JPH08214566A - 圧電トランス駆動回路 - Google Patents
圧電トランス駆動回路Info
- Publication number
- JPH08214566A JPH08214566A JP7034598A JP3459895A JPH08214566A JP H08214566 A JPH08214566 A JP H08214566A JP 7034598 A JP7034598 A JP 7034598A JP 3459895 A JP3459895 A JP 3459895A JP H08214566 A JPH08214566 A JP H08214566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric transformer
- drive circuit
- feedback capacitor
- circuit
- driving circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Circuit Arrangements For Discharge Lamps (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 圧電トランスを用いた高電圧発生装置におい
て、圧電トランスからの高電圧を圧電トランス駆動回路
へ帰還する高耐圧帰還コンデンサに関し、そのコストを
抑える。 【構成】 セラミック基板9上に形成された駆動回路4
と、この駆動回路4によって駆動される圧電トランス5
とにより高電圧発生装置が構成される。帰還コンデンサ
8が、圧電トランス5から出力される交流高電圧を駆動
回路4に帰還する。この帰還コンデンサ8は、駆動回路
4と同一のセラミック基板9の両面に形成されたパター
ン電極14より構成されるが、このパターン電極14
は、駆動回路4の導体パターン13の形成時に同時に作
られる。
て、圧電トランスからの高電圧を圧電トランス駆動回路
へ帰還する高耐圧帰還コンデンサに関し、そのコストを
抑える。 【構成】 セラミック基板9上に形成された駆動回路4
と、この駆動回路4によって駆動される圧電トランス5
とにより高電圧発生装置が構成される。帰還コンデンサ
8が、圧電トランス5から出力される交流高電圧を駆動
回路4に帰還する。この帰還コンデンサ8は、駆動回路
4と同一のセラミック基板9の両面に形成されたパター
ン電極14より構成されるが、このパターン電極14
は、駆動回路4の導体パターン13の形成時に同時に作
られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、圧電トランスを用いた
高電圧発生装置における圧電トランスの駆動回路に関す
る。この種の高電圧発生装置は、放電管の電源のごと
き、高電圧の交流電源として好適なものである。
高電圧発生装置における圧電トランスの駆動回路に関す
る。この種の高電圧発生装置は、放電管の電源のごと
き、高電圧の交流電源として好適なものである。
【0002】
【従来の技術】圧電トランスを有する高電圧発生装置に
おいては、圧電トランスの共振周波数に対応した周波数
の自己発振を駆動回路(を構成する発振回路)に生じせ
しめ、安定した動作状態を確保する必要がある。そのた
め、圧電トランスの出力側と発振回路の間に帰還回路を
設け、帰還回路中の高耐電圧素子により出力信号の一部
を発振回路にフィードバックさせていた。
おいては、圧電トランスの共振周波数に対応した周波数
の自己発振を駆動回路(を構成する発振回路)に生じせ
しめ、安定した動作状態を確保する必要がある。そのた
め、圧電トランスの出力側と発振回路の間に帰還回路を
設け、帰還回路中の高耐電圧素子により出力信号の一部
を発振回路にフィードバックさせていた。
【0003】通常は、この帰還用素子として、実開昭6
3−201362号公報に示されるごとく高耐電圧コン
デンサが使用されていた。例えば、数十KHz〜百数十
KHzの数KV程度の出力を発する圧電トランスの場
合、数PF程度で耐圧10KV程度の帰還コンデンサを
用いている。
3−201362号公報に示されるごとく高耐電圧コン
デンサが使用されていた。例えば、数十KHz〜百数十
KHzの数KV程度の出力を発する圧電トランスの場
合、数PF程度で耐圧10KV程度の帰還コンデンサを
用いている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、帰還用
の高耐電圧コンデンサは特殊なもので、高価であり、こ
のコンデンサを使用することで、高電圧発生装置のコス
トが上がってしまうという問題があった。
の高耐電圧コンデンサは特殊なもので、高価であり、こ
のコンデンサを使用することで、高電圧発生装置のコス
トが上がってしまうという問題があった。
【0005】本発明は、このような背景に基づいてなさ
れたものであり、その目的とするところは、圧電トラン
スを用いた高電圧発生装置において、圧電トランスから
の高電圧を圧電トランス駆動回路へ帰還する高耐圧帰還
コンデンサを、低コストで実現することにある。
れたものであり、その目的とするところは、圧電トラン
スを用いた高電圧発生装置において、圧電トランスから
の高電圧を圧電トランス駆動回路へ帰還する高耐圧帰還
コンデンサを、低コストで実現することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第1の側面は、圧電トランスの駆動回路
であって、セラミック基板上に形成されたおり、そし
て、圧電トランスからの交流高電圧を帰還する高耐圧の
帰還コンデンサが、セラミック基板とその両面に形成さ
れたパターン電極よりなることを特徴とする。
めに、本発明の第1の側面は、圧電トランスの駆動回路
であって、セラミック基板上に形成されたおり、そし
て、圧電トランスからの交流高電圧を帰還する高耐圧の
帰還コンデンサが、セラミック基板とその両面に形成さ
れたパターン電極よりなることを特徴とする。
【0007】また、本発明の第2の側面は、上述の構成
の圧電トランス駆動回路において、帰還コンデンサと駆
動回路の他の素子間の距離が、帰還コンデンサに加わる
高電圧による絶縁破壊のおそれのない十分な長い距離で
あることを特徴とする。
の圧電トランス駆動回路において、帰還コンデンサと駆
動回路の他の素子間の距離が、帰還コンデンサに加わる
高電圧による絶縁破壊のおそれのない十分な長い距離で
あることを特徴とする。
【0008】また、本発明の第3の側面は、第2の側面
の圧電トランス駆動回路において、さらに、帰還コンデ
ンサが、セラミック基板の端部に配置されていることを
特徴とする。
の圧電トランス駆動回路において、さらに、帰還コンデ
ンサが、セラミック基板の端部に配置されていることを
特徴とする。
【0009】また、本発明の第4の側面は、第1の側面
の圧電トランス駆動回路において、セラミック基板の両
面に駆動回路の構成素子が配置されていることを特徴と
する。
の圧電トランス駆動回路において、セラミック基板の両
面に駆動回路の構成素子が配置されていることを特徴と
する。
【0010】また、本発明の第5の側面は、第1の側面
の圧電トランス駆動回路において、帰還コンデンサに対
して、より近くに配置される駆動回路の他の構成素子
が、低インピーダンスの素子であることを特徴とする。
の圧電トランス駆動回路において、帰還コンデンサに対
して、より近くに配置される駆動回路の他の構成素子
が、低インピーダンスの素子であることを特徴とする。
【0011】
【作用】本発明の第1の側面においては、高耐圧帰還コ
ンデンサが駆動回路と同一のセラミック基板とその両面
に形成されたパターン電極よりなるものであり、これは
セラミック基板上に駆動回路の導体パターンを形成する
時に同時に作り込むことができる。従って、市販されて
いる高耐電圧コンデンサを必要としない。
ンデンサが駆動回路と同一のセラミック基板とその両面
に形成されたパターン電極よりなるものであり、これは
セラミック基板上に駆動回路の導体パターンを形成する
時に同時に作り込むことができる。従って、市販されて
いる高耐電圧コンデンサを必要としない。
【0012】また第2の側面においては、帰還コンデン
サと駆動回路の他の素子間の距離が十分に長く取られて
いるので、両者間の絶縁破壊が防止され、他の素子が保
管される。
サと駆動回路の他の素子間の距離が十分に長く取られて
いるので、両者間の絶縁破壊が防止され、他の素子が保
管される。
【0013】また第3の側面においては、帰還コンデン
サがセラミック基板の端部(又は縁部)に配置される。
そのため、帰還コンデンサを他の素子から十分に離した
レイアウトで回路設計する際、配線に気をつかわず容易
な配線で設計することができる。
サがセラミック基板の端部(又は縁部)に配置される。
そのため、帰還コンデンサを他の素子から十分に離した
レイアウトで回路設計する際、配線に気をつかわず容易
な配線で設計することができる。
【0014】また第4の側面においては、セラミック基
板の両面に駆動回路構成素子を分配して、セラミック基
板の小型化を図っている。
板の両面に駆動回路構成素子を分配して、セラミック基
板の小型化を図っている。
【0015】また第5の側面においては、低インピーダ
ンスの素子は高インピーダンスの素子に比べてノイズの
影響を受けにくいことを考慮して、前者を後者より帰還
コンデンサの近くに配置することで、帰還コンデンサか
ら駆動回路の他の素子へのノイズの影響を抑えている。
ンスの素子は高インピーダンスの素子に比べてノイズの
影響を受けにくいことを考慮して、前者を後者より帰還
コンデンサの近くに配置することで、帰還コンデンサか
ら駆動回路の他の素子へのノイズの影響を抑えている。
【0016】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面を基に詳細
に説明する。
に説明する。
【0017】図1は圧電トランスを用いた高電圧発生回
路の一例の回路図である。
路の一例の回路図である。
【0018】この図において、1は発振回路を構成する
ためのオペアンプICである。このIC1と、このIC
1に接続された抵抗R1〜R5およびコンデンサC1〜
C3等の周辺素子によって発振回路が構成されている。
またIC1の出力段には電流増幅用の出力トランジスタ
2(Q1)、3(Q2)が設けられている。この出力ト
ランジスタ2、3と、出力調整用の可変抵抗VRおよび
抵抗R6〜R8等によって出力回路が構成されている。
ためのオペアンプICである。このIC1と、このIC
1に接続された抵抗R1〜R5およびコンデンサC1〜
C3等の周辺素子によって発振回路が構成されている。
またIC1の出力段には電流増幅用の出力トランジスタ
2(Q1)、3(Q2)が設けられている。この出力ト
ランジスタ2、3と、出力調整用の可変抵抗VRおよび
抵抗R6〜R8等によって出力回路が構成されている。
【0019】なお、以下の実施例の説明に限り、この出
力回路と前述の発振回路とを合せて駆動回路4と呼び、
後述する帰還コンデンサ8と区別する(本来は、帰還コ
ンデンサ8も含めて駆動回路という)。
力回路と前述の発振回路とを合せて駆動回路4と呼び、
後述する帰還コンデンサ8と区別する(本来は、帰還コ
ンデンサ8も含めて駆動回路という)。
【0020】5は駆動回路4によって駆動される圧電ト
ランス(PT)であり、圧電トランス5の出力端子6と
アース間には例えば、放電管などの負荷7が接続されて
いる。また、出力端子6とIC1の+入力との間には、
帰還コンデンサ(CF)8が設けられており、出力端子
6に得られた交流高電圧をIC1の入力側に帰還させる
ようになっている。周知のごとくこの帰還により、駆動
回路4を安定した周波数で動作させることができる。な
お、圧電トランス5の駆動周波数は例えば、50kHz
から150kHzの間の値、出力電力は例えば、3kV
であり、帰還コンデンサ8の容量は例えば、2PF程度
である。
ランス(PT)であり、圧電トランス5の出力端子6と
アース間には例えば、放電管などの負荷7が接続されて
いる。また、出力端子6とIC1の+入力との間には、
帰還コンデンサ(CF)8が設けられており、出力端子
6に得られた交流高電圧をIC1の入力側に帰還させる
ようになっている。周知のごとくこの帰還により、駆動
回路4を安定した周波数で動作させることができる。な
お、圧電トランス5の駆動周波数は例えば、50kHz
から150kHzの間の値、出力電力は例えば、3kV
であり、帰還コンデンサ8の容量は例えば、2PF程度
である。
【0021】このような高電圧発生装置において、直流
電圧VIは駆動回路4で交流に変換され、さらに増幅さ
れて圧電トランス5の励振用電極に印加される。駆動回
路4によって駆動された圧電トランス5の出力端子6に
は交流の高電圧が得られ、これが負荷7に印加される。
電圧VIは駆動回路4で交流に変換され、さらに増幅さ
れて圧電トランス5の励振用電極に印加される。駆動回
路4によって駆動された圧電トランス5の出力端子6に
は交流の高電圧が得られ、これが負荷7に印加される。
【0022】図2は本発明の一実施例に係る高電圧発生
装置の外観斜視図である。
装置の外観斜視図である。
【0023】駆動回路4は、セラミック基板9上に混成
集積回路として形成され、その導体パターンの形成時に
帰還コンデンサ8も同じセラミック基板の上に同時に作
り込まれている。即ち、帰還コンデンサ8は、その電極
がセラミック基板9の両面に導体パターンの一部として
形成されたものである。なお、本実施例ではセラミック
基板9としてアルミナ基板を採用している。
集積回路として形成され、その導体パターンの形成時に
帰還コンデンサ8も同じセラミック基板の上に同時に作
り込まれている。即ち、帰還コンデンサ8は、その電極
がセラミック基板9の両面に導体パターンの一部として
形成されたものである。なお、本実施例ではセラミック
基板9としてアルミナ基板を採用している。
【0024】この薄板状のセラミック基板9と、同じく
薄板状の圧電トランス5は、平行に起立させた状態で基
台10に保持されている。
薄板状の圧電トランス5は、平行に起立させた状態で基
台10に保持されている。
【0025】図3は本実施例のセラミック基板の外観斜
視図である。
視図である。
【0026】この図において、回路素子群11は図1に
示したIC1と共に発振回路を形成する素子群(抵抗R
1〜R5、コンデンサC1〜C3)を示している。尚、
これら発振回路の構成素子11は、出力回路を構成する
トランジスタ2、3等の素子に比べて高インピーダンス
である。
示したIC1と共に発振回路を形成する素子群(抵抗R
1〜R5、コンデンサC1〜C3)を示している。尚、
これら発振回路の構成素子11は、出力回路を構成する
トランジスタ2、3等の素子に比べて高インピーダンス
である。
【0027】レイアウト上の工夫点について述べる。
【0028】まず、帰還コンデンサ8と駆動回路4との
距離dは、帰還コンデンサ8に加わる高電圧により帰還
コンデンサ8と駆動回路4との間の絶縁破壊が生じるお
それのない十分長い距離にする。なお、絶縁破壊が生じ
るおそれがあるか否かは後述する図4の保護コートの耐
圧特性を考慮して決める。
距離dは、帰還コンデンサ8に加わる高電圧により帰還
コンデンサ8と駆動回路4との間の絶縁破壊が生じるお
それのない十分長い距離にする。なお、絶縁破壊が生じ
るおそれがあるか否かは後述する図4の保護コートの耐
圧特性を考慮して決める。
【0029】また、帰還コンデンサ8をセラミック基板
9の端部(又は縁部)に配置している。これは、帰還コ
ンデンサ8がセラミック基板9の中央付近にあると、距
離dを十分長くした配置を実現する上で、配線が面倒に
なるが、端部なら、距離dを十分長くでき、かつ配線も
容易になるからである。
9の端部(又は縁部)に配置している。これは、帰還コ
ンデンサ8がセラミック基板9の中央付近にあると、距
離dを十分長くした配置を実現する上で、配線が面倒に
なるが、端部なら、距離dを十分長くでき、かつ配線も
容易になるからである。
【0030】次に、帰還コンデンサ8から駆動回路4へ
のノイズの影響をできるだけ無くすために、帰還コンデ
ンサ8に近い位置には低インピーダンスの素子(例え
ば、出力トランジスタ2、3等)を配置し、遠い位置に
は高インピーダンスの素子(例えば、素子群11)を配
置している。これは、低インピーダンスの素子ほどノイ
ズの影響を受けにくいという特性を利用したものであ
る。
のノイズの影響をできるだけ無くすために、帰還コンデ
ンサ8に近い位置には低インピーダンスの素子(例え
ば、出力トランジスタ2、3等)を配置し、遠い位置に
は高インピーダンスの素子(例えば、素子群11)を配
置している。これは、低インピーダンスの素子ほどノイ
ズの影響を受けにくいという特性を利用したものであ
る。
【0031】さらに、セラミック基板9の両面に回路素
子を配置することで(図4参照)、セラミック基板9の
より小型化を図っている。
子を配置することで(図4参照)、セラミック基板9の
より小型化を図っている。
【0032】図4は本実施例の混成集積回路ユニットの
要部縦断面図である。
要部縦断面図である。
【0033】この図において、破線で囲って示される帰
還コンデンサ8は、アルミナ基板(セラミック基板)9
を誘電体12として利用し、両面の導体パターン13の
一部をコンデンサの電極14として形成されている。
還コンデンサ8は、アルミナ基板(セラミック基板)9
を誘電体12として利用し、両面の導体パターン13の
一部をコンデンサの電極14として形成されている。
【0034】アルミナ基板は10KV/mm以上の耐電
圧を有するので、例えば、板厚0.8mmのアルミナ基
板を使用した場合は8KV以上の耐電圧を有するコンデ
ンサを作ることができる。また、2PF程度の容量であ
れば、アルミナ基板の誘電率から、板厚0.8mm程度
の場合、3mm×3mm程度の電極サイズで作ることが
できる。これは、回路基板に形成する上で、大き過ぎる
ことも小さ過ぎることもなく適度なサイズである。
圧を有するので、例えば、板厚0.8mmのアルミナ基
板を使用した場合は8KV以上の耐電圧を有するコンデ
ンサを作ることができる。また、2PF程度の容量であ
れば、アルミナ基板の誘電率から、板厚0.8mm程度
の場合、3mm×3mm程度の電極サイズで作ることが
できる。これは、回路基板に形成する上で、大き過ぎる
ことも小さ過ぎることもなく適度なサイズである。
【0035】このようにしてアルミナ基板9上に導体パ
ターン13の形成と同時に帰還コンデンサ8を作り込む
ことで、実質的に帰還コンデンサの費用をほとんど無く
すことができる。
ターン13の形成と同時に帰還コンデンサ8を作り込む
ことで、実質的に帰還コンデンサの費用をほとんど無く
すことができる。
【0036】アルミナ基板9上に各素子を実装した後
に、その上から例えば、シリコン樹脂の保護コート15
を被覆し、さらにその上に例えば、エポキシ樹脂の外装
コート16を施すことで、このユニットは完成する。前
述したように、保護コート15の耐圧特性を考慮して、
図3に示す距離dは設定される。
に、その上から例えば、シリコン樹脂の保護コート15
を被覆し、さらにその上に例えば、エポキシ樹脂の外装
コート16を施すことで、このユニットは完成する。前
述したように、保護コート15の耐圧特性を考慮して、
図3に示す距離dは設定される。
【0037】
【発明の効果】本発明の第1の側面によれば、セラミッ
ク基板上に駆動回路の導体パターンを形成する際に同時
に帰還コンデンサを形成するから、市販されている高価
な高耐電圧コンデンサを必要とせず、低コスト化を図る
ことができる。
ク基板上に駆動回路の導体パターンを形成する際に同時
に帰還コンデンサを形成するから、市販されている高価
な高耐電圧コンデンサを必要とせず、低コスト化を図る
ことができる。
【0038】本発明の第2の側面によれば、帰還コンデ
ンサに加わる高電圧による絶縁破壊を防止することがで
きる。
ンサに加わる高電圧による絶縁破壊を防止することがで
きる。
【0039】本発明の第3の側面によれば、簡単な配線
で帰還コンデンサを含めたレイアウトを設計することが
できる。
で帰還コンデンサを含めたレイアウトを設計することが
できる。
【0040】本発明の第4の側面によれば、回路の小型
化を図ることができる。
化を図ることができる。
【0041】本発明の第5の側面によれば、帰還コンデ
ンサからのノイズの影響を抑えることができる。
ンサからのノイズの影響を抑えることができる。
【図1】圧電トランスを用いた高電圧発生回路の一例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図2】本発明の一実施例に係る高電圧発生装置の外観
斜視図である。
斜視図である。
【図3】同実施例のセラミック基板の外観斜視図であ
る。
る。
【図4】同実施例の混成集積回路ユニットの要部縦断面
図である。
図である。
1 IC 2、3 出力トランジスタ 4 駆動回路 5 圧電トランス 8 帰還コンデンサ 9 セラミック基板 13 導体パターン 14 電極
Claims (5)
- 【請求項1】 圧電トランスの駆動回路において、セラ
ミック基板上に形成され、前記圧電トランスから出力さ
れる交流高電圧を帰還する高耐圧の帰還コンデンサを有
し、この帰還コンデンサが前記セラミック基板とその両
面に形成されたパターン電極よりなることを特徴とする
圧電トランス駆動回路。 - 【請求項2】 請求項1において、前記帰還コンデンサ
と前記駆動回路の他の回路素子間の距離は、前記帰還コ
ンデンサに加わる高電圧による絶縁破壊のおそれのない
十分な長い距離であることを特徴とする圧電トランス駆
動回路。 - 【請求項3】 請求項2において、前記帰還コンデンサ
が、前記セラミック基板の端部に配置されていることを
特徴とする圧電トランス駆動回路。 - 【請求項4】 請求項1において、前記セラミック基板
の両面に前記駆動回路の他の回路素子が配置されている
ことを特徴とする圧電トランス駆動回路。 - 【請求項5】 請求項1において、前記駆動回路の前記
帰還コンデンサ以外の回路素子のうち、前記帰還コンデ
ンサに対して、より近くに配置される回路素子は、低イ
ンピーダンスの素子であることを特徴とする圧電トラン
ス駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7034598A JPH08214566A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 圧電トランス駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7034598A JPH08214566A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 圧電トランス駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08214566A true JPH08214566A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12418790
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7034598A Pending JPH08214566A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 圧電トランス駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08214566A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013172462A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Yokogawa Electric Corp | 圧電トランスを用いた電源装置 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP7034598A patent/JPH08214566A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013172462A (ja) * | 2012-02-17 | 2013-09-02 | Yokogawa Electric Corp | 圧電トランスを用いた電源装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100522221B1 (ko) | 압전 트랜스의 구동 회로, 냉음극관 발광 장치, 액정 패널및 액정 패널 장착 기기 | |
US6794796B2 (en) | Piezoelectric transformer, piezoelectric transformer drive circuit, piezoelectric transformer drive method and cold cathode tube drive apparatus using piezoelectric transformer | |
GB2075298A (en) | High voltage high frequency amplifier | |
US6862196B2 (en) | Integrated switch with RF transformer control | |
JPH1012939A (ja) | 圧電トランスおよび圧電トランス電源 | |
JPH01125881A (ja) | 自動共振圧電変成器信号結合器 | |
JPH08214566A (ja) | 圧電トランス駆動回路 | |
JPH1187793A (ja) | 圧電トランス及び電源装置 | |
US11431264B2 (en) | Electrical converter | |
JP3508098B2 (ja) | コンバータ回路 | |
JP3730137B2 (ja) | 電力変換装置 | |
US7852167B2 (en) | Third overtone crystal oscillator | |
TW200417098A (en) | High-frequency superposing module for driving laser diode | |
US7202592B2 (en) | Piezoelectric transformer, power supply circuit and lighting unit using the same | |
JP2001275343A (ja) | 圧電トランス、圧電トランスの駆動回路、圧電トランスの駆動方法及び、圧電トランスを用いた冷陰極管駆動装置 | |
JPS6141221A (ja) | 誘導負荷に電流をスイツチする回路配列 | |
JPH10127059A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2006508579A (ja) | 電圧電源ラインから高周波信号をデカップリングするデカップリングモジュール | |
JPH11204235A (ja) | 高電圧発生装置 | |
US6304154B1 (en) | Circuit arrangement including a self-oscillator circuit | |
JP2000114614A (ja) | 積層型圧電トランス | |
JP3189548B2 (ja) | 高電圧発生装置 | |
JPH0642397Y2 (ja) | 放電灯用インバータ装置のシールド構造 | |
JPH07261514A (ja) | 帰還回路用コンデンサ内蔵コロナ放電器 | |
JPH05144582A (ja) | 無電極放電灯点灯装置 |