JP3107648B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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明信 井上
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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    • H05K3/3431Leadless components

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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に高密度実装する
ことができる半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は従来のDIP型半導体装置を示す
斜視図であり、図4はこのDIP型半導体装置を基板上
に実装した場合の側面図である。図において、1は入出
力端子2を2方向に設置したDIP(デュアル・インラ
イン・パッケージ)型に代表される挿入形の半導体装置
である。
【0003】このDIP型半導体装置1の入出力端子2
を基板3の図示せぬスルーホールに挿入し、半田で接合
するものである。
【0004】図5は従来のQFP型半導体装置を示す斜
視図であり、図6はこのQFP型半導体装置を基板に実
装した場合の側面図である。図において、4は入出力端
子5を4方向に設置したQFP(クワッド・フラット・
パッケージ)型に代表される表面実装型の半導体装置で
ある。
【0005】このQFP型半導体装置4を基板6に搭載
し、その入出力端子5を基板6の表面の電極部に半田で
接合するものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の半導体装置、特にDIP型半導体装置では、基板に
スルーホールを設けなければならないため、スルーホー
ルの部分には基板の配線パターンを設けることができな
い。
【0007】また、QFP型半導体装置では、入出力端
子が同一ピッチの場合、入出力端子数を増やすと、QF
P型半導体装置の樹脂筺体の寸法が大きくなる。
【0008】このように、DIP型半導体装置およびQ
FP型半導体装置のいずれの入出力端子の設け方でも、
基板への高密度実装という点から満足できるものが得ら
れないという問題点があった。
【0009】本発明は、以上述べた基板上への高密度実
装が満足できないという問題点を除去するため、半導体
装置の筺体の平面内に、入出力端子を設置する優れた半
導体装置を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
は、半導体装置の筺体上面または下面に凹部を設け、こ
の凹部に入出力端子を設置するものである。
【0011】
【作用】本発明は基板への実装を高密度に行なうことが
できる。
【0012】
【実施例】図1は本発明に係る半導体装置の一実施例を
示す断面図であり、図2はこの半導体装置を基板に実装
した場合の一部破断した側面図である。図において、7
は半導体素子、8はこの半導体素子7を固着したダイパ
ット、9は一方の面に導体10を配線し、他方の面に導
体11を配線し、この導体10と導体11をスルーホー
ル12で接続した絶縁板、13は樹脂モールド、14は
半導体素子7の電極と導体10を接続する金属細線、1
5は一端が導体11に接続し、他端が半導体装置の筺体
下面凹部16に配置した入出力端子である。
【0013】この構成による半導体装置を基板3上に実
装する場合、図2に示すように、その入出力端子15
は、筺体下面凹部16に設けたので、接合材料17によ
り、基板3上の配線パターン(図示せず)に接合するこ
とができる。
【0014】このように、半導体素子の筺体下面に設け
た凹部16の面積全てを入出力端子として使用すること
ができ、基板への高密度実装を行なうことができる。
【0015】なお、上述の実施例では、入出力端子を、
半導体装置の筺体の下面に設置した場合を示したが、こ
れに限定せず、筺体の上面に設けてもよいことはもちろ
んである。
【0016】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
る半導体装置によれば、入出力端子を半導体装置の筺体
の上面または下面に設置したので、基板への実装密度を
上げることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体装置の一実施例を示す断面
図である。
【図2】図1の半導体装置を基板に実装した場合を示す
一部破断した側面図である。
【図3】従来のDIP型半導体装置を示す斜視図であ
る。
【図4】図3の半導体装置を基板に実装した場合を示す
側面図である。
【図5】従来のQFP型半導体装置を示す斜視図であ
る。
【図6】図5の半導体装置を基板に実装した場合を示す
側面図である。
【符号の説明】
7 半導体素子 8 ダイパット 9 絶縁板 10,11 導体 12 スルーホール 13 樹脂モールド 15 入出力端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭51−132765(JP,A) 特開 平1−145891(JP,A) 特開 昭59−228739(JP,A) 特開 昭63−143852(JP,A) 実開 昭61−70938(JP,U) 国際公開92/20097(WO,A1)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体素子と、主表面及び裏表面とを有
    主表面に前記半導体素子が搭載される基板とを備え
    た半導体装置であって、 前記基板の主表面に形成され、前記半導体素子と電気的
    に接続される第1の導体配線と、 前記基板の主表面から前記基板の裏表面へと貫通する貫
    通穴と、 前記貫通穴と該貫通穴の周辺領域とを覆うように前記基
    板の裏表面に延在する第2の導体配線と、 前記貫通穴の内部に形成された導体であり、前記第1の
    導体配線と前記第2の導体配線とを電気的に接続する導
    体と、前記半導体素子及び前記基板を封止し 、前記貫通穴の周
    辺領域上にある前記第2の導体配線の一部を露出する開
    口部を有する封止樹脂と、 前記開口部内に形成され、前記第2の導体配線の一部と
    電気的に接続する外部電極とを有することを特徴とする
    半導体装置。
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