JPH0824125B2 - バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法Info
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- JPH0824125B2 JPH0824125B2 JP62186176A JP18617687A JPH0824125B2 JP H0824125 B2 JPH0824125 B2 JP H0824125B2 JP 62186176 A JP62186176 A JP 62186176A JP 18617687 A JP18617687 A JP 18617687A JP H0824125 B2 JPH0824125 B2 JP H0824125B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、バイポーラトランジスタおよびその製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
従来の技術 半導体装置の動向は、高密度集積化と高速化・高周波
化にある。バイポーラトランジスタにおいて、高周波化
を考える場合の基本的性能因子の一つに最大発振周波数
fmaxがある。fmaxは一般につぎの式で表わされる。
化にある。バイポーラトランジスタにおいて、高周波化
を考える場合の基本的性能因子の一つに最大発振周波数
fmaxがある。fmaxは一般につぎの式で表わされる。
（fmax）２＝fT/（８πRb Cbc） …（１） ここで、fTは最大遮断周波数、Rbはベース抵抗、Cbc
はベース・コレクタ間容量である。従って、Cbcの低減
はバイポーラトランジスタにおける高周波化の必要事項
である。
はベース・コレクタ間容量である。従って、Cbcの低減
はバイポーラトランジスタにおける高周波化の必要事項
である。
最近高周波デバイスとして、シリコンよりも速い電子
移動度を有する砒化ガリウム系を用いたヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタが注目されている。このヘテロ接合
バイポーラトランジスタでは、外部ベース領域直下のコ
レクタ層のキャリアをイオン注入で減少させて半絶縁化
し、その領域の接合容量をなくすことで、Cbcを低減し
ていた。また、上記イオン注入により上記外部ベース領
域の結晶性が悪くなり抵抗が増加するため、さらに不純
物を上記外部ベース領域にイオン注入してキャリアを増
加させ、抵抗の増加を解消していた。その例を第３図に
示す。
移動度を有する砒化ガリウム系を用いたヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタが注目されている。このヘテロ接合
バイポーラトランジスタでは、外部ベース領域直下のコ
レクタ層のキャリアをイオン注入で減少させて半絶縁化
し、その領域の接合容量をなくすことで、Cbcを低減し
ていた。また、上記イオン注入により上記外部ベース領
域の結晶性が悪くなり抵抗が増加するため、さらに不純
物を上記外部ベース領域にイオン注入してキャリアを増
加させ、抵抗の増加を解消していた。その例を第３図に
示す。
半導体基板１上に、ｎ型不純物を高濃度に含有したコ
レクタコンタクト層２、ｎ型不純物を含有したコレクタ
層３、ｐ型不純物を高濃度に含有したベース層４、ヘテ
ロ接合を形成するためにベース層よりも大きい禁制帯幅
を有する半導体からなる、ｎ型不純物を含有したエミッ
タ層５およびｎ型不純物を高濃度に含有したエミッタコ
ンタクト層６が順に形成され、各層上にオーミック接触
するコレクタ電極12、ベース電極14およびエミッタ電極
16がそれぞれ形成されている。また、外部ベース領域直
下のコレクタ層にはイオン注入によりキャリアを低減さ
れた半絶縁化層10が、外部ベース領域にはキャリアを増
加させるためのｐ型不純物イオン注入層15が形成されて
いる。例えば第18回固体素子・材料コンファレンス、LN
−Ｄ−９−3 1986年。
レクタコンタクト層２、ｎ型不純物を含有したコレクタ
層３、ｐ型不純物を高濃度に含有したベース層４、ヘテ
ロ接合を形成するためにベース層よりも大きい禁制帯幅
を有する半導体からなる、ｎ型不純物を含有したエミッ
タ層５およびｎ型不純物を高濃度に含有したエミッタコ
ンタクト層６が順に形成され、各層上にオーミック接触
するコレクタ電極12、ベース電極14およびエミッタ電極
16がそれぞれ形成されている。また、外部ベース領域直
下のコレクタ層にはイオン注入によりキャリアを低減さ
れた半絶縁化層10が、外部ベース領域にはキャリアを増
加させるためのｐ型不純物イオン注入層15が形成されて
いる。例えば第18回固体素子・材料コンファレンス、LN
−Ｄ−９−3 1986年。
発明が解決しようとする問題点 しかし上記のような構成では、半絶縁化層の下にコレ
クタ電極用の引出し層であるコレクタコンタクト層が存
在するために、外部ベース領域直下に依然として、その
ベース領域とコレクタコンタクト層を電極とする平行平
板コンデンサーのような浮遊容量が存在する。このた
め、上記外部ベース領域内に形成されたキャリア増加の
ためのイオン注入層が下方に拡散すると、Cbcが増加す
るという欠点があった。従って、Cbcの低減には構造上
の限界があり、トランジスタをより高周波化する上で問
題であった。
クタ電極用の引出し層であるコレクタコンタクト層が存
在するために、外部ベース領域直下に依然として、その
ベース領域とコレクタコンタクト層を電極とする平行平
板コンデンサーのような浮遊容量が存在する。このた
め、上記外部ベース領域内に形成されたキャリア増加の
ためのイオン注入層が下方に拡散すると、Cbcが増加す
るという欠点があった。従って、Cbcの低減には構造上
の限界があり、トランジスタをより高周波化する上で問
題であった。
本発明は、上記の問題点を大きく改良するもので、外
部ベース領域直下の浮遊容量を解消することにより、外
部ベース領域内に形成されるキャリア増加のためのイオ
ン注入層の拡散の影響を無視しうる構成を有し、Cbcを
構造上ほとんど最小にするバイポーラトランジスタと、
その製造方法を提供することを目的とする。
部ベース領域直下の浮遊容量を解消することにより、外
部ベース領域内に形成されるキャリア増加のためのイオ
ン注入層の拡散の影響を無視しうる構成を有し、Cbcを
構造上ほとんど最小にするバイポーラトランジスタと、
その製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するため、本発明のバイポーラトラ
ンジスタは、半絶縁性基板と、前記基板上に形成され
た、第１の導電型の不純物を高濃度に含有したコレクタ
コンタクト領域と、前記コレクタコンタクト領域上に形
成された、第１の導電型の不純物を含有したコレクタ領
域と、前記コレクタ領域上に形成された、第２の導電型
の不純物を高濃度に含有したベース領域と、前記ベース
領域上に形成された、第１の導電型の不純物を含有した
エミッタ領域と、前記エミッタ領域上に形成されたエミ
ッタ電極と、前記エミッタ電極の両側に隣接した、前記
ベース領域よりもさらに高濃度に第２の導電型の不純物
を含有した、ベース電極取り出し部である外部ベース領
域と、前記外部ベース領域直下に形成され、前記半絶縁
性基板にまで到達する半絶縁性領域とを備え、前記コレ
クタコンタクト領域は、前記エミッタ電極の引き出し方
向に対して反対方向に引き出され、かつ、前記ベース領
域から前記外部ベース領域の方向に対してほぼ垂直に引
き出されたバイポーラトランジスタとする。
ンジスタは、半絶縁性基板と、前記基板上に形成され
た、第１の導電型の不純物を高濃度に含有したコレクタ
コンタクト領域と、前記コレクタコンタクト領域上に形
成された、第１の導電型の不純物を含有したコレクタ領
域と、前記コレクタ領域上に形成された、第２の導電型
の不純物を高濃度に含有したベース領域と、前記ベース
領域上に形成された、第１の導電型の不純物を含有した
エミッタ領域と、前記エミッタ領域上に形成されたエミ
ッタ電極と、前記エミッタ電極の両側に隣接した、前記
ベース領域よりもさらに高濃度に第２の導電型の不純物
を含有した、ベース電極取り出し部である外部ベース領
域と、前記外部ベース領域直下に形成され、前記半絶縁
性基板にまで到達する半絶縁性領域とを備え、前記コレ
クタコンタクト領域は、前記エミッタ電極の引き出し方
向に対して反対方向に引き出され、かつ、前記ベース領
域から前記外部ベース領域の方向に対してほぼ垂直に引
き出されたバイポーラトランジスタとする。
また、半絶縁性基板上に、第１の導電型の不純物を高
濃度に含有したコレクタコンタクト層と、第１の導電型
の不純物を含有したコレクタ層と、第２の導電型の不純
物を高濃度に含有したベース層と、第１の導電型の不純
物を含有したエミッタ層とを含む多層膜を結晶成長する
工程と、前記多層膜上にマスクを形成し、前記マスクの
周辺の表面層から少なくとも前記ベース層までの半絶縁
化させる第１の半絶縁性領域を形成する工程と、前記エ
ミッタ層上から前記第１の半絶縁性領域に延びるように
ダミーエミッタを形成する工程と、前記ダミーエミッタ
をマスクとして、周辺の前記エミッタ層をエッチング除
去して前記ベース層を露出させ、エミッタ領域を形成す
る工程と、前記ダミーエミッタをマスクとして、前記エ
ミッタ領域の両側の前記ベース層直下の層から前記半絶
縁性基板に到達するまでを半絶縁化する第２の半絶縁性
領域を形成して、前記コレクタコンタクト層が前記ダミ
ーエミッタの方向と反対方向に延びるようにする工程
と、前記ダミーエミッタをマスクとして、前記エミッタ
領域の両側の前記ベース層内に、第２の導電型の不純物
を高濃度に含有させる工程と、前記ダミーエミッタの残
った部位をパターン反転し、エミッタ電極を形成する工
程と、前記エミッタ電極をマスクとして、前記ダミーエ
ミッタの方向とは垂直方向の前記ベース層上にベース電
極を形成する工程と、を備えたバイポーラトランジスタ
の製造方法とする。
濃度に含有したコレクタコンタクト層と、第１の導電型
の不純物を含有したコレクタ層と、第２の導電型の不純
物を高濃度に含有したベース層と、第１の導電型の不純
物を含有したエミッタ層とを含む多層膜を結晶成長する
工程と、前記多層膜上にマスクを形成し、前記マスクの
周辺の表面層から少なくとも前記ベース層までの半絶縁
化させる第１の半絶縁性領域を形成する工程と、前記エ
ミッタ層上から前記第１の半絶縁性領域に延びるように
ダミーエミッタを形成する工程と、前記ダミーエミッタ
をマスクとして、周辺の前記エミッタ層をエッチング除
去して前記ベース層を露出させ、エミッタ領域を形成す
る工程と、前記ダミーエミッタをマスクとして、前記エ
ミッタ領域の両側の前記ベース層直下の層から前記半絶
縁性基板に到達するまでを半絶縁化する第２の半絶縁性
領域を形成して、前記コレクタコンタクト層が前記ダミ
ーエミッタの方向と反対方向に延びるようにする工程
と、前記ダミーエミッタをマスクとして、前記エミッタ
領域の両側の前記ベース層内に、第２の導電型の不純物
を高濃度に含有させる工程と、前記ダミーエミッタの残
った部位をパターン反転し、エミッタ電極を形成する工
程と、前記エミッタ電極をマスクとして、前記ダミーエ
ミッタの方向とは垂直方向の前記ベース層上にベース電
極を形成する工程と、を備えたバイポーラトランジスタ
の製造方法とする。
さらに、エミッタとコレクタを入れ換えた構造にも適
用できる。
用できる。
作用 上記構成のバイポーラトランジスタは、従来の構成に
よるバイポーラトランジスタに比べて、コレクタコンタ
クト領域の延長方向と外部ベース領域の延長方向とが垂
直になっており、それらの領域の重なりがほとんどない
ので、ベース・コレクタ間の寄生容量を低減することが
でき、構造上、Cbcをほとんど最小にできる。また、外
部ベース領域のさらなる低抵抗化を図って、そこに所定
導電型の不純物を注入してさらに高濃度に含有させて
も、コレクタコンタクト領域と外部ベース領域との重な
りがない分、それによる寄生容量の増加はほとんど生じ
ない。これらにより、トランジスタの高周波化に大きく
貢献する。かつ、上記構成は基板側にエミッタ層を有す
る、エミッタとコレクタの位置が逆転したトランジスタ
においても、さらに、npn型あるいはpnp型トランジスタ
いずれにおいても同様に適用しうる。
よるバイポーラトランジスタに比べて、コレクタコンタ
クト領域の延長方向と外部ベース領域の延長方向とが垂
直になっており、それらの領域の重なりがほとんどない
ので、ベース・コレクタ間の寄生容量を低減することが
でき、構造上、Cbcをほとんど最小にできる。また、外
部ベース領域のさらなる低抵抗化を図って、そこに所定
導電型の不純物を注入してさらに高濃度に含有させて
も、コレクタコンタクト領域と外部ベース領域との重な
りがない分、それによる寄生容量の増加はほとんど生じ
ない。これらにより、トランジスタの高周波化に大きく
貢献する。かつ、上記構成は基板側にエミッタ層を有す
る、エミッタとコレクタの位置が逆転したトランジスタ
においても、さらに、npn型あるいはpnp型トランジスタ
いずれにおいても同様に適用しうる。
実施例 以下、本発明の一実施例を第１図、第２図に基づいて
説明する。
説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施例における砒
化ガリウム系npn型バイポーラトランジスタの製造方法
を示す断面図である。第２図は完成した上記トランジス
タを、鉛直方向から見たときの構成図である。まず、半
絶縁性砒化ガリウム基板51上に、ｎ型不純物を高濃度に
含有したコレクタコンタクト層52、ｎ型不純物を含有し
たコレクタ層53、ｐ型不純物を高濃度に含有したベース
層54、ｎ型不純物を含有したエミッタ層55、およびｎ型
不純物を高濃度に含有したエミッタコンタクト層56を順
に膜成長により形成し、エミッタコンタクト層56の上に
金属マスク77を形成して、周辺に酸素イオンが少なくと
もコレクタ層53まで到達するように注入し、第一酸素イ
オン注入層71を形成する。（第１図（ａ））次に、シリ
コンの酸化膜等を用いて、ダミーエミッタ75を上記第一
酸素イオン注入層71にまたがるように細長く形成し、上
記ダミーエミッタ75をマスクとして湿式エッチングでベ
ース層54を露出する。続いて、酸素イオンが上記ベース
層54を通過して、上記コレクタ層53から少なくとも上記
半絶縁性砒化ガリウム基板51まで到達するように深く注
入し、第二酸素イオン注入層72を形成する。（第１図
（ｂ））さらに、周辺に金属マスク76を形成してベリリ
ウムイオン等を注入し、エミッタの両側の外部ベース領
域にｐ型不純物イオン注入層74を形成する。（第１図
（ｃ））熱処理により、上記ｐ型不純物イオン注入層74
の結晶性を回復させた後、レジストマスクを用いた湿式
エッチングにより、上記第一酸素イオン注入層71に張り
出したダミーエミッタ75の一方を除去し、続いてレジス
ト79を全面に塗り、平坦にして、乾式エッチングにより
ダミーエミッタ75の頭出し行い、湿式エッチングでダミ
ーエミッタ75を除去する。このとき同時に、エミッタ電
極の引出し方向と反対側に、コレクタ電極82が形成され
る領域のパターン形成を行い、湿式エッチングを用いて
その領域を、上記のコレクタコンタクト層52まで露出す
る。（第１図（ｄ）および第２図）全面に金ゲルマニウ
ム合金系を蒸着して、上記レジスト79を除去し、熱処理
することにより、エミッタ電極86およびコレクタ電極82
を同時に形成する。さらに、金属マスク78を用いて水素
イオンを周辺に注入し、水素イオン注入層73を形成して
素子間分離を行う。（第１図（ｅ））金属マスク78を除
去した後に金亜鉛系合金を蒸着し、最後にベース電極84
を形成する。（第１図（ｆ））以上のようにして、本実
施例におけるnpn型バイポーラトランジスタが完成す
る。
化ガリウム系npn型バイポーラトランジスタの製造方法
を示す断面図である。第２図は完成した上記トランジス
タを、鉛直方向から見たときの構成図である。まず、半
絶縁性砒化ガリウム基板51上に、ｎ型不純物を高濃度に
含有したコレクタコンタクト層52、ｎ型不純物を含有し
たコレクタ層53、ｐ型不純物を高濃度に含有したベース
層54、ｎ型不純物を含有したエミッタ層55、およびｎ型
不純物を高濃度に含有したエミッタコンタクト層56を順
に膜成長により形成し、エミッタコンタクト層56の上に
金属マスク77を形成して、周辺に酸素イオンが少なくと
もコレクタ層53まで到達するように注入し、第一酸素イ
オン注入層71を形成する。（第１図（ａ））次に、シリ
コンの酸化膜等を用いて、ダミーエミッタ75を上記第一
酸素イオン注入層71にまたがるように細長く形成し、上
記ダミーエミッタ75をマスクとして湿式エッチングでベ
ース層54を露出する。続いて、酸素イオンが上記ベース
層54を通過して、上記コレクタ層53から少なくとも上記
半絶縁性砒化ガリウム基板51まで到達するように深く注
入し、第二酸素イオン注入層72を形成する。（第１図
（ｂ））さらに、周辺に金属マスク76を形成してベリリ
ウムイオン等を注入し、エミッタの両側の外部ベース領
域にｐ型不純物イオン注入層74を形成する。（第１図
（ｃ））熱処理により、上記ｐ型不純物イオン注入層74
の結晶性を回復させた後、レジストマスクを用いた湿式
エッチングにより、上記第一酸素イオン注入層71に張り
出したダミーエミッタ75の一方を除去し、続いてレジス
ト79を全面に塗り、平坦にして、乾式エッチングにより
ダミーエミッタ75の頭出し行い、湿式エッチングでダミ
ーエミッタ75を除去する。このとき同時に、エミッタ電
極の引出し方向と反対側に、コレクタ電極82が形成され
る領域のパターン形成を行い、湿式エッチングを用いて
その領域を、上記のコレクタコンタクト層52まで露出す
る。（第１図（ｄ）および第２図）全面に金ゲルマニウ
ム合金系を蒸着して、上記レジスト79を除去し、熱処理
することにより、エミッタ電極86およびコレクタ電極82
を同時に形成する。さらに、金属マスク78を用いて水素
イオンを周辺に注入し、水素イオン注入層73を形成して
素子間分離を行う。（第１図（ｅ））金属マスク78を除
去した後に金亜鉛系合金を蒸着し、最後にベース電極84
を形成する。（第１図（ｆ））以上のようにして、本実
施例におけるnpn型バイポーラトランジスタが完成す
る。
上記構成におけるコレクタ電極の引出し方向を、エミ
ッタ電極の引出し方向にとることも可能で、この場合は
コレクタ電極が形成できるように、ダミーエミッタを少
し伸張すればよい。
ッタ電極の引出し方向にとることも可能で、この場合は
コレクタ電極が形成できるように、ダミーエミッタを少
し伸張すればよい。
上記構成を、より高周波特性に優れたヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタに用いることもでき、この場合は膜
成長の時にベース層に用いた半導体よりも大きな禁制帯
幅を有する半導体をエミッタ層に用いればよい。また同
様に、基板側にエミッタ層を有する、エミッタとコレク
タの位置が逆転したトランジスタにおいても、さらにpn
p型トランジスタにおいても適用しうる。
ポーラトランジスタに用いることもでき、この場合は膜
成長の時にベース層に用いた半導体よりも大きな禁制帯
幅を有する半導体をエミッタ層に用いればよい。また同
様に、基板側にエミッタ層を有する、エミッタとコレク
タの位置が逆転したトランジスタにおいても、さらにpn
p型トランジスタにおいても適用しうる。
発明の効果 以上に記したように、本発明の構成のバイポーラトラ
ンジスタは、コレクタコンタクト領域がエミッタ電極と
反対方向に引き出され、かつ、ベール領域の引き出し方
向と垂直になり、コレクタコンタクト領域と外部ベース
領域との重なりがほとんどないので、ベース電極取り出
し部である外部ベース領域直下に、その領域の下の層か
ら半絶縁性基板に到達するまで深くイオン注入してキャ
リアを減少させ、半絶縁化層を形成することができ、さ
らに、外部ベース領域にイオンに注入してキャリアを増
加させるので、外部ベース領域の抵抗を増加することな
く、よりCbcを低減して構造上Cbcをほとんど最小にす
る。このことは、トランジスタの高周波化に大きく貢献
する。かつ、上記構成は基板側にエミッタ層を有する、
エミッタとコレクタの位置が逆転したトランジスタにお
いても適用可能で、この場合はベース・エミッタ間容量
Cbcが構造上ほとんど最小となる。
ンジスタは、コレクタコンタクト領域がエミッタ電極と
反対方向に引き出され、かつ、ベール領域の引き出し方
向と垂直になり、コレクタコンタクト領域と外部ベース
領域との重なりがほとんどないので、ベース電極取り出
し部である外部ベース領域直下に、その領域の下の層か
ら半絶縁性基板に到達するまで深くイオン注入してキャ
リアを減少させ、半絶縁化層を形成することができ、さ
らに、外部ベース領域にイオンに注入してキャリアを増
加させるので、外部ベース領域の抵抗を増加することな
く、よりCbcを低減して構造上Cbcをほとんど最小にす
る。このことは、トランジスタの高周波化に大きく貢献
する。かつ、上記構成は基板側にエミッタ層を有する、
エミッタとコレクタの位置が逆転したトランジスタにお
いても適用可能で、この場合はベース・エミッタ間容量
Cbcが構造上ほとんど最小となる。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例におけるト
ランジスタの製造方法を示す断面図、第２図は完成した
上記トランジスタを、鉛直方向から見たときの構成図、
第３図は従来のトランジスタの構成を示す断面図であ
る。 51……半絶縁性砒化ガリウム基板、52……コレクタコン
タクト層、53……コレクタ層、54……ベース層、55……
エミッタ層、56……エミッタコンタクト層、71……第一
酸素イオン注入層、72……第二酸素イオン注入層、73…
…水素イオン注入層、74……ｐ型不純物イオン注入層、
75……ダミーエミッタ、76、77、78……金属マスク、79
……レジスト、82……コレクタ電極、84……ベース電
極、86……エミッタ電極。
ランジスタの製造方法を示す断面図、第２図は完成した
上記トランジスタを、鉛直方向から見たときの構成図、
第３図は従来のトランジスタの構成を示す断面図であ
る。 51……半絶縁性砒化ガリウム基板、52……コレクタコン
タクト層、53……コレクタ層、54……ベース層、55……
エミッタ層、56……エミッタコンタクト層、71……第一
酸素イオン注入層、72……第二酸素イオン注入層、73…
…水素イオン注入層、74……ｐ型不純物イオン注入層、
75……ダミーエミッタ、76、77、78……金属マスク、79
……レジスト、82……コレクタ電極、84……ベース電
極、86……エミッタ電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−210669（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−49662（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−95969（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】半絶縁性基板と、 前記基板上に形成された、第１の導電型の不純物を高濃
度に含有したコレクタコンタクト領域と、 前記コレクタコンタクト領域上に形成された、第１の導
電型の不純物を含有したコレクタ領域と、 前記コレクタ領域上に形成された、第２の導電型の不純
物を高濃度に含有したベース領域と、 前記ベース領域上に形成された、第１の導電型の不純物
を含有したエミッタ領域と、 前記エミッタ領域上に形成されたエミッタ電極と、 前記エミッタ電極の両側に隣接した、前記ベース領域よ
りもさらに高濃度に第２の導電型の不純物を含有した、
ベース電極取り出し部である外部ベース領域と、 前記外部ベース領域直下に形成され、前記半絶縁性基板
にまで到達する半絶縁性領域とを備え、 前記コレクタコンタクト領域は、前記エミッタ電極の引
き出し方向に対して反対方向に引き出され、かつ、前記
ベース領域から前記外部ベース領域の方向に対してほぼ
垂直に引き出されたことを特徴とするバイポーラトラン
ジスタ。 - 【請求項２】半絶縁性基板と、 前記基板上に形成された、第１の導電型の不純物を高濃
度に含有したエミッタコンタクト領域と、 前記エミッタコンタクト領域上に形成された、第１の導
電型の不純物を含有したエミッタ領域と、 前記エミッタ領域上に形成された、第２の導電型の不純
物を高濃度に含有したベース領域と、 前記ベース領域上に形成された、第１の導電型の不純物
を含有したコレクタ領域と、 前記コレクタ領域上に形成されたコレクタ電極と、 前記コレクタ電極の両側に隣接した、前記ベース領域よ
りもさらに高濃度に第２の導電型の不純物を含有した、
ベース電極取り出し部である外部ベース領域と、 前記外部ベース領域直下に形成され、前記半絶縁性基板
にまで到達する半絶縁性領域とを備え、 前記エミッタコンタクト領域は、前記コレクタ電極の引
き出し方向に対して反対方向に引き出され、かつ、前記
ベース領域から前記外部ベース領域の方向に対してほぼ
垂直に引き出されたことを特徴とするバイポーラトラン
ジスタ。 - 【請求項３】半絶縁性基板上に、第１の導電型の不純物
を高濃度に含有したコレクタコンタクト層と、第１の導
電型の不純物を含有したコレクタ層と、第２の導電型の
不純物を高濃度に含有したベース層と、第１の導電型の
不純物を含有したエミッタ層とを含む多層膜を結晶成長
する工程と、 前記多層膜上にマスクを形成し、前記マスクの周辺の表
面層から少なくとも前記ベース層までの半絶縁化させる
第１の半絶縁性領域を形成する工程と、 前記エミッタ層上から前記第１の半絶縁性領域に延びる
ようにダミーエミッタを形成する工程と、 前記ダミーエミッタをマスクとして、周辺の前記エミッ
タ層をエッチング除去して前記ベース層を露出させ、エ
ミッタ領域を形成する工程と、 前記ダミーエミッタをマスクとして、前記エミッタ領域
の両側の前記ベース層直下の層から前記半絶縁性基板に
到達するまでを半絶縁化する第２の半絶縁性領域を形成
して、前記コレクタコンタクト層が前記ダミーエミッタ
の方向と反対方向に延びるようにする工程と、 前記ダミーエミッタをマスクとして、前記エミッタ領域
の両側の前記ベース層内に、第２の導電型の不純物を高
濃度に含有させる工程と、 前記ダミーエミッタの残った部位をパターン反転し、エ
ミッタ電極を形成する工程と、 前記エミッタ電極をマスクとして、前記ダミーエミッタ
の方向とは垂直方向の前記ベース層上にベース電極を形
成する工程と、 を備えたことを特徴とするバイポーラトランジスタの製
造方法。 - 【請求項４】半絶縁性基板上に、第１の導電型の不純物
を高濃度に含有したエミッタコンタクト層と、第１の導
電型の不純物を含有したエミッタ層と、第２の導電型の
不純物を高濃度に含有したベース層と、第１の導電型の
不純物を含有したコレクタ層とを含む多層膜を結晶成長
する工程と、 前記多層膜上にマスクを形成し、前記マスクの周辺の表
面層から少なくとも前記ベース層までを半絶縁化させる
第１の半絶縁性領域を形成する工程と、 前記コレクタ層上から前記第１の半絶縁性領域に延びる
ようにダミーコレクタを形成する工程と、 前記ダミーコレクタをマスクとして、周辺の前記コレク
タ層をエッチング除去して前記ベース層を露出させ、コ
レクタ領域を形成する工程と、 前記ダミーコレクタをマスクとして、前記コレクタ領域
の両側の前記ベース層直下の層から前記半絶縁性基板に
到達するまでを半絶縁化する第２の半絶縁性領域を形成
して、前記エミッタコンタクト層が前記ダミーコレクタ
の方向と反対方向に延びるようにする工程と、 前記ダミーコレクタをマスクとして、前記コレクタ領域
の両側の前記ベース層内に、第２の導電型の不純物を高
濃度に含有させる工程と、 前記ダミーコレクタの残った部位をパターン反転し、コ
レクタ電極を形成する工程と、 前記コレクタ電極をマスクとして、前記ダミーコレクタ
の方向とは垂直方向の前記ベース層上にベース電極を形
成する工程と、 を備えたことを特徴とするバイポーラトランジスタの製
造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186176A JPH0824125B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
| EP88306729A EP0300803B1 (en) | 1987-07-24 | 1988-07-22 | High-frequency bipolar transistor and its fabrication method |
| DE3850309T DE3850309T2 (de) | 1987-07-24 | 1988-07-22 | Hochfrequenz-Bipolartransistor und dessen Herstellungsverfahren. |
| US07/570,958 US5147775A (en) | 1987-07-24 | 1990-08-21 | Method of fabricating a high-frequency bipolar transistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62186176A JPH0824125B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6430267A JPS6430267A (en) | 1989-02-01 |
| JPH0824125B2 true JPH0824125B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16183720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62186176A Expired - Lifetime JPH0824125B2 (ja) | 1987-07-24 | 1987-07-24 | バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824125B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0106724B1 (fr) * | 1982-09-17 | 1989-06-07 | ETAT FRANCAIS représenté par le Ministre des PTT (Centre National d'Etudes des Télécommunications) | Transistor bipolaire balistique à hétérojonction |
| JPS6095969A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Matsushita Electronics Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| JPS6249662A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-07-24 JP JP62186176A patent/JPH0824125B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6430267A (en) | 1989-02-01 |
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