JPH0670020B2 - 置換ピリダジン類 - Google Patents
置換ピリダジン類Info
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- JPH0670020B2 JPH0670020B2 JP59066288A JP6628884A JPH0670020B2 JP H0670020 B2 JPH0670020 B2 JP H0670020B2 JP 59066288 A JP59066288 A JP 59066288A JP 6628884 A JP6628884 A JP 6628884A JP H0670020 B2 JPH0670020 B2 JP H0670020B2
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- optically active
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/34—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring
- C09K19/3441—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom
- C09K19/345—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least one heterocyclic ring having nitrogen as hetero atom the heterocyclic ring being a six-membered aromatic ring containing two nitrogen atoms
- C09K19/3455—Pyridazine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D237/00—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazine or hydrogenated 1,2-diazine rings
- C07D237/02—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazine or hydrogenated 1,2-diazine rings not condensed with other rings
- C07D237/06—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazine or hydrogenated 1,2-diazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
- C07D237/10—Heterocyclic compounds containing 1,2-diazine or hydrogenated 1,2-diazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D237/14—Oxygen atoms
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- Materials Engineering (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有する液晶
組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカイラ
ル液晶物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成物に
関する。
組成物に関し、更に詳しくは光学活性基を有するカイラ
ル液晶物質及びそれらを含有するカイラル液晶組成物に
関する。
現在、液晶表示素子としてはTN（Twisted Nematic）型
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス，プラ
ズマデイスプレイ等）と比較して劣つており、この点に
於ける改善は種々試みられているにも抱らず、大巾な改
善の可能性はあまり残つていない様である。そのためTN
型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が種々
試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用する
表示方式がある（N.A.Clarkら;Applied Phys.lett.,36,
899（1980））。この方式は強誘電性液晶のカルラルス
メクチツクＣ相（以下SC*相と略称する）或はカイラル
スメクチツクＨ相（以下SH*相と略称する）を利用する
もので、それが室温付近にあるものが望ましい。本発明
者らは、この表示方式に利用されるに適した液晶物質の
開発を主たる目的に探索したところ、光学活性なピリダ
ジン類化合物が有効であることを見出し本発明に到達し
た。従来、ビダタジン類化合物として下記一般式で示さ
れるものが知られている（特開昭58-956号公報）。
表示方式が最も広く用いられているが、応答速度の点に
於て発光型表示素子（エレクトロルミネツセンス，プラ
ズマデイスプレイ等）と比較して劣つており、この点に
於ける改善は種々試みられているにも抱らず、大巾な改
善の可能性はあまり残つていない様である。そのためTN
型表示素子に代わる別の原理による液晶表示装置が種々
試みられているが、その一つに強誘電性液晶を利用する
表示方式がある（N.A.Clarkら;Applied Phys.lett.,36,
899（1980））。この方式は強誘電性液晶のカルラルス
メクチツクＣ相（以下SC*相と略称する）或はカイラル
スメクチツクＨ相（以下SH*相と略称する）を利用する
もので、それが室温付近にあるものが望ましい。本発明
者らは、この表示方式に利用されるに適した液晶物質の
開発を主たる目的に探索したところ、光学活性なピリダ
ジン類化合物が有効であることを見出し本発明に到達し
た。従来、ビダタジン類化合物として下記一般式で示さ
れるものが知られている（特開昭58-956号公報）。
しかし、この化合物は、式中のR8およびR9が、それぞれ
炭素原子１〜12個を有する直鎖状のアルキル基および炭
素原子１〜10個を含む直鎖状のアルキル、アルコキシ基
等と限定されていることも明かな通り、光学活性を示す
ものではない。
炭素原子１〜12個を有する直鎖状のアルキル基および炭
素原子１〜10個を含む直鎖状のアルキル、アルコキシ基
等と限定されていることも明かな通り、光学活性を示す
ものではない。
従ってこの化合物はネマチック液晶の特性を改善するた
めの１成分として適用されることはあっても、強誘電性
液晶の主成分とはなり得ないものである。本発明は一般
式 （但し上式に於てＸは炭素数１〜18のアルキル基又はア
ルキルオキシ基を示し、R*は光学活性アルキル基を示
す） で表わされる光学活性なピリダジン類化合物及びそれを
含有する液晶組成物である。
めの１成分として適用されることはあっても、強誘電性
液晶の主成分とはなり得ないものである。本発明は一般
式 （但し上式に於てＸは炭素数１〜18のアルキル基又はア
ルキルオキシ基を示し、R*は光学活性アルキル基を示
す） で表わされる光学活性なピリダジン類化合物及びそれを
含有する液晶組成物である。
本発明の(I)式の化合物の代表的なものの相転移点を表
１に示す。
１に示す。
表１に於てスメクチツク相が単一化合物で直接観察され
るのは１種類のみ（試料NO.6）であるが、その複数の化
合物同士を混合したものは液晶相を示す様になることか
ら、単一化合物としても実質的に（Ｉ）式でＸがアルキ
ル基のものは融点以下の温度に於て一般にスメクチツク
Ａ相（SA相）を、又Ｘがアルキルオキシ基のものは融点
以下の温度に於てSC*相を持つていると云える。
るのは１種類のみ（試料NO.6）であるが、その複数の化
合物同士を混合したものは液晶相を示す様になることか
ら、単一化合物としても実質的に（Ｉ）式でＸがアルキ
ル基のものは融点以下の温度に於て一般にスメクチツク
Ａ相（SA相）を、又Ｘがアルキルオキシ基のものは融点
以下の温度に於てSC*相を持つていると云える。
即ちＸがアルキル基のもの同士を混合して融点を降下さ
せることによつてSA相が観察される様になり、Ｘがアル
キルオキシ基のもの同士を混合して融点を降下させるこ
とによつてSC*相が観察される様になり、更にＸがアル
キル基のものとＸがアルキルオキシ基のものとを混合す
ることにより、その相互の比率によつてSA相のみを呈す
る液晶組成物、SC*のみを呈する液晶組成物、SC*相の上
の温度に於てSA相をもつ液晶組成物などを得ることがで
きる（実施例３〜８、表２）。
せることによつてSA相が観察される様になり、Ｘがアル
キルオキシ基のもの同士を混合して融点を降下させるこ
とによつてSC*相が観察される様になり、更にＸがアル
キル基のものとＸがアルキルオキシ基のものとを混合す
ることにより、その相互の比率によつてSA相のみを呈す
る液晶組成物、SC*のみを呈する液晶組成物、SC*相の上
の温度に於てSA相をもつ液晶組成物などを得ることがで
きる（実施例３〜８、表２）。
次に本発明の化合物の自発分極の値について述べると、
（Ｉ）式に於てR*が２−メチルブチル基であるもの（試
料NO.1〜７）は自発分極の外挿値が約4nC/cm2である。
（Ｉ）式はR*が１−メチルヘプチル基であるものは自発
分極の外挿値が約100nC/cm2を超える。例えば試料No.10
の化合物はｐ−ヘプチルオキシ安息香酸４′−（２−メ
チルブチルオキシカルボニル）−４−ビフエニリルエス
テルのＳ体とのSC*混合物中に於て測定された自発分極
の値から得られる外挿Ps値は約112である。しかして試
料No.10の化合物のＳ体は自発分極が正であり、Ｒ体の
それは負である。
（Ｉ）式に於てR*が２−メチルブチル基であるもの（試
料NO.1〜７）は自発分極の外挿値が約4nC/cm2である。
（Ｉ）式はR*が１−メチルヘプチル基であるものは自発
分極の外挿値が約100nC/cm2を超える。例えば試料No.10
の化合物はｐ−ヘプチルオキシ安息香酸４′−（２−メ
チルブチルオキシカルボニル）−４−ビフエニリルエス
テルのＳ体とのSC*混合物中に於て測定された自発分極
の値から得られる外挿Ps値は約112である。しかして試
料No.10の化合物のＳ体は自発分極が正であり、Ｒ体の
それは負である。
カイラルスメクチツク液晶組成物を構成する場合、
（Ｉ）式の複数の化合物のみより構成することも可能で
あり、又（Ｉ）式の化合物と他のスメクチツク液晶と混
合してSC*相を呈する液晶組成物を製造することも可能
である。SC*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合TN表示方式にくらべて３つのすぐれた特徴
がある。第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時
間は通常のTN表示方式の素子と比較すると、応答時間は
1/100以下である。第２の特徴はメモリー効果があるこ
とであり、上記の高速応答性とあいまつて、時分割駆動
が容易である。第３の特徴はTN表示方式で濃淡の階調を
とるには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧
の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問があ
る。しかしSC*相の光スイツチング効果を応用する場合
には極性の反転時間を調節することにより、容易に階調
を得ることができ、グラフイツク表示に非常に適してい
る。
（Ｉ）式の複数の化合物のみより構成することも可能で
あり、又（Ｉ）式の化合物と他のスメクチツク液晶と混
合してSC*相を呈する液晶組成物を製造することも可能
である。SC*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合TN表示方式にくらべて３つのすぐれた特徴
がある。第１の特徴は非常に高速で応答し、その応答時
間は通常のTN表示方式の素子と比較すると、応答時間は
1/100以下である。第２の特徴はメモリー効果があるこ
とであり、上記の高速応答性とあいまつて、時分割駆動
が容易である。第３の特徴はTN表示方式で濃淡の階調を
とるには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧
の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問があ
る。しかしSC*相の光スイツチング効果を応用する場合
には極性の反転時間を調節することにより、容易に階調
を得ることができ、グラフイツク表示に非常に適してい
る。
表示方法としては、２つの方式が考えられ、１つの方法
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲスト・ホスト型である。SC*相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
により、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*
相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行になら
ぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶
分子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように
配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧
を印加して、極性を反転することにより、明視野および
暗視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。
一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の
極性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板
の配置により決まる）を得ることができる。
は２枚の偏光子を使用する複屈折型、他の１つの方法は
二色性色素を使用するゲスト・ホスト型である。SC*相
は自発分極をもつため、印加電圧の極性を反転すること
により、らせん軸を回転軸として分子が反転する。SC*
相を有する液晶組成物を液晶分子が電極面に平行になら
ぶように配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶
分子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるように
配置した２枚の偏光子の間に該液晶セルをはさみ、電圧
を印加して、極性を反転することにより、明視野および
暗視野（偏光子の対向角度により決まる）が得られる。
一方ゲスト・ホスト型で動作する場合には、印加電圧の
極性を反転することにより明視野及び着色視野（偏光板
の配置により決まる）を得ることができる。
一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁面に平行
に配向させることは難しく、数十キロガウス以上の磁場
中で等方性液体から非常にゆつくりと冷却する（１℃〜
２℃/hr）ことにより、液晶分子を配向させているが、
コレステリツク相を有する液晶物質では磁場の代わりに
50V〜100Vの直流電圧を印加しながら１℃/minの冷却速
度で冷却することにより、容易に均一に配向したモノド
メイン状態を得ることができる。
に配向させることは難しく、数十キロガウス以上の磁場
中で等方性液体から非常にゆつくりと冷却する（１℃〜
２℃/hr）ことにより、液晶分子を配向させているが、
コレステリツク相を有する液晶物質では磁場の代わりに
50V〜100Vの直流電圧を印加しながら１℃/minの冷却速
度で冷却することにより、容易に均一に配向したモノド
メイン状態を得ることができる。
尚、（Ｉ）式の化合物に対応するラセミ体は、下記に示
す光学活性体（Ｉ）の製法の第５段階に於いて原料とし
て光学活性アルコール類の代りに相当するラセミ体アル
コール類を使用することによつて、同様に製造される
が、光学活性体（Ｉ）とほぼ同じ相転移点を示す。ラセ
ミ体はSC*相の代りにSC相を示し、光学活性体（Ｉ）に
添加してカイラルスメクチツクのピツチの調整に使用で
きる。
す光学活性体（Ｉ）の製法の第５段階に於いて原料とし
て光学活性アルコール類の代りに相当するラセミ体アル
コール類を使用することによつて、同様に製造される
が、光学活性体（Ｉ）とほぼ同じ相転移点を示す。ラセ
ミ体はSC*相の代りにSC相を示し、光学活性体（Ｉ）に
添加してカイラルスメクチツクのピツチの調整に使用で
きる。
（Ｉ）式の化合物は、又、光学活性炭素原子を有するた
め、これをネマチツク液晶に添加することによつて捩れ
た構造を誘起する能力を有する。捩れた構造を有するネ
マチツク液晶、即ちカイラルネマチツク液晶はTN型表示
素子のいわゆるリバース・ドメイン（reverse domain、
しま模様）を生成することがないので（Ｉ）式の化合物
はリバース・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
め、これをネマチツク液晶に添加することによつて捩れ
た構造を誘起する能力を有する。捩れた構造を有するネ
マチツク液晶、即ちカイラルネマチツク液晶はTN型表示
素子のいわゆるリバース・ドメイン（reverse domain、
しま模様）を生成することがないので（Ｉ）式の化合物
はリバース・ドメイン生成の防止剤として使用できる。
次に一般式（Ｉ）の化合物の合成法について述べる。
（Ｉ）式の化合物は次の様な工程により製造することが
できる。
（Ｉ）式の化合物は次の様な工程により製造することが
できる。
（注２）Ｘ＝アルキル基の場合は酢酸中臭素と加熱す
る。
る。
Ｘ＝アルキルオキシ基の場合はジオキサン中二酸化セレ
ンと加熱する。
ンと加熱する。
以下実施例により本発明の液晶化合物及び液晶組成物に
つき詳細に説明する。
つき詳細に説明する。
実施例１ 〔Ｓ−３−（２−メチルブトキシ）−６−（４′−ノニ
ルフエニル）−ピリダジン（（Ｉ）式でＸ＝C9H19，R*
＝Ｓ−２−メチルブチルのもの試料No.2）の製造〕 （第１段階） ｎ−ニノルベンゼン186g（0.913モル）、無水コハク酸9
2.4g（0.924モル）、二硫化炭素１を室温で攪拌し、
これに無水塩化アルミニウム266g（２モル）を加え、15
分間攪拌してのち、50℃の水浴上で更に３時間攪拌す
る。それを室温に放冷してから約1.5kgの氷に加え、二
硫化炭素を留去してのち固形物を集め、１のトルエン
を加えて加熱して水分を留去してのち熱過し、冷所に
一夜放置して、195gの無色結晶（融点103℃）をえた。
このものはβ−（ｐ−ノニルベンゾイル）−プロピオン
酸である（収率70.2％）。
ルフエニル）−ピリダジン（（Ｉ）式でＸ＝C9H19，R*
＝Ｓ−２−メチルブチルのもの試料No.2）の製造〕 （第１段階） ｎ−ニノルベンゼン186g（0.913モル）、無水コハク酸9
2.4g（0.924モル）、二硫化炭素１を室温で攪拌し、
これに無水塩化アルミニウム266g（２モル）を加え、15
分間攪拌してのち、50℃の水浴上で更に３時間攪拌す
る。それを室温に放冷してから約1.5kgの氷に加え、二
硫化炭素を留去してのち固形物を集め、１のトルエン
を加えて加熱して水分を留去してのち熱過し、冷所に
一夜放置して、195gの無色結晶（融点103℃）をえた。
このものはβ−（ｐ−ノニルベンゾイル）−プロピオン
酸である（収率70.2％）。
（第２段階） 第１段階で得られたβ−（ｐ−ノニルベンゾイル）−プ
ロピオン酸191g（0.629モル）と水500mlの混合物を60℃
に加熱攪拌し、これに80％抱水ヒドラジン106g（2.66モ
ル）を滴加し、更に80℃で２時間攪拌してのち、析出し
た結晶を集め、エタノール1.2lより再結晶して172.6gの
黄色結晶を得た。これものは融点（Ｃ−SA点）94.4℃、
SA−Ｉ点115.7℃の６−（４′−ノニルフエニル）−4,5
−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノンである。収率91.6
％。
ロピオン酸191g（0.629モル）と水500mlの混合物を60℃
に加熱攪拌し、これに80％抱水ヒドラジン106g（2.66モ
ル）を滴加し、更に80℃で２時間攪拌してのち、析出し
た結晶を集め、エタノール1.2lより再結晶して172.6gの
黄色結晶を得た。これものは融点（Ｃ−SA点）94.4℃、
SA−Ｉ点115.7℃の６−（４′−ノニルフエニル）−4,5
−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノンである。収率91.6
％。
（第３段階） 第２段階で得られた６−（４′−ノニルフエニル）−4,
5−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノン129.7g（0.432モ
ル）と酢酸240mlを80℃で攪拌し、こゝへ臭素74.5g（0.
466モル）と酢酸80mlの混合液を滴加し、臭素の色が消
失してのち氷冷し固体を集めこれをエタノール0.8lから
再結晶して116.6gの無色結晶（融点153.6℃）を得た
（収率90.5％）。このものは６−（４′−ノニルフェニ
ル）−３（2H）ピリダジノンである。
5−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノン129.7g（0.432モ
ル）と酢酸240mlを80℃で攪拌し、こゝへ臭素74.5g（0.
466モル）と酢酸80mlの混合液を滴加し、臭素の色が消
失してのち氷冷し固体を集めこれをエタノール0.8lから
再結晶して116.6gの無色結晶（融点153.6℃）を得た
（収率90.5％）。このものは６−（４′−ノニルフェニ
ル）−３（2H）ピリダジノンである。
（第４段階） 第３段階で得られた６−（４′−ノニルフエニル）−３
（2H）ピリダジノン28.3g（0.095モル）、オキシ塩化燐
95.5g（0.623モル）、N,N−ジメチルアニリン7.5g（0.0
50モル）を80℃で１時間攪拌し、更に３時間還流下に加
熱してのち、室温に下げ、オキシ塩化燐の過剰を減圧留
去してから300gの氷と混合し、析出した固形物を集め、
これをエタノール500mlから再結晶して青白色の結晶22.
1g（収率73.5％）を得た。融点112.6℃（モノトロピツ
クSA−Ｉ点108.4℃）。このものは３−クロル−６−
（４′−ノニルフエニル）ピリダジンである。
（2H）ピリダジノン28.3g（0.095モル）、オキシ塩化燐
95.5g（0.623モル）、N,N−ジメチルアニリン7.5g（0.0
50モル）を80℃で１時間攪拌し、更に３時間還流下に加
熱してのち、室温に下げ、オキシ塩化燐の過剰を減圧留
去してから300gの氷と混合し、析出した固形物を集め、
これをエタノール500mlから再結晶して青白色の結晶22.
1g（収率73.5％）を得た。融点112.6℃（モノトロピツ
クSA−Ｉ点108.4℃）。このものは３−クロル−６−
（４′−ノニルフエニル）ピリダジンである。
（第５段階） Ｓ（−）−２−メチルブタノール12.5g（0.142モル）、
無水ベンゼン40mlの混合物に金属ナトリウム1.33g（0.0
57原子当量）を加えてナトリウムアルコキシドを作り、
これに第４段階で得られた３−クロル−６−（４′−ノ
ニルフエニル）ピリダジン16.2g（0.0512モル）を室温
で加え、３時間還流加熱した。水、トルエンを加え、ト
ルエン層を水洗し、トルエンを留去してのち、エタノー
ル300mlより再結晶して無色結晶（融点、77.8℃）11.7g
を得た。このものが最終目的であるＳ−３−（２−メチ
ルブトキシ）−６−（４′−ノニルフエニル）−ピリダ
ジンである。収率62％。
無水ベンゼン40mlの混合物に金属ナトリウム1.33g（0.0
57原子当量）を加えてナトリウムアルコキシドを作り、
これに第４段階で得られた３−クロル−６−（４′−ノ
ニルフエニル）ピリダジン16.2g（0.0512モル）を室温
で加え、３時間還流加熱した。水、トルエンを加え、ト
ルエン層を水洗し、トルエンを留去してのち、エタノー
ル300mlより再結晶して無色結晶（融点、77.8℃）11.7g
を得た。このものが最終目的であるＳ−３−（２−メチ
ルブトキシ）−６−（４′−ノニルフエニル）−ピリダ
ジンである。収率62％。
実施例２ 〔Ｓ−３−（２−メチルブトキシ）−６−（４′−オク
チルオキシフエニル）−ピリダジン（（Ｉ）式でＸ＝C8
H17O，R*＝Ｓ−２−メチルブチルのもの（試料NO.5））
の製造〕 （第１段階） ｎ−オクチルオキシベンゼン301g（1.46モル）、無水コ
ハク酸146.8g（1.468モル）、二硫化炭素1.3lを室温で
攪拌し、これに無水塩化アルミニウム392g（2.94モル）
を分割投与し、反応が静まつてのち更に50℃で４時間攪
拌し、室温に冷却後、2kgの氷に加えた。二硫化炭素を
留去し固形物を集め１のトルエンを加えて加熱して水
分を留去してのち熱過しトルエンを減圧で留去して油
状のβ−（ｐ−オクチルオキシベンゾイル）−プロピオ
ン酸238gを得た（収率53％）。
チルオキシフエニル）−ピリダジン（（Ｉ）式でＸ＝C8
H17O，R*＝Ｓ−２−メチルブチルのもの（試料NO.5））
の製造〕 （第１段階） ｎ−オクチルオキシベンゼン301g（1.46モル）、無水コ
ハク酸146.8g（1.468モル）、二硫化炭素1.3lを室温で
攪拌し、これに無水塩化アルミニウム392g（2.94モル）
を分割投与し、反応が静まつてのち更に50℃で４時間攪
拌し、室温に冷却後、2kgの氷に加えた。二硫化炭素を
留去し固形物を集め１のトルエンを加えて加熱して水
分を留去してのち熱過しトルエンを減圧で留去して油
状のβ−（ｐ−オクチルオキシベンゾイル）−プロピオ
ン酸238gを得た（収率53％）。
（第２段階） 第１段階で得られたβ−（ｐ−オクチルオキシベンゾイ
ル）−プロピオン酸237g（0.777モル）と水800mlを60℃
に加熱攪拌し、これに80％抱水ヒドラジン128g（3.2モ
ル）を滴加し、更に80℃で３時間攪拌してのち、析出し
た結晶を集めエタノール1.5lより再結晶して74gの黄色
結晶を得た。このものは融点（Ｃ−SA点）99.5℃,SA−
Ｉ点116.5℃で、６−（４′−オクチルオキシフエニ
ル）−4,5−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノンである。
収率31.6％。
ル）−プロピオン酸237g（0.777モル）と水800mlを60℃
に加熱攪拌し、これに80％抱水ヒドラジン128g（3.2モ
ル）を滴加し、更に80℃で３時間攪拌してのち、析出し
た結晶を集めエタノール1.5lより再結晶して74gの黄色
結晶を得た。このものは融点（Ｃ−SA点）99.5℃,SA−
Ｉ点116.5℃で、６−（４′−オクチルオキシフエニ
ル）−4,5−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノンである。
収率31.6％。
（第３段階） 第２段階で得られた６−（４′−オクチルオキシフエニ
ル）−4,5−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノン73.9g（0.
245モル）、1,4−ジオキサン150ml、水12mlを室温で攪
拌し、更に二酸化セレン20.6g（0.186モル）を加え４時
間還流加熱してのち溶媒を留去して得られる残留物をエ
タノール300mlより熱過、再結晶して46.8gの無色結晶
（融点150℃）を得た。このものは６−（４′−オクチ
ルオキシフエニル）−３（2H）−ピリダジノンである。
収率64％。
ル）−4,5−ジヒドロ−３（2H）ピリダジノン73.9g（0.
245モル）、1,4−ジオキサン150ml、水12mlを室温で攪
拌し、更に二酸化セレン20.6g（0.186モル）を加え４時
間還流加熱してのち溶媒を留去して得られる残留物をエ
タノール300mlより熱過、再結晶して46.8gの無色結晶
（融点150℃）を得た。このものは６−（４′−オクチ
ルオキシフエニル）−３（2H）−ピリダジノンである。
収率64％。
（第４段階） 第３段階で得られた６−（４′−オクチルオキシフエニ
ル）−３（2H）−ピリダジノン30.1gを実施例１の第４
段階と同様にオキシ塩化燐及びN,N−ジメチルアニリン
と反応させて得られる粗製の３−クロル−６−（４′−
オクチルオキシフエニル）−ピリダジンを酢酸エチルか
ら再結晶して精製物である無色結晶（融点（Ｃ−SA点）
126℃,SA−Ｉ点150℃）20.7gを得た（収率64.8％）。
ル）−３（2H）−ピリダジノン30.1gを実施例１の第４
段階と同様にオキシ塩化燐及びN,N−ジメチルアニリン
と反応させて得られる粗製の３−クロル−６−（４′−
オクチルオキシフエニル）−ピリダジンを酢酸エチルか
ら再結晶して精製物である無色結晶（融点（Ｃ−SA点）
126℃,SA−Ｉ点150℃）20.7gを得た（収率64.8％）。
（第５段階） 第４段階で得られた３−クロル−６−（４′−オクチル
オキシフエニル）−ピリダジン12.3gを、実施例１の第
５段階と同様にナトリウムアルコキシドと反応させて得
られる粗製のＳ−３−（２−メチルブトキシ）−６−
（４′−オクチルオキシフエニル）−ピリダジンをエタ
ノールから再結晶して精製物である無色結晶（融点91.4
℃）11.2gを得た（収率78.4％）。
オキシフエニル）−ピリダジン12.3gを、実施例１の第
５段階と同様にナトリウムアルコキシドと反応させて得
られる粗製のＳ−３−（２−メチルブトキシ）−６−
（４′−オクチルオキシフエニル）−ピリダジンをエタ
ノールから再結晶して精製物である無色結晶（融点91.4
℃）11.2gを得た（収率78.4％）。
表１に示されるその他の（Ｉ）式の試料No.3〜試料No.1
1の化合物も実施例１又は２と同様にして得られたもの
である。
1の化合物も実施例１又は２と同様にして得られたもの
である。
実施例３〜８（組成物） （Ｉ）式の化合物のみよりなる液晶組成物を調製し、そ
の相転移点を測定した結果を表２に示す。（Ｉ）式の化
合物の各成分の割合はいずれも等量である。
の相転移点を測定した結果を表２に示す。（Ｉ）式の化
合物の各成分の割合はいずれも等量である。
実施例９〜11（組成物及び使用例） Ｓ−４−（２−メチルブチル）−４′−ビフエニルカル
ボン酸 ｐ−ヘキシルオキシフエニルエステルはＣ−SC
*点58℃、SC*−Ch点80℃、Ch−Ｉ点155℃の既知の液晶
化合物である（以下化合物（II）と略称する）。このも
のと本発明の化合物（Ｉ）との液晶組成物を調製し、そ
の相転移点を測定した結果を表３に示す。
ボン酸 ｐ−ヘキシルオキシフエニルエステルはＣ−SC
*点58℃、SC*−Ch点80℃、Ch−Ｉ点155℃の既知の液晶
化合物である（以下化合物（II）と略称する）。このも
のと本発明の化合物（Ｉ）との液晶組成物を調製し、そ
の相転移点を測定した結果を表３に示す。
上表中の実施例10の液晶組成物を配向処理としてPVAを
塗布し、表面をラビングして平行配向処理を施した透明
電極を備えたセルに注入し、50Vの直流電圧を印加しな
がら等方性液体領域よりSC*相になるまで徐冷した。こ
の液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子の
間にはさみ、0.5Hz、15Vの低周波数の交流を印加したと
ころ、明瞭なスイチツチング動作が観察され、非常にコ
ントラストも良く、応答速度が速い（2msec）液晶表示
素子が得られた。
塗布し、表面をラビングして平行配向処理を施した透明
電極を備えたセルに注入し、50Vの直流電圧を印加しな
がら等方性液体領域よりSC*相になるまで徐冷した。こ
の液晶セルを直交ニコル状態に配置した２枚の偏光子の
間にはさみ、0.5Hz、15Vの低周波数の交流を印加したと
ころ、明瞭なスイチツチング動作が観察され、非常にコ
ントラストも良く、応答速度が速い（2msec）液晶表示
素子が得られた。
尚、この液晶組成物の自発分極（Ps）の値は25℃におい
て2.5nC/cm3であつた。
て2.5nC/cm3であつた。
この混合物にアントラキノン系色素のＤ−16（BDH社製
品）を３重量％添加して、いわゆるゲスト・ホスト型に
したものを前記と同様なセルに注入し、１枚の偏光子を
偏光面が分子軸に垂直になるように配置し、0.5Hz、15V
の低周波数の交流を印加したところ、明瞭なスイツチン
グ動作が観察され、非常にコントラスが良く、応答速度
が速い（2msec）カラー液晶表示素子が得られた。
品）を３重量％添加して、いわゆるゲスト・ホスト型に
したものを前記と同様なセルに注入し、１枚の偏光子を
偏光面が分子軸に垂直になるように配置し、0.5Hz、15V
の低周波数の交流を印加したところ、明瞭なスイツチン
グ動作が観察され、非常にコントラスが良く、応答速度
が速い（2msec）カラー液晶表示素子が得られた。
実施例12（使用例） ４−エチル−４′−シアノビフエニル 20重量％ ４−ペンチル−４′−シアノビフエニル 40重量％ ４−オクチルオキシ−４′−シアノビフエニル25重量％ ４−ペンチル−４′−シアノタ−フエニル 15重量％ からなるネマチツク液晶組成物を配向処理剤としてポリ
ビニルアルコール（PVA）を塗布し、その表面をラビン
グして平行配置処理を施した透明電極からなるセル（電
極間隔10μｍ）に注入してTN型表示セルとし、これを偏
光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメインを生じ
ているのが観察された。
ビニルアルコール（PVA）を塗布し、その表面をラビン
グして平行配置処理を施した透明電極からなるセル（電
極間隔10μｍ）に注入してTN型表示セルとし、これを偏
光顕微鏡下で観察したところ、リバースドメインを生じ
ているのが観察された。
上記のネマチツク液晶組成物に本発明の試料NO.4又は試
料NO.10の化合物を１重量％添加したものを使用して同
様にTNセルとして観察したところ、リバースドメインは
解消され均一なネマチツク相が観察された。
料NO.10の化合物を１重量％添加したものを使用して同
様にTNセルとして観察したところ、リバースドメインは
解消され均一なネマチツク相が観察された。
実施例13（使用例） ネマチツク液晶組成物ZLI 1132（メルク社製）にたいし
て試料NO.12の化合物を１重量％添加したカイラルネマ
チツク液晶組成物のカイラルネマチツクピツチ長は各温
度で以下の通りであつた。
て試料NO.12の化合物を１重量％添加したカイラルネマ
チツク液晶組成物のカイラルネマチツクピツチ長は各温
度で以下の通りであつた。
温度（℃） ピツチ長（μｍ） 20 19.4 30 19.3 40 19.6 50 20.0 60 20.9 このことから本発明の化合物はカイラルネマチツクピツ
チ長の温度依存が小さいことがわかる。
チ長の温度依存が小さいことがわかる。
Claims (5)
- 【請求項１】一般式 （上式に於てＸは炭素数１〜18のアルキル基又はアルキ
ルオキシ基を示し、R*は光学活性アルキル基を示す） で表わされる光学活性なピリダジン類。 - 【請求項２】（Ｉ）式のR*が光学活性な２−メチルブチ
ル基であるところの特許請求の範囲第１項記載の光学活
性なピリダジン類。 - 【請求項３】（Ｉ）式のR*が光学活性な１−メチルヘプ
チル基であるところの特許請求の範囲第１項記載の光学
活性なピリダジン類。 - 【請求項４】一般式 （上式に於てＸは炭素数１〜18のアルキル基又はアルキ
ルオキシ基を示し、R*は光学活性アルキル基を示す） で表わされる光学活性なピリダジン類を少くとも１種、
少くとも１成分として含有することを特徴とするカイラ
ルスメクチック液晶組成物。 - 【請求項５】一般式 （上式に於てＸは炭素数１〜18のアルキル基又はアルキ
ルオキシ基を示し、R*は光学活性アルキル基を示す） で表わされる光学活性なピリダジン類を少くとも１種、
少くとも１成分として含有することを特徴とするネマチ
ック液晶組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066288A JPH0670020B2 (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 置換ピリダジン類 |
| US06/717,097 US4657695A (en) | 1984-04-03 | 1985-03-28 | Substituted pyridazines |
| DE8585302354T DE3584032D1 (de) | 1984-04-03 | 1985-04-03 | Substituierte pyridazine. |
| EP85302354A EP0160416B1 (en) | 1984-04-03 | 1985-04-03 | Substituted pyridazines |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59066288A JPH0670020B2 (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 置換ピリダジン類 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60226861A JPS60226861A (ja) | 1985-11-12 |
| JPH0670020B2 true JPH0670020B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=13311481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59066288A Expired - Lifetime JPH0670020B2 (ja) | 1984-04-03 | 1984-04-03 | 置換ピリダジン類 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4657695A (ja) |
| EP (1) | EP0160416B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0670020B2 (ja) |
| DE (1) | DE3584032D1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE3332692A1 (de) * | 1983-09-10 | 1985-03-28 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Anisotrope verbindungen und fluessigkristallmischungen |
| US5252252A (en) * | 1983-09-10 | 1993-10-12 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung | Anisotropic compounds and liquid crystal mixtures |
| EP0191860B1 (en) * | 1984-06-07 | 1990-04-18 | Seiko Instruments Inc. | Liquid crystal compound |
| DE3587601T2 (de) * | 1984-10-18 | 1994-03-10 | Chisso Corp | Ferroelektrische chirale smektische Flüssigkristallzusammensetzung. |
| US4721367A (en) * | 1985-04-01 | 1988-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| DE3515373A1 (de) * | 1985-04-27 | 1986-11-06 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Stickstoffhaltige heterocyclen |
| US5279762A (en) * | 1985-04-27 | 1994-01-18 | Merck Patent Gesellschaft Mit Beschrankter Haftung | Smectic liquid crystal phases |
| DE3515374C2 (de) * | 1985-04-27 | 1998-02-26 | Hoechst Ag | Chirale getilte smektische flüssigkristalline Phasen und deren Verwendung in elektrooptischen Anzeigeelementen |
| US4780240A (en) * | 1985-08-02 | 1988-10-25 | Chisso Corporation | Liquid crystal composition |
| JPH0699392B2 (ja) * | 1985-12-27 | 1994-12-07 | チッソ株式会社 | 強誘電性ピリジン化合物及び液晶組成物 |
| JPS62294663A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-22 | Alps Electric Co Ltd | 液晶性化合物 |
| JPS62294664A (ja) * | 1986-06-13 | 1987-12-22 | Alps Electric Co Ltd | 液晶性化合物 |
| JPH072720B2 (ja) * | 1986-09-11 | 1995-01-18 | チッソ株式会社 | シクロヘキシルフエニルピリダジン類 |
| JPH0696559B2 (ja) * | 1986-09-16 | 1994-11-30 | チッソ株式会社 | ３，６−ジフエニルピリダジン類 |
| US6146547A (en) * | 1987-02-02 | 2000-11-14 | Chisso Corporation | 2-substituted-alkyl ether and liquid crystal composition |
| JPH0819025B2 (ja) * | 1987-02-16 | 1996-02-28 | チッソ株式会社 | １，２−プロパンジオ−ル誘導体 |
| DD257638A1 (de) * | 1987-02-19 | 1988-06-22 | Univ Halle Wittenberg | Ferroelektrische fluessigkristalle |
| US4880936A (en) * | 1987-03-26 | 1989-11-14 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Optically active pyridines useful in liquid crystal form for electrical display devices |
| US4911830A (en) * | 1988-05-26 | 1990-03-27 | Pms Consolidated | Fluorescent pigment concentrates |
| JPH01306493A (ja) * | 1988-06-03 | 1989-12-11 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
| JP2953624B2 (ja) * | 1989-02-13 | 1999-09-27 | チッソ株式会社 | 強誘電性液晶組成物 |
| JPH0781144B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1995-08-30 | 帝国化学産業株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
| DE4027458A1 (de) * | 1990-02-05 | 1991-08-14 | Merck Patent Gmbh | Halogenacetylen-derivate |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3931041A (en) * | 1972-02-24 | 1976-01-06 | Xerox Corporation | Liquid crystal compositions |
| NL7801718A (nl) * | 1977-03-18 | 1978-09-20 | Hoffmann La Roche | Optische actieve verbindingen. |
| DE3221462A1 (de) * | 1981-06-18 | 1983-01-05 | F. Hoffmann-La Roche & Co AG, 4002 Basel | Fluessigkristallines gemisch |
| CH651025A5 (de) * | 1982-05-14 | 1985-08-30 | Hoffmann La Roche | Pyridazine und ihre verwendung als komponenten fluessigkristalliner gemische. |
| US4452718A (en) * | 1981-07-31 | 1984-06-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Pyridazines |
| US4550981A (en) * | 1982-09-30 | 1985-11-05 | Hoffmann-La Roche Inc. | Liquid crystalline esters and mixtures |
| EP0110205B1 (de) * | 1982-11-29 | 1987-12-09 | F. HOFFMANN-LA ROCHE & CO. Aktiengesellschaft | Farbige Flüssigkristallmischungen enthaltend Phenyläthane |
| EP0123981A3 (de) * | 1983-04-29 | 1986-12-03 | F. HOFFMANN-LA ROCHE & CO. Aktiengesellschaft | Flüssigkristallzelle |
-
1984
- 1984-04-03 JP JP59066288A patent/JPH0670020B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-03-28 US US06/717,097 patent/US4657695A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-03 EP EP85302354A patent/EP0160416B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-03 DE DE8585302354T patent/DE3584032D1/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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| EP0160416A2 (en) | 1985-11-06 |
| JPS60226861A (ja) | 1985-11-12 |
| DE3584032D1 (de) | 1991-10-17 |
| US4657695A (en) | 1987-04-14 |
| EP0160416A3 (en) | 1986-08-13 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |