を備え、1または2mm2未満〜数cm2のサイズでもよい。さらに、ダイが結合層に接触する面に金属被覆を有し、金属被覆が、Au/Si、Ag/Sn、Cu/In、Au/Sn合金、銅、および金または銀被覆銅を含む、様々な金属および金属合金を含んでもよいことを意図している。
【0030】
このように、ダイ取付用の鉛を含まない合金の具体的な実施形態および応用例を開示した。しかし、当技術者には、本明細書の本発明の概念から逸脱することなく、すでに述べたこと意外にもさらに多くの変更形態が可能であることは明らかであろう。したがって、本発明の主題は、添付の目的とする特許請求の範囲のほかには、限定されるものではない。さらに、本明細書および目的とする特許請求の範囲の両方の解釈に際しては、全ての用語は文脈と一貫した、可能な最も広い方法で解釈するべきである。特に「comprises(含む、備える、有する)」および「comprising(含む、備える、有する)」という用語は、要素、成分、または工程を非限定的に指し示しており、指し示された要素、成分、または段階が、他のはっきりとは指し示されていない要素、成分、または工程と共に存在し、使用され、または組み合わされることを示すものと解釈するべきである。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の主題による電子デバイスの側面概略図である。
Claims (21)
- 第1面および第2面を有するダイ、
金属コンタクトを有する基板、および
ダイの第1面と基板の金属コンタクトとを結合する結合層を備える電子デバイスであって、
結合層がZn、Al、Mg、およびGaからなる群から選択される少なくとも2種の金属からなる合金を含み、かつ
該合金がさらに、Zn、Al、Mg、およびGa以外の少なくとも1種の犠牲用化学元素であって、合金より高い酸素親和力を有する元素を含む、該電子デバイス。 - 第1面および第2面を有するダイ、
金属コンタクトを有する基板、および
ダイの第1面と基板の金属コンタクトとを結合する結合層を備える電子デバイスであって、
結合層がSn、Ag、Bi、Sb、およびCuからなる群から選択される少なくとも2種の金属からなる合金を含み、かつ
該合金がさらに、Sn、Ag、Bi、Sb、およびCu以外の少なくとも1種の犠牲用化学元素であって、合金より高い酸素親和力を有する元素を含む、該電子デバイス。 - 第1面および第2面を有するダイ、
金属コンタクトを有する基板、および
ダイの第1面と基板の金属コンタクトとを結合する結合層を備える電子デバイスであって、
結合層がSn、Ag、Bi、およびSbからなる群から選択される少なくとも2種の金属からなる合金を含み、かつ
該合金がさらに、Sn、Ag、Bi、およびSb以外の少なくとも1種の犠牲用化学元素であって、合金より高い酸素親和力を有する元素を含む、該電子デバイス。 - ダイが半導体を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- ダイが集積回路を備える請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 金属コンタクトが銅合金を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 金属コンタクトが銅を含む請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 合金がZn,Al、Mg、およびGaを含む請求項1に記載の電子デバイス。
- 合金が、Znを85〜95重量%の範囲、Alを3〜8重量%の範囲、Mgを1〜5重量%の範囲、およびGaを1〜5重量%の範囲で含む請求項8に記載の電子デバイス。
- 合金がSnおよびAgを含み、Agが1〜5重量%の範囲にある請求項2に記載の電子デバイス。
- 合金がSnおよびCuを含み、Cuが0.5〜2.5重量%の範囲にある請求項2に記載の電子デバイス。
- 合金がSn、CuおよびAgを含み、Agが1〜5重量%の範囲にあり、Cuが0.5〜2.5重量%の範囲にある請求項2に記載の電子デバイス。
- 合金がSn、BiおよびAgを含み、Agが0〜5重量%の範囲にあり、Biが0〜6重量%の範囲にある請求項2に記載の電子デバイス。
- 合金がSn、ZnおよびBiを含み、Znが0.5〜2.5重量%の範囲にあり、Biが0〜6重量%の範囲にある請求項2に記載の電子デバイス。
- 合金がSn、SbおよびBiを含み、Sbが5〜15重量%の範囲にあり、Biが0〜6重量%の範囲にある請求項3に記載の電子デバイス。
- 合金がSn、SbおよびAgを含み、Sbが5〜15重量%の範囲にあり、Agが20〜30重量%の範囲にある請求項3に記載の電子デバイス。
- 少なくとも1種の犠牲用化学元素が、Al、Ba、Ca、Ce、Cs、Hf、Li、Mg、Nd、P、Sc、Sr、Ti、Y、またはZrからなる群から選択される請求項1から3のいずれか一項に記載の電子デバイス。
- 少なくとも1種の犠牲用化学元素が、10ppm〜1000ppmの濃度で存在する請求項17に記載の電子デバイス。
- 合金が少なくとも270℃の融点を有する請求項1または3に記載の電子デバイス。
- 合金が270℃〜330℃の温度範囲の融点を有する請求項1または3に記載の電子デバイス。
- 少なくとも1種の犠牲用化学元素が、P、Ca、およびTiからなる群から選択され、合金が270℃〜330℃の温度範囲の融点を有する請求項1または3に記載の電子デバイス。
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