JPH08241802A - サーミスタ装置及びその製造方法 - Google Patents
サーミスタ装置及びその製造方法Info
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- JPH08241802A JPH08241802A JP7043697A JP4369795A JPH08241802A JP H08241802 A JPH08241802 A JP H08241802A JP 7043697 A JP7043697 A JP 7043697A JP 4369795 A JP4369795 A JP 4369795A JP H08241802 A JPH08241802 A JP H08241802A
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- H01C1/1406—Terminals or electrodes formed on resistive elements having positive temperature coefficient
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
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- Y10T29/49082—Resistor making
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造が容易で、かつ、内蔵された二つのサー
ミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミスタ装置を得
る。 【構成】 正特性サーミスタ装置は絶縁性ケース1、正
特性サーミスタ素子5,6、平板端子10,11、ばね
端子12,13を備えている。二つの正特性サーミスタ
素子5,6は略等しい抵抗値(例えば±1Ω以内)にな
るように、両者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理
により抵抗値を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サー
ミスタ素子の抵抗値に近付けられている。すなわち、抵
抗値の低い方の正特性サーミスタ素子の電極の一部がレ
ーザビームによって除去されている。
ミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミスタ装置を得
る。 【構成】 正特性サーミスタ装置は絶縁性ケース1、正
特性サーミスタ素子5,6、平板端子10,11、ばね
端子12,13を備えている。二つの正特性サーミスタ
素子5,6は略等しい抵抗値(例えば±1Ω以内)にな
るように、両者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理
により抵抗値を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サー
ミスタ素子の抵抗値に近付けられている。すなわち、抵
抗値の低い方の正特性サーミスタ素子の電極の一部がレ
ーザビームによって除去されている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ装置、特
に、電話交換機等の通信機器を過電流から保護するため
の過電流保護用サーミスタ装置及びその製造方法に関す
る。
に、電話交換機等の通信機器を過電流から保護するため
の過電流保護用サーミスタ装置及びその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、電話交換機等の通信機器を、
通信線から侵入する雷サージ及び商用線との混触等によ
り発生する過電流から保護するために、二つの正特性サ
ーミスタ素子を一つのケースに収納した構造の過電流保
護用正特性サーミスタ装置が知られている。この場合、
二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の差は0Ωに近い
方が好ましい。電話交換機等の通信機器の通信回路にお
いては、行き帰りの回路線の抵抗値の整合性を維持する
必要があるからである。
通信線から侵入する雷サージ及び商用線との混触等によ
り発生する過電流から保護するために、二つの正特性サ
ーミスタ素子を一つのケースに収納した構造の過電流保
護用正特性サーミスタ装置が知られている。この場合、
二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の差は0Ωに近い
方が好ましい。電話交換機等の通信機器の通信回路にお
いては、行き帰りの回路線の抵抗値の整合性を維持する
必要があるからである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の正特性サーミス
タ装置においては、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差を0Ωに近付けるため、多数の正特性サーミスタ
素子の中から抵抗値が略等しい二つの正特性サーミスタ
素子を選んで組み合わせるという煩雑な作業が必要であ
った。正特性サーミスタ素子は製造時の僅かな条件の相
違で抵抗値が大きくばらつくからである。
タ装置においては、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差を0Ωに近付けるため、多数の正特性サーミスタ
素子の中から抵抗値が略等しい二つの正特性サーミスタ
素子を選んで組み合わせるという煩雑な作業が必要であ
った。正特性サーミスタ素子は製造時の僅かな条件の相
違で抵抗値が大きくばらつくからである。
【0004】また、異なる抵抗値毎に正特性サーミスタ
素子をグループ分けし、同一グループ内の正特性サーミ
スタ素子を組み合わせる方法も考えられる。しかし、組
み合わされる二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の測
定時期が異なると、抵抗値測定時の周囲温度の変化や抵
抗測定器の微妙な経時変化等により、二つの正特性サー
ミスタ素子の抵抗値の測定データが不正確なものとな
り、組み合わされた二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差が大きくなり、最悪の場合には行き帰りの回路線
の抵抗値の整合性を維持することができないものとな
る。
素子をグループ分けし、同一グループ内の正特性サーミ
スタ素子を組み合わせる方法も考えられる。しかし、組
み合わされる二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の測
定時期が異なると、抵抗値測定時の周囲温度の変化や抵
抗測定器の微妙な経時変化等により、二つの正特性サー
ミスタ素子の抵抗値の測定データが不正確なものとな
り、組み合わされた二つの正特性サーミスタ素子の抵抗
値の差が大きくなり、最悪の場合には行き帰りの回路線
の抵抗値の整合性を維持することができないものとな
る。
【0005】また、正特性サーミスタ素子の抵抗値を測
定し、抵抗値が低過ぎるものに対してトリミング処理を
行い、抵抗値を高くし全ての正特性サーミスタ素子を所
定の抵抗値にする方法も考えられる。しかし、この方法
も組み合わされる二つの正特性サーミスタ素子のトリミ
ング処理前の抵抗値の測定時期が異なると、前述した理
由により測定データが不正確なものとなり、二つの正特
性サーミスタ素子の測定データから得られる抵抗値の差
が不正確になる。従って、トリミング処理を正確に行う
ことができず、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の
差が大きくなるという問題があった。
定し、抵抗値が低過ぎるものに対してトリミング処理を
行い、抵抗値を高くし全ての正特性サーミスタ素子を所
定の抵抗値にする方法も考えられる。しかし、この方法
も組み合わされる二つの正特性サーミスタ素子のトリミ
ング処理前の抵抗値の測定時期が異なると、前述した理
由により測定データが不正確なものとなり、二つの正特
性サーミスタ素子の測定データから得られる抵抗値の差
が不正確になる。従って、トリミング処理を正確に行う
ことができず、二つの正特性サーミスタ素子の抵抗値の
差が大きくなるという問題があった。
【0006】そこで、本発明の目的は、製造が容易で、
かつ、内蔵された二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が
小さいサーミスタ装置及びその製造方法を提供すること
にある。
かつ、内蔵された二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が
小さいサーミスタ装置及びその製造方法を提供すること
にある。
【0007】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る請求項1記載のサーミスタ装置は、
(a)絶縁性ケースと、(b)前記ケースに収容された
二つのサーミスタ素子と、(c)前記各サーミスタ素子
を挟持する各一対の端子とを備え、(d)前記二つのサ
ーミスタ素子のうち抵抗値の低い方のサーミスタ素子が
トリミングされて抵抗値が高くされ、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とされたこ
と、を特徴とする。
め、本発明に係る請求項1記載のサーミスタ装置は、
(a)絶縁性ケースと、(b)前記ケースに収容された
二つのサーミスタ素子と、(c)前記各サーミスタ素子
を挟持する各一対の端子とを備え、(d)前記二つのサ
ーミスタ素子のうち抵抗値の低い方のサーミスタ素子が
トリミングされて抵抗値が高くされ、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とされたこ
と、を特徴とする。
【0008】また、本発明に係る請求項2記載のサーミ
スタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケースに
収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素
子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサー
ミスタ素子の抵抗値を測定し、抵抗値の低い方のサーミ
スタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高
い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とする
ことを特徴とする。
スタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケースに
収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素
子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサー
ミスタ素子の抵抗値を測定し、抵抗値の低い方のサーミ
スタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高
い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とする
ことを特徴とする。
【0009】さらに、本発明に係る請求項3記載のサー
ミスタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケース
に収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ
素子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサ
ーミスタ素子の抵抗値を略同時に測定し、抵抗値の低い
方のサーミスタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、
抵抗値の高い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵
抗値とすることを特徴とする。
ミスタ装置の製造方法は、絶縁性ケースと、前記ケース
に収容する二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ
素子を挟持する各一対の端子とを準備し、前記二つのサ
ーミスタ素子の抵抗値を略同時に測定し、抵抗値の低い
方のサーミスタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、
抵抗値の高い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵
抗値とすることを特徴とする。
【0010】また、本発明に係る請求項4記載のサーミ
スタ装置の製造方法は、請求項3記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子をト
リミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミ
スタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴と
する。
スタ装置の製造方法は、請求項3記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子をト
リミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミ
スタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴と
する。
【0011】また、本発明に係る請求項5記載のサーミ
スタ装置の製造方法は、請求項3記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子を前
記ケースの開口部から入射した高エネルギービームによ
ってトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを
特徴とする。
スタ装置の製造方法は、請求項3記載のサーミスタ装置
の製造方法において、二つのサーミスタ素子をケースに
収容した状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を
略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子を前
記ケースの開口部から入射した高エネルギービームによ
ってトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方の
サーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを
特徴とする。
【0012】
【作用】請求項1記載のサーミスタ装置及び請求項2記
載のサーミスタ装置の製造方法において、トリミング処
理は二つのサーミスタ素子のうちの一方だけに行われ、
他方のサーミスタ素子にはトリミング処理を行う必要が
なくなる。従って、トリミング処理作業が従来のサーミ
スタ装置と比較して減少する。
載のサーミスタ装置の製造方法において、トリミング処
理は二つのサーミスタ素子のうちの一方だけに行われ、
他方のサーミスタ素子にはトリミング処理を行う必要が
なくなる。従って、トリミング処理作業が従来のサーミ
スタ装置と比較して減少する。
【0013】また、請求項3記載のサーミスタ装置の製
造方法は、二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時に測
定するため、抵抗測定時の周囲温度の変化や抵抗測定器
の微妙な経時変化等の影響を殆ど受けない。従って、二
つのサーミスタ素子の抵抗値の差が正しく測定され、抵
抗値の低い方のサーミスタ素子に施すトリミングが正確
になる。
造方法は、二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時に測
定するため、抵抗測定時の周囲温度の変化や抵抗測定器
の微妙な経時変化等の影響を殆ど受けない。従って、二
つのサーミスタ素子の抵抗値の差が正しく測定され、抵
抗値の低い方のサーミスタ素子に施すトリミングが正確
になる。
【0014】さらに、請求項4記載のサーミスタ装置の
製造方法は、二つのサーミスタ素子を同一ケースに収容
した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共にトリミン
グ処理も行うことにより、組立て作業がスムーズにな
り、サーミスタ素子の割れや欠けも少なくてすむ。ま
た、請求項5記載のサーミスタ装置の製造方法は、トリ
ミング処理を高エネルギービームを利用して行うので、
ケース内に異物が侵入するおそれがない。
製造方法は、二つのサーミスタ素子を同一ケースに収容
した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共にトリミン
グ処理も行うことにより、組立て作業がスムーズにな
り、サーミスタ素子の割れや欠けも少なくてすむ。ま
た、請求項5記載のサーミスタ装置の製造方法は、トリ
ミング処理を高エネルギービームを利用して行うので、
ケース内に異物が侵入するおそれがない。
【0015】
【実施例】以下、本発明に係るサーミスタ装置及びその
製造方法の実施例について添付図面を参照して説明す
る。 [第1実施例、図1〜図3]図1に示すように、正特性
サーミスタ装置は、絶縁性ケース1、蓋部材2、二つの
正特性サーミスタ素子5,6、二つの平板端子10,1
1、二つのばね端子12,13及び絶縁板15にて構成
されている。
製造方法の実施例について添付図面を参照して説明す
る。 [第1実施例、図1〜図3]図1に示すように、正特性
サーミスタ装置は、絶縁性ケース1、蓋部材2、二つの
正特性サーミスタ素子5,6、二つの平板端子10,1
1、二つのばね端子12,13及び絶縁板15にて構成
されている。
【0016】絶縁性ケース1は、その左側開口部が蓋部
材2によって塞がれている。絶縁性ケース1及び蓋部材
2の材料としては、フェノール等の熱硬化性樹脂やポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂が使用され
る。正特性サーミスタ素子5,6は、図2及び図3に示
すように、円板形状をしており、BaTiO3等のセラ
ミックスからなる。正特性サーミスタ素子5,6の表裏
面には電極5a,5b,6a,6bが設けられている。
そして、二つの正特性サーミスタ素子5,6は略等しい
抵抗値(例えば±1Ω以内)になるように、両者のうち
抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値を高くさ
れ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の抵抗値に
近付けられている。すなわち、第1実施例では、正特性
サーミスタ素子6の電極6aの一部がレーザトリミング
によって除去されている。
材2によって塞がれている。絶縁性ケース1及び蓋部材
2の材料としては、フェノール等の熱硬化性樹脂やポリ
フェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂が使用され
る。正特性サーミスタ素子5,6は、図2及び図3に示
すように、円板形状をしており、BaTiO3等のセラ
ミックスからなる。正特性サーミスタ素子5,6の表裏
面には電極5a,5b,6a,6bが設けられている。
そして、二つの正特性サーミスタ素子5,6は略等しい
抵抗値(例えば±1Ω以内)になるように、両者のうち
抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値を高くさ
れ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の抵抗値に
近付けられている。すなわち、第1実施例では、正特性
サーミスタ素子6の電極6aの一部がレーザトリミング
によって除去されている。
【0017】絶縁板15は熱伝導性の良好な材料からな
り、例えば絶縁性ケース1と一体に形成されたものであ
る。平板端子10,11は絶縁板15と正特性サーミス
タ素子5,6との間にそれぞれ配設され、絶縁板15の
壁面と正特性サーミスタ素子5,6の電極5b,6aに
それぞれ接触している。平板端子10,11の一方の端
部10a,11aはケース1の右側に導出している。
り、例えば絶縁性ケース1と一体に形成されたものであ
る。平板端子10,11は絶縁板15と正特性サーミス
タ素子5,6との間にそれぞれ配設され、絶縁板15の
壁面と正特性サーミスタ素子5,6の電極5b,6aに
それぞれ接触している。平板端子10,11の一方の端
部10a,11aはケース1の右側に導出している。
【0018】ばね端子12,13は正特性サーミスタ素
子5,6とケース1の内壁との間にそれぞれ配設され、
ケース1の内壁面とサーミスタ素子5,6の電極5a,
6bにそれぞれ接触している。ばね端子12,13の一
方の端部12a,13aはケース1の右側に導出してい
る。二つの正特性サーミスタ素子5,6は、蓋部材2で
密閉されたケース1内に、平板端子10,11及び絶縁
板15を挟着した状態で端子12,13にて厚さ方向に
押圧保持されている。正特性サーミスタ素子5,6は絶
縁板15にて電気的には絶縁されている。ここに、正特
性サーミスタ素子5,6は、絶縁板15と平板端子1
0,11を介して熱的に密に結合された状態で設置され
ている。
子5,6とケース1の内壁との間にそれぞれ配設され、
ケース1の内壁面とサーミスタ素子5,6の電極5a,
6bにそれぞれ接触している。ばね端子12,13の一
方の端部12a,13aはケース1の右側に導出してい
る。二つの正特性サーミスタ素子5,6は、蓋部材2で
密閉されたケース1内に、平板端子10,11及び絶縁
板15を挟着した状態で端子12,13にて厚さ方向に
押圧保持されている。正特性サーミスタ素子5,6は絶
縁板15にて電気的には絶縁されている。ここに、正特
性サーミスタ素子5,6は、絶縁板15と平板端子1
0,11を介して熱的に密に結合された状態で設置され
ている。
【0019】以上の構造からなる正特性サーミスタ装置
において、二つの正特性サーミスタ素子5,6の抵抗値
の差を小さくする手順について詳説する。準備された複
数の正特性サーミスタ素子の中から任意の二つの正特性
サーミスタ素子5,6を取り出して抵抗測定器にてそれ
ぞれの抵抗値を測定する。このとき、同一ケースに収容
される二つの正特性サーミスタ素子5,6は略同時に抵
抗値を測定することが好ましい。抵抗測定時の周囲温度
の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を避け、
サーミスタ素子5,6の抵抗値の差を正しく測定して後
工程のトリミング処理を正確に行うためである。
において、二つの正特性サーミスタ素子5,6の抵抗値
の差を小さくする手順について詳説する。準備された複
数の正特性サーミスタ素子の中から任意の二つの正特性
サーミスタ素子5,6を取り出して抵抗測定器にてそれ
ぞれの抵抗値を測定する。このとき、同一ケースに収容
される二つの正特性サーミスタ素子5,6は略同時に抵
抗値を測定することが好ましい。抵抗測定時の周囲温度
の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を避け、
サーミスタ素子5,6の抵抗値の差を正しく測定して後
工程のトリミング処理を正確に行うためである。
【0020】測定された正確な抵抗値データは、演算処
理装置に送られ、二つの正特性サーミスタ素子5,6の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子(第1実施例の場合はサーミスタ素子6)の電極除去
面積を算出する。次に、この電極除去面積の値に応じて
演算処理装置からレーザトリミング装置へ、駆動信号が
送られる。レーザトリミング装置はレーザビームを照射
して抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素子6をトリミ
ング、すなわち電極6aの一部を除去し、電極面積を所
定量だけ低減させる。電極6aの一部が除去された正特
性サーミスタ素子6は抵抗値が高くなり、他方の正特性
サーミスタ素子5と略等しい抵抗値となる。ただし、ト
リミングは一回に限定する必要はなく、必要な場合は再
び正特性サーミスタ素子の抵抗値を測定し、トリミング
を繰り返してもよい。
理装置に送られ、二つの正特性サーミスタ素子5,6の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子(第1実施例の場合はサーミスタ素子6)の電極除去
面積を算出する。次に、この電極除去面積の値に応じて
演算処理装置からレーザトリミング装置へ、駆動信号が
送られる。レーザトリミング装置はレーザビームを照射
して抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素子6をトリミ
ング、すなわち電極6aの一部を除去し、電極面積を所
定量だけ低減させる。電極6aの一部が除去された正特
性サーミスタ素子6は抵抗値が高くなり、他方の正特性
サーミスタ素子5と略等しい抵抗値となる。ただし、ト
リミングは一回に限定する必要はなく、必要な場合は再
び正特性サーミスタ素子の抵抗値を測定し、トリミング
を繰り返してもよい。
【0021】こうして、抵抗値の差が小さい二つの正特
性サーミスタ素子5,6が得られる。トリミング処理は
抵抗値が低い方の正特性サーミスタ素子6に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較して、トリミング作業を半減させる
ことができる。
性サーミスタ素子5,6が得られる。トリミング処理は
抵抗値が低い方の正特性サーミスタ素子6に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較して、トリミング作業を半減させる
ことができる。
【0022】[第2実施例、図4〜図8]図4及び図5
に示すように、正特性サーミスタ装置は、絶縁性ケース
21、二つの正特性サーミスタ素子25,26、二つの
突起端子30,31及び二つのばね端子32,33にて
構成されている。
に示すように、正特性サーミスタ装置は、絶縁性ケース
21、二つの正特性サーミスタ素子25,26、二つの
突起端子30,31及び二つのばね端子32,33にて
構成されている。
【0023】絶縁性ケース21は中央部に仕切り部21
cを設け、この仕切り部を間にして左右にそれぞれ円形
状の凹部21a,21bを設けている。正特性サーミス
タ素子25,26は円板形状をしており、その表裏面に
は電極25a,25b、26a,26bが設けられてい
る。そして、二つの正特性サーミスタ素子25,26は
略等しい抵抗値(例えば±1Ω以内)になるように、両
者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値
を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の
抵抗値に近付けられている。
cを設け、この仕切り部を間にして左右にそれぞれ円形
状の凹部21a,21bを設けている。正特性サーミス
タ素子25,26は円板形状をしており、その表裏面に
は電極25a,25b、26a,26bが設けられてい
る。そして、二つの正特性サーミスタ素子25,26は
略等しい抵抗値(例えば±1Ω以内)になるように、両
者のうち抵抗値の低い方がトリミング処理により抵抗値
を高くされ、抵抗値の高い方の正特性サーミスタ素子の
抵抗値に近付けられている。
【0024】突起端子30,31はケース21にインサ
ートモールドされており、その一方の円形状端部には突
起30a,31aが設けられている。この突起30a,
31aはケース21の底部に設けた穴21d,21eか
ら露出し、それぞれ正特性サーミスタ素子25,26の
電極25b,26bに接触している。他方の端部はケー
ス21の左右の端面から導出し、ケース21の表面に沿
って折り曲げられて外部接続部30b,31bとされて
いる。
ートモールドされており、その一方の円形状端部には突
起30a,31aが設けられている。この突起30a,
31aはケース21の底部に設けた穴21d,21eか
ら露出し、それぞれ正特性サーミスタ素子25,26の
電極25b,26bに接触している。他方の端部はケー
ス21の左右の端面から導出し、ケース21の表面に沿
って折り曲げられて外部接続部30b,31bとされて
いる。
【0025】ばね端子32,33はそれぞれ電極片部3
2a,33aと外部接続部32b,33bからなり、電
極片部32a,33aはケース21の上面に配設され、
凹部21a,21bの開口部を塞いでいる。外部接続部
32b,33bはケース21の表面に沿って折り曲げら
れ、左右の端面を回り込んで底面に延在している。な
お、凹部21a,21bの開口部の密封性を上げるため
に、さらに蓋を被せてもよい。
2a,33aと外部接続部32b,33bからなり、電
極片部32a,33aはケース21の上面に配設され、
凹部21a,21bの開口部を塞いでいる。外部接続部
32b,33bはケース21の表面に沿って折り曲げら
れ、左右の端面を回り込んで底面に延在している。な
お、凹部21a,21bの開口部の密封性を上げるため
に、さらに蓋を被せてもよい。
【0026】二つの正特性サーミスタ素子25,26は
それぞれ凹部21a,21b内に、突起端子30,31
とばね端子32,33にて挟着され、厚さ方向に押圧保
持されている。以上の構造からなる正特性サーミスタ装
置の製造手順を図6〜図8を参照して説明する。
それぞれ凹部21a,21b内に、突起端子30,31
とばね端子32,33にて挟着され、厚さ方向に押圧保
持されている。以上の構造からなる正特性サーミスタ装
置の製造手順を図6〜図8を参照して説明する。
【0027】図6に示すように、帯状の金属板を打抜き
加工して突起端子30,31を連接したフープ材40を
準備する。フープ材40の両側縁部には送り穴41が設
けられており、フープ材40はこの送り穴41を利用し
て図中矢印a方向に搬送され、各工程に送り込まれる。
従って、後述するように組立てとトリミングを同一ライ
ン化することができ、自動化が容易になる。
加工して突起端子30,31を連接したフープ材40を
準備する。フープ材40の両側縁部には送り穴41が設
けられており、フープ材40はこの送り穴41を利用し
て図中矢印a方向に搬送され、各工程に送り込まれる。
従って、後述するように組立てとトリミングを同一ライ
ン化することができ、自動化が容易になる。
【0028】まず、突起端子30,31が樹脂にてイン
サートモールドされ、突起30a,31aと外部接続部
30b,31bが露出した状態でケース21が成形され
る。次に、図7に示すように、ケース21の凹部21
a,21bにそれぞれ正特性サーミスタ素子25,26
が水平状態で挿入される。この後、抵抗測定器45の一
方の測定端子45aをケース21の穴21dに挿入して
突起端子30に接触させると共に、他方の測定端子45
bを凹部21aに挿入して電極25aに接触させる。同
様にして、抵抗測定器46の一方の測定端子46aを突
起端子31に接触させると共に、他方の測定端子46b
を電極26aに接触させる。そして、正特性サーミスタ
素子25,26の抵抗値を同時に測定する。抵抗測定時
の周囲温度の変化や抵抗測定器45,46の微妙な経時
変化等の影響を避け、サーミスタ素子25,26の抵抗
値の差を正しく測定して後工程のトリミング処理を正確
に行うためである。
サートモールドされ、突起30a,31aと外部接続部
30b,31bが露出した状態でケース21が成形され
る。次に、図7に示すように、ケース21の凹部21
a,21bにそれぞれ正特性サーミスタ素子25,26
が水平状態で挿入される。この後、抵抗測定器45の一
方の測定端子45aをケース21の穴21dに挿入して
突起端子30に接触させると共に、他方の測定端子45
bを凹部21aに挿入して電極25aに接触させる。同
様にして、抵抗測定器46の一方の測定端子46aを突
起端子31に接触させると共に、他方の測定端子46b
を電極26aに接触させる。そして、正特性サーミスタ
素子25,26の抵抗値を同時に測定する。抵抗測定時
の周囲温度の変化や抵抗測定器45,46の微妙な経時
変化等の影響を避け、サーミスタ素子25,26の抵抗
値の差を正しく測定して後工程のトリミング処理を正確
に行うためである。
【0029】測定された正確な抵抗値データは演算処理
装置47に送られ、正特性サーミスタ素子25,26の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子(第2実施例の場合はサーミスタ素子25とする)の
電極除去面積を算出する。次に、図8に示すように、こ
の電極除去面積の値に応じて演算処理装置47からレー
ザトリミング装置50へ駆動信号が送られる。レーザト
リミング装置50はレーザビームLを照射して抵抗値の
低い方の正特性サーミスタ素子25をトリミング、すな
わち凹部21aの開口部を介して露出している電極25
aの一部を除去し、電極面積を所定量だけ低減させる。
電極25aの一部が除去された正特性サーミスタ素子2
5は抵抗値が高くなり、他方の正特性サーミスタ素子2
6と略等しい抵抗値となる。
装置47に送られ、正特性サーミスタ素子25,26の
抵抗値の差から、抵抗値の低い方の正特性サーミスタ素
子(第2実施例の場合はサーミスタ素子25とする)の
電極除去面積を算出する。次に、図8に示すように、こ
の電極除去面積の値に応じて演算処理装置47からレー
ザトリミング装置50へ駆動信号が送られる。レーザト
リミング装置50はレーザビームLを照射して抵抗値の
低い方の正特性サーミスタ素子25をトリミング、すな
わち凹部21aの開口部を介して露出している電極25
aの一部を除去し、電極面積を所定量だけ低減させる。
電極25aの一部が除去された正特性サーミスタ素子2
5は抵抗値が高くなり、他方の正特性サーミスタ素子2
6と略等しい抵抗値となる。
【0030】こうして、抵抗値の差が小さい正特性サー
ミスタ素子25,26が得られる。トリミング処理は抵
抗値が低い方の正特性サーミスタ素子25に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較し、トリミング作業を半減させるこ
とができる。また、正特性サーミスタ素子25,26を
ケース21に収容した状態で、抵抗値を測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業がスムーズにな
り、トリミング後の正特性サーミスタ素子25,26取
扱い中の割れや欠けによる抵抗値の変化を防止すること
ができる。さらに、トリミングにレーザを利用している
ので、ケース21内に異物が侵入するおそれもない。
ミスタ素子25,26が得られる。トリミング処理は抵
抗値が低い方の正特性サーミスタ素子25に対してのみ
行われるので、両方のサーミスタ素子にトリミングを行
っていた従来と比較し、トリミング作業を半減させるこ
とができる。また、正特性サーミスタ素子25,26を
ケース21に収容した状態で、抵抗値を測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業がスムーズにな
り、トリミング後の正特性サーミスタ素子25,26取
扱い中の割れや欠けによる抵抗値の変化を防止すること
ができる。さらに、トリミングにレーザを利用している
ので、ケース21内に異物が侵入するおそれもない。
【0031】次に、ばね端子32,33がケース21の
凹部21a,21bの開口部にそれぞれ配設され、その
外部接続部32b,33bがケース21の表面に沿って
折り曲げ加工される。この後、図6中に表示した一点鎖
線Cに沿ってカットし、フープ材40から正特性サーミ
スタ装置を切出し、突起端子30,31の外部接続部3
0b,31bがケース21の表面に沿って折り曲げ加工
され、製品とされる。
凹部21a,21bの開口部にそれぞれ配設され、その
外部接続部32b,33bがケース21の表面に沿って
折り曲げ加工される。この後、図6中に表示した一点鎖
線Cに沿ってカットし、フープ材40から正特性サーミ
スタ装置を切出し、突起端子30,31の外部接続部3
0b,31bがケース21の表面に沿って折り曲げ加工
され、製品とされる。
【0032】[他の実施例]なお、本発明に係るサーミ
スタ装置及びその製造方法は前記実施例に限定するもの
ではなく、その要旨の範囲内で種々に変形することがで
きる。前記実施例は正特性サーミスタ素子を用いたサー
ミスタ装置について説明したが、負特性サーミスタ素子
を用いたサーミスタ装置であってもよい。
スタ装置及びその製造方法は前記実施例に限定するもの
ではなく、その要旨の範囲内で種々に変形することがで
きる。前記実施例は正特性サーミスタ素子を用いたサー
ミスタ装置について説明したが、負特性サーミスタ素子
を用いたサーミスタ装置であってもよい。
【0033】また、トリミングに際し、サーミスタ素子
の電極を除去する部分の形状は任意であり、例えば図9
に示すように電極6aの外周縁部を除去したり、図10
に示すように両方の電極6a,6bの一部を除去した
り、図11に示すように電極6aを2分割したり、図1
2に示すように、電極6a,6bと共にサーミスタ本体
の一部も除去してもよい。
の電極を除去する部分の形状は任意であり、例えば図9
に示すように電極6aの外周縁部を除去したり、図10
に示すように両方の電極6a,6bの一部を除去した
り、図11に示すように電極6aを2分割したり、図1
2に示すように、電極6a,6bと共にサーミスタ本体
の一部も除去してもよい。
【0034】さらに、前記実施例ではトリミングの際に
レーザビームを使用したが、レーザビーム以外に、電子
ビーム、イオンビーム等の高エネルギービームを使用し
てもよい。また、前記実施例では、単層の電極について
説明したが、多層電極でもよい。
レーザビームを使用したが、レーザビーム以外に、電子
ビーム、イオンビーム等の高エネルギービームを使用し
てもよい。また、前記実施例では、単層の電極について
説明したが、多層電極でもよい。
【0035】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、トリミング処理を二つのサーミスタ素子のうち
の一方だけに行うので、従来は略全部のサーミスタ素子
に行っていたトリミング作業を半減させることができ
る。また、同一ケースに収容される二つのサーミスタ素
子の抵抗値を略同時に測定するので、抵抗測定時の周囲
温度の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を殆
ど受けず、二つのサーミスタ素子の抵抗値の差を正しく
測定して正確なトリミングを行うことができる。
よれば、トリミング処理を二つのサーミスタ素子のうち
の一方だけに行うので、従来は略全部のサーミスタ素子
に行っていたトリミング作業を半減させることができ
る。また、同一ケースに収容される二つのサーミスタ素
子の抵抗値を略同時に測定するので、抵抗測定時の周囲
温度の変化や抵抗測定器の微妙な経時変化等の影響を殆
ど受けず、二つのサーミスタ素子の抵抗値の差を正しく
測定して正確なトリミングを行うことができる。
【0036】さらに、二つのサーミスタ素子を同一ケー
スに収容した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業をスムーズに行
うことができ、トリミング後のサーミスタ素子の取扱い
中の割れた欠けによる抵抗値の変化も防止することがで
きる。また、トリミング処理を高エネルギービームを利
用することにより、ケース内に異物が侵入するおそれも
なくなり、サーミスタ装置の信頼性が向上する。
スに収容した状態で、抵抗値を略同時に測定すると共に
トリミング処理も行うので、組立て作業をスムーズに行
うことができ、トリミング後のサーミスタ素子の取扱い
中の割れた欠けによる抵抗値の変化も防止することがで
きる。また、トリミング処理を高エネルギービームを利
用することにより、ケース内に異物が侵入するおそれも
なくなり、サーミスタ装置の信頼性が向上する。
【0037】この結果、製造が容易で、かつ、内蔵され
た二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミス
タ装置が得られる。
た二つのサーミスタ素子の抵抗値の差が小さいサーミス
タ装置が得られる。
【図1】本発明に係るサーミスタ装置及びその製造方法
の第1実施例を示す一部を切り欠いた正面図。
の第1実施例を示す一部を切り欠いた正面図。
【図2】図1に示したサーミスタ装置に使用される二つ
のサーミスタ素子の一方の斜視図。
のサーミスタ素子の一方の斜視図。
【図3】図1に示したサーミスタ装置に使用される二つ
のサーミスタ素子の他方の斜視図。
のサーミスタ素子の他方の斜視図。
【図4】本発明に係るサーミスタ装置及びその製造方法
の第2実施例を示す平面図。
の第2実施例を示す平面図。
【図5】図4のV−Vの一部断面図。
【図6】図4に示したサーミスタ装置の製造方法を示す
平面図。
平面図。
【図7】図6に続く製造方法を示す一部断面図。
【図8】図7に続く製造方法を示す一部断面図。
【図9】他の実施例を示すサーミスタ素子の斜視図。
【図10】別の他の実施例を示すサーミスタ素子の斜視
図。
図。
【図11】さらに別の他の実施例を示すサーミスタ素子
の斜視図。
の斜視図。
【図12】さらに別の他の実施例を示すサーミスタ素子
の斜視図。
の斜視図。
1…絶縁性ケース 5,6…正特性サーミスタ素子 10,11…平板端子 12,13…ばね端子 21…絶縁性ケース 25,26…正特性サーミスタ素子 30,31…突起端子 32,33…ばね端子 L…レーザビーム
Claims (5)
- 【請求項1】 絶縁性ケースと、 前記ケースに収容された二つのサーミスタ素子と、 前記各サーミスタ素子を挟持する各一対の端子とを備
え、 前記二つのサーミスタ素子のうち抵抗値の低い方のサー
ミスタ素子がトリミングされて抵抗値が高くされ、抵抗
値の高い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値
とされたこと、 を特徴とするサーミスタ装置。 - 【請求項2】 絶縁性ケースと、前記ケースに収容する
二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素子を挟持
する各一対の端子とを準備し、前記二つのサーミスタ素
子の抵抗値を測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子
をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサ
ーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特
徴とするサーミスタ装置の製造方法。 - 【請求項3】 絶縁性ケースと、前記ケースに収容する
二つのサーミスタ素子と、前記各サーミスタ素子を挟持
する各一対の端子とを準備し、前記二つのサーミスタ素
子の抵抗値を略同時に測定し、抵抗値の低い方のサーミ
スタ素子をトリミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高
い方のサーミスタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とする
ことを特徴とするサーミスタ装置の製造方法。 - 【請求項4】 二つのサーミスタ素子をケースに収容し
た状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時
に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子をトリミン
グして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミスタ素
子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴とする請
求項3記載のサーミスタ装置の製造方法。 - 【請求項5】 二つのサーミスタ素子をケースに収容し
た状態で、前記二つのサーミスタ素子の抵抗値を略同時
に測定し、抵抗値の低い方のサーミスタ素子を前記ケー
スの開口部から入射した高エネルギービームによってト
リミングして抵抗値を高くし、抵抗値の高い方のサーミ
スタ素子の抵抗値と略等しい抵抗値とすることを特徴と
する請求項3記載のサーミスタ装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7043697A JPH08241802A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | サーミスタ装置及びその製造方法 |
US08/608,722 US5798685A (en) | 1995-03-03 | 1996-02-29 | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
EP96103174A EP0730283B1 (en) | 1995-03-03 | 1996-03-01 | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
DE69617772T DE69617772T2 (de) | 1995-03-03 | 1996-03-01 | Thermistor-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
CN96106036A CN1084519C (zh) | 1995-03-03 | 1996-03-03 | 热敏电阻装置及其制造方法 |
KR1019960005595A KR100200950B1 (ko) | 1995-03-03 | 1996-03-04 | 서미스터 장치 및 이의 제조방법 |
US09/063,303 US6188307B1 (en) | 1995-03-03 | 1998-04-21 | Thermistor apparatus and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7043697A JPH08241802A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | サーミスタ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08241802A true JPH08241802A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12671029
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7043697A Pending JPH08241802A (ja) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | サーミスタ装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5798685A (ja) |
EP (1) | EP0730283B1 (ja) |
JP (1) | JPH08241802A (ja) |
KR (1) | KR100200950B1 (ja) |
CN (1) | CN1084519C (ja) |
DE (1) | DE69617772T2 (ja) |
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JP2002048655A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-02-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ及びその製造管理方法 |
JP4780689B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2011-09-28 | ローム株式会社 | チップ抵抗器 |
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CN106782955B (zh) * | 2017-01-10 | 2018-08-17 | 广东百圳君耀电子有限公司 | 带过热保护的压敏电阻元件 |
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