JPH0636675A - ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 - Google Patents
ヒユーズ抵抗器およびその製造方法Info
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- JPH0636675A JPH0636675A JP4186637A JP18663792A JPH0636675A JP H0636675 A JPH0636675 A JP H0636675A JP 4186637 A JP4186637 A JP 4186637A JP 18663792 A JP18663792 A JP 18663792A JP H0636675 A JPH0636675 A JP H0636675A
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- fusing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低溶断電力のフラツトチツプヒユーズ抵抗器
を提供する。 【構成】 所定サイズの絶縁基板１０の一方の面に、所
定サイズの抵抗体３０を形成し、抵抗体３０の一端部近
傍へ、その一端部近傍が重畳するように、所定サイズの
ヒユージングエレメント３１を形成する。さらに、抵抗
体３０の他端部近傍に重畳するように電極２１を、ヒユ
ージングエレメント３１の他端部近傍に重畳するように
電極２０をそれぞれ形成して、抵抗体３０をトリミング
する。さらに、ヒユージングエレメント３１を略覆うよ
うに、蓄熱層を形成する。
を提供する。 【構成】 所定サイズの絶縁基板１０の一方の面に、所
定サイズの抵抗体３０を形成し、抵抗体３０の一端部近
傍へ、その一端部近傍が重畳するように、所定サイズの
ヒユージングエレメント３１を形成する。さらに、抵抗
体３０の他端部近傍に重畳するように電極２１を、ヒユ
ージングエレメント３１の他端部近傍に重畳するように
電極２０をそれぞれ形成して、抵抗体３０をトリミング
する。さらに、ヒユージングエレメント３１を略覆うよ
うに、蓄熱層を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヒユーズ抵抗器に関し、
特に、その構造およびその製造方法に関するものであ
る。
特に、その構造およびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面実装用の角チツプヒユーズ抵
抗器は、図８に示すような構造であつた。なお、図８
（ａ）は従来の角チツプヒユーズ抵抗器の斜視図、図８
（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。従来の角チ
ツプヒユーズ抵抗器は、絶縁基板１１０上に抵抗体１３
０が形成され、抵抗体１３０の両端部を覆うように、電
極１２０と１２１が形成されていた。抵抗体１３０の略
中央部には、トリミングによつて、電流路を遮る方向へ
切込み１３０ａ，１３０ｂが施されていた。この切込み
１３０ａ，１３０ｂによつて、角チツプヒユーズ抵抗器
の抵抗値が設定され、かつ、ヒユージングポイント１３
０ｃが形成された後、切込み１３０ａ，１３０ｂおよび
ヒユージングポイント１３０ｃを、蓄熱ガラス層１４１
で覆つて、ヒユージングポイント１３０ｃで発生した熱
の放散を防いでいた。
抗器は、図８に示すような構造であつた。なお、図８
（ａ）は従来の角チツプヒユーズ抵抗器の斜視図、図８
（ｂ）は図８（ａ）のＡ−Ａ断面図である。従来の角チ
ツプヒユーズ抵抗器は、絶縁基板１１０上に抵抗体１３
０が形成され、抵抗体１３０の両端部を覆うように、電
極１２０と１２１が形成されていた。抵抗体１３０の略
中央部には、トリミングによつて、電流路を遮る方向へ
切込み１３０ａ，１３０ｂが施されていた。この切込み
１３０ａ，１３０ｂによつて、角チツプヒユーズ抵抗器
の抵抗値が設定され、かつ、ヒユージングポイント１３
０ｃが形成された後、切込み１３０ａ，１３０ｂおよび
ヒユージングポイント１３０ｃを、蓄熱ガラス層１４１
で覆つて、ヒユージングポイント１３０ｃで発生した熱
の放散を防いでいた。
【０００３】従来の角チツプヒユーズ抵抗器の電極１２
０と１２１間に、過大な電流が流れると、電流密度の高
いヒユージングポイント１３０ｃは急激に発熱して、ヒ
ユージングポイント１３０ｃは溶断する。
０と１２１間に、過大な電流が流れると、電流密度の高
いヒユージングポイント１３０ｃは急激に発熱して、ヒ
ユージングポイント１３０ｃは溶断する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
は、次のような問題点があつた。すなわち、従来の角チ
ツプヒユーズ抵抗器においては、抵抗値調整とヒユージ
ングポイント１３０ｃ形成を同時に行うので、抵抗値調
整を優先して設定すれば、溶断電力値の設定が大まかに
なり、逆に、溶断電力値を優先して設定すれば、抵抗値
の設定が大まかになる欠点があつた。
は、次のような問題点があつた。すなわち、従来の角チ
ツプヒユーズ抵抗器においては、抵抗値調整とヒユージ
ングポイント１３０ｃ形成を同時に行うので、抵抗値調
整を優先して設定すれば、溶断電力値の設定が大まかに
なり、逆に、溶断電力値を優先して設定すれば、抵抗値
の設定が大まかになる欠点があつた。
【０００５】さらに、従来の角チツプヒユーズ抵抗器に
おいては、トリミングで形成したヒユージングポイント
１３０ｃの電流路断面積は不均一なので、さらに、ヒユ
ージングポイント１３０ｃの幅を狭めて、溶断電力を低
電力化しようとすると、極端に電流路断面積の狭い部分
が生じて、耐サージ性が劣化する欠点があつた。従つ
て、従来の角チツプヒユーズ抵抗器においては、溶断電
力の低電力化には限界があり、例えば、溶断電流が２
[Ａ]の従来のヒユーズ抵抗器の場合、その溶断電力を２
[Ｗ]以下に下げることは困難であつた。
おいては、トリミングで形成したヒユージングポイント
１３０ｃの電流路断面積は不均一なので、さらに、ヒユ
ージングポイント１３０ｃの幅を狭めて、溶断電力を低
電力化しようとすると、極端に電流路断面積の狭い部分
が生じて、耐サージ性が劣化する欠点があつた。従つ
て、従来の角チツプヒユーズ抵抗器においては、溶断電
力の低電力化には限界があり、例えば、溶断電流が２
[Ａ]の従来のヒユーズ抵抗器の場合、その溶断電力を２
[Ｗ]以下に下げることは困難であつた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決することを目的としたもので、前記の課題を解決す
る一手段として、以下の構成を備える。すなわち、所定
サイズの絶縁基板に形成されたヒユーズ抵抗器であつ
て、前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵
抗体層と、前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍
が重畳するように形成したヒユーズ素子と、前記抵抗体
層の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも１
つの第１の電極部と、前記ヒユーズ素子の他端部近傍に
重畳するように形成した少なくとも１つの第２の電極部
と、前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層と
を備えたヒユーズ抵抗器とする。
解決することを目的としたもので、前記の課題を解決す
る一手段として、以下の構成を備える。すなわち、所定
サイズの絶縁基板に形成されたヒユーズ抵抗器であつ
て、前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵
抗体層と、前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍
が重畳するように形成したヒユーズ素子と、前記抵抗体
層の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも１
つの第１の電極部と、前記ヒユーズ素子の他端部近傍に
重畳するように形成した少なくとも１つの第２の電極部
と、前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層と
を備えたヒユーズ抵抗器とする。
【０００７】また、所定サイズの絶縁基板の一方の面に
所定サイズの抵抗体層を形成する抵抗体形成工程と、前
記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳するよ
うにヒユーズ素子を形成するヒユーズ素子形成工程と、
前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように少なくとも
１つの第１の電極部を形成し、前記ヒユーズ素子の他端
部近傍に重畳するように少なくとも１つの第２の電極部
を形成する電極部形成工程と、前記ヒユーズ素子を略覆
うように蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程とからなるヒ
ユーズ抵抗器製造方法とする。
所定サイズの抵抗体層を形成する抵抗体形成工程と、前
記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳するよ
うにヒユーズ素子を形成するヒユーズ素子形成工程と、
前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように少なくとも
１つの第１の電極部を形成し、前記ヒユーズ素子の他端
部近傍に重畳するように少なくとも１つの第２の電極部
を形成する電極部形成工程と、前記ヒユーズ素子を略覆
うように蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程とからなるヒ
ユーズ抵抗器製造方法とする。
【０００８】
【作用】以上の構成によつて、抵抗体とヒユーズ素子と
を独立させた構造のヒユーズ抵抗器およびその製造方法
を提供できる。例えば、以上の構成によつて、溶断電力
値はヒユーズ素子の長さ，幅などによつて設定でき、ヒ
ユーズ素子の溶断電力値とは無関係に抵抗値を調整で
き、耐サージ性を劣化させることなく溶断電力を低電力
化できるヒユーズ抵抗器およびその製造方法を提供でき
る。
を独立させた構造のヒユーズ抵抗器およびその製造方法
を提供できる。例えば、以上の構成によつて、溶断電力
値はヒユーズ素子の長さ，幅などによつて設定でき、ヒ
ユーズ素子の溶断電力値とは無関係に抵抗値を調整で
き、耐サージ性を劣化させることなく溶断電力を低電力
化できるヒユーズ抵抗器およびその製造方法を提供でき
る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係る一実施例の角チツプヒユ
ーズ抵抗器を図面を参照して詳細に説明する。図１〜図
６は本発明に係る一実施例の角チツプヒユーズ抵抗器を
説明するための図で、図１は該抵抗器の抵抗体形成状態
の一例を示す図、図２は該抵抗器のヒユージングエレメ
ント形成状態の一例を示す図、図３は該抵抗器の電極形
成状態およびトリミング状態の一例を示す図、図４は該
抵抗器の蓄熱層形成状態の一例を示す図、図５は該抵抗
器の完成状態の一例を示す斜視図、図６は図５のＡ−Ａ
矢視断面図である。
ーズ抵抗器を図面を参照して詳細に説明する。図１〜図
６は本発明に係る一実施例の角チツプヒユーズ抵抗器を
説明するための図で、図１は該抵抗器の抵抗体形成状態
の一例を示す図、図２は該抵抗器のヒユージングエレメ
ント形成状態の一例を示す図、図３は該抵抗器の電極形
成状態およびトリミング状態の一例を示す図、図４は該
抵抗器の蓄熱層形成状態の一例を示す図、図５は該抵抗
器の完成状態の一例を示す斜視図、図６は図５のＡ−Ａ
矢視断面図である。
【００１０】なお、各状態を示す図においては、各部の
形成状態が明確になるように、各部の形成状態が容易に
認識可能になるように、一部模式化して表現する。すな
わち、各状態を示す図においては、実際には不透明の部
分でも、下部状態を識別可能に表現する。図において、
１０は基板で、略長方形の所定の厚さを有した電気絶縁
性のセラミツクス基板で、アルミナ９６％の焼結体のア
ルミナ基板などを使用する。なお、本実施例において、
基板１０は焼成済みのアルミナ基板に限定されるもので
はなく、例えば、アルミナなどのグリーンシートを使用
して、後述の厚膜抵抗体などとともに焼成してもよい。
形成状態が明確になるように、各部の形成状態が容易に
認識可能になるように、一部模式化して表現する。すな
わち、各状態を示す図においては、実際には不透明の部
分でも、下部状態を識別可能に表現する。図において、
１０は基板で、略長方形の所定の厚さを有した電気絶縁
性のセラミツクス基板で、アルミナ９６％の焼結体のア
ルミナ基板などを使用する。なお、本実施例において、
基板１０は焼成済みのアルミナ基板に限定されるもので
はなく、例えば、アルミナなどのグリーンシートを使用
して、後述の厚膜抵抗体などとともに焼成してもよい。
【００１１】３０は抵抗体で、スクリーン印刷などによ
る厚膜抵抗体や、スパツタリング，真空蒸着，メツキな
どによる薄膜抵抗体などを、基板１０の一面の長手方向
に偏らせて、略長方形で所定の厚さに形成する。なお、
厚膜抵抗体の材料としては、酸化ルテニウム系などの厚
膜ペーストが、薄膜抵抗体の材料としては、ニツケル−
クロム系，ニツケル−リン系，ニツケル−リン−タング
ステン系などの合金を使用する。
る厚膜抵抗体や、スパツタリング，真空蒸着，メツキな
どによる薄膜抵抗体などを、基板１０の一面の長手方向
に偏らせて、略長方形で所定の厚さに形成する。なお、
厚膜抵抗体の材料としては、酸化ルテニウム系などの厚
膜ペーストが、薄膜抵抗体の材料としては、ニツケル−
クロム系，ニツケル−リン系，ニツケル−リン−タング
ステン系などの合金を使用する。
【００１２】３１はヒユージングエレメントで、過大な
電流が流れた場合に溶断する部分である。ヒユージング
エレメント３１は、その一端を抵抗体３０上に、その他
端を基板１０の長手方向の端部近傍に形成し、所定の幅
でかつ所定の長さになるように、略Ｕ字形に折曲げた形
状にする。なお、ヒユージンブエレメントの形状は、略
Ｕ字形に限定されるものではなく、例えば、Ｗ字形，ク
ランク形，直線形などであつてもよく、所定の長さを形
成するのに適当な形状にすればよい。また、ヒユージン
グエレメント３１は、スクリーン印刷や直接描画などに
よつて厚膜で形成しても、スパツタリング，真空蒸着，
メツキなどによつて、アルミなどを薄膜形成してもよ
い。
電流が流れた場合に溶断する部分である。ヒユージング
エレメント３１は、その一端を抵抗体３０上に、その他
端を基板１０の長手方向の端部近傍に形成し、所定の幅
でかつ所定の長さになるように、略Ｕ字形に折曲げた形
状にする。なお、ヒユージンブエレメントの形状は、略
Ｕ字形に限定されるものではなく、例えば、Ｗ字形，ク
ランク形，直線形などであつてもよく、所定の長さを形
成するのに適当な形状にすればよい。また、ヒユージン
グエレメント３１は、スクリーン印刷や直接描画などに
よつて厚膜で形成しても、スパツタリング，真空蒸着，
メツキなどによつて、アルミなどを薄膜形成してもよ
い。
【００１３】２０，２１は電極で、基板１０の抵抗体形
成面（以下「上面」という）の両短辺近傍から、電極を
形成した短辺に接する基板１０の端面を経由して、抵抗
体非形成面（以下「下面」という）の両短辺近傍にかけ
て、その断面が略コの字形になるように形成する。な
お、電極２０は、基板１０の短辺近傍からヒユージング
エレメント３１の端部にかけて、ヒユージングエレメン
ト３１の端部近傍を所定の範囲で覆うように、略長方形
に形成する。また、電極２０，２１の形成方法は、周知
なので、その詳細な説明は省略するが、銀−パラジウム
系，銀，銅などの厚膜ペーストをスクリーン印刷などで
形成したり、クロム，ニツケル，銅などの金属材料をス
パツタリング，真空蒸着，メツキなどの方法によつて形
成する。
成面（以下「上面」という）の両短辺近傍から、電極を
形成した短辺に接する基板１０の端面を経由して、抵抗
体非形成面（以下「下面」という）の両短辺近傍にかけ
て、その断面が略コの字形になるように形成する。な
お、電極２０は、基板１０の短辺近傍からヒユージング
エレメント３１の端部にかけて、ヒユージングエレメン
ト３１の端部近傍を所定の範囲で覆うように、略長方形
に形成する。また、電極２０，２１の形成方法は、周知
なので、その詳細な説明は省略するが、銀−パラジウム
系，銀，銅などの厚膜ペーストをスクリーン印刷などで
形成したり、クロム，ニツケル，銅などの金属材料をス
パツタリング，真空蒸着，メツキなどの方法によつて形
成する。
【００１４】３０ａ，３０ｂは切込みで、抵抗値調整の
ためのトリミングで形成されたものである。なお、図に
おいては、ストレートカツトの切込みが２本施された例
を示したが、本実施例はこれに限定されるものではな
く、例えば、Ｌ字形カツトでもよいし、ストレートカツ
ト１本でもよい。４１は蓄熱層で、ヒユージングエレメ
ント３１で発生した熱の放散を防ぐもので、ヒユージン
グエレメント３１を略覆うように、スクリーン印刷など
によつて、電気絶縁性かつ熱伝導率の低い低融点ガラス
ペーストなどを、略長方形にコーテイングしたものであ
る。
ためのトリミングで形成されたものである。なお、図に
おいては、ストレートカツトの切込みが２本施された例
を示したが、本実施例はこれに限定されるものではな
く、例えば、Ｌ字形カツトでもよいし、ストレートカツ
ト１本でもよい。４１は蓄熱層で、ヒユージングエレメ
ント３１で発生した熱の放散を防ぐもので、ヒユージン
グエレメント３１を略覆うように、スクリーン印刷など
によつて、電気絶縁性かつ熱伝導率の低い低融点ガラス
ペーストなどを、略長方形にコーテイングしたものであ
る。
【００１５】４０は絶縁膜で、抵抗体３０，電極２０，
２１の上面部位，蓄熱層４１などを略覆うように、スク
リーン印刷などによつて、電気絶縁性のガラスペースト
やエポキシ樹脂などをオーバコートしたものである。こ
の後、角チツプヒユーズ抵抗器は、後述するマーキン
グ，電極メツキなどの工程を経て、図５，図６に一例を
示す完成状態になる。
２１の上面部位，蓄熱層４１などを略覆うように、スク
リーン印刷などによつて、電気絶縁性のガラスペースト
やエポキシ樹脂などをオーバコートしたものである。こ
の後、角チツプヒユーズ抵抗器は、後述するマーキン
グ，電極メツキなどの工程を経て、図５，図６に一例を
示す完成状態になる。
【００１６】図７は角チツプヒユーズ抵抗器の製造工程
の一例を示すフローチヤートである。なお、以下の説明
は、１つの角チツプヒユーズ抵抗器を製造する場合に限
定されるものではなく、例えば、複数の角チツプヒユー
ズ抵抗器を同時に多数製造する場合にも適用でき、最終
工程で角チツプヒユーズ抵抗器ひとつひとつに分離すれ
ばよい。
の一例を示すフローチヤートである。なお、以下の説明
は、１つの角チツプヒユーズ抵抗器を製造する場合に限
定されるものではなく、例えば、複数の角チツプヒユー
ズ抵抗器を同時に多数製造する場合にも適用でき、最終
工程で角チツプヒユーズ抵抗器ひとつひとつに分離すれ
ばよい。
【００１７】まず、図７に示す工程Ｐ１で、基板１０を
所定の大きさに形成する基板製造工程を実行して、所定
製造単位の大きさの略長方形の基板１０を製作する。な
お、該単位は、任意の大きさであり、１つの角チツプヒ
ユーズ抵抗器毎に作製しても、例えば、数十個同時に作
製してもよく、それぞれの場合に即して製作すればよ
い。また、以下に説明する各工程毎の状態図は、それぞ
れ単独の１チツプだけを示すが、複数チツプを同時に形
成する場合においても略同様である。
所定の大きさに形成する基板製造工程を実行して、所定
製造単位の大きさの略長方形の基板１０を製作する。な
お、該単位は、任意の大きさであり、１つの角チツプヒ
ユーズ抵抗器毎に作製しても、例えば、数十個同時に作
製してもよく、それぞれの場合に即して製作すればよ
い。また、以下に説明する各工程毎の状態図は、それぞ
れ単独の１チツプだけを示すが、複数チツプを同時に形
成する場合においても略同様である。
【００１８】続いて、工程Ｐ２で、スクリーン印刷やス
パツタリングなどの方法で、基板１０の上面に、図１に
一例を示した抵抗体３０を形成する。続いて、工程Ｐ３
で、スクリーン印刷やスパツタリングなどの方法で、基
板１０の上面に、図２に一例を示したヒユージングエレ
メント３１を形成する。続いて、工程Ｐ４で、スクリー
ン印刷やスパツタリングなどの方法で、基板１０に、図
３に一例を示した電極２０，２１を形成する。なお、工
程Ｐ４は、例えば、基板１０上面の電極部位を形成する
工程、次に基板１０下面の電極部位を形成する工程、次
に基板１０端面に導体部を形成して、上面と下面の電極
を電気的に接続する工程などを含む。
パツタリングなどの方法で、基板１０の上面に、図１に
一例を示した抵抗体３０を形成する。続いて、工程Ｐ３
で、スクリーン印刷やスパツタリングなどの方法で、基
板１０の上面に、図２に一例を示したヒユージングエレ
メント３１を形成する。続いて、工程Ｐ４で、スクリー
ン印刷やスパツタリングなどの方法で、基板１０に、図
３に一例を示した電極２０，２１を形成する。なお、工
程Ｐ４は、例えば、基板１０上面の電極部位を形成する
工程、次に基板１０下面の電極部位を形成する工程、次
に基板１０端面に導体部を形成して、上面と下面の電極
を電気的に接続する工程などを含む。
【００１９】続いて、工程Ｐ５で、必要に応じて抵抗値
のトリミングを行う。なお、抵抗値トリミングは、レー
ザビームやサンドブラストなどで、抵抗体３０のパター
ンに切込みを入れることによつて、抵抗値を調整する。
続いて、工程Ｐ６で、スクリーン印刷などの方法で、ヒ
ユージングエレメント３１を略覆うように、図４に一例
を示した蓄熱層４１を形成する。
のトリミングを行う。なお、抵抗値トリミングは、レー
ザビームやサンドブラストなどで、抵抗体３０のパター
ンに切込みを入れることによつて、抵抗値を調整する。
続いて、工程Ｐ６で、スクリーン印刷などの方法で、ヒ
ユージングエレメント３１を略覆うように、図４に一例
を示した蓄熱層４１を形成する。
【００２０】続いて、工程Ｐ７で、スクリーン印刷など
によつて、抵抗体３０，電極２０，２１の上面部位，蓄
熱層４１などを略覆うように、絶縁膜４０をオーバコー
トする。続いて、工程Ｐ８で、例えば絶縁膜４０上に捺
印するなどによつて、定格抵抗値や製品番号などをマー
キングする。
によつて、抵抗体３０，電極２０，２１の上面部位，蓄
熱層４１などを略覆うように、絶縁膜４０をオーバコー
トする。続いて、工程Ｐ８で、例えば絶縁膜４０上に捺
印するなどによつて、定格抵抗値や製品番号などをマー
キングする。
【００２１】続いて、工程Ｐ９で、電極２０，２１の絶
縁膜４０で覆われていない部位、主に基板１０の端面や
下面の電極部位に、ニツケルなどで下地メツキを施した
後、はんだメツキ処理を施す。そして最後に、工程Ｐ１
０で、検査を実施して、角チツプヒユーズ抵抗器が完成
する。
縁膜４０で覆われていない部位、主に基板１０の端面や
下面の電極部位に、ニツケルなどで下地メツキを施した
後、はんだメツキ処理を施す。そして最後に、工程Ｐ１
０で、検査を実施して、角チツプヒユーズ抵抗器が完成
する。
【００２２】また、工程Ｐ９または工程Ｐ１０終了後
に、必要に応じてダイシングして、角チツプヒユーズ抵
抗器を１つのチツプ毎に分離成形する。例えば、ここ
で、同時に複数の角チツプヒユーズ抵抗器を一括製作し
た場合は、個々のチツプに分離成形し、また、１つのチ
ツプ毎に製作した場合は、周辺部の整形などを行う。な
お、上記説明では省略したが、厚膜を形成する工程に
は、厚膜ペーストを印刷後、例えば１０分間８５０℃で
焼成する焼成工程などが含まれ、また、薄膜を形成する
工程では、メタルマスクによつて所定のパターンを形成
するか、あるいは、薄膜形成後レジスト膜を形成して、
形成した薄膜をエツチングする工程などが含まれる。
に、必要に応じてダイシングして、角チツプヒユーズ抵
抗器を１つのチツプ毎に分離成形する。例えば、ここ
で、同時に複数の角チツプヒユーズ抵抗器を一括製作し
た場合は、個々のチツプに分離成形し、また、１つのチ
ツプ毎に製作した場合は、周辺部の整形などを行う。な
お、上記説明では省略したが、厚膜を形成する工程に
は、厚膜ペーストを印刷後、例えば１０分間８５０℃で
焼成する焼成工程などが含まれ、また、薄膜を形成する
工程では、メタルマスクによつて所定のパターンを形成
するか、あるいは、薄膜形成後レジスト膜を形成して、
形成した薄膜をエツチングする工程などが含まれる。
【００２３】また、工程Ｐ２〜Ｐ４において、抵抗体３
０，ヒユージングエレメント３１，電極２０，２１は、
工程Ｐ２〜Ｐ４のそれぞれの形成工程で焼成しなくて
も、電極２０，２１を印刷後に一括して焼成してもよい
し、また、例えば抵抗体３０とヒユージングエレメント
３１など、一部をまとめて焼成してもよい。また、工程
Ｐ６，Ｐ７において、蓄熱層４１と絶縁膜４０は、工程
Ｐ６，Ｐ７のそれぞれの形成工程で焼成しなくても、絶
縁膜４０を印刷後に一括して焼成してもよい。
０，ヒユージングエレメント３１，電極２０，２１は、
工程Ｐ２〜Ｐ４のそれぞれの形成工程で焼成しなくて
も、電極２０，２１を印刷後に一括して焼成してもよい
し、また、例えば抵抗体３０とヒユージングエレメント
３１など、一部をまとめて焼成してもよい。また、工程
Ｐ６，Ｐ７において、蓄熱層４１と絶縁膜４０は、工程
Ｐ６，Ｐ７のそれぞれの形成工程で焼成しなくても、絶
縁膜４０を印刷後に一括して焼成してもよい。
【００２４】上述の構造を有する本実施例の角チツプヒ
ユーズ抵抗器は、抵抗体３０とヒユージングエレメント
３１とが、独立した構造になつているので、ヒユージン
グエレメント３１の長さ，幅などによつて、溶断電力値
を設定することができる。従つて、本実施例において
は、ヒユージングエレメント３１の溶断電力値とは無関
係に、抵抗体３０をトリミングすることによつて、抵抗
値を調整できるので、本実施例の角チツプヒユーズ抵抗
器は、約０.１[Ω]〜約６００[Ω]と、広範囲の抵抗値
レンジを得ることができる。
ユーズ抵抗器は、抵抗体３０とヒユージングエレメント
３１とが、独立した構造になつているので、ヒユージン
グエレメント３１の長さ，幅などによつて、溶断電力値
を設定することができる。従つて、本実施例において
は、ヒユージングエレメント３１の溶断電力値とは無関
係に、抵抗体３０をトリミングすることによつて、抵抗
値を調整できるので、本実施例の角チツプヒユーズ抵抗
器は、約０.１[Ω]〜約６００[Ω]と、広範囲の抵抗値
レンジを得ることができる。
【００２５】さらに、本実施例においては、ヒユージン
グエレメント３１を、スクリーン印刷やスパツタリング
で形成するので、ヒユージングエレメント３１の電流路
断面積は略均一になり、ヒユージングエレメント３１の
パターン幅を狭めて、溶断電力を低電力化しても、充分
な耐サージ性を得ることができる。従つて、例えば、溶
断電流が２[Ａ]の本実施例のヒユーズ抵抗器の場合、そ
の溶断電力を約０.８[Ｗ]まで下げることが可能であ
る。
グエレメント３１を、スクリーン印刷やスパツタリング
で形成するので、ヒユージングエレメント３１の電流路
断面積は略均一になり、ヒユージングエレメント３１の
パターン幅を狭めて、溶断電力を低電力化しても、充分
な耐サージ性を得ることができる。従つて、例えば、溶
断電流が２[Ａ]の本実施例のヒユーズ抵抗器の場合、そ
の溶断電力を約０.８[Ｗ]まで下げることが可能であ
る。
【００２６】以上説明したように、本実施例によれば、
抵抗体とヒユージングエレメントとを独立させた構造に
するので、溶断電力値は、ヒユージングエレメントの長
さ，幅などによつて設定できる。従つて、本実施例にお
いては、ヒユージングエレメントの溶断電力値とは無関
係に、抵抗値を調整でき、広範囲の抵抗値レンジを得る
ことができる。
抵抗体とヒユージングエレメントとを独立させた構造に
するので、溶断電力値は、ヒユージングエレメントの長
さ，幅などによつて設定できる。従つて、本実施例にお
いては、ヒユージングエレメントの溶断電力値とは無関
係に、抵抗値を調整でき、広範囲の抵抗値レンジを得る
ことができる。
【００２７】さらに、本実施例においては、ヒユージン
グエレメントの電流路断面積は略均一であり、ヒユージ
ングエレメントのパターン幅を狭めて、溶断電力を低電
力化することによつて、耐サージ性を劣化させることな
く、例えば、溶断電流が２[Ａ]の本実施例のヒユーズ抵
抗器の場合、その溶断電力を約０.８[Ｗ]まで下げるこ
とが可能である。
グエレメントの電流路断面積は略均一であり、ヒユージ
ングエレメントのパターン幅を狭めて、溶断電力を低電
力化することによつて、耐サージ性を劣化させることな
く、例えば、溶断電流が２[Ａ]の本実施例のヒユーズ抵
抗器の場合、その溶断電力を約０.８[Ｗ]まで下げるこ
とが可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上、本発明によれば、抵抗体とヒユー
ズ素子とを独立させた構造のヒユーズ抵抗器およびその
製造方法を提供できる。例えば、本発明によつて、溶断
電力値はヒユーズ素子の長さ，幅などによつて設定で
き、ヒユーズ素子の溶断電力値とは無関係に抵抗値を調
整でき、耐サージ性を劣化させることなく溶断電力を低
電力化できるヒユーズ抵抗器およびその製造方法を提供
できる。
ズ素子とを独立させた構造のヒユーズ抵抗器およびその
製造方法を提供できる。例えば、本発明によつて、溶断
電力値はヒユーズ素子の長さ，幅などによつて設定で
き、ヒユーズ素子の溶断電力値とは無関係に抵抗値を調
整でき、耐サージ性を劣化させることなく溶断電力を低
電力化できるヒユーズ抵抗器およびその製造方法を提供
できる。
【図１】本発明に係る一実施例の角チツプヒユーズ抵抗
器の抵抗体形成状態の一例を示す図である。
器の抵抗体形成状態の一例を示す図である。
【図２】本実施例のヒユージングエレメント形成状態の
一例を示す図である。
一例を示す図である。
【図３】本実施例の電極形成状態およびトリミング状態
の一例を示す図である。
の一例を示す図である。
【図４】本実施例の蓄熱層形成状態の一例を示す図であ
る。
る。
【図５】本実施例の完成状態の一例を示す斜視図であ
る。
る。
【図６】図５のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図７】本実施例の製造工程の一例を示すフローチヤー
トである。
トである。
【図８】従来の角チツプヒユーズ抵抗器の構造を示す図
である。
である。
１０ 基板 ２０，２１ 電極 ３０ 抵抗体 ３１ ヒユージングエレメント ４０ 絶縁膜 ４１ 蓄熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｃ 17/06 Ａ 8834−5Ｅ Ｈ０１Ｈ 69/02 7250−5Ｇ
Claims (4)
- 【請求項１】 所定サイズの絶縁基板に形成されたヒユ
ーズ抵抗器であつて、 前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵抗体
層と、 前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳する
ように形成した所定サイズのヒユーズ素子と、 前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように形成した少
なくとも１つの第１の電極部と、 前記ヒユーズ素子の他端部近傍に重畳するように形成し
た少なくとも１つの第２の電極部と、 前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層とを有
することを特徴とするヒユーズ抵抗器。 - 【請求項２】 前記絶縁基板はアルミナ基板であり、 前記抵抗体層は厚膜抵抗体であり、 前記電極部は厚膜導体であり、 前記蓄熱層はガラスで形成されることを特徴とする請求
項１記載のヒユーズ抵抗器。 - 【請求項３】 前記絶縁基板はアルミナ基板であり、 前記抵抗体層は薄膜抵抗体であり、 前記電極部は薄膜導体であり、 前記蓄熱層はガラスで形成されることを特徴とする請求
項１記載のヒユーズ抵抗器。 - 【請求項４】 所定サイズの絶縁基板の一方の面に所定
サイズの抵抗体層を形成する抵抗体形成工程と、 前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳する
ように所定サイズのヒユーズ素子を形成するヒユーズ素
子形成工程と、 前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように少なくとも
１つの第１の電極部を形成し、前記ヒユーズ素子の他端
部近傍に重畳するように少なくとも１つの第２の電極部
を形成する電極部形成工程と、 前記ヒユーズ素子を略覆うように蓄熱層を形成する蓄熱
層形成工程とを有することを特徴とするヒユーズ抵抗器
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186637A JPH0636675A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186637A JPH0636675A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636675A true JPH0636675A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16192074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4186637A Pending JPH0636675A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | ヒユーズ抵抗器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636675A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710699B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-03-23 | Abb Research Ltd | Fusible link |
| JP2008240530A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Hanshin Electric Co Ltd | 内燃機関用電子点火装置 |
| US8780518B2 (en) | 2011-02-04 | 2014-07-15 | Denso Corporation | Electronic control device including interrupt wire |
| CN106847447A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-06-13 | 常州安斯电子有限公司 | 一种晶片阻值保险性电阻器及其生产工艺 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP4186637A patent/JPH0636675A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6710699B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-03-23 | Abb Research Ltd | Fusible link |
| JP2008240530A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Hanshin Electric Co Ltd | 内燃機関用電子点火装置 |
| US8780518B2 (en) | 2011-02-04 | 2014-07-15 | Denso Corporation | Electronic control device including interrupt wire |
| CN106847447A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-06-13 | 常州安斯电子有限公司 | 一种晶片阻值保险性电阻器及其生产工艺 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020215 |