WO2010097902A1 - ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計 - Google Patents

Abstract

　研磨装置を用いてガラス基板を研磨するガラス基板の研磨方法であって、前記研磨装置は、第１中心軸回りに回転駆動する定盤と、前記第１中心軸から偏心した第２中心軸の周りを回転可能とされ、前記ガラス基板を前記定盤に向けて押圧するプレートと、前記プレートに形成され、前記ガラス基板の中心軸を前記第２中心軸から偏心させた状態で前記ガラス基板を保持しつつ、前記ガラス基板の面方向への移動を規制するワークホルダとを備え、前記ガラス基板と前記定盤との間に研磨材を介在させた状態で、前記ガラス基板を前記ワークホルダ内で回転可能に保持しつつ、前記定盤を回転させて前記ガラス基板を研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。

Description

ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計

　本発明は、ガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計に関するものである。

　近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたベース基板（第１基板）及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片（電子部品）とを備えている。

　このタイプの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで２層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納されている。
　このような２層構造タイプの圧電振動子としては、ガラス材料からなるベース基板にキャビティに連通する貫通孔と、この貫通孔内に配置された貫通電極と、ベース基板の外面側に設けられ、貫通電極を介して圧電振動片と電気的に接続された外部電極とを備えたものがある。
特開２００１－１０５３０７号公報

　ところで、上述した圧電振動子のベース基板に貫通孔を形成する方法としては、例えばサンドブラスト法やプレス成形等によりベース基板の表面側に凹部を形成した後、ベース基板の裏面を研磨（片面研磨）することで、凹部を貫通させる方法が知られている。基板の片面研磨としては、例えば特許文献１に示されるように、基板を保持する保持盤に、吸着パッドを介して基板の一方の面を水吸着させ、この状態で基板を研磨定盤に圧接する方法や、ワックスを用いて基板を保持盤に貼着する方法等が一般的である。そして、定盤と基板との間に研磨材を介在させた状態で、定盤を回転駆動させることで基板の他方の面を研磨できるようになっている。

　しかしながら、貫通孔を形成する際に上述した片面研磨の方法を採用すると、吸着パッドの吸着力によってベース基板に反りが生じ、この反りによってベース基板の面方向で研磨レートのばらつきが生じる。また、ワックスを用いて基板を貼着すると、ワックスの膜厚ムラ等によって基板が保持盤に対して傾いた状態で保持される虞がある。この状態で研磨を行うと、基板の常に同じ部位のみが下定盤に接触して研磨されることになる。その結果、最終的なベース基板の仕上がり厚みにばらつきが生じ、ベース基板の平行度が低下する、いわゆる片減りが発生するという問題がある。
　片減りがあるベース基板をリッド基板に接合しようすると、互いの接合面との間に隙間が生じる虞があり、その結果、キャビティ内の気密を確保することができない場合がある。

　本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、ガラス基板の面方向における仕上がり厚みのばらつきを低減させ、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するため、本発明に係るガラス基板の研磨方法は、研磨装置を用いてガラス基板を研磨するガラス基板の研磨方法であって、前記研磨装置は、第１中心軸回りに回転駆動する定盤と、前記第１中心軸から偏心した第２中心軸の周りを回転可能とされ、前記ガラス基板を前記定盤に向けて押圧するプレートと、前記プレートに形成され、前記ガラス基板の中心軸を前記第２中心軸から偏心させた状態で前記ガラス基板を保持しつつ、前記ガラス基板の面方向への移動を規制するワークホルダとを備え、前記ガラス基板と前記定盤との間に研磨材を介在させた状態で、前記ガラス基板を前記ワークホルダ内で回転可能に保持しつつ、前記定盤を回転させて前記ガラス基板を研磨することを特徴としている。

　この構成によれば、ガラス基板をプレートに吸着固定させず研磨することで、従来のように吸着パッド等を用いてガラス基板を吸着固定させた状態で研磨する場合と異なり、ガラス基板の反りを防止することができる。また、ワークホルダ内でガラス基板が傾いて保持されることもない。そして、ガラス基板をワークホルダ内で回転可能に保持するとともに、ワークホルダが形成されたプレートも回転可能に保持することで、ガラス基板の一方の面と定盤とを、互いの面方向全域に亘って平行に配置することができる。これにより、ガラス基板を面方向全域に亘って、均一な押圧力で押圧することができる。よって、ガラス基板の一方の面を均一に研磨することができるので、ガラス基板の面方向における仕上がり厚みのばらつきを低減させ、ガラス基板の平行度を向上させることができる。その結果、ガラス基板等の比較的軟らかい材料を研磨する場合であっても、片減り等を防止して、所望の仕上がり厚みに形成することができる。

　また、前記ガラス基板の一方の面を研磨することで、前記ガラス基板の他方の面に形成された凹部を貫通させ、前記ガラス基板に貫通孔を形成することを特徴としている。
　この構成によれば、ガラス基板に直接貫通孔を形成する場合に比べて、貫通孔の開口縁等にバリが発生することがないので、良好な形状の貫通孔を形成することができる。

　また、前記プレートには、前記ガラス基板の研磨量を規制する規制部材が、前記常盤に向けて立設されていることを特徴としている。
　この構成によれば、規制部材と定盤とが接触することで、それ以上の研磨を規制することができ、ガラス基板の仕上がり厚みの制御を容易に行うことができる。すなわち、従来のように研磨材の研磨レート等に基づいて仕上がり厚みの制御を行う場合には、研磨材の劣化により研磨材の研磨レートが経時変化するため、膜厚制御が難しいという問題があった。
　これに対して、本発明の構成によれば、研磨前にプレートからの規制部材の突出量を決定するだけで、ガラス基板の仕上がり厚みを調整することができる。そのため、ガラス基板の仕上がり厚みを高精度、かつ容易に管理することができる。

　また、前記ガラス基板の仕上がり厚みをＴ、前記研磨材の最大粒子径をＤとすると、前記規制部材の高さＨを、Ｔ＋２Ｄに設定することを特徴としている。
　この構成によれば、規制部材の高さＨを、Ｔ＋２Ｄに設定することで、研磨時に定盤とガラス基板の一方の面との間に介在する研磨材、及びワークホルダ内に侵入して、ガラス基板の他方の面とプレートの下面との間に介在する研磨材の粒径の大きさを考慮し、ガラス基板を所望の仕上がり厚みに形成することができる。

　また、前記プレートには、複数の前記ワークホルダが形成され、前記プレートが前記定盤の周方向に沿って複数配されていることを特徴としている。
　この構成によれば、複数のガラス基板を一括して研磨することができるので、作業効率の向上を図ることができる。

　また、本発明のパッケージの製造方法は、互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を配するための貫通孔形成工程を有し、前記貫通孔形成工程は、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用い、ガラス材料からなる前記第１基板に貫通孔を形成することを特徴としている。
　この構成によれば、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用いて研磨を行うことで、第１基板の接合面との間に隙間を生じさせることがなく、良好な状態で各基板を接合することができ、キャビティ内の気密を確保することができる。

　また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴としている。
　この構成によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるため、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。

　また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。

　また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。

　また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。

　本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、振動特に優れた信頼性の高い製品を提供することができる。

　本発明に係るガラス基板の研磨方法によれば、ガラス基板の一方の面を均一に研磨することができるので、ガラス基板の面方向における仕上がり厚みのばらつきを低減させ、ガラス基板の平行度を向上させることができる。その結果、ガラス基板等の比較的軟らかい材料を研磨する場合であっても、片減り等を防止して、所望の仕上がり厚みに形成することができる。
　また、本発明に係るパッケージの製造方法によれば、上記本発明のガラス基板の研磨方法を用いて研磨を行うことで、第１基板の接合面との間に隙間を生じさせることがなく、良好な状態で各基板を接合することができ、キャビティ内の気密を確保することができる。
　また、本発明に係る圧電振動子によれば、上記本発明のパッケージの製造方法によって製造された圧電振動子であるため、振動特性に優れ信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
　本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、振動特性に優れ信頼性の高い製品を提供することができる。

本発明の実施の形態による圧電振動子の一例を示す外観斜視図である。 圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。 図２のＡ－Ａ線に沿う断面図である。 圧電振動子の分解斜視図である。 図１に示す圧電振動子を製造する際に使用する鋲体の斜視図である。 図１に示す圧電振動子を製造する流れを示すフローチャートである。 貫通孔形成工程を示す工程図であって、ベース基板用ウエハの断面を示す図である。 貫通孔形成工程を示す工程図であって、ベース基板用ウエハの断面を示す図である。 貫通孔形成工程を示す工程図であって、ベース基板用ウエハの断面を示す図である。 第１研磨工程で用いる片面研磨装置を示す概略構成図である。 片面研磨装置の平面図である。 押圧プレートの平面図である。 第１研磨工程を示す工程図であり、片面研磨装置の拡大図である。 第１研磨工程を示す工程図であり、片面研磨装置の拡大図である。 第１研磨工程を示す工程図であり、片面研磨装置の拡大図である。 貫通電極形成工程を示す工程図であり、ベース基板用ウエハの断面図である。 貫通電極形成工程を示す工程図であり、ベース基板用ウエハの断面図である。 貫通電極形成工程を示す工程図であり、ベース基板用ウエハの断面図である。 本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。 本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。

符号の説明

１…圧電振動子（パッケージ）　５…圧電振動片（電子部品）　８，９…貫通電極　２０，２１…スルーホール（貫通孔）　４０…ベース基板用ウエハ（ガラス基板，第１基板）４０ａ…表面（他方の面）４０ｂ…裏面（一方の面）　４１…凹部　５１…片面研磨装置（研磨装置）　５３…定盤（下定盤）　５４…押圧プレート（プレート）　６２…ワークホルダ　１００…発振器　１０１…発振器の集積回路　１１０…携帯情報機器（電子機器）　１１３…電子機器の計時部　１３０…電波時計　１３１…電波時計のフィルタ部　Ｃ…キャビティ

発明を実施するための形態

　以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
　（圧電振動子）
　図１は、本実施形態における圧電振動子の外観斜視図であり、図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図３は図２に示すＡ－Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
　図１～４に示すように、圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片５が収納された表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の外側に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。

　ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対のスルーホール（貫通孔）２１，２２が形成されている。スルーホール２１，２２は、ベース基板２の下面から上面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。

　リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３のベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。
　この凹部３ａは、ベース基板２およびリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合層２３を介して陽極接合されている。

　圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
　この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる平面視略コの字型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極に電気的に接続された一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。

　このように構成された圧電振動片５は、図３，４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の上面に形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の上面から浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。

　また、外部電極６，７は、ベース基板２下面の長手方向の両端に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。

　貫通電極８，９は、スルーホール２１，２２の中心軸に配設された芯材部３１と、芯材部３１とスルーホール２１，２２との間に充填されたガラスフリット３２ａが焼成されて形成された筒体３２とから構成されている。一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７の上方で引き回し電極２８の下方に位置している。
　貫通電極８，９は、筒体３２が芯材部３１をスルーホール２１，２２に対して一体的に固定しており、芯材部３１及び筒体３２がスルーホール２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持している。

　図５は鋲体の斜視図である。
　芯材部３１は、円柱状に形成された導電性の金属芯材で、両端が平坦で且つベース基板２の厚みと同じ厚さである。また、貫通電極８，９が完成品として形成された場合には、上述したように芯材部３１は、円柱状でベース基板２の厚みと同じ厚さとなるように形成されているが、製造過程では、図５に示すように、芯材部３１の一方の端部に連結された平板状の土台部３６と共に鋲体３７を形成している。また、この土台部３６は製造過程において、研磨されて除去されている（後に製造方法で説明する）。
　すなわち、貫通電極８、９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。

　筒体３２は、ペースト状のガラスフリット３２ａが焼成されたもので、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚さで、中心軸に芯材部３１が貫通する貫通孔が形成されている。筒体３２は、スルーホール２１，２２と同形のテーパ状の外形をしている。そして、この筒体３２は、スルーホール２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、スルーホール２１，２２に対して強固に固着されるとともに、芯材部３１を強固に固定している。
　このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。

　（圧電振動子の製造方法）
　次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図６に示すフローチャートを参照しながら説明する。
　まず、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ（不図示）を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハを形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハの接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。この時点で、第１のウエハ作製工程が終了する。

　次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０（図７参照）を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第２のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、ベース基板用ウエハ４０に一対の貫通電極８，９を配置するためのスルーホール２１，２２を複数形成するスルーホール形成工程を行う（Ｓ３２）。

　ここで、上述したスルーホール形成工程（Ｓ３２）について詳細を説明する。図７～図９はスルーホール形成工程の工程図であり、ベース基板用ウエハの断面を示している。
　まず、図７に示すように、第２のウエハ作成工程（Ｓ３０）で形成されたベース基板用ウエハ４０を用意し、図８に示すように、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに、後にスルーホール２１，２２（図２参照）となる所定深さＱの凹部４１を形成する（Ｓ３２Ａ：凹部形成工程）。具体的には、ベース基板用ウエハ４０に対してプレス加工を行なうことで、底面４１ａから開口縁に向かうにつれ内径が漸次広がる断面テーパ形状の凹部４１を形成する。なお、本実施形態では、ベース基板用ウエハ４０の表面（他方の面）４０ａが上述したベース基板２（図３参照）の下面となる面であり、裏面（一方の面）４０ｂがベース基板２の上面となる面である。

　　（第１研磨工程）
　次に、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂを研磨して、凹部４１をベース基板用ウエハ４０の厚さ方向に貫通させる（Ｓ３２Ｂ：第１研磨工程）。
　ベース基板用ウエハ４０の研磨は、図１０に示すような、片面研磨装置５１を使用して行う。

　　　（片面研磨装置）
　図１０は片面研磨装置の概略構成図であり、図１１は片面研磨装置の平面図である。
　図１０，１１に示すように、片面研磨装置５１は、平面視円形状の上定盤５２と、上定盤５２と同形状に形成された下定盤（定盤）５３と、上定盤５２に連結され、ベース基板用ウエハ４０を下定盤５３に向けて押圧する押圧プレート（プレート）５４と、上定盤５２と下定盤５３との間に研磨剤５６を流入する研磨剤流入手段５５と、下定盤５３を中心軸Ｏ１回りに回転駆動させる駆動手段（不図示）とを主に備えている。

　下定盤５３は、後述するダイヤモンドポイント６０との接触によっても研磨されないような特殊合金鋼からなり、その上面（研磨面）５３ａには中心軸（第１中心軸）Ｏ１から径方向外側に向けて放射状に、溝（不図示）が切欠き形成されている。そして、下定盤５３は、上述した駆動手段を駆動することによって、中心軸Ｏ１回りに回転し得るように支持されている。

　押圧プレート５４は、セラミック等からなる円板形状のものであり、下定盤５３の周方向に沿って等間隔に複数（例えば、４台）配置されている。すなわち、押圧プレート５４の中心軸（第２中心軸）Ｏ２は、下定盤５３の中心軸Ｏ１に対して偏心した位置に配置されている。押圧プレート５４の上面には、押圧プレート５４の中心軸Ｏ２に沿って立設されたプレートシャフト６１が固定されている。このプレートシャフト６１の上端側は、上定盤５２に回転可能に支持されており、押圧プレート５４は下定盤５３の回転に連動して中心軸Ｏ２回りに回転するように構成されている。

　図１２は、押圧プレートの平面図である。
　図１２に示すように、押圧プレート５４の下面（下定盤５３との対向面）には、周方向に沿って等間隔に複数（例えば、５箇所）のワークホルダ６２が設けられている。このワークホルダ６２は、ベース基板用ウエハ４０の直径よりも僅かに大きい内径を有するリング状の部材であり、下面から下定盤５３（図１０参照）に向けて立設されている。すなわち、ワークホルダ６２は、ベース基板用ウエハ４０の中心軸を押圧プレート５４の中心軸Ｏ２から偏心させた状態で収容しており、研磨時においてベース基板用ウエハ４０の面方向への移動を規制するようになっている。このように、押圧プレート５４に複数のワークホルダ６２が形成されているため、複数のベース基板用ウエハ４０を一括して研磨することができる。そのため、作業効率の向上を図ることができる。

　また、押圧プレート５４の下面における外周側には、周方向に沿って等間隔に複数（例えば、４箇所）のダイヤモンドポイント（規制部材）６０が設けられている。このダイヤモンドポイント６０は、ボールネジ構造をなしており、押圧プレート５４に設置され、押圧プレート５４の厚さ方向に貫通するネジ孔を有するベース部６３と、ネジ孔に螺入されたスクリュシャフト６４と、スクリュシャフト６４の先端（下端）に取り付けられ、先端に向けて先細るように形成されたダイヤモンド部６５とを備えている。ダイヤモンドポイント６０は、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴを制御するためのものであり、研磨時にダイヤモンド部６５の先端が下定盤５３に接触することで、それ以上の研磨を規制するためのものである。すなわち、ダイヤモンドポイント６０は、スクリュシャフト６４及びダイヤモンド部６５の押圧プレート５４の下面からの突出量（高さ）Ｈ（図１３参照）を調整できるようになっており、これにより、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴを設定できるようになっている。なお、本実施形態の第１研磨工程（Ｓ３２Ｂ）でのベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴは、凹部４１の底面４１ａが貫通する位置、すなわち凹部４１の深さＱと同値である。

　研磨剤流入手段５５は、研磨剤５６が貯留された収容部（不図示）と、収容部にポンプを介して接続され、収容部から供給される研磨剤５６を下定盤５３の上面５３ａに供給する供給部７０とを備えている。供給部７０は、下定盤５３の中心軸Ｏ１と同軸上に配置されており、供給部７０から放射状に延出する複数の供給管７２を備えている。供給管７２は、各押圧プレート５４間を下定盤５３の径方向外側に沿って延出しており、先端の供給口が下定盤５３の径方向におけるプレートシャフト６１よりも内周側に配置されている。

　図１３～１５は第１研磨工程の工程図であり、上述した片面研磨装置の拡大図である。
　上述した片面研磨装置５１を用いて第１研磨工程（Ｓ３２Ｂ）を行うには、まず図１３に示すように、ベース基板用ウエハ４０を押圧プレート５４の各ワークホルダ６２内にセットする。具体的には、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａを押圧プレート５４の下面に向けた状態で、押圧プレート５４の下面にベース基板用ウエハ４０を水貼りする。なお、ベース基板用ウエハ４０は押圧プレート５４の下面に水貼りしているだけなので、所定時間経過後または研磨開始直後には押圧プレート５４からベース基板用ウエハ４０が剥がれることになる。すなわち、本実施形態では、研磨開始位置にベース基板用ウエハ４０が搬送されるまで、ベース基板用ウエハ４０が押圧プレート５４に吸着されていればよい。

　次に、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴに基づいて、ダイヤモンドポイント６０（スクリュシャフト６４及びダイヤモンド部６５）の突出量Ｈを調整する。この場合、ダイヤモンドポイント６０の突出量Ｈは、ベース基板用ウエハ４０の凹部４１が貫通した時点における、ベース基板用ウエハ４０の厚みを仕上がり厚みＴ、研磨剤流入手段５５から供給される研磨剤５６の最大粒径をＤとすると、Ｔ＋２Ｄ程度に設定することが好ましい。これは、研磨時に下定盤５３とベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂとの間に介在する研磨剤５６、及びワークホルダ６２内に侵入して、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａと押圧プレート５４の下面との間に介在する研磨剤５６の粒径の大きさを考慮するためである。なお、本実施形態の第１研磨工程（Ｓ３２Ｂ）では、上述したように研磨剤５６がベース基板用ウエハ４０の表面４０ａと押圧プレート５４の下面との間に介在することがあるが、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａが研磨されることはほとんどなく、研磨後に不具合が生じる虞はない。

　次に、研磨剤流入手段５５を駆動させ、供給口から下定盤５３上に研磨剤５６を供給する。そして、図１４に示すように、押圧プレート５４を下降させ、研磨剤５６を介してベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂを下定盤５３に向けて所定の押圧力で押圧する。
　その後、下定盤５３の駆動手段を駆動させ、下定盤５３を中心軸Ｏ１回りに回転させる。これにより、ベース基板用ウエハ４０の研磨が開始する。

　ここで、図１１，１４に示すように、下定盤５３が中心軸Ｏ１回りに回転すると（図１１中矢印Ｆ参照）、まず下定盤５３とベース基板用ウエハ４０との間の摩擦力により、ベース基板用ウエハ４０と押圧プレート５４との吸着が解除される。これにより、ベース基板ウエハ４０がワークホルダ６２内によって、面方向の移動を規制されたのみの状態で、ワークホルダ６２内を移動可能に保持されることになる。その結果、下定盤５３とベース基板用ウエハ４０との間の摩擦力により、ベース基板用ウエハ４０がワークホルダ６２内で回転し始める（例えば、図１１中矢印Ｇ方向）。

　さらに、押圧プレート５４とベース基板用ウエハ４０との間の摩擦力によって、押圧プレート５４が中心軸Ｏ２回りに回転する（図１１中矢印Ｈ参照）。このように、本実施形態の第１研磨工程（Ｓ３２Ｂ）では下定盤５３の回転に連動して、押圧プレート５４が中心軸Ｏ２回りに、またベース基板用ウエハ４０がその中心軸回りに回転するようになっている。これにより、下定盤５３とベース基板用ウエハ４０とが研磨剤５６を間に介在させた状態で相対移動することで、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂを連続的に研磨していくことができる。この場合、ベース基板用ウエハ４０は、ワークホルダ６２内で自由に回転しながら研磨されるので、面内での仕上がり厚みＴのばらつきを防止して、平行度の高いベース基板用ウエハ４０を作成することができる。

　図１５に示すように、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂを研磨し続けると、ダイヤモンドポイント６０のダイヤモンド部６５が下定盤５３に接触する。この時、ダイヤモンド部６５は下定盤５３に研磨されないようになっているため、押圧プレート５４がこれ以上下降することはない。これにより、押圧プレート５４からベース用基板ウエハ４０に作用する押圧力が解除され、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴ以上の研磨を抑制することができる。なお、ダイヤモンド部６５が下定盤５３に接触したか否かの判断は、ダイヤモンド部６５と下定盤５３上に形成された上述した溝部との接触音等により判断することができる。

　そして、図９に示すように、ベース基板用ウエハ４０が仕上がり厚みＴだけ研磨されることで、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに所定深さＱで形成された凹部４１の底面４１ａが、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂを貫通する。これにより、ベース基板用ウエハ４０に、厚さ方向に貫通するスルーホール２１，２２を形成することができる。このように、本実施形態では、プレス加工により凹部４１を形成した後、この凹部４１を貫通させることでスルーホール２１，２２を形成することができるので、ベース基板用ウエハ４０に直接貫通孔を形成することがない。そのため、スルーホール２１，２２の開口縁等にバリが発生することがないので、良好な形状のスルーホール２１，２２を形成することができる。

　図１６～１８は、貫通電極形成工程を示す工程図であり、ベース基板用ウエハ４０の断面を示している。
　続いて、図６，１６に示すように、第１研磨工程（Ｓ３２Ｂ）で形成されたスルーホール２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。
　具体的には、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂ側からスルーホール２１，２２内に向けて、鋲体３７の芯材部３１を挿入する（Ｓ３３Ａ）。その後、図１７に示すように、スルーホール２１、２２と芯材部３１との隙間にペースト状のガラスフリット３２ａを充填し（Ｓ３３Ｂ）、所定の温度で焼成しガラスフリット３２ａを固化させる（Ｓ３３Ｃ）。

　このように、土台部３６をベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂに接触させることで、ペースト状のガラスフリット３２ａを確実にスルーホール２１，２２内に充填させることができる。また、土台部３６は、平板状に形成されているため、鋲体３７および、鋲体３７の設置されたベース基板用ウエハ４０は、がたつき等がなく安定するので、作業性の向上を図ることができる。特に、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂは、上述した第１研磨工程において仕上がり厚みＴのばらつきが少ない、平行度の高い面として形成されているため、鋲体３７のがたつきを確実に防ぐことができる。
　そして、ガラスフリット３２ａは焼成されて固化し、鋲体３７を密着状態で固定するとともに、スルーホール２１，２２に固着してスルーホール２１，２２を封止することができる。

　続いて、図１８に示すように、鋲体３７の土台部３６を研磨して除去する（Ｓ３３Ｄ：第２研磨工程）。これにより、スルーホール２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の表面４０ａに対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。

　次に、ベース基板用ウエハ４０の上面に導電性材料をパターニングして、接合層２３を形成する接合層形成工程を行う（Ｓ３４）とともに、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３５）。このようにして、ベース基盤用ウエハ４０の製作工程が終了する。

　そして、このように形成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハとで形成するキャビティＣ内に、圧電振動片５を配置して貫通電極８，９に実装し、ベース基板用ウエハ４０とリッド基板用ウエハとを陽極接合してウエハ接合体を形成する。
　そして、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し、圧電振動子１の周波数を微調整する。そして、ウエハ接合体を小片化する切断を行い、内部の電気特性検査を行うことで圧電振動片を収容したパッケージ（圧電振動子１）が形成される。

　このように、本実施形態では、下定盤５３の回転に連動して、押圧プレート５４をその中心軸Ｏ２回りに回転させるとともに、ベース基板用ウエハ４０をワークホルダ６２内で回転させる構成とした。
　この構成によれば、第１研磨工程において、下定盤５３とベース基板用ウエハ４０との間の摩擦力によって、ベース基板用ウエハ４０がワークホルダ６２内を回転するとともに、ベース基板用ウエハ４０と押圧プレート５４との摩擦力により、押圧プレート５４が中心軸Ｏ２回りに回転することになる。すなわち、ベース基板用ウエハ４０を押圧プレート５４に吸着固定させず研磨することで、従来のように吸着パッド等を用いてベース基板用ウエハ４０を押圧プレート５４に吸着固定させた状態で研磨する場合と異なり、ベース基板用ウエハ４０の反りを防止することができる。また、ワークホルダ６２内でベース基板用ウエハ４０が傾いて保持されることもない。
　これにより、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂと下定盤５３の上面５３ａとを、互いの面方向全域に亘って平行に配置することができるので、ベース基板用ウエハ４０を面方向全域に亘って、均一な押圧力で押圧することができる。よって、ベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂを均一に研磨することができるので、ベース基板用ウエハ４０の面方向における仕上がり厚みＴのばらつきを低減させ、ベース基板用ウエハ４０の平行度を向上させることができる。その結果、ガラス基板等の比較的軟らかい材料を研磨する場合であっても、片減り等を防止することができる。

　また、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴの制御を、ダイヤモンドポイント６０を用いて行うことで、従来のように研磨剤５６の研磨レート等に基づいて仕上がり厚みＴの制御を行う場合に比べて、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴの制御を容易に管理することができる。すなわち、研磨剤５６の研磨レートは、研磨剤５６の劣化により研磨レートが経時変化するため、仕上がり厚みＴの制御が難しいという問題があった。これに対して、ダイヤモンドポイント６０を用いる場合には、研磨前にスクリュシャフト６４及びダイヤモンド部６５の突出量Ｈを決定するだけで、仕上がり厚みＴを調整することができる。さらに、ダイヤモンド部６５と下定盤５３とが接触することで、それ以上の研磨を規制することができるため、ベース基板用ウエハ４０の仕上がり厚みＴの制御を高精度、かつ容易に管理することができる。
　しかも、ダイヤモンドポイント６０の突出量Ｈを、Ｔ＋２Ｄに設定することで、研磨時に下定盤５３とベース基板用ウエハ４０の裏面４０ｂとの間に介在する研磨剤５６、及びワークホルダ６２内に侵入して、ベース基板用ウエハ４０の表面４０ａと押圧プレート５４の下面との間に介在する研磨剤５６の粒径の大きさを考慮し、ベース基板用ウエハ４０を所望の仕上がり厚みに形成することができる。

　そして、このように形成されたベース基板用ウエハ４０をリッド基板用ウエハに接合するため、両ウエハの接合面の間に隙間を生じさせることなく、良好な状態で両ウエハを接合することができ、キャビティＣ内の気密を確保することができる。その結果、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。

　（発振器）
　次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１９を参照しながら説明する。
　本実施形態の発振器１００は、図１９に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。

　このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
　また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。

　上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。

　（電子機器）
　次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図２０を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。

　次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図２０に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。

　制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。

　計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。

　通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
　無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。

　また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
　なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。

　電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。

　すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
　なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。

　上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。

　次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２１を参照して説明する。
　本実施形態の電波時計１３０は、図２１に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
　日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。

　（電波時計）
　以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
　アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
　本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。

　さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
　搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。

　なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。

　上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、電波時計自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。

　以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
　例えば、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片５を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片やＡＴ振動片をキャビティ内にマウントし、これらの振動片と外部電極とを電気的に接続する際に、上述した方法により貫通電極を形成しても構わない。
　また、上述した実施形態では、ベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片５を収納した２層構造タイプのものについて説明したが、これに限らず、圧電振動片５が形成された圧電基板をベース基板２とリッド基板３とで上下から挟み込むように接合した３層構造タイプを採用することも可能である。
　さらに、上述した実施形態では、芯材部３１とスルーホール２１，２２との間に充填材となるガラスフリット３２ａを充填する場合について説明したが、これに限らず、導電性を有する充填材をスルーホール２１，２２に充填し、それ自体を貫通電極とする構成にしてもよい。このような充填材としては、金属微粒子および複数のガラスビーズを含んだものや、上述した導電ペーストを用いることが可能である。
　また、スルーホール２１，２２はテーパ状に限られず、ベース基板２を真っ直ぐに貫通する円柱状のスルーホールとしてもよい。

　ガラス基板の面方向における仕上がり厚みのばらつきを低減させ、キャビティ内の気密を確保することができる。
 

Claims (10)

1. 　研磨装置を用いてガラス基板を研磨するガラス基板の研磨方法であって、
   　前記研磨装置は、第１中心軸回りに回転駆動する定盤と、前記第１中心軸から偏心した第２中心軸の周りを回転可能とされ、前記ガラス基板を前記定盤に向けて押圧するプレートと、前記プレートに形成され、前記ガラス基板の中心軸を前記第２中心軸から偏心させた状態で前記ガラス基板を保持しつつ、前記ガラス基板の面方向への移動を規制するワークホルダとを備え、
   　前記ガラス基板と前記定盤との間に研磨材を介在させた状態で、前記ガラス基板を前記ワークホルダ内で回転可能に保持しつつ、前記定盤を回転させて前記ガラス基板を研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
2. 　請求項１記載のガラス基板の研磨方法であって、
   　前記ガラス基板の一方の面を研磨することで、前記ガラス基板の他方の面に形成された凹部を貫通させ、前記ガラス基板に貫通孔を形成することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
3. 　請求項１または請求項２記載のガラス基板の研磨方法であって、
   　前記プレートには、前記ガラス基板の研磨量を規制する規制部材が、前記常盤に向けて立設されていることを特徴とするガラス基板の研磨方法。
4. 　請求項３記載のガラス基板の研磨方法であって、
   　前記ガラス基板の仕上がり厚みをＴ、前記研磨材の最大粒子径をＤとすると、
   　前記規制部材の高さＨを、Ｔ＋２Ｄに設定することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
5. 　請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載のガラス基板の研磨方法であって、
   　前記プレートには、複数の前記ワークホルダが形成され、前記プレートが前記定盤の周方向に沿って複数配されていることを特徴とするガラス基板の研磨方法。
6. 　互いに接合された複数の基板との間に形成されたキャビティ内に、電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
   　前記複数の基板のうち、第１基板を厚さ方向に貫通し、前記キャビティの内側と前記パッケージの外側とを導通する貫通電極を配するための貫通孔形成工程を有し、
   　　前記貫通孔形成工程は、
   　　請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載のガラス基板の研磨方法を用い、ガラス材料からなる前記第１基板に貫通孔を形成することを特徴とするパッケージの製造方法。
7. 　請求項６記載のパッケージの製造方法によって製造されたことを特徴とする圧電振動子。
8. 　請求項７に記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
9. 　請求項７に記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
10. 　請求項７記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。

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