JPH08241802A - サーミスタ装置及びその製造方法 - Google Patents
サーミスタ装置及びその製造方法Info
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- JPH08241802A JPH08241802A JP7043697A JP4369795A JPH08241802A JP H08241802 A JPH08241802 A JP H08241802A JP 7043697 A JP7043697 A JP 7043697A JP 4369795 A JP4369795 A JP 4369795A JP H08241802 A JPH08241802 A JP H08241802A
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- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
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- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造が容易で、かつ、内蔵された二つのサー
ミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミスタ装置を得
る。 【構成】 正特性サーミスタ装置は絶縁性ケース１、正
特性サーミスタ素子５，６、平板端子１０，１１、ばね
端子１２，１３を備えている。二つの正特性サーミスタ
素子５，６は略等しい抵抗値（例えば±１Ω以内）にな
るように、両者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理
により抵抗値を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サー
ミスタ素子の抵抗値に近付けられている。すなわち、抵
抗値の低い方の正特性サーミスタ素子の電極の一部がレ
ーザビームによって除去されている。
ミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミスタ装置を得
る。 【構成】 正特性サーミスタ装置は絶縁性ケース１、正
特性サーミスタ素子５，６、平板端子１０，１１、ばね
端子１２，１３を備えている。二つの正特性サーミスタ
素子５，６は略等しい抵抗値（例えば±１Ω以内）にな
るように、両者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理
により抵抗値を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サー
ミスタ素子の抵抗値に近付けられている。すなわち、抵
抗値の低い方の正特性サーミスタ素子の電極の一部がレ
ーザビームによって除去されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ装置、特
に、電話交換機等の通信機器を過電流から保護するため
の過電流保護用サーミスタ装置及びその製造方法に関す
る。
に、電話交換機等の通信機器を過電流から保護するため
の過電流保護用サーミスタ装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、電話交換機等の通信機器を、
通信線から侵入する雷サージ及び商用線との混触等によ
り発生する過電流から保護するために、二つの正特性サ
ーミスタ素子を一つのケースに収納した構造の過電流保
護用正特性サーミスタ装置が知られている。この場合、
二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の差は０Ωに近い
方が好ましい。電話交換機等の通信機器の通信回路にお
いては、行き帰りの回路線の抵抗値の整合性を維持する
必要があるからである。
通信線から侵入する雷サージ及び商用線との混触等によ
り発生する過電流から保護するために、二つの正特性サ
ーミスタ素子を一つのケースに収納した構造の過電流保
護用正特性サーミスタ装置が知られている。この場合、
二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の差は０Ωに近い
方が好ましい。電話交換機等の通信機器の通信回路にお
いては、行き帰りの回路線の抵抗値の整合性を維持する
必要があるからである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の正特性サーミス
タ装置においては、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差を０Ωに近付けるため、多数の正特性サーミスタ
素子の中から抵抗値が略等しい二つの正特性サーミスタ
素子を選んで組み合わせるという煩雑な作業が必要であ
った。正特性サーミスタ素子は製造時の僅かな条件の相
違で抵抗値が大きくばらつくからである。
タ装置においては、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差を０Ωに近付けるため、多数の正特性サーミスタ
素子の中から抵抗値が略等しい二つの正特性サーミスタ
素子を選んで組み合わせるという煩雑な作業が必要であ
った。正特性サーミスタ素子は製造時の僅かな条件の相
違で抵抗値が大きくばらつくからである。
【０００４】また、異なる抵抗値毎に正特性サーミスタ
素子をグループ分けし、同一グループ内の正特性サーミ
スタ素子を組み合わせる方法も考えられる。しかし、組
み合わされる二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の測
定時期が異なると、抵抗値測定時の周囲温度の変化や抵
抗測定器の微妙な経時変化等により、二つの正特性サー
ミスタ素子の抵抗値の測定データが不正確なものとな
り、組み合わされた二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差が大きくなり、最悪の場合には行き帰りの回路線
の抵抗値の整合性を維持することができないものとな
る。
素子をグループ分けし、同一グループ内の正特性サーミ
スタ素子を組み合わせる方法も考えられる。しかし、組
み合わされる二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の測
定時期が異なると、抵抗値測定時の周囲温度の変化や抵
抗測定器の微妙な経時変化等により、二つの正特性サー
ミスタ素子の抵抗値の測定データが不正確なものとな
り、組み合わされた二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差が大きくなり、最悪の場合には行き帰りの回路線
の抵抗値の整合性を維持することができないものとな
る。
【０００５】また、正特性サーミスタ素子の抵抗値を測
定し、抵抗値が低過ぎるものに対してトリミング処理を
行い、抵抗値を高くし全ての正特性サーミスタ素子を所
定の抵抗値にする方法も考えられる。しかし、この方法
も組み合わされる二つの正特性サーミスタ素子のトリミ
ング処理前の抵抗値の測定時期が異なると、前述した理
由により測定データが不正確なものとなり、二つの正特
性サーミスタ素子の測定データから得られる抵抗値の差
が不正確になる。従って、トリミング処理を正確に行う
ことができず、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の
差が大きくなるという問題があった。
定し、抵抗値が低過ぎるものに対してトリミング処理を
行い、抵抗値を高くし全ての正特性サーミスタ素子を所
定の抵抗値にする方法も考えられる。しかし、この方法
も組み合わされる二つの正特性サーミスタ素子のトリミ
ング処理前の抵抗値の測定時期が異なると、前述した理
由により測定データが不正確なものとなり、二つの正特
性サーミスタ素子の測定データから得られる抵抗値の差
が不正確になる。従って、トリミング処理を正確に行う
ことができず、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の
差が大きくなるという問題があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、製造が容易で、
かつ、内蔵された二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が
小さいサーミスタ装置及びその製造方法を提供すること
にある。
かつ、内蔵された二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が
小さいサーミスタ装置及びその製造方法を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る請求項１記載のサーミスタ装置は、
（ａ）絶縁性ケースと、（ｂ）前記ケースに収容された
二つのサーミスタ素子と、（ｃ）前記各サーミスタ素子
を挟持する各一対の端子とを備え、（ｄ）前記二つのサ
ーミスタ素子のうち抵抗値の低い方のサーミスタ素子が
トリミングされて抵抗値が高くされ、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とされたこ
と、を特徴とする。
め、本発明に係る請求項１記載のサーミスタ装置は、
（ａ）絶縁性ケースと、（ｂ）前記ケースに収容された
二つのサーミスタ素子と、（ｃ）前記各サーミスタ素子
を挟持する各一対の端子とを備え、（ｄ）前記二つのサ
ーミスタ素子のうち抵抗値の低い方のサーミスタ素子が
トリミングされて抵抗値が高くされ、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とされたこ
と、を特徴とする。
【０００８】また、本発明に係る請求項２記載のサーミ
スタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケースに
収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素
子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサー
ミスタ素子の抵抗値を測定し、抵抗値の低い方のサーミ
スタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高
い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とする
ことを特徴とする。
スタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケースに
収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素
子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサー
ミスタ素子の抵抗値を測定し、抵抗値の低い方のサーミ
スタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高
い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とする
ことを特徴とする。
【０００９】さらに、本発明に係る請求項３記載のサー
ミスタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケース
に収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ
素子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサ
ーミスタ素子の抵抗値を略同時に測定し、抵抗値の低い
方のサーミスタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、
抵抗値の高い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵
抗値とすることを特徴とする。
ミスタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケース
に収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ
素子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサ
ーミスタ素子の抵抗値を略同時に測定し、抵抗値の低い
方のサーミスタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、
抵抗値の高い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵
抗値とすることを特徴とする。
【００１０】また、本発明に係る請求項４記載のサーミ
スタ装置の製造方法は、請求項３記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子をト
リミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミ
スタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴と
する。
スタ装置の製造方法は、請求項３記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子をト
リミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミ
スタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴と
する。
【００１１】また、本発明に係る請求項５記載のサーミ
スタ装置の製造方法は、請求項３記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子を前
記ケースの開口部から入射した高エネルギービームによ
ってトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを
特徴とする。
スタ装置の製造方法は、請求項３記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子を前
記ケースの開口部から入射した高エネルギービームによ
ってトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを
特徴とする。
【００１２】
【作用】請求項１記載のサーミスタ装置及び請求項２記
載のサーミスタ装置の製造方法において、トリミング処
理は二つのサーミスタ素子のうちの一方だけに行われ、
他方のサーミスタ素子にはトリミング処理を行う必要が
なくなる。従って、トリミング処理作業が従来のサーミ
スタ装置と比較して減少する。
載のサーミスタ装置の製造方法において、トリミング処
理は二つのサーミスタ素子のうちの一方だけに行われ、
他方のサーミスタ素子にはトリミング処理を行う必要が
なくなる。従って、トリミング処理作業が従来のサーミ
スタ装置と比較して減少する。
【００１３】また、請求項３記載のサーミスタ装置の製
造方法は、二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時に測
定するため、抵抗測定時の周囲温度の変化や抵抗測定器
の微妙な経時変化等の影響を殆ど受けない。従って、二
つのサーミスタ素子の抵抗値の差が正しく測定され、抵
抗値の低い方のサーミスタ素子に施すトリミングが正確
になる。
造方法は、二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時に測
定するため、抵抗測定時の周囲温度の変化や抵抗測定器
の微妙な経時変化等の影響を殆ど受けない。従って、二
つのサーミスタ素子の抵抗値の差が正しく測定され、抵
抗値の低い方のサーミスタ素子に施すトリミングが正確
になる。
【００１４】さらに、請求項４記載のサーミスタ装置の
製造方法は、二つのサーミスタ素子を同一ケースに収容
した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共にトリミン
グ処理も行うことにより、組立て作業がスムーズにな
り、サーミスタ素子の割れや欠けも少なくてすむ。ま
た、請求項５記載のサーミスタ装置の製造方法は、トリ
ミング処理を高エネルギービームを利用して行うので、
ケース内に異物が侵入するおそれがない。
製造方法は、二つのサーミスタ素子を同一ケースに収容
した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共にトリミン
グ処理も行うことにより、組立て作業がスムーズにな
り、サーミスタ素子の割れや欠けも少なくてすむ。ま
た、請求項５記載のサーミスタ装置の製造方法は、トリ
ミング処理を高エネルギービームを利用して行うので、
ケース内に異物が侵入するおそれがない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係るサーミスタ装置及びその
製造方法の実施例について添付図面を参照して説明す
る。 ［第１実施例、図１〜図３］図１に示すように、正特性
サーミスタ装置は、絶縁性ケース１、蓋部材２、二つの
正特性サーミスタ素子５，６、二つの平板端子１０，１
１、二つのばね端子１２，１３及び絶縁板１５にて構成
されている。
製造方法の実施例について添付図面を参照して説明す
る。 ［第１実施例、図１〜図３］図１に示すように、正特性
サーミスタ装置は、絶縁性ケース１、蓋部材２、二つの
正特性サーミスタ素子５，６、二つの平板端子１０，１
１、二つのばね端子１２，１３及び絶縁板１５にて構成
されている。
【００１６】絶縁性ケース１は、その左側開口部が蓋部
材２によって塞がれている。絶縁性ケース１及び蓋部材
２の材料としては、フェノール等の熱硬化性樹脂やポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂が使用され
る。正特性サーミスタ素子５，６は、図２及び図３に示
すように、円板形状をしており、ＢａＴｉＯ3等のセラ
ミックスからなる。正特性サーミスタ素子５，６の表裏
面には電極５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂが設けられている。
そして、二つの正特性サーミスタ素子５，６は略等しい
抵抗値（例えば±１Ω以内）になるように、両者のうち
抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値を高くさ
れ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の抵抗値に
近付けられている。すなわち、第１実施例では、正特性
サーミスタ素子６の電極６ａの一部がレーザトリミング
によって除去されている。
材２によって塞がれている。絶縁性ケース１及び蓋部材
２の材料としては、フェノール等の熱硬化性樹脂やポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂が使用され
る。正特性サーミスタ素子５，６は、図２及び図３に示
すように、円板形状をしており、ＢａＴｉＯ3等のセラ
ミックスからなる。正特性サーミスタ素子５，６の表裏
面には電極５ａ，５ｂ，６ａ，６ｂが設けられている。
そして、二つの正特性サーミスタ素子５，６は略等しい
抵抗値（例えば±１Ω以内）になるように、両者のうち
抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値を高くさ
れ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の抵抗値に
近付けられている。すなわち、第１実施例では、正特性
サーミスタ素子６の電極６ａの一部がレーザトリミング
によって除去されている。
【００１７】絶縁板１５は熱伝導性の良好な材料からな
り、例えば絶縁性ケース１と一体に形成されたものであ
る。平板端子１０，１１は絶縁板１５と正特性サーミス
タ素子５，６との間にそれぞれ配設され、絶縁板１５の
壁面と正特性サーミスタ素子５，６の電極５ｂ，６ａに
それぞれ接触している。平板端子１０，１１の一方の端
部１０ａ，１１ａはケース１の右側に導出している。
り、例えば絶縁性ケース１と一体に形成されたものであ
る。平板端子１０，１１は絶縁板１５と正特性サーミス
タ素子５，６との間にそれぞれ配設され、絶縁板１５の
壁面と正特性サーミスタ素子５，６の電極５ｂ，６ａに
それぞれ接触している。平板端子１０，１１の一方の端
部１０ａ，１１ａはケース１の右側に導出している。
【００１８】ばね端子１２，１３は正特性サーミスタ素
子５，６とケース１の内壁との間にそれぞれ配設され、
ケース１の内壁面とサーミスタ素子５，６の電極５ａ，
６ｂにそれぞれ接触している。ばね端子１２，１３の一
方の端部１２ａ，１３ａはケース１の右側に導出してい
る。二つの正特性サーミスタ素子５，６は、蓋部材２で
密閉されたケース１内に、平板端子１０，１１及び絶縁
板１５を挟着した状態で端子１２，１３にて厚さ方向に
押圧保持されている。正特性サーミスタ素子５，６は絶
縁板１５にて電気的には絶縁されている。ここに、正特
性サーミスタ素子５，６は、絶縁板１５と平板端子１
０，１１を介して熱的に密に結合された状態で設置され
ている。
子５，６とケース１の内壁との間にそれぞれ配設され、
ケース１の内壁面とサーミスタ素子５，６の電極５ａ，
６ｂにそれぞれ接触している。ばね端子１２，１３の一
方の端部１２ａ，１３ａはケース１の右側に導出してい
る。二つの正特性サーミスタ素子５，６は、蓋部材２で
密閉されたケース１内に、平板端子１０，１１及び絶縁
板１５を挟着した状態で端子１２，１３にて厚さ方向に
押圧保持されている。正特性サーミスタ素子５，６は絶
縁板１５にて電気的には絶縁されている。ここに、正特
性サーミスタ素子５，６は、絶縁板１５と平板端子１
０，１１を介して熱的に密に結合された状態で設置され
ている。
【００１９】以上の構造からなる正特性サーミスタ装置
において、二つの正特性サーミスタ素子５，６の抵抗値
の差を小さくする手順について詳説する。準備された複
数の正特性サーミスタ素子の中から任意の二つの正特性
サーミスタ素子５，６を取り出して抵抗測定器にてそれ
ぞれの抵抗値を測定する。このとき、同一ケースに収容
される二つの正特性サーミスタ素子５，６は略同時に抵
抗値を測定することが好ましい。抵抗測定時の周囲温度
の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を避け、
サーミスタ素子５，６の抵抗値の差を正しく測定して後
工程のトリミング処理を正確に行うためである。
において、二つの正特性サーミスタ素子５，６の抵抗値
の差を小さくする手順について詳説する。準備された複
数の正特性サーミスタ素子の中から任意の二つの正特性
サーミスタ素子５，６を取り出して抵抗測定器にてそれ
ぞれの抵抗値を測定する。このとき、同一ケースに収容
される二つの正特性サーミスタ素子５，６は略同時に抵
抗値を測定することが好ましい。抵抗測定時の周囲温度
の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を避け、
サーミスタ素子５，６の抵抗値の差を正しく測定して後
工程のトリミング処理を正確に行うためである。
【００２０】測定された正確な抵抗値データは、演算処
理装置に送られ、二つの正特性サーミスタ素子５，６の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子（第１実施例の場合はサーミスタ素子６）の電極除去
面積を算出する。次に、この電極除去面積の値に応じて
演算処理装置からレーザトリミング装置へ、駆動信号が
送られる。レーザトリミング装置はレーザビームを照射
して抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素子６をトリミ
ング、すなわち電極６ａの一部を除去し、電極面積を所
定量だけ低減させる。電極６ａの一部が除去された正特
性サーミスタ素子６は抵抗値が高くなり、他方の正特性
サーミスタ素子５と略等しい抵抗値となる。ただし、ト
リミングは一回に限定する必要はなく、必要な場合は再
び正特性サーミスタ素子の抵抗値を測定し、トリミング
を繰り返してもよい。
理装置に送られ、二つの正特性サーミスタ素子５，６の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子（第１実施例の場合はサーミスタ素子６）の電極除去
面積を算出する。次に、この電極除去面積の値に応じて
演算処理装置からレーザトリミング装置へ、駆動信号が
送られる。レーザトリミング装置はレーザビームを照射
して抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素子６をトリミ
ング、すなわち電極６ａの一部を除去し、電極面積を所
定量だけ低減させる。電極６ａの一部が除去された正特
性サーミスタ素子６は抵抗値が高くなり、他方の正特性
サーミスタ素子５と略等しい抵抗値となる。ただし、ト
リミングは一回に限定する必要はなく、必要な場合は再
び正特性サーミスタ素子の抵抗値を測定し、トリミング
を繰り返してもよい。
【００２１】こうして、抵抗値の差が小さい二つの正特
性サーミスタ素子５，６が得られる。トリミング処理は
抵抗値が低い方の正特性サーミスタ素子６に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較して、トリミング作業を半減させる
ことができる。
性サーミスタ素子５，６が得られる。トリミング処理は
抵抗値が低い方の正特性サーミスタ素子６に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較して、トリミング作業を半減させる
ことができる。
【００２２】［第２実施例、図４〜図８］図４及び図５
に示すように、正特性サーミスタ装置は、絶縁性ケース
２１、二つの正特性サーミスタ素子２５，２６、二つの
突起端子３０，３１及び二つのばね端子３２，３３にて
構成されている。
に示すように、正特性サーミスタ装置は、絶縁性ケース
２１、二つの正特性サーミスタ素子２５，２６、二つの
突起端子３０，３１及び二つのばね端子３２，３３にて
構成されている。
【００２３】絶縁性ケース２１は中央部に仕切り部２１
ｃを設け、この仕切り部を間にして左右にそれぞれ円形
状の凹部２１ａ，２１ｂを設けている。正特性サーミス
タ素子２５，２６は円板形状をしており、その表裏面に
は電極２５ａ，２５ｂ、２６ａ，２６ｂが設けられてい
る。そして、二つの正特性サーミスタ素子２５，２６は
略等しい抵抗値（例えば±１Ω以内）になるように、両
者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値
を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の
抵抗値に近付けられている。
ｃを設け、この仕切り部を間にして左右にそれぞれ円形
状の凹部２１ａ，２１ｂを設けている。正特性サーミス
タ素子２５，２６は円板形状をしており、その表裏面に
は電極２５ａ，２５ｂ、２６ａ，２６ｂが設けられてい
る。そして、二つの正特性サーミスタ素子２５，２６は
略等しい抵抗値（例えば±１Ω以内）になるように、両
者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値
を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の
抵抗値に近付けられている。
【００２４】突起端子３０，３１はケース２１にインサ
ートモールドされており、その一方の円形状端部には突
起３０ａ，３１ａが設けられている。この突起３０ａ，
３１ａはケース２１の底部に設けた穴２１ｄ，２１ｅか
ら露出し、それぞれ正特性サーミスタ素子２５，２６の
電極２５ｂ，２６ｂに接触している。他方の端部はケー
ス２１の左右の端面から導出し、ケース２１の表面に沿
って折り曲げられて外部接続部３０ｂ，３１ｂとされて
いる。
ートモールドされており、その一方の円形状端部には突
起３０ａ，３１ａが設けられている。この突起３０ａ，
３１ａはケース２１の底部に設けた穴２１ｄ，２１ｅか
ら露出し、それぞれ正特性サーミスタ素子２５，２６の
電極２５ｂ，２６ｂに接触している。他方の端部はケー
ス２１の左右の端面から導出し、ケース２１の表面に沿
って折り曲げられて外部接続部３０ｂ，３１ｂとされて
いる。
【００２５】ばね端子３２，３３はそれぞれ電極片部３
２ａ，３３ａと外部接続部３２ｂ，３３ｂからなり、電
極片部３２ａ，３３ａはケース２１の上面に配設され、
凹部２１ａ，２１ｂの開口部を塞いでいる。外部接続部
３２ｂ，３３ｂはケース２１の表面に沿って折り曲げら
れ、左右の端面を回り込んで底面に延在している。な
お、凹部２１ａ，２１ｂの開口部の密封性を上げるため
に、さらに蓋を被せてもよい。
２ａ，３３ａと外部接続部３２ｂ，３３ｂからなり、電
極片部３２ａ，３３ａはケース２１の上面に配設され、
凹部２１ａ，２１ｂの開口部を塞いでいる。外部接続部
３２ｂ，３３ｂはケース２１の表面に沿って折り曲げら
れ、左右の端面を回り込んで底面に延在している。な
お、凹部２１ａ，２１ｂの開口部の密封性を上げるため
に、さらに蓋を被せてもよい。
【００２６】二つの正特性サーミスタ素子２５，２６は
それぞれ凹部２１ａ，２１ｂ内に、突起端子３０，３１
とばね端子３２，３３にて挟着され、厚さ方向に押圧保
持されている。以上の構造からなる正特性サーミスタ装
置の製造手順を図６〜図８を参照して説明する。
それぞれ凹部２１ａ，２１ｂ内に、突起端子３０，３１
とばね端子３２，３３にて挟着され、厚さ方向に押圧保
持されている。以上の構造からなる正特性サーミスタ装
置の製造手順を図６〜図８を参照して説明する。
【００２７】図６に示すように、帯状の金属板を打抜き
加工して突起端子３０，３１を連接したフープ材４０を
準備する。フープ材４０の両側縁部には送り穴４１が設
けられており、フープ材４０はこの送り穴４１を利用し
て図中矢印ａ方向に搬送され、各工程に送り込まれる。
従って、後述するように組立てとトリミングを同一ライ
ン化することができ、自動化が容易になる。
加工して突起端子３０，３１を連接したフープ材４０を
準備する。フープ材４０の両側縁部には送り穴４１が設
けられており、フープ材４０はこの送り穴４１を利用し
て図中矢印ａ方向に搬送され、各工程に送り込まれる。
従って、後述するように組立てとトリミングを同一ライ
ン化することができ、自動化が容易になる。
【００２８】まず、突起端子３０，３１が樹脂にてイン
サートモールドされ、突起３０ａ，３１ａと外部接続部
３０ｂ，３１ｂが露出した状態でケース２１が成形され
る。次に、図７に示すように、ケース２１の凹部２１
ａ，２１ｂにそれぞれ正特性サーミスタ素子２５，２６
が水平状態で挿入される。この後、抵抗測定器４５の一
方の測定端子４５ａをケース２１の穴２１ｄに挿入して
突起端子３０に接触させると共に、他方の測定端子４５
ｂを凹部２１ａに挿入して電極２５ａに接触させる。同
様にして、抵抗測定器４６の一方の測定端子４６ａを突
起端子３１に接触させると共に、他方の測定端子４６ｂ
を電極２６ａに接触させる。そして、正特性サーミスタ
素子２５，２６の抵抗値を同時に測定する。抵抗測定時
の周囲温度の変化や抵抗測定器４５，４６の微妙な経時
変化等の影響を避け、サーミスタ素子２５，２６の抵抗
値の差を正しく測定して後工程のトリミング処理を正確
に行うためである。
サートモールドされ、突起３０ａ，３１ａと外部接続部
３０ｂ，３１ｂが露出した状態でケース２１が成形され
る。次に、図７に示すように、ケース２１の凹部２１
ａ，２１ｂにそれぞれ正特性サーミスタ素子２５，２６
が水平状態で挿入される。この後、抵抗測定器４５の一
方の測定端子４５ａをケース２１の穴２１ｄに挿入して
突起端子３０に接触させると共に、他方の測定端子４５
ｂを凹部２１ａに挿入して電極２５ａに接触させる。同
様にして、抵抗測定器４６の一方の測定端子４６ａを突
起端子３１に接触させると共に、他方の測定端子４６ｂ
を電極２６ａに接触させる。そして、正特性サーミスタ
素子２５，２６の抵抗値を同時に測定する。抵抗測定時
の周囲温度の変化や抵抗測定器４５，４６の微妙な経時
変化等の影響を避け、サーミスタ素子２５，２６の抵抗
値の差を正しく測定して後工程のトリミング処理を正確
に行うためである。
【００２９】測定された正確な抵抗値データは演算処理
装置４７に送られ、正特性サーミスタ素子２５，２６の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子（第２実施例の場合はサーミスタ素子２５とする）の
電極除去面積を算出する。次に、図８に示すように、こ
の電極除去面積の値に応じて演算処理装置４７からレー
ザトリミング装置５０へ駆動信号が送られる。レーザト
リミング装置５０はレーザビームＬを照射して抵抗値の
低い方の正特性サーミスタ素子２５をトリミング、すな
わち凹部２１ａの開口部を介して露出している電極２５
ａの一部を除去し、電極面積を所定量だけ低減させる。
電極２５ａの一部が除去された正特性サーミスタ素子２
５は抵抗値が高くなり、他方の正特性サーミスタ素子２
６と略等しい抵抗値となる。
装置４７に送られ、正特性サーミスタ素子２５，２６の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子（第２実施例の場合はサーミスタ素子２５とする）の
電極除去面積を算出する。次に、図８に示すように、こ
の電極除去面積の値に応じて演算処理装置４７からレー
ザトリミング装置５０へ駆動信号が送られる。レーザト
リミング装置５０はレーザビームＬを照射して抵抗値の
低い方の正特性サーミスタ素子２５をトリミング、すな
わち凹部２１ａの開口部を介して露出している電極２５
ａの一部を除去し、電極面積を所定量だけ低減させる。
電極２５ａの一部が除去された正特性サーミスタ素子２
５は抵抗値が高くなり、他方の正特性サーミスタ素子２
６と略等しい抵抗値となる。
【００３０】こうして、抵抗値の差が小さい正特性サー
ミスタ素子２５，２６が得られる。トリミング処理は抵
抗値が低い方の正特性サーミスタ素子２５に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較し、トリミング作業を半減させるこ
とができる。また、正特性サーミスタ素子２５，２６を
ケース２１に収容した状態で、抵抗値を測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業がスムーズにな
り、トリミング後の正特性サーミスタ素子２５，２６取
扱い中の割れや欠けによる抵抗値の変化を防止すること
ができる。さらに、トリミングにレーザを利用している
ので、ケース２１内に異物が侵入するおそれもない。
ミスタ素子２５，２６が得られる。トリミング処理は抵
抗値が低い方の正特性サーミスタ素子２５に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較し、トリミング作業を半減させるこ
とができる。また、正特性サーミスタ素子２５，２６を
ケース２１に収容した状態で、抵抗値を測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業がスムーズにな
り、トリミング後の正特性サーミスタ素子２５，２６取
扱い中の割れや欠けによる抵抗値の変化を防止すること
ができる。さらに、トリミングにレーザを利用している
ので、ケース２１内に異物が侵入するおそれもない。
【００３１】次に、ばね端子３２，３３がケース２１の
凹部２１ａ，２１ｂの開口部にそれぞれ配設され、その
外部接続部３２ｂ，３３ｂがケース２１の表面に沿って
折り曲げ加工される。この後、図６中に表示した一点鎖
線Ｃに沿ってカットし、フープ材４０から正特性サーミ
スタ装置を切出し、突起端子３０，３１の外部接続部３
０ｂ，３１ｂがケース２１の表面に沿って折り曲げ加工
され、製品とされる。
凹部２１ａ，２１ｂの開口部にそれぞれ配設され、その
外部接続部３２ｂ，３３ｂがケース２１の表面に沿って
折り曲げ加工される。この後、図６中に表示した一点鎖
線Ｃに沿ってカットし、フープ材４０から正特性サーミ
スタ装置を切出し、突起端子３０，３１の外部接続部３
０ｂ，３１ｂがケース２１の表面に沿って折り曲げ加工
され、製品とされる。
【００３２】［他の実施例］なお、本発明に係るサーミ
スタ装置及びその製造方法は前記実施例に限定するもの
ではなく、その要旨の範囲内で種々に変形することがで
きる。前記実施例は正特性サーミスタ素子を用いたサー
ミスタ装置について説明したが、負特性サーミスタ素子
を用いたサーミスタ装置であってもよい。
スタ装置及びその製造方法は前記実施例に限定するもの
ではなく、その要旨の範囲内で種々に変形することがで
きる。前記実施例は正特性サーミスタ素子を用いたサー
ミスタ装置について説明したが、負特性サーミスタ素子
を用いたサーミスタ装置であってもよい。
【００３３】また、トリミングに際し、サーミスタ素子
の電極を除去する部分の形状は任意であり、例えば図９
に示すように電極６ａの外周縁部を除去したり、図１０
に示すように両方の電極６ａ，６ｂの一部を除去した
り、図１１に示すように電極６ａを２分割したり、図１
２に示すように、電極６ａ，６ｂと共にサーミスタ本体
の一部も除去してもよい。
の電極を除去する部分の形状は任意であり、例えば図９
に示すように電極６ａの外周縁部を除去したり、図１０
に示すように両方の電極６ａ，６ｂの一部を除去した
り、図１１に示すように電極６ａを２分割したり、図１
２に示すように、電極６ａ，６ｂと共にサーミスタ本体
の一部も除去してもよい。
【００３４】さらに、前記実施例ではトリミングの際に
レーザビームを使用したが、レーザビーム以外に、電子
ビーム、イオンビーム等の高エネルギービームを使用し
てもよい。また、前記実施例では、単層の電極について
説明したが、多層電極でもよい。
レーザビームを使用したが、レーザビーム以外に、電子
ビーム、イオンビーム等の高エネルギービームを使用し
てもよい。また、前記実施例では、単層の電極について
説明したが、多層電極でもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、トリミング処理を二つのサーミスタ素子のうち
の一方だけに行うので、従来は略全部のサーミスタ素子
に行っていたトリミング作業を半減させることができ
る。また、同一ケースに収容される二つのサーミスタ素
子の抵抗値を略同時に測定するので、抵抗測定時の周囲
温度の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を殆
ど受けず、二つのサーミスタ素子の抵抗値の差を正しく
測定して正確なトリミングを行うことができる。
よれば、トリミング処理を二つのサーミスタ素子のうち
の一方だけに行うので、従来は略全部のサーミスタ素子
に行っていたトリミング作業を半減させることができ
る。また、同一ケースに収容される二つのサーミスタ素
子の抵抗値を略同時に測定するので、抵抗測定時の周囲
温度の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を殆
ど受けず、二つのサーミスタ素子の抵抗値の差を正しく
測定して正確なトリミングを行うことができる。
【００３６】さらに、二つのサーミスタ素子を同一ケー
スに収容した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業をスムーズに行
うことができ、トリミング後のサーミスタ素子の取扱い
中の割れた欠けによる抵抗値の変化も防止することがで
きる。また、トリミング処理を高エネルギービームを利
用することにより、ケース内に異物が侵入するおそれも
なくなり、サーミスタ装置の信頼性が向上する。
スに収容した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業をスムーズに行
うことができ、トリミング後のサーミスタ素子の取扱い
中の割れた欠けによる抵抗値の変化も防止することがで
きる。また、トリミング処理を高エネルギービームを利
用することにより、ケース内に異物が侵入するおそれも
なくなり、サーミスタ装置の信頼性が向上する。
【００３７】この結果、製造が容易で、かつ、内蔵され
た二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミス
タ装置が得られる。
た二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミス
タ装置が得られる。
【図１】本発明に係るサーミスタ装置及びその製造方法
の第１実施例を示す一部を切り欠いた正面図。
の第１実施例を示す一部を切り欠いた正面図。
【図２】図１に示したサーミスタ装置に使用される二つ
のサーミスタ素子の一方の斜視図。
のサーミスタ素子の一方の斜視図。
【図３】図１に示したサーミスタ装置に使用される二つ
のサーミスタ素子の他方の斜視図。
のサーミスタ素子の他方の斜視図。
【図４】本発明に係るサーミスタ装置及びその製造方法
の第２実施例を示す平面図。
の第２実施例を示す平面図。
【図５】図４のＶ−Ｖの一部断面図。
【図６】図４に示したサーミスタ装置の製造方法を示す
平面図。
平面図。
【図７】図６に続く製造方法を示す一部断面図。
【図８】図７に続く製造方法を示す一部断面図。
【図９】他の実施例を示すサーミスタ素子の斜視図。
【図１０】別の他の実施例を示すサーミスタ素子の斜視
図。
図。
【図１１】さらに別の他の実施例を示すサーミスタ素子
の斜視図。
の斜視図。
【図１２】さらに別の他の実施例を示すサーミスタ素子
の斜視図。
の斜視図。
１…絶縁性ケース ５，６…正特性サーミスタ素子 １０，１１…平板端子 １２，１３…ばね端子 ２１…絶縁性ケース ２５，２６…正特性サーミスタ素子 ３０，３１…突起端子 ３２，３３…ばね端子 Ｌ…レーザビーム
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁性ケースと、 前記ケースに収容された二つのサーミスタ素子と、 前記各サーミスタ素子を挟持する各一対の端子とを備
え、 前記二つのサーミスタ素子のうち抵抗値の低い方のサー
ミスタ素子がトリミングされて抵抗値が高くされ、抵抗
値の高い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値
とされたこと、 を特徴とするサーミスタ装置。 - 【請求項２】 絶縁性ケースと、前記ケースに収容する
二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素子を挟持
する各一対の端子とを準備し、前記二つのサーミスタ素
子の抵抗値を測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子
をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサ
ーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特
徴とするサーミスタ装置の製造方法。 - 【請求項３】 絶縁性ケースと、前記ケースに収容する
二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素子を挟持
する各一対の端子とを準備し、前記二つのサーミスタ素
子の抵抗値を略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミ
スタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高
い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とする
ことを特徴とするサーミスタ装置の製造方法。 - 【請求項４】 二つのサーミスタ素子をケースに収容し
た状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時
に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子をトリミン
グして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミスタ素
子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴とする請
求項３記載のサーミスタ装置の製造方法。 - 【請求項５】 二つのサーミスタ素子をケースに収容し
た状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時
に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子を前記ケー
スの開口部から入射した高エネルギービームによってト
リミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミ
スタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴と
する請求項３記載のサーミスタ装置の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043697A JPH08241802A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | サーミスタ装置及びその製造方法 |
| US08/608,722 US5798685A (en) | 1995-03-03 | 1996-02-29 | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
| EP96103174A EP0730283B1 (en) | 1995-03-03 | 1996-03-01 | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
| DE69617772T DE69617772T2 (de) | 1995-03-03 | 1996-03-01 | Thermistor-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
| CN96106036A CN1084519C (zh) | 1995-03-03 | 1996-03-03 | 热敏电阻装置及其制造方法 |
| KR1019960005595A KR100200950B1 (ko) | 1995-03-03 | 1996-03-04 | 서미스터 장치 및 이의 제조방법 |
| US09/063,303 US6188307B1 (en) | 1995-03-03 | 1998-04-21 | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7043697A JPH08241802A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | サーミスタ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08241802A true JPH08241802A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12671029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7043697A Pending JPH08241802A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | サーミスタ装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5798685A (ja) |
| EP (1) | EP0730283B1 (ja) |
| JP (1) | JPH08241802A (ja) |
| KR (1) | KR100200950B1 (ja) |
| CN (1) | CN1084519C (ja) |
| DE (1) | DE69617772T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014134495A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Denso Corp | ペア温度センサ及びその製造方法 |
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| US5953811A (en) * | 1998-01-20 | 1999-09-21 | Emc Technology Llc | Trimming temperature variable resistor |
| FR2795520B1 (fr) * | 1999-06-24 | 2001-09-07 | Remy Kirchdoerffer | Procede de fabrication d'un dispositif du type instrument ou appareil de mesure ou de detection et dispositifs resultants |
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| JP2002048655A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-02-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ及びその製造管理方法 |
| JP4780689B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2011-09-28 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
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| US20040095225A1 (en) * | 2001-03-19 | 2004-05-20 | Nelson Charles Scott | Independently housed trim resistor and a method for fabricating same |
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| DE10243113A1 (de) * | 2002-09-17 | 2004-04-01 | Epcos Ag | Elektrische Baugruppe und deren Verwendung |
| US6875631B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-04-05 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
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| DE102006053081A1 (de) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Epcos Ag | Elektrische Baugruppe mit PTC-Widerstandselementen |
| DE102006053085A1 (de) * | 2006-11-10 | 2008-05-15 | Epcos Ag | Elektrische Baugruppe mit PTC-Widerstandselementen |
| DE102007042358B3 (de) * | 2007-09-06 | 2008-11-20 | Epcos Ag | Elektrische Schutzvorrichtung |
| US8174353B2 (en) * | 2007-09-21 | 2012-05-08 | Samhyun Cns Co., Ltd. | Varistor and varistor apparatus |
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| FR2958788B1 (fr) * | 2010-04-09 | 2015-01-30 | Abb France | Varistance comprenant une electrode avec une partie en saillie formant pole et parafoudre comprenant une telle varistance |
| CN102723155B (zh) * | 2012-07-09 | 2016-12-07 | 深圳市辰驹电子科技有限公司 | 可调值过流过压保护器 |
| CN106782955B (zh) * | 2017-01-10 | 2018-08-17 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 带过热保护的压敏电阻元件 |
| EP4187172A1 (en) * | 2021-11-25 | 2023-05-31 | BorgWarner Inc. | Method for confectioning resistors, resistor, and heating device |
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