JPH08250534A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPH08250534A JPH08250534A JP2496796A JP2496796A JPH08250534A JP H08250534 A JPH08250534 A JP H08250534A JP 2496796 A JP2496796 A JP 2496796A JP 2496796 A JP2496796 A JP 2496796A JP H08250534 A JPH08250534 A JP H08250534A
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- unvulcanized rubber
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】トランジスタ，ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
素子は、セラミックパッケージもしくはプラスチックパ
ッケージにより封止され半導体装置化されている。セラ
ミックパッケージは構成材料そのものが耐熱性を有し、
耐透湿性にも優れているため温度，湿度に対して強く、
しかも中空パッケージのため、機械的強度も高く信頼性
の高い封止が可能である。しかし、構成材料が比較的高
価なものであることと、量産性に欠ける欠点があるた
め、最近では、セラミックパッケージに代えてプラスチ
ックパッケージを用いた樹脂封止が主流になっている。
この種の樹脂封止には、エポキシ樹脂組成物が使用され
ており、注型，圧縮成形，射出成形，トランスファーモ
ールド成形等によって樹脂封止することが行われてお
り、最近では、特に量産性と作業性に優れたトランスフ
ァーモールド成形による樹脂封止が賞用されている。2. Description of the Related Art Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are sealed in ceramic packages or plastic packages to form semiconductor devices. The ceramic package itself has heat resistance,
It has excellent moisture resistance, so it is strong against temperature and humidity.
Moreover, since it is a hollow package, high mechanical strength and highly reliable sealing are possible. However, since the constituent materials are relatively expensive and there is a drawback that mass productivity is insufficient, recently, resin sealing using a plastic package instead of the ceramic package has become mainstream.
An epoxy resin composition is used for this type of resin encapsulation, and resin encapsulation is performed by casting, compression molding, injection molding, transfer molding, or the like. And resin encapsulation by transfer molding, which excels in workability, is a prize.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなトランスファーモールド成形により、エポキシ樹
脂組成物で半導体素子を樹脂封止する場合、上記成形を
連続的に行うと、エポキシ樹脂組成物中の離型剤によ
り、トランスファーモールド金型が汚染され、良好な成
形をなしえないという問題が生じている。すなわち、上
記成形時には、エポキシ樹脂組成物中に含まれる離型剤
が金型表面に滲出して離型作用を発揮するのであるが、
成形を繰り返すと、上記金型表面に滲出した離型剤が、
金型表面に順次積層し、次第に酸化劣化して硬い離型剤
酸化劣化層（表面は金型のように平滑ではない）を形成
する。そして、この酸化劣化層の表面で成形材料の成形
が行われるようになり、成形品に上記酸化劣化層の表面
の転写がなされ、成形品の表面が肌荒れしたり、光沢等
が出ないという不都合を生じる。また、このような離型
剤の酸化劣化層が、一旦、金型表面に形成されると、そ
の後、エポキシ樹脂組成物を成形する際、その組成物か
ら滲み出てくる離型剤が、金型表面ではなく、上記離型
剤の酸化劣化層に作用することとなり、充分な離型効果
を発揮しえなくなる。このような問題を解決するため、
従来は、図面に示すように、成形金型１の上型２と下型
３とでつくられるキャビティ４に、リードフレーム５を
備えた半導体素子を位置決めして、そのリードフレーム
５を上記キャビティ４に隣接する上型２と下型３との間
に位置決めし、その状態で、メラミン樹脂成形材料を注
型して成形硬化させ、上記金型表面の離型剤酸化劣化層
をその成形品と一体化させ、酸化劣化層が一体化した成
形品を金型１から取り出すことにより、金型表面を洗浄
するということが行われている。この場合、リードフレ
ームを上記キャビティ４内に位置決めして、メラミン樹
脂成形材料の注型を行うのは、上型２と下型３とを閉じ
た状態において上記キャビティ４に隣接する上型２と下
型３の間の部分にリードフレーム５用の空隙６ができる
ため、そこにリードフレーム５を位置決めしないで、単
に、メラミン樹脂成形材料のみをキャビティ４内に注型
すると、上型２と下型３との間の上記空隙６からメラミ
ン樹脂成形材料が逃げ成形が充分に行えなくなるためで
ある。しかしながら、このようにして金型表面を洗浄す
る場合には、上記のように、リードフレームをいちいち
洗浄すべきキャビティ４に適正に位置決めしなければな
らず、その作業が煩雑であると同時に、上記メラミン樹
脂成形材料の縮合物としてホルマリンが副生し臭気等を
生じるため作業環境が悪化し洗浄作業の作業性の低下の
原因となる。また、上記のようなトランスファーモール
ド成形によって、半導体素子を樹脂封止する場合には、
上記キャビティ４の周囲部分にバリが生じ、このバリは
エアーノズルから吹き出されるエアーによって、自動的
に除去されるようになっているのであるが、時には、エ
アーノズルによって処理しきれない金型１の部分にバリ
を生じることがあり、その際には、人が指等を用いてバ
リを除去しなければならない状態となる。一般に、上記
トランスファーモールド成形は、自動成形によって行わ
れているものであり、上記のような場合には、一旦自動
成形を解除し装置を停止させてバリ取りを行うというこ
とが標準作業化されている。しかしながら、作業が遅れ
ているような場合には、まれに自動成形を継続させたま
ま、型１が開いている僅かの時間内に指等を上記金型
２，３間に挿入して、エアーノズルでは除去しきれない
バリを取るということが行われるのであり、極めて危険
である。However, when the semiconductor element is resin-sealed with the epoxy resin composition by the transfer molding as described above, if the molding is continuously performed, the separation in the epoxy resin composition is prevented. The transfer agent is contaminated by the mold agent, which causes a problem that good molding cannot be achieved. That is, at the time of the above-mentioned molding, the release agent contained in the epoxy resin composition exudes to the surface of the mold to exert a release action,
When the molding is repeated, the release agent exuded on the mold surface is
The layers are sequentially laminated on the surface of the mold, and gradually deteriorated by oxidation to form a hard release agent oxidation deterioration layer (the surface is not smooth like the mold). Then, the molding material comes to be molded on the surface of the oxidation-deteriorated layer, and the surface of the oxidation-deteriorated layer is transferred to the molded product, so that the surface of the molded product is not roughened and gloss is not generated. Cause Further, once such an oxidation-deteriorated layer of the release agent is formed on the surface of the mold, the release agent exuding from the composition when molding the epoxy resin composition is It acts not on the mold surface but on the oxidation-deteriorated layer of the above-mentioned mold release agent, so that a sufficient mold release effect cannot be exhibited. In order to solve such problems,
Conventionally, as shown in the drawings, a semiconductor element having a lead frame 5 is positioned in a cavity 4 formed by an upper die 2 and a lower die 3 of a molding die 1, and the lead frame 5 is placed in the cavity 4 described above. Is positioned between the upper mold 2 and the lower mold 3 which are adjacent to each other, and in that state, a melamine resin molding material is cast and molded and cured, and the mold release agent oxidation deterioration layer on the surface of the mold is used as the molded product. It is performed that the surface of the mold is cleaned by taking out a molded product which is integrated and the oxidation deterioration layer is integrated from the mold 1. In this case, the lead frame is positioned in the cavity 4 and the melamine resin molding material is cast by the upper mold 2 adjacent to the cavity 4 with the upper mold 2 and the lower mold 3 closed. Since there is a gap 6 for the lead frame 5 in the portion between the lower molds 3, if the lead frame 5 is not positioned there and only the melamine resin molding material is poured into the cavity 4, the upper mold 2 and the lower mold 2 are This is because the melamine resin molding material escapes from the space 6 between the mold 3 and the mold 3 and molding cannot be performed sufficiently. However, when cleaning the die surface in this manner, the lead frame must be properly positioned in each cavity 4 to be cleaned, as described above, and the work is complicated and at the same time, Formalin is by-produced as a condensate of the melamine resin molding material to generate an odor and the like, which deteriorates the work environment and causes a decrease in workability of the cleaning work. Further, when the semiconductor element is resin-sealed by the transfer molding as described above,
Burrs are generated in the peripheral portion of the cavity 4, and the burrs are automatically removed by the air blown from the air nozzle, but sometimes the mold 1 that cannot be processed by the air nozzle is used. Occasionally, burrs may be generated on the part of, and in that case, a person must remove the burrs by using a finger or the like. Generally, the transfer molding is performed by automatic molding, and in the above cases, it is standardized that the automatic molding is temporarily stopped and the apparatus is stopped to deburr. There is. However, if the work is delayed, rarely while automatic molding continues, insert a finger or the like between the molds 2 and 3 within a short time when the mold 1 is open, Burrs that cannot be completely removed by the nozzle are removed, which is extremely dangerous.
【０００４】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、金型面の洗浄ならびにバリ取りを簡単かつ能
率良く行うことにより、封止樹脂表面が良好な半導体装
置を効率よく、かつ安全に製造しうる方法の提供をその
目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and a semiconductor device having a good sealing resin surface can be efficiently and safely manufactured by simply and efficiently cleaning the mold surface and deburring. The purpose is to provide a method that can be manufactured.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明は、トランスファーモールド成形によって
半導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する方法に
おいて、上記トランスファーモールド成形に先立って一
対のトランスファー成形金型の間に、下記の（Ａ）成分
と未加硫ゴムとからなる未加硫ゴム生地で構成されたク
リーニングシートを挟み加熱加圧することにより上記一
対のトランスファー成形金型の型面を上記クリーニング
シートで洗浄することをその要旨とする。 （Ａ） グリコールエーテル類からなる除去助剤。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a method of manufacturing a semiconductor device by resin-sealing a semiconductor element by transfer molding, wherein a pair of members are provided prior to the transfer molding. A cleaning sheet composed of an unvulcanized rubber material composed of the following component (A) and unvulcanized rubber is sandwiched between transfer molding dies, and heated and pressed to mold surfaces of the pair of transfer molding dies. The main point is to wash the above with the above-mentioned cleaning sheet. (A) A removal aid composed of glycol ethers.
【０００６】すなわち、上記のように、一対のトランス
ファー成形金型の間に、未加硫ゴムと特定の除去助剤で
構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシート
を挟んで加熱加圧することにより、従来のように、成形
金型のキャビティ内にいちいちリードフレームを位置決
め配置するという煩雑な作業を要することなく、金型面
の洗浄をなしうるようになる。このとき、従来のように
ホルマリン臭が生じることもない。その結果、金型洗浄
の高効率化を実現することができる。その際、キャビテ
ィに隣接する型面の部分に付着するバリも、同時に上記
クリーニングシートに付着して除去されるため、従来の
ように、トランスファーモールド成形型が一定の間隔で
開閉する間隙を縫って指を差し込んでバリを取るという
危険な作業が全く不要になり、安全にバリ取りを行うこ
とができる。このようにして封止樹脂の表面が良好に成
形されている半導体装置を効率よく、かつ安全に製造し
うるようになる。That is, as described above, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and an unvulcanized rubber material composed of a specific removing aid is sandwiched between a pair of transfer molding dies and heated and pressed. As a result, the mold surface can be cleaned without the complicated work of positioning and arranging the lead frame one by one in the cavity of the molding mold as in the conventional case. At this time, formalin odor is not generated unlike the conventional case. As a result, the efficiency of mold cleaning can be increased. At that time, burrs adhering to the part of the mold surface adjacent to the cavity are also adhered to the cleaning sheet and removed at the same time. The dangerous work of inserting a finger to remove the burr is completely unnecessary, and the burr can be safely removed. In this way, it becomes possible to efficiently and safely manufacture a semiconductor device in which the surface of the sealing resin is well molded.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】この発明は、未加硫ゴムと特定の
除去助剤で構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニ
ングシートを用いて、トランスファー成形型の型面の洗
浄を行う。上記未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成され
た未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートは、例え
ば未加硫ゴムと除去助剤とからなる未加硫ゴム生地で構
成されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION According to the present invention, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and an unvulcanized rubber material composed of a specific removal aid is used to clean the die surface of a transfer molding die. The cleaning sheet made of the unvulcanized rubber fabric composed of the unvulcanized rubber and the specific removal aid is made of, for example, the unvulcanized rubber fabric composed of the unvulcanized rubber and the removal aid.
【０００８】上記未加硫ゴムとしては、天然ゴム（Ｎ
Ｒ），クロロプレンゴム（ＣＲ），ブタジエンゴム（Ｂ
Ｒ），ニトリルゴム（ＮＢＲ），エチレンプロピレンタ
ーポリマーゴム（ＥＰＴ），エチレンプロピレンゴム
（ＥＰＭ），スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ），ポリ
イソプレンゴム（ＩＲ），ブチルゴム（ＩＩＲ），シリ
コーンゴム（Ｑ），フッ素ゴム（ＦＫＭ）等の単独もし
くは混合物を主成分とし、さらに加硫剤が配合され、必
要に応じて加硫促進剤，補強剤等が配合されているもの
等が用いられる。この未加硫ゴムは、金型内において加
硫され加硫ゴムとなる。上記の未加硫ゴムとして好まし
いのはＥＰＴ，ＳＢＲ，ＮＢＲもしくはこれらの混合物
である。上記ＥＰＴは、エチレン，α−オレフィンおよ
び非共役二重結合を有する環状または非環状からなる共
重合物である。これについて詳述すると、ＥＰＴはエチ
レン，α−オレフィン（特にプロピレン）および以下に
列挙するポリエンモノマーからなるターポリマーであ
り、上記ポリエンモノマーとしては、ジシクロペンタジ
エン、１，５−シクロオクタジエン、１，１−シクロオ
クタジエン、１，６−シクロドデカジエン、１，７−シ
クロドデカジエン、１，５，９−シクロドデカトリエ
ン、１，４−シクロヘプタジエン、１，４−シクロヘキ
サジエン、ノルボルナジエン、メチレンノルボルネン、
２−メチルペンタジエン−１，４、１，５−ヘキサジエ
ン、１，６−ヘプタジエン、メチル−テトラヒドロイン
デン、１，４−ヘキサジエン等である。各モノマーの共
重合割合は、好ましくはエチレンが３０〜８０モル％，
ポリエンが０．１〜２０モル％で残りがα−オレフィン
となるような割合である。より好ましいのはエチレンが
３０〜６０モル％のものである。そして、ムーニー粘度
ＭＬ1+4 （１００℃）が２０〜７０のものがよい。上記
ＥＰＴの具体例としては、三井石油化学工業社製、三井
ＥＰＴ４０２１，同４０４５，同４０７０をあげること
ができる。また、ＳＢＲとしては、スチレン含量が１５
〜３０モル％でムーニー粘度ＭＬ1+4 （１００℃）が２
０〜８０、好ましくは３５〜６０のものが好適である。
具体例として日本合成ゴム社製、ＪＳＲ−１５０２，同
１５０７，同１７７８をあげることができる。ＮＢＲと
しては、アクリロニトリル含量が２０〜６０モル％、好
ましくは２５〜４５モル％でムーニー粘度ＭＬ1+4 （１
００℃）が２０〜８５、好ましくは３０〜７０のものを
用いることが好適である。具体例として日本合成ゴム社
製、Ｎ−２３４Ｌ，同２３０Ｓ，同２３０ＳＨをあげる
ことができる。As the unvulcanized rubber, natural rubber (N
R), chloroprene rubber (CR), butadiene rubber (B
R), nitrile rubber (NBR), ethylene propylene terpolymer rubber (EPT), ethylene propylene rubber (EPM), styrene butadiene rubber (SBR), polyisoprene rubber (IR), butyl rubber (IIR), silicone rubber (Q), A fluororubber (FKM) or the like as a main component, a vulcanizing agent, and optionally a vulcanization accelerator and a reinforcing agent are used. This unvulcanized rubber is vulcanized into a vulcanized rubber in the mold. The above-mentioned unvulcanized rubber is preferably EPT, SBR, NBR or a mixture thereof. The EPT is a cyclic or acyclic copolymer having ethylene, α-olefin and a non-conjugated double bond. More specifically, EPT is a terpolymer composed of ethylene, α-olefin (particularly propylene) and the polyene monomers listed below, and the polyene monomers include dicyclopentadiene, 1,5-cyclooctadiene, and 1-cyclooctadiene. , 1-cyclooctadiene, 1,6-cyclododecadiene, 1,7-cyclododecadiene, 1,5,9-cyclododecatriene, 1,4-cycloheptadiene, 1,4-cyclohexadiene, norbornadiene, Methylene norbornene,
2-Methylpentadiene-1,4,1,5-hexadiene, 1,6-heptadiene, methyl-tetrahydroindene, 1,4-hexadiene and the like. The copolymerization ratio of each monomer is preferably 30 to 80 mol% of ethylene,
The ratio is such that the polyene is 0.1 to 20 mol% and the rest is α-olefin. More preferably, ethylene is 30 to 60 mol%. The Mooney viscosity ML 1 + 4 (100 ° C.) is preferably 20 to 70. Specific examples of the EPT include Mitsui EPTs 4021, 4045, and 4070 manufactured by Mitsui Petrochemical Co., Ltd. Also, SBR has a styrene content of 15
Mooney viscosity ML 1 + 4 (100 ° C) is 2 at ~ 30 mol%
Those of 0 to 80, preferably 35 to 60 are suitable.
Specific examples thereof include JSR-1502, JSR-1507, and JSR-1778, manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. The NBR has an acrylonitrile content of 20 to 60 mol%, preferably 25 to 45 mol%, and a Mooney viscosity ML 1 + 4 (1
It is suitable to use one having a temperature of 00 ° C.) of 20 to 85, preferably 30 to 70. As a specific example, N-234L, 230S, and 230SH manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. can be mentioned.
【０００９】また、上記未加硫ゴムとともに用いられる
除去助剤は、グリコールエーテル類であり、単独でもし
くは併せて使用される。The removal aid used with the unvulcanized rubber is a glycol ether, which may be used alone or in combination.
【００１０】上記グリコールエーテル類としては、つぎ
の一般式（１）で表されるものが好適である。As the glycol ethers, those represented by the following general formula (1) are preferable.
【００１１】[0011]
【化１】 Embedded image
【００１２】その具体例としては、エチレングリコール
ジメチルエーテル，ジエチレングリコールジメチルエー
テル，トリエチレングリコールジメチルエーテル，テト
ラエチレングリコールジメチルエーテル，ポリエチレン
グリコールジメチルエーテル，ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル，ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル，ジエチレングリコールモノプロピルエーテル，
ジエチレングリコールモノブチルエーテル，ジエチレン
グリコールジエチルエーテル，ジエチレングリコールプ
ロピルエーテル，ジエチレングリコールジブチルエーテ
ル，エチレングリコールモノメチルエーテル，エチレン
グリコールモノエチルエーテル，エチレングリコールモ
ノプロピルエーテル，エチレングリコールモノブチルエ
ーテル等をあげることができる。Specific examples thereof include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, polyethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether,
Examples thereof include diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol propyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether and ethylene glycol monobutyl ether.
【００１３】上記一般式（１）で表されるグリコールエ
ーテル類の中でも、ｎ＝１〜２、Ｒ 1 ，Ｒ2 のいずれか
が水素の場合には他方が炭素数１〜４のアルキル基であ
り、また、Ｒ1 ，Ｒ2 がともにアルキル基の場合には、
炭素数が１〜４のアルキル基であることが好適である。
なお、上記ｎが３以上の値をとるときには、ゴムとの相
溶性が低下するという事態を招き、またアルキル基の炭
素数が５以上の場合には、離型剤の酸化劣化層に対する
浸透性が悪くなるという傾向がみられるようになる。The glycol ether represented by the above general formula (1)
Among the ethers, n = 1 to 2, R 1, R2One of
When is hydrogen, the other is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
And also R1, R2When both are alkyl groups,
An alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable.
When n is 3 or more, the phase with rubber is
This will cause a decrease in solubility, and will also cause alkyl-based charcoal.
When the prime number is 5 or more, the release agent is added to the oxidation-deteriorated layer.
There is a tendency for poor permeability.
【００１４】上記のグリコールエーテル類は、そのま
ま、もしくは水ないしはメタノール，エタノール，ｎ−
プロパノールのようなアルコール類、トルエン，キシレ
ンのような有機溶媒と混合して使用してもよい。有機溶
媒と混合するときには、有機溶媒の量を、通常、グリコ
ールエーテル類の合計量１００重量部（以下「部」と略
す）に対し５０部以下にすることが行われ、最も一般的
には２０部以下にすることが行われる。また、従来から
使用されているステアリン酸，カルナバワックス，ステ
アリルエチレンジアミド等の離型剤を必要に応じて適量
併用しても差し支えはない。離型剤を併用する場合に
は、その使用量を、未加硫ゴムと、上記グリコールエー
テル類の合計量１００部に対して１０部以下にすること
が行われ、最も一般的には２〜５部にすることが行われ
る。The above glycol ethers may be used as they are, or in water, methanol, ethanol, n-.
You may use it, mixing with alcohols, such as propanol, and organic solvents, such as toluene and xylene. When mixed with an organic solvent, the amount of the organic solvent is usually 50 parts or less with respect to the total amount of glycol ethers of 100 parts by weight (hereinafter abbreviated as “part”), and most commonly 20 parts by weight or less. It is done below the department. Further, a conventionally used release agent such as stearic acid, carnauba wax, or stearylethylenediamide may be used in an appropriate amount, if necessary. When a release agent is used in combination, the amount of the release agent used is 10 parts or less based on 100 parts of the total amount of the unvulcanized rubber and the glycol ethers. There will be 5 copies.
【００１５】上記グリコールエーテル類は、上記未加硫
ゴムと混合することによって未加硫ゴム生地となりクリ
ーニングシートとなる。この場合、グリコールエーテル
類は、未加硫ゴム１００部に対して、通常５〜６０部配
合される。好ましいのは１５〜２５部である。なお、上
記グリコールエーテル類はその沸点が１３０〜２５０℃
程度であるのが好ましい。すなわち、金型成形は、通常
１５０〜１８５℃で行われるのであり、上記グリコール
エーテル類の沸点が１３０℃未満であれば、洗浄時の蒸
発が著しく、したがって、洗浄作業環境の悪化現象を生
じる恐れがあり、逆に２５０℃を超えると、蒸発が困難
となって加硫ゴム中に残存し、加硫ゴムの、金型からの
取り出しの際の強度が弱くなって崩形等するため、金型
表面から離型剤の酸化劣化層を充分剥離することができ
にくくなり、洗浄作業性を低下させる傾向がみられるか
らである。By mixing the glycol ethers with the unvulcanized rubber, the unvulcanized rubber material becomes a cleaning sheet. In this case, the glycol ether is usually added in an amount of 5 to 60 parts based on 100 parts of the unvulcanized rubber. Preferred is 15 to 25 parts. The glycol ethers have a boiling point of 130 to 250 ° C.
It is preferably about the same. That is, the mold molding is usually performed at 150 to 185 ° C., and if the boiling point of the glycol ether is less than 130 ° C., the evaporation during cleaning is remarkable, and therefore the cleaning work environment may deteriorate. On the contrary, when the temperature exceeds 250 ° C., it becomes difficult to evaporate and remains in the vulcanized rubber, and the strength of the vulcanized rubber when it is taken out from the mold is weakened and the metal is deformed. This is because it becomes difficult to sufficiently peel off the oxidation-deteriorated layer of the release agent from the mold surface, and the workability for cleaning tends to decrease.
【００１６】また、上記未加硫ゴム生地からなるクリー
ニングシートには、補強剤としてシリカ，アルミナ，炭
酸カルシウム，水酸化アルミニウム，酸化チタン等の無
機質補強剤（充填剤）を配合することも可能である。こ
の場合、補強剤の使用量は、未加硫ゴム１００部に対し
１０〜５０部に設定することが好適である。Further, the cleaning sheet made of the unvulcanized rubber material may be blended with an inorganic reinforcing agent (filler) such as silica, alumina, calcium carbonate, aluminum hydroxide or titanium oxide as a reinforcing agent. is there. In this case, the amount of the reinforcing agent used is preferably set to 10 to 50 parts per 100 parts of unvulcanized rubber.
【００１７】なお、未加硫ゴム生地からなるクリーニン
グシートは、塩素イオンとナトリウムイオンの合計含有
量が２０００ｐｐｍ以下であることが好適である。すな
わち、上記クリーニングシートによってトランスファー
モールド成形金型の金型面を洗浄する際に、クリーニン
グシート中に含有される塩素イオンやナトリウムイオン
が金型表面に残存し、半導体装置中にこれらイオン性不
純物が入り込む恐れがあるからであり、これらの半導体
装置中に上記イオン性不純物が入り込むと、耐湿信頼性
等信頼性の面で大きな問題を生じるようになるからであ
る。したがって、上記未加硫ゴム生地からなるクリーニ
ングシートの製造に際しては、使用原料を充分に吟味し
て、上記のようなイオン性不純分が含まれていないもの
を使用することが望まれる。The cleaning sheet made of unvulcanized rubber fabric preferably has a total content of chlorine ions and sodium ions of 2000 ppm or less. That is, when cleaning the die surface of the transfer mold with the above cleaning sheet, chlorine ions and sodium ions contained in the cleaning sheet remain on the die surface, and these ionic impurities are contained in the semiconductor device. This is because there is a risk that they will enter, and if the above-mentioned ionic impurities enter these semiconductor devices, a serious problem will occur in terms of reliability such as moisture resistance reliability. Therefore, when manufacturing the cleaning sheet made of the unvulcanized rubber fabric, it is desirable to thoroughly examine the raw materials used and to use the one that does not contain the above ionic impurities.
【００１８】この発明は、半導体素子をトランスファー
成形により連続的に樹脂封止して半導体装置を連続的に
製造する際、上記のようなクリーニングシートを用いて
成形金型の金型面を洗浄したのち、さらにトランスファ
ー成形を連続的に行い半導体装置を製造する。この際、
使用する封止用の成形材料は特に限定するものではな
く、エポキシ樹脂成形材料等の従来公知の成形材料が用
いられ、また成形条件等も従来法に準じて設定される。According to the present invention, when the semiconductor element is continuously resin-sealed by transfer molding to continuously manufacture the semiconductor device, the mold surface of the molding die is washed with the above cleaning sheet. After that, transfer molding is continuously performed to manufacture a semiconductor device. On this occasion,
The molding material used for sealing is not particularly limited, and a conventionally known molding material such as an epoxy resin molding material is used, and molding conditions and the like are set according to the conventional method.
【００１９】このようにして製造された半導体装置は、
良好な洗浄状態になっている成形金型で成形されている
ため、封止樹脂の表面状態が極めて良好である。The semiconductor device manufactured in this way is
Since the molding die is molded in a good cleaning state, the surface condition of the sealing resin is extremely good.
【００２０】[0020]
【発明の効果】この発明は、トランスファー成形に先立
ち未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム
生地からなるクリーニングシートを用いて金型表面に形
成された離型剤の酸化劣化層を除去するとともに、バリ
取りを行うため、金型洗浄を極めて容易に行うことがで
き、その際、臭気等を生じない。また、バリ取りも安全
に行うことができる。その結果、封止樹脂の表面状態の
極めて良好な半導体装置を、高効率で連続的に、かつ安
全に製造することができる。EFFECTS OF THE INVENTION The present invention relates to a release agent formed on the surface of a mold using a cleaning sheet made of unvulcanized rubber cloth composed of unvulcanized rubber and a specific removal aid prior to transfer molding. Since the oxidation-deteriorated layer is removed and deburring is performed, the mold can be washed extremely easily, and no odor or the like is generated at that time. Also, deburring can be performed safely. As a result, a semiconductor device in which the surface state of the sealing resin is extremely good can be manufactured with high efficiency, continuously, and safely.
【００２１】[0021]
【実施例および比較例】つぎに、実施例について比較例
と併せて詳しく説明する。EXAMPLES AND COMPARATIVE EXAMPLES Next, examples will be described in detail together with comparative examples.
【００２２】[0022]
【実施例１】エチレンプロピレンターポリマーゴム（Ｅ
ＰＴ，三井石油化学工業社製，三井ＥＰＴ４０４５）１
００部，シリカパウダー２０部，酸化チタン５部，有機
過酸化物４部，ステアリン酸１部，ジエチレングリコー
ルジブチルエーテル２０部を混練ロールで混練したの
ち、圧延ロールを用いて厚み７ｍｍのシートに形成し未
加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地
からなるクリーニングシートを得た。Example 1 Ethylene propylene terpolymer rubber (E
PT, Mitsui Petrochemical Industry Co., Ltd., Mitsui EPT4045) 1
After kneading 00 parts, 20 parts of silica powder, 5 parts of titanium oxide, 4 parts of organic peroxide, 1 part of stearic acid and 20 parts of diethylene glycol dibutyl ether with a kneading roll, a sheet having a thickness of 7 mm is formed using a rolling roll. A cleaning sheet made of an unvulcanized rubber fabric composed of unvulcanized rubber and a specific removal aid was obtained.
【００２３】[0023]
【実施例２】ジエチレングリコールジブチルエーテルに
代えて、エチレングリコールモノエチルエーテルを用い
た。それ以外は実施例１と同様にして未加硫ゴムと特定
の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地からなるクリー
ニングシートを得た。Example 2 In place of diethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether was used. Otherwise in the same manner as in Example 1, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００２４】[0024]
【実施例３】スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ，日本合
成ゴム社製，ＪＳＲ−１５０２）１００部，シリカパウ
ダー２０部，水酸化アルミニウム５部，有機過酸化物４
部，ステアリン酸亜鉛１部，ジエチレングリコールモノ
メチルエーテル１５部を用い、実施例１と同様にして未
加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地
からなるクリーニングシートを得た。Example 3 100 parts of styrene-butadiene rubber (SBR, JSR-1502 manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), 20 parts of silica powder, 5 parts of aluminum hydroxide, 4 organic peroxides
Parts, 1 part of zinc stearate, and 15 parts of diethylene glycol monomethyl ether were used to obtain a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and an unvulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid in the same manner as in Example 1.
【００２５】[0025]
【実施例４】ニトリルゴム（ＮＢＲ，日本合成ゴム社
製，Ｎ−２３０ＳＨ）１００部，シリカパウダー２０
部，酸化チタン５部，有機過酸化物４部，ステアリン酸
１部，エチレングリコールモノエチルエーテル１５部を
用い、実施例１と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助
剤で構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシ
ートを得た。Example 4 100 parts of nitrile rubber (NBR, N-230SH manufactured by Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.), silica powder 20
Parts, titanium oxide 5 parts, organic peroxide 4 parts, stearic acid 1 part, and ethylene glycol monoethyl ether 15 parts, and was composed of unvulcanized rubber and a specific removal aid in the same manner as in Example 1. A cleaning sheet made of unvulcanized rubber material was obtained.
【００２６】[0026]
【実施例５】エチレングリコールモノエチルエーテルの
使用割合を１２部に減少した。それ以外は実施例４と同
様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加
硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。Example 5 The usage rate of ethylene glycol monoethyl ether was reduced to 12 parts. Otherwise, in the same manner as in Example 4, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００２７】[0027]
【実施例６】エチレングリコールモノエチルエーテルの
使用量を５５部に増加した。それ以外は実施例４と同様
にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫
ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。Example 6 The amount of ethylene glycol monoethyl ether used was increased to 55 parts. Otherwise, in the same manner as in Example 4, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００２８】[0028]
【実施例７】ＥＰＴを単独で用いるのではなく、実施例
３で用いたＳＢＲと併用（５０：５０）した。それ以外
は実施例１と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で
構成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシート
を得た。Example 7 EPT was not used alone, but was used in combination with the SBR used in Example 3 (50:50). Otherwise in the same manner as in Example 1, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００２９】[0029]
【比較例１】ジエチレングリコールジブチルエーテルに
代えて、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノールを
用いた。それ以外は実施例１と同様にして未加硫ゴムと
特定の除去助剤で構成された未加硫ゴム生地からなるク
リーニングシートを得た。Comparative Example 1 2-Amino-2-methyl-1-propanol was used in place of diethylene glycol dibutyl ether. Otherwise in the same manner as in Example 1, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００３０】[0030]
【比較例２】エチレングリコールモノエチルエーテルに
代えて、トルエンを用いた。それ以外は実施例２と同様
にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加硫
ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。Comparative Example 2 Toluene was used instead of ethylene glycol monoethyl ether. Otherwise, in the same manner as in Example 2, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and an unvulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００３１】[0031]
【比較例３】ジエチレングリコールモノメチルエーテル
に代えて、ジイソプロピルケトンを用いた。それ以外は
実施例３と同様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構
成された未加硫ゴム生地からなるクリーニングシートを
得た。Comparative Example 3 Diisopropyl ketone was used in place of diethylene glycol monomethyl ether. Otherwise in the same manner as in Example 3, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００３２】[0032]
【比較例４】エチレングリコールモノエチルエーテルに
代えて、エタノールを用いた。それ以外は実施例４と同
様にして未加硫ゴムと特定の除去助剤で構成された未加
硫ゴム生地からなるクリーニングシートを得た。Comparative Example 4 Ethanol was used in place of ethylene glycol monoethyl ether. Otherwise, in the same manner as in Example 4, a cleaning sheet made of unvulcanized rubber and a non-vulcanized rubber fabric composed of a specific removal aid was obtained.
【００３３】以上の実施例および比較例で得られたクリ
ーニングシートを、離型剤の酸化劣化層が形成された熱
硬化性樹脂成形用金型に挟み、１７５℃で４分間加硫
し、加硫後ただちに金型を開いて成形された加硫ゴムを
取り出した。この場合における金型表面の洗浄性および
臭気に起因する作業環境の悪化等を調べた。また、洗浄
後の金型を用い、半導体素子を通常の条件でトランスフ
ァーモールド成形して半導体装置化し、得られた装置の
封止樹脂の表面状態を目視観察し、その結果を、上記の
試験結果とともに、後記の表１および表２にまとめて示
した。The cleaning sheets obtained in the above Examples and Comparative Examples are sandwiched between thermosetting resin molding dies on which an oxidation-deteriorated layer of a release agent is formed, and vulcanized at 175 ° C. for 4 minutes, followed by vulcanization. Immediately after vulcanization, the mold was opened and the molded vulcanized rubber was taken out. In this case, the mold surface cleanability and the deterioration of the work environment due to the odor were investigated. In addition, using a mold after cleaning, a semiconductor element is transfer-molded under normal conditions into a semiconductor device, and the surface state of the sealing resin of the obtained device is visually observed, and the result is the above test results. In addition, the results are collectively shown in Tables 1 and 2 below.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】[0035]
【表２】 [Table 2]
【００３６】上記の表１および表２から明らかなよう
に、実施例によれば、熱硬化性樹脂成形用金型から取り
出した加硫ゴムの表面に、金型表面の離型剤酸化劣化層
が転写され付着しており、それによって金型のキャビテ
ィ面が充分に洗浄されていた。また、この洗浄作業の際
に、臭気の発生もなく、したがって、洗浄作業性は全く
問題はなかった。これに対して、比較例は、金型洗浄性
もしくは臭気のいずれかに問題があり、良好な結果が得
られなかった。その結果、上記金型を用いて得られた半
導体装置の封止樹脂は、その表面の状態において、実施
例のものが平滑で光沢もあったのに対し、比較例、特に
比較例２〜４のものは微妙に凹凸になっており光沢がな
かった。As is clear from Tables 1 and 2 above, according to the examples, the surface of the vulcanized rubber taken out from the thermosetting resin molding die was coated with the release agent oxidation-deteriorated layer on the surface of the die. Was transferred and adhered, whereby the cavity surface of the mold was sufficiently cleaned. In addition, no odor was generated during the cleaning work, and therefore the cleaning workability was not a problem at all. On the other hand, in the comparative example, there were problems in mold cleaning property or odor, and good results were not obtained. As a result, the encapsulating resin for a semiconductor device obtained by using the above mold had a smooth surface and a glossy surface, whereas the encapsulating resin of the example was smooth and glossy. The one was slightly uneven and was not glossy.
【図１】従来例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a conventional example.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高島 浩一 佐賀県神埼郡三田川町大字吉田2307番地の ２ 九州日東電工株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koichi Takashima 2307-2 Yoshida, Mitagawa-cho, Kanzaki-gun, Saga Prefecture 2 Kyushu Nitto Denko Corporation
Claims (2)
導体素子を樹脂封止して半導体装置を製造する方法にお
いて、上記トランスファーモールド成形に先立って、一
対のトランスファー成形金型の間に、下記の（Ａ）成分
と未加硫ゴムとからなる未加硫ゴム生地で構成されたク
リーニングシートを挟み加熱加圧することにより上記一
対のトランスファー成形金型の型面を上記クリーニング
シートで洗浄することを特徴とする半導体装置の製法。 （Ａ） グリコールエーテル類からなる除去助剤。1. A method of manufacturing a semiconductor device by resin-sealing a semiconductor element by transfer molding, wherein, prior to the transfer molding, a component (A) below is provided between a pair of transfer molding dies. A semiconductor device characterized in that a cleaning sheet composed of an unvulcanized rubber cloth made of unvulcanized rubber is sandwiched and heated and pressed to clean the die surfaces of the pair of transfer molding dies with the cleaning sheet. Manufacturing method. (A) A removal aid composed of glycol ethers.
ウムイオンの合計含有量が２０００ｐｐｍ以下に抑制さ
れているものである特許請求の範囲第１項に記載の半導
体装置の製法。2. The method for producing a semiconductor device according to claim 1, wherein the unvulcanized rubber material has a total content of chlorine ions and sodium ions suppressed to 2000 ppm or less.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8024967A JP2783991B2 (en) | 1996-02-13 | 1996-02-13 | Semiconductor device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61296198A Division JPH0746691B2 (en) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | Manufacturing method of semiconductor device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250534A true JPH08250534A (en) | 1996-09-27 |
| JP2783991B2 JP2783991B2 (en) | 1998-08-06 |
Family
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100454389B1 (en) * | 1998-01-26 | 2004-10-26 | 정근봉 | Rubber composition for cleaning mold |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746691A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Speaker |
-
1996
- 1996-02-13 JP JP8024967A patent/JP2783991B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0746691A (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Speaker |
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| KR100454389B1 (en) * | 1998-01-26 | 2004-10-26 | 정근봉 | Rubber composition for cleaning mold |
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| JP2783991B2 (en) | 1998-08-06 |
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