JPH08184817A - Production of liquid crystal display element - Google Patents
Production of liquid crystal display elementInfo
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- JPH08184817A JPH08184817A JP6326158A JP32615894A JPH08184817A JP H08184817 A JPH08184817 A JP H08184817A JP 6326158 A JP6326158 A JP 6326158A JP 32615894 A JP32615894 A JP 32615894A JP H08184817 A JPH08184817 A JP H08184817A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、液晶を利
用して情報を表示する液晶表示素子の製造方法に係り、
詳しくは１枚のフォトマスクによって複数の層を形成す
るようにしたものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention generally relates to a method of manufacturing a liquid crystal display device for displaying information using liquid crystal,
More specifically, it relates to one in which a plurality of layers are formed by one photomask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、液晶を用いて情報を表示する
液晶表示素子は種々提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, various liquid crystal display elements for displaying information using liquid crystals have been proposed.
【０００３】かかる液晶表示素子Ｐは、図１に示すよう
に一対のガラス基板１，２を備えており、下側のガラス
基板１（以下、“下基板１”とする）の表面には、Ｃｒ
膜等による遮光層３，…が多数ストライプ状に形成され
ている。また、これらの遮光層３，…の間にはカラーフ
ィルタ５，…が配置されており、さらにカラーフィルタ
５，…の表面には、同じくストライプ状の透明電極６，
…、及び金属電極７，…が順に形成されている。一方、
上側のガラス基板２（以下、“上基板２”とする）の表
面には透明電極９，…が形成されている。なお、これら
の透明電極６，…及び９，…等は、それぞれ絶縁膜（不
図示）及び配向膜（同じく不図示）によって被覆されて
いる。また、これらの基板１，２はスペーサ（不図示）
を介して貼り合わされており、基板間には液晶１０が注
入されている。As shown in FIG. 1, such a liquid crystal display device P is provided with a pair of glass substrates 1 and 2, and the surface of the lower glass substrate 1 (hereinafter referred to as "lower substrate 1") is Cr
A large number of light-shielding layers 3, ... Made of films or the like are formed in stripes. Further, color filters 5, ... Are disposed between the light shielding layers 3, ..., Further, on the surfaces of the color filters 5 ,.
, And metal electrodes 7, ... Are sequentially formed. on the other hand,
Transparent electrodes 9, ... Are formed on the surface of the upper glass substrate 2 (hereinafter, referred to as “upper substrate 2”). Note that these transparent electrodes 6, ... And 9, ... Are covered with an insulating film (not shown) and an alignment film (also not shown), respectively. In addition, these substrates 1 and 2 are spacers (not shown).
And the liquid crystal 10 is injected between the substrates.
【０００４】次に、液晶表示素子Ｐの製造方法について
説明する。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display element P will be described.
【０００５】液晶表示素子Ｐの製造に際しては、まず、
下基板１の表面にＣｒ膜を形成する。そして、該Ｃｒ膜
の表面にポジ型レジストを塗布し、遮光層形成用のフォ
トマスクを用いて露光し、その後、現像及びエッチング
を行って所定形状の遮光層３，…を形成していた。さら
に、カラーフィルタ５，…等の絶縁層を形成した後に、
これらのカラーフィルタ５，…及び遮光層３，…を覆う
ようにＩＴＯ膜（インジウム−スズ酸化物）を形成し、
このＩＴＯ膜の表面にポジ型レジストを塗布する。そし
て、透明電極形成用のフォトマスクを用いて露光し、そ
の後、現像及びエッチングを行って所定形状の透明電極
６，…を得ていた。さらに、透明電極６，…等の表面に
は金属電極用の金属薄膜を形成し、該金属薄膜の表面に
はポジ型レジストを塗布し、金属電極用のフォトマスク
を用いて露光し、その後、現像及びエッチングを行って
所定形状の金属電極７，…を形成していた。In manufacturing the liquid crystal display element P, first,
A Cr film is formed on the surface of the lower substrate 1. Then, a positive type resist is applied to the surface of the Cr film, exposed using a photomask for forming a light-shielding layer, and then developed and etched to form the light-shielding layers 3, ... Having a predetermined shape. Further, after forming the insulating layers such as the color filters 5, ...
An ITO film (indium-tin oxide) is formed so as to cover these color filters 5, ... And light-shielding layers 3 ,.
A positive resist is applied to the surface of this ITO film. Then, exposure was performed using a photomask for forming transparent electrodes, and then development and etching were performed to obtain transparent electrodes 6, ... Having a predetermined shape. Further, a metal thin film for a metal electrode is formed on the surface of the transparent electrodes 6, ..., A positive type resist is applied to the surface of the metal thin film, and exposure is performed using a photomask for the metal electrode. The metal electrodes 7 having a predetermined shape were formed by developing and etching.
【０００６】ところで、上述従来例においては、ポジ型
レジストを用いていたため、露光後の現像により光が照
射された部分のレジストが溶解され、該部分の層が残さ
れることとなる。By the way, in the above-mentioned conventional example, since the positive type resist is used, the resist of the portion irradiated with light is dissolved by the development after the exposure, and the layer of the portion is left.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した遮
光層３，…、透明電極６，…及び金属電極７，…は、い
ずれも成膜工程、フォトリソ工程（露光・現像工程）、
及びエッチング工程を経て形成されているが、一般に、
フォトマスクは、形成する層（遮光層、透明電極、及び
金属電極等）の数だけ必要であった。しかし、このフォ
トマスクは一般に高価なものであり、液晶表示素子の製
造に際して必要なフォトマスクの数が上述のように多い
と、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。特に、４分割露光方式のマスクアライナーを用い、
１つの層の形成に４つのフォトマスクを必要とする場合
には、さらにフォトマスクの枚数が多くなってしまい、
上述問題は顕著であった。By the way, the above-mentioned light-shielding layers 3, ..., Transparent electrodes 6, ... And metal electrodes 7, ... are all formed in a film forming step, a photolithography step (exposure / developing step),
And is formed through an etching process, but in general,
As many photomasks as the number of layers to be formed (a light shielding layer, a transparent electrode, a metal electrode, etc.) were required. However, this photomask is generally expensive, and if the number of photomasks required for manufacturing the liquid crystal display element is large as described above, there is a problem that the manufacturing cost increases. In particular, using a mask aligner of 4-division exposure method,
When four photomasks are required to form one layer, the number of photomasks further increases,
The above-mentioned problem was remarkable.
【０００８】ここで、フォトマスクが層毎に必要である
理由について簡単に説明する。Here, the reason why the photomask is required for each layer will be briefly described.
【０００９】従来より、パターニング精度、露光工程の
スループット、現像液や剥離液の取扱い易さの観点か
ら、一般にはポジ型レジストのみが用いられていた。か
かるポジ型レジストを使用した場合には、上述したよう
に光を照射した部分が溶解・除去されるが、該除去すべ
き部分の形状や面積は、遮光層３，…、透明電極６，
…、及び金属電極７，…によって異なり、したがって、
異なる形状のフォトマスクを多数使用する必要があっ
た。From the viewpoint of patterning accuracy, exposure process throughput, and ease of handling a developing solution or a stripping solution, only a positive resist has been generally used. When such a positive type resist is used, the portion irradiated with light is dissolved and removed as described above. The shape and area of the portion to be removed are such that the light shielding layer 3, ..., The transparent electrode 6,
, And the metal electrodes 7, ...
It was necessary to use many photomasks of different shapes.
【００１０】そこで、本発明は、ネガ型レジストとポジ
型レジストとを使い分けることにより、形成領域の異な
る複数の層を１つのフォトマスクによって形成可能と
し、製造コストの増加を防止する液晶表示素子の製造方
法を提供することを目的とするものである。Therefore, according to the present invention, by selectively using a negative resist and a positive resist, a plurality of layers having different formation regions can be formed by one photomask, and an increase in manufacturing cost can be prevented. It is intended to provide a manufacturing method.
【００１１】また、本発明は、露光条件を相対的に調整
して金属層である第１の層と透明電極である第２の層と
がオーバーラップするように形成することにより、表示
品質の高い液晶表示素子の製造を可能とした液晶表示素
子の製造方法を提供することを目的とするものである。Further, according to the present invention, the exposure conditions are relatively adjusted so that the first layer, which is a metal layer, and the second layer, which is a transparent electrode, are formed so as to overlap each other. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a liquid crystal display element, which enables manufacturing of a high liquid crystal display element.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、基板上に所定間隙を開けて第
１の層を複数形成する第１層形成工程と、前記複数の第
１の層の所定間隙内に第２の層を形成する第２層形成工
程と、を備えた液晶表示素子の製造方法について、前記
第１層形成工程が、ネガ型レジストを塗布する第１レジ
スト塗布工程と、フォトマスクを使用して露光する第１
露光工程と、を少なくとも有し、前記第２層形成工程
が、ポジ型レジストを塗布する第２レジスト塗布工程
と、前記フォトマスクを使用して露光する第２露光工程
と、を少なくとも有し、かつ、前記第１露光工程及び前
記第２露光工程にて同じフォトマスクを使用する、こと
を特徴とする。この場合、前記第１の層が、画素間の遮
光を行う金属層であり、かつ、前記第２の層が、これら
の金属層の間隙に形成される透明電極である、ようにし
てもよい。また、前記第１露光工程と前記第２露光工程
における露光条件を相対的に調整し、かつ、前記第１の
層と前記第２の層とがオーバーラップするように形成す
ると好ましい。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and includes a first layer forming step of forming a plurality of first layers on a substrate with a predetermined gap, and a plurality of the first layer forming steps. In a method of manufacturing a liquid crystal display device, which comprises a second layer forming step of forming a second layer in a predetermined gap of the first layer, the first layer forming step applies a negative resist. First step of resist application and exposure using photomask
An exposure step, and the second layer forming step includes at least a second resist applying step of applying a positive resist and a second exposing step of exposing using the photomask, Moreover, the same photomask is used in the first exposure step and the second exposure step. In this case, the first layer may be a metal layer that shields light between pixels, and the second layer may be a transparent electrode formed in a gap between these metal layers. . In addition, it is preferable that the exposure conditions in the first exposure step and the second exposure step are relatively adjusted, and the first layer and the second layer are formed so as to overlap each other.
【００１３】[0013]
【作用】以上構成に基づき、第１レジスト塗布工程にて
ポジ型レジストを使用すると、エッチングによって光の
照射された部分の第１の層が除去される。また、第２レ
ジスト塗布工程にてネガ型レジストを使用すると、エッ
チングによって光の照射されていない部分の第２の層が
除去される。したがって、第１露光工程と第２露光工程
とにおいて同じフォトマスクを使用するにもかかわら
ず、前記第１の層が形成される領域と、前記第２の層が
形成される領域とは異なる。換言すれば、互いに異なる
形状である第１の層と第２の層とを形成するに際し、同
一形状のフォトマスクを使用できる。When the positive resist is used in the first resist coating step based on the above structure, the first layer in the portion irradiated with light is removed by etching. Further, when a negative resist is used in the second resist coating step, the second layer in the portion not irradiated with light is removed by etching. Therefore, although the same photomask is used in the first exposure process and the second exposure process, the region where the first layer is formed and the region where the second layer is formed are different. In other words, when forming the first layer and the second layer having different shapes, the photomasks having the same shape can be used.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。なお、図１に示すものと同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same parts as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００１５】まず、本発明の第１実施例について、図２
に沿って説明する。First, FIG. 2 shows the first embodiment of the present invention.
It is explained along.
【００１６】本実施例においては、遮光層（第１の層）
３，…、透明電極（第２の層）６，…、及び金属電極
７，…の形成には、同一のフォトマスク２２を使用して
いる。また、かかるフォトマスク２２は多数の開口部２
２ａ，…を有するが、それらの開口面積をＳ0 とする。
そして、本実施例に係る液晶表示素子の製造方法は、以
下の通りである。 〈遮光層３，…の形成（第１層形成工程）〉いま、下基
板１の表面にＣｒ膜等の金属膜２０を形成し、該金属膜
２０の表面にはネガ型レジスト２１を塗布する（第１レ
ジスト塗布工程）。そして、所定形状のフォトマスク２
２を用いてオーバー露光を行う（第１露光工程、図２
(a) 参照）。このオーバー露光によって、露光される面
積Ｓ1 はフォトマスク２２の開口面積Ｓ0 よりも大きな
ものとなる。次に、レジスト２１の現像を行うが、この
レジスト２１はネガ型であることから、光が照射された
部分（面積Ｓ1 の部分）は現像液に不溶であり、光の照
射されていない部分のレジスト２１は溶解される（図２
(b) 参照）。次に、所定のエッチング液にてエッチング
処理を行うが、光が照射されなかった部分にはレジスト
２１は被覆されていないため、該部分の金属膜２０は溶
解される。これにより遮光層３，…が所定間隙を開けて
形成されるが、その形状は、フォトマスク２２の開口部
形状に相当するものとなる（図２(c) 参照）。 〈カラーフィルタ２３，…の形成〉次に、カラーフィル
タ２３，…を形成する（図２(d) 参照）。このカラーフ
ィルタ２３，…は、各色毎に成膜、現像、エッチングを
行い遮光層３，…の間隙部に形成するが、各カラーフィ
ルタ２３，…は、遮光層３，…に多少オーバーラップす
るように形成する。 〈透明電極６，…の形成（第２層形成工程）〉さらに、
これらのカラーフィルタ２３，…及び遮光層３，…の表
面には透明な導電膜２５を形成する（図２(e) 参照）。
そして、該導電膜２５の表面にはポジ型レジスト２６を
塗布し（第２レジスト塗布工程）、遮光層３，…の形成
の際に用いたフォトマスク２２を再び使用して露光を行
う（第２露光工程）。なお、このフォトマスク２２をセ
ットする位置は、遮光層３，…の形成の際と同一とし、
また、露光面積Ｓ2 がフォトマスク２２の開口面積Ｓ0
と同一となるように露光量を調節する。そして、現像を
行うと、レジスト２６はポジ型であることから、光が照
射された部分（面積Ｓ2 の部分）のレジスト２６は溶解
され、光の照射されない部分にのみレジスト２６が残存
する（図２(f) 参照）。さらに、エッチング処理を行う
と、レジスト２６によって被覆されていない部分（面積
Ｓ2 の部分）が選択的に溶解され、カラーフィルタ２
３，…と同一形状の透明電極６，…が形成されることと
なる（図２(g) 参照）。すなわち、遮光層３，…の間隙
内、詳しくは該間隙の上方にストライプ上の透明電極
６，…が多数形成される。なお、本実施例においては、
露光量を調整して露光面積（Ｓ1 ＞Ｓ0 ＝Ｓ2 ）を変化
させることにより、遮光層３，…の端部と透明電極６，
…の端部とをオーバーラップさせている。 〈金属電極７，…の形成〉上述のように透明電極６，…
を形成した後には、モリブデン等による金属薄膜２７を
下基板１の全体に形成し、さらに該薄膜２７の表面には
ネガ型レジスト２９を塗布する（図２(h) 参照）。そし
て、上述したフォトマスク２２を用いて再び露光を行う
が、このときのフォトマスク２２の位置は、フォトマス
ク２２の開口部２２ａ，…の端縁が透明電極６，…の端
縁と一致し（図中、破線Ｌ参照）、かつ透明電極６，…
の上方部分が露光されるような位置にした。なお、この
ときの露光面積Ｓ3 は開口面積Ｓ0 よりも小さくなるよ
うに露光量を調整し、アンダー露光を行うようにした
（図２(i) 参照）。さらに、現像及びエッチングを行う
ことにより、透明電極６，…の表面に金属電極７，…を
形成した（図２(j) 参照）。In this embodiment, the light shielding layer (first layer)
The same photomask 22 is used for forming the transparent electrodes (second layer) 6, ... and the metal electrodes 7 ,. In addition, the photomask 22 has a large number of openings 2.
2a, ..., But let their opening area be S 0 .
The method of manufacturing the liquid crystal display element according to this example is as follows. <Formation of Light-Shielding Layers 3, ... (First Layer Forming Step)> Now, a metal film 20 such as a Cr film is formed on the surface of the lower substrate 1, and a negative resist 21 is applied on the surface of the metal film 20. (First resist coating step). Then, the photomask 2 having a predetermined shape
2 is used to perform overexposure (first exposure step, FIG.
(See (a)). By this overexposure, the exposed area S 1 becomes larger than the opening area S 0 of the photomask 22. Next, the resist 21 is developed. Since the resist 21 is a negative type, the part irradiated with light (the part having the area S 1 ) is insoluble in the developing solution and the part not irradiated with light. Resist 21 is dissolved (FIG. 2).
(See (b)). Next, an etching process is performed with a predetermined etching solution. Since the resist 21 is not coated on the portion which is not irradiated with light, the metal film 20 on the portion is dissolved. As a result, the light shielding layers 3, ... Are formed with a predetermined gap therebetween, and the shape thereof corresponds to the shape of the opening of the photomask 22 (see FIG. 2 (c)). <Formation of Color Filters 23, ...> Next, the color filters 23, ... Are formed (see FIG. 2D). The color filters 23, ... Are formed in the gaps between the light shielding layers 3, ... By performing film formation, development, and etching for each color, but the color filters 23 ,. To form. <Formation of transparent electrodes 6, ... (Second layer forming step)>
A transparent conductive film 25 is formed on the surfaces of these color filters 23, ... And light-shielding layers 3, ... (See FIG. 2 (e)).
Then, a positive type resist 26 is applied to the surface of the conductive film 25 (second resist applying step), and exposure is performed using the photomask 22 used for forming the light shielding layers 3 ... 2 exposure step). The position where the photomask 22 is set is the same as when the light shielding layers 3 are formed.
Further, the exposure area S 2 is the opening area S 0 of the photomask 22.
Adjust the exposure to be the same as. Then, when the development is performed, since the resist 26 is a positive type, the resist 26 in a portion irradiated with light (a portion having an area S 2 ) is dissolved, and the resist 26 remains only in a portion not irradiated with light ( See Fig. 2 (f). Further, when the etching process is performed, the portion not covered by the resist 26 (the portion having the area S 2 ) is selectively dissolved, and the color filter 2
The transparent electrodes 6, ... Having the same shape as 3, ... are formed (see FIG. 2 (g)). That is, a large number of transparent electrodes 6 are formed in stripes in the gap between the light-shielding layers 3, ... Above the gap. In this embodiment,
By adjusting the exposure amount and changing the exposure area (S 1 > S 0 = S 2 ), the end portions of the light shielding layers 3, ...
It overlaps the end of. <Formation of metal electrodes 7, ...> As described above, the transparent electrodes 6 ,.
After forming, the metal thin film 27 made of molybdenum or the like is formed on the entire lower substrate 1, and the surface of the thin film 27 is coated with a negative resist 29 (see FIG. 2 (h)). Then, exposure is performed again using the above-described photomask 22, and the position of the photomask 22 at this time is such that the edges of the openings 22a, ... Of the photomask 22 coincide with the edges of the transparent electrodes 6 ,. (Refer to the broken line L in the figure) and the transparent electrodes 6, ...
The upper part of the was exposed. Note that the exposure amount was adjusted so that the exposure area S 3 at this time was smaller than the opening area S 0 , and underexposure was performed (see FIG. 2 (i)). Further, by developing and etching, the metal electrodes 7, ... Are formed on the surfaces of the transparent electrodes 6, ... (See FIG. 2 (j)).
【００１７】次に、本実施例の効果について説明する。Next, the effect of this embodiment will be described.
【００１８】本実施例によれば、遮光層３，…が形成さ
れる領域と、透明電極６，…が形成される領域とが相反
するにもかかわらず、ネガ型レジスト２１とポジ型レジ
スト２６とを使い分けることにより、同一のフォトマス
ク２２でそれらの形成を可能とした。また、金属電極
７，…の形成に際しては、フォトマスク２２をシフトさ
せると共にアンダー露光を行って露光面積Ｓ3 を調整す
ることにより、同一のフォトマスク２２での金属電極
７，…の形成を可能とした。このように、１つのフォト
マスク２２によって遮光層３，…、透明電極６，…、及
び金属電極７，…の形成が可能となり、高価なフォトマ
スクを多数用意する必要がないため、液晶表示素子の製
造原価が低減される。According to this embodiment, the negative resist 21 and the positive resist 26 are formed even though the regions where the light shielding layers 3, ... Are formed and the regions where the transparent electrodes 6, ... Are contradictory. By selectively using and, it is possible to form them with the same photomask 22. Further, when forming the metal electrodes 7, ..., It is possible to form the metal electrodes 7, ... With the same photomask 22 by shifting the photomask 22 and performing underexposure to adjust the exposure area S 3. And In this way, the light shielding layers 3, ..., The transparent electrodes 6, ... And the metal electrodes 7, ... Can be formed by one photomask 22, and it is not necessary to prepare a large number of expensive photomasks. Manufacturing costs are reduced.
【００１９】また、本実施例によれば、露光量を調整し
て遮光層３，…の端部と、透明電極６，…の端部とをオ
ーバーラップさせるようにしたため、遮光層３，…の形
成されていない部分を最大限に活用して表示面積を拡大
できると共に、完全な遮光を行ってコントラストの向上
が図れる。したがって、表示品質の高い液晶表示素子を
得ることができる。Further, according to the present embodiment, the exposure amount is adjusted so that the end portions of the light shielding layers 3, ... And the end portions of the transparent electrodes 6 ,. It is possible to maximize the display area by maximizing the use of the portions where no is formed, and it is possible to improve the contrast by completely shielding light. Therefore, a liquid crystal display device with high display quality can be obtained.
【００２０】ついで、本発明の第２実施例について、図
３に沿って簡単に説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be briefly described with reference to FIG.
【００２１】上述実施例においては、遮光層３，…の形
成にネガ型レジスト２１を用い、透明電極６，…の形成
にポジ型レジスト２６を用い、さらに金属電極７，…の
形成にネガ型レジスト２９を用いたが、もちろんこれに
限る必要はない。In the above-described embodiment, the negative resist 21 is used for forming the light shielding layers 3, ..., The positive resist 26 is used for forming the transparent electrodes 6, ..., And the negative resist is used for forming the metal electrodes 7 ,. Although the resist 29 is used, needless to say, it is not limited to this.
【００２２】すなわち、本実施例に用いるフォトマスク
３２は、上述実施例で用いたフォトマスク２２の開口部
２２ａ，…と遮蔽部分（開口部以外の部分）とが逆にな
っており、図３に詳示するように、フォトマスク２２の
遮蔽部分に相当する部分に開口部３２ａ，…が形成さ
れ、フォトマスク２２の開口部２２ａ，…に相当する部
分が遮蔽部分となっている。そして、本実施例において
は、遮光層３，…の形成にポジ型レジストを用い、透明
電極６，…の形成にネガ型レジストを用い、さらに金属
電極７，…の形成にポジ型レジストを用いる。なお、露
光量を調整して遮光層３，…の端部と透明電極６，…の
端部とをオーバーラップさせること、及び金属電極形成
時における露光面積を小さくすることは、上述実施例と
同様である。That is, in the photomask 32 used in this embodiment, the openings 22a, ... Of the photomask 22 used in the above-mentioned embodiment and the shielding portion (portion other than the opening) are opposite to each other. As will be described in detail, the openings 32a, ... Are formed in the portions corresponding to the shielded portions of the photomask 22, and the portions corresponding to the openings 22a ,. In this embodiment, a positive type resist is used for forming the light shielding layers 3, ..., A negative type resist is used for forming the transparent electrodes 6, ..., And a positive type resist is used for forming the metal electrodes 7 ,. . It is to be noted that adjusting the exposure amount so that the end portions of the light shielding layers 3, ... And the end portions of the transparent electrodes 6 ,. It is the same.
【００２３】次に、本実施例の効果について説明する。Next, the effect of this embodiment will be described.
【００２４】本実施例によれば、透明電極６，…の形成
にはネガ型レジストを用いるため、透明電極６，…への
ゴミの付着が低減され、それに伴いショート（短絡）の
発生が低減される。According to this embodiment, since the negative resist is used to form the transparent electrodes 6, ..., Adhesion of dust to the transparent electrodes 6, ... Is reduced, and accordingly, the occurrence of short circuit is reduced. To be done.
【００２５】また、本実施例においても、上述第１実施
例と同様の効果を奏する。すなわち、遮光層３，…、透
明電極６，…、及び金属電極７，…の形成が１つのフォ
トマスクによって可能となり、高価なフォトマスクを多
数用意する必要がないため、液晶表示素子の製造原価が
低減される。また、露光量を調整して遮光層３，…の端
部と透明電極６，…の端部とをオーバーラップさせるこ
とにより、遮光層３，…の形成されていない部分を最大
限に活用して表示面積を拡大できると共に、完全な遮光
を行ってコントラストの向上が図れる。したがって、表
示品質の高い液晶表示素子を得ることができる。Also, in this embodiment, the same effect as that of the first embodiment can be obtained. That is, the light-shielding layers 3, ..., The transparent electrodes 6, ..., And the metal electrodes 7, ... Can be formed by one photomask, and it is not necessary to prepare a large number of expensive photomasks. Is reduced. Further, by adjusting the exposure amount so that the end portions of the light shielding layers 3, ... And the end portions of the transparent electrodes 6, ... Are overlapped, the portions where the light shielding layers 3 ,. As a result, the display area can be enlarged, and the light can be completely shielded to improve the contrast. Therefore, a liquid crystal display device with high display quality can be obtained.
【００２６】なお、本発明者は、図４に示したモザイク
カラーフィルタ３３，…を用いた構成の液晶表示素子
を、上述第１及び第２実施例に沿って製造し、表示品質
等を調べた。その結果、このモザイクカラーフィルタ３
３，…を用いたものは、色再現性に優れ、表示品位が向
上していることが確認できた。The present inventor manufactured a liquid crystal display element having a structure using the mosaic color filters 33, ... Shown in FIG. 4 in accordance with the first and second embodiments described above, and examined the display quality and the like. It was As a result, this mosaic color filter 3
It was confirmed that those using 3, ... Are excellent in color reproducibility and display quality is improved.
【００２７】ところで、上述実施例はどのようなタイプ
の液晶表示素子にも適用が可能であるが、強誘電性液晶
を用いた素子に適用することが好ましい。By the way, the above-mentioned embodiment can be applied to any type of liquid crystal display element, but it is preferable to apply it to an element using a ferroelectric liquid crystal.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
第１の層が形成される領域と、第２の層が形成される領
域とが相反するにもかかわらず、ネガ型レジストとポジ
型レジストとを使い分けることにより、同一のフォトマ
スクでそれらの形成を可能とした。したがって、高価な
フォトマスクを多数用意する必要がないため、液晶表示
素子の製造原価が低減される。As described above, according to the present invention,
Despite the fact that the region where the first layer is formed and the region where the second layer is formed are contradictory, they can be formed using the same photomask by using a negative resist and a positive resist separately. Made possible. Therefore, since it is not necessary to prepare a large number of expensive photomasks, the manufacturing cost of the liquid crystal display element is reduced.
【００２９】また、前記第１露光工程と前記第２露光工
程における露光条件を相対的に調整し、かつ、金属層で
ある第１の層と透明電極である第２の層とがオーバーラ
ップするようにした場合には、前記金属層の形成されて
いない部分を最大限に活用して表示面積を拡大できると
共に、完全な遮光を行ってコントラストの向上が図れ
る。したがって、表示品質の高い液晶表示素子を得るこ
とができる。Further, the exposure conditions in the first exposure step and the second exposure step are relatively adjusted, and the first layer, which is a metal layer, and the second layer, which is a transparent electrode, overlap each other. In this case, the display area can be expanded by maximally utilizing the portion where the metal layer is not formed, and the contrast can be improved by completely shielding light. Therefore, a liquid crystal display device with high display quality can be obtained.
【図１】液晶表示素子の構造を説明するための断面図。FIG. 1 is a sectional view for explaining the structure of a liquid crystal display element.
【図２】本発明の第１実施例を説明するための図で、
(a) 〜(c) は遮光層の形成過程を示す図、(d) はカラー
フィルタを形成した状態を示す図、(e) 〜(g) は透明電
極の形成過程を示す図、(h) 〜(j) は金属電極の形成過
程を示す図。FIG. 2 is a diagram for explaining the first embodiment of the present invention,
(a) ~ (c) is a diagram showing the formation process of the light shielding layer, (d) is a diagram showing the state of forming a color filter, (e) ~ (g) is a diagram showing the formation process of the transparent electrode, (h) )-(J) are diagrams showing a process of forming a metal electrode.
【図３】第２実施例に用いるフォトマスクの形状を説明
するための端面図。FIG. 3 is an end view for explaining the shape of a photomask used in the second embodiment.
【図４】モザイクカラーフィルタの形状を示す図。FIG. 4 is a diagram showing a shape of a mosaic color filter.
１ ガラス基板（基板） ３，… 遮光層（第１の層、金属層） ６，… 透明電極（第２の層） ２１ ポジ型レジスト ２２ フォトマスク ２６ ネガ型レジスト ３２ フォトマスク Ｐ 液晶表示素子 1 Glass Substrate (Substrate) 3, ... Light-shielding Layer (First Layer, Metal Layer) 6, ... Transparent Electrode (Second Layer) 21 Positive Resist 22 Photomask 26 Negative Resist 32 Photomask P Liquid Crystal Display Device
Claims (3)
数形成する第１層形成工程と、前記複数の第１の層の所
定間隙内に第２の層を形成する第２層形成工程と、を備
えた液晶表示素子の製造方法について、 前記第１層形成工程が、ネガ型レジストを塗布する第１
レジスト塗布工程と、フォトマスクを使用して露光する
第１露光工程と、を少なくとも有し、 前記第２層形成工程が、ポジ型レジストを塗布する第２
レジスト塗布工程と、前記フォトマスクを使用して露光
する第２露光工程と、を少なくとも有し、かつ、 前記第１露光工程及び前記第２露光工程にて同じフォト
マスクを使用する、 ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。1. A first layer forming step of forming a plurality of first layers by forming a predetermined gap on a substrate, and a second layer of forming a second layer in a predetermined gap of the plurality of first layers. A method of manufacturing a liquid crystal display element, comprising: a forming step, wherein the first layer forming step is a first step of applying a negative resist.
At least a resist applying step and a first exposing step of exposing using a photomask, wherein the second layer forming step applies a positive resist
At least a resist coating step and a second exposure step of exposing using the photomask, and using the same photomask in the first exposure step and the second exposure step. And a method for manufacturing a liquid crystal display device.
属層であり、かつ、 前記第２の層が、これらの金属層の間隙に形成される透
明電極である、 ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方
法。2. The first layer is a metal layer for shielding light between pixels, and the second layer is a transparent electrode formed in a gap between these metal layers. The method for manufacturing a liquid crystal display element according to claim 1.
おける露光条件を相対的に調整し、かつ、 前記第１の層と前記第２の層とがオーバーラップするよ
うにした、 ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示素子の製造方
法。3. The exposure conditions in the first exposure step and the second exposure step are relatively adjusted, and the first layer and the second layer are overlapped with each other. The method for manufacturing a liquid crystal display element according to claim 2, which is characterized in that.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326158A JPH08184817A (en) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Production of liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326158A JPH08184817A (en) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Production of liquid crystal display element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08184817A true JPH08184817A (en) | 1996-07-16 |
Family
ID=18184704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6326158A Pending JPH08184817A (en) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | Production of liquid crystal display element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08184817A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216978A (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Epson Imaging Devices Corp | Electrooptical device, electronic equipment, color filter substrate and manufacturing method |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP6326158A patent/JPH08184817A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216978A (en) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Epson Imaging Devices Corp | Electrooptical device, electronic equipment, color filter substrate and manufacturing method |
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