JPH08281552A - 半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置 - Google Patents
半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置Info
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- JPH08281552A JPH08281552A JP8900395A JP8900395A JPH08281552A JP H08281552 A JPH08281552 A JP H08281552A JP 8900395 A JP8900395 A JP 8900395A JP 8900395 A JP8900395 A JP 8900395A JP H08281552 A JPH08281552 A JP H08281552A
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- Japan
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- polishing
- wafer
- disk
- pressure
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 鏡面研磨で平坦度の高いウェーハを容易に得
るウェーハ鏡面研磨方法と装置を提供する。 【構成】 研磨定盤８はモータなどが接続された研磨定
盤回転軸９により回転駆動され、接着円盤２と相対的に
回転運動しながら加圧円盤４により接着円盤２を押圧し
ながら自転運動をさせ、ポリッシングパッド７上に研磨
剤１２を供給することによりウェーハ１の表面を鏡面研
磨する装置であって、研磨の際にウェーハ１を自転回転
させるため、研磨後のウェーハ１の形状は軸対称の凸あ
るいは凹形状になり、平坦度の等高線は同心円状にな
り、接着円盤２の形状を流体あるいは気体４ｄによる研
磨圧力の大きさおよび与える範囲を制御することにより
凸形状を形成し、ポリッシングパッド７の粘弾性により
縁ダレ形状および研磨定盤８の形状変化とに合わせウェ
ーハ１の研磨加工面の圧力分布を均一にし、ウェーハの
平坦度を向上する手段を有している。
るウェーハ鏡面研磨方法と装置を提供する。 【構成】 研磨定盤８はモータなどが接続された研磨定
盤回転軸９により回転駆動され、接着円盤２と相対的に
回転運動しながら加圧円盤４により接着円盤２を押圧し
ながら自転運動をさせ、ポリッシングパッド７上に研磨
剤１２を供給することによりウェーハ１の表面を鏡面研
磨する装置であって、研磨の際にウェーハ１を自転回転
させるため、研磨後のウェーハ１の形状は軸対称の凸あ
るいは凹形状になり、平坦度の等高線は同心円状にな
り、接着円盤２の形状を流体あるいは気体４ｄによる研
磨圧力の大きさおよび与える範囲を制御することにより
凸形状を形成し、ポリッシングパッド７の粘弾性により
縁ダレ形状および研磨定盤８の形状変化とに合わせウェ
ーハ１の研磨加工面の圧力分布を均一にし、ウェーハの
平坦度を向上する手段を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハの研磨方法お
よび装置に係り、特にＳｉなどの半導体ウェーハを保持
し、他方の面を鏡面研磨するのにおいて、ウェーハの平
坦度の向上を指向したウェーハの研磨方法および装置に
関するものである。
よび装置に係り、特にＳｉなどの半導体ウェーハを保持
し、他方の面を鏡面研磨するのにおいて、ウェーハの平
坦度の向上を指向したウェーハの研磨方法および装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の研磨方法は、表面にポリッシング
パッド７を接着した研磨定盤８を、その回転駆動軸６の
まわりに回転させ、前記ポリッシングパッド７と対抗す
る面にウェーハ１を複数枚接着した接着円盤１５の該ウ
ェーハを加圧リング１６により前記ポリッシングパッド
７に押圧しながら研磨剤１２を供給するものである。
パッド７を接着した研磨定盤８を、その回転駆動軸６の
まわりに回転させ、前記ポリッシングパッド７と対抗す
る面にウェーハ１を複数枚接着した接着円盤１５の該ウ
ェーハを加圧リング１６により前記ポリッシングパッド
７に押圧しながら研磨剤１２を供給するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の研磨方法ではウ
ェーハ１が複数枚接着円盤１５に接着固定されるため、
研磨時にポリッシングパッド７の粘弾性特性による縁ダ
レ効果の影響を受けてウェーハ１の形状が鞍型になる
（図７（ａ）参照）。しかも、研磨時に研磨定盤７の形
状の影響を受けてテーパーが生じウェーハ１の平坦度が
悪化する（図７（ｂ），（ｃ）参照）。また、研磨中の
接着円盤１５の傾きによるグローバルなテーパーを抑え
るため接着円盤１５に接着するウェーハ１の厚みを揃え
ねばならず、研磨前に厚み分級する工程が必要であった
（図８（ａ）参照）。
ェーハ１が複数枚接着円盤１５に接着固定されるため、
研磨時にポリッシングパッド７の粘弾性特性による縁ダ
レ効果の影響を受けてウェーハ１の形状が鞍型になる
（図７（ａ）参照）。しかも、研磨時に研磨定盤７の形
状の影響を受けてテーパーが生じウェーハ１の平坦度が
悪化する（図７（ｂ），（ｃ）参照）。また、研磨中の
接着円盤１５の傾きによるグローバルなテーパーを抑え
るため接着円盤１５に接着するウェーハ１の厚みを揃え
ねばならず、研磨前に厚み分級する工程が必要であった
（図８（ａ）参照）。
【０００４】本発明は、このような従来の研磨手段の問
題点を解消し、鏡面研磨で平坦度の高いウェーハを容易
に得ることができるウェーハ鏡面研磨方法と装置を提供
することを目的とする。
題点を解消し、鏡面研磨で平坦度の高いウェーハを容易
に得ることができるウェーハ鏡面研磨方法と装置を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴とするとこ
ろは、ウェーハ１を枚葉で接着円盤２に接着し、該接着
円盤２の裏面に流体あるいは気体４ｄを媒体として研磨
圧力を負荷し、研磨定盤８の形状変化およびポリッシン
グパッド７の粘弾性による縁ダレ形状とに合わせた凸形
状を接着円盤２に形成してウェーハ１の研磨加工面の圧
力分布を均一にし、またガイド円盤３により接着円盤２
を公転させながらかつ加圧円盤４に取り付けられたゴム
スカート４ａを介して接着円盤２に自転運転を与えてウ
ェーハ１の形状が軸対称になるようにして研磨すること
にある。
ろは、ウェーハ１を枚葉で接着円盤２に接着し、該接着
円盤２の裏面に流体あるいは気体４ｄを媒体として研磨
圧力を負荷し、研磨定盤８の形状変化およびポリッシン
グパッド７の粘弾性による縁ダレ形状とに合わせた凸形
状を接着円盤２に形成してウェーハ１の研磨加工面の圧
力分布を均一にし、またガイド円盤３により接着円盤２
を公転させながらかつ加圧円盤４に取り付けられたゴム
スカート４ａを介して接着円盤２に自転運転を与えてウ
ェーハ１の形状が軸対称になるようにして研磨すること
にある。
【０００６】
【作用】枚葉で接着円盤２に接着されたウェーハ１は、
該接着円盤２の裏面に流体あるいは気体４ａを媒体とし
て研磨定盤８の形状変化およびポリッシングパッド７の
粘弾性による縁ダレ形状に合わせて制御された研磨圧力
が負荷され、ウェーハ１はポリッシングパッド７に対し
て球状の凸形状になり、ウェーハ１の研磨加工面の圧力
分布が均一になる。ウェーハ１はガイド円盤３により接
着円盤２を公転させながら、かつ加圧円盤４に取り付け
られたゴムスカート４ａを介して接着円盤２に自転運動
を与え、ウェーハ１の研磨面が研磨定盤８に接着された
ポリッシングパッド７の全面に均一に当たり、研磨定盤
８の形状変化にもかかわらずウェーハ１の形状が軸対称
になり、研磨定盤８の形状変化によるテーパーの発生を
抑制して平坦度が向上する。
該接着円盤２の裏面に流体あるいは気体４ａを媒体とし
て研磨定盤８の形状変化およびポリッシングパッド７の
粘弾性による縁ダレ形状に合わせて制御された研磨圧力
が負荷され、ウェーハ１はポリッシングパッド７に対し
て球状の凸形状になり、ウェーハ１の研磨加工面の圧力
分布が均一になる。ウェーハ１はガイド円盤３により接
着円盤２を公転させながら、かつ加圧円盤４に取り付け
られたゴムスカート４ａを介して接着円盤２に自転運動
を与え、ウェーハ１の研磨面が研磨定盤８に接着された
ポリッシングパッド７の全面に均一に当たり、研磨定盤
８の形状変化にもかかわらずウェーハ１の形状が軸対称
になり、研磨定盤８の形状変化によるテーパーの発生を
抑制して平坦度が向上する。
【０００７】また、枚葉で接着円盤２に接着されたウェ
ーハ１は、複葉で接着した場合と異なり、研磨中の接着
円盤２の傾きが少なく、異なる厚みのウェーハ１を同時
に研磨できるため、研磨前に厚み分級する必要がない。
ーハ１は、複葉で接着した場合と異なり、研磨中の接着
円盤２の傾きが少なく、異なる厚みのウェーハ１を同時
に研磨できるため、研磨前に厚み分級する必要がない。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を具現化する装置の一実施例
を、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施
例に係るウェーハ鏡面研磨装置の要部を示す構成図であ
り、図２〜８に示した部材と共通する部材には同一の符
号を付し、その説明は一部省略してある。
を、図面に基づいて説明する。図１は、本発明の一実施
例に係るウェーハ鏡面研磨装置の要部を示す構成図であ
り、図２〜８に示した部材と共通する部材には同一の符
号を付し、その説明は一部省略してある。
【０００９】図１に示すように、ウェーハ鏡面研磨装置
は、被研磨材としてのウェーハ１を保持する接着円盤２
を有し、該接着円盤２におけるウェーハ１を保持した側
と対向する面にはポリッシングパッド７を接着した研磨
定盤８が配置されている。接着円盤２を研磨定盤８に対
して加圧する加圧機構として加圧円盤４と、この加圧円
盤４に加圧力と自転回転運動を伝達する加圧円盤公転盤
５が設けられている。この加圧円盤４の下方位置に、前
記接着円盤２が装着されており、ウェーハ１が枚葉で接
着された接着円盤２が加圧円盤公転盤５と同じ公転運動
をするガイド円盤３に複数枚装着されるようになってい
る。ガイド円盤３は研磨摩擦力による横荷重をセンター
ガイドローラー１０とサイドガイドローラー１１に分散
している。研磨定盤８は、図示しないモータなどが接続
された研磨定盤回転軸９により回転駆動され、接着円盤
２と相対的に回転運動する。研磨定盤８の上面には粘弾
性体であるポリッシングパッド７が接着され、加圧円盤
４に供給された流体あるいは気体４ｄの圧力により接着
円盤２を研磨定盤８に押圧しながら自転運動をさせ、ガ
イド円盤３を介して公転運動を接着円盤２に与えながら
ポリッシングパッド７上に研磨剤１２を供給することに
よりウェーハ１の表面が鏡面研磨される。研磨圧力用の
流体あるいは気体４ｄの圧力は圧力調整弁１３および制
御装置１４により精度良く供給される。
は、被研磨材としてのウェーハ１を保持する接着円盤２
を有し、該接着円盤２におけるウェーハ１を保持した側
と対向する面にはポリッシングパッド７を接着した研磨
定盤８が配置されている。接着円盤２を研磨定盤８に対
して加圧する加圧機構として加圧円盤４と、この加圧円
盤４に加圧力と自転回転運動を伝達する加圧円盤公転盤
５が設けられている。この加圧円盤４の下方位置に、前
記接着円盤２が装着されており、ウェーハ１が枚葉で接
着された接着円盤２が加圧円盤公転盤５と同じ公転運動
をするガイド円盤３に複数枚装着されるようになってい
る。ガイド円盤３は研磨摩擦力による横荷重をセンター
ガイドローラー１０とサイドガイドローラー１１に分散
している。研磨定盤８は、図示しないモータなどが接続
された研磨定盤回転軸９により回転駆動され、接着円盤
２と相対的に回転運動する。研磨定盤８の上面には粘弾
性体であるポリッシングパッド７が接着され、加圧円盤
４に供給された流体あるいは気体４ｄの圧力により接着
円盤２を研磨定盤８に押圧しながら自転運動をさせ、ガ
イド円盤３を介して公転運動を接着円盤２に与えながら
ポリッシングパッド７上に研磨剤１２を供給することに
よりウェーハ１の表面が鏡面研磨される。研磨圧力用の
流体あるいは気体４ｄの圧力は圧力調整弁１３および制
御装置１４により精度良く供給される。
【００１０】図２に自転加圧盤部について詳細を示すよ
うに、ウェーハ１を枚葉で接着した接着円盤２を加圧円
盤４の自転加圧円盤の下方に装着する。加圧円盤公転盤
５、加圧円盤自転軸４ｃ、自転加圧円盤４ｂに開けられ
た穴を通して接着円盤２の裏面に供給された研磨圧力用
の流体あるいは気体４ｄはゴムスカート４ａによりシー
ルされ、流体あるいは気体４ｄの圧力により接着円盤２
の裏面を押圧してウェーハ１に研磨圧力を負荷する。ま
た、自転加圧円盤４ｂの自転回転はゴムスカート４ａを
介して接着円盤２に伝達される。
うに、ウェーハ１を枚葉で接着した接着円盤２を加圧円
盤４の自転加圧円盤の下方に装着する。加圧円盤公転盤
５、加圧円盤自転軸４ｃ、自転加圧円盤４ｂに開けられ
た穴を通して接着円盤２の裏面に供給された研磨圧力用
の流体あるいは気体４ｄはゴムスカート４ａによりシー
ルされ、流体あるいは気体４ｄの圧力により接着円盤２
の裏面を押圧してウェーハ１に研磨圧力を負荷する。ま
た、自転加圧円盤４ｂの自転回転はゴムスカート４ａを
介して接着円盤２に伝達される。
【００１１】図３に示すように、ガイド円盤３は開口部
が設けられており、接着円盤２が複数枚装着される構造
を有する。また、ガイド円盤３は研磨円盤回転軸６の軸
回転運動を中継し、公転運動として接着円盤２に伝達す
る。
が設けられており、接着円盤２が複数枚装着される構造
を有する。また、ガイド円盤３は研磨円盤回転軸６の軸
回転運動を中継し、公転運動として接着円盤２に伝達す
る。
【００１２】図４にウェーハ１を本発明の装置を用いて
研磨した場合の特徴を示す。ウェーハ１の平坦度を悪化
させる原因として、ポリッシングパッド７の粘弾性特性
による縁ダレおよび研磨定盤８の形状の影響による凹凸
がある。研磨の際にウェーハ１が自転回転するため、い
ずれの平坦度悪化の影響を受けても、研磨後のウェーハ
１の形状は軸対称の凸あるいは凹形状になり、平坦度の
等高線は同心円状になる。
研磨した場合の特徴を示す。ウェーハ１の平坦度を悪化
させる原因として、ポリッシングパッド７の粘弾性特性
による縁ダレおよび研磨定盤８の形状の影響による凹凸
がある。研磨の際にウェーハ１が自転回転するため、い
ずれの平坦度悪化の影響を受けても、研磨後のウェーハ
１の形状は軸対称の凸あるいは凹形状になり、平坦度の
等高線は同心円状になる。
【００１３】図５に示すように、接着円盤２の形状を流
体あるいは気体４ｄによる研磨圧力の大きさおよび与え
る範囲を制御することにより凸形状を形成し、ポリッシ
ングパッド７の粘弾性による縁ダレ形状および研磨定盤
８の形状変化とに合わせ、ウェーハ１の研磨加工面の圧
力分布を均一にし、非常に平坦度の良いウェーハを得る
ことができる。
体あるいは気体４ｄによる研磨圧力の大きさおよび与え
る範囲を制御することにより凸形状を形成し、ポリッシ
ングパッド７の粘弾性による縁ダレ形状および研磨定盤
８の形状変化とに合わせ、ウェーハ１の研磨加工面の圧
力分布を均一にし、非常に平坦度の良いウェーハを得る
ことができる。
【００１４】図６に示すように、従来は大型の接着円盤
１５を用い、ウェーハ１を複葉枚接着していた。図７に
ウェーハ１を複葉枚接着した接着円盤１５を用いて研磨
した場合の特徴を示す。従来の研磨方法ではウェーハ１
が複数枚接着円盤１５に接着固定されるため、研磨時に
ポリッシングパッド７の粘弾性特性による縁ダレ効果の
影響を受けてウェーハ１の形状が鞍型になる（図７
（ａ）参照）。また、研磨時に研磨定盤８の形状の影響
を受け、研磨定盤８が凸形状のとき内ズリテーパー、研
磨定盤８が凹形状のとき外ズリテーパーが生じてウェー
ハ１の平坦度が悪化していた（図７（ｂ），（ｃ）参
照）。
１５を用い、ウェーハ１を複葉枚接着していた。図７に
ウェーハ１を複葉枚接着した接着円盤１５を用いて研磨
した場合の特徴を示す。従来の研磨方法ではウェーハ１
が複数枚接着円盤１５に接着固定されるため、研磨時に
ポリッシングパッド７の粘弾性特性による縁ダレ効果の
影響を受けてウェーハ１の形状が鞍型になる（図７
（ａ）参照）。また、研磨時に研磨定盤８の形状の影響
を受け、研磨定盤８が凸形状のとき内ズリテーパー、研
磨定盤８が凹形状のとき外ズリテーパーが生じてウェー
ハ１の平坦度が悪化していた（図７（ｂ），（ｃ）参
照）。
【００１５】図８に厚み差の大きいウェーハ１を同時に
研磨した場合の特徴を示す。（ａ）に示す従来の方法で
は、ウェーハ１の厚み差が大きいと複葉接着した接着円
盤１５が研磨中に傾き、接着円盤１３全面にわたるテー
パー（グローバルテーパー）が生じる。この研磨中の接
着円盤１５の傾きによるグローバルテーパーを抑えるた
めには接着円盤１５に接着するウェーハ１の厚み差を抑
えねばならず、そのためには研磨前に厚み分級する作業
工程が必要であった。図８（ｂ）に示す本発明では、ウ
ェーハ１を個々に枚葉で各接着円盤２に接着しているの
で、厚み差の大きいウェーハを同時に研磨しても平坦度
に影響がなく、従って冗長な厚み分級工程を省略するこ
とができる。
研磨した場合の特徴を示す。（ａ）に示す従来の方法で
は、ウェーハ１の厚み差が大きいと複葉接着した接着円
盤１５が研磨中に傾き、接着円盤１３全面にわたるテー
パー（グローバルテーパー）が生じる。この研磨中の接
着円盤１５の傾きによるグローバルテーパーを抑えるた
めには接着円盤１５に接着するウェーハ１の厚み差を抑
えねばならず、そのためには研磨前に厚み分級する作業
工程が必要であった。図８（ｂ）に示す本発明では、ウ
ェーハ１を個々に枚葉で各接着円盤２に接着しているの
で、厚み差の大きいウェーハを同時に研磨しても平坦度
に影響がなく、従って冗長な厚み分級工程を省略するこ
とができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、ウェーハを枚葉で接着する接着円盤が自転および公
転運動し、ポリッシングパッドの粘弾性による縁ダレ形
状および研磨定盤の形状変化に合わせて接着円盤の形状
を流体あるいは気体で制御して均一な研磨圧力をウェー
ハに与えて平坦度の高いウェーハの鏡面研磨加工をでき
る。また、厚み差の大きいウェーハを同時に研磨しても
平坦度に影響がなく、厚み分級工程を省略することがで
きる。
は、ウェーハを枚葉で接着する接着円盤が自転および公
転運動し、ポリッシングパッドの粘弾性による縁ダレ形
状および研磨定盤の形状変化に合わせて接着円盤の形状
を流体あるいは気体で制御して均一な研磨圧力をウェー
ハに与えて平坦度の高いウェーハの鏡面研磨加工をでき
る。また、厚み差の大きいウェーハを同時に研磨しても
平坦度に影響がなく、厚み分級工程を省略することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例に係るウェーハ鏡面研磨装置
の要部を示す構成図である。
の要部を示す構成図である。
【図２】図１に示される加圧円盤の詳細構造とウェーハ
が接着された接着円盤の配置を示す。
が接着された接着円盤の配置を示す。
【図３】図１に示されるガイド円盤の平面図と接着円盤
の装着位置を示す。
の装着位置を示す。
【図４】本発明のウェーハの平坦度を表す等高線図と接
着円盤の研磨時の状態を示す。
着円盤の研磨時の状態を示す。
【図５】本発明の接着円盤変形による平坦度の向上例を
示す。
示す。
【図６】従来の大型接着円盤を用いたウェーハ複葉枚の
接着例を示す。
接着例を示す。
【図７】従来のウェーハの平坦度を表す等高線図と接着
円盤の研磨時の状態を示す。
円盤の研磨時の状態を示す。
【図８】厚み差のあるウェーハが接着された場合のウェ
ーハ研磨形状を示す。
ーハ研磨形状を示す。
１ ウェーハ ２ 接着円盤 ３ ガイド円盤 ４ 加圧円盤 ４ａ ゴムスカート ４ｂ 自転加圧円盤 ４ｃ 加圧円盤自転軸 ４ｄ 加圧流体あるいは加圧気体 ５ 加圧円盤公転盤 ６ 研磨円盤回転軸 ７ ポリッシングパッド ８ 研磨定盤 ９ 研磨定盤回転軸 １０ センターガイドローラー １１ サイドガイドローラー １２ 研磨剤 １３ 圧力調整弁 １４ 制御装置 １５ 複葉接着円盤 １６ 加圧リング
Claims (2)
- 【請求項１】 表面にポリッシングパッド（７）を接着
した研磨定盤（８）をその回転軸（９）のまわりに駆動
回転させ、前記ポリッシングパッド（７）と対向する面
にウェーハ（１）を接着した接着円盤（２）の該ウェー
ハ（１）を加圧円盤（４）により前記ポリッシングパッ
ド（７）に押圧しながら研磨剤（１２）を供給すること
によって前記ウェーハ（１）を研磨する方法において、
ウェーハ（１）を枚葉で接着する接着円盤（２）を用
い、該接着円盤（２）の裏面に流体あるいは気体（４
ｄ）を媒体として研磨圧力を負荷し、研磨定盤（８）の
形状変化およびポリッシングパッドの粘弾性による縁ダ
レ形状とに合わせた凸形状を接着円盤（２）に形成して
ウェーハ（１）の研磨加工面の圧力分布を均一にし、ま
たガイド円盤（３）により接着円盤（２）を公転させな
がらかつ加圧円盤（４）に取り付けられたゴムスカート
（４ａ）を介して接着円盤（２）に自転運動を与えてウ
ェーハ（１）の形状が軸対称になるようにして研磨定盤
（８）の形状変化によるテーパーの発生を抑制し、ウェ
ーハ（１）の平坦度を向上することを特徴とする半導体
ウェーハ研磨方法。 - 【請求項２】 表面にポリッシングパッド（７）を接着
した研磨定盤（８）をその回転軸（９）のまわりに駆動
回転させ、前記ポリッシングパッド（７）と対向する面
にウェーハ（１）を接着した接着円盤（２）の該ウェー
ハ（１）を加圧円盤（４）により前記ポリッシングパッ
ド（７）に押圧しながら研磨剤（１２）を供給すること
によって前記ウェーハ（１）を研磨する装置において、
ウェーハ（１）を枚葉で接着する接着円盤（２）を用
い、該接着円盤（２）の裏面に流体あるいは気体（４
ｄ）を媒体として研磨圧力を負荷し、研磨定盤（８）の
形状変化およびポリッシングパッドの粘弾性による縁ダ
レ形状とに合わせた凸形状を接着円盤（２）に形成して
ウェーハ（１）の研磨加工面の圧力分布を均一にし、ま
たガイド円盤（３）により接着円盤（２）を公転させな
がらかつ加圧円盤（４）に取り付けられたゴムスカート
（４ａ）を介して接着円盤（２）に自転運動を与えてウ
ェーハ（１）の形状が軸対称になるようにして研磨定盤
（８）の形状変化によるテーパーの発生を抑制して平坦
度を向上する構造と、該接着円盤（２）の裏面に流体あ
るいは気体（４ｄ）を媒体として研磨圧力を負荷するた
めの圧力調整弁（１３）と制御装置（１４）とを具備し
たことを特徴とする半導体ウェーハ研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8900395A JPH08281552A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8900395A JPH08281552A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08281552A true JPH08281552A (ja) | 1996-10-29 |
Family
ID=13958648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8900395A Withdrawn JPH08281552A (ja) | 1995-04-14 | 1995-04-14 | 半導体ウェーハ鏡面研磨方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08281552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010097902A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計 |
| CN104400567A (zh) * | 2014-09-25 | 2015-03-11 | 厦门理工学院 | 一种金属板的超镜面抛光方法 |
-
1995
- 1995-04-14 JP JP8900395A patent/JPH08281552A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010097902A1 (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | セイコーインスツル株式会社 | ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計 |
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