JPH08222699A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH08222699A JPH08222699A JP2813995A JP2813995A JPH08222699A JP H08222699 A JPH08222699 A JP H08222699A JP 2813995 A JP2813995 A JP 2813995A JP 2813995 A JP2813995 A JP 2813995A JP H08222699 A JPH08222699 A JP H08222699A
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- resistor
- film
- semiconductor device
- metal film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低抗体の引き出し線となるアルミニウム膜厚
が、低抗体の上に厚く形成されていても、抵抗体の抵抗
値の精度を高く保つことができる半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】 シリコンクロム低抗体３を覆うアルミニウム
膜４のエッチング加工工程において、第１の工程では、
第１のマスクを用いてアルミニウム膜４を所定の膜厚ま
でエッチングする。次の第２の工程では、第１の工程で
エッチングされたアルミニウム膜４のパターンの一部を
第２のマスクを用いて完全にエッチング除去する。
が、低抗体の上に厚く形成されていても、抵抗体の抵抗
値の精度を高く保つことができる半導体装置の製造方法
を提供する。 【構成】 シリコンクロム低抗体３を覆うアルミニウム
膜４のエッチング加工工程において、第１の工程では、
第１のマスクを用いてアルミニウム膜４を所定の膜厚ま
でエッチングする。次の第２の工程では、第１の工程で
エッチングされたアルミニウム膜４のパターンの一部を
第２のマスクを用いて完全にエッチング除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に薄膜抵抗を有する半導体装置の製造方法に関
する。
関し、特に薄膜抵抗を有する半導体装置の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜抵抗を有する半導体装置の製
造方法における、薄膜抵抗を形成する工程の一例を図２
（ａ）〜（ｄ）に示す。まず、図２（ａ）に示すように
シリコン基板１１の主表面に形成されたシリコン酸化膜
１２を介してシリコンクロム抵抗体１３を形成する。次
に、図２（ｂ）に示すようにシリコン基板１１の主表面
の全体にアルミニウム膜１４を形成し、次にフォトレジ
スト工程によって所望のパターンにパターンニングされ
たレジスト１５を形成する。次に、図２（ｃ）に示すよ
うにウェットエッチングにより、アルミニウム膜１４を
エッチングする。この際レジスト１５の端部の下にアル
ミニウム膜のアンダーカット部１６ができる。次に図２
（ｄ）に示すようにレジスト１５を除去することにより
シリコンクロム抵抗が形成される。図２（ｄ）における
アルミニウム膜１４はシリコンクロム抵抗の電極を形成
する。
造方法における、薄膜抵抗を形成する工程の一例を図２
（ａ）〜（ｄ）に示す。まず、図２（ａ）に示すように
シリコン基板１１の主表面に形成されたシリコン酸化膜
１２を介してシリコンクロム抵抗体１３を形成する。次
に、図２（ｂ）に示すようにシリコン基板１１の主表面
の全体にアルミニウム膜１４を形成し、次にフォトレジ
スト工程によって所望のパターンにパターンニングされ
たレジスト１５を形成する。次に、図２（ｃ）に示すよ
うにウェットエッチングにより、アルミニウム膜１４を
エッチングする。この際レジスト１５の端部の下にアル
ミニウム膜のアンダーカット部１６ができる。次に図２
（ｄ）に示すようにレジスト１５を除去することにより
シリコンクロム抵抗が形成される。図２（ｄ）における
アルミニウム膜１４はシリコンクロム抵抗の電極を形成
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
の製造方法では、図２（ｃ）に示したようにアンダーカ
ット部１６の大きさによりシリコンクロム抵抗の抵抗値
が変化する。そこで、アルミニウム膜１４の膜厚が増加
するに従って、アンダーカット部１６の大きさのばらつ
きが大きくなり抵抗値のばらつきも大きくなる。したが
って複数個のシリコンクロム抵抗の間での相対値精度が
アルミニウム膜１４の膜厚に依存するという問題点があ
った。
の製造方法では、図２（ｃ）に示したようにアンダーカ
ット部１６の大きさによりシリコンクロム抵抗の抵抗値
が変化する。そこで、アルミニウム膜１４の膜厚が増加
するに従って、アンダーカット部１６の大きさのばらつ
きが大きくなり抵抗値のばらつきも大きくなる。したが
って複数個のシリコンクロム抵抗の間での相対値精度が
アルミニウム膜１４の膜厚に依存するという問題点があ
った。
【０００４】本発明は上記問題に鑑み、アルミニウム膜
厚が厚くても、シリコンクロム抵抗の抵抗値の精度を高
く保つことができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
厚が厚くても、シリコンクロム抵抗の抵抗値の精度を高
く保つことができる半導体装置の製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板上に形成された抵抗体層の上に金
属膜を形成し、前記抵抗体層の所望の領域から、前記金
属膜の一部をエッチング除去する、半導体装置の製造方
法において、前記金属膜の一部をエッチング除去する処
理は、第１のマスクを用いて前記金属膜を所定の膜厚ま
でエッチングする第１の工程と、第１の工程でエッチン
グされた前記金属膜のパターンの一部を第２のマスクを
用いて完全にエッチング除去する第２の工程とを含む。
造方法は、半導体基板上に形成された抵抗体層の上に金
属膜を形成し、前記抵抗体層の所望の領域から、前記金
属膜の一部をエッチング除去する、半導体装置の製造方
法において、前記金属膜の一部をエッチング除去する処
理は、第１のマスクを用いて前記金属膜を所定の膜厚ま
でエッチングする第１の工程と、第１の工程でエッチン
グされた前記金属膜のパターンの一部を第２のマスクを
用いて完全にエッチング除去する第２の工程とを含む。
【０００６】また、前記抵抗体層の上に形成された金属
膜の膜厚は２μｍであり、第１の工程ではこれを０．４
μｍまでに減少させるのが好ましく、さらに半導体基板
上の絶縁層の上に形成された前記抵抗体層は、シリコン
クロム抵抗薄膜であり、前記金属膜は、アルミニウム膜
であるのが好ましい。
膜の膜厚は２μｍであり、第１の工程ではこれを０．４
μｍまでに減少させるのが好ましく、さらに半導体基板
上の絶縁層の上に形成された前記抵抗体層は、シリコン
クロム抵抗薄膜であり、前記金属膜は、アルミニウム膜
であるのが好ましい。
【０００７】
【作用】抵抗体層を覆うように形成され、エッチング後
に抵抗体層の接続リードとなる金属膜が抵抗体層の上に
厚く形成されていた場合でも、第１の工程で所望の厚み
までエッチングし、その後所望の領域のみ第２の工程で
完全にエッチングする。このことにより、金属層の最初
の厚みには影響されず、エッチングで完全に除去される
金属膜の領域が正確に定まる。
に抵抗体層の接続リードとなる金属膜が抵抗体層の上に
厚く形成されていた場合でも、第１の工程で所望の厚み
までエッチングし、その後所望の領域のみ第２の工程で
完全にエッチングする。このことにより、金属層の最初
の厚みには影響されず、エッチングで完全に除去される
金属膜の領域が正確に定まる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体装置
の製造方法の一実施例を示す断面図である。まず、図１
（ａ）に示すように、シリコン基板１の主表面に形成さ
れたシリコン酸化膜２を介してシリコンクロム抵抗体３
を形成する。次に図１（ｂ）に示すように、シリコン基
板１の主表面の全体にアルミニウム膜４を形成し、次に
フォトレジスト工程によって第１のマスクを用いて所望
のパターンにパターンニングされたレジスト５を形成す
る。次に図１（ｃ）に示すようにウェットエッチングに
より、アルミニウム膜４をエッチングする。この際アル
ミニウム膜４を所定の膜厚だけ残し、エッチングを停止
する。次にレジスト５を除去した後、図１（ｄ）に示す
ように第２のマスクを用いた新たなフォトレジスト工程
によってレジスト５を形成する。次に図１（ｅ）に示す
ように、前の工程において膜厚の薄くなった部分のアル
ミニウム膜の内側を、ウェットエッチングにより完全に
除去する。このとき、シリコンクロム抵抗体３の上のア
ルミニウム膜４は２種類のマスクを用いて２段階にエッ
チングされているために、アンダーカット部分７のばら
つきが少なくなる。次に図１（ｆ）に示すようにレジス
ト５を除去することによりシリコンクロム抵抗が形成さ
れる。
て説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体装置
の製造方法の一実施例を示す断面図である。まず、図１
（ａ）に示すように、シリコン基板１の主表面に形成さ
れたシリコン酸化膜２を介してシリコンクロム抵抗体３
を形成する。次に図１（ｂ）に示すように、シリコン基
板１の主表面の全体にアルミニウム膜４を形成し、次に
フォトレジスト工程によって第１のマスクを用いて所望
のパターンにパターンニングされたレジスト５を形成す
る。次に図１（ｃ）に示すようにウェットエッチングに
より、アルミニウム膜４をエッチングする。この際アル
ミニウム膜４を所定の膜厚だけ残し、エッチングを停止
する。次にレジスト５を除去した後、図１（ｄ）に示す
ように第２のマスクを用いた新たなフォトレジスト工程
によってレジスト５を形成する。次に図１（ｅ）に示す
ように、前の工程において膜厚の薄くなった部分のアル
ミニウム膜の内側を、ウェットエッチングにより完全に
除去する。このとき、シリコンクロム抵抗体３の上のア
ルミニウム膜４は２種類のマスクを用いて２段階にエッ
チングされているために、アンダーカット部分７のばら
つきが少なくなる。次に図１（ｆ）に示すようにレジス
ト５を除去することによりシリコンクロム抵抗が形成さ
れる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アルミニ
ウム膜のエッチング加工工程において２種類のマスクを
用いて２段階にエッチングを行なうのでアルミニウム膜
厚が厚くても、シリコンクロム抵抗の抵抗値精度が高い
という効果を有する。一例としてアルミニウム膜厚が２
μｍのとき第１のマスクによるエッチング加工において
膜厚を０．４μｍまで減少させるとすると、抵抗値のば
らつきに影響するアンダーカット部は約５分の１の量に
なるため抵抗値相対精度も約５倍改善される。通常、こ
のアルミニウム膜は半導体装置における配線としても用
いられるため、配線の電流容量を増加するためにアルミ
ニウム膜厚を厚くする場合でも、抵抗値相対精度を高く
保つことができるという効果を有する。
ウム膜のエッチング加工工程において２種類のマスクを
用いて２段階にエッチングを行なうのでアルミニウム膜
厚が厚くても、シリコンクロム抵抗の抵抗値精度が高い
という効果を有する。一例としてアルミニウム膜厚が２
μｍのとき第１のマスクによるエッチング加工において
膜厚を０．４μｍまで減少させるとすると、抵抗値のば
らつきに影響するアンダーカット部は約５分の１の量に
なるため抵抗値相対精度も約５倍改善される。通常、こ
のアルミニウム膜は半導体装置における配線としても用
いられるため、配線の電流容量を増加するためにアルミ
ニウム膜厚を厚くする場合でも、抵抗値相対精度を高く
保つことができるという効果を有する。
【図１】（ａ）〜（ｆ）は本発明の半導体装置の製造方
法の一実施例の工程を示す断面図である。
法の一実施例の工程を示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、従来技術の工程を示す断面
図である。
図である。
１ シリコン基板 ２ シリコン酸化膜 ３ シリコンクロム抵抗体 ４ アルミニウム膜 ５ レジスト ６，７ アンダーカット部分
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された抵抗体層の上
に金属膜を形成し、前記抵抗体層の所望の領域から、前
記金属膜の一部をエッチング除去する、半導体装置の製
造方法において、 前記金属膜の一部をエッチング除去する処理は、第１の
マスクを用いて前記金属膜を所定の膜厚までエッチング
する第１の工程と、第１の工程でエッチングされた前記
金属膜のパターンの一部を第２のマスクを用いて完全に
エッチング除去する第２の工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記抵抗体層の上に形成された金属膜の
膜厚は２μｍであり、第１の工程ではこれを０．４μｍ
までに減少させる請求項１記載の、半導体装置の製造方
法。 - 【請求項３】 半導体基板上の絶縁層の上に形成された
前記抵抗体層は、シリコンクロム抵抗薄膜であり、前記
金属膜は、アルミニウム膜である請求項１記載の、半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2813995A JPH08222699A (ja) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2813995A JPH08222699A (ja) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222699A true JPH08222699A (ja) | 1996-08-30 |
Family
ID=12240442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2813995A Pending JPH08222699A (ja) | 1995-02-16 | 1995-02-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08222699A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335488A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜抵抗 |
-
1995
- 1995-02-16 JP JP2813995A patent/JPH08222699A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335488A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Fujitsu Ltd | 金属薄膜抵抗 |
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