JPH06132441A - Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents
Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereofInfo
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- JPH06132441A JPH06132441A JP27909592A JP27909592A JPH06132441A JP H06132441 A JPH06132441 A JP H06132441A JP 27909592 A JP27909592 A JP 27909592A JP 27909592 A JP27909592 A JP 27909592A JP H06132441 A JPH06132441 A JP H06132441A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、放熱効果を高めたこ
とにより高発熱半導体素子でも樹脂封止することを可能
にした、特に表面実装型に適した樹脂封止型半導体装置
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device suitable for a surface mount type, in which even a high heat-generating semiconductor element can be resin-encapsulated by enhancing a heat dissipation effect. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】ワークステーション、パソコン、ビデオ
カメラ、ＣＣＤ、ＭＤ等の電子機器になどに用いられる
半導体装置には、セラミック封止型半導体装置や樹脂封
止型半導体装置が用いられるのが通例である。セラミッ
ク封止型半導体装置はセラミックパッケージの底面に電
極ピンを取り付けたＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒ
ａｙ）型半導体装置やセラミックパッケージの側面から
電極リードを取り出したＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）型半導体装置に代表され、樹脂封止型
半導体装置は封止樹脂の側面から電極リードを取り出
し、例えば、ガルウィング状にアウターリードを加工し
たＱＦＰ型やＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔ
ｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型、Ｊ型にアウターリード
を加工したＳＯＪ（Ｓｍａｌｌ ＯｕｔｌｉｎｅＪ−Ｂ
ｅｎｄ Ｐａｃｋａｇｅ）型と言った表面実装型半導体
装置に代表される。2. Description of the Related Art Semiconductor devices used in electronic equipment such as workstations, personal computers, video cameras, CCDs, MDs, etc. are usually ceramic-sealed semiconductor devices or resin-sealed semiconductor devices. is there. A ceramic sealed semiconductor device is a PGA (Pin Grid Arr) in which electrode pins are attached to the bottom surface of a ceramic package.
ay) type semiconductor device or QFP (Quad Flat) in which the electrode lead is taken out from the side surface of the ceramic package.
A resin-encapsulated semiconductor device typified by a package) semiconductor device has electrode leads taken out from the side surface of the encapsulating resin, for example, a QFP type or TSOP (Thin Small Out) in which outer leads are processed into a gull wing shape.
SOJ (Small Outline J-B) in which outer leads are processed into a line package) type and a J type
A typical example is a surface mount type semiconductor device called an end package type.
【０００３】図１０に、その従来のガルウィング状アウ
ターリードを有する表面実装型の樹脂封止型半導体装置
の断面側面図を示した。符号Ｓは全体として樹脂封止型
半導体装置を指す。この樹脂封止型半導体装置Ｓは、デ
ィプレスされたダイパッド５と、この周縁部に沿って所
定の間隔幅で配列された複数のインナーリード６と、こ
れらのインナーリード６に対応して配列された複数のア
ウターリード７などから構成されたリードフレーム３
の、前記ダイパッド５に半導体素子１を導電性接着剤４
で固定し、その半導体素子１の複数の電極（図示してい
ない）と前記インナーリード６の各内端部とをそれぞれ
金属導線８で接続し、そして前記半導体素子１、ダイパ
ッド５及びインナーリード６とを含んでエポキシ樹脂、
溶融石英などからなる封止樹脂２で封止して構成されて
いる。FIG. 10 shows a cross-sectional side view of the conventional surface mount type resin-sealed semiconductor device having the gull wing-shaped outer leads. The symbol S indicates a resin-sealed semiconductor device as a whole. This resin-encapsulated semiconductor device S is arranged so as to correspond to these inner leads 6 and the die pad 5 that has been depressed, a plurality of inner leads 6 that are arranged along the peripheral edge portion with a predetermined interval width. Lead frame 3 composed of a plurality of outer leads 7 and the like
Of the semiconductor element 1 on the die pad 5 with the conductive adhesive 4
And a plurality of electrodes (not shown) of the semiconductor element 1 and inner ends of the inner leads 6 are connected by metal conductors 8, respectively, and the semiconductor element 1, the die pad 5 and the inner leads 6 are fixed. Including epoxy resin,
It is configured by sealing with a sealing resin 2 made of fused quartz or the like.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】前記のセラミック封止
型半導体装置は、従来、軍事用または宇宙用といった高
信頼性半導体装置に適用される他に、高速信号伝送また
は高発熱の産業用半導体装置に適用されていた。このセ
ラミック封止型半導体装置はセラミックパッケージ自身
が大きく、厚くて重く、寸法にばらつきがあり、そして
何よりも高価なものであったために、廉価な電子機器に
用いる民生用半導体装置としては使用されず、専ら樹脂
封止型半導体装置があまねく使用されている。The above-mentioned ceramic-encapsulated semiconductor device has been conventionally applied to a highly reliable semiconductor device for military use or space use, and also an industrial semiconductor device having high-speed signal transmission or high heat generation. Had been applied to. This ceramic-encapsulated semiconductor device is not used as a consumer semiconductor device for inexpensive electronic equipment because the ceramic package itself is large, thick and heavy, has dimensional variations, and is expensive above all. However, resin-encapsulated semiconductor devices are exclusively used.
【０００５】一方、樹脂封止型半導体装置は、従来、比
較的低発熱の半導体素子を樹脂封止して用いられている
形態のものであり、例えば１Ｗを超えるような発熱量の
大きな半導体素子を樹脂封止して用いるには放熱性が低
いために適していなかった。On the other hand, the resin-sealed semiconductor device is of a type in which a semiconductor element having a relatively low heat generation is conventionally used by resin-sealing, and a semiconductor element having a large heat generation amount, for example, exceeding 1 W. Was not suitable for resin-sealing because of its low heat dissipation.
【０００６】最近、電子機器内の電気回路配線基板上に
搭載される半導体装置は、バス幅の増大、多素子化、高
速動作化により、その発熱量が増大し、かつ、単位面積
当たりの端子密度が著しく増大しているため、電子機器
の放熱対策は勿論のこと、半導体装置そのものの放熱対
策が切望されていて、この放熱対策を欠いた半導体装置
は電子機器の小型化、薄型化、軽量化、そして高速化な
どを阻害する最大の要因になろうとしている。従って、
この発明が解決しようとする課題は、発熱量の大きな半
導体素子を樹脂封止しても、高密度実装に適した小型、
薄型の樹脂封止型半導体装置を安価に得ることにある。Recently, a semiconductor device mounted on an electric circuit wiring board in an electronic device has a large amount of heat generation due to an increase in bus width, a large number of elements, and a high speed operation, and a terminal per unit area. Since the density has increased remarkably, not only measures for heat dissipation of electronic devices but also measures for heat dissipation of semiconductor devices themselves have been eagerly awaited.Semiconductor devices lacking this heat dissipation measures are smaller, thinner, and lighter weight electronic devices. It is about to become the biggest factor that hinders increasing speed and speed. Therefore,
The problem to be solved by the present invention is to achieve a small size suitable for high-density mounting even when a semiconductor element with a large heat generation is resin-sealed
To obtain a thin resin-sealed semiconductor device at low cost.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】そのためこの発明の樹脂
封止型半導体装置は、複数のインナーリードと、これら
のインナーリードに対応して配列された複数のアウター
リードなどから構成されたリードフレームの、前記イン
ナーリードの各内端部に半導体素子の複数の電極をそれ
ぞれ接続し、前記半導体素子とインナーリードとを含ん
で樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置において、前記
半導体素子の電極が形成されている面とは反対の面に存
在する樹脂に、その全厚みにわたって熱伝導性突起を有
する放熱装置を埋設し、前記熱伝導性突起の端部を前記
樹脂の表面から露出させるように構成して、前記課題を
解決するようにした。Therefore, the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention includes a lead frame including a plurality of inner leads and a plurality of outer leads arranged corresponding to the inner leads. In the resin-sealed semiconductor device in which a plurality of electrodes of a semiconductor element are connected to the inner ends of the inner leads, respectively, and the semiconductor element and the inner leads are sealed with a resin, the electrodes of the semiconductor element are The resin existing on the surface opposite to the formed surface is embedded with a heat dissipation device having a heat conductive protrusion over its entire thickness, and the end of the heat conductive protrusion is exposed from the surface of the resin. It was configured to solve the above-mentioned problems.
【０００８】また、前記放熱装置は、良熱伝導性の異種
金属を多層に積層したクラッド材の少なくとも表層を選
択的にエッチングして熱伝導性突起を形成した。Further, in the heat dissipation device, at least the surface layer of the clad material in which different kinds of metals having good thermal conductivity are laminated in multiple layers is selectively etched to form the thermal conductive projections.
【０００９】そしてまた、この熱伝導性突起を有する面
状の放熱装置の、その熱伝導性突起が形成されていない
面を、複数のインナーリードと、これらのインナーリー
ドに対応して配列された複数のアウターリードなどから
構成されたリードフレームの、前記インナーリードの各
内端部に、絶縁体フィルムを介して固定して放熱装置付
きリードフレームとし、前記熱伝導性突起が形成されて
いない面を半導体素子を固定する面とし、この発明の樹
脂封止型半導体装置に使用し得るリードフレームとし
た。In addition, the surface of the planar heat dissipation device having the heat-conductive protrusions, on which the heat-conductive protrusions are not formed, is arranged with a plurality of inner leads corresponding to these inner leads. A surface of a lead frame composed of a plurality of outer leads, etc., which is fixed to each inner end portion of the inner lead via an insulating film to form a lead frame with a heat dissipation device and on which the heat conductive protrusion is not formed. Was used as a surface for fixing the semiconductor element, and a lead frame usable in the resin-sealed semiconductor device of the present invention was prepared.
【００１０】そして更にまた、前記樹脂封止型半導体装
置は、複数のインナーリードと、これらのインナーリー
ドに対応して配列された複数のアウターリードなどから
構成されたリードフレームの、前記インナーリードの各
内端部に、絶縁体フィルムを介して、表面に熱伝導性突
起が形成された面状の放熱装置の、その熱伝導性突起が
形成されていない面を固定する工程と、前記放熱装置の
前記熱伝導性突起が形成されていない面に複数の電極が
形成された半導体素子を固定する工程と、前記半導体素
子の複数の電極と前記複数のインナーリードの内端部と
をそれぞれ電気的に接続する工程と、前記半導体素子、
前記放熱装置、前記インナーリードなどを樹脂で封止す
る工程と、前記放熱装置の前記熱伝導性突起の端部を前
記樹脂の表面から露出させる工程と、前記放熱装置の前
記熱伝導性突起の端部及び前記アウターリードの表面を
電気回路配線基板に接続し易いように処理する工程と、
前記アウターリードを所定の形状に成形する工程とから
なる製造方法により製造した。Further, in the resin-sealed semiconductor device, the inner lead of the lead frame is composed of a plurality of inner leads and a plurality of outer leads arranged corresponding to the inner leads. A step of fixing, to each inner end portion, a surface of a heat dissipation device having a heat conductive projection formed on the surface thereof via an insulating film, the surface having no heat conductive projection formed thereon; A step of fixing a semiconductor element having a plurality of electrodes formed on a surface on which the heat conductive protrusion is not formed, and a plurality of electrodes of the semiconductor element and inner end portions of the plurality of inner leads are electrically connected to each other. Connecting to the semiconductor element,
A step of sealing the heat dissipation device, the inner lead and the like with a resin; a step of exposing an end portion of the heat conductive protrusion of the heat dissipation device from a surface of the resin; and a step of exposing the heat conductive protrusion of the heat dissipation device. A step of treating the end portion and the surface of the outer lead so as to be easily connected to an electric circuit wiring board;
It was manufactured by a manufacturing method including a step of molding the outer lead into a predetermined shape.
【００１１】[0011]
【作用】従って、半導体素子に発生した熱は、熱伝導性
接着剤を用いて電気回路配線基板に実装した状態におい
て、熱伝導効率が悪いインナーリードからアウターリー
ドを経由して電気回路配線基板への経路を経て放熱され
る他に、熱伝導性突起から熱伝導性接着剤を介して最短
距離で電気回路配線基板へ放熱されることになる。Therefore, the heat generated in the semiconductor element is transferred to the electric circuit wiring board from the inner lead having the poor heat conduction efficiency through the outer leads while being mounted on the electric circuit wiring board using the heat conductive adhesive. In addition to the heat being dissipated through the path of, the heat is dissipated from the heat conductive protrusion to the electric circuit wiring board at the shortest distance via the heat conductive adhesive.
【００１２】また、熱伝導性突起を有する放熱装置は、
良熱伝導性の異種金属を多層に積層したクラッド材を用
い、中間金属層にエッチングバリアとなる金属を用いる
ことにより、突起高さも容易に均一になり、１回のエッ
チングだけで容易に製造することができる。Further, the heat dissipation device having the heat conductive protrusion is
By using a clad material in which different kinds of metals with good thermal conductivity are laminated in multiple layers and using a metal that serves as an etching barrier in the intermediate metal layer, the height of protrusions can be easily made uniform and can be easily manufactured by only one etching. be able to.
【００１３】更にまた、前記放熱装置を別工程で作製
し、この放熱装置をリードフレームの最終製造工程で、
そのリードフレームのインナーリードの内端部に導電性
接着剤で接着すれば放熱装置付きリードフレームを得る
ことができるので、大きなプロセス変更や工程変更もな
く、既存の装置群をそのまま使えることになる。Furthermore, the heat dissipation device is manufactured in a separate process, and this heat dissipation device is manufactured in the final manufacturing process of the lead frame.
Since the lead frame with the heat dissipation device can be obtained by bonding the inner end of the inner lead of the lead frame with a conductive adhesive, the existing device group can be used as it is without major process changes or process changes. .
【００１４】[0014]
【実施例】以下、この発明の樹脂封止型半導体装置（以
下、単に「半導体装置」と記す）及びその製造方法の実
施例を図を用いて説明する。なお、図Ａと同一の構成部
分には同一の符号を付して説明する。図１はこの発明の
半導体装置の第１の実施例であって、同図Ａはその断面
図、同図Ｂはその底面図である。Embodiments of the resin-encapsulated semiconductor device (hereinafter simply referred to as "semiconductor device") of the present invention and its manufacturing method will be described below with reference to the drawings. In addition, the same components as those in FIG. 1 is a first embodiment of a semiconductor device according to the present invention, FIG. 1A is a sectional view thereof, and FIG. 1B is a bottom view thereof.
【００１５】図１において、符号Ｓａは全体としてこの
発明の第１の実施例の半導体装置を指す。この半導体装
置Ｓａは、Ｆｅ−Ｎｉ合金もしくはＣｕ合金からなり、
ディプレスされたダイパッド５と、この周縁部に沿って
所定の間隔幅で配列された複数のインナーリード６と、
これらのインナーリード６に対応して配列された複数の
アウターリード７などから構成されたリードフレーム３
を使用し、前記ダイパッド５の表面に半導体素子１を銀
ペーストなどの導電性接着剤４で固定し、その半導体素
子１の表面周縁部に形成された複数の電極（図示してい
ない）と前記インナーリード６の各内端部とをそれぞ
れ、金、アルミなどの金属導線８で接続している。この
ような構成は図１０に示した従来の半導体装置Ｓと同一
である。In FIG. 1, reference numeral Sa generally indicates the semiconductor device of the first embodiment of the present invention. The semiconductor device Sa is made of a Fe-Ni alloy or a Cu alloy,
The depressed die pad 5 and a plurality of inner leads 6 arranged along the peripheral edge portion at a predetermined interval width,
A lead frame 3 including a plurality of outer leads 7 arranged corresponding to the inner leads 6
Is used to fix the semiconductor element 1 to the surface of the die pad 5 with a conductive adhesive 4 such as silver paste, and a plurality of electrodes (not shown) formed on the peripheral portion of the surface of the semiconductor element 1 and Each inner end portion of the inner lead 6 is connected with a metal conductor wire 8 such as gold or aluminum. Such a configuration is the same as that of the conventional semiconductor device S shown in FIG.
【００１６】この発明においては、前記ダイパッド５の
裏面に放熱装置１０を接着剤（図示していない）で貼
付、固定した。この放熱装置１０は熱伝導性の良好な金
属板１１と金属突起１２とが一体に形成されて構成され
ている。この金属板１１の表面積は前記ダイパッド５の
表面積とほぼ同一であることが望ましい。また、金属突
起１２の高さは封止樹脂２の表面に露出する高さに設定
されており、そして図１Ｂに示したように、格子状に配
列されている。この配列は格子状でなくてもよく、任意
の放熱に効果的な配列にする。これらの主材料はダイパ
ッド５とほぼ同じ熱膨張性を示す材料を用いる。In the present invention, the heat dissipation device 10 is attached and fixed to the back surface of the die pad 5 with an adhesive (not shown). The heat dissipation device 10 is configured by integrally forming a metal plate 11 having good thermal conductivity and a metal protrusion 12. It is desirable that the surface area of the metal plate 11 be substantially the same as the surface area of the die pad 5. The height of the metal projections 12 is set to the height exposed on the surface of the sealing resin 2, and is arranged in a grid pattern as shown in FIG. 1B. This array does not have to be a grid pattern, and is an array effective for arbitrary heat dissipation. As these main materials, materials having substantially the same thermal expansion properties as the die pad 5 are used.
【００１７】このような状態で、前記半導体素子１、ダ
イパッド５、インナーリード６及び放熱装置１０とを含
んでエポキシ樹脂、溶融石英などからなる封止樹脂２で
封止すると、前記金属突起１２は半導体装置Ｓａの下面
の封止樹脂２の表面に露出する。なお、樹脂封止直後、
金属突起１２は薄い樹脂バリ（図示していない）に覆わ
れるため、モールド成形後に、前記アウターリード７の
付け根に生じた薄い樹脂バリの除去と同時に、前記金属
突起１２の表面の薄い樹脂バリをも除去するようにす
る。In this state, when the semiconductor element 1, the die pad 5, the inner lead 6 and the heat dissipation device 10 are sealed with the sealing resin 2 made of epoxy resin, fused silica or the like, the metal protrusions 12 are formed. It is exposed on the surface of the sealing resin 2 on the lower surface of the semiconductor device Sa. Immediately after resin sealing,
Since the metal projection 12 is covered with a thin resin burr (not shown), after the molding, the thin resin burr generated at the root of the outer lead 7 is removed and at the same time, the thin resin burr on the surface of the metal projection 12 is removed. Also try to remove.
【００１８】この薄い樹脂バリを除去した後、封止樹脂
２から露出した前記アウターリード７の折り曲げ加工前
に、これらのアウターリード７と金属突起１２の表面
に、電解メッキ法で、例えば、半田を同時に一括してメ
ッキする。After removing the thin resin burrs and before bending the outer leads 7 exposed from the sealing resin 2, the outer leads 7 and the metal projections 12 are surface-plated by electrolytic plating, for example, by soldering. Are plated at the same time.
【００１９】図２に、この発明の第１の実施例の半導体
装置Ｓａを製造する方法をフローチャートで示した。こ
のフローチャートで特徴的な点は、工程５１において放
熱装置１０がリードフレーム製造工程の最後でリードフ
レーム３に貼り付けられること、工程５２においてその
ような放熱装置１０付きリードフレーム３に半導体素子
１を搭載し、工程５４においてその放熱装置１０と半導
体素子１とを含めてモールド成形すること、そしてモー
ルド成形後、工程５５において、アウターリード７の付
け根に存在する樹脂バリと封止樹脂２から露出した放熱
装置１０の前記金属突起１２の端部に付着した樹脂バリ
とを除去すること、そして更に、工程５６において樹脂
バリ除去後のアウターリード７の表面及び金属突起１２
の露出端部に半田などをメッキすることである。FIG. 2 is a flow chart showing a method of manufacturing the semiconductor device Sa of the first embodiment of the present invention. A characteristic point of this flowchart is that the heat dissipation device 10 is attached to the lead frame 3 at the end of the lead frame manufacturing process in step 51, and the semiconductor element 1 is attached to the lead frame 3 with such heat dissipation device 10 in step 52. After mounting, in step 54, the heat dissipation device 10 and the semiconductor element 1 are molded together, and after molding, in step 55, the resin burr and the sealing resin 2 present at the root of the outer lead 7 are exposed. The resin burrs attached to the ends of the metal protrusions 12 of the heat dissipation device 10 are removed, and further, in step 56, the surface of the outer lead 7 and the metal protrusions 12 after the resin burrs are removed.
Is to plate solder on the exposed end.
【００２０】次に、このような製造方法で製造された前
記半導体装置Ｓａは図３に示したように電気回路配線基
板（以下、単に「基板」と記す）に搭載される。図３は
この発明の半導体装置Ｓａを基板に表面実装した場合の
断面側面図である。２０は基板で、半導体装置Ｓａは熱
伝導性接着剤３０で基板２０に接着、固定し、基板２０
の表面に実装する。この作業は図２の製造工程５８にお
いて行われるものである。Next, the semiconductor device Sa manufactured by such a manufacturing method is mounted on an electric circuit wiring substrate (hereinafter, simply referred to as "substrate") as shown in FIG. FIG. 3 is a sectional side view when the semiconductor device Sa of the present invention is surface-mounted on a substrate. 20 is a substrate, and the semiconductor device Sa is adhered and fixed to the substrate 20 with a heat conductive adhesive 30.
To be mounted on the surface of. This work is performed in the manufacturing process 58 of FIG.
【００２１】このような構成で表面実装することによ
り、半導体素子１に発生した熱は、比較的熱伝達効率が
悪いインナーリード６からアウターリード７を経由して
基板２０への経路を経て放熱できるほか、半導体素子１
を接着、固定したダイパッド５、その裏面に接着した金
属板１１及び金属突起１２を経由して、熱伝導性接着剤
３０、基板２０へと続く経路により効率的に放熱するこ
とができる。By surface mounting with such a structure, the heat generated in the semiconductor element 1 can be radiated through the route from the inner lead 6 having a relatively low heat transfer efficiency to the substrate 20 via the outer lead 7. In addition, semiconductor element 1
The heat can be efficiently dissipated by the path continuing to the heat conductive adhesive 30 and the substrate 20 via the die pad 5 bonded and fixed, the metal plate 11 and the metal projection 12 bonded to the back surface thereof.
【００２２】次に、図４及び図５を用いて前記放熱装置
１０の製造方法及びその構造を説明する。図４はこの発
明の一つである放熱装置の製造方法を示す工程図であ
り、図５は金属板１１と金属突起１２と一体になった放
熱装置１０の斜視図である。図４において、サンドイッ
チ構造の積層金属薄板１０１は、厚み１００μｍ程度
の、例えば、Ｃｕからなる第１の金属薄板１０２と、厚
み２５μｍ程度の、例えば、Ａｌからなる第２の金属薄
板１０３と、厚み２００μｍ程度の、例えば、Ｃｕから
なる第３の金属薄板１０４とを積層した１枚のクラッド
材である。Next, a manufacturing method and structure of the heat dissipation device 10 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a process diagram showing a method of manufacturing a heat dissipation device which is one of the present invention, and FIG. 5 is a perspective view of a heat dissipation device 10 in which a metal plate 11 and a metal protrusion 12 are integrated. In FIG. 4, a laminated metal thin plate 101 having a sandwich structure has a first metal thin plate 102 made of, for example, Cu and having a thickness of about 100 μm, a second metal thin plate 103 made of, for example, Al, having a thickness of about 25 μm, and a thickness. It is one clad material in which a third metal thin plate 104 made of, for example, Cu and having a thickness of about 200 μm is laminated.
【００２３】そして、第１の金属薄板１０２、第３の金
属薄板１０４の各表面にレジスト１０５を塗布し、通常
の光リソグラフィー技術を用いて、レジスト１０５を現
像することにより、レジスト１０５は所望のパターンに
加工される（図４Ｂ）。Then, a resist 105 is applied to each surface of the first metal thin plate 102 and the third metal thin plate 104, and the resist 105 is developed by a usual photolithography technique, so that the resist 105 can be formed into a desired one. It is processed into a pattern (FIG. 4B).
【００２４】この後、例えばＣｕをエッチングし、かつ
Ａｌはエッチングしないエッチング液にさらすことによ
り、金属薄板１０１の一層である第３の金属薄板１０４
はレジスト１０５のパターンにしたがってエッチングさ
れることになる。このレジストパターンが水玉状であれ
ば、図５に示したような円柱の複数の金属突起１２が形
成されることになる（図４Ｃ）。Thereafter, the third metal thin plate 104, which is one layer of the metal thin plate 101, is exposed to an etching solution that etches Cu and does not etch Al, for example.
Will be etched according to the pattern of the resist 105. If this resist pattern has a polka dot shape, a plurality of cylindrical metal projections 12 as shown in FIG. 5 will be formed (FIG. 4C).
【００２５】そして最後に、例えば金型による切断加工
により、所望のサイズに切り出せば、金属突起１２が一
体になった金属板１１から構成された放熱装置１０がで
き上がる（図４Ｄ）。ここで、図５に示した金属板１１
は、図４における第１の金属薄板１０２と第２の金属板
１０３から構成され、図５の金属突起１２は、図４にお
ける第３の金属薄板１０４から構成されていることは説
明するまでもない。Finally, by cutting into a desired size, for example, by cutting with a die, the heat dissipation device 10 composed of the metal plate 11 with the metal projections 12 integrated is completed (FIG. 4D). Here, the metal plate 11 shown in FIG.
Is composed of the first metal thin plate 102 and the second metal plate 103 in FIG. 4, and the metal projection 12 of FIG. 5 is composed of the third metal thin plate 104 in FIG. Absent.
【００２６】次に、図６及び図７を用いて、この発明の
半導体装置の第２の実施例を説明する。図６はこの発明
の半導体装置の第２の実施例を示していて、同図Ａはそ
の断面側面図、同図Ｂはその底面図である。そして図７
はこの発明の半導体装置の第２の実施例を基板に表面実
装する場合を示し、同図Ａは表面実装直前の断面側面
図、同図Ｂは実装直後の断面側面図である。Next, a second embodiment of the semiconductor device of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 shows a second embodiment of the semiconductor device of the present invention. FIG. 6A is a sectional side view thereof, and FIG. 6B is a bottom view thereof. And Figure 7
Shows a case where the second embodiment of the semiconductor device of the present invention is surface-mounted on a substrate. FIG. A is a sectional side view immediately before surface mounting and FIG. B is a sectional side view immediately after mounting.
【００２７】この実施例における半導体装置Ｓｂは、前
記半導体装置Ｓａの金属突起１２の端部の露出表面に形
成した半田メッキ層（図示していない）を介して、例え
ば、ＳｎとＰｂの成分比が６対４の割合の低融点の半田
からなる合金導体突起１３を形成したものである。この
合金導体突起１３はまた、所謂、噴流方式の半田付け方
法を用いて半田を直接付けてもよく、また、半田スクリ
ーン印刷方式により封止樹脂２の裏面に半田ペーストを
付着し、再溶融させて形成することもできる。The semiconductor device Sb in this embodiment has, for example, a component ratio of Sn and Pb via a solder plating layer (not shown) formed on the exposed surface of the end of the metal protrusion 12 of the semiconductor device Sa. Are alloy conductor projections 13 made of low melting point solder in a ratio of 6: 4. The alloy conductor projections 13 may be directly soldered by using a so-called jet soldering method, or solder paste may be attached to the back surface of the sealing resin 2 by a solder screen printing method and re-melted. Can also be formed.
【００２８】これらの合金導体突起１３の高さは同一で
ある。そしてそれらの合金導体突起１３の最端部がガル
ウィング状に成形されたアウターリード７の端部の最下
面の高さと同一になるように調整する。そのため、これ
らの合金導体突起１３は、予めアウターリード７の端部
の最下面の平面より突出するような高さに設定して付着
した後、それらの合金導体突起１３が硬化する直前に、
或る平面板（図示していない）に合金導体突起１３を押
し付け、アウターリード７、７、─の端部の最下面とな
ったところで押し付けることを止めることで前記の調整
を行うことできる。The heights of these alloy conductor protrusions 13 are the same. Then, the outermost ends of the alloy conductor protrusions 13 are adjusted to be the same as the height of the lowermost surface of the ends of the outer leads 7 formed in the gull wing shape. Therefore, these alloy conductor protrusions 13 are set in advance so as to project from the plane of the lowermost surface of the end portion of the outer lead 7 and attached, and immediately before the alloy conductor protrusions 13 are hardened.
The above-mentioned adjustment can be performed by pressing the alloy conductor projection 13 against a flat plate (not shown) and stopping the pressing at the bottom surface of the end of the outer leads 7, 7 ,.
【００２９】このように、合金導体突起１３の高さをア
ウターリード７の端部の最下面に位置するように構成し
たことにより、図７に示したように、この半導体装置Ｓ
ｂを金属板１１に表面実装する場合、基板１１上に形成
された半田ペースト２１と合金導体突起１３及びアウタ
ーリード７の全てが当接するようになり、半田未接合等
の半田付け不良を無くすことができる。そして、半導体
装置Ｓｂの前記金属突起１２を高熱伝導効率を有する合
金導体突起１３で基板１１に直接接合させたので、その
放熱性はより高められることになる。As described above, since the height of the alloy conductor protrusion 13 is located at the lowermost surface of the end portion of the outer lead 7, as shown in FIG.
When b is surface-mounted on the metal plate 11, all of the solder paste 21 formed on the substrate 11, the alloy conductor protrusions 13 and the outer leads 7 come into contact with each other, and soldering defects such as unbonded solder are eliminated. You can Since the metal protrusions 12 of the semiconductor device Sb are directly bonded to the substrate 11 by the alloy conductor protrusions 13 having high heat conduction efficiency, the heat dissipation thereof can be further enhanced.
【００３０】図８に、この発明の半導体装置の第３の実
施例を示した。同図Ａはその断面側面図、同図Ｂはその
底面図である。この実施例の半導体装置Ｓｃの特長の一
つは、半導体素子１の表面積よりも充分大きく、インナ
ーリード６を覆うことができる面積の金属板１１を有す
る放熱装置１０Ａを用いて構成した点である。そして、
この放熱装置１０Ａの周縁部において、例えば、厚み約
５０μｍのポリイミドフィルムからなる絶縁フィルム１
４を介して、インナーリード６の内端部を熱可塑性接着
剤（図示していない）で貼り付けた。即ち、放熱装置１
０Ａの金属板１１は、前記半導体装置Ｓａ、Ｓｂのダイ
パッド５に相当する役割をしている。換言すると、この
半導体装置Ｓｃに用いたリードフレーム３Ａはダイパッ
ドレスのものである。FIG. 8 shows a third embodiment of the semiconductor device of the present invention. FIG. A is a sectional side view of the same, and FIG. B is a bottom view thereof. One of the features of the semiconductor device Sc of this embodiment is that it is configured by using the heat dissipation device 10A having the metal plate 11 having an area sufficiently larger than the surface area of the semiconductor element 1 and capable of covering the inner leads 6. . And
In the peripheral portion of the heat dissipation device 10A, for example, the insulating film 1 made of a polyimide film having a thickness of about 50 μm
The inner end portion of the inner lead 6 was attached via a thermoplastic adhesive (not shown). That is, the heat dissipation device 1
The metal plate 11 of 0A plays a role corresponding to the die pad 5 of the semiconductor devices Sa and Sb. In other words, the lead frame 3A used for the semiconductor device Sc is die padless.
【００３１】そして、半導体素子１をこの放熱装置１０
Ａの金属突起１２とは反対側の金属板１１の表面に絶縁
性熱硬化接着剤４Ａで接着、固定した。この状態で、一
例として、電源系、例えばＶｓｓのインナーリード６
を、電源系、例えば半導体素子１のＶｓｓ電極（図示し
ていない）と金属導線８で接続すると共に、そのインナ
ーリード６を更に金属板１１と接続することができる。
なお、金属突起１２へ基板からＶｓｓを供給することも
可能である。The semiconductor element 1 is connected to the heat dissipation device 10
The surface of the metal plate 11 opposite to the metal projection 12 of A was adhered and fixed with an insulating thermosetting adhesive 4A. In this state, as an example, a power supply system, for example, the Vss inner lead 6
Can be connected to a power supply system, for example, a Vss electrode (not shown) of the semiconductor element 1 by a metal conductor wire 8, and its inner lead 6 can be further connected to a metal plate 11.
It is also possible to supply Vss to the metal protrusion 12 from the substrate.
【００３２】この構成により、半導体素子１に発生した
熱は、インナーリード６と金属突起１２を経由してほぼ
直接的に基板１１へと放熱することができ、また、金属
板１１のほぼ全領域に形成された金属突起１２を経由し
て直接的に基板１１へと放熱することができ、その放熱
効率を一層高めることができる。With this structure, the heat generated in the semiconductor element 1 can be radiated to the substrate 11 almost directly through the inner leads 6 and the metal protrusions 12, and almost the entire area of the metal plate 11 can be radiated. It is possible to radiate heat directly to the substrate 11 via the metal projection 12 formed on the substrate, and the heat radiation efficiency can be further improved.
【００３３】一方、ダイパッドとしても機能する金属板
１１は、Ｖｓｓの電源プレーンとして作用し、電源系イ
ンダクタンスは低減され、かつ金属板１１及びリードフ
レーム３Ａは電気的に導通がとれることから電解メッキ
を同時に一括して行うことができる。On the other hand, the metal plate 11, which also functions as a die pad, acts as a Vss power plane, the power system inductance is reduced, and the metal plate 11 and the lead frame 3A can be electrically conducted. You can do it all at once.
【００３４】次に、この発明の半導体装置の第４の実施
例を説明する。図９はこの発明の半導体装置の第４の実
施例を示す断面側面図である。この半導体装置Ｓｄは、
半導体素子１を予め電解メッキ（図示していない）され
た金属板１１に絶縁性熱硬化性接着剤４Ａを介して固着
し、更に、リードフレーム３Ｂのインナーリード６が半
導体素子１の電極側表面上に絶縁フィルム１４を介して
接着、固定した構造に構成されたもの、所謂リードオン
チップ型の半導体装置に構成されたものである。Next, a fourth embodiment of the semiconductor device of the present invention will be described. FIG. 9 is a sectional side view showing a fourth embodiment of the semiconductor device of the present invention. This semiconductor device Sd is
The semiconductor element 1 is fixed to a metal plate 11 that has been electroplated (not shown) in advance via an insulating thermosetting adhesive 4A, and the inner lead 6 of the lead frame 3B is attached to the electrode side surface of the semiconductor element 1. It is configured to have a structure in which it is adhered and fixed via an insulating film 14 on top, that is, a so-called lead-on-chip type semiconductor device.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上、説明したように、この発明の半導
体装置によれば、たとえ樹脂封止型半導体装置であって
も、発熱量の大きい、そして更に、高速動作の半導体素
子を搭載することができ、しかも小型、かつ高密度実装
にも適し、放熱性の高い、更に従来の樹脂封止型半導体
装置のコストと変わらないほどの安価なコストの半導体
装置を得ることができた。As described above, according to the semiconductor device of the present invention, even in the resin-sealed semiconductor device, a semiconductor element which generates a large amount of heat and operates at a high speed can be mounted. In addition, it is possible to obtain a semiconductor device that is compact, suitable for high-density mounting, has a high heat dissipation property, and has a cost as low as that of the conventional resin-encapsulated semiconductor device.
【図１】この発明の樹脂封止型半導体装置の第１の実施
例であって、同図Ａはその断面側面図、同図Ｂはその底
面図である。FIG. 1 is a first embodiment of a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, FIG. 1A is a sectional side view thereof, and FIG. 1B is a bottom view thereof.
【図２】この発明の一つであり、この発明の樹脂封止型
半導体装置の第１の実施例を製造する方法を示すフロー
チャートである。FIG. 2 is a flow chart showing a method of manufacturing the first embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention, which is one of the present invention.
【図３】この発明の樹脂封止型半導体装置の第１の実施
例を電気回路配線基板に実装したときの断面側面図であ
る。FIG. 3 is a sectional side view of the first embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention mounted on an electric circuit wiring board.
【図４】この発明の一つである放熱装置の製造方法を示
す工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing the method of manufacturing the heat dissipation device which is one of the present invention.
【図５】この発明の一つである放熱装置の斜視図であ
る。FIG. 5 is a perspective view of a heat dissipation device which is one of the present invention.
【図６】この発明の樹脂封止型半導体装置の第２の実施
例を示していて、同図Ａはその断面側面、同図Ｂはその
底面図である。FIG. 6 shows a second embodiment of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, FIG. 6A is a sectional side view thereof, and FIG.
【図７】この発明の第２の実施例の樹脂封止型半導体装
置を電気回路配線基板に表面実装する場合を示し、同図
Ａは表面実装直前の断面側面図、同図Ｂは実装直後の断
面側面図である。FIG. 7 shows a case where the resin-encapsulated semiconductor device of the second embodiment of the present invention is surface-mounted on an electric circuit wiring board. FIG. 7A is a sectional side view immediately before surface mounting, and FIG. It is a cross-sectional side view of FIG.
【図８】この発明の樹脂封止型半導体装置の第３の実施
例を示していて、同図Ａはその断面側面、同図Ｂはその
底面図である。FIG. 8 shows a third embodiment of the resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, in which FIG. 8A is a sectional side view thereof, and FIG.
【図９】この発明の樹脂封止型半導体装置の第４の実施
例を示す断面側面図である。FIG. 9 is a sectional side view showing a fourth embodiment of the resin-sealed semiconductor device of the present invention.
【図１０】従来技術の樹脂封止型半導体装置の断面側面
図である。FIG. 10 is a cross-sectional side view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.
１ 半導体素子 ２ 封止樹脂 ３ リードフレーム ３Ａ リードフレーム ３Ｂ リードフレーム ４ 接着剤 ４Ａ 絶縁性熱硬化性接着剤 ５ ダイパッド ６ インナーリード ７ アウターリード ８ 金属導線 １０ 放熱装置 １０Ａ 放熱装置 １１ 金属板 １２ 金属突起 １３ 合金導体突起 １４ 絶縁フィルム ２０ 電気回路配線基板（基板） ２１ 半田ペースト Ｓａ 第１の実施例の樹脂封止型半導体装置（半導体
装置） Ｓｂ 第２の実施例の樹脂封止型半導体装置（半導体
装置） Ｓｃ 第３の実施例の樹脂封止型半導体装置（半導体
装置） Ｓｄ 第４の実施例の樹脂封止型半導体装置（半導体
装置）1 Semiconductor Element 2 Sealing Resin 3 Lead Frame 3A Lead Frame 3B Lead Frame 4 Adhesive 4A Insulating Thermosetting Adhesive 5 Die Pad 6 Inner Lead 7 Outer Lead 8 Metal Conductor 10 Heat Dissipator 10A Heat Dissipator 11 Metal Plate 12 Metal Protrusion 13 Alloy Conductor Protrusion 14 Insulating Film 20 Electric Circuit Wiring Board (Substrate) 21 Solder Paste Sa Resin-Encapsulated Semiconductor Device (Semiconductor Device) of First Example Sb Resin-Encapsulated Semiconductor Device (Semiconductor) of Second Example Device Sc Resin-sealed semiconductor device of the third embodiment (semiconductor device) Sd Resin-sealed semiconductor device of the fourth embodiment (semiconductor device)
Claims (12)
ーリードに対応して配列された複数のアウターリードな
どから構成されたリードフレームの、前記インナーリー
ドの各内端部に半導体素子の複数の電極をそれぞれ接続
し、前記半導体素子とインナーリードとを含んで樹脂で
封止した樹脂封止型半導体装置において、前記半導体素
子の電極が形成されている面とは反対の面に存在する樹
脂に、その全厚みにわたって熱伝導性突起を有する放熱
装置を埋設し、前記熱伝導性突起の端部を前記樹脂の表
面から露出させ、前記アウターリードが所定の形状に折
り曲げられていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。1. A lead frame comprising a plurality of inner leads and a plurality of outer leads arranged corresponding to these inner leads, and a plurality of electrodes of a semiconductor element at each inner end of the inner lead. Respectively, in the resin-sealed semiconductor device sealed with a resin containing the semiconductor element and the inner lead, in the resin present on the surface opposite to the surface on which the electrode of the semiconductor element is formed, A heat dissipation device having a heat conductive protrusion is buried over its entire thickness, the end of the heat conductive protrusion is exposed from the surface of the resin, and the outer lead is bent into a predetermined shape. Resin-sealed semiconductor device.
間隔幅で配列された複数のインナーリードと、これらの
インナーリードに対応して配列された複数のアウターリ
ードなどから構成されたリードフレームの、前記ダイパ
ッドに半導体素子を固定し、その半導体素子の複数の電
極と前記インナーリードの各内端部とをそれぞれ接続
し、前記半導体素子、ダイパッド及びインナーリードと
を含んで樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置におい
て、前記ダイパッドの他面に存在する樹脂に、その全厚
みにわたって熱伝導性突起を有する放熱装置を埋設し、
前記熱伝導性突起の端部を前記樹脂の表面から露出さ
せ、前記アウターリードが所定の形状に折り曲げられて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。2. A lead frame comprising a die pad, a plurality of inner leads arranged along the peripheral edge portion at a predetermined interval width, and a plurality of outer leads arranged corresponding to these inner leads. , Fixing a semiconductor element to the die pad, connecting a plurality of electrodes of the semiconductor element and each inner end portion of the inner lead, respectively, and sealing with a resin including the semiconductor element, the die pad and the inner lead In a resin-sealed semiconductor device, a resin existing on the other surface of the die pad is embedded with a heat dissipation device having a heat conductive protrusion over its entire thickness,
A resin-encapsulated semiconductor device, wherein an end portion of the heat conductive protrusion is exposed from a surface of the resin, and the outer lead is bent into a predetermined shape.
に、合金被膜または合金導体突起を形成したことを特徴
とする請求項１及び請求項２に記載の樹脂封止型半導体
装置。3. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein an alloy coating or an alloy conductor protrusion is formed on a surface of the exposed portion of the heat conductive protrusion of the heat dissipation device. .
半導体装置におけるアウターリードを、この樹脂封止型
半導体装置を電気回路配線基板の表面に実装できる形状
に形成したことを特徴とする請求項１及び請求項２に記
載の樹脂封止型半導体装置。4. An outer lead in the resin-sealed semiconductor device according to claim 1 or 2, wherein the outer lead is formed in a shape capable of mounting the resin-sealed semiconductor device on a surface of an electric circuit wiring board. The resin-sealed semiconductor device according to claim 1 or 2.
合金導体突起の高さは、請求項４に記載のアウターリー
ドの端部の最下面に位置することを特徴とする請求項４
に記載の樹脂封止型半導体装置。5. The height of the alloy conductor protrusion formed on the end surface of the heat conductive protrusion is located at the lowermost surface of the end portion of the outer lead according to claim 4.
The resin-encapsulated semiconductor device according to.
放熱装置を導電性接着剤を用いて接着したことを特徴と
する特許請求項２乃至５に記載の樹脂封止型半導体装
置。6. The resin-sealed semiconductor device according to claim 2, wherein the heat dissipation device is attached to the other surface of the die pad according to claim 2 with a conductive adhesive.
の露出部の面に形成した合金被膜は、前記アウターリー
ドに合金被膜を形成する時に一括して形成することを特
徴とする特許請求項３に記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法。7. The alloy coating formed on the surface of the exposed portion of the heat conductive protrusion of the heat dissipation device according to claim 3 is formed collectively when the alloy coating is formed on the outer leads. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 3.
ラッド材の少なくとも表層を選択的にエッチングして熱
伝導性突起を形成したことを特徴とする放熱装置。8. A heat dissipation device characterized in that at least a surface layer of a clad material in which different kinds of metals having good thermal conductivity are laminated in multiple layers is selectively etched to form a thermally conductive protrusion.
反対の面に熱伝導性突起からなる放熱装置が固定され、
その熱伝導性突起の端部を前記半導体素子の前記電極面
とは反対の面に存在する樹脂の表面から露出させ、前記
インナーリードの内端部を絶縁体フィルムを介して前記
放熱装置の周縁部に固定し、かつ前記インナーリードの
一部と前記放熱装置の周縁部とが電気的に接続され、前
記アウターリードが所定の形状に折り曲げられてなる請
求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。9. A heat dissipation device comprising a heat conductive protrusion is fixed to a surface of the semiconductor element according to claim 1 opposite to an electrode surface thereof.
The ends of the heat conductive protrusions are exposed from the surface of the resin existing on the surface of the semiconductor element opposite to the electrode surface, and the inner ends of the inner leads are surrounded by the insulating film to the peripheral edge of the heat dissipation device. The resin-sealed semiconductor according to claim 1, wherein the resin-sealed semiconductor is fixed to a portion, the inner lead is partially connected to a peripheral portion of the heat dissipation device, and the outer lead is bent into a predetermined shape. apparatus.
ナーリードに対応して配列された複数のアウターリード
などから構成されたリードフレームの、前記インナーリ
ードの各内端部に、絶縁体フィルムを介して、表面に熱
伝導性突起が形成された面状の放熱装置の、その熱伝導
性突起が形成されていない面を固定する工程と、前記放
熱装置の前記熱伝導性突起が形成されていない面に複数
の電極が形成された半導体素子を固定する工程と、前記
半導体素子の複数の電極と前記複数のインナーリードの
内端部とをそれぞれ電気的に接続する工程と、前記半導
体素子、前記放熱装置、前記インナーリードなどを樹脂
で封止する工程と、前記放熱装置の前記熱伝導性突起の
端部を前記樹脂の表面から露出させる工程と、前記放熱
装置の前記熱伝導性突起の端部及び前記アウターリード
の表面を電気回路配線基板に接続し易いように処理する
工程と、前記アウターリードを所定の形状に成形する工
程とからなる請求項９に記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法。10. A lead frame composed of a plurality of inner leads and a plurality of outer leads arranged corresponding to the inner leads and the like, with an insulating film interposed between the inner ends of the inner leads. And fixing the surface of the planar heat dissipation device having the heat conductive projection formed on the surface thereof, on which the heat conductive projection is not formed, and the heat conductive projection of the heat dissipation device is not formed. Fixing a semiconductor element having a plurality of electrodes formed on its surface, electrically connecting the plurality of electrodes of the semiconductor element and the inner ends of the plurality of inner leads, respectively, the semiconductor element, A step of sealing the heat dissipation device, the inner lead and the like with a resin; a step of exposing an end portion of the heat conductive protrusion of the heat dissipation device from the surface of the resin; The resin-sealed mold according to claim 9, comprising a step of treating the ends of the protrusion and the surface of the outer lead so as to be easily connected to an electric circuit wiring board, and a step of molding the outer lead into a predetermined shape. Manufacturing method of semiconductor device.
ナーリードに対応して配列された複数のアウターリード
などから構成されたリードフレームの、前記インナーリ
ードの各内端部に、絶縁体フィルムを介して、表面に熱
伝導性突起が形成された面状の放熱装置の、その熱伝導
性突起が形成されていない面を固定し、この面を半導体
素子を固定する面としたことを特徴とする放熱装置付き
リードフレーム。11. A lead frame composed of a plurality of inner leads and a plurality of outer leads arranged corresponding to the inner leads and the like, with an insulating film interposed between the inner ends of the inner leads. The surface of the heat dissipating device having the heat-conducting projections formed on its surface is fixed to the surface on which the heat-conducting projections are not formed, and this surface is used as the surface for fixing the semiconductor element. Lead frame with heat dissipation device.
は絶縁体フィルムを介してインナーリードが固定され、
前記半導体素子の前記電極面と反対の面には熱伝導性突
起を有する放熱装置が固定され、その熱伝導性突起の端
部を前記半導体素子の前記電極面とは反対の面に存在す
る樹脂の表面から露出させ、前記アウターリードを所定
の形状に折り曲げてなる請求項１に記載の樹脂封止型半
導体装置。12. An inner lead is fixed to the electrode surface of the semiconductor element according to claim 1 through an insulator film,
A heat dissipation device having a heat conductive protrusion is fixed to the surface of the semiconductor element opposite to the electrode surface, and an end portion of the heat conductive protrusion is a resin present on the surface opposite to the electrode surface of the semiconductor element. The resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein the outer lead is exposed from the surface and the outer lead is bent into a predetermined shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27909592A JPH06132441A (en) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27909592A JPH06132441A (en) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132441A true JPH06132441A (en) | 1994-05-13 |
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ID=17606350
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27909592A Pending JPH06132441A (en) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | Resin-sealed semiconductor device and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132441A (en) |
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1992
- 1992-10-19 JP JP27909592A patent/JPH06132441A/en active Pending
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