JPH08162558A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH08162558A
JPH08162558A JP6303958A JP30395894A JPH08162558A JP H08162558 A JPH08162558 A JP H08162558A JP 6303958 A JP6303958 A JP 6303958A JP 30395894 A JP30395894 A JP 30395894A JP H08162558 A JPH08162558 A JP H08162558A
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lead
heat dissipation
thin plate
semiconductor chip
semiconductor device
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祐一 浅野
Akihiro Kubota
昭弘 窪田
Koichi Shibazaki
浩一 柴崎
Kazuhiro Yonetake
一浩 米竹
Tsuyoshi Aoki
強 青木
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Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
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Fujitsu Ltd
Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
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    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors

Abstract

PURPOSE: To improve strength of a lead frame by multiple pins and to improve heat dissipation by miniaturization of a chip regarding a a semiconductor device wherein an inner lead of a lead frame and a semiconductor chip are electrically connected and a manufacturing method thereof and a lead frame used for it. CONSTITUTION: A thin plate part 33a is formed in an inner lead 33 of a lead frame 32 and is fixed on a plate-like heat spreader 35 inside a package 39. A semiconductor chip 36 is mounted on the heat spreader 35 and is bonded by a wire 38 between it and a thin plate part 33a of an inner lead.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームのイン
ナーリードと半導体チップとが電気的に接続される半導
体装置及びその製造方法及びこれに使用されるリードフ
レームに関する。近年、半導体装置の高機能化の要請か
ら、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等
の多ピン化が進んでいる。これに伴い、使用されるリー
ドフレームにおけるインナーリードの厚さが薄くなると
共に、細くなり強度が低下してくる。また、半導体チッ
プの発熱量が増大してきている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which inner leads of a lead frame are electrically connected to a semiconductor chip, a method of manufacturing the same, and a lead frame used for the same. 2. Description of the Related Art In recent years, the demand for higher functionality of semiconductor devices has led to an increase in the number of pins such as QFP (Quad Flat Package). Along with this, the thickness of the inner lead in the lead frame used becomes thin and becomes thin, and the strength decreases. In addition, the amount of heat generated by semiconductor chips is increasing.

【０００２】そのため、リードフレームの強度の向上、
半導体チップの放熱を図る必要がある。Therefore, the strength of the lead frame is improved,
It is necessary to radiate heat from the semiconductor chip.

【０００３】[0003]

【従来の技術】図１２に、従来の多ピン化半導体装置の
断面構成図を示す。一般に、半導体装置は小型化が常に
要求されて半導体チップが小型化すると共に、高機能化
より多ピン化が進んで半導体チップに形成されるパッド
のピッチが縮小してくる。そして、パッドとワイヤボン
ディングを行うリードフレームのインナーリード先端が
微細になると共に微小ピッチとなる。2. Description of the Related Art FIG. 12 is a sectional view showing the structure of a conventional multi-pin semiconductor device. In general, semiconductor devices are constantly required to be miniaturized and semiconductor chips are miniaturized, and as the number of pins is increased due to higher functionality, the pitch of pads formed on the semiconductor chips is reduced. Then, the tip of the inner lead of the lead frame for wire bonding with the pad becomes fine and has a fine pitch.

【０００４】しかし、厚さが例えば０．１５ｍｍのリー
ドフレームを作製するにあたり、インナーリード先端を
微小ピッチにするエッチングに限界があり、半導体チッ
プが位置される部分に対してインナーリード先端を近づ
けることができない。そこで、図１２（Ａ）に示す半導
体装置１１は、リードフレーム１２のインナーリード１
３の先端部１３ａを一旦ハーフエッチングにより厚さを
半分位にした後に、エッチングにより微小ピッチにパタ
ーニングしている。However, when manufacturing a lead frame having a thickness of, for example, 0.15 mm, there is a limit to the etching to make the inner lead tips have a fine pitch, and the inner lead tips should be brought close to the portion where the semiconductor chip is located. I can't. Therefore, the semiconductor device 11 shown in FIG.
The tip portion 13a of No. 3 is once halved in thickness by half etching and then patterned by etching to a fine pitch.

【０００５】すなわち、この半導体装置１１は、特開昭
５９−９８５４７号公報に示されているもので、上述の
インナーリード１３（先端部１３ａ）にフィルム１５が
接着され、フィルム１５上の対向するインナーリード１
３間に半導体チップ１６が接着材１７により搭載され
る。インナーリード１３の先端部１３ａと半導体チップ
１６に形成されたパッド間でワイヤ１８によりボンディ
ングが行われ、樹脂モールドによりパッケージ１９が形
成される。That is, this semiconductor device 11 is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-98547, and a film 15 is bonded to the above-mentioned inner lead 13 (tip portion 13a) so as to face the film 15. Inner lead 1
The semiconductor chip 16 is mounted between the three by the adhesive material 17. Bonding is performed between the tip portion 13a of the inner lead 13 and the pad formed on the semiconductor chip 16 with a wire 18, and a package 19 is formed by resin molding.

【０００６】そして、パッケージ１９より延出したアウ
タリード１４は、表面実装用にいわゆるガルウイング形
状に折曲加工されたものである。一方、図１２（Ｂ）に
示す半導体装置２１は、特開平４−６８６３号公報に記
載されているもので、リードフレーム２２のインナリー
ド２３の先端部２３ａを搭載する半導体チップ２５より
離隔させることで多ピン化を図っている。この場合、放
熱性を向上させるためにいわゆるヒートスプレッタ２６
が用いられ、このヒートスプレッタ２６にインナリード
２３の先端部２３ａが取り付けられる。The outer lead 14 extending from the package 19 is bent into a so-called gull wing shape for surface mounting. On the other hand, the semiconductor device 21 shown in FIG. 12B is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-6863, and the tip portion 23a of the inner lead 23 of the lead frame 22 is separated from the semiconductor chip 25 on which it is mounted. We are trying to increase the number of pins. In this case, the so-called heat spreader 26 is used to improve heat dissipation.
Is used, and the tip portion 23a of the inner lead 23 is attached to the heat spreader 26.

【０００７】ヒートスプレッタ２６上には接着材２７に
より半導体チップ２５が搭載され、半導体チップ２５に
形成されたパッドとインナーリード２３の先端部２３ａ
間でワイヤ２８によりボンディングが行われる。そし
て、樹脂モールドによりパッケージ２９が形成され、パ
ッケージ２９より延出するアウタリード２４がガルウイ
ング形状に折曲加工されたものである。A semiconductor chip 25 is mounted on the heat spreader 26 with an adhesive 27, and the pads formed on the semiconductor chip 25 and the tips 23a of the inner leads 23 are formed.
Bonding is performed by the wire 28 in between. The package 29 is formed by resin molding, and the outer leads 24 extending from the package 29 are bent into a gull wing shape.

【０００８】また、図１２（Ｃ）に示す半導体装置２１
は、図１２（Ｂ）に示すヒートスプレッタ２６上にイン
ナーリード２３と対応して接続されるパターン２６ａが
それぞれ形成され、搭載された半導体チップ２５のパッ
ドとパターン間でワイヤ２８ａによりボンディングされ
たものである。これは、図１２（Ｂ）に示すワイヤ２８
よりワイヤ長の短いワイヤ２８ａでよく、ワイヤコスト
等を低減させることができる。The semiconductor device 21 shown in FIG.
The patterns 26a connected to the inner leads 23 are respectively formed on the heat spreader 26 shown in FIG. 12B, and the pads 26 of the mounted semiconductor chip 25 are bonded by the wires 28a between the patterns. is there. This is the wire 28 shown in FIG.
The wire 28a having a shorter wire length is sufficient, and the wire cost and the like can be reduced.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１２（Ａ）
に示す半導体装置１１は、インナーリード１３の薄い先
端部１３ａをフィルム１５で補強がなされているが十分
ではなく、リードフレーム１２の搬送や、パッケージン
グにおけるモールド樹脂の注入圧力等で変形を生じ易
く、歩留りが低下するという問題がある。However, FIG. 12 (A)
The thin tip portion 13a of the inner lead 13 is reinforced by the film 15 in the semiconductor device 11 shown in FIG. 2, but it is not sufficient, and is easily deformed by the conveyance of the lead frame 12, the injection pressure of the molding resin during packaging, or the like. However, there is a problem that the yield decreases.

【００１０】また、図１２（Ｂ）に示す半導体装置２１
は、インナーリード２３を薄くせずに多ピン化を図るこ
とができるが、先端を半導体チップ２５に近づけること
ができずワイヤ２８が長くなる。そのため、ワイヤコス
トが高くなると共に、高速化の妨げになるという問題が
ある。さらに、図１２（Ｃ）に示す半導体装置２１は、
ワイヤ２８ａが短いが、ヒートスプレッタ２６上にパタ
ーン２６ａを形成することがコストの増大を招くという
問題がある。The semiconductor device 21 shown in FIG.
The number of pins can be increased without thinning the inner lead 23, but the tip cannot be brought close to the semiconductor chip 25 and the wire 28 becomes long. Therefore, there are problems that the wire cost becomes high and the speedup is hindered. Further, the semiconductor device 21 shown in FIG.
Although the wire 28a is short, forming the pattern 26a on the heat spreader 26 causes a problem of increased cost.

【００１１】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、多ピン化によるリードフレームの強度を向上さ
せると共に、チップの小型化による放熱性の向上を図る
半導体装置及びその製造方法及びこれに使用されるリー
ドフレームを提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and a semiconductor device and a method of manufacturing the same for improving the strength of the lead frame by increasing the number of pins and improving the heat dissipation by downsizing the chip are provided. It is intended to provide a lead frame used.

【００１２】[0012]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１では、所定数のリード端子が配列され、前
記リード端子におけるインナーリードとなる端子部分の
所定部分の厚さを他の部分より薄い薄板部が形成された
リードフレームと、半導体チップを搭載して熱放散を行
うものであって、前記半導体チップの近傍に前記インナ
ーリードの薄板部を配置させて前記リードフレームが固
着される板状の熱放散部材と、前記半導体チップ及び前
記インナーリードの薄板部間で電気的接続が行われた前
記熱放散部材を覆い、前記リード端子のアウタリードと
なる端子部分を延出させた封止部と、を有して半導体装
置が構成される。In order to solve the above-mentioned problems, according to claim 1, a predetermined number of lead terminals are arranged, and the thickness of a predetermined portion of a terminal portion which becomes an inner lead in the lead terminals is changed to another value. A semiconductor device is mounted on a lead frame formed with a thin plate portion thinner than a portion to dissipate heat, and the thin plate portion of the inner lead is arranged near the semiconductor chip to fix the lead frame. A plate-shaped heat-dissipating member that covers the heat-dissipating member electrically connected between the semiconductor chip and the thin plate portion of the inner lead, and extends the terminal portion that serves as the outer lead of the lead terminal. A semiconductor device is configured to include a stopper.

【００１３】請求項２では、請求項１において、前記熱
放散部材は、前記封止部より高熱伝導率の部材で形成さ
れる。請求項３では、請求項１又は２において、前記薄
板部を含むインナーリードの先端部分が、前記熱放散部
材に接着部材により固着される。請求項４では、請求項
１〜３の何れかに一項において、前記熱放散部材の前記
半導体チップ搭載面の反対面を少くとも前記封止部より
露出させる。According to a second aspect, in the first aspect, the heat dissipation member is formed of a member having a higher thermal conductivity than the sealing portion. According to a third aspect, in the first or second aspect, the tip portion of the inner lead including the thin plate portion is fixed to the heat dissipation member with an adhesive member. In a fourth aspect, in any one of the first to third aspects, the surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface is exposed at least from the sealing portion.

【００１４】請求項５では、請求項１〜４の何れか一項
において、前記封止部は前記熱放散部材の前記半導体チ
ップ搭載面の反対面を表出させる開口部が形成され、前
記開口部に前記熱放散部材と接触して露出される放熱部
材が設けられる。請求項６では、請求項５において、前
記放熱部材は、前記熱放散部材から露出面にかけて所定
数の貫通穴が形成される。According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the sealing portion is formed with an opening that exposes a surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface. The portion is provided with a heat dissipation member that is exposed in contact with the heat dissipation member. According to a sixth aspect, in the fifth aspect, the heat dissipation member has a predetermined number of through holes extending from the heat dissipation member to the exposed surface.

【００１５】請求項７では、請求項６において、前記貫
通穴は、前記放熱部材の露出平面上で周辺部分に配置さ
れて形成される。請求項８では、所定数のリード端子の
うち、後に半導体パッケージ内に位置されるインナーリ
ードが、接続される半導体チップの配置される空間領域
の近傍に配置されるリードフレームにおいて、前記イン
ナーリードの所定部分に、厚さが他の部分より薄い薄板
部が形成され、前記薄板部の先端部を連結させた連結部
が形成されてリードフレームを構成する。According to a seventh aspect, in the sixth aspect, the through hole is formed by being arranged in a peripheral portion on an exposed plane of the heat dissipation member. According to claim 8, among the predetermined number of lead terminals, an inner lead, which is located later in the semiconductor package, is provided in the vicinity of a space region where the semiconductor chip to be connected is arranged. A thin plate portion having a thickness smaller than that of the other portion is formed at a predetermined portion, and a connecting portion that connects the leading end portions of the thin plate portion is formed to form a lead frame.

【００１６】請求項９では、請求項８において、前記薄
板部はエッチングにより形成される。請求項１０では、
請求項８において、前記リード端子は、複数の金属板部
材が貼り合わされたものであって、前記薄板部がエッチ
ングで形成されてなる。請求項１１では、請求項８にお
いて、前記リード端子は、複数の金属板部材を前記薄板
部を形成しつつ重ね合わせて形成されてなる。According to a ninth aspect, in the eighth aspect, the thin plate portion is formed by etching. In claim 10,
In claim 8, the lead terminal is formed by laminating a plurality of metal plate members, and the thin plate portion is formed by etching. According to an eleventh aspect, in the eighth aspect, the lead terminal is formed by stacking a plurality of metal plate members while forming the thin plate portion.

【００１７】請求項１２では、請求項８において、前記
リード端子のうち、前記薄板部以外の部分の厚さが、熱
抵抗及び後にアウタリードとなる部分の強度に応じて設
定されてなる。請求項１３では、熱放散部材上に、請求
項８乃至１２記載のリードフレームにおける所定数の前
記インナーリードの薄板部先端の連結部を固着させる工
程と、前記連結部が切断除去される工程と、前記熱放散
部材の前記所定数のリードフレームの連結部間の領域上
に半導体チップを搭載して前記インナーリードの薄板部
間で電気的接続が行われる工程と、前記半導体チップ及
び前記熱放散部材を封止し、前記リードフレームのアウ
タリードを延出させて封止部を形成する工程と、を含ん
で半導体装置の製造方法を構成する。According to a twelfth aspect, in the eighth aspect, the thickness of the portion of the lead terminal other than the thin plate portion is set in accordance with the thermal resistance and the strength of the portion that will later become the outer lead. According to a thirteenth aspect of the present invention, a step of fixing a predetermined number of connecting portions of the tip ends of the thin plate portions of the inner leads in the lead frame according to the eighth aspect to the heat dissipating member, and a step of cutting and removing the connecting portions. A step of mounting a semiconductor chip on a region between the connection parts of the predetermined number of lead frames of the heat dissipation member to electrically connect the thin plate parts of the inner lead, and the semiconductor chip and the heat dissipation part. And a step of sealing the member and extending the outer lead of the lead frame to form a sealing portion.

【００１８】請求項１４では、請求項１３において、前
記封止部を形成するにあたり、前記熱放散部材の前記半
導体チップ搭載面の反対面を前記封止部より露出させ
る。請求項１５では、請求項１３において、前記封止部
を形成するにあたり、前記熱放散部材の前記半導体チッ
プ搭載面の反対面を表出させる開口部を形成し、前記開
口部に前記熱放散部材に接触して露出させる放熱部材が
形成される。According to a fourteenth aspect, in forming the sealing portion according to the thirteenth aspect, a surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface is exposed from the sealing portion. According to a fifteenth aspect, in forming the sealing portion according to the fifteenth aspect, an opening for exposing a surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface is formed, and the heat dissipation member is formed in the opening. A heat dissipating member is formed so as to contact and be exposed.

【００１９】[0019]

【作用】上述のように、請求項１及び２の発明では、封
止部内でリードフレームのインナーリードに薄板部が形
成されて板状の熱放散部材上に固着され、熱放散部材上
に半導体チップを搭載して薄板部と電気的接続される。
これにより、インナーリードに薄板部を形成しても放熱
性を向上させる熱放散部材上に固着されることでリード
フレームの強度が向上されて量産性の向上を図ることが
可能となる。As described above, according to the first and second aspects of the present invention, the thin plate portion is formed on the inner lead of the lead frame in the sealing portion and is fixed on the plate-shaped heat dissipation member, and the semiconductor is formed on the heat dissipation member. The chip is mounted and electrically connected to the thin plate portion.
As a result, even if a thin plate portion is formed on the inner lead, the inner frame is fixed to the heat dissipation member that improves heat dissipation, so that the strength of the lead frame is improved and mass productivity can be improved.

【００２０】請求項３の発明では、インナーリードの先
端部分と熱放散部材とが広いエリアで接着部材により固
着される。これにより、封止部形成後の熱収縮によるア
ンマッチングが吸収され、歩留りの向上を図ることが可
能となる。請求項４，５，１４及び１５の発明では、熱
放散部材の半導体チップ搭載反対面を露出させ、又はこ
の面を表出させる開口部を封止部に形成して放熱部材を
設ける。これにより、半導体チップの小型化に伴う温度
上昇に対する放熱性をより向上させることが可能とな
る。According to the third aspect of the invention, the tip portion of the inner lead and the heat dissipation member are fixed to each other in a wide area by the adhesive member. As a result, unmatching due to heat shrinkage after the formation of the sealing portion is absorbed, and the yield can be improved. According to the inventions of claims 4, 5, 14 and 15, the heat dissipation member is provided by exposing the surface of the heat dissipating member opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted or forming an opening for exposing this surface in the sealing portion. As a result, it becomes possible to further improve the heat radiation property with respect to the temperature rise due to the miniaturization of the semiconductor chip.

【００２１】請求項８及び９の発明では、放熱部材の適
宜周辺部分に配置される貫通穴が形成される。これによ
り、封止部形成時の水分が貫通穴より抜け、封止部の破
損がが防止されて歩留りの向上を図ることが可能とな
る。請求項５及び６の発明では、リードフレームのイン
ナーリードに薄板部をエッチングにより形成し、この薄
板部の先端部を連結部で連結させている。これにより、
インナリード位置精度を向上させ、薄板部による強度の
低下を連結部により向上させることが可能となる。According to the eighth and ninth aspects of the present invention, the through holes are formed at appropriate peripheral portions of the heat dissipation member. As a result, moisture at the time of forming the sealing portion escapes from the through hole, damage to the sealing portion is prevented, and the yield can be improved. According to the fifth and sixth aspects of the invention, the thin plate portion is formed on the inner lead of the lead frame by etching, and the leading end portion of the thin plate portion is connected by the connecting portion. This allows
It is possible to improve the inner lead position accuracy and improve the strength reduction due to the thin plate portion by the connecting portion.

【００２２】請求項１０及び１１の発明では、リード端
子が金属板部材を貼り合わされて形成されたもので、エ
ッチング又は重ね合わせて薄板部を形成する。これによ
り、多層形成のリードフレームであっても容易に薄板部
を形成させることが可能となる。請求項１２の発明で
は、リード端子における薄板部以外の部分の厚さを熱抵
抗及びアウタリードの強度に応じて設定する。これによ
り、熱抵抗を向上させて放熱性を向上させ、またアウタ
リードの耐リード変形の向上による実装性を良好とする
ことが可能となる。In the tenth and eleventh aspects of the present invention, the lead terminal is formed by laminating metal plate members, and the thin plate portion is formed by etching or superposing. This makes it possible to easily form the thin plate portion even in a multilayer lead frame. In the invention of claim 12, the thickness of the portion other than the thin plate portion of the lead terminal is set according to the thermal resistance and the strength of the outer lead. As a result, it becomes possible to improve the heat resistance and the heat dissipation, and to improve the mountability by improving the lead deformation resistance of the outer leads.

【００２３】請求項１３の発明では、熱放散部材の上に
インナーリードにおける薄板部の連結部が位置されて固
着され、連結部の除去後に半導体チップと薄板部で電気
的接続が行われて封止部を形成する。これにより、熱放
散部材による放熱性の向上、及びインナリードの連結部
により強度を向上させることが可能となる。According to the thirteenth aspect of the present invention, the connecting portion of the thin plate portion of the inner lead is positioned and fixed on the heat dissipation member, and after the connecting portion is removed, the semiconductor chip and the thin plate portion are electrically connected and sealed. Form a stop. This makes it possible to improve heat dissipation by the heat dissipation member and strength by the inner lead connecting portion.

【００２４】[0024]

【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
図１（Ａ）は縦側断面図、図１（Ｂ）は平面図である。
図１（Ａ），（Ｂ）に示す半導体装置３１Ａは、ＱＦＰ
型のもので、リードフレーム３２がインナーリード３３
及びアウタリード３４で構成されており、インナーリー
ド３３の先端部分に他の部分より厚さが薄い薄板部３３
ａが形成されている（図２において説明する）。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the present invention.
1A is a vertical cross-sectional view, and FIG. 1B is a plan view.
The semiconductor device 31A shown in FIGS. 1A and 1B is a QFP.
The lead frame 32 is an inner lead 33.
And the outer lead 34, and the thin plate portion 33 having a thinner thickness than the other portions is provided at the tip portion of the inner lead 33.
a is formed (described in FIG. 2).

【００２５】このインナーリード３３は、その薄板部３
３ａ部分を熱放散部材であるヒートスプレッタ３５（図
３において説明する）上に接着材等で固着されている。
また、ヒートスプレッタ３５上であって、インナーリー
ド３３（薄板部３３ａ）間の領域（略中央部分）に小型
化が図られた半導体チップ３６が銀ペースト等の接着材
３７により搭載される。この場合、半導体チップ３６の
周囲にはインナーリード３３の薄板部３３ａが近接配置
された状態となる。The inner lead 33 has a thin plate portion 3
The portion 3a is fixed to a heat spreader 35 (described in FIG. 3) which is a heat dissipation member with an adhesive material or the like.
In addition, on the heat spreader 35, a miniaturized semiconductor chip 36 is mounted by an adhesive 37 such as silver paste in a region (substantially central portion) between the inner leads 33 (thin plate portions 33a). In this case, the thin plate portion 33a of the inner lead 33 is arranged in the vicinity of the semiconductor chip 36.

【００２６】そこで、半導体チップ３６上に形成された
電極パッド（図に表われず）とインナーリード３３の薄
板部３３ａとの間で金等のワイヤ３８によりボンディン
グされて電気的接続が行われている。そして、ヒートス
プレッタ３５を含んで樹脂封止により封止部であるパッ
ケージ３９が形成される。パッケージ３９の四方からは
リードフレーム３２のアウタリード３４が延出され、表
面実装用にいわゆるガルウイング形状に折曲加工されて
いる。Therefore, the electrode pad (not shown in the figure) formed on the semiconductor chip 36 and the thin plate portion 33a of the inner lead 33 are bonded by a wire 38 of gold or the like for electrical connection. There is. Then, the package 39, which is a sealing portion, is formed by resin sealing including the heat spreader 35. Outer leads 34 of the lead frame 32 extend from four sides of the package 39 and are bent into a so-called gull wing shape for surface mounting.

【００２７】ここで、図２に、図１のリードフレームの
構成図を示す。図２（Ａ）は連設された半導体装置１個
分のリードフレーム３２の平面図、図２（Ｂ）はインナ
リード３３の一部分の平面図、図２（Ｃ）はインナーリ
ード３３の断面図である。図２（Ａ）に示すリードフレ
ーム３２は、クレドール４１間にリード端子４２が形成
され、各リード端子４２はタイバー４３により連結され
ている。タイバー４３の中央側が略インナーリード３３
となり、外側がアウタリード３４となる。インナーリー
ド３３の中央側先端は各辺で連結部４４により連結され
ている。この連結部４４間に形成される中央部分の空間
領域に半導体チップ３６が位置される。FIG. 2 is a block diagram of the lead frame shown in FIG. 2A is a plan view of a lead frame 32 for one semiconductor device that is continuously arranged, FIG. 2B is a plan view of a portion of the inner lead 33, and FIG. 2C is a cross-sectional view of the inner lead 33. Is. In the lead frame 32 shown in FIG. 2A, lead terminals 42 are formed between the cradle 41, and the lead terminals 42 are connected by tie bars 43. The inner side of the tie bar 43 is approximately the inner lead 33.
And the outer lead 34 is provided on the outer side. The center-side tip of the inner lead 33 is connected by a connecting portion 44 on each side. The semiconductor chip 36 is located in the central space area formed between the connecting portions 44.

【００２８】これらは、例えば厚さ０．１５ｍｍの銅合
金等の金属板よりエッチングにより形成される。この場
合のリード端子４２の部分拡大図が図２（Ｂ）に示され
る。このタイバー４３及び連結部４４は、所定工程中で
切断除去されるものである。また、インナーリード３３
は、図２（Ｃ）に示すように、先端より所定長の薄板部
３３ａが形成される。この薄板部３３ａは、例えばハー
フエッチングにより例えば厚さ約０．０７５ｍｍで形成
される。These are formed by etching from a metal plate such as a copper alloy having a thickness of 0.15 mm. A partially enlarged view of the lead terminal 42 in this case is shown in FIG. The tie bar 43 and the connecting portion 44 are cut and removed in a predetermined process. Also, the inner lead 33
As shown in FIG. 2C, a thin plate portion 33a having a predetermined length from the tip is formed. The thin plate portion 33a is formed by, for example, half etching to have a thickness of about 0.075 mm.

【００２９】このようなリードフレーム３２は、インナ
リード３３の先端部分に薄板部３３ａが形成されてお
り、その先端を半導体チップ配置領域まで前進させても
微小ピッチでエッチングにより形成可能となる。このこ
とは、多ピン化を図る上で、半導体チップ３５との電気
的接続を行うワイヤ３８の長さを短縮することができ、
ワイヤコストの低減、インピーダンス低下による高速化
及びワイヤフロー等の減少による歩留りの向上を図るこ
とができる。In such a lead frame 32, a thin plate portion 33a is formed at the tip portion of the inner lead 33, and it can be formed by etching at a fine pitch even if the tip portion is advanced to the semiconductor chip arrangement area. This makes it possible to reduce the length of the wire 38 for electrical connection with the semiconductor chip 35 in order to increase the number of pins.
The wire cost can be reduced, the impedance can be reduced to increase the speed, and the wire flow can be reduced to improve the yield.

【００３０】また、上記インナーリード３３の前進は、
搭載する半導体チップ３６の大きさが大より小への何れ
にも対応することが可能となり、歩留りの向上を図るこ
とができる。さらに、インナーリード３３における薄板
部３３ａの先端は、ヒートスプレッタ３５に固着される
までは連結部４４が一体的に形成されていることから、
搬送時等においてリードフレームの強度が向上されて変
形を防止することができ、歩留りを向上させることがで
きる。The forward movement of the inner lead 33 is as follows.
The size of the mounted semiconductor chip 36 can be increased or decreased, and the yield can be improved. Further, since the thin plate portion 33a of the inner lead 33 is integrally formed with the connecting portion 44 until it is fixed to the heat spreader 35,
The strength of the lead frame is improved at the time of transportation and the like, so that the deformation can be prevented and the yield can be improved.

【００３１】また、インナーリード３３における連結部
４４の切断除去後は薄板部３３ａの殆どはヒートスプレ
ッタ３５上に固着されており、樹脂モールド時等におい
て変形することがなく、歩留り向上が図られるものであ
る。ヒートスプレッタ３５は、その中央部分に半導体チ
ップ３６が搭載されるもので、その周囲に後述するよう
にインナーリード３３の連結部４４が位置される。ヒー
トスプレッタ３５は、例えば銅タングステン合金材（Ｗ
−Ｃｕ）が使用される。因みに、２０％Ｗ−Ｃｕにおけ
る熱膨張係数は４００℃において５．１×１０-6／℃、
８００℃において７．３〜７．７×１０-6／℃であり、
熱伝導度は０．５８ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ ℃である。
また、３０％Ｗ−Ｃｕにおける熱膨張係数は４００℃に
おいて１０．６×１０-6／℃、８００℃において１２．
０×１０-6／℃であり、熱伝導度は０．６７ｃａｌ／ｃ
ｍ ｓｅｃ ℃である。Further, after cutting and removing the connecting portion 44 in the inner lead 33, most of the thin plate portion 33a is fixed on the heat spreader 35, so that it is not deformed at the time of resin molding and the yield is improved. is there. The heat spreader 35 has a semiconductor chip 36 mounted in the center thereof, and a connecting portion 44 of the inner lead 33 is positioned around the semiconductor chip 36, as will be described later. The heat spreader 35 is, for example, a copper tungsten alloy material (W
-Cu) is used. By the way, the coefficient of thermal expansion in 20% W-Cu is 5.1 × 10 −6 / ° C. at 400 ° C.,
7.3 to 7.7 × 10 −6 / ° C. at 800 ° C.,
The thermal conductivity is 0.58 cal / cm sec ° C.
Further, the coefficient of thermal expansion in 30% W-Cu is 10.6 × 10 −6 / ° C. at 400 ° C., and 12 at 800 ° C.
0 × 10 −6 / ° C., thermal conductivity is 0.67 cal / c
m sec ° C.

【００３２】すなわち、ヒートスプレッタ３５に銅タン
グステン合金材を使用することで熱伝導度が銅合金
（０．２５〜０．８５ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ ℃）と比
して同等のもので、熱放散性に優れているものである。
そこで、図３にヒートスプレッタへのインナーリードの
載置状態の部分平面図を示し、図４に本発明の半導体装
置の製造説明図を示す。That is, by using a copper-tungsten alloy material for the heat spreader 35, the thermal conductivity is equivalent to that of a copper alloy (0.25 to 0.85 cal / cm sec ° C), and the heat dissipation is excellent. It is what
Therefore, FIG. 3 shows a partial plan view of a state where the inner leads are mounted on the heat spreader, and FIG. 4 shows a manufacturing explanatory view of the semiconductor device of the present invention.

【００３３】まず、図４において、ヒートスプレッタ３
５上にリードフレーム３２におけるインナーリード３３
を接着材（図５において説明する）で固着する（ステッ
プ（Ｓ）１）。このとき、図３に示すように、薄板部３
３ａの先端の連結部４４がヒートスプレッタ３５の周辺
にそれぞれ位置される。なお、インナーリード３３とヒ
ートスプレッタ３５の接触面積を最大限にすることで熱
放散性が向上し、ひいては電気的特性を向上させること
ができると共に、接着性が向上されて後述するパッケー
ジ３９形成後の熱収縮のアンマッチングを吸収させるこ
とができる。。そして、ヒートスプレッタ３５上で、例
えばレーザ光によりインナーリード３３の連結部４４を
切断除去する（Ｓ２）。First, referring to FIG. 4, the heat spreader 3
Inner lead 33 in lead frame 32 on
Are fixed with an adhesive (described in FIG. 5) (step (S) 1). At this time, as shown in FIG.
The connecting portions 44 at the tip of 3a are located around the heat spreader 35, respectively. In addition, by maximizing the contact area between the inner lead 33 and the heat spreader 35, heat dissipation can be improved, and electrical characteristics can be improved. Unmatching of heat shrinkage can be absorbed. . Then, on the heat spreader 35, the connecting portion 44 of the inner lead 33 is cut and removed by, for example, laser light (S2).

【００３４】続いて、ヒートスプレッタ３５の中央部分
に、半導体チップ３６が接着材３７により搭載される
（Ｓ３）。そこで、半導体チップ３６上の電極パッド
（図示せず）とインナーリード３２の薄板部３３ａ（ヒ
ートスプレッタ３５上の部分）との間でワイヤ３８によ
りボンディングが行われる（Ｓ４）。そして、モールド
金型内に位置されてモールド樹脂（例えばエポキシ樹
脂）によりパッケージ３９が形成されるものである（Ｓ
５）。Subsequently, the semiconductor chip 36 is mounted on the central portion of the heat spreader 35 with the adhesive 37 (S3). Then, the wire 38 is bonded between the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 36 and the thin plate portion 33a of the inner lead 32 (the portion on the heat spreader 35) (S4). Then, the package 39 is formed in a molding die and is made of a molding resin (for example, epoxy resin) (S).
5).

【００３５】このように、ヒートスプレッタ３５にイン
ナーリード３３を固着するまでは薄板部３３ａの先端が
連結部４４で一体となっており、強度が向上されて搬送
時等でのリード変形を防止することができる。また、パ
ッケージング時には、薄板部３３ａはヒートスプレッタ
３５上に固着されており、モールド時の圧力によるリー
ド変形を防止することができるものである。As described above, until the inner lead 33 is fixed to the heat spreader 35, the leading end of the thin plate portion 33a is integrated with the connecting portion 44, and the strength is improved to prevent the lead from being deformed during transportation. You can Further, during packaging, the thin plate portion 33a is fixed on the heat spreader 35, so that deformation of the leads due to pressure during molding can be prevented.

【００３６】次に、図５〜図８に、第１実施例の他の構
成の縦側断面図を示す。図５に示す半導体装置３１Ａ
は、図１に示す半導体装置３１Ａにおいて、リードフレ
ーム３２における薄板部３３ａを含むインナーリード３
３の先端部分の広いエリアを、接着部材であるＰＩ（ポ
リイミド）などのテープ、エポキシ系などの接着剤等の
接着材３５ａによりヒートスプレッタ３５上に固着した
もので、他の構成は図１と同様である。Next, FIGS. 5 to 8 are vertical sectional views showing another structure of the first embodiment. Semiconductor device 31A shown in FIG.
Is the inner lead 3 including the thin plate portion 33a of the lead frame 32 in the semiconductor device 31A shown in FIG.
A wide area of the tip portion of 3 is fixed on the heat spreader 35 by a tape such as PI (polyimide) which is an adhesive member, or an adhesive material 35a such as an epoxy-based adhesive agent, and other configurations are the same as those in FIG. Is.

【００３７】すなわち、インナーリード３３の先端部分
をヒートスプレッタ３５上に広いエリアで接着性を高く
して固着させることにより、上述のようにパッケージ３
９の形成後の熱収縮によるアンマッチングが吸収され、
ワイヤ３８の切断等が防止されることとなり、歩留りの
向上を図ることができるものである。図６に示す半導体
装置３１Ｂは、図１に示す半導体装置３１Ａのパッケー
ジ３９ａの下方に、ヒートスプレッタ３５の半導体チッ
プ搭載面の反対面を表出させる開口部５０を形成してパ
ッケージングされ、この開口部５０に、少くとも一面を
露出させて放熱部材である放熱板５１を、ヒートスプレ
ッタ３５に接触させて埋設したものである。That is, the tip portion of the inner lead 33 is fixed on the heat spreader 35 in a wide area with high adhesiveness, so that the package 3 can be formed as described above.
The unmatching due to the heat shrinkage after the formation of 9 is absorbed,
The wire 38 is prevented from being cut and the yield can be improved. The semiconductor device 31B shown in FIG. 6 is packaged by forming an opening 50 below the package 39a of the semiconductor device 31A shown in FIG. 1 to expose the surface of the heat spreader 35 opposite to the semiconductor chip mounting surface. A heat radiating plate 51, which is a heat radiating member with at least one surface exposed, is embedded in the portion 50 in contact with the heat spreader 35.

【００３８】開口部５０は、パッケージング時のモール
ド金型に開口部５０を形成するための突起部を形成させ
てヒートスプレッタ３５に当接させてモールディングす
ることにより形成することができる。これによれば、ヒ
ートスプレッタ３５の熱放散性と放熱板５１の放熱性に
より、半導体チップ３６の小型化に伴って増大する発熱
に対して、より放熱効果を向上させることができる。The opening 50 can be formed by forming a protrusion for forming the opening 50 in a molding die for packaging, abutting it on the heat spreader 35, and molding. According to this, due to the heat dissipation of the heat spreader 35 and the heat dissipation of the heat dissipation plate 51, it is possible to further improve the heat dissipation effect with respect to the heat generated by the miniaturization of the semiconductor chip 36.

【００３９】図７（Ａ）に示す半導体装置３１Ｂは、図
６に示す放熱板５１のヒートスプレッタ３５側から露出
面にかけて所定数の貫通穴５１ａが形成されたものであ
る。この場合、貫通穴５１ａは、図７（Ｂ）に示すよう
に放熱板５１の露出平面上で周辺部分に配置されるよう
に形成される。すなわち、半導体チップ３６の搭載部分
から離れたエリアに貫通穴５１ａが形成される。A semiconductor device 31B shown in FIG. 7A is one in which a predetermined number of through holes 51a are formed from the heat spreader 35 side of the heat dissipation plate 51 shown in FIG. 6 to the exposed surface. In this case, the through hole 51a is formed so as to be arranged in the peripheral portion on the exposed plane of the heat dissipation plate 51, as shown in FIG. 7B. That is, the through hole 51a is formed in an area away from the mounting portion of the semiconductor chip 36.

【００４０】これによれば、パッケージ３９の形成に際
して、注入されるモールド樹脂に含まれる水分が、硬化
時にヒートスプレッタと放熱板５１の境界部分より該放
熱板５１の貫通穴５１ａを介して抜き出される。この場
合、モールド金型における放熱板５１の貫通穴５１ａに
対応する位置に、水抜き穴が形成されているものであ
る。According to this, when the package 39 is formed, the water contained in the injected mold resin is extracted from the boundary portion between the heat spreader and the heat dissipation plate 51 at the time of curing through the through hole 51a of the heat dissipation plate 51. . In this case, a drainage hole is formed at a position corresponding to the through hole 51a of the heat dissipation plate 51 in the molding die.

【００４１】従って、パッケージ３９のクラックが防止
され、実装性が改善されるものである。すなわち、パッ
ケージ３９のクラックを防止するために、強度の高いモ
ールド樹脂を使用する必要がなく、放熱板５１に貫通穴
５１ａを設けることにより、通常強度のモールド樹脂の
使用が可能となって、コストの増加を防止することがで
きるものである。Therefore, the package 39 is prevented from cracking and the mountability is improved. That is, in order to prevent cracks in the package 39, it is not necessary to use a high-strength mold resin, and by providing the heat dissipation plate 51 with the through-holes 51a, it is possible to use a normal-strength mold resin. It is possible to prevent the increase of

【００４２】また、図８に示す半導体装置３１Ｃは、パ
ッケージ３９ｂを形成するにあたり、下方でヒートスプ
レッタ３５の半導体チップ搭載面の反対面を露出させて
形成したものである。これは、例えばモールド金型にお
ける下金型のキャビティの底面にヒートスプレッタ３５
を当接させてモールディングすることにより形成するこ
とができる。これによれば、ヒートスプレッタ３５の裏
面が露出さていることから、放熱性をより向上させるこ
とができると共に、装置の薄型化を図ることができる。The semiconductor device 31C shown in FIG. 8 is formed by exposing the lower surface of the heat spreader 35 opposite to the semiconductor chip mounting surface when forming the package 39b. For example, the heat spreader 35 is provided on the bottom surface of the cavity of the lower mold in the mold.
It can be formed by abutting and molding. According to this, since the back surface of the heat spreader 35 is exposed, it is possible to further improve the heat dissipation and reduce the thickness of the device.

【００４３】なお、図５〜図８に示すものは各個別の構
成例を示したものであるが、適宜組み合わせて構成（例
えば、図５と図６及び図７、図５と図８）することがで
きるものである。また、後述する第２実施例も同様であ
る。続いて、図９及び図１０に、第１実施例の他の薄板
部形成の説明図を示す。図９（Ａ）は、リードフレーム
３２（リード端子４２）が薄い金属板部材３２ａ1 〜３
２ａ3 を貼り合わされて形成された場合のインナリード
３３の先端部分を示している。例えば金属板部材３３ａ
1 ，３３ａ3 を鉄系部材とし、金属板部材３３ａ2 を銅
系部材とする。Although FIG. 5 to FIG. 8 show examples of individual configurations, they are appropriately combined and configured (for example, FIG. 5 and FIG. 6 and FIG. 7, FIG. 5 and FIG. 8). Is something that can be done. The same applies to the second embodiment described later. Next, FIGS. 9 and 10 show explanatory views of another thin plate portion formation of the first embodiment. FIG. 9A shows a metal plate member 32 a 1 to 3 in which the lead frame 32 (lead terminal 42) is thin.
The front end portion of the inner lead 33 when formed by laminating 2a 3 is shown. For example, the metal plate member 33a
1 , 33a 3 is an iron-based member, and the metal plate member 33a 2 is a copper-based member.

【００４４】そこで、図９（Ｂ）に示すように、インナ
リード３３の先端部分の一方面を選択的にハーフエッチ
ングして薄板部３３ａを形成するものである。また、図
１０は薄い金属板部材３２ａ1 〜３２ａ3 を貼り合わせ
てリードフレーム３２（リード端子４２）を形成した場
合を示しており、そのインナリード３３の先端部分にお
いて、図１０（Ａ）に示す金属板部材３２ａ1 上に、図
１０（Ｂ）に示す金属板部材３２ａ2 が重ね合わされ
る。Therefore, as shown in FIG. 9B, one surface of the tip of the inner lead 33 is selectively half-etched to form a thin plate portion 33a. Further, FIG. 10 shows a case where the thin metal plate members 32a 1 to 32a 3 are bonded to each other to form the lead frame 32 (lead terminal 42), and the tip portion of the inner lead 33 is shown in FIG. The metal plate member 32a 2 shown in FIG. 10B is superposed on the metal plate member 32a 1 shown.

【００４５】そして、金属板部材３２ａ2 上に、図１０
（Ｃ）に示すように、予め薄板部３３ａとなる部分が切
断された金属板部材３２ａ3 が重ね合わされたものであ
る。これによれば、図９に示すようにエッチングをする
ことなく薄板部３３ａを形成することができる。この場
合、金属板部材３２ａ1 〜３２ａ3 は図９（Ａ）で説明
したように鉄系部材と銅系部材で形成してもよく、また
総て同一の銅系部材等で形成してもよい。Then, on the metal plate member 32a 2 , as shown in FIG.
(C), the one in which the metal plate member 32a 3 the portion to be a previously thin plate portion 33a is cut are superposed. According to this, as shown in FIG. 9, the thin plate portion 33a can be formed without etching. In this case, the metal plate member 32a 1 ~32a 3 may be formed of a ferrous member and the copper-based member as described with reference to FIG. 9 (A), the addition be formed at all the same copper-based member such as Good.

【００４６】このように、リードフレーム３２（リード
端子４２）が薄い金属板部材３２ａ 1 〜３２ａ3 で形成
される場合であっても容易に薄板部３３ａを形成するこ
とができるものである。次に、図１１に、本発明の第２
実施例の構成図を示す。図１１（Ａ）は半導体装置３１
D の縦側断面図、図１１（Ｂ）はリードフレーム３２A
におけるリード端子（インナリード３３1 ，アウタリー
ド３４）の部分平面図、図１１（Ｃ）はインナリード３
３1 の先端部分の断面図である。In this way, the lead frame 32 (lead
The terminal 42) is a thin metal plate member 32a 1~ 32a3Formed by
Even if it is performed, the thin plate portion 33a can be easily formed.
It is capable of Next, FIG. 11 shows a second embodiment of the present invention.
The block diagram of an Example is shown. FIG. 11A shows a semiconductor device 31.
D11B is a vertical sectional view of the lead frame 32.A
Lead terminal (inner lead 331， Outerly
34), which is a partial plan view of FIG.
Three13 is a cross-sectional view of the tip portion of FIG.

【００４７】図１１（Ａ）に示すように、ヒートプレッ
タ３５上に半導体チップ３６が接着材３７により搭載さ
れており、その周囲にリードフレーム３２A のインナリ
ード３３1 が位置されるように接着材等により固着され
る。リードフレーム３２A は、図１１（Ｂ）に示すよう
に、当所インナリード３３ 1 の先端が連結部４４で連結
状態であり、ヒートスプレッタ３５上に固着された後
に、例えばレーザ光等により連結部４４が切断されて、
インナリード３３1 がそれぞれ分離される。As shown in FIG. 11A, the heat press
The semiconductor chip 36 is mounted on the tape 35 with the adhesive 37.
And the lead frame 32 around it.AThe Innari
Code 331Is fixed with an adhesive so that
It Lead frame 32AIs as shown in FIG.
To our inner lead 33 1The tip of is connected at the connecting part 44
After being fixed on the heat spreader 35
The connection portion 44 is cut by, for example, laser light,
Inner lead 331Are separated from each other.

【００４８】ところで、半導体装置のリードがファイン
ピッチであれば第１実施例のように薄板部３３ａを従来
のリードフレームの厚さより薄くする必要があるが、薄
くする必要がなければ図１１（Ｃ）に示すように薄板部
３３ａ1 の厚さＤ1 を従来の厚さ（０．１２５〜０．１
５ｍｍ）とし、他の部分（インナリード３３1 の一部と
アウタリード３４）の厚さＤ2 をこれより厚く（例えば
０．２〜０．２５ｍｍ）設定する。If the leads of the semiconductor device have a fine pitch, it is necessary to make the thin plate portion 33a thinner than that of the conventional lead frame as in the first embodiment. ), The thickness D 1 of the thin plate portion 33a 1 is set to the conventional thickness (0.125 to 0.1
And 5 mm), the other part of (a portion the outer lead 34 of the inner leads 33 1) the thickness D 2 greater than this (e.g. 0.2～0.25Mm) set.

【００４９】すなわち、特にアウタリード３４の厚さＤ
2 を厚く設定することで熱抵抗が低減されて放熱性が向
上されると共に、アウタリード３４の強度が増して変形
を防止することができ、実装性、搬送性を向上させるこ
とができるものである。図１１（Ａ）に戻って説明する
に、半導体チップ３６（電極パッド）とインナリード３
３1 の薄板部３３1aとの間でワイヤ３８により電気的接
続が行われ、エポキシ樹脂等でパッケージ３９が形成さ
れる。That is, in particular, the thickness D of the outer lead 34
By setting 2 to be thick, the thermal resistance is reduced and the heat dissipation is improved, and the strength of the outer lead 34 is increased to prevent the deformation, and the mountability and the transportability can be improved. . Referring back to FIG. 11A, the semiconductor chip 36 (electrode pad) and the inner lead 3 will be described.
Electrical connection is made with the thin plate portion 33 1a of 3 1 by a wire 38, and a package 39 is formed of epoxy resin or the like.

【００５０】そして、パッケージ３９より延出するアウ
タリード３４がガルウィング形状に折曲加工されるもの
である。The outer lead 34 extending from the package 39 is bent into a gull wing shape.

【００５１】[0051]

【発明の効果】以上のように、請求項１及び２の発明に
よれば、封止部内でリードフレームのインナーリードに
薄板部が形成されて板状の熱放散部材上に固着され、熱
放散部材上に半導体チップを搭載して薄板部と電気的接
続されることにより、インナーリードに薄板部を形成し
ても放熱性を向上させる熱放散部材上に固着されること
でリードフレームの強度が向上されて量産性の向上を図
ることができる。As described above, according to the first and second aspects of the invention, the thin plate portion is formed on the inner lead of the lead frame in the sealing portion, and the thin plate portion is fixed on the plate-shaped heat dissipation member to dissipate the heat. By mounting the semiconductor chip on the member and electrically connecting it to the thin plate part, the strength of the lead frame is improved by being fixed on the heat dissipation member that improves the heat dissipation even if the thin plate part is formed on the inner lead. It is possible to improve the mass productivity.

【００５２】請求項３の発明によれば、インナーリード
の先端部分と熱放散部材とが広いエリアで接着部材によ
り固着されることにより、封止部形成後の熱収縮による
アンマッチングが吸収され、歩留りの向上を図ることが
できる。請求項４，５，１４及び１５の発明によれば、
熱放散部材の半導体チップ搭載反対面を露出させ、又は
この面を表出させる開口部を封止部に形成して放熱部材
を設けることにより、半導体チップの小型化に伴う温度
上昇に対する放熱性をより向上させることができる。According to the third aspect of the present invention, since the tip end portion of the inner lead and the heat dissipation member are fixed to each other in a wide area by the adhesive member, the unmatching due to the heat shrinkage after the formation of the sealing portion is absorbed, The yield can be improved. According to the inventions of claims 4, 5, 14 and 15,
By exposing the surface of the heat-dissipating member opposite to the semiconductor chip mounting, or forming an opening for exposing this surface in the sealing portion to provide a heat-dissipating member, the heat-dissipating property with respect to the temperature rise due to the miniaturization of the semiconductor chip is improved. It can be further improved.

【００５３】請求項６及び７の発明によれば、放熱部材
の適宜周辺部分に配置される貫通穴が形成されることに
より、封止部形成時の水分が貫通穴より抜け、封止部の
破損が防止されて歩留りの向上を図ることができる。請
求項８及び９の発明によれば、リードフレームのインナ
ーリードに薄板部をエッチングにより形成し、この薄板
部の先端部を連結部で連結させていることにより、イン
ナリードの位置精度を向上させ、薄板部による強度の低
下を連結部により向上させることができる。According to the sixth and seventh aspects of the present invention, by forming the through holes arranged in the peripheral portion of the heat radiating member as appropriate, moisture at the time of forming the sealing portion escapes from the through hole and the sealing portion Damage can be prevented and yield can be improved. According to the invention of claims 8 and 9, the thin plate portion is formed on the inner lead of the lead frame by etching, and the leading end portion of the thin plate portion is connected by the connecting portion, thereby improving the positional accuracy of the inner lead. The reduction in strength due to the thin plate portion can be improved by the connecting portion.

【００５４】請求項１０及び１１の発明によれば、リー
ド端子が金属板部材を貼り合わされて形成されたもの
で、エッチング又は重ね合わせて薄板部を形成すること
により、多層形成のリードフレームであっても容易に薄
板部を形成させることができる。請求項１２の発明によ
れば、リード端子における薄板部以外の部分の厚さを熱
抵抗及びアウタリードの強度に応じて設定することによ
り、熱抵抗を向上させて放熱性を向上させ、またアウタ
リードの耐リード変形の向上による実装性を良好とする
ことが可能となる。According to the tenth and eleventh aspects of the present invention, the lead terminal is formed by laminating the metal plate members, and the lead frame is formed in a multi-layer by forming a thin plate portion by etching or overlapping. However, the thin plate portion can be easily formed. According to the invention of claim 12, the thickness of the portion other than the thin plate portion of the lead terminal is set according to the thermal resistance and the strength of the outer lead, whereby the thermal resistance is improved and the heat dissipation is improved, and the outer lead is It is possible to improve the mountability by improving the resistance to lead deformation.

【００５５】請求項１３の発明によれば、熱放散部材上
にインナーリードにおける薄板部の連結部が位置されて
固着され、連結部の除去後に半導体チップと薄板部で電
気的接続が行われて封止部を形成することにより、熱放
散部材による放熱性の向上、及びインナリードの連結部
により強度を向上させることができる。According to the thirteenth aspect of the invention, the connecting portion of the thin plate portion of the inner lead is positioned and fixed on the heat dissipation member, and after the connecting portion is removed, the semiconductor chip and the thin plate portion are electrically connected. By forming the sealing portion, heat dissipation by the heat dissipation member can be improved, and strength can be improved by the inner lead connecting portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図２】図１のリードフレームの構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of the lead frame in FIG.

【図３】ヒートスプレッタへのインナーリード載置状態
の部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view of a state where inner leads are mounted on a heat spreader.

【図４】本発明の半導体装置の製造説明図である。FIG. 4 is a manufacturing explanatory diagram of the semiconductor device of the present invention.

【図５】第１実施例の他の構成の縦側断面図（１）であ
る。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view (1) of another configuration of the first embodiment.

【図６】第１実施例の他の構成の縦側断面図（２）であ
る。FIG. 6 is a vertical cross-sectional view (2) of another configuration of the first embodiment.

【図７】第１実施例の他の構成の縦側断面図（３）であ
る。FIG. 7 is a vertical cross-sectional view (3) of another configuration of the first embodiment.

【図８】第１実施例の他の構成の縦側断面図（４）であ
る。FIG. 8 is a vertical cross-sectional view (4) showing another configuration of the first embodiment.

【図９】第１実施例の他の薄板部形成の説明図（１）で
ある。FIG. 9 is an explanatory view (1) of forming another thin plate portion of the first embodiment.

【図１０】第１実施例の他の薄板部形成の説明図（２）
である。FIG. 10 is an explanatory view (2) of forming another thin plate portion of the first embodiment.
Is.

【図１１】本発明の第２実施例の構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図１２】従来の多ピン化半導体装置の断面構成図であ
る。FIG. 12 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional multi-pin semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

３１Ａ〜３１Ｄ 半導体装置 ３２，３２A リードフレーム ３３，３３1 インナーリード ３３ａ，３３1a 薄板部 ３４ アウタリード ３５ ヒートスプレッタ ３５ａ 接着材 ３６ 半導体チップ ３７ 接着材 ３８ ワイヤ ３９，３９ａ，３９ｂ パッケージ ４４ 連結部 ５１ 放熱板 ５１ａ 貫通穴31A to 31D Semiconductor device 32, 32 A Lead frame 33, 33 1 Inner lead 33a, 33 1a Thin plate portion 34 Outer lead 35 Heat spreader 35a Adhesive material 36 Semiconductor chip 37 Adhesive material 38 Wire 39, 39a, 39b Package 44 Connecting portion 51 Heat sink 51a through hole

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─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成７年５月１５日[Submission date] May 15, 1995

【手続補正１】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【書類名】 明細書[Document name] Statement

【発明の名称】 半導体装置Title: Semiconductor device

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項３】 前記熱放散部材の前記半導体チップ搭載
面の反対面を少くとも前記封止部より露出させることを
特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。 3. A semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the exposing from said at least opposite surface of the semiconductor chip mounting surface the sealing portion of the heat dissipating member.

【請求項４】 前記封止部は前記熱放散部材の前記半導
体チップ搭載面の反対面を表出させる開口部が形成さ
れ、前記開口部に前記熱放散部材と接触して露出される
放熱部材が設けられることを特徴とする請求項１〜３の
何れか一項に記載の半導体装置。 Wherein said sealing portion is an opening to expose the opposite surface of the semiconductor chip mounting surface of the heat dissipating member is formed, the heat radiating member is exposed in contact with the heat dissipating member to the opening the semiconductor device according to any one of claim 1 to 3, characterized in that is provided.

【請求項５】 前記放熱部材は、前記熱放散部材から露
出面にかけて所定数の貫通穴が形成されることを特徴と
する請求項４記載の半導体装置。 Wherein said heat radiating member, a semiconductor device according to claim 4, wherein the predetermined number of through-holes over the exposed surface of the heat dissipating member is formed.

【請求項６】 前記貫通穴は、前記放熱部材の露出平面
上で周辺部分に配置されて形成されることを特徴とする
請求項５記載の半導体装置。 Wherein said through-holes, the semiconductor device according to claim 5, characterized in that it is formed is disposed in the peripheral portion on the exposed plane of the heat dissipation member.

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リードフレームのイン
ナーリードと半導体チップとが電気的に接続される半導
体装置及びその製造方法及びこれに使用されるリードフ
レームに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device in which inner leads of a lead frame are electrically connected to a semiconductor chip, a method of manufacturing the same, and a lead frame used for the same.

【０００２】近年、半導体装置の高機能化の要請から、
ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の多
ピン化が進んでいる。これに伴い、使用されるリードフ
レームにおけるインナーリードの厚さが薄くなると共
に、細くなり強度が低下してくる。また、半導体チップ
の発熱量が増大してきている。In recent years, due to the demand for higher performance of semiconductor devices,
The number of pins such as QFP (Quad Flat Package) is increasing. Along with this, the thickness of the inner lead in the lead frame used becomes thin and becomes thin, and the strength decreases. In addition, the amount of heat generated by semiconductor chips is increasing.

【０００３】そのため、リードフレームの強度の向上、
半導体チップの放熱を図る必要がある。Therefore, the strength of the lead frame is improved,
It is necessary to radiate heat from the semiconductor chip.

【０００４】[0004]

【従来の技術】図１２に、従来の多ピン化半導体装置の
断面構成図を示す。一般に、半導体装置は小型化が常に
要求されて半導体チップが小型化すると共に、高機能化
より多ピン化が進んで半導体チップに形成されるパッド
のピッチが縮小してくる。そして、パッドとワイヤボン
ディングを行うリードフレームのインナーリード先端が
微細になると共に微小ピッチとなる。2. Description of the Related Art FIG. 12 is a sectional view showing the structure of a conventional multi-pin semiconductor device. In general, semiconductor devices are constantly required to be miniaturized and semiconductor chips are miniaturized, and as the number of pins is increased due to higher functionality, the pitch of pads formed on the semiconductor chips is reduced. Then, the tip of the inner lead of the lead frame for wire bonding with the pad becomes fine and has a fine pitch.

【０００５】しかし、厚さが例えば０．１５ｍｍのリー
ドフレームを作製するにあたり、インナーリード先端を
微小ピッチにするエッチングに限界があり、半導体チッ
プが位置される部分に対してインナーリード先端を近づ
けることができない。そこで、図１２（Ａ）に示す半導
体装置１１は、リードフレーム１２のインナーリード１
３の先端部１３ａを一旦ハーフエッチングにより厚さを
半分位にした後に、エッチングにより微小ピッチにパタ
ーニングしている。However, in manufacturing a lead frame having a thickness of, for example, 0.15 mm, there is a limit to the etching for making the inner lead tips have a fine pitch, and the inner lead tips should be brought close to the portion where the semiconductor chip is located. I can't. Therefore, the semiconductor device 11 shown in FIG.
The tip portion 13a of No. 3 is once halved in thickness by half etching and then patterned by etching to a fine pitch.

【０００６】すなわち、この半導体装置１１は、特開昭
５９−９８５４７号公報に示されているもので、上述の
インナーリード１３（先端部１３ａ）にフィルム１５が
接着され、フィルム１５上の対向するインナーリード１
３間に半導体チップ１６が接着材１７により搭載され
る。インナーリード１３の先端部１３ａと半導体チップ
１６に形成されたパッド間でワイヤ１８によりボンディ
ングが行われ、樹脂モールドによりパッケージ１９が形
成される。That is, this semiconductor device 11 is disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 59-98547, and a film 15 is bonded to the inner lead 13 (tip portion 13a) described above so as to face the film 15. Inner lead 1
The semiconductor chip 16 is mounted between the three by the adhesive material 17. Bonding is performed between the tip portion 13a of the inner lead 13 and the pad formed on the semiconductor chip 16 with a wire 18, and a package 19 is formed by resin molding.

【０００７】そして、パッケージ１９より延出したアウ
タリード１４は、表面実装用にいわゆるガルウイング形
状に折曲加工されたものである。一方、図１２（Ｂ）に
示す半導体装置２１は、特開平４−６８６３号公報に記
載されているもので、リードフレーム２２のインナリー
ド２３の先端部２３ａを搭載する半導体チップ２５より
離隔させることで多ピン化を図っている。この場合、放
熱性を向上させるためにいわゆるヒートスプレッタ２６
が用いられ、このヒートスプレッタ２６にインナリード
２３の先端部２３ａが取り付けられる。The outer lead 14 extending from the package 19 is bent into a so-called gull wing shape for surface mounting. On the other hand, the semiconductor device 21 shown in FIG. 12B is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-6863, and the tip portion 23a of the inner lead 23 of the lead frame 22 is separated from the semiconductor chip 25 on which it is mounted. We are trying to increase the number of pins. In this case, the so-called heat spreader 26 is used to improve heat dissipation.
Is used, and the tip portion 23a of the inner lead 23 is attached to the heat spreader 26.

【０００８】ヒートスプレッタ２６上には接着材２７に
より半導体チップ２５が搭載され、半導体チップ２５に
形成されたパッドとインナーリード２３の先端部２３ａ
間でワイヤ２８によりボンディングが行われる。そし
て、樹脂モールドによりパッケージ２９が形成され、パ
ッケージ２９より延出するアウタリード２４がガルウイ
ング形状に折曲加工されたものである。A semiconductor chip 25 is mounted on the heat spreader 26 with an adhesive 27, and the pads formed on the semiconductor chip 25 and the tip portions 23a of the inner leads 23.
Bonding is performed by the wire 28 in between. The package 29 is formed by resin molding, and the outer leads 24 extending from the package 29 are bent into a gull wing shape.

【０００９】また、図１２（Ｃ）に示す半導体装置２１
は、図１２（Ｂ）に示すヒートスプレッタ２６上にイン
ナーリード２３と対応して接続されるパターン２６ａが
それぞれ形成され、搭載された半導体チップ２５のパッ
ドとパターン間でワイヤ２８ａによりボンディングされ
たものである。これは、図１２（Ｂ）に示すワイヤ２８
よりワイヤ長の短いワイヤ２８ａでよく、ワイヤコスト
等を低減させることができる。A semiconductor device 21 shown in FIG.
The patterns 26a connected to the inner leads 23 are respectively formed on the heat spreader 26 shown in FIG. 12B, and the pads 26 of the mounted semiconductor chip 25 are bonded by the wires 28a between the patterns. is there. This is the wire 28 shown in FIG.
The wire 28a having a shorter wire length is sufficient, and the wire cost and the like can be reduced.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１２（Ａ）
に示す半導体装置１１は、インナーリード１３の薄い先
端部１３ａをフィルム１５で補強がなされているが十分
ではなく、リードフレーム１２の搬送や、パッケージン
グにおけるモールド樹脂の注入圧力等で変形を生じ易
く、歩留りが低下するという問題がある。However, FIG. 12 (A)
The thin tip portion 13a of the inner lead 13 is reinforced by the film 15 in the semiconductor device 11 shown in FIG. 2, but it is not sufficient, and is easily deformed by the conveyance of the lead frame 12, the injection pressure of the molding resin during packaging, or the like. However, there is a problem that the yield decreases.

【００１１】また、図１２（Ｂ）に示す半導体装置２１
は、インナーリード２３を薄くせずに多ピン化を図るこ
とができるが、先端を半導体チップ２５に近づけること
ができずワイヤ２８が長くなる。そのため、ワイヤコス
トが高くなると共に、高速化の妨げになるという問題が
ある。The semiconductor device 21 shown in FIG.
The number of pins can be increased without thinning the inner lead 23, but the tip cannot be brought close to the semiconductor chip 25 and the wire 28 becomes long. Therefore, there are problems that the wire cost becomes high and the speedup is hindered.

【００１２】さらに、図１２（Ｃ）に示す半導体装置２
１は、ワイヤ２８ａが短いが、ヒートスプレッタ２６上
にパターン２６ａを形成することがコストの増大を招く
という問題がある。そこで、本発明は上記課題に鑑みな
されたもので、多ピン化によるリードフレームの強度を
向上させると共に、チップの小型化による放熱性の向上
を図る半導体装置及びその製造方法及びこれに使用され
るリードフレームを提供することを目的とする。Further, the semiconductor device 2 shown in FIG.
1, the wire 28a is short, but there is a problem that forming the pattern 26a on the heat spreader 26 causes an increase in cost. Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and is used for a semiconductor device and a method of manufacturing the same for improving the strength of the lead frame by increasing the number of pins and improving the heat dissipation by downsizing the chip. It is intended to provide a lead frame.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１では、所定数のリード端子が配列され、前
記リード端子におけるインナーリードとなる端子部分の
所定部分の厚さを他の部分より薄い薄板部が形成された
リードフレームと、半導体チップを搭載して熱放散を行
うものであって、前記半導体チップの近傍に前記インナ
ーリードの薄板部を配置させ、該インナーリードの該薄
板部を含む先端部分が接着部材により固着される板状の
熱放散部材と、前記半導体チップ及び前記インナーリー
ドの薄板部間で電気的接続が行われた前記熱放散部材を
覆い、前記リード端子のアウタリードとなる端子部分を
延出させた封止部と、を有して半導体装置が構成され
る。In order to solve the above-mentioned problems, according to claim 1, a predetermined number of lead terminals are arranged, and the thickness of a predetermined portion of a terminal portion which becomes an inner lead in the lead terminals is changed to another value. A semiconductor device is mounted on a lead frame having a thin plate portion thinner than the portion to dissipate heat , and the thin plate portion of the inner lead is arranged in the vicinity of the semiconductor chip.
The lead terminal covers a plate-shaped heat dissipation member whose tip portion including a plate portion is fixed by an adhesive member, and the heat dissipation member electrically connected between the semiconductor chip and the thin plate portion of the inner lead. And a sealing portion formed by extending a terminal portion serving as an outer lead of the semiconductor device.

【００１４】請求項２では、請求項１において、前記熱
放散部材は、前記封止部より高熱伝導率の部材で形成さ
れる。請求項３では、請求項１又は２において、前記熱
放散部材の前記半導体チップ搭載面の反対面を少くとも
前記封止部より露出させる。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the heat dissipation member is formed of a member having higher thermal conductivity than the sealing portion. According to a third aspect , in the first or second aspect, the surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface is exposed at least from the sealing portion.

【００１５】請求項４では、請求項１〜３の何れか一項
において、前記封止部は前記熱放散部材の前記半導体チ
ップ搭載面の反対面を表出させる開口部が形成され、前
記開口部に前記熱放散部材と接触して露出される放熱部
材が設けられる。請求項５では、請求項４において、前
記放熱部材は、前記熱放散部材から露出面にかけて所定
数の貫通穴が形成される。According to a fourth aspect of the present invention , in any one of the first to third aspects, the sealing portion is formed with an opening that exposes a surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface. The portion is provided with a heat dissipation member that is exposed in contact with the heat dissipation member. According to a fifth aspect , in the fourth aspect , the heat dissipation member has a predetermined number of through holes extending from the heat dissipation member to the exposed surface.

【００１６】請求項６では、請求項５において、前記貫
通穴は、前記放熱部材の露出平面上で周辺部分に配置さ
れて形成される。According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect , the through hole is formed by being arranged in a peripheral portion on the exposed plane of the heat dissipation member.

【００１７】[0017]

【作用】上述のように、請求項１及び２の発明では、封
止部内でリードフレームのインナーリードに薄板部が形
成されてその先端部分が接着部材により板状の熱放射部
材上に固着され、熱放散部材上に半導体チップを搭載し
て薄板部と電気的接続される。これにより、インナーリ
ードに薄板部を形成しても放熱性を向上させる熱放散部
材上に固着されることでリードフレームの強度が向上さ
れて量産性の向上を図ることが可能となると共に、イン
ナーリードの先端部分と熱放散部材とが広いエリアで接
着部材により固着されて封止部形成後の熱収縮によるア
ンマッチングが吸収され、歩留りの向上を図ることが可
能となる。As described above, according to the first and second aspects of the invention, the thin plate portion is formed on the inner lead of the lead frame in the sealing portion, and the tip portion thereof is fixed to the plate-shaped heat radiation member by the adhesive member. The semiconductor chip is mounted on the heat dissipation member and electrically connected to the thin plate portion. Thus, both the be formed thin plate portion to the inner lead becomes possible to improve strength of the mass productivity is improved lead frame by being fixed on the heat dissipation member to improve heat dissipation, the inner The leading end portion of the lead and the heat dissipation member are fixed to each other by an adhesive member in a wide area, and the unmatching due to the heat shrinkage after the formation of the sealing portion is absorbed, so that the yield can be improved.

【００１８】請求項３及び４の発明では、熱放散部材の
半導体チップ搭載反対面を露出させ、又はこの面を表出
させる開口部を封止部に形成して放熱部材を設ける。こ
れにより、半導体チップの小型化に伴う温度上昇に対す
る放熱性をより向上させることが可能となる。In the third and fourth aspects of the invention, the heat dissipation member is provided by exposing the surface of the heat dissipating member opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted, or forming an opening for exposing this surface in the sealing portion. As a result, it becomes possible to further improve the heat radiation property with respect to the temperature rise due to the miniaturization of the semiconductor chip.

【００１９】請求項５及び６の発明では、放熱部材の適
宜周辺部分に配置される貫通穴が形成される。これによ
り、封止部形成時の水分が貫通穴より抜け、封止部の破
損がが防止されて歩留りの向上を図ることが可能とな
る。According to the fifth and sixth aspects of the present invention, the through holes are formed at appropriate peripheral portions of the heat dissipation member. As a result, moisture at the time of forming the sealing portion escapes from the through hole, damage to the sealing portion is prevented, and the yield can be improved.

【００２０】[0020]

【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
図１（Ａ）は縦側断面図、図１（Ｂ）は平面図である。
図１（Ａ），（Ｂ）に示す半導体装置３１Ａは、ＱＦＰ
型のもので、リードフレーム３２がインナーリード３３
及びアウタリード３４で構成されており、インナーリー
ド３３の先端部分に他の部分より厚さが薄い薄板部３３
ａが形成されている（図２において説明する）。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a block diagram of an embodiment of the present invention.
1A is a vertical cross-sectional view, and FIG. 1B is a plan view.
The semiconductor device 31A shown in FIGS. 1A and 1B is a QFP.
The lead frame 32 is an inner lead 33.
And the outer lead 34, and the thin plate portion 33 having a thinner thickness than the other portions is provided at the tip portion of the inner lead 33.
a is formed (described in FIG. 2).

【００２１】このインナーリード３３は、その薄板部３
３ａ部分を熱放散部材であるヒートスプレッタ３５（図
３において説明する）上に接着材等で固着されている。
また、ヒートスプレッタ３５上であって、インナーリー
ド３３（薄板部３３ａ）間の領域（略中央部分）に小型
化が図られた半導体チップ３６が銀ペースト等の接着材
３７により搭載される。この場合、半導体チップ３６の
周囲にはインナーリード３３の薄板部３３ａが近接配置
された状態となる。The inner lead 33 has a thin plate portion 3
The portion 3a is fixed to a heat spreader 35 (described in FIG. 3) which is a heat dissipation member with an adhesive material or the like.
In addition, on the heat spreader 35, a miniaturized semiconductor chip 36 is mounted by an adhesive 37 such as silver paste in a region (substantially central portion) between the inner leads 33 (thin plate portions 33a). In this case, the thin plate portion 33a of the inner lead 33 is arranged in the vicinity of the semiconductor chip 36.

【００２２】そこで、半導体チップ３６上に形成された
電極パッド（図に表われず）とインナーリード３３の薄
板部３３ａとの間で金等のワイヤ３８によりボンディン
グされて電気的接続が行われている。そして、ヒートス
プレッタ３５を含んで樹脂封止により封止部であるパッ
ケージ３９が形成される。Therefore, an electrode pad (not shown in the figure) formed on the semiconductor chip 36 and the thin plate portion 33a of the inner lead 33 are bonded by a wire 38 such as gold to establish an electrical connection. There is. Then, the package 39, which is a sealing portion, is formed by resin sealing including the heat spreader 35.

【００２３】パッケージ３９の四方からはリードフレー
ム３２のアウタリード３４が延出され、表面実装用にい
わゆるガルウイング形状に折曲加工されている。ここ
で、図２に、図１のリードフレームの構成図を示す。図
２（Ａ）は連設された半導体装置１個分のリードフレー
ム３２の平面図、図２（Ｂ）はインナリード３３の一部
分の平面図、図２（Ｃ）はインナーリード３３の断面図
である。Outer leads 34 of the lead frame 32 extend from the four sides of the package 39 and are bent into a so-called gull wing shape for surface mounting. Here, FIG. 2 shows a configuration diagram of the lead frame in FIG. 2A is a plan view of a lead frame 32 for one semiconductor device that is continuously arranged, FIG. 2B is a plan view of a part of the inner lead 33, and FIG. 2C is a cross-sectional view of the inner lead 33. Is.

【００２４】図２（Ａ）に示すリードフレーム３２は、
クレドール４１間にリード端子４２が形成され、各リー
ド端子４２はタイバー４３により連結されている。タイ
バー４３の中央側が略インナーリード３３となり、外側
がアウタリード３４となる。インナーリード３３の中央
側先端は各辺で連結部４４により連結されている。この
連結部４４間に形成される中央部分の空間領域に半導体
チップ３６が位置される。The lead frame 32 shown in FIG.
Lead terminals 42 are formed between the cradle 41, and the lead terminals 42 are connected by tie bars 43. The center side of the tie bar 43 is substantially the inner lead 33, and the outer side is the outer lead 34. The center-side tip of the inner lead 33 is connected by a connecting portion 44 on each side. The semiconductor chip 36 is located in the central space area formed between the connecting portions 44.

【００２５】これらは、例えば厚さ０．１５ｍｍの銅合
金等の金属板よりエッチングにより形成される。この場
合のリード端子４２の部分拡大図が図２（Ｂ）に示され
る。このタイバー４３及び連結部４４は、所定工程中で
切断除去されるものである。These are formed by etching from a metal plate such as a copper alloy having a thickness of 0.15 mm. A partially enlarged view of the lead terminal 42 in this case is shown in FIG. The tie bar 43 and the connecting portion 44 are cut and removed in a predetermined process.

【００２６】また、インナーリード３３は、図２（Ｃ）
に示すように、先端より所定長の薄板部３３ａが形成さ
れる。この薄板部３３ａは、例えばハーフエッチングに
より例えば厚さ約０．０７５ｍｍで形成される。このよ
うなリードフレーム３２は、インナリード３３の先端部
分に薄板部３３ａが形成されており、その先端を半導体
チップ配置領域まで前進させても微小ピッチでエッチン
グにより形成可能となる。The inner lead 33 is shown in FIG.
As shown in, a thin plate portion 33a having a predetermined length is formed from the tip. The thin plate portion 33a is formed by, for example, half etching to have a thickness of about 0.075 mm. In such a lead frame 32, a thin plate portion 33a is formed at the tip end portion of the inner lead 33, and even if the tip end is advanced to the semiconductor chip arrangement region, it can be formed by etching with a fine pitch.

【００２７】このことは、多ピン化を図る上で、半導体
チップ３５との電気的接続を行うワイヤ３８の長さを短
縮することができ、ワイヤコストの低減、インピーダン
ス低下による高速化及びワイヤフロー等の減少による歩
留りの向上を図ることができる。In order to increase the number of pins, this makes it possible to shorten the length of the wire 38 for electrically connecting to the semiconductor chip 35, which reduces the wire cost, speeds up due to impedance reduction, and wire flow. It is possible to improve the yield by reducing

【００２８】また、上記インナーリード３３の前進は、
搭載する半導体チップ３６の大きさが大より小への何れ
にも対応することが可能となり、歩留りの向上を図るこ
とができる。さらに、インナーリード３３における薄板
部３３ａの先端は、ヒートスプレッタ３５に固着される
までは連結部４４が一体的に形成されていることから、
搬送時等においてリードフレームの強度が向上されて変
形を防止することができ、歩留りを向上させることがで
きる。The forward movement of the inner lead 33 is as follows.
The size of the mounted semiconductor chip 36 can be increased or decreased, and the yield can be improved. Further, since the thin plate portion 33a of the inner lead 33 is integrally formed with the connecting portion 44 until it is fixed to the heat spreader 35,
The strength of the lead frame is improved at the time of transportation and the like, so that the deformation can be prevented and the yield can be improved.

【００２９】また、インナーリード３３における連結部
４４の切断除去後は薄板部３３ａの殆どはヒートスプレ
ッタ３５上に固着されており、樹脂モールド時等におい
て変形することがなく、歩留り向上が図られるものであ
る。ヒートスプレッタ３５は、その中央部分に半導体チ
ップ３６が搭載されるもので、その周囲に後述するよう
にインナーリード３３の連結部４４が位置される。ヒー
トスプレッタ３５は、例えば銅タングステン合金材（Ｗ
−Ｃｕ）が使用される。因みに、２０％Ｗ−Ｃｕにおけ
る熱膨張係数は４００℃において５．１×１０-6／℃、
８００℃において７．３〜７．７×１０-6／℃であり、
熱伝導度は０．５８ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ ℃である。
また、３０％Ｗ−Ｃｕにおける熱膨張係数は４００℃に
おいて１０．６×１０-6／℃、８００℃において１２．
０×１０-6／℃であり、熱伝導度は０．６７ｃａｌ／ｃ
ｍ ｓｅｃ ℃である。Further, after the connecting portion 44 of the inner lead 33 is cut and removed, most of the thin plate portion 33a is fixed on the heat spreader 35, so that it is not deformed at the time of resin molding and the yield is improved. is there. The heat spreader 35 has a semiconductor chip 36 mounted in the center thereof, and a connecting portion 44 of the inner lead 33 is located around the semiconductor chip 36 as described later. The heat spreader 35 is, for example, a copper tungsten alloy material (W
-Cu) is used. By the way, the coefficient of thermal expansion in 20% W-Cu is 5.1 × 10 −6 / ° C. at 400 ° C.,
7.3 to 7.7 × 10 −6 / ° C. at 800 ° C.,
The thermal conductivity is 0.58 cal / cm sec ° C.
Further, the coefficient of thermal expansion in 30% W-Cu is 10.6 × 10 −6 / ° C. at 400 ° C., and 12 at 800 ° C.
0 × 10 −6 / ° C., thermal conductivity is 0.67 cal / c
m sec ° C.

【００３０】すなわち、ヒートスプレッタ３５に銅タン
グステン合金材を使用することで熱伝導度が銅合金
（０．２５〜０．８５ｃａｌ／ｃｍ ｓｅｃ ℃）と比
して同等のもので、熱放散性に優れているものである。
そこで、図３にヒートスプレッタへのインナーリードの
載置状態の部分平面図を示し、図４に本発明の半導体装
置の製造説明図を示す。That is, by using a copper-tungsten alloy material for the heat spreader 35, the thermal conductivity is equivalent to that of the copper alloy (0.25 to 0.85 cal / cm sec ° C), and the heat dissipation is excellent. It is what
Therefore, FIG. 3 shows a partial plan view of a state where the inner leads are mounted on the heat spreader, and FIG. 4 shows a manufacturing explanatory view of the semiconductor device of the present invention.

【００３１】まず、図４において、ヒートスプレッタ３
５上にリードフレーム３２におけるインナーリード３３
を接着材（図５において説明する）で固着する（ステッ
プ（Ｓ）１）。このとき、図３に示すように、薄板部３
３ａの先端の連結部４４がヒートスプレッタ３５の周辺
にそれぞれ位置される。なお、インナーリード３３とヒ
ートスプレッタ３５の接触面積を最大限にすることで熱
放散性が向上し、ひいては電気的特性を向上させること
ができると共に、接着性が向上されて後述するパッケー
ジ３９形成後の熱収縮のアンマッチングを吸収させるこ
とができる。First, referring to FIG. 4, the heat spreader 3
Inner lead 33 in lead frame 32 on
Are fixed with an adhesive (described in FIG. 5) (step (S) 1). At this time, as shown in FIG.
The connecting portions 44 at the tip of 3a are located around the heat spreader 35, respectively. In addition, by maximizing the contact area between the inner lead 33 and the heat spreader 35, heat dissipation can be improved, and electrical characteristics can be improved. Unmatching of heat shrinkage can be absorbed.

【００３２】そして、ヒートスプレッタ３５上で、例え
ばレーザ光によりインナーリード３３の連結部４４を切
断除去する（Ｓ２）。続いて、ヒートスプレッタ３５の
中央部分に、半導体チップ３６が接着材３７により搭載
される（Ｓ３）。そこで、半導体チップ３６上の電極パ
ッド（図示せず）とインナーリード３２の薄板部３３ａ
（ヒートスプレッタ３５上の部分）との間でワイヤ３８
によりボンディングが行われる（Ｓ４）。Then, on the heat spreader 35, the connecting portion 44 of the inner lead 33 is cut and removed by, for example, laser light (S2). Subsequently, the semiconductor chip 36 is mounted on the central portion of the heat spreader 35 with the adhesive 37 (S3). Therefore, the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 36 and the thin plate portion 33a of the inner lead 32 are formed.
Wire 38 between (part on heat spreader 35)
By this, bonding is performed (S4).

【００３３】そして、モールド金型内に位置されてモー
ルド樹脂（例えばエポキシ樹脂）によりパッケージ３９
が形成されるものである（Ｓ５）。このように、ヒート
スプレッタ３５にインナーリード３３を固着するまでは
薄板部３３ａの先端が連結部４４で一体となっており、
強度が向上されて搬送時等でのリード変形を防止するこ
とができる。また、パッケージング時には、薄板部３３
ａはヒートスプレッタ３５上に固着されており、モール
ド時の圧力によるリード変形を防止することができるも
のである。Then, the package 39 is positioned in the molding die and is made of a molding resin (eg, epoxy resin).
Are formed (S5). In this way, the leading end of the thin plate portion 33a is integrated at the connecting portion 44 until the inner lead 33 is fixed to the heat spreader 35.
Since the strength is improved, it is possible to prevent the lead from being deformed during transportation. Also, at the time of packaging, the thin plate portion 33
The a is fixed on the heat spreader 35 and can prevent the lead from being deformed by the pressure during molding.

【００３４】次に、図５〜図８に、第１実施例の他の構
成の縦側断面図を示す。図５に示す半導体装置３１Ａ
は、図１に示す半導体装置３１Ａにおいて、リードフレ
ーム３２における薄板部３３ａを含むインナーリード３
３の先端部分の広いエリアを、接着部材であるＰＩ（ポ
リイミド）などのテープ、エポキシ系などの接着剤等の
接着材３５ａによりヒートスプレッタ３５上に固着した
もので、他の構成は図１と同様である。Next, FIGS. 5 to 8 are vertical sectional views showing another structure of the first embodiment. Semiconductor device 31A shown in FIG.
Is the inner lead 3 including the thin plate portion 33a of the lead frame 32 in the semiconductor device 31A shown in FIG.
A wide area of the tip portion of 3 is fixed on the heat spreader 35 by a tape such as PI (polyimide) which is an adhesive member, or an adhesive material 35a such as an epoxy-based adhesive agent, and other configurations are the same as those in FIG. Is.

【００３５】すなわち、インナーリード３３の先端部分
をヒートスプレッタ３５上に広いエリアで接着性を高く
して固着させることにより、上述のようにパッケージ３
９の形成後の熱収縮によるアンマッチングが吸収され、
ワイヤ３８の切断等が防止されることとなり、歩留りの
向上を図ることができるものである。That is, the tip portion of the inner lead 33 is fixed on the heat spreader 35 with a high adhesiveness in a wide area, so that the package 3 is formed as described above.
The unmatching due to the heat shrinkage after the formation of 9 is absorbed,
The wire 38 is prevented from being cut and the yield can be improved.

【００３６】図６に示す半導体装置３１Ｂは、図１に示
す半導体装置３１Ａのパッケージ３９ａの下方に、ヒー
トスプレッタ３５の半導体チップ搭載面の反対面を表出
させる開口部５０を形成してパッケージングされ、この
開口部５０に、少くとも一面を露出させて放熱部材であ
る放熱板５１を、ヒートスプレッタ３５に接触させて埋
設したものである。The semiconductor device 31B shown in FIG. 6 is packaged by forming an opening 50 below the package 39a of the semiconductor device 31A shown in FIG. 1 to expose the surface of the heat spreader 35 opposite to the semiconductor chip mounting surface. A heat radiating plate 51, which is a heat radiating member with at least one surface exposed, is embedded in the opening 50 so as to be in contact with the heat spreader 35.

【００３７】開口部５０は、パッケージング時のモール
ド金型に開口部５０を形成するための突起部を形成させ
てヒートスプレッタ３５に当接させてモールディングす
ることにより形成することができる。これによれば、ヒ
ートスプレッタ３５の熱放散性と放熱板５１の放熱性に
より、半導体チップ３６の小型化に伴って増大する発熱
に対して、より放熱効果を向上させることができる。The opening 50 can be formed by forming a protrusion for forming the opening 50 in a molding die for packaging, abutting it on the heat spreader 35, and molding. According to this, due to the heat dissipation of the heat spreader 35 and the heat dissipation of the heat dissipation plate 51, it is possible to further improve the heat dissipation effect with respect to the heat generated by the miniaturization of the semiconductor chip 36.

【００３８】図７（Ａ）に示す半導体装置３１Ｂは、図
６に示す放熱板５１のヒートスプレッタ３５側から露出
面にかけて所定数の貫通穴５１ａが形成されたものであ
る。この場合、貫通穴５１ａは、図７（Ｂ）に示すよう
に放熱板５１の露出平面上で周辺部分に配置されるよう
に形成される。すなわち、半導体チップ３６の搭載部分
から離れたエリアに貫通穴５１ａが形成される。A semiconductor device 31B shown in FIG. 7A has a predetermined number of through holes 51a formed from the heat spreader 35 side of the heat dissipation plate 51 shown in FIG. 6 to the exposed surface. In this case, the through hole 51a is formed so as to be arranged in the peripheral portion on the exposed plane of the heat dissipation plate 51, as shown in FIG. 7B. That is, the through hole 51a is formed in an area away from the mounting portion of the semiconductor chip 36.

【００３９】これによれば、パッケージ３９の形成に際
して、注入されるモールド樹脂に含まれる水分が、硬化
時にヒートスプレッタと放熱板５１の境界部分より該放
熱板５１の貫通穴５１ａを介して抜き出される。この場
合、モールド金型における放熱板５１の貫通穴５１ａに
対応する位置に、水抜き穴が形成されているものであ
る。According to this, when the package 39 is formed, the water contained in the injected mold resin is extracted from the boundary portion between the heat spreader and the heat dissipation plate 51 during curing through the through hole 51a of the heat dissipation plate 51. . In this case, a drainage hole is formed at a position corresponding to the through hole 51a of the heat dissipation plate 51 in the molding die.

【００４０】従って、パッケージ３９のクラックが防止
され、実装性が改善されるものである。すなわち、パッ
ケージ３９のクラックを防止するために、強度の高いモ
ールド樹脂を使用する必要がなく、放熱板５１に貫通穴
５１ａを設けることにより、通常強度のモールド樹脂の
使用が可能となって、コストの増加を防止することがで
きるものである。Accordingly, the package 39 is prevented from cracking and the mountability is improved. That is, in order to prevent cracks in the package 39, it is not necessary to use a high-strength mold resin, and by providing the heat dissipation plate 51 with the through-holes 51a, it is possible to use a normal-strength mold resin. It is possible to prevent the increase of

【００４１】また、図８に示す半導体装置３１Ｃは、パ
ッケージ３９ｂを形成するにあたり、下方でヒートスプ
レッタ３５の半導体チップ搭載面の反対面を露出させて
形成したものである。これは、例えばモールド金型にお
ける下金型のキャビティの底面にヒートスプレッタ３５
を当接させてモールディングすることにより形成するこ
とができる。これによれば、ヒートスプレッタ３５の裏
面が露出さていることから、放熱性をより向上させるこ
とができると共に、装置の薄型化を図ることができる。The semiconductor device 31C shown in FIG. 8 is formed by exposing the surface of the heat spreader 35 opposite to the semiconductor chip mounting surface at the time of forming the package 39b. For example, the heat spreader 35 is provided on the bottom surface of the cavity of the lower mold in the mold.
It can be formed by abutting and molding. According to this, since the back surface of the heat spreader 35 is exposed, it is possible to further improve the heat dissipation and reduce the thickness of the device.

【００４２】なお、図５〜図８に示すものは各個別の構
成例を示したものであるが、適宜組み合わせて構成（例
えば、図５と図６及び図７、図５と図８）することがで
きるものである。また、後述する第２実施例も同様であ
る。続いて、図９及び図１０に、第１実施例の他の薄板
部形成の説明図を示す。Although FIG. 5 to FIG. 8 show examples of individual constitutions, they may be appropriately combined and constituted (for example, FIG. 5 and FIG. 6 and FIG. 7, FIG. 5 and FIG. 8). Is something that can be done. The same applies to the second embodiment described later. Next, FIGS. 9 and 10 show explanatory views of another thin plate portion formation of the first embodiment.

【００４３】図９（Ａ）は、リードフレーム３２（リー
ド端子４２）が薄い金属板部材３２ａ1 〜３２ａ3 を貼
り合わされて形成された場合のインナリード３３の先端
部分を示している。例えば金属板部材３３ａ1 ，３３ａ
3 を鉄系部材とし、金属板部材３３ａ2 を銅系部材とす
る。[0043] FIG. 9 (A) shows the distal portion of the lead frame 32 (lead terminals 42) is a thin metal plate member 32a 1 inner leads 33 when it is formed by bonding a ~32a 3. For example, the metal plate members 33a 1 and 33a
3 is an iron-based member, and the metal plate member 33a 2 is a copper-based member.

【００４４】そこで、図９（Ｂ）に示すように、インナ
リード３３の先端部分の一方面を選択的にハーフエッチ
ングして薄板部３３ａを形成するものである。また、図
１０は薄い金属板部材３２ａ1 〜３２ａ3 を貼り合わせ
てリードフレーム３２（リード端子４２）を形成した場
合を示しており、そのインナリード３３の先端部分にお
いて、図１０（Ａ）に示す金属板部材３２ａ1 上に、図
１０（Ｂ）に示す金属板部材３２ａ2 が重ね合わされ
る。Therefore, as shown in FIG. 9B, one surface of the tip of the inner lead 33 is selectively half-etched to form a thin plate portion 33a. Further, FIG. 10 shows a case where the thin metal plate members 32a 1 to 32a 3 are bonded to each other to form the lead frame 32 (lead terminal 42), and the tip portion of the inner lead 33 is shown in FIG. The metal plate member 32a 2 shown in FIG. 10B is superposed on the metal plate member 32a 1 shown.

【００４５】そして、金属板部材３２ａ2 上に、図１０
（Ｃ）に示すように、予め薄板部３３ａとなる部分が切
断された金属板部材３２ａ3 が重ね合わされたものであ
る。これによれば、図９に示すようにエッチングをする
ことなく薄板部３３ａを形成することができる。Then, on the metal plate member 32a 2 , as shown in FIG.
(C), the one in which the metal plate member 32a 3 the portion to be a previously thin plate portion 33a is cut are superposed. According to this, as shown in FIG. 9, the thin plate portion 33a can be formed without etching.

【００４６】この場合、金属板部材３２ａ1 〜３２ａ3
は図９（Ａ）で説明したように鉄系部材と銅系部材で形
成してもよく、また総て同一の銅系部材等で形成しても
よい。このように、リードフレーム３２（リード端子４
２）が薄い金属板部材３２ａ 1 〜３２ａ3 で形成される
場合であっても容易に薄板部３３ａを形成することがで
きるものである。In this case, the metal plate member 32a1~ 32a3
Is a steel-based member and a copper-based member as described in FIG. 9 (A).
It may be made of the same copper-based material or the like.
Good. In this way, the lead frame 32 (lead terminal 4
2) is a thin metal plate member 32a 1~ 32a3Formed by
Even in this case, the thin plate portion 33a can be easily formed.
It can be.

【００４７】次に、図１１に、本発明の第２実施例の構
成図を示す。図１１（Ａ）は半導体装置３１D の縦側断
面図、図１１（Ｂ）はリードフレーム３２A におけるリ
ード端子（インナリード３３1 ，アウタリード３４）の
部分平面図、図１１（Ｃ）はインナリード３３1 の先端
部分の断面図である。Next, FIG. 11 shows a block diagram of a second embodiment of the present invention. 11A is a vertical cross-sectional view of the semiconductor device 31 D , FIG. 11B is a partial plan view of the lead terminals (inner leads 33 1 , outer leads 34) in the lead frame 32 A , and FIG. 11C is an inner view. FIG. 6 is a cross-sectional view of a tip portion of a lead 33 1 .

【００４８】図１１（Ａ）に示すように、ヒートプレッ
タ３５上に半導体チップ３６が接着材３７により搭載さ
れており、その周囲にリードフレーム３２A のインナリ
ード３３1 が位置されるように接着材等により固着され
る。リードフレーム３２A は、図１１（Ｂ）に示すよう
に、当所インナリード３３ 1 の先端が連結部４４で連結
状態であり、ヒートスプレッタ３５上に固着された後
に、例えばレーザ光等により連結部４４が切断されて、
インナリード３３1 がそれぞれ分離される。As shown in FIG. 11A, the heat press
The semiconductor chip 36 is mounted on the tape 35 with the adhesive 37.
And the lead frame 32 around it.AThe Innari
Code 331Is fixed with an adhesive so that
It Lead frame 32AIs as shown in FIG.
To our inner lead 33 1The tip of is connected at the connecting part 44
After being fixed on the heat spreader 35
The connection portion 44 is cut by, for example, laser light,
Inner lead 331Are separated from each other.

【００４９】ところで、半導体装置のリードがファイン
ピッチであれば第１実施例のように薄板部３３ａを従来
のリードフレームの厚さより薄くする必要があるが、薄
くする必要がなければ図１１（Ｃ）に示すように薄板部
３３ａ1 の厚さＤ1 を従来の厚さ（０．１２５〜０．１
５ｍｍ）とし、他の部分（インナリード３３1 の一部と
アウタリード３４）の厚さＤ2 をこれより厚く（例えば
０．２〜０．２５ｍｍ）設定する。If the leads of the semiconductor device have a fine pitch, it is necessary to make the thin plate portion 33a thinner than the thickness of the conventional lead frame as in the first embodiment. ), The thickness D 1 of the thin plate portion 33a 1 is set to the conventional thickness (0.125 to 0.1
And 5 mm), the other part of (a portion the outer lead 34 of the inner leads 33 1) the thickness D 2 greater than this (e.g. 0.2～0.25Mm) set.

【００５０】すなわち、特にアウタリード３４の厚さＤ
2 を厚く設定することで熱抵抗が低減されて放熱性が向
上されると共に、アウタリード３４の強度が増して変形
を防止することができ、実装性、搬送性を向上させるこ
とができるものである。図１１（Ａ）に戻って説明する
に、半導体チップ３６（電極パッド）とインナリード３
３1 の薄板部３３1aとの間でワイヤ３８により電気的接
続が行われ、エポキシ樹脂等でパッケージ３９が形成さ
れる。That is, in particular, the thickness D of the outer lead 34
By setting 2 to be thick, the thermal resistance is reduced and the heat dissipation is improved, and the strength of the outer lead 34 is increased to prevent the deformation, and the mountability and the transportability can be improved. . Referring back to FIG. 11A, the semiconductor chip 36 (electrode pad) and the inner lead 3 will be described.
Electrical connection is made with the thin plate portion 33 1a of 3 1 by a wire 38, and a package 39 is formed of epoxy resin or the like.

【００５１】そして、パッケージ３９より延出するアウ
タリード３４がガルウィング形状に折曲加工されるもの
である。The outer lead 34 extending from the package 39 is bent into a gull wing shape.

【００５２】[0052]

【発明の効果】以上のように、請求項１及び２の発明に
よれば、封止部内でリードフレームのインナーリードに
薄板部が形成されてその先端部分が接着部材により板状
の熱放射部材上に固着され、熱放散部材上に半導体チッ
プを搭載して薄板部と電気的接続されることにより、イ
ンナーリードに薄板部を形成しても放熱性を向上させる
熱放散部材上に固着されることでリードフレームの強度
が向上されて量産性の向上を図ることができると共に、
インナーリードの先端部分と熱放散部材とが広いエリア
で接着部材により固着されて封止部形成後の熱収縮によ
るアンマッチングが吸収され、歩留りの向上を図ること
ができる。As described above, according to the first and second aspects of the present invention, the thin plate portion is formed on the inner lead of the lead frame in the sealing portion, and the tip portion thereof is a plate-shaped heat radiation member by the adhesive member. The semiconductor chip is mounted on the heat-dissipating member and electrically connected to the thin plate portion, so that the thin plate portion is formed on the inner lead to improve the heat dissipation. both the can be improved strength of the lead frame is improved in mass production by,
The tip portion of the inner lead and the heat dissipation member are fixed to each other by an adhesive member in a wide area, and the unmatching due to the heat shrinkage after forming the sealing portion is absorbed, so that the yield can be improved.

【００５３】請求項３及び４の発明によれば、熱放散部
材の半導体チップ搭載反対面を露出させ、又はこの面を
表出させる開口部を封止部に形成して放熱部材を設ける
ことにより、半導体チップの小型化に伴う温度上昇に対
する放熱性をより向上させることができる。According to the third and fourth aspects of the invention, the heat dissipating member is provided with the heat dissipating member by exposing the surface of the heat dissipating member opposite to the surface on which the semiconductor chip is mounted or forming an opening for exposing this surface in the sealing portion. Therefore, the heat radiation property with respect to the temperature rise due to the miniaturization of the semiconductor chip can be further improved.

【００５４】請求項５及び６の発明によれば、放熱部材
の適宜周辺部分に配置される貫通穴が形成されることに
より、封止部形成時の水分が貫通穴より抜け、封止部の
破損が防止されて歩留りの向上を図ることができる。According to the fifth and sixth aspects of the present invention, by forming the through-holes which are appropriately arranged in the peripheral portion of the heat dissipation member, the moisture at the time of forming the sealing portion escapes from the through-hole and the sealing portion of the sealing portion is formed. Damage can be prevented and yield can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の第１実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図２】図１のリードフレームの構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of the lead frame in FIG.

【図３】ヒートスプレッタへのインナーリード載置状態
の部分平面図である。FIG. 3 is a partial plan view of a state where inner leads are mounted on a heat spreader.

【図４】本発明の半導体装置の製造説明図である。FIG. 4 is a manufacturing explanatory diagram of the semiconductor device of the present invention.

【図５】第１実施例の他の構成の縦側断面図（１）であ
る。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view (1) of another configuration of the first embodiment.

【図６】第１実施例の他の構成の縦側断面図（２）であ
る。FIG. 6 is a vertical cross-sectional view (2) of another configuration of the first embodiment.

【図７】第１実施例の他の構成の縦側断面図（３）であ
る。FIG. 7 is a vertical cross-sectional view (3) of another configuration of the first embodiment.

【図８】第１実施例の他の構成の縦側断面図（４）であ
る。FIG. 8 is a vertical cross-sectional view (4) showing another configuration of the first embodiment.

【図９】第１実施例の他の薄板部形成の説明図（１）で
ある。FIG. 9 is an explanatory view (1) of forming another thin plate portion of the first embodiment.

【図１０】第１実施例の他の薄板部形成の説明図（２）
である。FIG. 10 is an explanatory view (2) of forming another thin plate portion of the first embodiment.
Is.

【図１１】本発明の第２実施例の構成図である。FIG. 11 is a configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図１２】従来の多ピン化半導体装置の断面構成図であ
る。FIG. 12 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional multi-pin semiconductor device.

【符号の説明】 ３１Ａ〜３１Ｄ 半導体装置 ３２，３２A リードフレーム ３３，３３1 インナーリード ３３ａ，３３1a 薄板部 ３４ アウタリード ３５ ヒートスプレッタ ３５ａ 接着材 ３６ 半導体チップ ３７ 接着材 ３８ ワイヤ ３９，３９ａ，３９ｂ パッケージ ４４ 連結部 ５１ 放熱板 ５１ａ 貫通穴[Description of Reference Signs] 31A to 31D Semiconductor device 32, 32 A Lead frame 33, 33 1 Inner lead 33a, 33 1a Thin plate portion 34 Outer lead 35 Heat spreader 35a Adhesive material 36 Semiconductor chip 37 Adhesive material 38 Wire 39, 39a, 39b Package 44 Connection part 51 Heat sink 51a Through hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 窪田 昭弘 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１ 株式会社富士通宮城エレクトロニ クス内 (72)発明者 柴崎 浩一 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１ 株式会社富士通宮城エレクトロニ クス内 (72)発明者 米竹 一浩 宮城県柴田郡村田町大字村田字西ケ丘１番 地の１ 株式会社富士通宮城エレクトロニ クス内 (72)発明者 青木 強 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Akihiro Kubota No. 1 Nishigaoka, Murata, Murata-cho, Shibata-gun, Miyagi Prefecture 1st in Fujitsu Miyagi Electronics Co., Ltd. (72) Koichi Shibasaki, Shibata-gun, Miyagi Prefecture 1st in Nishigaoka, Murata-cho, Fujita Miyagi Electronics Co., Ltd. (72) Inventor, Kazuhiro Yonetake 1st in Nishigaoka, Murata-shi, Murata-cho, Miyagi Prefecture 1 In Electronics (72) Inventor Tsuyoshi Aoki 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Inside Fujitsu Limited

Claims (15)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 所定数のリード端子が配列され、前記リ
ード端子におけるインナーリードとなる端子部分の所定
部分の厚さを他の部分より薄い薄板部が形成されたリー
ドフレームと、 半導体チップを搭載して熱放散を行うものであって、前
記半導体チップの近傍に前記インナーリードの薄板部を
配置させて前記リードフレームが固着される板状の熱放
散部材と、 前記半導体チップ及び前記インナーリードの薄板部間で
電気的接続が行われた前記熱放散部材を覆い、前記リー
ド端子のアウタリードとなる端子部分を延出させた封止
部と、 を有することを特徴とする半導体装置。1. A lead frame in which a predetermined number of lead terminals are arranged, and a thin plate portion is formed in which a predetermined portion of a terminal portion of the lead terminals, which is an inner lead, is thinner than other portions, and a semiconductor chip is mounted. A heat dissipation member in a plate shape to which the thin plate portion of the inner lead is arranged in the vicinity of the semiconductor chip and the lead frame is fixed, and the semiconductor chip and the inner lead. A semiconductor device, comprising: a sealing portion that covers the heat dissipation member electrically connected between the thin plate portions and extends a terminal portion that serves as an outer lead of the lead terminal. 【請求項２】 前記熱放散部材は、前記封止部より高熱
伝導率の部材で形成されることを特徴とする請求項１記
載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the heat dissipation member is formed of a member having a higher thermal conductivity than that of the sealing portion. 【請求項３】 前記薄板部を含むインナーリードの先端
部分が、前記熱放散部材に接着部材により固着されるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein a tip portion of the inner lead including the thin plate portion is fixed to the heat dissipation member with an adhesive member. 【請求項４】 前記熱放散部材の前記半導体チップ搭載
面の反対面を少くとも前記封止部より露出させることを
特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体装
置。4. The semiconductor device according to claim 1, wherein a surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface is exposed at least from the sealing portion. 【請求項５】 前記封止部は前記熱放散部材の前記半導
体チップ搭載面の反対面を表出させる開口部が形成さ
れ、前記開口部に前記熱放散部材と接触して露出される
放熱部材が設けられることを特徴とする請求項１〜４の
何れか一項に記載の半導体装置。5. The heat dissipating member, wherein the sealing portion has an opening for exposing a surface of the heat dissipating member opposite to the semiconductor chip mounting surface, and the contact is exposed in the opening. 5. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device is provided. 【請求項６】 前記放熱部材は、前記熱放散部材から露
出面にかけて所定数の貫通穴が形成されることを特徴と
する請求項５記載の半導体装置。6. The semiconductor device according to claim 5, wherein the heat dissipation member has a predetermined number of through holes extending from the heat dissipation member to the exposed surface. 【請求項７】 前記貫通穴は、前記放熱部材の露出平面
上で周辺部分に配置されて形成されることを特徴とする
請求項６記載の半導体装置。7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the through hole is formed at a peripheral portion of the exposed surface of the heat dissipation member. 【請求項８】 所定数のリード端子のうち、後に半導体
パッケージ内に位置されるインナーリードが、接続され
る半導体チップの配置される空間領域の近傍に配置され
るリードフレームにおいて、 前記インナーリードの所定部分に、厚さが他の部分より
薄い薄板部が形成され、前記薄板部の先端部を連結させ
た連結部が形成されることを特徴とするリードフレー
ム。8. In a lead frame in which an inner lead, which is located later in a semiconductor package, of a predetermined number of lead terminals is arranged near a space region where a semiconductor chip to be connected is arranged, A lead frame, wherein a thin plate portion having a thickness smaller than that of other portions is formed at a predetermined portion, and a connecting portion is formed by connecting the leading end portions of the thin plate portions. 【請求項９】 前記薄板部はエッチングにより形成され
ることを特徴とする請求項８記載のリードフレーム。9. The lead frame according to claim 8, wherein the thin plate portion is formed by etching. 【請求項１０】 前記リード端子は、複数の金属板部材
が貼り合わされたものであって、前記薄板部がエッチン
グで形成されてなることを特徴とする請求項８記載のリ
ードフレーム。10. The lead frame according to claim 8, wherein the lead terminal is formed by laminating a plurality of metal plate members, and the thin plate portion is formed by etching. 【請求項１１】 前記リード端子は、複数の金属板部材
を前記薄板部を形成しつつ重ね合わせて形成されてなる
ことを特徴とする請求項８記載のリードフレーム。11. The lead frame according to claim 8, wherein the lead terminal is formed by stacking a plurality of metal plate members on each other while forming the thin plate portion. 【請求項１２】 前記リード端子のうち、前記薄板部以
外の部分の厚さが、熱抵抗及び後にアウタリードとなる
部分の強度に応じて設定されてなることを特徴とする請
求項８記載のリードフレーム。12. The lead according to claim 8, wherein a thickness of a portion of the lead terminal other than the thin plate portion is set according to a thermal resistance and a strength of a portion to be an outer lead later. flame. 【請求項１３】 熱放散部材上に、請求項８乃至１２記
載のリードフレームにおける所定数の前記インナーリー
ドの薄板部先端の連結部を固着させる工程と、 前記連結部が切断除去される工程と、 前記熱放散部材の前記所定数のリードフレームの連結部
間の領域上に半導体チップを搭載して前記インナーリー
ドの薄板部間で電気的接続が行われる工程と、 前記半導体チップ及び前記熱放散部材を封止し、前記リ
ードフレームのアウタリードを延出させて封止部を形成
する工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。13. A step of fixing a predetermined number of connecting portions of the thin plate portion tips of the inner leads of the lead frame according to claim 8 on the heat dissipation member, and a step of cutting and removing the connecting portion. A step of mounting a semiconductor chip on a region between the connection parts of the predetermined number of the lead frames of the heat dissipation member and electrically connecting the thin plate parts of the inner lead, the semiconductor chip and the heat dissipation part And a step of sealing the member and extending the outer lead of the lead frame to form a sealing portion. 【請求項１４】 前記封止部を形成するにあたり、前記
熱放散部材の前記半導体チップ搭載面の反対面を前記封
止部より露出させることを特徴とする請求項１３記載の
半導体装置の製造方法。14. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein in forming the sealing portion, a surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface is exposed from the sealing portion. . 【請求項１５】 前記封止部を形成するにあたり、前記
熱放散部材の前記半導体チップ搭載面の反対面を表出さ
せる開口部を形成し、前記開口部に前記熱放散部材に接
触して露出させる放熱部材が形成されることを特徴とす
る請求項１３記載の半導体装置の製造方法。15. When forming the sealing portion, an opening is formed to expose the surface of the heat dissipation member opposite to the semiconductor chip mounting surface, and the opening is contacted with the heat dissipation member to be exposed. 14. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 13, wherein a heat dissipation member is formed.
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