JPH08279593A - 高密度実装を可能にした半導体装置 - Google Patents

高密度実装を可能にした半導体装置

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JPH08279593A
JPH08279593A JP7878695A JP7878695A JPH08279593A JP H08279593 A JPH08279593 A JP H08279593A JP 7878695 A JP7878695 A JP 7878695A JP 7878695 A JP7878695 A JP 7878695A JP H08279593 A JPH08279593 A JP H08279593A
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semiconductor device
semiconductor
chip
lead frame
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JP7878695A
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Masanobu Sano
昌宣 佐野
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NEC Corp
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    • HELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 部品点数を少なくして、実装を容易にした高
密度実装半導体装置を提供する。 【構成】 半導体装置100内部の半導体ICチップ2
に接続するリードフレーム3から分岐した上部電極4
が、半導体ICチップを封止したパッケージ1の上面1
0に平行に延びて形成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路チップ
をパッケージングした半導体装置に関し、特にパッケー
ジに電子部品を搭載して接続できる半導体装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置を実装したプリント基
板の実装密度を向上するため、一部の電子部品を半導体
装置のパッケージの表面に実装して、パッケージ内部の
半導体集積回路チップ(ICチップ)とその電子部品を
接続するものが特開平3−42864号公報に開示され
ている。
【0003】図7はその公報に開示された従来の半導体
装置の斜視図、図8は図7の断面図である。但し、図8
には図7に使用される電子部品69が省略されている。
図において、半導体装置本体50は、パッケージ(樹脂
封止体)61の中に半導体素子60を封止している。半
導体素子60は、半導体装置本体の外部端子62と金属
細線63によって接続される。電極64は外部端子62
とパッケージ61の中で接続され、パッケージ表面に対
して垂直に延び、パッケージ上面に突き出ている。パッ
ケージ61の上面には電子部品67、68と69が実装
される。その実装のために、パッケージ61の上面に配
線パターン65、66が形成され、その配線パターンに
パッケージ上面から突き出た電極64が接続される。す
なわち、電子部品67、68および69は、半導体素子
60に電極64および配線パターン65、66を介して
接続される。このように、半導体装置に他の電子部品が
実装されることで、プリント基板実装の高密度化が実現
される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の半導体装置では、電子部品とパッケージ内の半
導体部品とを接続するために、パッケージを貫通する電
極を外部電極に接続する必要があり、またパッケージ上
面に配線パターンを形成しなければならないため、製造
工程が多くなり高価になるという欠点がある。
【0005】本発明の目的は、部品点数を少なくし、パ
ッケージ上に配線パターンを形成する必要がない半導体
装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、半導体
ICチップを絶縁材でパッケージングした半導体装置に
おいて、半導体ICチップに接続するリードフレームか
ら分岐した電極が、半導体ICチップを封止したパッケ
ージの上面に平行に延びて上部電極を形成したことを特
徴とする半導体装置が得られる。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
【0008】図1は本発明の実施例の半導体装置の平面
図、図2は図1の半導体装置をプリント基板に実装した
ときのAA線断面図である。図において、半導体装置1
00は、半導体ICチップ(以下、単にICチップと称
す)2をパッケージ1の中心に封止したものである。半
導体ICチップ2は、複数のリードフレーム3にボンデ
ィングワイヤ9によって接続される。各リードフレーム
3は、パッケージ1の内部ボンディングワイヤ9との接
続部分からパッケージ側面に向かって水平に延びるボン
ディング部分31と、パッケージ1の側面を突き出てか
ら折れ曲がった外部端子6とが連続して形成されてい
る。
【0009】複数のリードフレーム3のうち、リードフ
レーム3a,3b,3c,3d,3e,3fの6本は、
上部電極4と一体に形成されている。図2及び図3に示
すように、上部電極4は、パッケージ1の内部でリード
フレーム3a〜3fの途中から分岐しかつパッケージ上
面10に向かって延びた分岐部30の延長上に形成さ
れ、途中で折れ曲がってパッケージ上面10に平行に延
びている。
【0010】図2に示すように、上部電極4には電子部
品20の部品端子22が半田づけによって接続される。
また、リードフレーム3の外部端子6は、プリント基板
5の配線パターン7に接続される。したがって、電子部
品20は、ICチップ2とプリント基板5の配線パター
ン7とに接続される。
【0011】本実施例によれば、リードフレーム3a〜
3fとパッケージ上面に平行な上部電極4とが一体に形
成されるので、半導体装置100の部品数は増えず、製
造工程が増えない。また、上部電極4は、パッケージ上
面に平行に延びるので、上部電極自体が配線パターンの
役割を果たす。半導体装置100を製造する場合、パッ
ケージ1の下半分にICチップ2と複数のリードフレー
ム3を載せてボンディングワイヤ9で接続し、その後、
パッケージ1の上半分を形成して封止する。パッケージ
1は耐熱性の樹脂でモールドによって形成するのが望ま
しいが、樹脂以外の絶縁材でもよい。リードフレーム3
とICチップ2との接続は、ボンディングワイヤ9によ
る接続に限定せず、他の接続方法でも良い。上部電極4
は、リードフレーム3のうちの6本に形成されたが、他
のどのリードフレームに形成されても良い。
【0012】図4は本発明の第2の実施例の半導体装置
の平面図、図5は図4の半導体装置をプリント基板に実
装したときのBB断面図である。図において、半導体装
置200が第1の実施例の半導体装置100と違う点
は、半導体装置200ではパッケージ上面10に電子部
品21の端子23を挿入する端子挿入受け穴18が形成
されていることと、そのパッケージ挿入受け穴18に対
応して上部電極4に、図6に示すように端子挿入穴8が
形成されていることである。電子部品21の端子23
は、上部電極4の部品挿入穴8からパッケージ1の端子
挿入受け穴18に挿入され、その後半田つけされる。
【0013】以上説明した実施例では、1つのリードフ
レームに対し1つの上部電極しか一体に形成されていな
いが、1つのリードフレームに複数の上部電極が一体に
形成されても良い。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体装置内部の半導体ICチップに接続するリードフ
レームから分岐した上部電極が、半導体ICチップを封
止したパッケージの上面に平行に延びて形成されるの
で、半導体装置の部品点数を増やさずに高密度実装がで
き、また、上部電極に電子部品を直接に実装できるの
で、パッケージ上に電子部品を実装するための配線パタ
ーンの形成が不要になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置を示す図で
ある。
【図2】図1の半導体装置をプリント基板に実装したと
きのAA断面図である。
【図3】図2の半導体装置のリードフレームの接合を示
す拡大斜視図である。
【図4】本発明の第2の実施例の半導体装置を示す図で
ある。
【図5】図4の半導体装置をプリント基板に実装したと
きのBB断面図である。
【図6】図5の半導体装置のリードフレームの接合を示
す拡大斜視図である。
【図7】従来の半導体装置を示す斜視図である。
【図8】図7の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
100 半導体装置 1 パッケージ 2 半導体ICチップ 3 リードフレーム 4 上部電極

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ICチップを絶縁材でパッケージ
    ングした半導体装置において、前記半導体ICチップに
    接続するリードフレームから分岐した電極が、前記半導
    体ICチップを封止した絶縁材のパッケージの上面に平
    行に延びて上部電極を形成したことを特徴とする半導体
    装置。
  2. 【請求項2】 前記上部電極と前記パッケージの上面に
    は、電子部品の端子を挿入するための端子挿入穴が形成
    されたことを特徴とする請求項1に記載された半導体装
    置。
  3. 【請求項3】 前記リードフレームは、前記半導体IC
    チップと導電線によって接続され、一端がパッケージの
    外部に出て外部端子を形成したことを特徴とする請求項
    1及び2に記載された半導体装置。
JP7878695A 1995-04-04 1995-04-04 高密度実装を可能にした半導体装置 Pending JPH08279593A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6777795B2 (en) 2001-09-12 2004-08-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit modules, manufacturing methods and usage thereof
KR100668811B1 (ko) * 2000-10-06 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 적층 패키지
WO2007139132A1 (ja) * 2006-05-31 2007-12-06 Toshihiko Mizukami 半導体装置
JP2012195502A (ja) * 2011-03-17 2012-10-11 Yazaki Corp モジュールの端子構造

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6355448B2 (ja) * 1981-12-02 1988-11-02 Diesel Kiki Co
JPH06350025A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Toshiba Corp 半導体装置

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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970819