JPH0821662B2 - 半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPH0821662B2 JPH0821662B2 JP1025587A JP1025587A JPH0821662B2 JP H0821662 B2 JPH0821662 B2 JP H0821662B2 JP 1025587 A JP1025587 A JP 1025587A JP 1025587 A JP1025587 A JP 1025587A JP H0821662 B2 JPH0821662 B2 JP H0821662B2
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- Japan
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- tab
- lead
- semiconductor device
- lead frame
- mold
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置用リードフレームに関し、半導体
装置等を搭載して樹脂封止する半導体装置用リードフレ
ームに関する。
装置等を搭載して樹脂封止する半導体装置用リードフレ
ームに関する。
従来のかかる半導体装置用リードフレームはFe−Ni合
金あるいはcu系合金からなる板材をプレス加工もしくは
エッチング加工により所定の形状とし、接続用リードの
先端部のみを貴金属めっきし、これらを樹脂封止した構
造になっている。
金あるいはcu系合金からなる板材をプレス加工もしくは
エッチング加工により所定の形状とし、接続用リードの
先端部のみを貴金属めっきし、これらを樹脂封止した構
造になっている。
第3図はかかる従来の一例を示すリードフレームの上
面図である。
面図である。
第3図に示すように、リードフレーム1は半導体素子
を搭載するためのタブ2とこのタブ2を支持するための
タブリード3と前記半導体素子を電気的に外部に導出す
るための接続用リード4とを有している。この接続用リ
ード4と前記半導体素子は通常Au等のワイヤによって接
続されるが、前記Auワイヤとリードとの接続性を良くす
るため、Au,Ag等の貴金属めっきが行なわれる。6はこ
れらリードの先端に貴金属めっきされた貴金属めっき領
域である。かかる貴金属めっきの形成後、ボンディング
接続等を経て樹脂封止が行われモールド領域8までモー
ルドが施される。このとき、アンカーホール9に前記樹
脂が流れこみ、各リードを保護した半導体装置が形成さ
れる。
を搭載するためのタブ2とこのタブ2を支持するための
タブリード3と前記半導体素子を電気的に外部に導出す
るための接続用リード4とを有している。この接続用リ
ード4と前記半導体素子は通常Au等のワイヤによって接
続されるが、前記Auワイヤとリードとの接続性を良くす
るため、Au,Ag等の貴金属めっきが行なわれる。6はこ
れらリードの先端に貴金属めっきされた貴金属めっき領
域である。かかる貴金属めっきの形成後、ボンディング
接続等を経て樹脂封止が行われモールド領域8までモー
ルドが施される。このとき、アンカーホール9に前記樹
脂が流れこみ、各リードを保護した半導体装置が形成さ
れる。
また、前記板材と前記封止樹脂との熱膨張係数の差、
およびモールド封止時の収縮差の剪断力による隙間の発
生を樹脂とリードフレームとの密着性を向上させて防止
するため、Alをクラッドする方法も行われている。Alの
密着性の良い理由はAlが酸化し表面層がAl2O3となって
おり、、そのAl2O3とモールド樹脂との密着性が良いた
めである。
およびモールド封止時の収縮差の剪断力による隙間の発
生を樹脂とリードフレームとの密着性を向上させて防止
するため、Alをクラッドする方法も行われている。Alの
密着性の良い理由はAlが酸化し表面層がAl2O3となって
おり、、そのAl2O3とモールド樹脂との密着性が良いた
めである。
上述した従来のモールド封止型半導体装置用リードフ
レームにおいて、Ag,Au等の貴金属めっきを施した場合
でも、熱膨張係数差(例えば、エポキシ樹脂:24×10-6/
℃,鉄−ニッケル42%合金:5.0×10-6/℃)によるモー
ルド封止時の収縮差の剪断力により、Au,Agの貴金属と
モールド樹脂との密着性が弱く隙間を生ずるため、水分
が半導体装置の内部に浸入し易くなり耐湿性の面で劣る
という欠点を有していた。
レームにおいて、Ag,Au等の貴金属めっきを施した場合
でも、熱膨張係数差(例えば、エポキシ樹脂:24×10-6/
℃,鉄−ニッケル42%合金:5.0×10-6/℃)によるモー
ルド封止時の収縮差の剪断力により、Au,Agの貴金属と
モールド樹脂との密着性が弱く隙間を生ずるため、水分
が半導体装置の内部に浸入し易くなり耐湿性の面で劣る
という欠点を有していた。
また、従来のAlをクラッドした半導体装置用リードフ
レームにおいては、半導体装置が使用される熱環境によ
りボンディング用Au線とAlとの間の金属間化合物が形成
され易く且つ断線が生じ易いという欠点を有していた。
また、Alを薄く(0.5〜1.5μm)付けた場合、Fe−Ni合
金またはCu系合金からなる下地が半導体装置の組立(素
子マウント,Auワイヤボンディング)工程における加熱
拡散によりAl表面に表われて酸化され、著しくAuボンデ
ィング性を損うという欠点を有している。また一方、Al
が厚い場合は、Al表面で安定なAl2O3が出来るため酸化
は進まず、ボンディング性を損うことは一応解決され
る。しかしながら、この場合は前述のとおり、Au−Al金
属間化合物が形成され易くボンディング条件(特に温
度)の制約を受けるという欠点を有している。
レームにおいては、半導体装置が使用される熱環境によ
りボンディング用Au線とAlとの間の金属間化合物が形成
され易く且つ断線が生じ易いという欠点を有していた。
また、Alを薄く(0.5〜1.5μm)付けた場合、Fe−Ni合
金またはCu系合金からなる下地が半導体装置の組立(素
子マウント,Auワイヤボンディング)工程における加熱
拡散によりAl表面に表われて酸化され、著しくAuボンデ
ィング性を損うという欠点を有している。また一方、Al
が厚い場合は、Al表面で安定なAl2O3が出来るため酸化
は進まず、ボンディング性を損うことは一応解決され
る。しかしながら、この場合は前述のとおり、Au−Al金
属間化合物が形成され易くボンディング条件(特に温
度)の制約を受けるという欠点を有している。
本発明の目的は、従来のモールド封止用樹脂とリード
フレーム間に隙間を発生させず耐湿性に優れ、且つ半導
体装置の組立作業性(特に、Auボンディング性)が良好
で金属間化合物形成による断線が生じない半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
フレーム間に隙間を発生させず耐湿性に優れ、且つ半導
体装置の組立作業性(特に、Auボンディング性)が良好
で金属間化合物形成による断線が生じない半導体装置用
リードフレームを提供することにある。
本発明は、半導体素子を搭載するタブと、前記タブを
両側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体素
子を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを有
し且つこれらを含むようにモールド掛止する半導体装置
用のリードフレームにおいて、前記タブ寄りの前記接続
用リードの先端部の外周囲面の一部領域および前記タブ
寄りの前記タブリードの前記タブを支持する側の先端部
の外周囲面の一部領域に貴金属めっきを施し、且つ前記
貴金属めっきを施した前記領域を含んだモールド領域内
の前記タブリードおよび前記接続用リードの外周囲面の
全領域にAlまたはAl2O3膜を形成して構成される。
両側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体素
子を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを有
し且つこれらを含むようにモールド掛止する半導体装置
用のリードフレームにおいて、前記タブ寄りの前記接続
用リードの先端部の外周囲面の一部領域および前記タブ
寄りの前記タブリードの前記タブを支持する側の先端部
の外周囲面の一部領域に貴金属めっきを施し、且つ前記
貴金属めっきを施した前記領域を含んだモールド領域内
の前記タブリードおよび前記接続用リードの外周囲面の
全領域にAlまたはAl2O3膜を形成して構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示すリードフレームの上
面図である。
面図である。
第1図に示すように、リードフレーム1は従来のリー
ドフレームと同様にFe−Ni合金,Cu系合金等からなる材
質で構成されたフレームである。このフレーム1は中央
に形成しIC素子等を搭載するタブ2と、このタブ2の両
側に接続されたタブリード3と、端子用リード4とを有
する。このタブリード3および端子用リード4のタブ側
先端部5には、厚さ1.5〜10μmのAgめっきを施し、Ag
めっき領域6を形成する。また、前記リードのタブ側先
端部5を含むモールド領域8内にAl又はAl2O3を厚さ0
<x≦1.5μmの範囲になるよう蒸着法あるいはスパッ
タ法等により被着され、AlもしくはAl2O3領域7を形成
する。かかるリードフレームは最終的にはモールド領域
8のところまで樹脂封止が行われる。尚、9はアンカー
ホールである。
ドフレームと同様にFe−Ni合金,Cu系合金等からなる材
質で構成されたフレームである。このフレーム1は中央
に形成しIC素子等を搭載するタブ2と、このタブ2の両
側に接続されたタブリード3と、端子用リード4とを有
する。このタブリード3および端子用リード4のタブ側
先端部5には、厚さ1.5〜10μmのAgめっきを施し、Ag
めっき領域6を形成する。また、前記リードのタブ側先
端部5を含むモールド領域8内にAl又はAl2O3を厚さ0
<x≦1.5μmの範囲になるよう蒸着法あるいはスパッ
タ法等により被着され、AlもしくはAl2O3領域7を形成
する。かかるリードフレームは最終的にはモールド領域
8のところまで樹脂封止が行われる。尚、9はアンカー
ホールである。
第2図は第1図に示すリードフレームのY−Y′縦断
面図である。
面図である。
第2図に示すように、リードフレームの中央に一段と
低く形成されるタブ2はタブリード3によって支持さ
れ、また中央に向かうように接続用リード4が形成され
る。この接続用リード4はタブ側リード先端部5の表面
にAgめっきが施され、それらの上にAlもしくはAl2O3膜
7が形成される。尚、9は前述したように、接続用リー
ド4に形成されたアンカーホールであり、このアンカー
ホール9は樹脂封止したあと、各接続用リード4を固定
する役目も有している。
低く形成されるタブ2はタブリード3によって支持さ
れ、また中央に向かうように接続用リード4が形成され
る。この接続用リード4はタブ側リード先端部5の表面
にAgめっきが施され、それらの上にAlもしくはAl2O3膜
7が形成される。尚、9は前述したように、接続用リー
ド4に形成されたアンカーホールであり、このアンカー
ホール9は樹脂封止したあと、各接続用リード4を固定
する役目も有している。
かかるリードフレームにおいて、Agめっき6はFe−Ni
合金等のフレーム1との密着性を良くするために、Cuス
トライクめっきあるいはAuストライクめっきを下地めっ
きとして施した方がよい。
合金等のフレーム1との密着性を良くするために、Cuス
トライクめっきあるいはAuストライクめっきを下地めっ
きとして施した方がよい。
また、前述したAlまたはAl2O3膜7はモールド領域8
の範囲内ではできるだけ広く付いた方がよいが、モール
ド領域8以外の個所では付いても付かなくてどちらでも
よい。
の範囲内ではできるだけ広く付いた方がよいが、モール
ド領域8以外の個所では付いても付かなくてどちらでも
よい。
以上説明したように、本発明の半導体装置用リードフ
レームにおいては、Al又はAl2O3をAgめっき領域を含む
モールド領域内に施すことにより、モールド封止用樹脂
との密着性が良くなるので、モールド封止樹脂とリード
フレーム間での隙間を生じることなく耐湿性の優れたフ
レームを得られる効果がある。更に、Al又はAl2O3厚を
1.5μm以下と薄くしているので、Au線のボンディング
ワイヤはAgめっきと拡散反応によりAu−Ag−Al3元合金
として接続されるか、又はAu線とAgめっきとが直接接続
され、Au−Al金属間化合物による断線を防止することが
できる効果がある。
レームにおいては、Al又はAl2O3をAgめっき領域を含む
モールド領域内に施すことにより、モールド封止用樹脂
との密着性が良くなるので、モールド封止樹脂とリード
フレーム間での隙間を生じることなく耐湿性の優れたフ
レームを得られる効果がある。更に、Al又はAl2O3厚を
1.5μm以下と薄くしているので、Au線のボンディング
ワイヤはAgめっきと拡散反応によりAu−Ag−Al3元合金
として接続されるか、又はAu線とAgめっきとが直接接続
され、Au−Al金属間化合物による断線を防止することが
できる効果がある。
尚、ボンデイング接合性は、Agめっきが施されている
ので、組立条件による熱拡散が生じても酸化され難く、
Au線の接合性を悪くさせることはない。
ので、組立条件による熱拡散が生じても酸化され難く、
Au線の接合性を悪くさせることはない。
第1図は本発明の一実施例を示すリードフレームの上面
図、第2図は第1図におけるY−Y′線の縦断面図、第
3図は従来の一例を示すリードフレームの上面図であ
る。 1……リードフレーム、2……タブ、3……タブリー
ド、4……接続用リード、5……タブ側リード先端部、
6……Agめっき領域、7……AlもしくはAl2O3領域、8
……モールド領域。
図、第2図は第1図におけるY−Y′線の縦断面図、第
3図は従来の一例を示すリードフレームの上面図であ
る。 1……リードフレーム、2……タブ、3……タブリー
ド、4……接続用リード、5……タブ側リード先端部、
6……Agめっき領域、7……AlもしくはAl2O3領域、8
……モールド領域。
Claims (2)
- 【請求項1】半導体素子を搭載するとタブと、前記タブ
を両側より支持するタブリードと、搭載する前記半導体
素子を電気的に外部へ導出するための接続用リードとを
有し且つこれらを含むようにモールド封止する半導体装
置用リードフレームにおいて、前記タブ寄りの前記接続
用リードの先端部の外周囲面の一部領域および前記タブ
寄りの前記タブリードの前記タブを支持する側の先端部
の外周囲面の一部領域に貴金属めっきを施し、且つ前記
貴金属めっきを施した前記領域を含んだモールド領域内
の前記タブリードおよび前記接続用リードの外周囲面の
全領域にAlまたはAl2O3膜を形成したことを特徴とする
半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項2】AlまたはAl2O3膜の膜厚を0<x≦1.5μm
になるようにした特許請求範囲第1項記載の半導体装置
用リードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1025587A JPH0821662B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1025587A JPH0821662B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63177543A JPS63177543A (ja) | 1988-07-21 |
JPH0821662B2 true JPH0821662B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=11745209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1025587A Expired - Fee Related JPH0821662B2 (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0821662B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR920007132A (ko) * | 1990-09-24 | 1992-04-28 | 엔. 라이스 머레트 | 집적회로용 절연리드 프레임 및 그의 제조방법 |
KR960006970B1 (ko) * | 1993-05-03 | 1996-05-25 | 삼성전자주식회사 | 필름 캐리어 및 그 제조방법 |
CA2232843C (en) * | 1997-03-25 | 2002-03-12 | Koichi Haruta | Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package |
WO1999043032A2 (de) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterbauelement mit strukturiertem leadframe und verfahren zu dessen herstellung |
KR100299697B1 (ko) * | 1998-07-07 | 2001-09-06 | 김 무 | 니켈-철합금 베이스를 갖는 리드프레임 모재 |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP1025587A patent/JPH0821662B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63177543A (ja) | 1988-07-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |