JPH08193270A - Formation of diamondlike carbon film and device therefor - Google Patents
Formation of diamondlike carbon film and device thereforInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド状カーボ
ン膜を形成する為の技術に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a technique for forming a diamond-like carbon film.
【０００２】[0002]
【発明の背景】磁気テープ等の磁気記録媒体において
は、高密度記録化の要請から、支持体上に設けられる磁
性層として、バインダ樹脂を用いた塗布型のものではな
く、バインダ樹脂を用いない金属薄膜型のものが提案さ
れている。すなわち、無電解メッキ等の湿式メッキ手
段、真空蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーテ
ィング等の乾式メッキ手段により磁性層を形成した磁気
記録媒体が提案されている。そして、この種の磁気記録
媒体は磁性体の充填密度が高く、高密度記録に適したも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION In a magnetic recording medium such as a magnetic tape, due to a demand for high density recording, a magnetic layer provided on a support is not a coating type using a binder resin and does not use a binder resin. A metal thin film type has been proposed. That is, there has been proposed a magnetic recording medium having a magnetic layer formed by a wet plating means such as electroless plating or a dry plating means such as vacuum deposition, sputtering or ion plating. The magnetic recording medium of this type has a high packing density of magnetic material and is suitable for high-density recording.
【０００３】この種の磁気記録媒体における金属磁性膜
を保護する為に、各種の保護膜を表面に設けることが提
案されている。例えば、ダイヤモンド状カーボン膜もこ
れらの提案の一つである。このダイヤモンド状カーボン
膜を表面に設ける手段としては各種のものが有る。例え
ば、熱フィラメントＣＶＤ装置、光ＣＶＤ装置、ＲＦプ
ラズマＣＶＤ装置、マイクロ波プラズマＣＶＤ装置、Ｅ
ＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置などのＣＶＤ（ケミ
カルベーパーデポジション）装置が有る。In order to protect the metal magnetic film in this type of magnetic recording medium, it has been proposed to provide various protective films on the surface. For example, a diamond-like carbon film is one of these proposals. There are various means for providing the diamond-like carbon film on the surface. For example, hot filament CVD apparatus, photo CVD apparatus, RF plasma CVD apparatus, microwave plasma CVD apparatus, E
There is a CVD (chemical vapor deposition) device such as a CR microwave plasma CVD device.
【０００４】これらの装置により形成されるダイヤモン
ド状カーボン膜は、ダイヤモンド構造を有しているもの
の、完全なダイヤモンド構造のものではなく、グラファ
イト構造も有している。すなわち、ダイヤモンド及びグ
ラフィトのＥＥＬＳ（Electron Energy Loss Spectrosc
opy ）を図３に、そしてＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて形成されるダイヤモンド状カーボン膜の
ＥＥＬＳを図４に示すが、グラファイト結合がある程度
存在することが認められる。Although the diamond-like carbon film formed by these devices has a diamond structure, it does not have a complete diamond structure but also a graphite structure. That is, diamond and graffiti EELS (Electron Energy Loss Spectrosc
opy) in Fig. 3, and ECR microwave plasma CV
The EELS of the diamond-like carbon film formed using the D apparatus is shown in FIG. 4, and it is recognized that graphite bonds are present to some extent.
【０００５】このグラファイト結合を有した膜は、軟ら
かいことから、金属薄膜型の磁気記録媒体の保護膜とし
ては充分なものでない。つまり、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜が求められている。Since the film having the graphite bond is soft, it is not sufficient as a protective film for a metal thin film type magnetic recording medium. That is, a diamond-like carbon film rich in diamond structure is required.
【０００６】[0006]
【発明の開示】本発明の目的は、ダイヤモンド構造に富
むダイヤモンド状カーボン膜を得ることが出来る技術を
提供することである。この本発明の目的は、支持体上に
ＤＣマグネトロンスパッタ法によりカーボンを付けた
後、その上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法により
カーボン膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状
カーボン膜の形成方法によって達成される。DISCLOSURE OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a technique capable of obtaining a diamond-like carbon film rich in diamond structure. An object of the present invention is to provide a diamond-like carbon film forming method, which comprises depositing carbon on a support by DC magnetron sputtering, and then forming a carbon film on it by ECR microwave plasma CVD. To be achieved.
【０００７】又、ダイヤモンド状カーボン膜を形成する
装置であって、支持体の供給手段と、支持体の巻取手段
と、第１の真空槽と、この第１の真空槽内に設けられた
第１の冷却キャンロールと、前記第１の真空槽に設けら
れたＤＣマグネトロンスパッタ装置と、第２の真空槽
と、この第２の真空槽内に設けられた第２の冷却キャン
ロールと、前記第２の真空槽に設けられたＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置とを具備してなり、前記支持体
の供給手段から供給された第１の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法に
よりカーボンを付けた後、第２の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上のカーボンの上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するよう構
成したことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形
成装置によって達成される。Further, in the apparatus for forming a diamond-like carbon film, the support supply means, the support winding means, the first vacuum chamber, and the first vacuum chamber are provided. A first cooling can roll, a DC magnetron sputtering device provided in the first vacuum chamber, a second vacuum chamber, and a second cooling can roll provided in the second vacuum chamber; An ECR microwave plasma CVD apparatus provided in the second vacuum chamber, and a DC magnetron on a support that runs along the first cooling can roll supplied from the support supply means. After the carbon is attached by the sputtering method, the carbon film is formed by the ECR microwave plasma CVD method on the carbon on the support that runs along the second cooling can roll. It is achieved by forming apparatus that diamond-like carbon film.
【０００８】ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法は、成
膜面積が広く、他のＣＶＤ法に比べて高いプラズマ密度
を持ち、成膜速度が速い特長を有しているものの、前述
した通り、ダイヤモンド構造に富むものが得られ難い。
そこで、予め、ダイヤモンド構造に富むものを付けた
後、その上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ法でカー
ボン膜を成膜させれば、この膜は下地のダイヤモンド構
造の影響によってダイヤモンド構造に富むものになると
考えた。そして、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程
の前にＤＣマグネトロンスパッタ工程を設けておけば、
ＤＣマグネトロンスパッタ工程によって得られる膜（膜
になってなく、斑点状であっても良い）はダイヤモンド
構造に富むから、この上に形成されるＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ膜がダイヤモンド構造に富むものになる
と考えた。つまり、ＤＣマグネトロンスパッタ膜は成膜
速度が遅いものの、これによって膜全ての厚さを形成す
るものではなく、下地膜を形成する程度に過ぎないか
ら、成膜速度が遅いと言う欠点は問題にならない。そし
て、得られる膜は質が高いダイヤモンド構造を有する。
この高品質なダイヤモンド構造を有するＤＣマグネトロ
ンスパッタ膜の上に、成膜速度が速いＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ法を用いて成膜すれば、結果的に、高品
質なダイヤモンド構造を有するカーボン膜を生産性良く
製造できる。The ECR microwave plasma CVD method has a large film-forming area, a higher plasma density than other CVD methods, and a high film-forming rate, but as described above, it has a diamond structure. It is difficult to obtain rich things.
Therefore, if a carbon film rich in diamond structure is attached in advance and a carbon film is formed thereon by the ECR microwave plasma CVD method, this film becomes rich in diamond structure due to the influence of the underlying diamond structure. Thought. If a DC magnetron sputtering process is provided before the ECR microwave plasma CVD process,
Since the film obtained by the DC magnetron sputtering process (not a film but may be speckled) is rich in diamond structure, if the ECR microwave plasma CVD film formed on it becomes rich in diamond structure. Thought. In other words, although the DC magnetron sputtered film has a low film formation rate, it does not form the entire thickness of the film, but only forms an underlayer film. I won't. The resulting film then has a high quality diamond structure.
If a film is formed on this DC magnetron sputtered film having a high quality diamond structure by the ECR microwave plasma CVD method having a high film formation rate, a carbon film having a high quality diamond structure is produced as a result. It can be manufactured with good performance.
【０００９】ＤＣマグネトロンスパッタ工程において用
いられるターゲットは、例えばグラファイトが用いられ
る。ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程でダイヤモン
ド状カーボン膜を成膜する為に用いられる反応ガスとし
ては、例えばメタン等の鎖状炭化水素、ベンゼンやシク
ロヘキサン等の環状炭化水素、あるいはこれらの炭化水
素と窒素やアンモニア等の窒素化合物との混合物、又は
ピラジン、ピラゾリジン、ピラゾリン、ピラゾール、ピ
リジン、ピリダジン、ピリミジン、ピペリジン、ピペラ
ジン、イミダゾール、ピロール、あるいはこれらの同族
体や誘導体のような窒素含有環状炭化水素などの炭化水
素系のものが挙げられる。The target used in the DC magnetron sputtering process is, for example, graphite. As the reaction gas used for forming the diamond-like carbon film in the ECR microwave plasma CVD process, for example, chain hydrocarbons such as methane, cyclic hydrocarbons such as benzene and cyclohexane, or these hydrocarbons and nitrogen, Mixtures with nitrogen compounds such as ammonia, or carbonization of nitrogen-containing cyclic hydrocarbons such as pyrazine, pyrazolidine, pyrazoline, pyrazole, pyridine, pyridazine, pyrimidine, piperidine, piperazine, imidazole, pyrrole, or their homologues and derivatives. Examples include hydrogen-based ones.
【００１０】本発明は、例えば金属薄膜型の磁性膜の上
にダイヤモンド状カーボン膜を形成する為に用いられ
る。磁気記録媒体における支持体は、磁性を有するもの
でも、非磁性のものでも良い。一般的には非磁性のもの
である。例えば、ＰＥＴ等のポリエステル、ポリアミ
ド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート、
ポリプロピレン等のオレフィン系の樹脂、セルロース系
の樹脂、塩化ビニル系の樹脂といった高分子材料、ガラ
スやセラミック等の無機系材料などが用いられる。この
支持体上に、蒸着やスパッタ等の乾式メッキ手段によっ
て金属薄膜型の磁性膜が設けられる。金属薄膜型の磁性
膜を形成する磁性粒子の材料としては、例えばＦｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、ある
いはこれらにＡｌ等の金属を含有させたもの等が用いら
れる。The present invention is used, for example, to form a diamond-like carbon film on a metal thin film type magnetic film. The support in the magnetic recording medium may be magnetic or non-magnetic. Generally, it is non-magnetic. For example, polyester such as PET, polyamide, polyimide, polysulfone, polycarbonate,
An olefin resin such as polypropylene, a cellulosic resin, a polymer material such as a vinyl chloride resin, an inorganic material such as glass or ceramic, and the like are used. On this support, a metal thin film type magnetic film is provided by dry plating means such as vapor deposition or sputtering. Examples of the material of the magnetic particles forming the metal thin film type magnetic film include Fe and C.
In addition to metals such as o and Ni, Co-Ni alloys, Co-Pt
Alloy, Co-Ni-Pt alloy, Fe-Co alloy, Fe-
A Ni alloy, an Fe-Co-Ni alloy, an Fe-Co-B alloy, a Co-Ni-Fe-B alloy, a Co-Cr alloy, or those containing a metal such as Al is used.
【００１１】尚、本発明は、磁気記録媒体の保護膜の形
成にのみ適用されるものではない。その代表的な一例を
挙げただけである。The present invention is not limited to the formation of the protective film of the magnetic recording medium. Only a typical example is given.
【００１２】[0012]
【実施例】図１は本発明になる薄膜形成装置（ＤＣマグ
ネトロンスパッタ装置＋ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶ
Ｄ装置）全体の概略図、図２はこの装置により成膜され
たダイヤモンド状カーボン膜のＥＥＬＳである。図１
中、１は１６００Å厚さのＣｏ金属磁性膜が支持体表面
に設けられた磁気記録媒体の原反、２ａ，２ｂは真空
槽、３ａは原反１の供給側ロール、３ｂは原反１の巻取
側ロール、４ａ，４ｂは冷却キャンロールである。原反
１は、真空槽２ａ内の供給側ロール３ａから冷却キャン
ロール４ａを経、そして真空槽２ｂ内の冷却キャンロー
ル４ｂを経て巻取側ロール３ｂに走行し、巻き取られて
行くように構成されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a thin film forming apparatus according to the present invention (DC magnetron sputtering apparatus + ECR microwave plasma CV).
FIG. 2 is an EELS of a diamond-like carbon film formed by this device. FIG.
Medium 1 is a roll of a magnetic recording medium in which a Co metal magnetic film having a thickness of 1600Å is provided on the surface of a support, 2a and 2b are vacuum chambers, 3a is a feed roll of roll 1, 3b is roll 1 The winding side rolls 4a and 4b are cooling can rolls. The raw fabric 1 travels from the supply side roll 3a in the vacuum tank 2a to the cooling can roll 4a, and then to the winding side roll 3b via the cooling can roll 4b in the vacuum tank 2b so that it is wound up. It is configured.
【００１３】Ａは、ＤＣマグネトロンスパッタ装置であ
る。尚、５はグラファイト製ターゲット（カソード）、
６はＤＣ電源、７はグラウンドケーブルである。Ｂは、
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置である。尚、８は
冷却キャンロール４ｂに対向して設けられたプラズマ反
応管、９は反応ガス（メタン（供給量７５ｓｃｃｍ）と
水素（供給量１５０ｓｃｃｍ）との混合ガス）供給用の
パイプ、１０はマイクロ波の導波管、１１は出力が０．
８ｋＷのマイクロ波（２．４５ＧＨｚ）発信器、１２は
ＥＣＲ磁場が８７５ＧのＥＣＲ用コイルである。A is a DC magnetron sputtering apparatus. In addition, 5 is a graphite target (cathode),
6 is a DC power supply and 7 is a ground cable. B is
It is an ECR microwave plasma CVD apparatus. In addition, 8 is a plasma reaction tube provided facing the cooling can roll 4b, 9 is a pipe for supplying a reaction gas (mixed gas of methane (supply amount 75 sccm) and hydrogen (supply amount 150 sccm)), 10 is a micro Wave waveguide, 11 has an output of 0.
An 8 kW microwave (2.45 GHz) oscillator, and 12 is an ECR coil having an ECR magnetic field of 875 G.
【００１４】この装置において、先ず、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ装置Ａによりアルゴンガス雰囲気下で原反１
上にカーボン膜を薄く成膜する。このＤＣマグネトロン
スパッタ工程で全てのカーボン膜を形成するものではな
く、下地膜とするのみであるから、１０〜２０Å程度の
厚さで充分である。そして、１０Å程度の厚さであれ
ば、これに要する時間も長くはかからない。すなわち、
原反１の走行速度を速くできる。In this apparatus, first, a DC magnetron sputtering apparatus A was used to produce a master 1 under an argon gas atmosphere.
A thin carbon film is formed on top. Not all carbon films are formed in this DC magnetron sputtering process, but only the base film is used, so a thickness of about 10 to 20 Å is sufficient. If the thickness is about 10Å, the time required for this will not be long. That is,
The running speed of the master 1 can be increased.
【００１５】ＤＣマグネトロンスパッタ工程の後、ＥＣ
Ｒマイクロ波プラズマＣＶＤ装置Ｂによる工程が行われ
る。すなわち、反応ガスがパイプ９からプラズマ反応管
８内に供給され、かつ、波長λのマイクロ波が導入さ
れ、プラズマを励起し、マイクロ波の進行方向と同方向
にＥＣＲ用コイル１２で磁場を掛け、サイクロトロン共
鳴を起こさせ、ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤを行わ
せる。このＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ工程で形成
される膜は高品質なダイヤモンド構造を有するＤＣマグ
ネトロンスパッタカーボン膜上に堆積するから、ＤＣマ
グネトロンスパッタカーボン膜の影響を受けてダイヤモ
ンド構造に富むものとなる。After the DC magnetron sputtering step, EC
The process by the R microwave plasma CVD apparatus B is performed. That is, the reaction gas is supplied from the pipe 9 into the plasma reaction tube 8 and the microwave having the wavelength λ is introduced to excite the plasma, and the magnetic field is applied by the ECR coil 12 in the same direction as the traveling direction of the microwave. , Cyclotron resonance is caused, and ECR microwave plasma CVD is performed. Since the film formed by this ECR microwave plasma CVD process is deposited on the DC magnetron sputtered carbon film having a high quality diamond structure, the film is rich in the diamond structure under the influence of the DC magnetron sputtered carbon film.
【００１６】因みに、４ｍ／ｍｉｎの速度で走行する原
反１表面の金属磁性膜上にＤＣマグネトロンスパッタ工
程で１０Åのカーボン膜を、次いでＥＣＲマイクロ波プ
ラズマＣＶＤ工程で９０Å厚さのカーボン膜を形成し
た。得られたカーボン膜のＥＥＬＳを図２に示す。これ
によれば、図４の場合に比べて、明らかにグラファイト
構造の強度が低下しており、ダイヤモンド構造に富むも
のであることが判る。すなわち、カーボン膜は、ダイヤ
モンド構造を有するＤＣマグネトロンスパッタカーボン
膜の上にＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤカーボン膜が
形成されたものであるから、ダイヤモンド構造に富むも
のであった。By the way, a carbon film having a thickness of 10 Å is formed on the metal magnetic film on the surface of the original film 1 running at a speed of 4 m / min by a DC magnetron sputtering process and then a carbon film having a thickness of 90 Å by an ECR microwave plasma CVD process. did. The EELS of the obtained carbon film is shown in FIG. According to this, it can be seen that the strength of the graphite structure is obviously lower than that in the case of FIG. 4, and the diamond structure is rich. That is, the carbon film was rich in the diamond structure because the ECR microwave plasma CVD carbon film was formed on the DC magnetron sputtered carbon film having the diamond structure.
【００１７】又、このようにして得られた磁気記録媒体
の耐久性を調べる為にスチル耐久性試験を行った。比較
の為、ＤＣマグネトロンスパッタ装置Ａを作動させず、
ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置Ｂのみで１００Å
厚さのダイヤモンド状カーボン膜を金属磁性膜上に形成
した。この比較用の磁気記録媒体にあっては、スチル時
間が３分間経過後で８．５ｄＢの出力低下が認められた
のに対し、本実施例のものではスチル時間が６０分間経
過後にあっても出力低下が認められなかった。これより
しても、本実施例のダイヤモンド状カーボン膜は保護膜
として優れた機能を有していることが判る。Further, a still durability test was conducted to examine the durability of the magnetic recording medium thus obtained. For comparison, without operating the DC magnetron sputtering apparatus A,
ECR microwave plasma CVD equipment B only 100Å
A diamond-like carbon film having a thickness was formed on the metal magnetic film. In this magnetic recording medium for comparison, an output decrease of 8.5 dB was observed after the still time had elapsed for 3 minutes, whereas in the present embodiment, even when the still time had elapsed after 60 minutes. No output reduction was observed. Even from this, it can be seen that the diamond-like carbon film of this example has an excellent function as a protective film.
【００１８】[0018]
【効果】本発明によれば、ダイヤモンド構造に富むダイ
ヤモンド状カーボン薄膜が生産性高く形成される。[Effect] According to the present invention, a diamond-like carbon thin film rich in diamond structure can be formed with high productivity.
【図１】薄膜形成装置（ＤＣマグネトロンスパッタ装置
＋ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置）全体の概略図FIG. 1 is a schematic view of the entire thin film forming apparatus (DC magnetron sputtering apparatus + ECR microwave plasma CVD apparatus).
【図２】本発明で得られたダイヤモンド状カーボン膜の
ＥＥＬＳFIG. 2 EELS of diamond-like carbon film obtained by the present invention
【図３】ダイヤモンド膜及びグラファイト膜のＥＥＬＳFIG. 3 EELS of diamond film and graphite film
【図４】従来のＥＣＲプラズマＣＶＤで得たダイヤモン
ド状カーボン膜のＥＥＬＳFIG. 4 EELS of diamond-like carbon film obtained by conventional ECR plasma CVD
Ａ ＤＣマグネトロンスパッタ装置 Ｂ ＥＣＲマイクロ波プラズマＣＶＤ装置 １ 磁気記録媒体の原反 A DC magnetron sputtering device B ECR microwave plasma CVD device 1 Original material of magnetic recording medium
フロントページの続き (72)発明者 志賀 章 栃木県芳賀郡市貝町大字赤羽2606 花王株 式会社情報科学研究所内Front Page Continuation (72) Inventor Akira Shiga 2606 Akabane, Kai-cho, Haga-gun, Tochigi Prefecture Kao Corporation Company Information Science Laboratory
Claims (2)
によりカーボンを付けた後、その上にＥＣＲマイクロ波
プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成することを特
徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形成方法。1. A method for forming a diamond-like carbon film, which comprises depositing carbon on a support by a DC magnetron sputtering method and then forming a carbon film thereon by an ECR microwave plasma CVD method.
置であって、支持体の供給手段と、支持体の巻取手段
と、第１の真空槽と、この第１の真空槽内に設けられた
第１の冷却キャンロールと、前記第１の真空槽に設けら
れたＤＣマグネトロンスパッタ装置と、第２の真空槽
と、この第２の真空槽内に設けられた第２の冷却キャン
ロールと、前記第２の真空槽に設けられたＥＣＲマイク
ロ波プラズマＣＶＤ装置とを具備してなり、前記支持体
の供給手段から供給された第１の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上にＤＣマグネトロンスパッタ法に
よりカーボンを付けた後、第２の冷却キャンロールに沿
って走行する支持体上のカーボンの上にＥＣＲマイクロ
波プラズマＣＶＤ法によりカーボン膜を形成するよう構
成したことを特徴とするダイヤモンド状カーボン膜の形
成装置。2. An apparatus for forming a diamond-like carbon film, comprising: a support supply means, a support winding means, a first vacuum tank, and a first vacuum tank. A first cooling can roll, a DC magnetron sputtering device provided in the first vacuum chamber, a second vacuum chamber, and a second cooling can roll provided in the second vacuum chamber; An ECR microwave plasma CVD apparatus provided in the second vacuum chamber, and a DC magnetron on a support that runs along the first cooling can roll supplied from the support supply means. The method is characterized in that after the carbon is attached by the sputtering method, the carbon film is formed by the ECR microwave plasma CVD method on the carbon on the support that runs along the second cooling can roll. Equipment for forming diamond-like carbon film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497495A JPH08193270A (en) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | Formation of diamondlike carbon film and device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP497495A JPH08193270A (en) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | Formation of diamondlike carbon film and device therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193270A true JPH08193270A (en) | 1996-07-30 |
Family
ID=11598578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP497495A Pending JPH08193270A (en) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | Formation of diamondlike carbon film and device therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08193270A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002146533A (en) * | 2000-11-06 | 2002-05-22 | Mitsubishi Electric Corp | Carbon thin body, method for forming carbon thin body, and field-emission-type electron source |
| EP2083095A3 (en) * | 2008-01-21 | 2010-12-15 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Diamond-like carbon film for sliding parts and method for production thereof |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP497495A patent/JPH08193270A/en active Pending
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| US8304063B2 (en) | 2008-01-21 | 2012-11-06 | Kobe Steel, Ltd. | Diamond-like carbon film for sliding parts and method for production thereof |
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