JPH08218165A - インジウム・スズ酸化物膜用ターゲット - Google Patents
インジウム・スズ酸化物膜用ターゲットInfo
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- JPH08218165A JPH08218165A JP7044915A JP4491595A JPH08218165A JP H08218165 A JPH08218165 A JP H08218165A JP 7044915 A JP7044915 A JP 7044915A JP 4491595 A JP4491595 A JP 4491595A JP H08218165 A JPH08218165 A JP H08218165A
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Abstract
討することにより、安定した寿命を有し、かつ長寿命の
インジウム・スズ酸化物膜用ターゲットを提供すること
を目的とする。また、前記目的に加えてスパッタリング
中の成膜速度やスパッタ電圧の変化等の成膜条件の不安
定化が発生することなく品質の高いITO膜を安定して
得ることのできるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲッ
トを提供することを目的とする。 【構成】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からな
る焼結体であり、単位面積当たりに存在する直径3μm
以上の気孔数が2500個/mm2〜20000個/mm2で
あるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲット。
Description
レクトロルミネッサンス表示装置等に使用され、透明電
極となるインジウム・スズ酸化物膜を形成するのに用い
られるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲットに関す
る。
nO2をドープした膜であるインジウム・スズ酸化物膜
(以下ITO膜と称する)は高い透光性と高い導電性を
備えており、液晶表示素子やエレクトロルミネッサンス
などの表示装置、あるいは航空機などの窓ガラスの氷結
防止用ヒータなどへの導電経路として広く使用されてい
る。このようなITO膜は通常スパッタリング法、電子
ビーム蒸着法、CVD法等により形成されるものであ
る。
は、In2O3粉末とSnO2粉末の混合粉末を、或いは
InとSnと酸素からなる複合酸化物粉末を、あるいは
前記混合粉末と前記複合酸化物粉末との混合粉をプレス
成形及び/またはCIPし、この成形体を酸化性雰囲気
中にて1250℃〜1700℃で焼結し、更にスパッタ
される面の機械加工を施したものである。
タリングにより、ターゲット表面に突起物が形成し、ス
パッタリング時間が長くなるに従い増加する。その際、
突起物の形成を放置してスパッタリングを継続すると成
膜速度が低下したり、スパッタ電圧が上昇したりして安
定した膜特性が得られない。そして、最終的にはアーキ
ングと呼ばれる異常放電が発生し、膜抵抗が増大した
り、成膜後のパターン形成のためのエッチング処理の時
にエッチング残りが生じる等の問題があった。そこで、
成膜速度の変化やスパッタ電圧の変化から突起の発生を
検知し、ターゲットの寿命を突起が発生するまでの時間
として管理することにより膜特性の安定化を図ってはい
るが、使用するターゲットにより寿命が異なり、その都
度成膜条件の変更を行う必要があるなどの問題を有して
いた。
を80%以上にしたITO焼結体とすることによりター
ゲット表面の突起の発生を抑制する方法を提案してい
る。特開平4−28163号では、密度とバルク抵抗値
を規定することにより成膜操作の安定化をはかる方法が
提案されている。特開平4−317455号では、Sn
を均一に分散させたITO焼結体とすることによりスパ
ッタリング時の異常放電を回避する方法が提案されてい
る。特開平5−148638号では、成膜速度の低下や
アーキング発生等による成膜操作の不安定化を懸念する
ことのないITO膜用ターゲットとして使用原料粉末の
粒径と焼結雰囲気を規定した製造方法を提案している。
また、特開平5−311428号では、焼結密度、焼結
粒径を規定することによりターゲット表面の突起の発生
を防止するターゲットを提案している。
平3−295114号、特開平6−64959号等が提
案されている。特開平3−295114号には、ターゲ
ットの寿命向上の観点からインジウム酸化物中のスズ量
がIn:Sn=23:1〜98:1のターゲットが記載
されている。特開平6−64959号には、In:Sn
=1.5:1の第2相の含有量を10%以下としてい
る。しかし、いまだ突起の形成メカニズムが解明されて
いないため、ターゲット表面への突起の形成は避けられ
ず、成膜速度やスパッタ電圧の変化からターゲットの寿
命を検知する必要に迫られている。
発明は、突起の形成メカニズムを詳細に検討することに
より、安定した寿命を有し、かつ長寿命のインジウム・
スズ酸化物膜用ターゲットを提供することを目的とす
る。また、本発明は、前記目的に加えてスパッタリング
中の成膜速度やスパッタ電圧の変化等の成膜条件の不安
定化が発生することなく品質の高いITO膜を安定して
得ることのできるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲッ
トを提供することを目的とする。
ーゲットの消耗の仕方は、入射イオンが平坦な面に衝突
し、その後、内部へ侵入し、試料原子との弾性散乱の結
果、その運動エネルギーの一部を試料原子に与える繰り
返しによって生ずる衝突カスケードが試料表面に達した
時、表面近傍の結合エネルギーよりも充分大きい運動エ
ネルギーを有している表面近傍の原子が真空中へ放出さ
れることで削られ消耗していくと考えられている。
細に検討したところ、次のような新規の事実が明らかと
なった。すなわち、上記のような一般的に考えられてい
るスパッタリング機構よりは、むしろ気孔、粒界および
加工キズ等のターゲット表面の段差の部分が入射イオン
の衝突により選択的に削りとられ消耗していく方が主で
あり、適正な段差を設けた方が安定して大きい成膜速度
が得られることが明らかとなった。この経過を示すスパ
ッタリング前後のターゲット面の組織を図1のA,Bに
それぞれ示す。A,Bを対比すると、ターゲット表面の
気孔、粒界から選択的に削り取られて消耗しているのが
わかる。
きさの段差はスパッタリングにより消失するが、段差が
大きくなりすぎるとイオンは段差部分の面をかすめて入
射することになり、段差のところでは衝突カスケードが
十分に広がらず、かつ反射されるイオンが多くなり、成
膜速度の低下、スパッタリング収量の低下が起こり、一
方段差の部分はスパッタ残りが生じ、突起となるという
過程が突起の形成機構であることを知見した。このよう
な現象は、入射角が増加するとスパッタリング率は単調
に増加し、入射角が60〜70°でスパッタリング率は
最大となり、そこから90°までは急激に減少するとい
うスパッタリング収量の入射角依存性(東京大学出版会
「スパッタリング現象」1984年3月15日発行、第
25〜27頁)と良く対応する。つまり段差の部分での
入射角というのは70°〜90°であり、スパッタリン
グ収量が急激に減少しスパッタ残りが生じるという現象
と良く対応するのである。ターゲット表面の段差の部分
で突起が形成される様子を現す組織を図2に示す。図2
は、ターゲット内に形成された段差aの部分から突起b
が形成した様子を示している。また、ターゲット表面の
突起の消失の過程を図5に示す。の一度形成した約1
5μm前後の突起はのスパッタ時間の増加に伴い
削られではほとんど消失しているのがわかる。図3、
4に突起が形成していないターゲット表面の組織と突起
が形成しているターゲット表面の組織を示す。図4に示
されるターゲット表面の突起は、直径100μm程度と
大きく、スパッタリングにより消失は困難である。
ーゲット表面に適正な段差を有するインジウム・スズ酸
化物膜用ターゲットを見いだしたものである。すなわ
ち、本発明は、実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、単位面積当たりに存在する直径3
μm以上の気孔数が2500個/mm2〜20000個/m
m2であるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲットであ
る。ターゲットの結晶粒径は80μm以下であることが
望ましい。また、ターゲットの表面粗さRmaxは5μm
〜50μmであることが望ましい。さらに焼結体の密度
は6.6g/cm3以上であることが望ましい。さらにIT
O焼結体の組織を制御することにより、スパッタリング
中の成膜速度やスパッタ電圧の変化等の成膜条件の不安
定化が発生することなく品質の高いITO膜を安定して
得ることのできるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲッ
トが得られる。したがって、本発明は、実質的にインジ
ウム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、In:S
n=10:1〜22:1である主相を有し、単位面積当
たりに存在する直径3μm以上の気孔数が20000個
/mm2以下であるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲッ
トである。また、本発明は、実質的にインジウム、スズ
および酸素からなる焼結体であり、主相とIn:Sn=
1.6:1〜3.0:1からなる第2相とを有し、単位
面積当たりに存在する直径3μm以上の気孔数が200
00個/mm2以下であるインジウム・スズ酸化物膜用タ
ーゲットである。
面積当たりに存在する直径3μm以上の気孔数を200
00個/mm2以下としたのは、20000個/mm2を越え
ると突起が形成される段差の数が多くなり、ターゲット
面から反射されるイオンが多く、成膜速度の低下の度合
いが大きく、安定した膜特性が得られず、突起が形成し
やすくターゲットの寿命も短くなるためである。気孔数
が2500個/mm2未満になると入射イオンの衝突によ
り選択的に削り取られる段差の部分が少なく成膜速度が
小さくなり、膜特性が安定しにくい。ただし、焼結体の
組織によっては2500個/mm2未満であっても突起は
形成しにくく、安定した成膜速度かつ長寿命を有するタ
ーゲットが得られる場合があり、それについては後述す
る。さらに、より好ましい気孔数としては15000個
/mm2以下である。なお、気孔径が3μm未満の場合は
問題となる突起が形成される段差にはならないが、その
段差が小さいため充分な成膜速度が得られないので、気
孔径を3μm以上とした。また、焼結体内に存在する気
孔径を3μm〜25μmとするとにより、さらに安定し
た成膜速度が得られ望ましい。
ゲット焼結体の最大結晶粒径を80μm以下としたの
は、以下の理由による。すなわち、成膜条件、膜特性等
に影響を及ぼすのは通常80μmを越える大きさの突起
であり、最大結晶粒径が80μmを越えると結晶粒径間
の粒界に形成される段差によりスパッタ残りが生じター
ゲットの寿命を左右する突起が形成しやすくなるからで
ある。最大結晶粒径が80μm以下の場合は、スパッタ
残りによる小さな突起が一旦形成してもその後のスパッ
タにより消失し、ターゲット寿命に影響を及ぼさず、安
定した成膜条件となり膜特性も安定する。より安定した
膜特性を得るためには、最大結晶粒径を50μm以下と
するのが好ましく、結晶粒径を最大結晶粒径の10分の
1〜最大結晶粒径の範囲に制御することが望ましい。
面粗さをRmaxが5μm〜50μmとしたのは、Rm
axが5μm未満であると面が平坦すぎるために小さい
成膜速度しか得られず、大きい成膜速度を安定して得る
のは難しい。またRmaxが50μmを越えると段差が
大きくなりすぎて、イオンは表面をかすめて入射するこ
とになり成膜速度が低下し、さらには段差のところでス
パッタ残りが生じ突起が形成されるためターゲットの寿
命は短くなり、安定した寿命を有しでかつ長寿命のター
ゲットにはならない。突起の形成はターゲット内の最大
の段差が影響を及ぼすため、表面粗さとしてはRmax
にて規定する必要がある。
孔数を20000個/mm2以下に制御するのが困難となり、か
つサイズの大きい気孔が多くなることにより、突起が形
成しやすくなりターゲットの寿命が短くなる。より好ま
しい焼結体密度は95%以上である。本発明において、
焼結体密度とは、酸化インジウムの理論密度7.18g/
cm3と酸化スズ6.95g/cm3を用い、配合組成から計算
により求めた値をその組成の理論密度とした時の相対密
度のことである。
数を制御することにより長寿命かつ寿命の安定したター
ゲットが得られるが、さらにターゲットの組織を制御す
ることによりスパッタリング中の成膜速度やスパッタ電
圧の変化等の成膜条件の不安定化が発生することなく品
質の高いITO膜を安定して得ることのできるインジウ
ム・スズ酸化物膜用ターゲットが得られる。ITO焼結
体は、酸化インジウム中に酸化スズが固溶した焼結体で
あり、本発明においては、ITO焼結体の主相をIn:
Sn=10:1〜22:1とすることが望ましい。IT
O焼結体の主相がIn/Sn<10であるとSn量が多
く粒内でのスズの分布が不均一となり、インジウム酸化
物とスズ酸化物とのスパッタレイトの違いにより段差が
生じ、またIn/Sn>22となるとSn量が少ないこ
とによる粒内でのスズの分布の不均一さがスパッタレイ
トの差により段差となり突起が形成される。また、IT
O焼結体の第2相をIn:Sn=1.6:1〜3.0:
1に制御することにより、スパッタされるSn量が一定
となり、安定した膜特性が得られる。ITO焼結体の主
相をIn:Sn=10:1〜22:1とした場合、また
は第2相をIn:Sn=1.6:1〜3.0:1とした
場合、さらには主相および第2相を前記範囲に制御した
場合、ターゲットの3μm以上の気孔数が2500個/mm2
未満であっても成膜速度は小さいが、安定した膜特性が
得られる。ただし、主相、第2相以外の相、例えば第3
相としてIn:Sn=1.6:1よりもSnの多い相が
焼結体中に存在したとしても、面積比にて第2相より少
なければ膜特性に与える影響は少なく、許容される。
ム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、In:Sn
=10:1〜22:1である主相を有し、単位面積当た
りに存在する直径3μm以上の気孔数が20000個/
mm2以下であるインジウム・スズ酸化物膜用ターゲット
である。また、本発明は、実質的にインジウム、スズお
よび酸素からなる焼結体であり、主相とIn:Sn=
1.6:1〜3.0:1からなる第2相とを有し、単位
面積当たりに存在する直径3μm以上の気孔数が200
00個/mm2以下であるインジウム・スズ酸化物膜用タ
ーゲットである。なお、酸化スズの固溶量は各結晶粒子
中のスズ量をSEM-EDXにて分析することによりわかる。
らなる焼結体とするためには、例えば平均粒径が20nmの
酸化インシ゛ウム粉末と平均粒径が50nmの酸化スス゛粉末を重量
比で99:1〜90:10となる混合粉末を成形し成形密度 3.6g
/cm3程度の成形体を得る。その成形体を、非還元性の
雰囲気中で焼結する。例えば大気中、酸素雰囲気中、Ar
等の不活性カ゛ス雰囲気中でよい。焼結温度は1200℃〜170
0℃がよい。1200℃より低いと緻密化が充分でなく気孔
数が多くなる。また、1700℃を越えると酸化物の分解に
より気孔数が多くなると同時に結晶粒径も大きくなる。
さらに、気孔数、主相と第2相の組織を制御するために
は、1000℃以上での昇温速度を30℃/h以上、冷却時の
降温速度を30℃/h以上とするのが好ましい。昇温速度
を30℃/h未満であると酸化物の分解が進行し気孔数が
多くなり、また冷却時の降温速度を30℃/h未満とする
と第2相がIn/Sn<1.6に、主相がIn/Sn>
23になり易くなる。
説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
ンジウム粉末と平均粒径が50nmの酸化スズ粉末を重
量比で95:5または90:10となるように成型用バ
インダーとともに均一に混合し混合粉末を得た。次にそ
の混合粉末を金型に充填し、一軸加圧にて成形圧力0.
5ton/cm2で予備成形した後CIPにて成形圧力2ton/c
m2で加圧し成形体を得た。次いで酸素濃度70%の酸素
雰囲気中で焼結した。焼結条件を変えて異なる単位面積
当たりの気孔数を有するターゲットを得た。得られたタ
ーゲットの3μm以上の気孔数およびそのターゲットを
用いてスパッタリングを行った結果を表1に示す。な
お、表1に示すターゲトの最大結晶粒径は40〜60μ
m、密度は90%以上、Rmaxは5〜20μmであり、焼
結体の組織は、主相がIn:Sn=9:1、第2相がI
n:Sn=1.5:1であった。なお、No.3〜8が
本発明例であり、No.1、2および9は比較例であ
る。スパッタリング条件は、次の通りである。バッチ式
スパッタリング装置により下記条件でITO膜を形成す
る実験を行った。 スパッタ電力 1.0W/cm2 スパッタガス組成 99%アルゴン+1%酸素の混合
ガス スパッタガス圧 1Pa 基板温度 25℃ スパッタリング開始から2時間後と30時間後の成膜速
度と抵抗率とさらにスパッタリングを行ったときの突起
の形成より判断したターゲットの寿命を評価した。
パッタリング30時間後においても成膜速度及び抵抗率
がほとんど変化せず極めて安定して低抵抗のITO薄膜
が得られ、さらに継続して行ったスパッタリングにより
ターゲットの寿命は長くかつ安定していることが明らか
であった。これに対して、比較例であるNo.1,2の
ターゲットは初期(2時間後)の成膜速度が遅く、膜の
抵抗率が変化していることがわかる。また、No.9の
ターゲットは、長期のスパッタリングには耐えられず、
寿命の短いターゲットであった。
ンジウム粉末と平均粒径が50nmの酸化スズ粉末を重
量比で95:5または90:10となるように成型用バ
インダーとともに均一に混合し混合粉末を得た。次にそ
の混合粉末を金型に充填し、一軸加圧にて成形圧力0.
5ton/cm2で予備成形した後CIPにて成形圧力2ton/c
m2で加圧し成形体を得た。次いで酸素濃度70%の酸素
雰囲気中で焼結した。焼結条件を変えて、最大結晶粒径
および異なる単位面積当たりの気孔数を有するターゲッ
トを得た。得られたターゲットを用いてスパッタリング
を行った結果を表2に示す。なお、表2に示す試料の密
度は90%以上、Rmaxは5〜30μmであり、焼結体の
組織は、主相がIn:Sn=9:1、第2相がIn:S
n=1.5:1であった。また、表2中の気孔数は、直
径3μm以上の気孔数である。表2より、最大結晶粒径
を6〜35μmに制御することにより、ターゲットの寿
命が長くなることがわかる。
ンジウム粉末と平均粒径が50nmの酸化スズ粉末を重
量比で95:5または90:10となるように成型用バ
インダーとともに均一に混合し混合粉末を得た。次にそ
の混合粉末を金型に充填し、一軸加圧にて成形圧力0.
5ton/cm2で予備成形した後CIPにて成形圧力2ton/c
m2で加圧し成形体を得た。次いで酸素濃度70%の酸素
雰囲気中で焼結した。焼結条件を変えて、最大結晶粒径
および異なる単位面積当たりの気孔数を有するターゲッ
トを得た。得られたターゲットを用いてスパッタリング
を行った結果を表3に示す。なお、表3に示す試料の密
度は90%以上であり、焼結体の組織は、主相がIn:
Sn=9:1、第2相がIn:Sn=1.5:1であっ
た。また、表3中の気孔数は、直径3μm以上の気孔数
である。表3より、Rmaxが70μmと大きくなるとタ
ーゲットの寿命が少し短くなることがわかる。
ンジウム粉末と平均粒径が50nmの酸化スズ粉末を重
量比で95:5または90:10となるように成型用バ
インダーとともに均一に混合し混合粉末を得た。次にそ
の混合粉末を金型に充填し、一軸加圧にて成形圧力0.
5ton/cm2で予備成形した後CIPにて成形圧力2ton/c
m2で加圧し成形体を得た。次いで酸素濃度70%の酸素
雰囲気中で焼結した。焼結条件を変えて、最大結晶粒径
および異なる単位面積当たりの気孔数を有するターゲッ
トを得た。得られたターゲットを用いてスパッタリング
を行った結果を表4に示す。なお、表4に示す試料の最
大結晶粒径は40〜60μm、Rmaxは5〜40μmで
あり、焼結体の組織は、主相がIn:Sn=9:1、第
2相がIn:Sn=1.5:1であった。また、表4中
の気孔数は直径3μm以上の気孔数である。表4より、
密度が90%未満であると3μm以下の気孔数を200
00個/mm2以下に制御するのが困難となり、ターゲット
の寿命が短くなることがわかる。
ンジウム粉末と平均粒径が50nmの酸化スズ粉末を成
型用バインダーとともに均一に混合し混合粉末を得た。
次にその混合粉末を金型に充填し、一軸加圧にて成形圧
力0.5ton/cm2で予備成形した後CIPにて成形圧力
2ton/cm2で加圧し成形体を得た。次いで1400〜1
600℃、1気圧、酸素濃度80%の雰囲気中で焼結し
た。試料33、34、36〜43については、1000℃以上での
昇温速度2℃/min、冷却時の降温速度2℃/minの焼結
条件で焼結を行った。焼結温度を変えて、最大結晶粒径
および異なる単位面積当たりの気孔数を有するターゲッ
トを得た。得られたターゲットを用いてスパッタリング
を行った結果を表5に示す。なお、表5に示す試料の最
大結晶粒径は10〜30μm、Rmaxは5〜30μm、
密度は90%以上であった。また、表5中の気孔数は直
径3μm以上の気孔数である。表5より、主相、第2相
を制御することにより、ターゲットの寿命が長くなるこ
とがわかる。これは、ターゲットの組成と組織が均一な
ことに起因して突起の形成が遅れためと考えられる。ま
た、主相、第2相を制御することにより、3μm以上の
気孔数が2500個/mm2以下であっても成膜速度は遅
いが安定した成膜速度および膜の抵抗率が得られること
がわかる。表5の試料No.41、43のターゲットの
組織写真を図6、図7に示す。図6において、結晶粒は
大部分が主相であり、黒色部および白色部が気孔であ
る。図7において、ライトグレーの相が主相、ダークグ
レーの相が第2相、黒色部および白色部が気孔である。
かつ長寿命のインジウム・スズ酸化物膜用ターゲットが
得られる。また、スパッタリング中の成膜速度やスパッ
タ電圧の変化等の成膜条件の不安定化が発生することな
く品質の高いITO膜を安定して得ることのできるイン
ジウム・スズ酸化物膜用ターゲットが得られる。これに
より、ターゲットをとりだしてターゲットのスパッタリ
ング表面を再研磨してターゲットの表面粗さを整えると
いう作業を大幅に削減できる。
す金属組織写真である。 (B)スパッタリング後のターゲット表面を示す金属組
織写真である。
金属組織写真である。
のスパッタリング面の金属組織写真である。
スパッタリング面の金属組織写真である。
組織写真である。
組織写真である。
Claims (6)
- 【請求項1】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、単位面積当たりに存在する直径3
μm以上の気孔数が2500個/mm2〜20000個/m
m2であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用
ターゲット。 - 【請求項2】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、最大結晶粒径が80μm以下であ
る請求項1に記載のインジウム・スズ酸化物用ターゲッ
ト。 - 【請求項3】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、表面粗さRmaxが5μm〜50μ
mである請求項1または2に記載のインジウム・スズ酸
化物膜用ターゲット。 - 【請求項4】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、焼結体密度が90%以上であるこ
とを特徴とする請求項1ないし3のいづれかに記載のイ
ンジウム・スズ酸化物膜用ターゲット。 - 【請求項5】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、In:Sn=10:1〜22:1
である主相を有し、単位面積当たりに存在する直径3μ
m以上の気孔数が20000個/mm2以下であることを
特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用ターゲット。 - 【請求項6】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
らなる焼結体であり、主相とIn:Sn=1.6:1〜
3.0:1からなる第2相とを有し、単位面積当たりに
存在する直径3μm以上の気孔数が20000個/mm2
以下であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜
用ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04491595A JP3591602B2 (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | インジウム・スズ酸化物膜用ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04491595A JP3591602B2 (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | インジウム・スズ酸化物膜用ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08218165A true JPH08218165A (ja) | 1996-08-27 |
JP3591602B2 JP3591602B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=12704764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04491595A Expired - Lifetime JP3591602B2 (ja) | 1995-02-09 | 1995-02-09 | インジウム・スズ酸化物膜用ターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3591602B2 (ja) |
Cited By (8)
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