JPH08213442A - マルチチャンバプロセス装置 - Google Patents

マルチチャンバプロセス装置

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JPH08213442A
JPH08213442A JP7017674A JP1767495A JPH08213442A JP H08213442 A JPH08213442 A JP H08213442A JP 7017674 A JP7017674 A JP 7017674A JP 1767495 A JP1767495 A JP 1767495A JP H08213442 A JPH08213442 A JP H08213442A
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JP
Japan
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chamber
wafer
atmosphere
transfer
buffer
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JP7017674A
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English (en)
Inventor
Tatsuharu Yamamoto
立春 山本
Yoshio Kawamura
喜雄 河村
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】所定のプロセスを行うためのプロセス装置1お
よびプロセス装置1の位置を変えるための上下機構2が
設置されたプロセスチャンバ3と、ウエハを他のプロセ
スチャンバ3に搬送するためのウエハ搬送機構4が設置
されているトランスファチャンバ5と、プロセスチャン
バ3とトランスファチャンバ5の間に、それぞれゲート
バルブ6a,6bを介して接続され、ウエハ移載機構7
が設置されたバッファチャンバ8からなる。 【効果】スループットを極限まで高めることが可能であ
り、プロセス条件の変動および塵埃によるウエハ汚染を
防止し、均質かつクリーンなプロセスを行うことが可能
となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置を製造する
マルチチャンバプロセス装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年の半導体製造装置は、ULSIの一
層の高密度化および構造の複雑化によるコスト高の傾向
を、製造時間の短縮と装置コストの低減,ウエハの大口
径化による効率的な処理等によって抑制するため、マル
チチャンバプロセス装置による枚葉の連続処理が多用さ
れるようになった。これは、従来のマルチチャンバプロ
セス装置を用いて、CVD(Chemical Vapor Depositio
n )、スパッタ,プラズマエッチング,RTP(Rapid
Thermal Processing)等、複数のプロセスを大気から隔
離された清浄雰囲気内で連続的に行うことによって、処
理品質の向上および処理時間の短縮で、効果的であるこ
とが確認されてきたためである(例えば、「電子材料」
1994年3月号33項から36項)。
【0003】従来のマルチチャンバプロセス装置の基本
構成は、図5に示すように、ウエハ搬送機構101が設
置された多角形状のトランスファチャンバ102の周辺
に、異なったプロセスを行う複数のプロセスチャンバ1
03が、それぞれゲートバルブ104を介して接続され
たものである。ここで、このような従来の方式でのプロ
セスチャンバ103の圧力状態は図2(a)に示すよう
に、プロセスが完了してウエハを交換する際には、各プ
ロセスチャンバ間の相互汚染を防止するために、少なく
ともトランスファチャンバ102の真空圧力P0までプ
ロセスチャンバを排気する。また、ウエハ搬送機構10
1によってウエハを交換後、ゲートバルブ104を遮断
して所定の圧力P1までプロセスガスを供給してプロセ
スを再開する。これを各処理毎に行いながらウエハを連
続処理していく。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方式で
のマルチチャンバプロセス装置では、図2(a)に示す
通り、プロセスチャンバの稼働時間内に給気および排気
時間を必要とするため、その分だけ実プロセス時間が短
くなる。また、プロセスチャンバの雰囲気の変動がプロ
セス条件の変動につながり、各処理ウエハ間での品質の
ばらつきが生じる原因となる。さらに、断続的な給気,
排気によるガス流によって、プロセスチャンバ内で発生
した塵埃がウエハを汚染する原因にもなる。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決する手段として、トランスファチャンバと複数の各
プロセスチャンバの間に、トランスファチャンバとプロ
セスチャンバ間のウエハの搬送機構と、真空排気および
プロセスガスの供給機能を備えたバッファチャンバを一
あるいは複数設置する。そして、バッファチャンバ内の
雰囲気を、ウエハの搬送先の雰囲気に一致させるための
雰囲気変換、さらには、ウエハの予備加熱,予備冷却、
または化学反応を利用したウエハ表面のクリーニング処
理をバッファチャンバ内で行う手段を講じた。
【0006】
【作用】プロセスチャンバの雰囲気を一定に維持し、ウ
エハの搬送時間を除く全ての稼働時間を、実プロセス時
間に用いることを可能とする。
【0007】
【実施例】図1は本発明による半導体製造装置の基本構
成を示すものである。本発明による半導体製造装置は、
図1で、所定のプロセスを行うためのプロセス装置1お
よびプロセス装置1の位置を変えるための上下機構2が
設置されたプロセスチャンバ3と、ウエハを別のプロセ
スチャンバに搬送するためのウエハ搬送機構4が設置さ
れているトランスファチャンバ5と、プロセスチャンバ
3とトランスファチャンバ5の間に、それぞれゲートバ
ルブ6a,6bを介して接続され、ウエハ移載機構7が
設置されたバッファチャンバ8、そしてトランスファチ
ャンバ5とゲートバルブ8を介して接続され、ウエハス
トッカ9が設置されたストッカチャンバ10によって基
本的に構成される。
【0008】次に、ウエハの処理方法について説明す
る。ウエハストッカ9に収納された未処理ウエハ14
は、まずウエハ搬送機構4によってバッファチャンバ8
に搬送される。この時、バッファチャンバ8は、あらか
じめトランスファチャンバ5と同一の真空圧力に排気さ
れている。未処理ウエハ14がウエハ移載機構7に搬送
された後、ゲートバルブ6bを閉じる。今度はバッファ
チャンバ8にプロセス中のプロセスチャンバ3内部の雰
囲気と同一の雰囲気となるように、プロセスガスを供給
し同一圧力に設定する。そして、ゲートバルブ6aを開
放して未処理ウエハ14をウエハ移載機構7によってプ
ロセス装置1に搬送し、ゲートバルブ6aを閉じてプロ
セスが開始される。
【0009】このプロセス中でバッファチャンバ8は直
ちに次の未処理ウエハを受け入れるため、トランスファ
チャンバ5と同一の真空圧力になるように真空排気さ
れ、次の未処理ウエハ14を前記の手順で移載し、再び
プロセス中のプロセスチャンバ3内部の雰囲気と同一の
雰囲気に設定する。
【0010】プロセスが完了した処理ウエハ15は、あ
らかじめプロセスチャンバ3内部の雰囲気と同一の雰囲
気に設定されたバッファチャンバ12へ、上下機構2お
よびウエハ移載機構13によって排出した後、直ちにバ
ッファチャンバ8の未処理ウエハ14を上下機構2およ
びウエハ移載機構7によってプロセス装置1に搬送して
プロセスを再開する。
【0011】また、バッファチャンバ12の処理ウエハ
15は、バッファチャンバ12がトランスファチャンバ
5と同一の真空圧力に排気されてから、ウエハ移載機構
13およびウエハ搬送機構4によって、他のプロセスチ
ャンバまたはストッカチャンバ10へ搬送される。
【0012】ここで、ウエハ移載機構7,13は1軸の
往復動の機能を持つだけでよく、例えば、簡単な2又は
3段のスライド方式の機構によって十分その機能を果た
すことが出来る。従って、バッファチャンバ8,12の
容積は、ほぼウエハ移載機構7,13の占有する容積と
なり、かつ余剰の空間を必要としないため、バッファチ
ャンバ8,12の給気および排気を数秒以下と短時間で
行うことが出来る。
【0013】図2は従来方式のプロセスチャンバの圧力
状態(a)と、本発明による方式のプロセスチャンバの
圧力状態(b)を比較したものである。図2で、従来方
式では前述したように、処理が行われる度ごとに処理ウ
エハを排出する際にトランスファチャンバと同一の真空
圧力にするための排気時間と、プロセスを再開するため
のプロセスガスの給気時間が必要となる。このことは単
に、ウエハ毎の処理時間が長くなるばかりでなく、プロ
セスチャンバの雰囲気の変動がプロセス条件の変動につ
ながり、各処理ウエハ間での品質のばらつきが生じる原
因となる。さらに、断続的な給気,排気によるガス流に
よって、プロセスチャンバ内で発生した塵埃がウエハを
汚染する原因にもなる。一方、本発明による方式のプロ
セスチャンバの圧力状態はバッファチャンバを用いるこ
とによって、数秒程度のウエハの搬送時間以外は一定の
プロセス圧力の状態で連続的に処理することによって、
1サイクルの時間を短縮し、スループットを極限まで高
めることが可能となる。さらに、プロセス条件の変動お
よび塵埃によるウエハを汚染防止し、均質かつクリーン
なプロセスを行うことが可能となる。
【0014】この基本的な処理方法の応用例として、さ
らに次のような方法も可能である。例えば、プロセス時
間がバッファチャンバの給気時間と排気時間の和よりも
短い場合は、上記のようにバッファチャンバを2台設
置、あるいはそれ以上の複数台設置して、それぞれのタ
イミングを独立に制御することによって、搬送以外にプ
ロセスを中断することをなくすことができる。また、プ
ロセス条件として、ウエハの加熱,冷却といった温度制
御、また、プロセスを行う前のウエハ表面のクリーニン
グ処理を必要とするプロセスには、バッファチャンバ内
での予備加熱,予備冷却またはクリーニング処理を行
い、プロセスチャンバでのプロセス時間を極限まで短縮
し得る。
【0015】図3と図4はそれぞれ、複数のプロセスチ
ャンバをバッファチャンバを介してトランスファチャン
バに接続した実施例を示す。図3に示す実施例は、直線
的なトランスファチャンバの両サイドにプロセスチャン
バを設置した方式であり、多数のプロセスチャンバを追
加,変更しながらマルチチャンバシステムを拡張する場
合に適した構成である。また、図4は四から六角形状の
トランスファチャンバの周辺にプロセスチャンバを設置
した方式であり、各プロセスチャンバ間の搬送時間を短
縮するのに適した構成である。また、従来の技術で説明
した構成にバッファチャンバを付加することによって、
本発明による構成への変更が容易に行いうる。
【0016】なお、以上で説明した実施例に限らず、プ
ロセスチャンバでのプロセス内容,バッファチャンバの
数量,バッファチャンバ内での予備的な処理内容、およ
びプロセスチャンバ,バッファチャンバ,トランスファ
チャンバの接続構成の方式は、種々の設計が可能であ
り、本発明で開示した実施例に限定するものではない。
【0017】
【発明の効果】本発明によるマルチチャンバプロセス装
置は、バッファチャンバの内容積を小さくできるため、
スループットを高めることが容易に可能であり、さらに
は、プロセスチャンバ内の雰囲気を変えることなく予備
加熱や予備冷却、ウエハ表面のクリーニングを事前事後
に直ちに行え、またプロセス条件の変動および塵埃によ
るウエハを汚染防止し、均質かつクリーンなプロセスを
行うことが可能となるため、高性能な半導体集積回路を
高い歩留まりで製造する方法を提供し、安価で高性能な
半導体集積回路が供給可能となる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるマルチチャンバプロセス装置の一
実施例のブロック図。
【図2】従来方式と本発明による方式のプロセスチャン
バの圧力状態の説明図。
【図3】本発明によるマルチチャンバプロセス装置の第
二実施例の説明図。
【図4】本発明によるマルチチャンバプロセス装置の第
三実施例の説明図。
【図5】従来方式のマルチチャンバプロセス装置のブロ
ック図。
【符号の説明】 1…プロセス装置、2…上下機構、3…プロセスチャン
バ、4…ウエハ搬送機構、5…トランスファチャンバ、
6a,6b,8,11a,11b…ゲートバルブ、7,
13…ウエハ移載機構、8,12…バッファチャンバ、
9…ウエハストッカ、10…ストッカチャンバ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】大気から隔離された雰囲気に維持し、ウエ
    ハの第一の搬送機構を備えたトランスファチャンバに、
    複数のプロセスチャンバをゲートバルブを介して接続し
    て構成されるマルチチャンバプロセス装置において、前
    記トランスファチャンバと前記複数の各プロセスチャン
    バの間に、前記トランスファチャンバと前記プロセスチ
    ャンバ間に前記ウエハを搬送する第二の搬送機構と、真
    空排気およびプロセスガスの供給機能を備えたバッファ
    チャンバを一あるいは複数設置して、前記バッファチャ
    ンバ内の雰囲気を、前記ウエハの搬送先の雰囲気に一致
    させるための雰囲気変換を行うことによって、前記プロ
    セスチャンバの雰囲気を一定に維持し、前記ウエハの搬
    送時間を除く全ての稼働時間を、実プロセス時間に用い
    るように雰囲気を制御する雰囲気制御手段を有すること
    を特徴とするマルチチャンバプロセス装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記バッファチャンバ
    内に前記ウエハの予備加熱,予備冷却、または化学反応
    を利用した前記ウエハ表面のクリーニング処理を行う手
    段を備えたマルチチャンバプロセス装置。
JP7017674A 1995-02-06 1995-02-06 マルチチャンバプロセス装置 Pending JPH08213442A (ja)

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