JPH08195334A - シリコン基板の接合方法 - Google Patents
シリコン基板の接合方法Info
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- JPH08195334A JPH08195334A JP4039895A JP4039895A JPH08195334A JP H08195334 A JPH08195334 A JP H08195334A JP 4039895 A JP4039895 A JP 4039895A JP 4039895 A JP4039895 A JP 4039895A JP H08195334 A JPH08195334 A JP H08195334A
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- silicon substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン基板どうしの接合工程において、低
温処理で強固な接合を可能とすることにあり、また、こ
れにより高温に耐える材料以外の材料も利用可能とし、
更に膜はがれや、ボイドの発生も防止する。 【構成】 シリコン基板１，２表面を疎水化処理する工
程と、該疎水化処理した前記基板どうしを加圧下で接触
させて接合する工程と、その後加熱処理して前記接合を
強化する工程と、を有することを特徴とするシリコン基
板の接合方法。前記基板どうし１，２を加圧下で接触さ
せて接合する工程は、前記基板１，２の中央部から順次
接触させることを特徴とする。
温処理で強固な接合を可能とすることにあり、また、こ
れにより高温に耐える材料以外の材料も利用可能とし、
更に膜はがれや、ボイドの発生も防止する。 【構成】 シリコン基板１，２表面を疎水化処理する工
程と、該疎水化処理した前記基板どうしを加圧下で接触
させて接合する工程と、その後加熱処理して前記接合を
強化する工程と、を有することを特徴とするシリコン基
板の接合方法。前記基板どうし１，２を加圧下で接触さ
せて接合する工程は、前記基板１，２の中央部から順次
接触させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板の製造方法
に関し、特にシリコン基板どうしの接合方法に関する。
に関し、特にシリコン基板どうしの接合方法に関する。
【０００２】
【従来の方法】シリコン基板どうしの接合は、ＳＯＩ
（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の
作製に不可欠な技術である。従来、シリコン基板同士の
接合は、特開昭３９−１７８６９号公報あるいは特開昭
６２−２７０４０号公報に見られるように、基板を接触
後、酸化雰囲気中で加熱する、あるいは親水化処理した
基板を接触後加熱する方法が用いられており、基板は酸
化層を介して接合されている。
（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板の
作製に不可欠な技術である。従来、シリコン基板同士の
接合は、特開昭３９−１７８６９号公報あるいは特開昭
６２−２７０４０号公報に見られるように、基板を接触
後、酸化雰囲気中で加熱する、あるいは親水化処理した
基板を接触後加熱する方法が用いられており、基板は酸
化層を介して接合されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
での方法では、強固な接合を得るためには、接触後１０
００℃前後に加熱する必要がある。従って、接合前に基
板上に素子が形成されているような場合、このような高
温に耐えるためには使用する材料が極めて制限されると
いう問題がある。
での方法では、強固な接合を得るためには、接触後１０
００℃前後に加熱する必要がある。従って、接合前に基
板上に素子が形成されているような場合、このような高
温に耐えるためには使用する材料が極めて制限されると
いう問題がある。
【０００４】さらに、積層された構造においては各層材
料の熱膨張差により膜剥がれが発生するという問題もあ
る。従来の方法はまた、基板表面の水酸基の脱水分解に
より発生したガスがボイドとして残りやすく、これが接
合強度を低下させるという問題もあった。
料の熱膨張差により膜剥がれが発生するという問題もあ
る。従来の方法はまた、基板表面の水酸基の脱水分解に
より発生したガスがボイドとして残りやすく、これが接
合強度を低下させるという問題もあった。
【０００５】（発明の目的）本発明の目的は、シリコン
基板の接合工程において、低温処理で強固な接合を可能
とすることにあり、また、これにより高温に耐える材料
以外の材料も利用可能とし、更に膜はがれや、ボイドの
発生も防止することにある。
基板の接合工程において、低温処理で強固な接合を可能
とすることにあり、また、これにより高温に耐える材料
以外の材料も利用可能とし、更に膜はがれや、ボイドの
発生も防止することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のシリコン基板の
接合方法は、前記課題を解決するための手段としてシリ
コン基板表面の疎水化処理工程、加圧しながらの基板ど
うしの接触工程、加熱処理工程の３つの工程を有するこ
とを特徴とする。
接合方法は、前記課題を解決するための手段としてシリ
コン基板表面の疎水化処理工程、加圧しながらの基板ど
うしの接触工程、加熱処理工程の３つの工程を有するこ
とを特徴とする。
【０００７】まず、シリコン表面の疎水化は、代表的に
はフッ酸による表面の自然酸化膜を除去することでおこ
なわれる。フッ酸処理によりシリコン表面の大部分が水
素原子で終端される。使用されるフッ酸の濃度は１０重
量％以下であり、１〜５％のフッ酸処理が疎水化処理に
適している。ＰＨを３〜６に調整したバッファーフッ酸
を使用してもよい。またフッ酸処理前に基板表面に付着
している有機物等の不純物を除去する処理をしてもよ
い。この場合、基板表面に凹凸を形成するような処理は
避けなければならない。疎水化処理方法としては上記フ
ッ酸処理の他、高真空中で基板表面に加速した不活性イ
オンを照射し、清浄なシリコン表面を形成した後、水素
ガスを真空槽に導入し、基板表面を水素原子で終端する
方法がある。
はフッ酸による表面の自然酸化膜を除去することでおこ
なわれる。フッ酸処理によりシリコン表面の大部分が水
素原子で終端される。使用されるフッ酸の濃度は１０重
量％以下であり、１〜５％のフッ酸処理が疎水化処理に
適している。ＰＨを３〜６に調整したバッファーフッ酸
を使用してもよい。またフッ酸処理前に基板表面に付着
している有機物等の不純物を除去する処理をしてもよ
い。この場合、基板表面に凹凸を形成するような処理は
避けなければならない。疎水化処理方法としては上記フ
ッ酸処理の他、高真空中で基板表面に加速した不活性イ
オンを照射し、清浄なシリコン表面を形成した後、水素
ガスを真空槽に導入し、基板表面を水素原子で終端する
方法がある。
【０００８】次に、疎水化処理された２枚の基板は圧力
を加えながら接触させられる。図１は本発明で基板の接
触に使用した装置の概略図である。この装置は第１の基
板１を平坦に保持し、流体導入口４から加圧された流体
（液体、気体のどちらでもよい）を導入し、この流体圧
を第２の基板２の裏面に印加しながら２枚の基板を近接
させるものである。図１の装置では流体圧は薄いメンブ
レン３に加えられ、このメンブレンが球面状にたわむた
め、それに接する第２基板２も球面状にたわむ。第２基
板２がたわむことにより２枚の基板はそれぞれの中央部
から接触していく。この接触方法では、接触過程で雰囲
気ガスが周辺部に追い出されるため、大気中においても
基板間にガスが残留することがない。もちろん２枚の基
板を真空中で接触させてもよい。流体圧は３ｋｇ／ｃｍ
2 以上あれば十分効果がある。
を加えながら接触させられる。図１は本発明で基板の接
触に使用した装置の概略図である。この装置は第１の基
板１を平坦に保持し、流体導入口４から加圧された流体
（液体、気体のどちらでもよい）を導入し、この流体圧
を第２の基板２の裏面に印加しながら２枚の基板を近接
させるものである。図１の装置では流体圧は薄いメンブ
レン３に加えられ、このメンブレンが球面状にたわむた
め、それに接する第２基板２も球面状にたわむ。第２基
板２がたわむことにより２枚の基板はそれぞれの中央部
から接触していく。この接触方法では、接触過程で雰囲
気ガスが周辺部に追い出されるため、大気中においても
基板間にガスが残留することがない。もちろん２枚の基
板を真空中で接触させてもよい。流体圧は３ｋｇ／ｃｍ
2 以上あれば十分効果がある。
【０００９】次に、接触した２枚のシリコン基板の接合
を強固にするために加熱する。本発明では加熱温度が２
５０℃以上あれば実用上十分な接合強度が得られるが、
３００℃〜７００℃、さらに好ましくは５００〜７００
℃であれば従来方法に匹敵する強固な接合が達成され
る。ヒータ加熱、ランプ加熱等の加熱手段により接合基
板を昇温する。また、加熱中の雰囲気は接合には制限が
なく大気中、不活性ガス中、真空中いずれでもよい。
を強固にするために加熱する。本発明では加熱温度が２
５０℃以上あれば実用上十分な接合強度が得られるが、
３００℃〜７００℃、さらに好ましくは５００〜７００
℃であれば従来方法に匹敵する強固な接合が達成され
る。ヒータ加熱、ランプ加熱等の加熱手段により接合基
板を昇温する。また、加熱中の雰囲気は接合には制限が
なく大気中、不活性ガス中、真空中いずれでもよい。
【００１０】加熱する効果は以下のように推測される。
加熱によりシリコン基板表面に吸着している水素原子が
脱離することにより、基板最表面にあるシリコン原子同
士が直接結合するか、あるいは水素原子と大気中の酸素
原子が置き変わり、酸素原子を介してシリコン原子が結
合することによって２枚のシリコン基板の接合がおこな
われる。
加熱によりシリコン基板表面に吸着している水素原子が
脱離することにより、基板最表面にあるシリコン原子同
士が直接結合するか、あるいは水素原子と大気中の酸素
原子が置き変わり、酸素原子を介してシリコン原子が結
合することによって２枚のシリコン基板の接合がおこな
われる。
【００１１】加熱中における接合強度の増加過程におい
て、基板周辺部より強い結合がすすんだ場合において、
基板の中央部にしばしば空孔（ボイド）が発生すること
がある。一旦強固に接合した部分はひずみを緩和するこ
とができず、未接合部にひずみが集中した結果ボイドと
して残るものと考えられる。こうしたボイドは基板温度
の不均一性により強固に接合した部分がランダムに作ら
れたときにも発生する。
て、基板周辺部より強い結合がすすんだ場合において、
基板の中央部にしばしば空孔（ボイド）が発生すること
がある。一旦強固に接合した部分はひずみを緩和するこ
とができず、未接合部にひずみが集中した結果ボイドと
して残るものと考えられる。こうしたボイドは基板温度
の不均一性により強固に接合した部分がランダムに作ら
れたときにも発生する。
【００１２】したがって、ボイドを発生させずにシリコ
ン基板を接合させるためには一点より接合をすることが
有効である。その方法として、図３に示すように接触が
完了したシリコン基板５を石英やセラミクス等熱伝導率
が比較的小さい２枚の板６および６′で挟み、これらの
板の背後の基板中央を加熱することが有効である。こう
した手段により２枚のシリコン基板は中央より徐々に加
熱され、強固な接合部が中央より周辺に広がりボイドの
発生が抑えられる。
ン基板を接合させるためには一点より接合をすることが
有効である。その方法として、図３に示すように接触が
完了したシリコン基板５を石英やセラミクス等熱伝導率
が比較的小さい２枚の板６および６′で挟み、これらの
板の背後の基板中央を加熱することが有効である。こう
した手段により２枚のシリコン基板は中央より徐々に加
熱され、強固な接合部が中央より周辺に広がりボイドの
発生が抑えられる。
【００１３】他の方法として図４に示すように、接触さ
せたシリコン基板８を搬送ローラ１０によって細長い加
熱手段９、９′の短辺方向に搬送させ、基板の端より徐
々に強固な接合部を形成する方法がある。遮蔽板１２お
よび冷却ローラ１１は未接合部への熱伝導を低下させる
ことにより温度上昇部を制御する働きをする。図３、図
４いずれの方法においても加熱手段を上下２組設置する
ことにより、２枚の基板の温度差をできるだけ小さくし
ている。また、図４に示した方法においては基板を搬送
するかわりに加熱手段を基板の端より移動させても同様
の効果が期待できる。
せたシリコン基板８を搬送ローラ１０によって細長い加
熱手段９、９′の短辺方向に搬送させ、基板の端より徐
々に強固な接合部を形成する方法がある。遮蔽板１２お
よび冷却ローラ１１は未接合部への熱伝導を低下させる
ことにより温度上昇部を制御する働きをする。図３、図
４いずれの方法においても加熱手段を上下２組設置する
ことにより、２枚の基板の温度差をできるだけ小さくし
ている。また、図４に示した方法においては基板を搬送
するかわりに加熱手段を基板の端より移動させても同様
の効果が期待できる。
【００１４】
【作用】本発明によれば、あらかじめ基板表面を疎水化
処理しておくため、低温度でも強固な接合が可能とな
る。
処理しておくため、低温度でも強固な接合が可能とな
る。
【００１５】また、前記疎水化処理は、フッ酸、バッフ
ァーフッ酸により行なうことにより、疎水化処理を効果
的に行なうことができる。
ァーフッ酸により行なうことにより、疎水化処理を効果
的に行なうことができる。
【００１６】また、前記疎水化処理は、高真空中で基板
表面に加速した不活性イオンを照射し、清浄なシリコン
表面を形成した後、水素ガスを導入して基板表面を水素
原子で終端することにより、基板表面の疎水化を完全に
することができる。
表面に加速した不活性イオンを照射し、清浄なシリコン
表面を形成した後、水素ガスを導入して基板表面を水素
原子で終端することにより、基板表面の疎水化を完全に
することができる。
【００１７】また、前記基板どうしを加圧下で接触させ
て接合する工程は、前記基板の中央部から順次接触させ
ることにより、接合界面に基体等を含むことがなくな
り、ボイドの発生を防止できる。
て接合する工程は、前記基板の中央部から順次接触させ
ることにより、接合界面に基体等を含むことがなくな
り、ボイドの発生を防止できる。
【００１８】また、前記加熱処理は２５０℃〜７００℃
で行なうことにより、十分な接合強度を得ることができ
る。
で行なうことにより、十分な接合強度を得ることができ
る。
【００１９】
［実施例１］２枚の（１００）シリコン基板を２％フッ
酸で表面疎水化処理し、ただちに図１の接触装置により
５気圧のガス圧を印加しつつ、大気中で２枚のシリコン
基板を接触させた。
酸で表面疎水化処理し、ただちに図１の接触装置により
５気圧のガス圧を印加しつつ、大気中で２枚のシリコン
基板を接触させた。
【００２０】つぎに大気中で２時間加熱して接合した。
加熱温度（熱処理温度）は、図２に示した各温度とし
た。
加熱温度（熱処理温度）は、図２に示した各温度とし
た。
【００２１】こうして作製した接合試料の曲げ強度を測
定した。図２は曲げ強度より算出した破壊時の界面せん
断応力を図示したものである。同様の方法で測定したシ
リコン基板の破壊強度は５５ｋｇ／ｃｍ2 であり、２５
０℃で加熱すれば十分強固に接合されていることがわか
った。
定した。図２は曲げ強度より算出した破壊時の界面せん
断応力を図示したものである。同様の方法で測定したシ
リコン基板の破壊強度は５５ｋｇ／ｃｍ2 であり、２５
０℃で加熱すれば十分強固に接合されていることがわか
った。
【００２２】［実施例２］（１００）シリコン基板を２
００℃で１０分間紫外線処理し、基板表面の有機不純物
を除去した後、フッ化アンモニウムでＰＨ４に調整した
バッファーフッ酸で疎水化処理した。
００℃で１０分間紫外線処理し、基板表面の有機不純物
を除去した後、フッ化アンモニウムでＰＨ４に調整した
バッファーフッ酸で疎水化処理した。
【００２３】その後実施例１と同様に２枚の基板を接触
させた後、加熱処理を行った。
させた後、加熱処理を行った。
【００２４】実施例１と同様にして強度を測定したとこ
ろ、同等の強度で接合することが確かめられた。
ろ、同等の強度で接合することが確かめられた。
【００２５】［比較例］（１００）シリコン基板を親水
化処理し、実施例１と同様に接触、加熱処理をした試料
の接合強度を測定したところ、図２に示したように、６
００℃以上では強固に接合したが、低温では十分な強度
が得られなかった。また、４００℃以下の場合、ダイシ
ングソー切断時において接合面で剥離した。
化処理し、実施例１と同様に接触、加熱処理をした試料
の接合強度を測定したところ、図２に示したように、６
００℃以上では強固に接合したが、低温では十分な強度
が得られなかった。また、４００℃以下の場合、ダイシ
ングソー切断時において接合面で剥離した。
【００２６】［実施例３］２枚の（100 ）シリコン基板
を８５℃の硫酸および過酸化水素混合水溶液中に５分浸
漬した後、１０分間純水により洗浄した。ひきつづき、
２％フッ酸水溶液で２０秒間疎水化処理を行い、２分間
純水洗浄した。以上の前処理を施した２枚のシリコン基
板を図１に示した接触装置により５気圧を印加しつつ接
触させた。次に図３に概略を示すように、接触した２枚
のシリコン基板５を２枚のアルミナセラミクス板６、
６′に挟み、このアルミナセラミクス板の中央部を加熱
温度が５００℃となるようにヒータ７、７′により加熱
した。
を８５℃の硫酸および過酸化水素混合水溶液中に５分浸
漬した後、１０分間純水により洗浄した。ひきつづき、
２％フッ酸水溶液で２０秒間疎水化処理を行い、２分間
純水洗浄した。以上の前処理を施した２枚のシリコン基
板を図１に示した接触装置により５気圧を印加しつつ接
触させた。次に図３に概略を示すように、接触した２枚
のシリコン基板５を２枚のアルミナセラミクス板６、
６′に挟み、このアルミナセラミクス板の中央部を加熱
温度が５００℃となるようにヒータ７、７′により加熱
した。
【００２７】以上のように接合した２枚のシリコン基板
に赤外線を照射し、透過光を赤外線カメラにより観察し
たところ、ボイドの発生は見られなかった。また、破壊
時のせん断応力は８５ｋｇ／ｃｍ2 であり十分な強度を
もつことが確認された。
に赤外線を照射し、透過光を赤外線カメラにより観察し
たところ、ボイドの発生は見られなかった。また、破壊
時のせん断応力は８５ｋｇ／ｃｍ2 であり十分な強度を
もつことが確認された。
【００２８】［実施例４］２枚の（100 ）シリコン基板
を酸素雰囲気中で２００℃に加熱しながら、紫外線を２
０分間照射したのち、２％フッ酸水溶液で２０秒間疎水
化処理を行い、２分間純水洗浄した。以上の疎水化処理
を施した２枚のシリコン基板を図１に示した接触装置に
より５気圧を印加しつつ接触させた。次に図４に概略を
示す試料搬送装置を有する加熱装置により接触したシリ
コン基板８を加熱した。図４において、１０は搬送用ロ
ーラ、１１は水冷されたローラであり、１２は熱遮蔽板
である。シリコン基板８は矢印方向に移動する過程で熱
遮蔽版１２の中央部に設置されたヒータ９、９′により
加熱される。シリコン基板のヒータ直下部分は温度上昇
するが、そこからはなれた部分は水冷ローラにより熱が
遮断され低温に保たれるため、強固な接合は起こらな
い。本実施例においてはヒータ直下でのシリコン基板温
度が５５０℃となるようにヒータ電力を調整した。
を酸素雰囲気中で２００℃に加熱しながら、紫外線を２
０分間照射したのち、２％フッ酸水溶液で２０秒間疎水
化処理を行い、２分間純水洗浄した。以上の疎水化処理
を施した２枚のシリコン基板を図１に示した接触装置に
より５気圧を印加しつつ接触させた。次に図４に概略を
示す試料搬送装置を有する加熱装置により接触したシリ
コン基板８を加熱した。図４において、１０は搬送用ロ
ーラ、１１は水冷されたローラであり、１２は熱遮蔽板
である。シリコン基板８は矢印方向に移動する過程で熱
遮蔽版１２の中央部に設置されたヒータ９、９′により
加熱される。シリコン基板のヒータ直下部分は温度上昇
するが、そこからはなれた部分は水冷ローラにより熱が
遮断され低温に保たれるため、強固な接合は起こらな
い。本実施例においてはヒータ直下でのシリコン基板温
度が５５０℃となるようにヒータ電力を調整した。
【００２９】以上のように接合したシリコン基板を実施
例３と同様に赤外線カメラで観察したがボイドの発生は
見られなかった。また、破壊時のせん断応力は９１ｋｇ
／ｃｍ2 であった。
例３と同様に赤外線カメラで観察したがボイドの発生は
見られなかった。また、破壊時のせん断応力は９１ｋｇ
／ｃｍ2 であった。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の接合方法
は、従来に比べ低温でシリコン基板の強固な接合を可能
にする効果が得られる。また、本発明の方法によれば、
低温で接合可能であるため、素子形成後のシリコン基板
どうしも接合することができ、マイクロマシン等の立体
構造体の形成に有効な手段を提供することができる。
は、従来に比べ低温でシリコン基板の強固な接合を可能
にする効果が得られる。また、本発明の方法によれば、
低温で接合可能であるため、素子形成後のシリコン基板
どうしも接合することができ、マイクロマシン等の立体
構造体の形成に有効な手段を提供することができる。
【００３１】また、積層構造の熱膨張差による膜はがれ
や、ボイドの発生等も、少なくすることができるため、
品質や、信頼性も向上できる。
や、ボイドの発生等も、少なくすることができるため、
品質や、信頼性も向上できる。
【図１】本発明で基板の接触に使用した装置の概略図
【図２】曲げ強度より算出した実施例と比較例の破壊時
の界面せん断応力の図
の界面せん断応力の図
【図３】実施例３で用いた加熱方法の概略図
【図４】実施例４で用いた加熱装置の概略図
１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ メンブレン ４ 流体導入口 ５、８ 接触させたシリコン基板 ６、６′、セラミクス板 ７、７′、９、９′ 加熱手段 １０ 搬送ローラ １１ 水冷ローラ １２ 熱遮蔽板
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコン基板表面を疎水化処理する工程
と、該疎水化処理した前記基板どうしを加圧下で接触さ
せて接合する工程と、その後加熱処理して前記接合を強
化する工程と、を有することを特徴とするシリコン基板
の接合方法。 - 【請求項２】 前記疎水化処理は、フッ酸により前記基
板表面の自然酸化膜を除去することを特徴とする請求項
１に記載のシリコン基板の接合方法。 - 【請求項３】 前記疎水化処理は、バッファーフッ酸を
用いることを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板
の接合方法。 - 【請求項４】 前記疎水化処理は、高真空中で基板表面
に加速した不活性イオンを照射し、清浄なシリコン表面
を形成した後、水素ガスを導入して基板表面を水素原子
で終端することを特徴とする請求項１に記載のシリコン
基板の接合方法。 - 【請求項５】 前記基板どうしを加圧下で接触させて接
合する工程は、前記基板の中央部から順次接触させるこ
とを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の接合方
法。 - 【請求項６】 前記加熱処理は２５０℃〜７００℃で行
なうことを特徴とする請求項１に記載のシリコン基板の
接合方法。 - 【請求項７】 前記加熱処理は、前記シリコン基板の中
央より温度上昇させることを特徴とする請求項１に記載
のシリコン基板の接合方法。 - 【請求項８】 前記加熱処理は、前記シリコン基板の端
部より温度上昇させることを特徴とする請求項１に記載
のシリコン基板の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4039895A JPH08195334A (ja) | 1994-11-17 | 1995-02-28 | シリコン基板の接合方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-283470 | 1994-11-17 | ||
| JP28347094 | 1994-11-17 | ||
| JP4039895A JPH08195334A (ja) | 1994-11-17 | 1995-02-28 | シリコン基板の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195334A true JPH08195334A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=26379865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4039895A Pending JPH08195334A (ja) | 1994-11-17 | 1995-02-28 | シリコン基板の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195334A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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