JPH0822357A - Touch panel - Google Patents
Touch panelInfo
- Publication number
- JPH0822357A JPH0822357A JP15404594A JP15404594A JPH0822357A JP H0822357 A JPH0822357 A JP H0822357A JP 15404594 A JP15404594 A JP 15404594A JP 15404594 A JP15404594 A JP 15404594A JP H0822357 A JPH0822357 A JP H0822357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance film
- resistance
- frame side
- touch panel
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- User Interface Of Digital Computer (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ペンや指などで指示さ
れた平面上の位置を検出するタッチパネルに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a touch panel for detecting a position on a plane designated by a pen or a finger.
【０００２】タッチパネルは、ペンや指などで指示され
た平面上の位置を正確に検出することができ、また、外
乱ノイズに強くなければならないが、ペンや指などで指
示された平面上の位置を正確に検出するためには、所定
の抵抗膜に均一、即ち、直線性の良い電位分布を発生さ
せる必要がある。The touch panel must be able to accurately detect the position on the plane designated by the pen or finger, and must be resistant to disturbance noise. In order to accurately detect the electric potential, it is necessary to generate a uniform potential distribution, that is, a linear electric potential distribution, on the predetermined resistance film.
【０００３】[0003]
【従来の技術】従来、タッチパネルとして、例えば、図
１３に、その要部を示すようなものが提案されている
（特開昭４７−３６９２３号公報）。2. Description of the Related Art Conventionally, as a touch panel, for example, a touch panel whose main part is shown in FIG. 13 has been proposed (JP-A-47-36923).
【０００４】図中、１は導電シート、２〜５は導電シー
ト１よりも低抵抗の抵抗条片、６〜９は駆動電圧を印加
する導電端子である。In the figure, 1 is a conductive sheet, 2 to 5 are resistance strips having a resistance lower than that of the conductive sheet 1, and 6 to 9 are conductive terminals for applying a driving voltage.
【０００５】このタッチパネルにおいては、図１４に示
すように、導電端子６、７に正電圧ＶＡを印加し、導電
端子８、９に接地電圧を印加すると、抵抗条片２、３を
電極として、導電シート１に、破線で示すような電位分
布１１が発生する。In this touch panel, as shown in FIG. 14, when a positive voltage VA is applied to the conductive terminals 6 and 7, and a ground voltage is applied to the conductive terminals 8 and 9, the resistance strips 2 and 3 serve as electrodes. A potential distribution 11 shown by a broken line is generated on the conductive sheet 1.
【０００６】また、図１５に示すように、導電端子６、
８に正電圧ＶＡを印加し、導電端子７、９に接地電圧を
印加すると、抵抗条片４、５を電極として、導電シート
１に、破線で示すような電位分布１２が発生する。Further, as shown in FIG. 15, conductive terminals 6,
When a positive voltage VA is applied to 8 and a ground voltage is applied to the conductive terminals 7 and 9, a potential distribution 12 as indicated by a broken line is generated in the conductive sheet 1 using the resistance strips 4 and 5 as electrodes.
【０００７】そこで、このタッチパネルは、導電端子
６、７に対する正電圧ＶＡの印加及び導電端子８、９に
対する接地電圧の印加と、導電端子６、８に対する正電
圧ＶＡの印加及び導電端子７、９に対する接地電圧との
印加とを時分割的に行い、針で指示された導電シート１
内の位置の電圧を測定することにより、針で指示された
導電シート１内の位置を検出するというものである。Therefore, in this touch panel, the positive voltage VA is applied to the conductive terminals 6 and 7, the ground voltage is applied to the conductive terminals 8 and 9, and the positive voltage VA is applied to the conductive terminals 6 and 8 and the conductive terminals 7 and 9. The conductive sheet 1 is pointed by the needle by applying the ground voltage to the
By measuring the voltage at the inner position, the position in the conductive sheet 1 indicated by the needle is detected.
【０００８】ここに、図１４に示す場合において、導電
シート１に直線性の良い電位分布１１を発生させるため
には、電極として機能する抵抗条片２、３の抵抗値が小
さく、これら抵抗条片２、３にそれぞれ電位勾配が生じ
ないことが必要とされる。Here, in the case shown in FIG. 14, in order to generate the potential distribution 11 having good linearity in the conductive sheet 1, the resistance values of the resistance strips 2 and 3 functioning as electrodes are small, and these resistance strips are small. It is necessary that there is no potential gradient on each of the pieces 2, 3.
【０００９】また、図１５に示す場合において、導電シ
ート１に直線性の良い電位分布１２を発生させるために
は、抵抗条片４、５の抵抗値が小さく、これら抵抗条片
４、５にそれぞれ電位勾配が生じないことが必要とされ
る。Further, in the case shown in FIG. 15, in order to generate the potential distribution 12 having a good linearity on the conductive sheet 1, the resistance values of the resistance strips 4 and 5 are small, and the resistance strips 4 and 5 have a small resistance value. It is required that there is no potential gradient in each.
【００１０】しかし、抵抗条片２〜５の抵抗値を余りに
小さくすると、図１４に示す場合には、抵抗条片４、５
に多大な電流Ｉ4、Ｉ5が流れてしまい、図１５に示す場
合には、抵抗条片２、３に多大な電流Ｉ2、Ｉ3が流れて
しまう。However, if the resistance values of the resistance strips 2 to 5 are made too small, in the case shown in FIG.
Large currents I 4 and I 5 flow into the resistance strips 2 and 3, and in the case shown in FIG. 15, large currents I 2 and I 3 flow into the resistance strips 2 and 3 .
【００１１】したがって、このタッチパネルにおいて
は、導電シート１に直線性の良い電位分布１１、１２を
発生させ、精度の高い位置検出を実行しようとすると、
消費電力が増大してしまうという問題点があった。Therefore, in this touch panel, if the potential distributions 11 and 12 with good linearity are generated on the conductive sheet 1 to perform highly accurate position detection,
There is a problem that power consumption increases.
【００１２】そこで、また、従来、図１６にその要部を
示すようなタッチパネルが提案されている（特開昭６１
−２０８５３３号公報）。Therefore, conventionally, a touch panel whose main part is shown in FIG. 16 has been proposed (Japanese Unexamined Patent Application Publication No. Sho 61-61).
-208533).
【００１３】図中、１４は基板、１５、１６は基板１４
上に形成されたターミナル、１７、１８は基板１４上に
形成されたパターン、１９〜２２は基板１４上に形成さ
れた電極、２３〜２６はダイオード、２７は基板１４上
にコーティングされた抵抗膜であり、この抵抗膜２７
は、電極１９〜２２と接触している。In the figure, 14 is a substrate, and 15 and 16 are substrates 14.
Terminals formed on the substrate 17, 17 and 18 are patterns formed on the substrate 14, 19 to 22 are electrodes formed on the substrate 14, 23 to 26 are diodes, and 27 is a resistance film coated on the substrate 14. And the resistance film 27
Are in contact with electrodes 19-22.
【００１４】このタッチパネルにおいては、図１７に示
すように、ターミナル１５に正電圧ＶＡを印加し、ター
ミナル１６に接地電圧を印加すると、ダイオード２３、
２４＝ＯＮ、ダイオード２５、２６＝ＯＦＦとなり、電
極１９、２０により、抵抗膜２７に、破線で示すような
電位分布２８が発生する。In this touch panel, as shown in FIG. 17, when a positive voltage VA is applied to the terminal 15 and a ground voltage is applied to the terminal 16, the diode 23,
24 = ON, diodes 25 and 26 = OFF, and the electrodes 19 and 20 generate a potential distribution 28 on the resistance film 27 as shown by a broken line.
【００１５】また、図１８に示すように、ターミナル１
６に正電圧ＶＡを印加し、ターミナル１５に接地電圧を
印加すると、ダイオード２５、２６＝ＯＮ、ダイオード
２３、２４＝ＯＦＦとなり、電極２１、２２により、抵
抗膜２７に、破線で示すような電位分布２９が発生す
る。As shown in FIG. 18, the terminal 1
When a positive voltage VA is applied to 6 and a ground voltage is applied to the terminal 15, the diodes 25 and 26 = ON, the diodes 23 and 24 = OFF, and the electrodes 21 and 22 cause the resistance film 27 to have a potential as shown by a broken line. Distribution 29 occurs.
【００１６】そこで、このタッチパネルは、ターミナル
１５に対する正電圧ＶＡの印加及びターミナル１６に対
する接地電圧の印加と、ターミナル１６に対する正電圧
ＶＡの印加及びターミナル１５に対する接地電圧の印加
とを時分割的に行い、ペンや指などで指示された抵抗膜
２７内の位置の電圧を測定することにより、ペンや指な
どで指示された抵抗膜２７内の位置を検出するというも
のである。Therefore, in this touch panel, the positive voltage VA is applied to the terminal 15 and the ground voltage is applied to the terminal 16, and the positive voltage VA is applied to the terminal 16 and the ground voltage is applied to the terminal 15 in a time division manner. The position in the resistance film 27 designated by the pen or finger is detected by measuring the voltage at the position in the resistance film 27 designated by the pen or finger.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】このタッチパネルによ
れば、図１４、図１５に示すような電流Ｉ2〜Ｉ5は流れ
ないので、消費電力の低減化を図ることができるが、抵
抗膜２７に直線性の良い電位分布を発生させ、精度の高
い位置検出を行うためには、電極１９〜２２の数を増加
し、これに対応して、ダイオード２３〜２６の数も増加
しなくてはならず、効率性に欠けるという問題点があっ
た。According to this touch panel, since the currents I 2 to I 5 as shown in FIGS. 14 and 15 do not flow, the power consumption can be reduced, but the resistance film 27 is used. In order to generate a potential distribution with good linearity and to perform highly accurate position detection, it is necessary to increase the number of electrodes 19 to 22 and correspondingly increase the number of diodes 23 to 26. However, there was a problem that it lacked efficiency.
【００１８】本発明は、かかる点に鑑み、位置検出の高
精度化と、消費電力の低減化とを、効率良く達成するこ
とができるようにしたタッチパネルを提供することを目
的とする。In view of the above point, the present invention has an object to provide a touch panel capable of efficiently achieving high accuracy in position detection and reduction in power consumption.
【００１９】[0019]
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の抵抗膜
と、この第１の抵抗膜上に配置された四角形の枠形、か
つ、第１の抵抗膜よりも低抵抗の第２の抵抗膜とを有し
てなるタッチパネルを改良するものである。According to the present invention, there is provided a first resistance film and a second frame having a rectangular frame shape arranged on the first resistance film and having a resistance lower than that of the first resistance film. The touch panel having the resistance film of 1.
【００２０】本発明中、第１の発明のタッチパネルは、
第２の抵抗膜を正の温度係数を有する感温抵抗体、即
ち、温度が上昇すると、抵抗値が急激に大きくなる抵抗
体で形成するというものである。In the present invention, the touch panel of the first invention is
The second resistance film is formed of a temperature sensitive resistor having a positive temperature coefficient, that is, a resistor whose resistance value rapidly increases as the temperature rises.
【００２１】また、第２の発明のタッチパネルは、第２
の抵抗膜の各枠辺部に、直列接続された複数のダイオー
ドを、対応する枠辺部を長手方向に区分して並列に接続
するというものである。The touch panel of the second invention is the touch panel of the second invention.
In each of the frame sides of the resistance film, a plurality of diodes connected in series are connected in parallel by dividing the corresponding frame sides in the longitudinal direction.
【００２２】また、第３の発明のタッチパネルは、第２
の抵抗膜の各枠辺部に、複数の電界効果トランジスタ
が、それぞれそのソース及びドレインを、対応する枠辺
部の長手方向上、任意の間隔で接続させて構成される。The touch panel of the third invention is the touch panel of the second invention.
A plurality of field effect transistors are formed on each side of the frame of the resistive film by connecting their sources and drains at arbitrary intervals in the longitudinal direction of the corresponding side of the frame.
【００２３】[0023]
【作用】第１の発明では、第２の抵抗膜は、四角形の枠
形をしているので、二組の対向する枠辺部を有している
が、一方の対向する枠辺部と、他方の対向する枠辺部と
を交互に電極として駆動することにより、第１の抵抗膜
に時分割的に直交する電位分布を発生させることができ
る。In the first aspect of the invention, since the second resistance film has a quadrangular frame shape, it has two sets of opposing frame sides, but one opposing frame side, By alternately driving the other opposing frame side portions as electrodes, a potential distribution that is orthogonal in a time division manner can be generated in the first resistance film.
【００２４】ここに、この第１の発明では、第２の抵抗
膜を正の温度係数を有する感温抵抗体で形成するとして
いるので、第２の抵抗膜の抵抗値を小さくしても、時分
割的に動作させる場合において、電極として動作させな
い第２の抵抗膜の枠辺部を自己発熱により高抵抗にする
ことができ、この枠辺部に流れる電流を小さくすること
ができる。According to the first aspect of the invention, the second resistance film is formed of the temperature sensitive resistor having a positive temperature coefficient. Therefore, even if the resistance value of the second resistance film is reduced, In the case of operating in a time division manner, the frame side portion of the second resistance film which is not operated as an electrode can have a high resistance due to self-heating, and the current flowing through this frame side portion can be reduced.
【００２５】このように、この第１の発明によれば、第
２の抵抗膜の抵抗値を小さくしても、枠辺部に流れる電
流を小さくすることができるので、位置検出の高精度化
と、消費電力の低減化とを達成することができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, even if the resistance value of the second resistance film is reduced, the current flowing through the frame side portion can be reduced, so that the position detection can be performed with high accuracy. And reduction in power consumption can be achieved.
【００２６】また、第２の発明においても、第２の抵抗
膜は、四角形の枠形をしているので、二組の対向する枠
辺部を有しているが、一方の対向する枠辺部に接続され
ているダイオードを導通、他方の対向する枠辺部に接続
されているダイオードを非導通とした状態下での一方の
対向する枠辺部に対する交流電圧の印加と、一方の対向
する枠辺部に接続されているダイオードを非導通、他方
の対向する枠辺部に接続されているダイオードを導通と
した状態下での他方の対向する枠辺部に対する交流電圧
の印加とを交互に行うことにより、第１の抵抗膜に時分
割的に直交する電位分布を発生させることができる。Also in the second invention, since the second resistive film has a quadrangular frame shape, it has two sets of opposing frame sides, but one opposing frame side. Of the diode connected to the opposite side of the frame and the diode connected to the opposite side of the frame to the non-conduction of the diode connected to the opposite side Alternately, applying the AC voltage to the other opposing frame side under the condition that the diode connected to the frame side is non-conductive and the diode connected to the other opposing frame side is conductive. By doing so, it is possible to generate a time-divisionally orthogonal potential distribution in the first resistance film.
【００２７】ここに、一方の対向する枠辺部に対して交
流電圧の印加を行う場合、この一方の対向する枠辺部に
接続されているダイオードは導通とされるので、第２の
抵抗膜の抵抗値が大きく、他方の対向する枠辺部に流れ
る電流が小さくされている場合においても、一方の対向
する枠辺部の抵抗値を交流的に小さくすることができ、
第１の抵抗膜に直線性の良い電位分布を発生させること
ができる。Here, when an AC voltage is applied to one of the opposing frame sides, the diode connected to the one opposing frame side is made conductive, so that the second resistance film is formed. Even when the resistance value of is large and the current flowing in the other opposing frame side portion is small, the resistance value of one opposing frame side portion can be AC-reduced,
A potential distribution with good linearity can be generated in the first resistance film.
【００２８】また、他方の対向する枠辺部に対して交流
電圧の印加を行う場合、この他方の対向する枠辺部に接
続されているダイオードは導通とされるので、第２の抵
抗膜の抵抗値が大きく、一方の対向する枠辺部に流れる
電流が小さくされている場合においても、他方の対向す
る枠辺部の抵抗値を交流的に小さくすることができ、第
１の抵抗膜に直線性の良い電位分布を発生させることが
できる。Further, when an AC voltage is applied to the other opposing frame side portion, the diode connected to the other opposing frame side portion becomes conductive, so that the second resistance film of the second resistance film is formed. Even when the resistance value is large and the current flowing through one of the opposing frame side portions is small, the resistance value of the other opposing frame side portion can be AC-reduced, and the first resistance film is It is possible to generate a potential distribution with good linearity.
【００２９】このように、この第２の発明によれば、第
２の抵抗膜の抵抗値を大きくしても、第１の抵抗膜に直
線性の良い電位分布を発生させることができ、位置検出
の高精度化と、消費電力の低減化とを達成することがで
きる。As described above, according to the second aspect of the present invention, even if the resistance value of the second resistance film is increased, a potential distribution having good linearity can be generated in the first resistance film, and the position of the position can be improved. Higher detection accuracy and lower power consumption can be achieved.
【００３０】また、第３の発明においても、第２の抵抗
膜は、四角形の枠形をし、二組の対向する枠辺部を有し
ているので、一方の対向する枠辺部と、他方の対向する
枠辺部とを交互に電極として駆動することにより、第１
の抵抗膜に時分割的に直交する電位分布を発生させるこ
とができる。Also in the third aspect of the invention, the second resistance film has a quadrangular frame shape and has two sets of opposing frame side portions, so that one opposing frame side portion, By alternately driving the other opposing frame sides as electrodes, the first
It is possible to generate a potential distribution that is orthogonal to the resistive film in a time division manner.
【００３１】ここに、一方の対向する枠辺部を電極とし
て駆動する場合、この一方の対向する枠辺部にソース及
びドレインを接続されている電界効果トランジスタのゲ
ートに、これら電界効果トランジスタを導通させるに必
要な電圧を供給することにより、一方の対向する枠辺部
に電位勾配が発生した場合には、対応する電界効果トラ
ンジスタを導通とさせ、電位勾配をなくすことができ、
第２の抵抗膜の抵抗値が高くても、第１の抵抗膜に直線
性の良い電位分布を発生させることができる。When driving one of the opposing frame sides as an electrode, these field effect transistors are connected to the gate of the field effect transistor whose source and drain are connected to the one opposing frame side. When a potential gradient is generated on one of the opposing frame sides by supplying the voltage necessary to cause the corresponding field effect transistor to become conductive, the potential gradient can be eliminated.
Even if the resistance value of the second resistance film is high, it is possible to generate a potential distribution with good linearity in the first resistance film.
【００３２】また、他方の対向する枠辺部を電極として
駆動する場合、この他方の対向する枠辺部にソース及び
ドレインを接続されている電界効果トランジスタのゲー
トに、これら電界効果トランジスタを導通させるに必要
な電圧を供給することにより、他方の対向する枠辺部に
電位勾配が発生した場合には、対応する電界効果トラン
ジスタを導通とさせ、電位勾配をなくすことができ、第
２の抵抗膜の抵抗値が高くても、第１の抵抗膜に直線性
の良い電位分布を発生させることができる。When the other opposing frame side is driven as an electrode, these field effect transistors are electrically connected to the gate of the field effect transistor whose source and drain are connected to the other opposing frame side. When a potential gradient is generated on the other opposing frame side portion by supplying a necessary voltage to the corresponding field effect transistor, the corresponding field effect transistor can be rendered conductive and the potential gradient can be eliminated. Even if the resistance value is high, a potential distribution with good linearity can be generated in the first resistance film.
【００３３】このように、この第３の発明によれば、第
２の発明と同様に、第２の抵抗膜の抵抗値を大きくして
も、第１の抵抗膜に直線性の良い電位分布を発生させる
ことができ、位置検出の高精度化と、消費電力の低減化
とを達成することができる。As described above, according to the third aspect of the invention, as in the second aspect of the invention, even if the resistance value of the second resistance film is increased, the potential distribution with good linearity is obtained in the first resistance film. Can be generated, and high accuracy in position detection and reduction in power consumption can be achieved.
【００３４】[0034]
【実施例】以下、図１〜図１２を参照して、本発明の第
１実施例〜第３実施例について説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The first to third embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００３５】第１実施例・・図１〜図４ 図１及び図２は、それぞれ、本発明の第１実施例の要部
を示す概略的斜視図及び概略的平面図である。First Embodiment FIG. 1 to FIG. 4 FIG. 1 and FIG. 2 are a schematic perspective view and a schematic plan view showing the main part of the first embodiment of the present invention, respectively.
【００３６】図中、３１は基板、３２は基板３１上に形
成された抵抗膜、３３は抵抗膜３２上に配置された四角
形の枠形に形成された、抵抗膜３２よりも低抵抗の抵抗
膜、３４〜３７は抵抗膜３３の枠辺部である。In the figure, 31 is a substrate, 32 is a resistance film formed on the substrate 31, 33 is a rectangular frame arranged on the resistance film 32, and has a resistance lower than that of the resistance film 32. The films 34 to 37 are frame side portions of the resistance film 33.
【００３７】ここに、抵抗膜３３は、正の温度特性を有
する感温抵抗体で形成されており、この感温抵抗体は、
例えば、炭素に白金粒子又はニクロムを混合することに
より得ることができる。Here, the resistance film 33 is formed of a temperature sensitive resistor having a positive temperature characteristic, and this temperature sensitive resistor is
For example, it can be obtained by mixing platinum particles or nichrome with carbon.
【００３８】また、３８〜４１は抵抗膜３３に駆動電圧
を印加するための導電端子、４２〜４５は導電端子３８
〜４１に駆動電圧を供給する配線である。Further, 38 to 41 are conductive terminals for applying a drive voltage to the resistance film 33, and 42 to 45 are conductive terminals 38.
To 41 for supplying a drive voltage.
【００３９】この第１実施例においては、図３に示すよ
うに、導電端子３８、３９に正電圧ＶＡを印加し、導電
端子４０、４１に接地電圧を印加すると、抵抗膜３３の
枠辺部３４、３５を電極として、抵抗膜３２に、破線で
示すような電位分布４６が発生する。In the first embodiment, as shown in FIG. 3, when the positive voltage VA is applied to the conductive terminals 38 and 39 and the ground voltage is applied to the conductive terminals 40 and 41, the frame side portions of the resistance film 33 are applied. A potential distribution 46 shown by a broken line is generated in the resistance film 32 by using 34 and 35 as electrodes.
【００４０】また、図４に示すように、導電端子３８、
４０に正電圧ＶＡを印加し、導電端子３９、４１に接地
電圧を印加すると、抵抗膜３３の枠辺部３６、３７を電
極として、抵抗膜３２に、破線で示すような電位分布４
７が発生する。Further, as shown in FIG. 4, conductive terminals 38,
When a positive voltage VA is applied to 40 and a ground voltage is applied to the conductive terminals 39 and 41, the potential distribution 4 as indicated by the broken line is applied to the resistance film 32 by using the frame side portions 36 and 37 of the resistance film 33 as electrodes.
7 occurs.
【００４１】そこで、この第１実施例においては、導電
端子３８、３９に対する正電圧ＶＡの印加及び導電端子
４０、４１に対する接地電圧の印加と、導電端子３８、
４０に対する正電圧ＶＡの印加及び導電端子３９、４１
に対する接地電圧との印加とを時分割的に行い、ペンや
指などで指示された抵抗膜３２内の位置の電圧を測定す
ることにより、ペンや指などで指示された抵抗膜３２内
の位置を検出することができる。Therefore, in this first embodiment, the positive voltage VA is applied to the conductive terminals 38 and 39, the ground voltage is applied to the conductive terminals 40 and 41, and the conductive terminals 38 and 39 are applied.
Application of positive voltage VA to 40 and conductive terminals 39, 41
The ground voltage is applied to the electrodes in a time-division manner, and the voltage at the position in the resistance film 32 designated by the pen or finger is measured to determine the position in the resistance film 32 designated by the pen or finger. Can be detected.
【００４２】ここに、図３に示す場合、抵抗膜３３の枠
辺部３６、３７には電流Ｉ36、Ｉ37が流れ、自己発熱に
より温度が上昇するが、抵抗膜３３は正の温度係数を有
する感温抵抗体で形成されているので、枠辺部３６、３
７の抵抗値は急激に大きくなる。In the case shown in FIG. 3, currents I 36 and I 37 flow through the frame side portions 36 and 37 of the resistance film 33 and the temperature rises due to self-heating, but the resistance film 33 has a positive temperature coefficient. Since it is formed of a temperature sensitive resistor having
The resistance value of 7 rapidly increases.
【００４３】したがって、抵抗膜３３の抵抗値を小さく
し、枠辺部３４、３５により直線性の良い電位分布４６
を得るようにする場合においても、抵抗膜３３の枠辺部
３６、３７の抵抗値を大きくすることができ、電流
Ｉ36、Ｉ37を小さく抑えることができる。Therefore, the resistance value of the resistance film 33 is reduced, and the frame side portions 34 and 35 make the potential distribution 46 with good linearity.
Also in the case of obtaining, the resistance values of the frame side portions 36 and 37 of the resistance film 33 can be increased, and the currents I 36 and I 37 can be suppressed to be small.
【００４４】また、図４に示す場合には、抵抗膜３３の
枠辺部３４、３５に電流Ｉ34、Ｉ35が流れ、自己発熱に
より温度が上昇するが、抵抗膜３３は正の温度係数を有
する感温抵抗体で形成されているので、枠辺部３４、３
５の抵抗値は急激に大きくなる。Further, in the case shown in FIG. 4, currents I 34 and I 35 flow through the frame side portions 34 and 35 of the resistance film 33 and the temperature rises due to self-heating, but the resistance film 33 has a positive temperature coefficient. Since it is formed of a temperature sensitive resistor having
The resistance value of 5 rapidly increases.
【００４５】したがって、抵抗膜３３の抵抗値を小さく
し、枠辺部３６、３７により直線性の良い電位分布４７
を得るようにする場合においても、抵抗膜３３の枠辺部
３４、３５の抵抗値を大きくすることができ、電流
Ｉ34、Ｉ35を小さく抑えることができる。Therefore, the resistance value of the resistance film 33 is reduced, and the frame side portions 36 and 37 allow the potential distribution 47 with good linearity.
Also in the case of obtaining, the resistance values of the frame side portions 34 and 35 of the resistance film 33 can be increased, and the currents I 34 and I 35 can be suppressed to be small.
【００４６】このように、この第１実施例によれば、抵
抗膜３３を感温抵抗体で形成するという構成を採用した
ことにより、位置検出の高精度化と、消費電力の低減化
とを効率良く達成することができる。As described above, according to the first embodiment, by adopting the structure in which the resistance film 33 is formed of the temperature sensitive resistor, the accuracy of position detection is improved and the power consumption is reduced. It can be achieved efficiently.
【００４７】第２実施例・・図５〜図９ 図５は本発明の第２実施例の要部を示す概略的平面図で
あり、図中、４９は基板上に形成された抵抗膜、５０は
抵抗膜４９上に配置された四角形の枠形に形成された、
抵抗膜４９よりも低抵抗の抵抗膜、５１〜５４は抵抗膜
５０の枠辺部、５５〜６２は導電端子、６３〜７０はダ
イオードである。Second Embodiment FIG. 5 to FIG. 9 FIG. 5 is a schematic plan view showing an essential part of the second embodiment of the present invention, in which 49 is a resistance film formed on a substrate, 50 is formed in a rectangular frame shape arranged on the resistance film 49,
Resistance films 51 to 54 having a lower resistance than the resistance film 49 are frame sides of the resistance film 50, 55 to 62 are conductive terminals, and 63 to 70 are diodes.
【００４８】図６及び図７は、この第２実施例の駆動方
法を説明するための図であり、図中、ＶＢは正の電圧、
７１〜７４は抵抗、７５、７６は切換スイッチ、７７は
交流電圧を発生する交流電源、７８はコンデンサであ
る。6 and 7 are diagrams for explaining the driving method of the second embodiment, in which VB is a positive voltage.
71 to 74 are resistors, 75 and 76 are changeover switches, 77 is an AC power supply that generates an AC voltage, and 78 is a capacitor.
【００４９】ここに、図６に示すように、切換スイッチ
７５の接点７５Ａを接点７５Ｃに接続し、切換スイッチ
７６の接点７６Ａを接点７６Ｂに接続し、ダイオード６
３〜６６＝ＯＮ、ダイオード６７〜７０＝ＯＦＦとする
と共に、交流電源７７による交流電圧を導電端子５６、
６１間に印加する場合には、抵抗膜５０の枠辺部５１、
５２を電極として、抵抗膜４９に、破線で示すような電
位分布７９が交流電圧の周波数に併せて発生する。As shown in FIG. 6, the contact 75A of the changeover switch 75 is connected to the contact 75C, the contact 76A of the changeover switch 76 is connected to the contact 76B, and the diode 6
3 to 66 = ON, diodes 67 to 70 = OFF, and the AC voltage from the AC power supply 77 is applied to the conductive terminals 56,
When applied between 61, the frame side portion 51 of the resistance film 50,
With the electrode 52 as the electrode, a potential distribution 79 as indicated by a broken line is generated on the resistance film 49 in accordance with the frequency of the AC voltage.
【００５０】また、図７に示すように、切換スイッチ７
５の接点７５Ａを接点７５Ｂに接続し、切換スイッチ７
６の接点７６Ａを接点７６Ｃに接続し、ダイオード６７
〜７０＝ＯＮ、ダイオード６３〜６６＝ＯＦＦとすると
共に、交流電源７７による交流電圧を導電端子５８、５
９間に印加する場合には、抵抗膜５０の枠辺部５３、５
４を電極として、抵抗膜４９に、破線で示すような電位
分布８０が交流電圧の周波数に併せて発生する。Further, as shown in FIG. 7, the changeover switch 7
The contact 75A of No. 5 is connected to the contact 75B, and the changeover switch 7
Connect the contact 76A of 6 to the contact 76C, and connect the diode 67
˜70 = ON, diodes 63˜66 = OFF, and the AC voltage from the AC power supply 77 is applied to the conductive terminals 58, 5
When applied between 9 and 9, the frame side portions 53, 5 of the resistance film 50,
4 is used as an electrode, and a potential distribution 80 as shown by a broken line is generated on the resistance film 49 in accordance with the frequency of the AC voltage.
【００５１】そこで、この第２実施例では、ダイオード
６３〜６６＝ＯＮ、ダイオード６７〜７０＝ＯＦＦの状
態での交流電源７７による交流電圧の導電端子５６、６
１間への印加と、ダイオード６３〜６６＝ＯＦＦ、ダイ
オード６７〜７０＝ＯＮの状態での交流電源７７による
交流電圧の導電端子５８、５９間への印加とを時分割的
に行い、ペンや指などで指示された抵抗膜４９内の位置
の電圧を測定することによって、ペンや指などで指示さ
れた抵抗膜４９内の位置を検出することができる。Therefore, in the second embodiment, the conductive terminals 56 and 6 for the AC voltage by the AC power supply 77 in the state where the diodes 63 to 66 = ON and the diodes 67 to 70 = OFF.
1 and the application of the AC voltage between the conductive terminals 58 and 59 by the AC power supply 77 in the state of the diodes 63 to 66 = OFF and the diodes 67 to 70 = ON in a time-division manner. By measuring the voltage at the position in the resistance film 49 designated by the finger or the like, the position in the resistance film 49 designated by the pen or the finger can be detected.
【００５２】この場合、例えば、図８に示すように、交
流電源７７が発生する交流電圧と同一の周波数の信号を
通過させるフィルタ８２を使用する場合には、外乱ノイ
ズを除去することができる。In this case, for example, as shown in FIG. 8, when using a filter 82 that passes a signal having the same frequency as the AC voltage generated by the AC power supply 77, the disturbance noise can be removed.
【００５３】なお、図８において、８３は抵抗膜、８４
はスペーサ、８５はペン、８６は増幅器であるが、フィ
ルタ８２の代わりに、同期検波回路を使用するようにし
ても良い。In FIG. 8, 83 is a resistance film and 84 is a resistance film.
Is a spacer, 85 is a pen, and 86 is an amplifier, but a synchronous detection circuit may be used instead of the filter 82.
【００５４】また、図９に示すようにタンク回路８７を
使用して位置検出を行うこともできる。なお、８８はペ
ン、８９はコイル、９０はコンデンサ、９１は保護フィ
ルムである。Further, as shown in FIG. 9, the tank circuit 87 can be used to detect the position. Reference numeral 88 is a pen, 89 is a coil, 90 is a capacitor, and 91 is a protective film.
【００５５】この第２実施例によれば、図６に示す場
合、ダイオード６３〜６６＝ＯＮとされるので、抵抗膜
５０の抵抗値を大きくし、抵抗膜５０の枠辺部５３、５
４に流れる電流Ｉ53、Ｉ54を小さくしても、抵抗膜５０
の枠辺部５１、５２の抵抗値を交流的に小さくすること
ができ、抵抗膜４９に、直線性の良い電位分布を得るこ
とができる。According to the second embodiment, in the case shown in FIG. 6, since the diodes 63 to 66 are turned ON, the resistance value of the resistance film 50 is increased and the frame side portions 53 and 5 of the resistance film 50 are increased.
Even if the currents I 53 and I 54 flowing in 4 are reduced, the resistance film 50
The resistance values of the frame side portions 51 and 52 can be reduced in an alternating current manner, and a potential distribution with good linearity can be obtained in the resistance film 49.
【００５６】また、図７に示す場合には、ダイオード６
７〜７０＝ＯＮとされるので、抵抗膜５０の抵抗値を大
きくし、抵抗膜５０の枠辺部５１、５２に流れる電流Ｉ
51、Ｉ52を小さくしても、抵抗膜５０の枠辺部５３、５
４の抵抗値を交流的に小さくすることができ、抵抗膜４
９に、直線性の良い電位分布を得ることができる。In the case shown in FIG. 7, the diode 6
Since 7 to 70 = ON, the resistance value of the resistance film 50 is increased and the current I flowing through the frame side portions 51 and 52 of the resistance film 50 is increased.
51 and I 52 are reduced, the frame side portions 53, 5 of the resistive film 50
The resistance value of No. 4 can be reduced AC-wise, and the resistance film 4
In Fig. 9, a potential distribution with good linearity can be obtained.
【００５７】このように、この第２実施例によれば、抵
抗膜５０の枠辺部５１〜５４にダイオード６３〜７０を
接続するという構成を採用したことにより、位置検出の
高精度化と、消費電力の低減化とを効率良く達成するこ
とができる。As described above, according to the second embodiment, by adopting the configuration in which the diodes 63 to 70 are connected to the frame side portions 51 to 54 of the resistance film 50, the accuracy of position detection is improved, and Reduction in power consumption can be efficiently achieved.
【００５８】第３実施例・・図１０〜図１２ 図１０は本発明の第３実施例の要部を示す概略的平面図
であり、図中、９３は基板上に形成された抵抗膜、９４
は抵抗膜９３上に配置された四角形の枠形に形成され
た、抵抗膜９３よりも低抵抗の抵抗膜、９５〜９８は抵
抗膜９４の枠辺部、９９〜１０２は駆動電圧を印加する
導電端子、１０３〜１１２はＰチャネルの電界効果トラ
ンジスタである。Third Embodiment FIG. 10 to FIG. 12 FIG. 10 is a schematic plan view showing an essential part of a third embodiment of the present invention, in which 93 is a resistance film formed on a substrate, 94
Is a resistance film formed on the resistance film 93 in a rectangular frame shape and having a resistance lower than that of the resistance film 93, 95 to 98 are frame sides of the resistance film 94, and 99 to 102 are applied with a drive voltage. Conductive terminals, 103 to 112 are P-channel field effect transistors.
【００５９】ここに、電界効果トランジスタ１０３〜１
０５は、それぞれ、そのソース及びドレインを任意の間
隔で枠辺部９５に接続され、電界効果トランジスタ１０
６〜１０８は、それぞれ、そのソース及びドレインを任
意の間隔で枠辺部９６に接続されている。Here, the field effect transistors 103 to 1
Reference numeral 05 denotes a source and a drain of the field effect transistor 10 which are connected to the frame side portion 95 at arbitrary intervals.
Sources and drains of 6 to 108 are connected to the frame side portion 96 at arbitrary intervals.
【００６０】また、電界効果トランジスタ１０９、１１
０は、それぞれ、そのソース及びドレインを任意の間隔
で枠辺部９７に接続され、電界効果トランジスタ１１
１、１１２は、それぞれ、そのソース及びドレインを任
意の間隔で枠辺部９８に接続されている。Further, the field effect transistors 109 and 11
0 has its source and drain connected to the frame side portion 97 at arbitrary intervals, respectively, and the field effect transistor 11
The sources 1 and 112 are connected to the frame side portion 98 at their sources and drains at arbitrary intervals.
【００６１】図１１及び図１２は、この第３実施例の駆
動方法を説明するための図であり、図中、ＶＣは電界効
果トランジスタ１０３〜１１２をオン状態にすることが
できる大きさの電圧、１１３、１１４は切換スイッチで
ある。FIGS. 11 and 12 are diagrams for explaining the driving method of the third embodiment, in which VC is a voltage of a magnitude capable of turning on the field effect transistors 103 to 112. , 113 and 114 are changeover switches.
【００６２】ここに、図１１に示すように、切換スイッ
チ１１３の接点１１３Ａを接点１１３Ｂに接続し、切換
スイッチ１１４の接点１１４Ａを接点１１４Ｃに接続す
る場合には、抵抗膜９４の枠辺部９５、９６を電極とし
て、抵抗膜９３に、破線で示すような電位分布１１６が
発生する。Here, as shown in FIG. 11, when the contact 113A of the changeover switch 113 is connected to the contact 113B and the contact 114A of the changeover switch 114 is connected to the contact 114C, the frame side portion 95 of the resistance film 94 is formed. , 96 as electrodes, a potential distribution 116 is generated on the resistance film 93 as shown by a broken line.
【００６３】また、図１２に示すように、切換スイッチ
１１３の接点１１３Ａを接点１１３Ｃに接続し、切換ス
イッチ１１４の接点１１４Ａを接点１１４Ｂに接続する
場合には、抵抗膜９４の枠辺部９７、９８を電極とし
て、抵抗膜９３に、破線に示すような電位分布１１７が
発生する。As shown in FIG. 12, when the contact 113A of the changeover switch 113 is connected to the contact 113C and the contact 114A of the changeover switch 114 is connected to the contact 114B, the frame side portion 97 of the resistance film 94, A potential distribution 117 shown by a broken line is generated in the resistance film 93 by using 98 as an electrode.
【００６４】そこで、この第３実施例においては、切換
スイッチ１１３の接点１１３Ａの接点１１３Ｂに対する
接続及び切換スイッチ１１４の接点１１４Ａの接点１１
４Ｃに対する接続と、切換スイッチ１１３の接点１１３
Ａの接点１１３Ｃに対する接続及び切換スイッチ１１４
の接点１１４Ａの接点１１４Ｂに対する接続とを時分割
的に行い、ペンや指などで指示された抵抗膜９３内の位
置の電圧を測定することにより、ペンや指などで指示さ
れた抵抗膜９３内の位置を検出することができる。Therefore, in the third embodiment, the connection 113A of the changeover switch 113 to the contact 113B and the contact 11A of the contact 114A of the changeover switch 114 are connected.
4C connection and contact 113 of changeover switch 113
Connection and changeover switch 114 for contact 113C of A
The contact point 114A of the contact point is connected to the contact point 114B in a time-division manner, and the voltage at the position in the resistance film 93 designated by the pen or finger is measured. The position of can be detected.
【００６５】ここに、図１１に示す場合、抵抗膜９４の
抵抗値を大きくし、枠辺部９７、９８に流れる電流
Ｉ97、Ｉ98を小さくする場合においても、電界効果トラ
ンジスタ１０３〜１０８のゲートには電圧ＶＣが供給さ
れているので、電界効果トランジスタ１０３〜１０８が
接続されている部分に電位差が生じると、これら電界効
果トランジスタ１０３〜１０８のうち、対応する電界効
果トランジスタが導通状態となり、抵抗膜９４の枠辺部
９５、９６の電位をそれぞれ均一に保持し、抵抗膜９３
に直線性の良い電位分布を発生させることができる。Here, in the case shown in FIG. 11, even when the resistance value of the resistance film 94 is increased and the currents I 97 and I 98 flowing through the frame side portions 97 and 98 are decreased, the field effect transistors 103 to 108 have the same structure. Since the voltage VC is supplied to the gate, when a potential difference occurs in the portion to which the field effect transistors 103 to 108 are connected, the corresponding field effect transistor among these field effect transistors 103 to 108 becomes conductive, The electric potentials of the frame side portions 95 and 96 of the resistance film 94 are uniformly maintained, and
It is possible to generate a highly linear potential distribution.
【００６６】ここに、図１２に示す場合、抵抗膜９４の
抵抗値を大きくし、枠辺部９５、９６に流れる電流
Ｉ95、Ｉ96を小さくする場合においても、電界効果トラ
ンジスタ１０９〜１１２のゲートには電圧ＶＣが供給さ
れているので、電界効果トランジスタ１０９〜１１２が
接続されている部分に電位差が生じると、これら電界効
果トランジスタ１０９〜１１２のうち、対応する電界効
果トランジスタが導通状態となり、抵抗膜９４の枠辺部
９７、９８の電位をそれぞれ均一に保持し、抵抗膜９３
に直線性の良い電位分布を発生させることができる。Here, in the case shown in FIG. 12, even when the resistance value of the resistance film 94 is increased and the currents I 95 and I 96 flowing through the frame side portions 95 and 96 are decreased, the field effect transistors 109 to 112 are reduced. Since the voltage VC is supplied to the gate, when a potential difference occurs in the portion to which the field effect transistors 109 to 112 are connected, the corresponding field effect transistor among these field effect transistors 109 to 112 becomes conductive, The electric potentials of the frame side portions 97 and 98 of the resistance film 94 are uniformly maintained, and
It is possible to generate a highly linear potential distribution.
【００６７】このように、この第３実施例によれば、抵
抗膜９４の枠辺部９５〜９８に電界効果トランジスタ１
０３〜１１２を接続するという構成を採用したことによ
り、位置検出の高精度化と、消費電力の低減化とを効率
良く達成することができる。As described above, according to the third embodiment, the field effect transistor 1 is provided on the frame side portions 95 to 98 of the resistance film 94.
By adopting a configuration in which 03 to 112 are connected, highly accurate position detection and reduction in power consumption can be efficiently achieved.
【００６８】なお、電界効果トランジスタ１０３〜１１
２を薄膜トランジスタで構成する場合には、これら電界
効果トランジスタ１０３〜１１２は、抵抗膜９３が形成
されている基板上に形成することができる。The field effect transistors 103 to 11
When 2 is composed of a thin film transistor, these field effect transistors 103 to 112 can be formed on the substrate on which the resistance film 93 is formed.
【００６９】[0069]
【発明の効果】本発明中、第１の発明によれば、第２の
抵抗膜を正の温度係数を有する感温抵抗体で形成すると
いう構成を採用したことにより、第２の抵抗膜の抵抗値
を小さくしても、時分割的に駆動する場合において、電
極として動作させない第２の抵抗膜の枠辺部を自己発熱
により高抵抗にすることができ、位置検出の高精度化
と、消費電力の低減化とを効率良く達成することができ
る。According to the first aspect of the present invention, since the second resistance film is formed of the temperature sensitive resistor having a positive temperature coefficient, the second resistance film is formed. Even if the resistance value is reduced, when driving in a time-division manner, the frame side portion of the second resistance film that does not operate as an electrode can have a high resistance due to self-heating, which improves the accuracy of position detection and Reduction in power consumption can be efficiently achieved.
【００７０】また、第２の発明によれば、第２の抵抗膜
の各枠辺部に、直列接続された複数のダイオードを、対
応する枠辺部を長手方向に区分して並列に接続するとい
う構成を採用したことにより、第２の抵抗膜の抵抗値を
大きくしても、第１の抵抗膜に直線性の良い電位分布を
発生させることができ、位置検出の高精度化と、消費電
力の低減化とを効率良く達成することができる。Further, according to the second invention, a plurality of diodes connected in series are connected in parallel to each frame side of the second resistance film by dividing the corresponding frame side in the longitudinal direction. By adopting such a configuration, even if the resistance value of the second resistance film is increased, it is possible to generate a potential distribution with good linearity in the first resistance film, which improves the accuracy of position detection and consumes less power. Reduction of electric power can be efficiently achieved.
【００７１】また、第３の発明によれば、第２の抵抗膜
の各枠辺部に、複数の電界効果トランジスタが、それぞ
れそのソース及びドレインを、対応する枠辺部の長手方
向上、任意の間隔で接続させている構成としたことによ
り、第２の抵抗膜の抵抗値を大きくしても、第１の抵抗
膜に直線性の良い電位分布を発生させることができ、位
置検出の高精度化と、消費電力の低減化とを効率良く達
成することができる。According to the third aspect of the invention, a plurality of field effect transistors are provided on each side of the frame of the second resistance film, and the source and drain of each of the plurality of field effect transistors are arbitrarily arranged in the longitudinal direction of the corresponding side of the frame. With the structure in which the second resistance film and the second resistance film have a large resistance value, a potential distribution with good linearity can be generated in the first resistance film, and high position detection can be performed. It is possible to efficiently achieve accuracy and reduction of power consumption.
【図１】本発明の第１実施例の要部を示す概略的斜視図
である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing a main part of a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１実施例の要部を示す概略的平面図
である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a main part of the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１実施例の駆動方法を説明するため
の図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a driving method according to the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１実施例の駆動方法を説明するため
の図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a driving method according to the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２実施例の要部を示す概略的平面図
である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a main part of a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２実施例の駆動方法を説明するため
の図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a driving method according to a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第２実施例の駆動方法を説明するため
の図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a driving method according to a second embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第２実施例における位置検出方法の一
例を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining an example of a position detection method according to the second embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第２実施例における位置検出方法の他
の例を説明するための図である。FIG. 9 is a diagram for explaining another example of the position detecting method according to the second embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第３実施例の要部を示す概略的平面
図である。FIG. 10 is a schematic plan view showing a main part of a third embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第３実施例の駆動方法を説明するた
めの図である。FIG. 11 is a diagram for explaining a driving method according to a third embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第３実施例の駆動方法を説明するた
めの図である。FIG. 12 is a diagram for explaining a driving method according to a third embodiment of the present invention.
【図１３】従来のタッチパネルの一例の要部を示す概略
的平面図である。FIG. 13 is a schematic plan view showing a main part of an example of a conventional touch panel.
【図１４】図１３に示すタッチパネルの駆動方法を説明
するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining a driving method of the touch panel shown in FIG.
【図１５】図１３に示すタッチパネルの駆動方法を説明
するための図である。FIG. 15 is a diagram for explaining a driving method of the touch panel shown in FIG.
【図１６】従来のタッチパネルの他の例の要部を示す概
略的平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view showing a main part of another example of a conventional touch panel.
【図１７】図１６に示すタッチパネルの駆動方法を説明
するための図である。FIG. 17 is a diagram for explaining a driving method of the touch panel shown in FIG.
【図１８】図１６に示すタッチパネルの駆動方法を説明
するための図である。FIG. 18 is a diagram for explaining a driving method of the touch panel shown in FIG.
３２、３３（図１〜図４） 抵抗膜 ４９、５０（図５〜図７） 抵抗膜 ９３、９４（図１０〜図１２） 抵抗膜 32, 33 (FIGS. 1 to 4) Resistance film 49, 50 (FIGS. 5 to 7) Resistance film 93, 94 (FIGS. 10 to 12) Resistance film
Claims (6)
置された四角形の枠形、かつ、前記第１の抵抗膜よりも
低抵抗の第２の抵抗膜とを有してなるタッチパネルにお
いて、前記第２の抵抗膜は、正の温度係数を有する感温
抵抗体で形成されていることを特徴とするタッチパネ
ル。1. A first resistance film, and a second resistance film having a rectangular frame shape disposed on the first resistance film and having a resistance lower than that of the first resistance film. In the touch panel as described above, the second resistance film is formed of a temperature sensitive resistor having a positive temperature coefficient.
置された四角形の枠形、かつ、前記第１の抵抗膜よりも
低抵抗の第２の抵抗膜とを有してなるタッチパネルにお
いて、前記第２の抵抗膜の各枠辺部には、直列接続され
た複数のダイオードが、対応する枠辺部を長手方向に区
分して並列に接続されていることを特徴とするタッチパ
ネル。2. A first resistance film, and a second resistance film having a rectangular frame shape arranged on the first resistance film and having a resistance lower than that of the first resistance film. In the touch panel formed as described above, a plurality of diodes connected in series are connected to each frame side portion of the second resistance film in parallel by dividing the corresponding frame side portion in the longitudinal direction. Touch panel.
置された四角形の枠形、かつ、前記第１の抵抗膜よりも
低抵抗の第２の抵抗膜とを有してなるタッチパネルにお
いて、前記第２の抵抗膜の各枠辺部には、複数の電界効
果トランジスタが、それぞれそのソース及びドレイン
を、対応する枠辺部の長手方向上、任意の間隔で接続さ
せていることを特徴とするタッチパネル。3. A first resistance film, and a second resistance film having a rectangular frame shape disposed on the first resistance film and having a resistance lower than that of the first resistance film. In the touch panel formed as described above, a plurality of field-effect transistors are connected to each frame side portion of the second resistive film, and their sources and drains are connected at arbitrary intervals in the longitudinal direction of the corresponding frame side portion. A touch panel that is characterized by being.
ジスタであることを特徴とする請求項３記載のタッチパ
ネル。4. The touch panel according to claim 3, wherein the field effect transistor is a thin film transistor.
る感温抵抗体で形成されていることを特徴とする請求項
２、３又は４記載のタッチパネル。5. The touch panel according to claim 2, 3 or 4, wherein the second resistance film is formed of a temperature sensitive resistor having a positive temperature coefficient.
クロム粒子を混合させて構成されていることを特徴とす
る請求項１又は５記載のタッチパネル。6. The touch panel according to claim 1, wherein the temperature sensitive resistor is formed by mixing carbon with platinum particles or nichrome particles.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15404594A JPH0822357A (en) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | Touch panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15404594A JPH0822357A (en) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | Touch panel |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0822357A true JPH0822357A (en) | 1996-01-23 |
Family
ID=15575719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15404594A Withdrawn JPH0822357A (en) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | Touch panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822357A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003187A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | A. Touch Co., Ltd. | Substrate wiring structure in touch panel |
| JP2010262524A (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Fujitsu Component Ltd | Touch panel |
| CN108132734A (en) * | 2018-01-30 | 2018-06-08 | 业成科技（成都）有限公司 | Touch panel and touch device |
-
1994
- 1994-07-06 JP JP15404594A patent/JPH0822357A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003187A1 (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-09 | A. Touch Co., Ltd. | Substrate wiring structure in touch panel |
| JP2010262524A (en) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Fujitsu Component Ltd | Touch panel |
| CN108132734A (en) * | 2018-01-30 | 2018-06-08 | 业成科技（成都）有限公司 | Touch panel and touch device |
| CN108132734B (en) * | 2018-01-30 | 2021-05-04 | 业成科技（成都）有限公司 | Touch panel and touch device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2520848B2 (en) | Magnetic surface pressure input panel | |
| US7236160B2 (en) | Apparatus and method for driving a touch panel having a variable resistor for maintaining a desired voltage difference between electrodes | |
| US5543717A (en) | Integrable conductivity measuring device | |
| US4763534A (en) | Pressure sensing device | |
| JPH08211138A (en) | Device for measuring current using sensor chip and sensor | |
| JPH05265633A (en) | Touch panel | |
| JPH06294854A (en) | Sensor chip | |
| US4587481A (en) | Arrangement for testing micro interconnections and a method for operating the same | |
| JPH0822357A (en) | Touch panel | |
| Olthuis et al. | A new probe for measuring electrolytic conductance | |
| KR100974650B1 (en) | Resistance Measuring Apparatus and Method | |
| US7449896B2 (en) | Current sensor using level shift circuit | |
| US3328685A (en) | Ohmmeter utilizing field-effect transistor as a constant current source | |
| US11635336B2 (en) | Sensing physical attributes | |
| US3979600A (en) | Sense circuit arrangement | |
| JPS616725A (en) | Input position detector | |
| CN110928440B (en) | Touch panel | |
| JP3001716B2 (en) | Coordinate input device | |
| JPS5890235A (en) | Position detector | |
| JP2545883B2 (en) | Optical position detection device | |
| JPS6029972B2 (en) | Pressure sensitive tablet device | |
| JP2013079883A (en) | Sensor device | |
| JPS5985584A (en) | Tablet | |
| JPS5837782A (en) | Resistive film split type coordinate input device | |
| JPH0113124B2 (en) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |