JPH1112738A - Cvd成膜方法 - Google Patents
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Abstract
D成膜方法を提供すること。 【解決手段】 トランスファーチャンバー30からウエハ
Wを処理チャンバー1内に搬入し、支持ピン31を上昇させ
てウエハWを支持ピン31上に保持した状態で、ゲートバ
ルブVを閉じ、所定時間保持後に支持ピン31を下降させ
てウエハWをサセプター2に載置し、減圧状態で成膜工程
を含む一連のプロセスを実施するにあたり、プロセス開
始時点で処理チャンバー1内圧力を成膜圧力に調整し、
次いで成膜ガスを流して成膜を行い、成膜終了時点で、
成膜ガスを停止するとともに、成膜ガス以外のガスを徐
々に停止し、プロセス終了後、支持ピン31を上昇させて
ウエハWを支持ピン31上に所定時間保持後、ゲートバル
ブVを開いてウエハWをトランスファーチャンバー30へ搬
出する。
Description
iN膜などの薄膜をCVDで成膜するCVD成膜方法に
関する。
や、下層のデバイスと上層の配線層との接続部であるコ
ンタクトホール、上下の配線層同士の接続部であるビア
ホールなどの層間の電気的接続のための埋め込み層、さ
らには埋め込み層形成に先立って拡散防止のために形成
される、Ti(チタン)膜およびTiN(窒化チタン)
膜の2層構造のバリア層など金属系の薄膜が用いられ
る。
VD)を用いて成膜されていたが、最近のようにデバイ
スの微細化および高集積化が特に要求され、デザインル
ールが特に厳しくなって、それにともなって線幅やホー
ルの開口径が一層小さくなり、しかも高アスペクト比化
されるにつれ、特に、バリア層を構成するTi膜やTi
N膜においてはPVD膜ではホール底に成膜することが
困難となってきた。
TiN膜を、より良質の膜を形成することが期待できる
化学的蒸着(CVD)で成膜することが行われている。
そして、CVDによりTi膜を成膜する場合には、反応
ガスとしてTiCl4(四塩化チタン)およびH2(水
素)が用いられ、TiN膜を成膜する場合には、反応ガ
スとしてTiCl4とNH3(アンモニア)またはMMH
(モノメチルヒドラジン)とが用いられる。
によって上記のような薄膜を成膜する場合、従来のレシ
ピでは膜に高いストレスが生じ、このストレスに起因し
て成膜後の半導体ウエハに結晶欠陥や反りが生じてしま
う。ウエハに反りが生じると、膜にクラックが発生した
り、フォトリソグラフィー工程において中央部と周辺部
とで露光装置の焦点深度が異なる等の問題が生じる。膜
にクラックが生じた場合には、導通不良が生じたり、下
地の膜をオーバーエッチングするなどの不都合が生じ
る。本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであっ
て、成膜された膜に生じるストレスが小さいCVD成膜
方法を提供することを目的とする。
に、第1発明は、処理チャンバー内で被処理基板にCV
Dにより薄膜を形成するCVD成膜方法であって、被処
理基板を処理チャンバー内に装入し、減圧状態で成膜工
程を含む一連のプロセスを実施する間、被処理基板に急
激な温度変動が生じないように圧力を調整することを特
徴とするCVD成膜方法を提供する。
板にCVDにより薄膜を形成するCVD成膜方法であっ
て、被処理基板を処理チャンバー内に装入し、減圧状態
で成膜工程を含む一連のプロセスを実施するにあたり、
プロセス開始時点で処理チャンバー内圧力を成膜圧力に
調整し、次いで成膜ガスを流して成膜を行い、成膜終了
時点で、成膜ガスを停止するとともに、成膜ガス以外の
ガスを徐々に停止することを特徴とするCVD成膜方法
を提供する。
板を載置台に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で
被処理基板を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜
を形成するCVD成膜方法であって、被処理基板を処理
チャンバー内に搬入して載置台の上に載置するまでの
間、および被処理基板に対して減圧状態で成膜工程を含
む一連のプロセスが終了後してから被処理基板を処理チ
ャンバーから搬出するまでの間、被処理基板に急激な温
度変動が生じないように搬送シーケンスを調整すること
を特徴とするCVD成膜方法を提供する。
板を載置台に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で
被処理基板を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜
を形成するCVD成膜方法であって、トランスファーチ
ャンバーから被処理基板を処理チャンバー内に搬入し、
載置台の被処理基板支持ピンを上昇させて被処理基板を
該支持ピン上に保持した状態で、トランスファーチャン
バーと処理チャンバーとの間のゲートバルブを閉じ、所
定時間保持後に前記被処理基板支持ピンを下降させて被
処理基板を載置台に載置し、被処理基板に対して減圧状
態で成膜工程を含む一連のプロセスを行い、プロセス終
了後、前記被処理基板支持ピンを上昇させて被処理基板
を該支持ピン上に所定時間保持後、前記ゲートバルブを
開いて被処理基板を前記トランスファーチャンバーへ搬
出することを特徴とするCVD成膜方法を提供する。
板を載置台に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で
被処理基板を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜
を形成するCVD成膜方法であって、被処理基板を処理
チャンバー内に装入し、減圧状態で成膜工程を含む一連
のプロセスを実施する間、被処理基板に急激な温度変動
が生じないように圧力を調整し、被処理基板を処理チャ
ンバー内に搬入して載置台の上に載置するまでの間、お
よび被処理基板に対して減圧状態で成膜工程を含む一連
のプロセスが終了後してから被処理基板を処理チャンバ
ーから搬出するまでの間、被処理基板に急激な温度変動
が生じないように搬送シーケンスを調整することを特徴
とするCVD成膜方法を提供する。
板を載置台に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で
被処理基板を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜
を形成するCVD成膜方法であって、トランスファーチ
ャンバーから被処理基板を処理チャンバー内に搬入し、
載置台の被処理基板支持ピンを上昇させて被処理基板を
該支持ピン上に保持した状態で、トランスファーチャン
バーと処理チャンバーとの間のゲートバルブを閉じ、所
定時間保持後に前記被処理基板支持ピンを下降させて被
処理基板を載置台に載置し、減圧状態で成膜工程を含む
一連のプロセスを実施するにあたり、プロセス開始時点
で処理チャンバー内圧力を成膜圧力に調整し、次いで成
膜ガスを流して成膜を行い、成膜終了時点で、成膜ガス
を停止するとともに、成膜ガス以外のガスを徐々に停止
し、プロセス終了後、前記被処理基板支持ピンを上昇さ
せて被処理基板を該支持ピン上に所定時間保持後、前記
ゲートバルブを開いて被処理基板を前記トランスファー
チャンバーへ搬出することを特徴とするCVD成膜方法
を提供する。
レスが高い原因を検討した結果、被チャンバー内におけ
る成膜工程を含む一連の工程、および被処理基板の搬送
過程で温度変動変動が大きいことが原因であることを見
出した。
は、基板載置台であるサセプター中のヒーターにより行
われるが、チャンバー内の圧力が変動すると、それにと
もなってチャンバー内の気体の密度が変化するため、サ
セプタから基板へ供給される熱量が変化し、結果として
基板温度が変動する。したがって、チャンバー内圧力が
急激に変化した場合、基板とその上に形成された膜とに
は熱膨張係数の差が存在するため、上記圧力変動にとも
なう急激な温度変動により膜にストレスが生じるのであ
る。特に、基板がSiで形成された薄膜がTi膜、Ti
N膜のような金属系の膜の場合には、基板と膜との間の
熱膨張係数が大きく異なり、極めて大きなストレスが生
じる。
基板載置台であるサセプターが加熱手段により加熱され
ている関係上、被処理基板をサセプターに載置する際お
よびチャンバーから搬出する際に大きな温度変動が生
じ、結果として被処理基板に極めて大きなストレスが生
じることとなる。
を処理チャンバー内に装入し、減圧状態で成膜工程を含
む一連のプロセスを実施する間、被処理基板に急激な温
度変動が生じないように処理チャンバー内の圧力を調整
することにより、プロセス中に被処理基板に生じるスト
レスを低減する。具体的には、第2発明のように、プロ
セス開始時点で処理チャンバー内圧力を成膜圧力に調整
し、次いで成膜ガスを流して成膜を行い、成膜終了時点
で、成膜ガスを停止するとともに、成膜ガス以外のガス
を徐々に停止することにより、プロセス中の急激な圧力
変動が防止され、結果として急激な温度変動が防止さ
れ、温度変動による被処理基板のストレスが低減され
る。
処理チャンバー内に搬入して載置台の上に載置するまで
の間、および被処理基板に対して減圧状態で成膜工程を
含む一連のプロセスが終了後してから被処理基板を処理
チャンバーから搬出するまでの間、被処理基板に急激な
温度変動が生じないように搬送シーケンスを調整するの
で、被処理基板搬送に際しての基板へのストレスが低減
される。具体的には、第4発明のように、トランスファ
ーチャンバーから被処理基板を処理チャンバー内に搬入
し、載置台の被処理基板支持ピンを上昇させて被処理基
板を該支持ピン上に保持した状態で、トランスファーチ
ャンバーと処理チャンバーとの間のゲートバルブを閉
じ、所定時間保持後に被処理基板支持ピンを下降させて
被処理基板を載置台に載置し、被処理基板に対して減圧
状態で成膜工程を含む一連のプロセスを行い、プロセス
終了後、被処理基板支持ピンを上昇させて被処理基板を
該支持ピン上に所定時間保持後、ゲートバルブを開いて
被処理基板をトランスファーチャンバーへ搬出すること
により、被処理基板を載置台に載置する際および処理チ
ャンバーから搬出する際に急激な温度変動が生じること
が防止され、被処理基板のストレスを低減することがで
きる。
に、プロセス中における温度変動および搬送中の温度変
動の両方を低減することにより、被処理基板に生じるス
トレスを一層有効に低減することができる。
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明に係るCVD成膜方法を実施するためのTiN成膜装
置を示す断面図である。この成膜装置は、気密に構成さ
れた略円筒状の処理チャンバー1を有しており、その中
には被処理体である半導体ウエハWを水平に支持するた
めのサセプター2が円筒状の支持部材3により支持され
た状態で配置されている。サセプター2の外縁部には半
導体ウエハWをガイドするためのガイドリング4が設け
られている。また、サセプター2にはヒーター5が埋め
込まれており、このヒーター5は電源6から給電される
ことにより被処理体である半導体ウエハWを所定の温度
に加熱する。電源6にはコントローラー7が接続されて
おり、これにより図示しない温度センサーの信号に応じ
てヒーター5の出力が制御される。
ハWの搬入出口1cが形成されており、この搬入出口1
cを介してトランスファーチャンバー30が接続されて
いる。そして、これらの間はゲートバルブVにより開閉
可能となっており、半導体ウエハWは、トランスファー
チャンバー30から処理チャンバー1内に搬入され、処
理終了後トランスファーチャンバー30へ搬出される。
プター2の上方で支持するための複数のウエハ支持ピン
31が昇降可能に設けられており、半導体ウエハWの搬
入出の際にこのウエハ支持ピン31が上昇し、半導体ウ
エハWの受け渡しが行われる。
ッド10が設けられている。このシャワーヘッドには多
数のガス吐出孔10aおよび10bが交互に形成されて
いる。ガス吐出孔10aにはTiCl4源21が配管1
3およびそこから分岐した配管11を介して接続されて
おり、ガス吐出孔10bにはNH3源19が配管14お
よびそこから分岐した配管12を介して接続されてい
る。すなわち、シャワーヘッド10は、マトリックスタ
イプであり、反応ガスであるTiCl4ガスおよびNH3
ガスが交互に形成された異なる吐出孔から吐出し、吐出
後に混合されるポストミックス方式が採用されている。
あるClF3源12に接続された配管15が接続されて
おり、バルブ23を切り替えることにより、配管11お
よび吐出孔10aを介してクリーニングガスであるCl
F3ガスがチャンバー1内に供給される。一方、配管1
4には、N2源20に接続された配管16が接続されて
おり、バルブ24を切り替えることにより、配管12お
よび吐出孔10bを介してN2ガスがチャンバー1内に
供給される。また、N2ガスの配管16はバルブ25を
介して配管13にも接続されている。また、配管14に
は、MMH源18から延びる配管17が接続されてお
り、配管14,12を介してガス吐出孔10bからチャ
ンバー1内にMMHガスも供給可能となっている。な
お、各ガス源からの配管には、いずれもバルブ26およ
びマスフローコントローラー27が設けられている。
8が形成されており、この排気ポート8には排気系9が
接続されている。この排気系9に設けられたポンプ9を
作動させることによりチャンバー1内を所定の真空度ま
で減圧することができる。
膜する際の成膜方法について図2を参照しながら説明す
る。まず、半導体ウエハWをカセットチャンバー(図示
せず)からロードロック室(図示せず)を介して真空排
気されたトランスファーチャンバー30へ搬送し、処理
チャンバー1内を排気系9により排気して真空に維持し
た状態で、トランスファーチャンバー30との間のゲー
トバルブVを開き(ST1)、トランスファーチャンバ
ー30の搬送アーム(図示せず)により、半導体ウエハ
Wを処理チャンバー1内へ搬入する(ST2)。次に、
支持ピン31をサセプター2の上方へ上昇させた状態で
半導体ウエハWを支持ピン31上に載せる(ST3)。
この状態で所定時間保持した後、ゲートバルブVを閉じ
(ST4)、支持ピン31を下降させ、半導体ウエハW
をサセプター2上へ載置する(ST5)。このとき、サ
セプター2はヒーター5により加熱されており、サセプ
ター2に載置された半導体ウエハWは例えば450〜6
00℃の温度に加熱される。
2ガスおよびNH3ガスを所定の流量比、例えばN2ガ
ス:50〜500SCCM、NH3ガス:200〜400SCC
Mでチャンバー1内に導入してチャンバー31内を成膜
圧力、例えば1Torr に調整し、てプリアニールを行う
(ST6)。次に、N2ガスおよびNH3ガスの流量を維
持したまま、連続してTiCl4を例えば5〜20SCCM
の流量で5〜20秒間程度プリフローし、引き続き同じ
条件でTiN膜の成膜を所定時間行う(ST7)。この
際にNH3ガスとMMHガスを併用しても構わない。
し、他のガスを徐々に停止する(ST8)。そして、所
定時間経過後、全てのガスを停止する(ST9)。以上
で成膜プロセスを終了する。
ウエハWを上昇させ、この状態で所定時間保持し(ST
10)、その後ゲートバルブVを開く(ST10)。そ
して、支持ピンを下降させて半導体ウエハWをトランス
ファーチャンバー31のアーム上に載せ、トランスファ
ーチャンバー30へ搬出する(ST12)。トランスフ
ァーチャンバー30へ搬出された半導体ウエハWはロー
ドロック室を介してカセット室へ搬送される。
温度変動を、従来のプロセスと比較して説明する。ま
ず、半導体ウエハWが処理チャンバー1に搬入された後
のプロセス時における半導体ウエハWの温度変動を図3
に示す。上記プロセスの場合、成膜ガスを流し始める前
のプロセス開始時点で成膜チャンバー1内を成膜圧力に
調整するので、図3(a)のAに示すように、成膜ガス
導入時点では圧力変動に伴う温度変動が生じない。これ
に対して従来は、図3(b)のCに示すように、成膜ガ
スを流す際にチャンバー内圧力を調整するので、その際
の圧力変動により、急激な温度変動が生じる。
Bに示すように、成膜ガスを停止する時点で、他のガス
を徐々に停止して圧力変動が極力少なくなるようにして
いるが、従来は、各ガスを段階的に停止するようにして
いるため、図3(b)のDに示すように、各ガスを停止
する際の圧力変動により急激な温度変動を生じる。
へ搬入する際、およびチャンバー1から搬出する際にお
ける半導体ウエハWの温度変動を図4に示す。上記プロ
セスの場合、半導体ウエハWをサセプター2上に載置す
る際に、トランスファーチャンバー30のアームから、
支持ピン31を上昇させた状態で半導体ウエハWを支持
ピン31上に載せ、この状態でゲートバルブVを閉じ、
その後支持ピン31を下降させるので、半導体ウエハW
はゲートバルブVを閉じる前後の所定時間支持ピン31
上に保持され、図4(a)のEに示すように、トランス
ファーチャンバー30から搬入された温度の低い半導体
ウエハWがサセプター2上で急激に加熱されることが防
止される。これに対して従来は、図4(b)のGに示す
ように、半導体ウエハWをサセプター2上に載置する際
に、支持ピン31を上昇させた状態で半導体ウエハWを
支持ピン31上に載せ、直ちに支持ピン31を下降さ
せ、その後ゲートバルブVを閉じるので、温度の低い半
導体ウエハWがサセプター2上で急激に加熱されること
となる。
後、支持ピン31を上昇させて半導体ウエハWを上昇さ
せ、この状態で所定時間保持した後、ゲートバルブVを
開き、支持ピンを下降させて半導体ウエハをトランスフ
ァーチャンバー31のアーム上に載せ、半導体ウエハW
をトランスファーチャンバー30へ搬出するので、図4
(a)のFに示すように、半導体ウエハWが温度の低い
トランスファーチャンバー30の雰囲気により急激に冷
却されることが防止される。これに対し従来は、図4
(b)のHに示すように、プロセス終了後、支持ピンを
上昇させて半導体ウエハを上昇させると同時にゲートバ
ルブVを開き、半導体ウエハをトランスファーチャンバ
ー30へ搬送するので、半導体ウエハWが温度の低いト
ランスファーチャンバー30の雰囲気により急激に冷却
される。
よれば、プロセス開始時点で処理チャンバー1内圧力を
成膜圧力に調整し、次いで成膜ガスを流して成膜を行
い、成膜終了時点で、成膜ガスを停止するとともに、成
膜ガス以外のガスを徐々に停止するので、プロセス中の
急激な圧力変動が防止され、結果として急激に温度が変
動することが防止される。
内に搬入してサセプター2の上に載置するまでの間、お
よび半導体ウエハWに対してプロセスが終了後してから
半導体ウエハWを処理チャンバー1から搬出するまでの
間、半導体ウエハWに急激な温度変動が生じないように
搬送シーケンスを調整するので、半導体ウエハWの搬送
に際してのウエハWへのストレスが低減される。具体的
には、トランスファーチャンバー30から半導体ウエハ
Wを処理チャンバー1内に搬入し、支持ピン31を上昇
させて半導体ウエハWを支持ピン31上に保持した状態
で、トランスファーチャンバー30と処理チャンバー1
との間のゲートバルブVを閉じ、所定時間保持した後に
支持ピン31を下降させて半導体ウエハをサセプター2
上に載置し、プロセス終了後、支持ピン31を上昇させ
て半導体ウエハWを支持ピン31上に所定時間保持後、
ゲートバルブVを開いて被処理基板を前記トランスファ
ーチャンバーへ搬出するので、半導体ウエハWをサセプ
ター2上に載置する際および処理チャンバー1から搬出
する際に急激な温度変動が生じることが防止される。
おける温度変動、および半導体ウエハWの搬入出の際の
温度変動が緩和されるので、半導体ウエハWのストレス
を有効に低減することができる。
熱膨張係数は2.6×10-6/℃で、TiN膜は熱膨張
係数が7.1×10-6/℃であるから両者間の熱膨張係
数の差は極めて大きく、したがって、従来のように急激
な温度変動が生じると半導体ウエハに大きなストレスが
生じるが、本実施の形態のように温度変動を緩和するこ
とにより、半導体ウエハのストレスを低減することがで
きる。
れることなく種々変形可能である。上記実施の形態で
は、TiN膜を成膜する場合について示したが、Tiや
Al膜等の他の金属系材料の膜を形成する場合にも有効
である。一般に、金属系の材料はSiに比較して熱膨張
係数が高く、例えば、Tiの熱膨張係数は9.95×1
0-6/℃であり、また、Alの熱膨張係数およびWの熱
膨張係数はそれぞれ2.55×10-5/℃、4.76×
10-6/℃であって、Siの熱膨張係数よりもはるかに
大きいため、温度変動にともなうストレスが大きい傾向
にあり、本発明によるストレス低減効果が大きい。ま
た、本発明は、上述したように、TiN膜、Ti膜、A
l膜のような金属系材料の薄膜を形成する場合に特に有
効であるが、これに限らず、下地の基板との間に熱膨張
係数の差がある薄膜であれば一定の効果を得ることがで
きる。さらに、被処理基板としては、半導体ウエハに限
らず他のものであってもよく、また、基板上に他の層を
形成したものであってもよい。
ば、被処理基板を処理チャンバー内に装入し、減圧状態
で成膜工程を含む一連のプロセスを実施する間、被処理
基板に急激な温度変動が生じないように処理チャンバー
内の圧力を調整するので、プロセス中に被処理基板に生
じるストレスが低減される。
理チャンバー内圧力を成膜圧力に調整し、次いで成膜ガ
スを流して成膜を行い、成膜終了時点で、成膜ガスを停
止するとともに、成膜ガス以外のガスを徐々に停止する
ことにより、プロセス中の急激な圧力変動が防止され、
結果として急激な温度変動が防止され、温度変動による
被処理基板のストレスが低減される。
理チャンバー内に搬入して載置台の上に載置するまでの
間、および被処理基板に対して減圧状態で成膜工程を含
む一連のプロセスが終了後してから被処理基板を処理チ
ャンバーから搬出するまでの間、被処理基板に急激な温
度変動が生じないように搬送シーケンスを調整するの
で、被処理基板搬送に際しての基板へのストレスが低減
される。
理基板支持ピンを上昇させて被処理基板を該支持ピン上
に保持した状態で、トランスファーチャンバーと処理チ
ャンバーとの間のゲートバルブを閉じ、所定時間保持後
に被処理基板支持ピンを下降させて被処理基板を載置台
に載置し、プロセス終了後、支持ピンを上昇させて被処
理基板を該支持ピン上に所定時間保持後、ゲートバルブ
を開いて被処理基板をトランスファーチャンバーへ搬出
するので、被処理基板を載置台に載置する際および処理
チャンバーから搬出する際に急激な温度変動が生じるこ
とが防止され、被処理基板のストレスを低減することが
できる。
れば、プロセス中における温度変動および搬送中の温度
変動の両方を低減することにより、被処理基板に生じる
ストレスを一層有効に低減することができる。
TiN成膜装置を示す断面図。
ーを示すフローチャート。
のプロセス時における半導体ウエハの温度変動を、実施
形態と従来とで比較して示す図。
およびチャンバーから搬出する際における半導体ウエハ
の温度変動を、実施形態と従来とで比較して示す図。
Claims (6)
- 【請求項1】 処理チャンバー内で被処理基板にCVD
により薄膜を形成するCVD成膜方法であって、 被処理基板を処理チャンバー内に装入し、減圧状態で成
膜工程を含む一連のプロセスを実施する間、被処理基板
に急激な温度変動が生じないように圧力を調整すること
を特徴とするCVD成膜方法。 - 【請求項2】 処理チャンバー内で被処理基板にCVD
により薄膜を形成するCVD成膜方法であって、 被処理基板を処理チャンバー内に装入し、減圧状態で成
膜工程を含む一連のプロセスを実施するにあたり、プロ
セス開始時点で処理チャンバー内圧力を成膜圧力に調整
し、次いで成膜ガスを流して成膜を行い、成膜終了時点
で、成膜ガスを停止するとともに、成膜ガス以外のガス
を徐々に停止することを特徴とするCVD成膜方法。 - 【請求項3】 処理チャンバー内で被処理基板を載置台
に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で被処理基板
を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜を形成する
CVD成膜方法であって、 被処理基板を処理チャンバー内に搬入して載置台の上に
載置するまでの間、および被処理基板に対して減圧状態
で成膜工程を含む一連のプロセスが終了後してから被処
理基板を処理チャンバーから搬出するまでの間、被処理
基板に急激な温度変動が生じないように搬送シーケンス
を調整することを特徴とするCVD成膜方法。 - 【請求項4】 処理チャンバー内で被処理基板を載置台
に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で被処理基板
を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜を形成する
CVD成膜方法であって、 トランスファーチャンバーから被処理基板を処理チャン
バー内に搬入し、載置台の被処理基板支持ピンを上昇さ
せて被処理基板を該支持ピン上に保持した状態で、トラ
ンスファーチャンバーと処理チャンバーとの間のゲート
バルブを閉じ、所定時間保持後に前記被処理基板支持ピ
ンを下降させて被処理基板を載置台に載置し、被処理基
板に対して減圧状態で成膜工程を含む一連のプロセスを
行い、プロセス終了後、前記被処理基板支持ピンを上昇
させて被処理基板を該支持ピン上に所定時間保持後、前
記ゲートバルブを開いて被処理基板を前記トランスファ
ーチャンバーへ搬出することを特徴とするCVD成膜方
法。 - 【請求項5】 処理チャンバー内で被処理基板を載置台
に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で被処理基板
を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜を形成する
CVD成膜方法であって、 被処理基板を処理チャンバー内に装入し、減圧状態で成
膜工程を含む一連のプロセスを実施する間、被処理基板
に急激な温度変動が生じないように圧力を調整し、 被処理基板を処理チャンバー内に搬入して載置台の上に
載置するまでの間、および被処理基板に対して減圧状態
で成膜工程を含む一連のプロセスが終了後してから被処
理基板を処理チャンバーから搬出するまでの間、被処理
基板に急激な温度変動が生じないように搬送シーケンス
を調整することを特徴とするCVD成膜方法。 - 【請求項6】 処理チャンバー内で被処理基板を載置台
に載置し、載置台内に設けられた加熱手段で被処理基板
を加熱しつつ被処理基板にCVDにより薄膜を形成する
CVD成膜方法であって、 トランスファーチャンバーから被処理基板を処理チャン
バー内に搬入し、載置台の被処理基板支持ピンを上昇さ
せて被処理基板を該支持ピン上に保持した状態で、トラ
ンスファーチャンバーと処理チャンバーとの間のゲート
バルブを閉じ、所定時間保持後に前記被処理基板支持ピ
ンを下降させて被処理基板を載置台に載置し、 減圧状態で成膜工程を含む一連のプロセスを実施するに
あたり、プロセス開始時点で処理チャンバー内圧力を成
膜圧力に調整し、次いで成膜ガスを流して成膜を行い、
成膜終了時点で、成膜ガスを停止するとともに、成膜ガ
ス以外のガスを徐々に停止し、 プロセス終了後、前記被処理基板支持ピンを上昇させて
被処理基板を該支持ピン上に所定時間保持後、前記ゲー
トバルブを開いて被処理基板を前記トランスファーチャ
ンバーへ搬出することを特徴とするCVD成膜方法。
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