JPH08213642A - Solar cell - Google Patents
Solar cellInfo
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- JPH08213642A JPH08213642A JP7014615A JP1461595A JPH08213642A JP H08213642 A JPH08213642 A JP H08213642A JP 7014615 A JP7014615 A JP 7014615A JP 1461595 A JP1461595 A JP 1461595A JP H08213642 A JPH08213642 A JP H08213642A
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体のｐｎ接合を利
用した太陽電池、特に変換効率が向上できる構成に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell using a semiconductor pn junction, and more particularly to a structure capable of improving conversion efficiency.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、各種の太陽電池が知られてお
り、半導体技術の進歩に伴い、比較的安価、小型のもの
が開発され、各種装置の電源として広く利用されてい
る。この太陽電池においては、いかにして多くの入射光
を得るか、入射光をいかに効率よく電力に変換するかと
いうことが重要な課題である。2. Description of the Related Art Conventionally, various kinds of solar cells have been known, and relatively inexpensive and small ones have been developed with the progress of semiconductor technology and are widely used as a power source for various devices. In this solar cell, how to obtain a large amount of incident light and how to efficiently convert the incident light into electric power are important issues.
【０００３】まず、入射光量を多くするためには、表面
（光が入射してくる受光面）に光の入射を遮るものを配
置しないことが考えられる。そこで、電極をすべて裏面
側に設け、受光面積を大きくすることが好ましい。次
に、光の入射によって発生した正負キャリア（正孔およ
び電子）が電極に移動する過程で再結合（発生したキャ
リアが結晶欠陥において他極性のキャリアと結合してし
まい消滅するいわゆるオージェ再結合）を起こさないよ
うに、電極までの距離を小さくすることが考えられる。
そこで、基板を薄肉構造にすることが好ましい。First, in order to increase the amount of incident light, it is conceivable to dispose nothing that blocks the incidence of light on the surface (light receiving surface on which light is incident). Therefore, it is preferable to provide all the electrodes on the back surface side to increase the light receiving area. Next, the positive and negative carriers (holes and electrons) generated by the incidence of light are recombined in the process of moving to the electrode (the so-called Auger recombination, in which the generated carriers are combined with other polar carriers in crystal defects and disappear). It is conceivable to reduce the distance to the electrode so that the above phenomenon does not occur.
Therefore, it is preferable that the substrate has a thin structure.
【０００４】特開平３−１６５５７８号公報では、電極
を裏面側に設けると共に、基板を薄肉構造とすることが
示されている。特に、この特開平３−１６５５７８号公
報の装置では、基板に薄肉部と厚肉部を設けることによ
って、基板の全体としての強度の低下を防止している。Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-165578 discloses that electrodes are provided on the back side and the substrate has a thin structure. In particular, in the device disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-165578, the strength of the substrate as a whole is prevented from decreasing by providing the substrate with a thin portion and a thick portion.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ここで、太陽光には、
広範囲の波長の光が含まれている。このため、なるべく
広範囲の波長の光を吸収して電力に変換することが望ま
しい。従来の太陽電池では、一般にエネルギーの大きな
短波長側の光を光電変換することを目的としており、長
波長側の光も効率的に光電変換することは考えられてい
なかった。Here, in the sunlight,
It contains a wide range of wavelengths of light. Therefore, it is desirable to absorb light in a wavelength range as wide as possible and convert it into electric power. Conventional solar cells generally aim to photoelectrically convert light on the short wavelength side, which has large energy, and it has not been considered to efficiently photoelectrically convert light on the long wavelength side.
【０００６】長波長側の光は、エネルギーレベルが低い
ため、バンドギャップの低い基板が望ましい。そして、
バンドギャップを低くするためには、不純物濃度を増加
することになる。しかし、基板の不純物濃度を高くする
と、基板中の結晶欠陥が増加しキャリアの再結合が増加
し、効率が低下してしまう。そこで、基板中の不純物濃
度はそれほど低くすることができず、結局長波長側の光
を十分に光電変換できないという問題点があった。Since the light on the long wavelength side has a low energy level, a substrate having a narrow band gap is desirable. And
To reduce the band gap, the impurity concentration is increased. However, if the impurity concentration of the substrate is increased, crystal defects in the substrate increase, carrier recombination increases, and efficiency decreases. Therefore, there has been a problem that the impurity concentration in the substrate cannot be lowered so much that light on the long wavelength side cannot be sufficiently photoelectrically converted.
【０００７】本発明は、短波長側のみならず長波長側の
光について効率よく光電変換することができる太陽電池
を提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a solar cell capable of efficiently photoelectrically converting not only light on the short wavelength side but also light on the long wavelength side.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明は、ｐ型基板に対
して、正極となるｐ拡散層と、負極となるｎ拡散層とを
形成した太陽電池において、前記ｐ型基板は、薄肉部と
厚肉部とを有し、薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層が形
成され、厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純物濃
度の高い高濃度ｐ拡散層が構成されていることを特徴と
する。The present invention is a solar cell in which a p-type substrate is provided with a p-diffusion layer serving as a positive electrode and an n-diffusion layer serving as a negative electrode, wherein the p-type substrate is a thin portion. And a thick portion, the p diffusion layer is formed on the back surface side of the thin portion, and a high concentration p diffusion layer having a higher impurity concentration than the p diffusion layer is formed on the back surface side of the thick portion. It is characterized by being
【０００９】また、本発明は、ｐ型基板に対して、正極
となるｐ拡散層と、負極となるｎ拡散層とを形成した太
陽電池において、前記ｐ型基板は薄肉部と厚肉部を有
し、薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層と前記ｎ拡散層と
が形成され、厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純
物濃度の高い高濃度ｐ拡散層と、前記ｎ拡散層より不純
物濃度が高い高濃度ｎ拡散層とが形成されていることを
特徴とする。Further, according to the present invention, in a solar cell in which a p-type substrate has a p-diffusion layer serving as a positive electrode and an n-diffusion layer serving as a negative electrode, the p-type substrate has a thin portion and a thick portion. And the p diffusion layer and the n diffusion layer are formed on the back surface side of the thin portion, the high concentration p diffusion layer having a higher impurity concentration than the p diffusion layer on the back surface side of the thick portion, and the n diffusion layer. A high-concentration n diffusion layer having an impurity concentration higher than that of the diffusion layer is formed.
【００１０】また、本発明は、前記ｐ型基板の薄肉部は
高抵抗基板で形成され、厚肉部は表面側に設けられ薄肉
部を形成する高抵抗基板を延長して形成された高抵抗部
分と、この高抵抗部分の裏面側に接合された低抵抗基板
を含むことを特徴とする。Further, according to the present invention, the thin portion of the p-type substrate is formed of a high resistance substrate, and the thick portion is formed by extending the high resistance substrate which is provided on the front surface side and forms the thin portion. It is characterized by including a portion and a low resistance substrate bonded to the back surface side of the high resistance portion.
【００１１】[0011]
【作用】一般的に長波長の光は、基板の深い場所で吸収
される。そして、長波長の光は、そのエネルギーが小さ
い。このため、通常の高抵抗（低不純物濃度）のシリコ
ン基板であれば、１１２０ｎｍ以上の長波長の光では、
そのエネルギーがバンドギャップ以下であり、正負キャ
リアが発生しない。In general, long wavelength light is absorbed deep in the substrate. The energy of long-wavelength light is small. Therefore, in the case of a normal silicon substrate having a high resistance (low impurity concentration), with light having a long wavelength of 1120 nm or more,
The energy is below the band gap, and positive and negative carriers are not generated.
【００１２】ところが、本発明によれば、厚肉部の裏面
側に高濃度ｐ拡散層を有している。そこで、ここでのバ
ンドギャップが小さくなっており、今まで利用できなか
った長波長の光によっても正負キャリアが発生し、効果
的な光電変換が行われる。However, according to the present invention, the high-concentration p diffusion layer is provided on the back surface side of the thick portion. Therefore, the band gap here is small, and positive and negative carriers are generated even by long-wavelength light that has been unusable until now, and effective photoelectric conversion is performed.
【００１３】また、次の発明によれば、厚肉部の裏面側
に高濃度ｐ拡散層の他に、高濃度ｎ拡散層を有してい
る。従って、この高濃度ｎ拡散層においてもバンドギャ
ップが小さくなり、ここで正負キャリアが発生する。そ
して、高濃度ｐ拡散層と高濃度ｎ拡散層は共に厚肉部の
裏面側にあるため、両者の距離は小さく、キャリアの移
動距離を小さくでき、再結合によるキャリアの消滅を減
少してさらに効果的な光電変換を行うことができる。According to the next invention, the high-concentration n diffusion layer is provided on the back surface side of the thick portion in addition to the high-concentration p diffusion layer. Therefore, the bandgap also becomes small in this high-concentration n diffusion layer, and positive and negative carriers are generated here. Since both the high-concentration p diffusion layer and the high-concentration n diffusion layer are on the back surface side of the thick portion, the distance between them is small, the carrier moving distance can be shortened, and the disappearance of carriers due to recombination can be reduced. Effective photoelectric conversion can be performed.
【００１４】さらに次の発明によれば、厚肉部が高抵抗
基板と低抵抗基板の接合によって構成されている。そし
て、低抵抗基板により、高濃度ｐ拡散層を形成する。低
抵抗基板は、その基板の形成段階で、不純物を含ませら
れるため、高濃度のｐ拡散層と同様の不純物濃度であっ
ても比較的欠陥を少なくして、この領域の厚さを大きく
できる。そこで、長波長の光をより多く、光電変換する
ことができ、また再結合を抑制することができる。従っ
て、さらに効率的な光電変換を行うことができる。According to the next invention, the thick portion is formed by joining the high resistance substrate and the low resistance substrate. Then, a high-concentration p diffusion layer is formed by the low resistance substrate. Since the low resistance substrate can contain impurities at the stage of forming the substrate, defects can be relatively reduced and the thickness of this region can be increased even if the impurity concentration is the same as that of the high concentration p diffusion layer. . Therefore, a larger amount of long-wavelength light can be photoelectrically converted, and recombination can be suppressed. Therefore, more efficient photoelectric conversion can be performed.
【００１５】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面に基づ
いて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１６】「第１実施例」図１は、第１実施例の構成
を示す図であり、太陽電池の１つのソーラーセルを構成
している。通常の太陽電池は、このようなソーラーセル
を複数（例えば、５０〜８０）設け、これらを適宜接続
して、所望の出力を得る。[First Embodiment] FIG. 1 is a view showing the arrangement of the first embodiment, which constitutes one solar cell of a solar cell. A normal solar cell is provided with a plurality of such solar cells (for example, 50 to 80), and these are appropriately connected to obtain a desired output.
【００１７】図１に示すように、ｐ型基板１は、その裏
面側の中央部が裏面側から見てＶ溝状に切り欠かれ、中
央部の薄肉部１ａと、周辺部の厚肉部１ｂとから形成さ
れている。そして、ｐ型基板１の表面の薄肉部１ａより
やや広めの領域は、ピラミッド型のテクスチャー構造３
となっており、このテクスチャー構造３の表層部に電子
を収集するｎ＋拡散層２が形成されている。また、薄肉
部１ａの裏面側には正孔を収集するｐ＋拡散層４が形成
されている。そして、表面側のｎ＋拡散層２の周辺部上
には、負極５が設けられ、裏面側のｐ＋拡散層４上に
は、正極６が設けられている。As shown in FIG. 1, in the p-type substrate 1, the central portion on the back surface side is cut out in a V-groove shape when viewed from the rear surface side, and the thin portion 1a at the central portion and the thick portion at the peripheral portion are formed. 1b and. A region slightly wider than the thin portion 1a on the surface of the p-type substrate 1 has a pyramidal texture structure 3
The n + diffusion layer 2 for collecting electrons is formed on the surface layer of the texture structure 3. A p + diffusion layer 4 that collects holes is formed on the back surface side of the thin portion 1a. A negative electrode 5 is provided on the peripheral portion of the n + diffusion layer 2 on the front surface side, and a positive electrode 6 is provided on the p + diffusion layer 4 on the rear surface side.
【００１８】そして、本実施例においては、厚肉部の裏
面側表面部に、ｐ＋＋拡散層１１が設けられ、このｐ＋
＋拡散層１１の上に正極１２が設けられている。In the present embodiment, the p ++ diffusion layer 11 is provided on the back surface side of the thick portion, and this p +
The positive electrode 12 is provided on the + diffusion layer 11.
【００１９】なお、ｐ型基板１はシリコン単結晶によっ
て形成されており、ｐ型の不純物としては、ボロン
（Ｂ）、アルミ等が用いられ、ｎ型の不純物としてはリ
ン（Ｐ）が用いられる。また、この不純物の拡散には、
通常熱拡散が利用される。負極５、正極６は、通常アル
ミで形成され、フォトリソグラフやスクリーン印刷法等
によって、パターニングされる。なお、アルミ電極の形
成によって、ｐ型の不純物拡散を行ってもよい。さら
に、ｐ型基板１の裏面側のＶ溝は、シリコン基板に対し
て用いられる通常のエッチング（湿式でも乾式でもよ
い）が用いられる。The p-type substrate 1 is formed of a silicon single crystal, boron (B), aluminum or the like is used as the p-type impurity, and phosphorus (P) is used as the n-type impurity. . In addition, for the diffusion of this impurity,
Usually thermal diffusion is used. The negative electrode 5 and the positive electrode 6 are usually formed of aluminum and patterned by photolithography, screen printing, or the like. Note that p-type impurity diffusion may be performed by forming an aluminum electrode. Further, the V groove on the back surface side of the p-type substrate 1 is formed by the usual etching (wet type or dry type) used for a silicon substrate.
【００２０】また、ｐ型基板１は、不純物濃度が１×１
０15〜１×１０16ｃｍ-3程度と低く、比抵抗が１０〜３
０Ωｃｍ程度と比較的高抵抗（高キャリアライフタイム
数１００〜１０００μｓｅｃ程度）のものが用いられ
る。また、トータルの再結合量を減少するためには、照
射光を吸収できる範囲で、ｐ型基板１の厚みをできるだ
け薄くしたい。本実施例では、薄肉部１ａの厚みを５０
〜１００μｍとしている。さらに、厚肉部１ｂの厚み
は、単結晶シリコンウエハの製造の限界である２００〜
３００μｍとしている。このように、厚肉部１ｂの厚み
を大きくすることによって、太陽電池の全体構成として
の強度を十分なものとしている。特に、通常のシリコン
ウエハをベースにして、プロセスを構成するため、この
際に厚みの大きい厚肉部１ｂが補強になり、歩留まりの
高いプロセスを達成することができる。また、薄肉部１
ａの裏面が放熱用のフィンの役割を果たすため、放熱効
果の高い太陽電池（ソーラーセル）を得ることができ、
より低温で効率の良い動作が可能となる。The p-type substrate 1 has an impurity concentration of 1 × 1.
It is as low as 0 15 -1 × 10 16 cm -3 and has a specific resistance of 10-3.
A relatively high resistance of about 0 Ωcm (high carrier lifetime number of about 100 to 1000 μsec) is used. In addition, in order to reduce the total recombination amount, it is desirable to make the thickness of the p-type substrate 1 as thin as possible within the range in which the irradiation light can be absorbed. In this embodiment, the thin portion 1a has a thickness of 50.
˜100 μm. Further, the thickness of the thick portion 1b is 200 to 200, which is the limit of manufacturing a single crystal silicon wafer.
It is set to 300 μm. By thus increasing the thickness of the thick portion 1b, the strength of the entire structure of the solar cell is made sufficient. In particular, since the process is configured on the basis of an ordinary silicon wafer, the thick portion 1b having a large thickness serves as a reinforcement at this time, and a process with a high yield can be achieved. Also, the thin portion 1
Since the back surface of a functions as a fin for heat dissipation, it is possible to obtain a solar cell (solar cell) having a high heat dissipation effect.
Efficient operation becomes possible at lower temperatures.
【００２１】そして、本実施例では、ｐ＋＋拡散層１１
は、表面不純物濃度が１×１０20ｃｍ-3以上となるよう
に、比較的高濃度とし、その深さを５〜２０μｍとして
いる。一方、ｐ＋拡散層４は、表面不純物濃度が１×１
０18〜１×１０19ｃｍ-3程度、深さ１〜３μｍ程度に形
成される。In the present embodiment, the p ++ diffusion layer 11
Has a relatively high concentration so that the surface impurity concentration is 1 × 10 20 cm −3 or more, and the depth thereof is 5 to 20 μm. On the other hand, the p + diffusion layer 4 has a surface impurity concentration of 1 × 1.
It is formed to have a depth of about 0 18 to 1 × 10 19 cm −3 and a depth of about 1 to 3 μm.
【００２２】このような太陽電池において、表面側から
光が入射すると、ｐ型基板１内で正負キャリアが発生
し、ｐ型基板１内の電界に応じて、電子がｎ＋拡散層
２、正孔がｐ＋拡散層４およびｐ＋＋拡散層１１に至
り、負極５と、正極６、１２から出力が得られる。In such a solar cell, when light is incident from the surface side, positive and negative carriers are generated in the p-type substrate 1, and electrons are n + diffusion layer 2 and holes in accordance with the electric field in the p-type substrate 1. Reach the p + diffusion layer 4 and the p ++ diffusion layer 11, and outputs are obtained from the negative electrode 5 and the positive electrodes 6 and 12.
【００２３】ここで、図２に示されるように、ｐ型基板
１内で吸収される光は、その波長に応じて吸収される深
さが異なる。すなわち、短波長側の光は浅いところで吸
収され、長波長側の光は深いところで吸収される。本実
施例では、薄肉部１ａで短波長側の光が吸収され、厚肉
部１ｂで長波長側の光が吸収されることになる。Here, as shown in FIG. 2, the light absorbed in the p-type substrate 1 has a different absorption depth depending on its wavelength. That is, the light on the short wavelength side is absorbed at a shallow depth, and the light on the long wavelength side is absorbed at a deep depth. In this embodiment, the thin portion 1a absorbs light on the short wavelength side, and the thick portion 1b absorbs light on the long wavelength side.
【００２４】また、本実施例の太陽電池は、特に集光型
のソーラーセルに好適であり、この場合には、セルの上
方に集光レンズが設けられる。そして、集光レンズに入
射した光が例えば１００倍程度に集光されてセルに照射
される。ここで、昼間の光は比較的短波長が多く、朝夕
の光は長波長が多いことが知られている。そして、太陽
電池を太陽に向くように太陽電池の表面の向きを追従さ
せたとしても、正面から入射してくる光は短波長の光を
多く含み、長波長の光は斜めから入射してくる確率が高
くなる。従って、これを集光した場合に、セルの周辺部
分に長波長側の光が多く入射し、中央部に短波長側の光
が多く入射することになる。The solar cell of this embodiment is particularly suitable for a concentrating solar cell, and in this case, a condensing lens is provided above the cell. Then, the light that has entered the condenser lens is condensed by, for example, about 100 times, and is applied to the cell. It is known that light in the daytime has a relatively short wavelength and light in the morning and evening has a long wavelength. And, even if the solar cell is made to follow the direction of the surface of the solar cell so as to face the sun, the light incident from the front includes a large amount of short wavelength light, and the long wavelength light is incident obliquely. The probability increases. Therefore, when this light is condensed, a large amount of light on the long wavelength side enters the peripheral portion of the cell and a large amount of light on the short wavelength side enters the central portion.
【００２５】本実施例では、中央側に薄肉部１ａ、周辺
側に厚肉部１ｂを配置しているため、短波長側の光を薄
肉部１ａ、長波長側の光を厚肉部で受入れ、効果的に吸
収することができる。そして、薄肉部１ａで吸収された
光により正負キャリアが発生し、電子がｎ＋拡散層２、
正孔がｐ＋拡散層４に収集される。In this embodiment, since the thin portion 1a is arranged on the center side and the thick portion 1b is arranged on the peripheral side, the short wavelength light is received by the thin portion 1a and the long wavelength light is received by the thick portion. , Can be effectively absorbed. Then, positive and negative carriers are generated by the light absorbed in the thin portion 1a, and electrons are n + diffusion layer 2,
The holes are collected in the p + diffusion layer 4.
【００２６】ｐ型基板１は、低不純物濃度であり、再結
合が少なく、また薄肉部１ａでは、キャリアの移動距離
が少なくてよいため、オージェ再結合を防止できる。そ
して、厚みが小さいため、内部抵抗を小さく保って効果
的な光電変換が行われる。Since the p-type substrate 1 has a low impurity concentration and little recombination, and the thin-walled portion 1a may have a small carrier movement distance, Auger recombination can be prevented. Since the thickness is small, the internal resistance is kept small and effective photoelectric conversion is performed.
【００２７】一方、厚肉部１ｂには、長波長側の光が入
射する。そこで、ｐ型基板１のかなり深いところで吸収
され、正負キャリアが発生する。ここで、厚肉部１ｂの
裏面側には、５〜２０μｍの厚みで、ｐ＋＋拡散層１１
が形成されている。そして、正負キャリアの多くは、こ
のｐ＋＋拡散層１１において発生する。On the other hand, the long wavelength light is incident on the thick portion 1b. Therefore, the p-type substrate 1 is absorbed at a considerably deep position, and positive and negative carriers are generated. Here, on the back surface side of the thick portion 1b, the p ++ diffusion layer 11 has a thickness of 5 to 20 μm.
Are formed. Most of the positive and negative carriers are generated in this p ++ diffusion layer 11.
【００２８】また、シリコン結晶におけるバンドギャッ
プは、ここに含まれる不純物濃度によって変化する。す
なわち、図３、４に示すように、不純物濃度が高くなる
と、バンドギャップが小さくなる。図３は、ｎ型の不純
物（ドナー）濃度とバンドギャップの低下（縮小）の関
係を示したものであり、図４はｐ型の不純物（アクセプ
ター）濃度とバンドギャップの低下（縮小）の関係を示
したものである。ｐ型基板１の場合、図４に示すように
アクセプター濃度（ボロン、アルミ等の不純物の濃度に
比例するキャリア濃度）が大きくなるに従って、バンド
ギャップが小さくなる。The band gap of the silicon crystal changes depending on the concentration of impurities contained therein. That is, as shown in FIGS. 3 and 4, the band gap becomes smaller as the impurity concentration becomes higher. FIG. 3 shows the relationship between the n-type impurity (donor) concentration and the band gap decrease (reduction), and FIG. 4 shows the relationship between the p-type impurity (acceptor) concentration and the band gap decrease (reduction). Is shown. In the case of the p-type substrate 1, as shown in FIG. 4, the band gap decreases as the acceptor concentration (carrier concentration proportional to the concentration of impurities such as boron and aluminum) increases.
【００２９】このため、正負キャリアの電離を起こさせ
るために必要なエネルギーがｐ＋＋拡散層１１において
は、小さくなり、長波長の光によっても、正負キャリア
が生じることになる。すなわち、ｐ型基板１内では１１
２０ｎｍ以下の光しか電離を起こすことができなかった
のに対し、ｐ＋＋拡散層１１内では、これ以上の長波長
の光によっても電離によるキャリア発生が起こる。Therefore, the energy required to cause the ionization of the positive and negative carriers is small in the p ++ diffusion layer 11, and the positive and negative carriers are generated even by the light of long wavelength. That is, in the p-type substrate 1, 11
While only light having a wavelength of 20 nm or less can be ionized, carriers in the p ++ diffusion layer 11 are generated by ionization even by light having a longer wavelength.
【００３０】本実施例の構造を用い、分光感度特性を調
べた結果を図５に示す。このように、本実施例の太陽電
池により、長波長側の光の吸収が大きくなっていること
が理解される。なお、分光感度は、単位出力当りに換算
した出力電流（短絡電流（Ａ／Ｗ））を示している。FIG. 5 shows the results of investigating the spectral sensitivity characteristics using the structure of this embodiment. As described above, it is understood that the solar cell of this example has a large absorption of light on the long wavelength side. The spectral sensitivity indicates the output current (short-circuit current (A / W)) converted per unit output.
【００３１】このように、本実施例によれば、ｐ型基板
１に比べ高不純物濃度のｐ＋＋拡散層１１を厚肉部１ｂ
の裏面側に設けたためここにおいて、長波長側の光を吸
収し、光電変換を行うことができる。特に、厚肉部１ｂ
は、セルの周辺部分に配置されており、集光型の太陽電
池では、周辺部に朝夕の長波長の光が入射しやすいた
め、本実施例により、非常に効果的な光電変換が行え
る。As described above, according to this embodiment, the p ++ diffusion layer 11 having a higher impurity concentration than the p-type substrate 1 is provided in the thick portion 1b.
Since it is provided on the back surface side, it is possible to absorb light on the long wavelength side and perform photoelectric conversion here. In particular, the thick portion 1b
Are arranged in the peripheral portion of the cell, and in the concentrating solar cell, light having long wavelengths in the morning and evening is likely to enter the peripheral portion. Therefore, according to the present embodiment, very effective photoelectric conversion can be performed.
【００３２】さらに、昼間の短波長の光は、中央部分の
薄肉部１ａに入射し、ここで光電変換される。薄肉部１
ａでは、キャリアの移動距離は短く、かつｐ型基板１の
不純物濃度は比較的小さいため、ここでのキャリアのオ
ージェ再結合は少なく（キャリアライフタイムが大き
い）、効率的に光電変換が行われる。また、セルの中央
部分の表面はテクスチャー構造３となっており、ここに
おいて光の封じ込め効果が高く、さらに負極５は、この
テクスチャー構造３の周辺に設けられているため、ここ
における受光の妨げにならない。また、厚肉部１ｂに光
が入射し、比較的浅い部分でキャリアが生じた場合に
も、その部分は、低不純物濃度であり、キャリアライフ
タイムが大きいため、効率的な光電変換が行われる。Further, the light of short wavelength in the daytime is incident on the thin portion 1a in the central portion and is photoelectrically converted there. Thin part 1
In the case of a, the carrier migration distance is short and the impurity concentration of the p-type substrate 1 is relatively small. Therefore, Auger recombination of carriers here is small (carrier lifetime is large), and photoelectric conversion is efficiently performed. . In addition, the surface of the central portion of the cell has the texture structure 3, which has a high light confinement effect, and since the negative electrode 5 is provided around the texture structure 3, it interferes with light reception here. I won't. Further, even when light is incident on the thick portion 1b and carriers are generated at a relatively shallow portion, that portion has a low impurity concentration and a long carrier lifetime, so that efficient photoelectric conversion is performed. .
【００３３】「第２実施例」図６に、第２実施例の構成
を示す。この実施例では、裏面から形成するＶ溝の数が
３つと第１実施例に比べ多くなっている。そして、各薄
肉部１ａの裏面側にｐ＋拡散層４が設けられ、各厚肉部
１ｂの裏面側にｐ＋＋拡散層１１が設けられている。こ
れによって、ｎ＋拡散層２中における正孔の移動距離を
低減することができ、ここにおけるキャリアの再結合を
防止して光電変換効率を上昇することができる。[Second Embodiment] FIG. 6 shows the configuration of the second embodiment. In this embodiment, the number of V grooves formed from the back surface is three, which is larger than that in the first embodiment. Then, the p + diffusion layer 4 is provided on the back surface side of each thin portion 1a, and the p ++ diffusion layer 11 is provided on the back surface side of each thick portion 1b. As a result, the migration distance of holes in the n + diffusion layer 2 can be reduced, the recombination of carriers there can be prevented, and the photoelectric conversion efficiency can be increased.
【００３４】「第３実施例」図７に、第３実施例の構成
を示す。この実施例では正負電極をすべて裏面側に配置
していると共に、ｎ＋＋拡散層を設けている。すなわ
ち、中央部の裏面側に設けら得たＶ溝の頂部（薄肉部１
ａの裏面側）には、ｐ＋拡散層４と、ｎ＋拡散層２が並
んで設けられている。そして、これらｐ＋拡散層４，ｎ
＋拡散層２上に正極６、負極５がそれぞれ設けられてい
る。[Third Embodiment] FIG. 7 shows the configuration of the third embodiment. In this embodiment, all the positive and negative electrodes are arranged on the back surface side, and an n ++ diffusion layer is provided. That is, the top of the V groove (thin portion 1
A p + diffusion layer 4 and an n + diffusion layer 2 are provided side by side on the back surface side of a). Then, these p + diffusion layers 4, n
A positive electrode 6 and a negative electrode 5 are provided on the + diffusion layer 2, respectively.
【００３５】そして、厚肉部１ｂの裏面側には、ｐ＋＋
拡散層１１を介し正極１２が設けられていると共に、ｎ
＋＋拡散層１３を介し負極１４が設けられている。この
ｎ＋＋拡散層１４は、例えばＰＯＣｌ3 ソースを用いた
リン（Ｐ）の拡散によって形成し、表面不純物濃度５×
１０19〜２×１０20ｃｍ-3程度、深さ１〜３μｍ程度と
する。なお、ｎ＋拡散層２は、表面不純物濃度５×１０
18〜３×１０19ｃｍ-3、深さ０．３〜０．５μｍ程度と
する。On the back surface side of the thick portion 1b, p ++
The positive electrode 12 is provided via the diffusion layer 11, and n
The negative electrode 14 is provided via the ++ diffusion layer 13. The n ++ diffusion layer 14 is formed by, for example, diffusion of phosphorus (P) using a POCl 3 source, and has a surface impurity concentration of 5 ×.
The depth is about 10 19 to 2 × 10 20 cm −3 and the depth is about 1 to 3 μm. The n + diffusion layer 2 has a surface impurity concentration of 5 × 10 5.
18 to 3 × 10 19 cm −3 and a depth of 0.3 to 0.5 μm.
【００３６】このように、本実施例では、裏面側にｎ＋
＋拡散層１４を設けている。このようなｎ型の不純物を
高濃度に含む領域においては、図３に示すようにバンド
ギャップが小さい。このため、ここにおいて、長波長側
の光を効率的に吸収し、キャリアが発生される。そし
て、ｎ＋＋拡散層１３で発生した正孔は、隣のｐ＋＋拡
散層１１に移動すればよく、反対にｐ＋＋拡散層１１で
発生した電子は、隣のｎ＋＋拡散層１３に移動すればよ
い。従って、従来表面のｎ＋拡散層２まで（数１０〜数
１００μｍ）移動していた電子が、隣のｎ＋＋拡散層１
３まで移動すればよくなり、キャリアの移動距離が小さ
くなる。そこで、キャリア再結合の可能性を低くして光
電変換効率を上昇することができる。また、電極がすべ
て裏面側に配置されるため受光面積を大きくすることが
できるという効果も得られる。なお、ｎ＋＋拡散層１
３、ｐ＋＋拡散層１１の深さを大きくすると、それだけ
長波長側の光の吸収を多くできるが、ここにおけるオー
ジェ再結合の発生確率が大きくなってしまう。As described above, in this embodiment, n + is provided on the back surface side.
A + diffusion layer 14 is provided. In a region containing such an n-type impurity at a high concentration, the band gap is small as shown in FIG. Therefore, here, light on the long wavelength side is efficiently absorbed and carriers are generated. Then, holes generated in the n ++ diffusion layer 13 may move to the adjacent p ++ diffusion layer 11, and conversely, electrons generated in the p ++ diffusion layer 11 may move to the adjacent n ++ diffusion layer 13. Therefore, the electrons that have conventionally moved to the n + diffusion layer 2 (several tens to several hundreds of μm) on the surface of the n + diffusion layer 1 next to
It is sufficient to move up to 3 and the moving distance of the carrier becomes small. Therefore, it is possible to increase the photoelectric conversion efficiency by reducing the possibility of carrier recombination. In addition, since all the electrodes are arranged on the back surface side, the light receiving area can be increased. The n ++ diffusion layer 1
3. Increasing the depth of the p ++ diffusion layer 11 increases the absorption of light on the long wavelength side, but the probability of Auger recombination here increases.
【００３７】さらに、図８に示すように、Ｖ溝を２カ所
（２以上でもよい）形成し、薄肉部１ａの裏面側にｎ＋
拡散層１と、ｐ＋拡散層４を交互に設け、また厚肉部１
ｂの裏面側にｎ＋＋拡散層１３と、ｐ＋＋拡散層１１を
交互に設けるとよい。このようにして、太陽電池全体と
しての光電変換効率を上昇することができる。Further, as shown in FIG. 8, V grooves are formed at two positions (two or more may be provided), and n + is formed on the back surface side of the thin portion 1a.
The diffusion layers 1 and the p + diffusion layers 4 are alternately provided, and the thick portion 1
It is preferable to alternately provide the n ++ diffusion layers 13 and the p ++ diffusion layers 11 on the back surface side of b. In this way, the photoelectric conversion efficiency of the solar cell as a whole can be increased.
【００３８】「第４実施例」図９に、第４実施例の要部
構成を示す。この第４実施例は、上述の第３実施例と全
体構成は同一であるが、ｎ＋＋拡散層１３がｐ＋＋拡散
層１１内に設けられている。すなわち、ｐ＋＋拡散層１
１は、厚肉部１ｂの裏面側全体に形成され、その内部に
ｎ＋＋拡散層１３が設けられている。このような構成に
すると、ｐ＋＋拡散層１１とｎ＋＋拡散層１３とでｐｎ
接合が形成される。従って、ここにおける拡散電位を大
きくでき、これによって正極１２、負極１４間に得られ
る出力電圧を大きくできる。すなわち、ｎ＋＋拡散層１
３が、ｐ型基板と接している上述の第３実施例では、ｐ
ｎ接合はｐ型基板１とｎ＋＋拡散層１３で形成されてお
り、ｐ型基板におけるアクセプター濃度が小さいことに
起因して、拡散電位が小さくなってしまう。本実施例で
は、ｐ型基板１における不純物濃度は低いままに維持し
て、ここにおけるオージェ再結合を防止しつつ、拡散電
位を大きくすることができる。[Fourth Embodiment] FIG. 9 shows the essential structure of the fourth embodiment. The fourth embodiment has the same overall structure as the above-described third embodiment, but an n ++ diffusion layer 13 is provided in the p ++ diffusion layer 11. That is, p ++ diffusion layer 1
1 is formed on the entire back surface side of the thick portion 1b, and the n ++ diffusion layer 13 is provided therein. With such a configuration, the p ++ diffusion layer 11 and the n ++ diffusion layer 13 have a pn
A bond is formed. Therefore, the diffusion potential here can be increased, and thereby the output voltage obtained between the positive electrode 12 and the negative electrode 14 can be increased. That is, n ++ diffusion layer 1
In the above-mentioned third embodiment in which 3 is in contact with the p-type substrate, p
The n-junction is formed by the p-type substrate 1 and the n ++ diffusion layer 13, and the diffusion potential becomes small due to the small acceptor concentration in the p-type substrate. In the present embodiment, the impurity concentration in the p-type substrate 1 can be kept low to prevent Auger recombination here and increase the diffusion potential.
【００３９】「第１、第３実施例の効果」表１に、第１
および第３実施例によるソーラーセルの特性を示す。ｐ
＋＋拡散層１１、ｎ＋＋拡散層１３の付加により、従来
例に比べソーラーセルの特性を大幅に向上できることが
理解される。[Effects of First and Third Embodiments]
And the characteristics of the solar cell according to the third embodiment are shown. p
It is understood that the addition of the ++ diffusion layer 11 and the n ++ diffusion layer 13 can significantly improve the characteristics of the solar cell as compared with the conventional example.
【００４０】[0040]
【表１】 従来 第１実施例 第３実施例 短絡電流（ｍＡ／ｃｍ2 ） ３２〜３４ ３５〜３７ ３６〜３９ 効率 （％） １５〜１６ １７〜１８ １８〜１９ ここで、この例では、集光レンズを用い２０倍に集光し
ており、また、短絡電流はレンズ面積を受光面積として
計算している。[Table 1] Conventional Example 1 Example 3 Example 3 Short circuit current (mA / cm2) 32 to 34 35 to 37 36 to 39 Efficiency (%) 15 to 16 17 to 18 18 to 19 Here, in this example, The light is condensed by 20 times using an optical lens, and the short circuit current is calculated with the lens area as the light receiving area.
【００４１】「第５実施例」図１０に、第５実施例の構
成を示す。このように、この実施例では、第４実施例に
おけるｐ＋＋拡散層１１に相当する部分として別の高不
純物濃度の低抵抗ｐ型基板２１を用い、この低抵抗ｐ型
基板２１を高抵抗のｐ型基板１に貼り付けた構成を有し
ている。そして、低抵抗ｐ型基板２１内の裏面部にｎ＋
＋拡散層１３を設けると共に、このｎ＋＋拡散層１３上
に負極１４を設けている。[Fifth Embodiment] FIG. 10 shows the arrangement of a fifth embodiment. As described above, in this embodiment, another low resistance p-type substrate 21 having a high impurity concentration is used as a portion corresponding to the p ++ diffusion layer 11 in the fourth embodiment, and this low resistance p-type substrate 21 is used as a high resistance p-type substrate. It has a structure of being attached to the mold substrate 1. Then, n + is formed on the back surface of the low resistance p-type substrate 21.
The + diffusion layer 13 is provided, and the negative electrode 14 is provided on the n ++ diffusion layer 13.
【００４２】この構成によって、高不純物濃度の部分を
大幅に大きくとることができる。このため、この低抵抗
ｐ型基板２１内において、長波長の光を吸収して、キャ
リアを発生することができ、より多くの長波長の光を光
電変換することができる。With this structure, a portion having a high impurity concentration can be made large. Therefore, in the low-resistance p-type substrate 21, long-wavelength light can be absorbed to generate carriers, and more long-wavelength light can be photoelectrically converted.
【００４３】通常、貼り合わせ部は、欠陥密度が高く、
この貼り合わせ部分をキャリアが通過すると、ここにお
いてそのほとんどが再結合によって消滅してしまう。し
かし、本実施例の構成によれば、ｐ型基板１内で生成さ
れた正負キャリアは、それぞれｐ＋拡散層４、ｎ＋拡散
層２へ移動する。一方、ｐ型基板２１内で生成された正
負キャリアはそれぞれｎ＋＋拡散層１３、ｐ＋＋拡散層
１１に移動する。従って、通常の場合、発生したキャリ
アが貼り合わせ部を通過することはなく、キャリアの再
結合は余り生じない。そこで、長波長側の光をより多く
吸収したことの効果によって全体として光電変換効率を
上昇することができる。Usually, the bonded portion has a high defect density,
When the carriers pass through this bonded portion, most of them disappear here by recombination. However, according to the configuration of this embodiment, the positive and negative carriers generated in the p-type substrate 1 move to the p + diffusion layer 4 and the n + diffusion layer 2, respectively. On the other hand, the positive and negative carriers generated in the p-type substrate 21 move to the n ++ diffusion layer 13 and the p ++ diffusion layer 11, respectively. Therefore, in a normal case, the generated carriers do not pass through the bonding portion, and the carriers are rarely recombined. Therefore, the photoelectric conversion efficiency can be increased as a whole by the effect of absorbing more light on the long wavelength side.
【００４４】この実施例のソーラーセルは、次のようし
て形成する。まず、高抵抗のｐ型基板１は、予め１００
〜２００μｍ程度にスライスとエッチングによって形成
しておく。一方、不純物濃度が高い低抵抗のｐ型基板２
１も別に作製しておく。この厚みは、１００〜３００μ
ｍ程度にする。そして、ミラー処理によって貼り合わせ
面を十分平滑なものとした後、貼り合わせ表面に水分子
を吸着させ、熱処理することによって、両者を完全に一
体化する。貼り合わせた後の基板の全体の厚みは２００
〜４００μｍ程度が好適である。The solar cell of this embodiment is formed as follows. First, the high resistance p-type substrate 1 is 100
It is formed by slicing and etching to about 200 μm. On the other hand, a low resistance p-type substrate 2 having a high impurity concentration
1 is also prepared separately. This thickness is 100-300μ
Set to about m. Then, after the bonding surface is made sufficiently smooth by mirror treatment, water molecules are adsorbed on the bonding surface and heat treatment is performed to completely integrate the both. The total thickness of the substrates after bonding is 200
Approximately 400 μm is suitable.
【００４５】本実施例によれば、上述の実施例におい
て、１０〜２０μｍ程度しかとれなかったｐ＋＋拡散層
１１に比べ、バンドギャップの小さい層の厚みを大幅に
増加することができる。そこで、長波長の光をより確実
に吸収することができ、太陽電池全体としての光電変換
効率を上昇することができる。According to the present embodiment, the thickness of the layer having a small bandgap can be significantly increased, as compared with the p ++ diffusion layer 11 which can obtain only about 10 to 20 μm in the above embodiment. Therefore, long-wavelength light can be more reliably absorbed, and the photoelectric conversion efficiency of the entire solar cell can be increased.
【００４６】また、後から拡散により形成したｐ＋＋拡
散層１１に比べ、低抵抗ｐ型基板２１の方が高品質の結
晶を得ることができる。このため、同一の不純物濃度で
あっても結晶欠陥は少なく、キャリアライフタイムが長
くなり、この部分におけるオージェ再結合を大幅に減少
できる。Further, compared to the p ++ diffusion layer 11 formed by diffusion later, the low-resistance p-type substrate 21 can obtain higher quality crystals. Therefore, even if the impurity concentration is the same, there are few crystal defects, the carrier lifetime becomes long, and the Auger recombination in this portion can be greatly reduced.
【００４７】そして、本実施例により、上述の第４実施
例に比べ、短絡電流を０．３〜１ｍＡ程度大きくするこ
とができるようになった。Further, according to this embodiment, the short-circuit current can be increased by about 0.3 to 1 mA as compared with the above-mentioned fourth embodiment.
【００４８】また、本実施例によれば、ｐ型基板２１の
全体に不純物を拡散させる。このため、その深さに応じ
て不純物濃度を変更することも容易である。そこで、表
面からの距離に応じて徐々に不純物濃度を変更するよう
にして、常に必要最低限の不純物濃度として、キャリア
ライフタイムを最大限にしてもよい。Further, according to the present embodiment, impurities are diffused throughout the p-type substrate 21. Therefore, it is easy to change the impurity concentration according to the depth. Therefore, the carrier lifetime may be maximized by gradually changing the impurity concentration according to the distance from the surface to obtain the minimum necessary impurity concentration.
【００４９】[0049]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
厚肉部の裏面側に高濃度ｐ拡散層を有している。そこ
で、ここでのバンドギャップが小さくなっており、今ま
で利用できなかった長波長の光によっても正負キャリア
が発生し、効果的な光電変換が行われる。As described above, according to the present invention,
A high concentration p diffusion layer is provided on the back surface side of the thick portion. Therefore, the band gap here is small, and positive and negative carriers are generated even by long-wavelength light that has been unusable until now, and effective photoelectric conversion is performed.
【００５０】また、次の発明によれば、厚肉部の裏面側
に高濃度ｐ拡散層の他に、高濃度ｎ拡散層を有してい
る。従って、この高濃度ｎ拡散層においてもバンドギャ
ップが小さくなり、ここで正負キャリアが発生する。そ
して、高濃度ｐ拡散層と高濃度ｎ拡散層は共に厚肉部の
裏面側にあるため、両者の距離は小さく、キャリアの移
動距離を小さくでき、再結合によるキャリアの消滅を減
少してさらに効果的な光電変換を行うことができる。Further, according to the next invention, the high-concentration n diffusion layer is provided on the back surface side of the thick portion in addition to the high-concentration p diffusion layer. Therefore, the bandgap also becomes small in this high-concentration n diffusion layer, and positive and negative carriers are generated here. Since both the high-concentration p diffusion layer and the high-concentration n diffusion layer are on the back surface side of the thick portion, the distance between them is small, the carrier moving distance can be shortened, and the disappearance of carriers due to recombination can be reduced. Effective photoelectric conversion can be performed.
【００５１】さらに次の発明によれば、厚肉部が高抵抗
基板と低抵抗基板の接合によって構成されている。そし
て、低抵抗基板により、高濃度ｐ拡散層を形成する。低
抵抗基板は、その基板形成の段階で、不純物を含ませら
れるため、高濃度のｐ拡散層と同様の不純物濃度であっ
ても比較的欠陥を少なくして、この領域の厚さを大きく
できる。そこで、長波長の光をより多く、光電変換する
ことができ、また再結合を抑制することができる。従っ
て、さらに効率的な光電変換を行うことができる。Further, according to the next invention, the thick portion is formed by joining the high resistance substrate and the low resistance substrate. Then, a high-concentration p diffusion layer is formed by the low resistance substrate. Since the low-resistance substrate contains impurities at the stage of forming the substrate, even if the impurity concentration is the same as that of the high-concentration p diffusion layer, defects can be relatively reduced and the thickness of this region can be increased. . Therefore, a larger amount of long-wavelength light can be photoelectrically converted, and recombination can be suppressed. Therefore, more efficient photoelectric conversion can be performed.
【図１】 第１実施例の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a first embodiment.
【図２】 光の波長に応じた光の吸収率と吸収される表
面からの深さの関係を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing a relationship between a light absorptance according to a wavelength of light and a depth from a surface to be absorbed.
【図３】 ドナー濃度とバンドギャップの低下の関係を
示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing a relationship between a donor concentration and a decrease in bandgap.
【図４】 アクセプター濃度とバンドギャップの低下の
関係を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing a relationship between an acceptor concentration and a decrease in bandgap.
【図５】 実施例の分光感度特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a spectral sensitivity characteristic of an example.
【図６】 第２実施例の構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of a second exemplary embodiment.
【図７】 第３実施例の構成を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a third exemplary embodiment.
【図８】 同実施例の一構成例を示す斜視図である。FIG. 8 is a perspective view showing a configuration example of the same embodiment.
【図９】 第４実施例の構成を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a fourth exemplary embodiment.
【図１０】 第５実施例の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of a fifth exemplary embodiment.
１ ｐ型基板、２ ｎ＋拡散層、３ テクスチャー構
造、４ ｐ＋拡散層、５ 負極、 ６ 正極、１１ ｐ
＋＋拡散層、１２ 正極、１３ ｎ＋＋拡散層、１４
負極。1 p-type substrate, 2 n + diffusion layer, 3 texture structure, 4 p + diffusion layer, 5 negative electrode, 6 positive electrode, 11 p
++ diffusion layer, 12 positive electrode, 13 n ++ diffusion layer, 14
Negative electrode.
Claims (3)
と、負極となるｎ拡散層とを形成した太陽電池におい
て、 前記ｐ型基板は、薄肉部と厚肉部とを有し、 薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層が形成され、 厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純物濃度の高い
高濃度ｐ拡散層が構成されていることを特徴とする太陽
電池。1. A solar cell in which a p-type substrate has a p-diffused layer that serves as a positive electrode and an n-diffused layer that serves as a negative electrode, wherein the p-type substrate has a thin-walled portion and a thick-walled portion. The solar cell, wherein the p diffusion layer is formed on the back surface side of the thin portion, and the high-concentration p diffusion layer having a higher impurity concentration than the p diffusion layer is formed on the back surface side of the thick portion. .
と、負極となるｎ拡散層とを形成した太陽電池におい
て、 前記ｐ型基板は薄肉部と厚肉部を有し、 薄肉部の裏面側には前記ｐ拡散層と前記ｎ拡散層とが形
成され、 厚肉部の裏面側には前記ｐ拡散層より不純物濃度の高い
高濃度ｐ拡散層と、前記ｎ拡散層より不純物濃度が高い
高濃度ｎ拡散層とが形成されていることを特徴とする太
陽電池。2. A solar cell comprising a p-type substrate and a p-diffusion layer serving as a positive electrode and an n-diffusion layer serving as a negative electrode, wherein the p-type substrate has a thin portion and a thick portion. The p diffusion layer and the n diffusion layer are formed on the back surface side of the portion, and the high-concentration p diffusion layer having an impurity concentration higher than that of the p diffusion layer and the impurity concentration of the n diffusion layer are formed on the back surface side of the thick portion. A solar cell, wherein a high-concentration n-diffused layer having a high concentration is formed.
は表面側に設けられ薄肉部を形成する高抵抗基板を延長
して形成された高抵抗部分と、この高抵抗部分の裏面側
に接合された低抵抗基板を含むことを特徴とする太陽電
池。3. The solar cell according to claim 2, wherein the thin portion of the p-type substrate is formed of a high resistance substrate, and the thick portion is provided on the surface side to extend the high resistance substrate forming the thin portion. A solar cell comprising a high resistance portion formed by the above, and a low resistance substrate bonded to the back surface side of the high resistance portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01461595A JP3303577B2 (en) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Solar cell |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP01461595A JP3303577B2 (en) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | Solar cell |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213642A true JPH08213642A (en) | 1996-08-20 |
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3303577B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010045348A (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-25 | General Electric Co <Ge> | Solar cell having cooling channel, and method of manufacturing the same |
| JP2012212769A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Kyocera Corp | Solar cell element |
| JP2013103874A (en) * | 2011-11-11 | 2013-05-30 | Yutaka Kamaike | Silicon and method for manufacturing the same |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP01461595A patent/JP3303577B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP3303577B2 (en) | 2002-07-22 |
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