JPH08153721A - Ic素子の修正方法及びその装置 - Google Patents
Ic素子の修正方法及びその装置Info
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- JPH08153721A JPH08153721A JP10191495A JP10191495A JPH08153721A JP H08153721 A JPH08153721 A JP H08153721A JP 10191495 A JP10191495 A JP 10191495A JP 10191495 A JP10191495 A JP 10191495A JP H08153721 A JPH08153721 A JP H08153721A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】極微細配線上に段差状の保護膜を有するIC素
子に対して、保護膜下層の配線を切断後、所望の個所に
絶縁膜や配線層等を局所成膜して不良箇所の解析、修正
を行なう。 【構成】複数のイオン種を含む高輝度イオンビームを放
射する液体金属イオン源と、複数のイオン種から特定の
イオン種を分離する質量分離手段と、荷電粒子光学系
と、ブランキング電極と、偏向電極とを備えた鏡筒と、
試料台と、2次荷電粒子検出器とを備えた試料室とを真
空室を形成するように構成し、IC素子の局所成膜しよ
うとする個所付近の観察領域に分離された特定のイオン
種からなる高輝度イオンビームを偏向電極で走査させて
照射し、2次荷電粒子検出器で検出した2次電子または
2次イオンに基づいて走査イオン顕微鏡手段によりSI
M像を表示し、このSIM像に基づいてIC素子の局所
成膜しようとする個所に特定のイオン種の高輝度イオン
ビーム照射することによりIC素子に局所成膜する。
子に対して、保護膜下層の配線を切断後、所望の個所に
絶縁膜や配線層等を局所成膜して不良箇所の解析、修正
を行なう。 【構成】複数のイオン種を含む高輝度イオンビームを放
射する液体金属イオン源と、複数のイオン種から特定の
イオン種を分離する質量分離手段と、荷電粒子光学系
と、ブランキング電極と、偏向電極とを備えた鏡筒と、
試料台と、2次荷電粒子検出器とを備えた試料室とを真
空室を形成するように構成し、IC素子の局所成膜しよ
うとする個所付近の観察領域に分離された特定のイオン
種からなる高輝度イオンビームを偏向電極で走査させて
照射し、2次荷電粒子検出器で検出した2次電子または
2次イオンに基づいて走査イオン顕微鏡手段によりSI
M像を表示し、このSIM像に基づいてIC素子の局所
成膜しようとする個所に特定のイオン種の高輝度イオン
ビーム照射することによりIC素子に局所成膜する。
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高集積デバイスの微細な
配線パターンの修正を行なうIC素子の修正方法及びそ
の装置に関するものである。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路、CaAs素子、磁気バル
ブメモリ、ジョセフソン素子などにおいてはパターン
幅、配線幅が微細化の一途をたどっている。すなわち3
μm幅から2μm幅の素子が実現され、そして1.5μ
m、1μm、サブミクロンの配線幅の素子が開発されつ
つある。これらの素子に対し、従来、デバイス開発段階
においてデバッグのための配線切断が、また素子の製作
段階において不良箇所の救済、書込み、抵抗値、容量、
調整のための素子の一部の切断、接続などの手段がとら
れてきた。 【0003】以下、代表的な用例として、デバッグのた
めのAl配線の切断につき述べる。以下に示す例が、Au
やPoli Silicon等の配線にも適用できることは明ら
かである。 【0004】半導体集積回路(以下“IC”とよぶ)に
おいては設計開発工程において設計不良、プロセス不良
のため、試作したチップがそのままでは動作しないこと
が多い。この場合不良箇所を判定するためには、その周
辺の配線を切断して動作試験等を行なうことが必要とな
る。5μm以上のパターンにおいてはこのための手段と
して顕微鏡でデバイスを観察しながらマニユピレータに
とりつけた細い金属針により引っかいて切断する方法が
用いられていた。しかしながらこの方法は成功率が低く
熟練を要するため3μmパターン以下のICでは使用不
可能である。図1にレーザによりICの配線の切断を行
なう装置を示す。レーザ発振器1から出たレーザビーム
1aはミラー2で反射されて後、レンズ3a、3bの組
合せから成るビームエクスパンダー3によりビーム径を
拡げられ、可変スリット5、6による矩形パターンの縮
小投影像をレンズ7により載物台9の上に置かれた試料
8の上に結像する。この場合において参照光用ランプ2
aからの光は凹面鏡2bにより反射され、レンズ2cに
より平行ビームとされてレーザビームと同じ経路を通っ
て配線上に結像するのでこれを用いてレーザ除去部の位
置決め等が可能となる。すなわち図2aにおいてAl配
線部11は配線のない部分10に隣接している。 【0005】すなわちその断面は図2bのようであり、
Si基板13上にSiO2の絶縁層14を介してAl配線1
5が形成されている。図1において参照光2dによるス
リット5、6の像12が投影されるが、スリットの幅を
マイクロメータ5a、6aにより調整して切断すべき配
線11の幅に合わせる。そののちレーザを照射すればレ
ーザ光は全く同じ位置12に結像してこの部分を除去す
る。この場合に以下のような問題が存在した。すなわち
レーザにより溶融した部分が周辺に飛散して隣接部分に
付着し、特性を劣化し、また短絡を生じたりする。また
下部のSiへ損傷を生じさせ、またSiの一部が溶融して
盛上ることによりAl配線との短絡を生じさせる。また
配線の側方においても隣接するAl配線のない部分に影
響を与えて下部のSiを損傷し、また上記と同様なAl−
Siの短絡を生じさせやすい。これは主としてレーザの
照射領域の位置決めが困難でレーザ光の一部がAl配線
のない部分に照射されたり、熱伝導とAlの飛散の際、
隣接するSi部分に損傷を与えるためである。 【0006】とくに図5のようにAl配線15の上にパ
ツシベーシヨン膜18がコートされている場合、これら
の膜18は一般にSiO2、Si3N4などで出来ていてレ
ーザ光に対して透明であるため、直接レーザにより加工
されず下部のAl配線15がレーザを吸収し、熱エネル
ギーを受けて、上部のパツシベーシヨン膜を破って飛び
出してゆくこととなる。したがってこの場合には飛散す
るAl粒子はパツシベーシヨン膜がないときに比べては
るかに高いエネルギーを有しており、図3にみられるよ
うに下部や周辺に損傷を与えやすくまたパツシベーシヨ
ン膜自体にもクラックを生じたりする。さらに切断部分
はパツシベーシヨン膜に穴20があいてしまい、容易に
これを埋める方法がないため特性の劣化を来たすという
ような問題点があった。 【0007】さらに、根本的な問題として、ICが微細
化、高集積化して配線幅が2μmから1.5μm、1μ
mそしてサブミクロンと狭くなっていく傾向に対してレ
ーザ加工による配線切断法は限界を有する。すなわち、
図1に示した結像投影法によってもまた、図7のごとく
レンズ21によりビームを細く絞り、焦点22に試料を
置いてこれを加工する場合でもレーザ光の回析限界のた
め波長(可視光で0.5μm)スポット径を得ることは
困難である。さらにレーザ加工法では材料がレーザ光を
吸収してこれが熱に変化してからこれを吹飛ばすという
過程を経るため熱伝導や溶融噴出などによる周辺の影響
を避けることは不可能であり、加工域、熱影響域はスポ
ット径よりも大きくなってしまうのが常であった。すな
わち実用的な最小加工寸法は1μm程度であり、このた
め1μm以下の配線パターンに対してレーザ加工法を適
用することは困難であった。また、従来技術として、特
開昭56−80131号公報、特開昭56−94630
号公報、アプライド、フイジックス、レター「ア ハイ
インテンシテイ スキヤニング イオン プローブウィ
ズ サブマイクロメータ スポット サイズ(Appl.P
hys.Lett.34(5)、“A highintesity scanning ion
probe with submicrometer spot size”)P310−31
1、1979年3月1日発行、および理化学研究所半導体工
学研究室応用物理学会応用電子物性分科会日本学術振興
会荷電粒子ビームの工業への応用第132委員会第13
回シンポジウム「イオン注入とサブミクロン加工」日時
昭和57年2月3日−5日第19−22頁「液体金属イ
オン源による微小集束装置」が知られている。 いずれ
の従来技術も、単に収束イオンビームによるスパッタエ
ッチング加工技術が記載されているに過ぎないものであ
る。そしてSIM観察装置は、単にスパッタエッチング
加工された状態を観察するものに過ぎないものである。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来のレーザ加工によるICの配線切断法とその装
置の欠点をなくして、1μm以下の極微細配線上に段差
状の保護膜を有するVLSKI、ULSI等の完成され
たIC素子に対して、保護膜の下層に存在する配線を切
断した後、所望の個所に絶縁膜や配線層等を局所成膜し
て不良箇所の解析、修正などを行ない、開発期間の大幅
な短絡、開発時における歩留り向上などを実現できるよ
うにしたIC素子の修正方法及びその装置を提供するこ
とにある。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、液体金属イオン源から放射された複数の
イオン種を含む高輝度イオンビームを集束させ、この集
束させた複数のイオン種を含む高輝度イオンビームをI
C素子の局所成膜しようとする個所付近のIC素子表面
の観察領域に偏向電極で走査させて照射し、この走査さ
せて照射した観察領域から発生する2次電子または2次
イオンを2次荷電粒子検出器で検出して偏向電極を制御
する偏向信号を受けて走査イオン顕微鏡に観察領域の拡
大SIM像を表示し、集束させた複数のイオン種を含む
高輝度イオンビームから特定のイオン種を質量分離手段
で分離してこの分離された特定のイオン種の高輝度イオ
ンビームを表示された拡大SIM像に基づいて偏向電極
で走査領域を制御してIC素子の局所成膜しようとする
個所に走査させて照射することによりIC素子に局所成
膜することを特徴とするIC素子の修正方法である。 【0010】また本発明は、少なくとも鏡筒と試料室と
を有して真空室を形成するように構成したIC素子の加
工装置において、鏡筒は、複数のイオン種を含む高輝度
イオンビームを放射する液体金属イオン源と、この液体
金属イオン源から放射された複数のイオン種から特定の
イオン種を分離する質量分離手段と、この質量分離手段
で分離された特定のイオン種の高輝度イオンビームを集
束させる荷電粒子光学系と、集束された特定のイオン種
の高輝度イオンビームの照射・停止を行なうブランキン
グ電極と、集束された特定のイオン種の高輝度イオンビ
ームを走査させる偏向電極とを備え、試料室は、IC素
子を設置する試料台と、荷電粒子光学系により集束され
た特定のイオン種の高輝度イオンビームをIC素子の表
面に照射することによってIC素子の表面から発生する
2次電子または2次イオンを検出する2次荷電粒子検出
器とを備え、2次荷電粒子検出器で検出された2次電子
または2次イオンに基づいてIC素子の表面の拡大SI
M像を表示する走査イオン顕微鏡手段と、集束された特
定のイオン種の高輝度イオンビームを局所成膜しようと
する所望の個所付近のIC素子表面上の観察領域に走査
照射させて走査イオン顕微鏡手段に観察領域の拡大SI
M画像が表示されるように偏向電極を制御し、拡大SI
M画像に基づいて特定のイオン種の高輝度イオンビーム
を所望の個所に走査照射させてこの所望の個所に局所成
膜するように偏向電極を制御し、局所成膜をした後に特
定のイオン種の高輝度イオンビームの照射を停止させる
ようにブランキング電極を制御する制御手段とを更に備
えたことを特徴とするIC素子の加工装置である。 【0011】 【作用】特に本発明の場合、0.3〜0.1μmないしは
それ以下のスポット径が得られること、かつ加工のプロ
セスがイオンとターゲット原子との衝突、散乱によるス
パッタ加工であるため熱拡散による周辺への影響がほと
んどないことから、0.3μm以下の寸法、加工が可能
であり、しかも0.3μm以下のスポット径のイオンビ
ームを局所成膜しようとする箇所付近の保護膜(パツシ
ベーシヨン膜)表面の観察領域に投影して走査させて照
射し、この走査して投影照射された保護膜表面の観察領
域から発生する2次電子または2次イオンを2次荷電粒
子検出器で検出して走査イオン顕微鏡に前記観察領域の
拡大SIM画像を表示して拡大観察し、この拡大観察さ
れた拡大SIM画像に基づいて図9bに示すように偏向
電極による走査領域を制御して、前記局所成膜しようと
する箇所において前記荷電粒子光学系により0.3μm
以下のイオンビームスポット径にして投影させたイオン
ビームを走査照射して絶縁膜等を局所成膜することによ
って配線切断個所等の保護をはかることができ、また局
所配線膜を形成して切断した配線間を接続することもで
きる。 【0012】 【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 【0013】図6に、本発明に係る配線切断装置の一実
施例を示す。 【0014】この図6に示す装置は、架台37、真空容
器を構成する鏡筒39と試料室40、該試料室40に連
設された試料交換室41、真空排気系、試料であるマス
クの載物台55、液体金属イオン源65、コントロール
(バイアス)電極66、イオンビームの引出し電極6
7、アパーチア69、静電レンズ70、71、72、ブ
ラシキング電極73、アパーチア74、偏向電極75、
76、フィラメント用電源77、コントロール電極用電
源78、引出し電極用電源79、静電レンズ用電極8
0、81、高圧電源82、ブランキング電極用電源8
3、偏向電極用電源84、電源の制御装置85、試料室
40内に挿入された2次荷電粒子検出器86、SIM
(走査型イオン顕微鏡)観察装置87、イオンビームの
電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段89とを備えてい
る。 【0015】前記架台37は、エアサポート38により
防震措置が施されている。 【0016】前記試料室40および試料交換室41は、
前記架台37の上に設置され、試料室40の上に鏡筒3
9が設置されている。 【0017】前記試料室40と鏡筒39とは、ゲートバ
ルブ43で仕切られており、試料40と試料交換室41
とは、他のゲートバルブ43で仕切られている。 【0018】前記真空排気系は、オイルロータリポンプ
47、オイルトラップ48、イオンポンプ49、ターボ
分子ポンプ50、バルブ51、52、53、54、とを
有して構成されている。この真空排気系と前記鏡筒3
9、試料室40、試料交換室41とは真空パイプ44、
45、46を介して接続され、これら鏡筒39、試料室
40、試料交換室41とは真空パイプ44、45、46
を介して接続され、これら鏡筒39、試料室40、試料
交換室41を10~5Torr以下の真空にしうるようになっ
ている。 【0019】前記載物台55には、回転導入端子61、
62、63を介してX、Y、Z方向の移動マイクロメー
タ56、57、58が取付けられ、かつθ方向の移動リ
ング59が設けられており、載物台55はこれら移動マ
イクロメータ56、57、58と移動リング59とによ
りX、Y、Z方向の微動および水平面内における回転角
が調整されるようになっている。 【0020】前記載物台55の上には、試料台60が設
置され、該試料台60の上に試料が載置されるようにな
っている。そして、試料台60は試料引出し具64によ
り試料室40と試料交換室41間を移動しうるようにな
っており、試料交換時にはゲートバルブ43を開け、試
料台60を試料室40に引出し、ゲートバルブ43を閉
じ、試料交換室41の扉を開け、試料の交換、載置し、
扉を閉め、試料交換室41の予備排気を行なってからゲ
ートバルブ43を開け、試料台60を試料室40に入れ
るようになっている。なお、図6において試料を符号9
0で示す。 【0021】前記液体金属イオン源65は、鏡筒39の
頭部に、試料室40に対峙して設けられている。この液
体金属イオン源65の図7に示すものは、絶縁体で作ら
れたベース650、該ベース650にU型に取付けられ
たフィラメント651、652、タングステン等で作ら
れかつ両フィラメント651、652の先端部間にスポ
ット溶接等で取付けられた鋭いニードル653、該ニー
ドル653に取付けられたイオン源となる金属654と
を有して構成されている。イオン源となる金属654と
しては、Ca、In、Au、Bi、Sn、Cu等が用いられ
る。また前記フィラメント651、652はその電極6
51′、652′を通じて図6に示すように、高圧電源
82に接続されたフィラメント用電源77に接続されて
いる。 【0022】前記コントロール電極66は、液体金属イ
オン源65の下位に設置され、かつ高圧電源82に接続
されたコンクリート電極用電源78に接続されており、
このコントロール電極66の設置位置に低い正負の電圧
を印加し、イオンビームである電流を制御する。 【0023】前記イオンビームの引出し電極67は、コ
ントロール電極66の下位に設置され、かつ高圧電源8
2に接続された引出し電極用電源79に接続されてい
る。そして、前記液体金属イオン源65のフィラメント
651、652に電流を供給し、10~5Torr以下の真空
中において加熱溶融したうえで、引出し電極67に−数
10KVの負の電圧を印加すると、液体金属イオン源6
5のニードル653の先端部の極めて狭い領域からイオ
ンビームが引出される。なお、図6中のイオンビームを
符号68で示し、またスポットを符号68′で示す。 【0024】前記アパーチア69は、引出し電極67の
下位に設置されており、引出し電極67により引出され
たイオンビームの中央部付近のみを取出すようになって
いる。 【0025】前記静電レンズ70、71、72の組は、
アパーチア69の下位に配列され、かつ高圧電源82に
接続されたレンズ用電源80、81に接続されている。
これらの静電レンズ70、71、72は、アパーチア6
9により取出されたイオンビームを集束するようになっ
ている。 【0026】前記ブランキング電極73は、静電レンズ
72の下位に設置され、かつ制御装置85に接続された
ブランキング電極用電源83に接続されている。このブ
ランキング電極73は、極めて速い速度でイオンビーム
を試料に向かう方向と直交する方向に走査させ、ブラン
キング電極73の下位に設置されたアパーチア74の外
べはずし、IC素子へのイオンビームの照射を高速で停
止させるようになっている。 【0027】前記アパーチア74は、静電レンズ70、
71、72で集束されたイオンビームのスポットを、図
4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.1μm
乃至はそれ以下のスポット径で投影結像させるようにな
っている。 【0028】前記偏向電極75、76の組は、アパーチ
ア74の下位に設置され、かつ制御装置85に接続され
た偏向電極用電源84に接続されている。この偏向電極
75、76は、前記静電レンズ70、71、72で集束
されたイオンビームのスポットをX、Y方向に偏向さ
せ、図4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.
1μm乃至はそれ以下のスポット径で結ばせるようにな
っている。 【0029】前記液体金属イオン源65のフィラメント
用電源77、コントロール電極用電源78、イオンビー
ムの引出し電極用電源79、レンズ用電源80、81に
電圧を印加する高圧電源82には、数10KVのものが
使用される。 【0030】前記制御装置85は、ブランキング電極用
電源83および偏向電極用電源84を通じて、ブランキ
ング電極73および偏向電極75、76を一定のパター
ンにしたがって作動するように制御する。 【0031】前記2次荷電粒子検出器86は、試料室4
0内においてIC素子である試料に向かって設置され、
制御装置85からの制御信号により、ブランキング電極
用電源83を介してブランキング電極73および偏向電
極用電源84を介して偏向電極75、76が制御され、
図4または図16aに示すIC素子の段差を有するパツ
シベーシヨン膜(保護膜)18の表面の観察領域に、
0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のスポット径のイオン
ビームスポットが走査照射されたとき、段差を有するパ
ツシベーシヨン膜18の表面から出る2次電子または2
次イオンを受止め、段差に応じたその強度を電流の強弱
に変換し、その信号をSIM観察装置87に送るように
なっている。 【0032】前記SIM観察装置97は、ブラウン管8
8を備えている。そして、SIM観察装置87は、観察
領域について観察すべく、偏向電極用電源84からイオ
ンビームのX、Y方向の偏向量に関する信号を受け、こ
れと同期させてブラウン管88の輝点を走査し、かつそ
の輝点の輝度を前記2次荷電粒子検出器86から送られ
てくる電流強度の信号に応じて変化させることにより、
段差を有するパツシベーション膜18の表面上の各点に
おける2次電子放出能に応じた段差像が得られるSI
M、即ち走査型イオン顕微鏡の機能により、IC表面の
拡大観察を行ない得るようになっている。 【0033】前記イオンビームの電荷によるスポットの
乱れを防ぐ手段89は、偏向電極76とIC素子間に設
置されている。このスポットの乱れを防ぐ手段89の図
8に示すものは、イオンビームの通過方向と交差する方
向に電子シャワ890、891を対向装置しており、各
電子シャワ890、891はカップ型の本体892、そ
の内部に設けられたフィラメント893、本体892の
開口部に設けられた格子状の引出し電極894とを有し
て構成されている。そして、各電子シャワ890、89
1はフィラメント893から引出し電極894により1
00V程度の加速電圧で電子流895を引出し、該電子
流895をイオンビームの通過する空間に放出し、イオ
ンビームに負電荷を与えて中和するようになっている。
この図8中、符号68はイオンビーム、75、76は偏
向電極、90はIC素子である試料を示す。 【0034】次に、図6ないし図9a、bに関連して前
記実施例の素子修正装置の作用とともに本発明の素子修
正方法の一実施例態様を説明する。IC素子である試料
90を試料交換室41内において試料台60の上に載置
しついで試料交換室41を密閉し、真空排気系による予
備排気を行なった後、試料引出し具64を介して試料室
40に入れ、載物台55の上に載置する。 【0035】ついで、真空排気系により鏡筒39と試料
室40内を10~6Torr程度に真空引きし、その真空状
態に保つ。 【0036】次に、図6に示す装置において、試料とし
て図4または図16aに示すICチップまたはウエハを
載物台90の上に設置して配線切断する方法について説
明する。まず、高圧電源82によりフィラメント用電源
77、コントロール電極用電源78、及び引出し電極用
電源79を作動させて、液体金属イオン源のアパーチア
69から高輝度イオンビームを引出すと共にレンズ用電
源80、81を作動させて静電レンズ70、71、72
及びアパーチア70により0.3〜0.1μm乃至はそれ
以下のスポット系に集束させ、イオンビーム照射条件を
低エネルギーのビームにして、制御装置85からの制御
信号によりブランキング電極用電源83及び偏向電極用
電源84を介してブランキング電極73及び偏向電極7
5、76を制御して、ICチップまたはウエハのパツシ
ベーシヨン膜18の表面の観察領域に、0.3〜0.1μ
m乃至はそれ以下のスポット径のイオンビームスポット
が走査照射し、段差を有するパツシベーシヨン膜18の
表面上の各点における2次荷電粒子検出器86から出力
される2次電子または2次イオンによるパツシベーショ
ン膜18の段差表面の拡大像をSIM観察装置87のブ
ラウン管88により観察し、観察される拡大像から得ら
れるパツシベーシヨン膜18の段差情報に基いて図9a
に示す1μm以下の配線を切断すべく範囲(切断個所)
を設定する。そして、インオビーム照射条件をスパッタ
加工できるようにエネルギーを10KeV以上にして、
制御装置85からの制御信号により設定された配線の切
断すべき個所に、0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のス
ポット径に集束されたイオンビームスポットを走査照射
して、図12aまたは図16bに示すようにパッシベー
シヨン膜18に穴をあけ、更に図12bまたは図16b
に示すようにその穴の下に位置する配線をスパッタ加工
して除去し、切断する。この場合、走査幅と配線幅を一
致させることが必要であり、これは偏向電圧の制御系に
より高精度を行なうことができる。 【0037】図9a、bにこの場合のスパッタ加工法に
より配線を切断する場合を示す。図9aにおいてパツシ
ベーシヨン膜18が被覆されたICチップまたはウエハ
上のAl配線のうち、12で示す矩形部分が切断する除
去すべき範囲であるとする。 【0038】このとき、SIM像として観察されたパツ
シベーシヨン膜18の段差位置情報に基いて設定された
12の部分に対して図9bに示す如く集束イオンビーム
200a、200b、200d、200c、…、200
zの順に偏向電極75、76により走査しつつ、集束照
射して照射部のパッシベーシヨン膜18への穴あけと照
射部の配線を除去して切断とを行なう。 【0039】図10は、本発明の実施例ではないところ
の参考図であり、図6の装置においてイオンビーム光学
系の構成をアパーチアの投影方式にかえた構成を示すも
のである。すなわち高輝度イオン源210から出たイオ
ンビームは静電レンズ201、202、203により平
行ビームとなりアパーチア204、205、206、2
07に入射する。このイオンビーム光学系は、図1に示
したレーザ光学系と同様の構成であり、アパーチアの像
をレンズ208、209により試料210上に縮小結像
投影するものである。ここで211は投影された像を示
す。たとえばレンズ208、209が倍率40倍のレン
ズとなるらばアパーチア部においてマイクロメータヘッ
ド204a、205a、206a、207aを調整して
40μmの矩形を±2μmの精度で設定するならば収差
を無視したとき試料表面においては1μmの矩形のイオ
ンビーム像が±0.05μmの精度で設定されることに
なる。 【0040】したがって、高精度の位置決めが容易に行
なえ、有利である。この場合は図9aにおいて矩形12
の部分にイオンビームが照射されるようにアパーチアを
設定しイオンビームの照射をして配線11の切断を行な
う。 【0041】図6に示すようなイオンビーム光学系を用
いて図2bに示す如く、本発明の対象外であるパツシベ
ーシヨン膜のないICの配線切断を行なう場合において
もイオンビームのスパッタリング加工によりAl配線1
5のみが精度よく周辺への影響の損傷なしに除去でき、
図11のような断面が得られる。 【0042】次に図4のごときパツシベーシヨンコート
を有する配線の切断を行なう場合においては、イオンビ
ームによる加工では表面のパツシベーシヨン膜から順に
加工してゆくため、まず図12aのごとくAl配線15
の表面までパツシベーシヨン膜18を加工し、次に、A
l配線15を加工して図12bのごとき断面を得る。 【0043】この場合においてもレーザ加工の場合と異
なり、周辺の損傷、パツシベーシヨン膜のクラック、下
部及び隣接部への損傷は全くみられない。 【0044】図13は本発明の別の実施例である装置の
主要断面図を示す。ここで真空排気系、二次電子像ディ
スプレー、試料交換室、架台等は図6と同様であり、省
略されている。 【0045】液体金属イオン源65はAl−Si、Au−
Siなどの合金イオン源であるとする。引出し電極66
により引出され、コントロール電極67により制御を受
けたイオンビームはレンズ70、71、72により平行
ビームとされ、アパーチア101によりその一部をとり
出され、EXBマスフィルター(質量分離装置)102
を通過する際にEXBマスフィルター102の電源制御
部115によってこれにかける電界E、磁界Bを調節
し、特定の質量のイオンのみが直進して下部のアパーチ
ア103を通過し、他の質量のイオンはビーム104の
ように方向が曲げられて、アパーチア103により蹴ら
れて下方へ到達できないようにできる。直進したイオン
は、集束用のレンズ104、105、106で集束さ
れ、ブランキング電極73、偏向電極75、76を経
て、試料面90に到達する。 【0046】試料室102は119の通路から排気ポン
プにより排気されている。試料室120には、N2ガ
ス、O2ガスなどのガスボンベ109からのガス導入ノ
ズル107が設置されており、ボンベの弁は、コントロ
ーラ117により制御される。また試料室120に設置
された真空計110により試料室120の内部の真空度
をモニターし、コントローラ117により一定のガス濃
度となるように弁108をコントロールする。試料室に
は、二次電子ディテクター86の他に4重極質量分析管
などの2次イオン質量分析計111を有しており、試料
90にイオンビームが照射されるときこれより出来る2
次イオンの質量分析を行なう系は1つの制御装置118
により制御され、2次イオン質量分析計111のコント
ローラ112の信号はこれに入る。また113はイオン
源電源制御部で、イオン源のヒータ65の電流、引出し
電極66の電圧、コントロール電極67の電圧等をコン
トロールするものである。114は第1レンズの電源制
御部で、第1レンズ70、71、72を制御するもので
ある。115は電源制御部で、EXBマスフィルタ10
2の電源を制御するものである。116は電源制御部で
第2レンズ104、105、106の電源を制御するも
のである。 【0047】118は制御装置で、イオン源電源制御部
113、第1レンズの電源制御部114、EXBマスフ
ィルタの電源制御部115及び第2レンズの電源制御部
116等を全て制御する。この他、図では省略されてい
るが、ブランキング電極73、偏向電極75、76の電
源制御部も、制御装置118によりコントロールをうけ
る。 【0048】図14aは、二次イオン質量分析管の出力
を示すものである。図14bのように、Si上にAlの薄
膜を有する試料の上部からイオンビームにより加工して
ゆく場合において、2次イオン電流は図14aのように
はじめはAlのみ(実線)を示す。しかしAlとSiの境
界が近くなると、Si(点線)がみられるようになり、
境界においてこれが交替し、更に加工を続けるとAlが
出なくなってSiのみとなる。このようにして加工が境
界部に達した時点t1を検出することができる。この信
号を用いれば図13の制御装置118によりAlのみが
加工された時点t1でイオンビームの照射を止めるなど
の制御を行なうことができる。 【0049】図13によれば、図12bのように上部の
パツシベーシヨン膜を除いてAl配線を切断した後にパ
ツシベーシヨン膜の穴を埋めることができる。すなわ
ち、イオン源65としてたとえばAu−Si合金イオン源
を用いてEXBマスセパレータ102によりAuイオン
のみをとり出して加工し、図12bのようにパツシベー
シヨン膜、Al配線を加工した後、EXBマスセパレー
タにかける電界、磁界を変更し、Siイオンのみをとり
出すようにする。また、ガスボンベ109の弁108を
開き、O2ガスを試料室120へ導入し、真空計により
圧力を測定して一定の圧力になるようにコントローラ1
17で弁108の開閉を制御する。 【0050】また、第1レンズと第2レンズにかける電
圧を電源制御部114、116で変更してイオンビーム
が試料部へ数KeV〜数10eVのエネルギーで微細に集
束されつつ入射するようにする。(加工を行なう場合は
エネルギーは10KeV以上である。)このような低エ
ネルギーでは、イオンビームは試料表面に付着し、デポ
ジションが行なわれる。 【0051】以上のようであるから、図12bパツシベ
ーシヨン膜18の開孔部にO2雰囲気中でSiイオンビー
ムを照射し、これにより図15に示したようにSiO2膜
111を蒸着することができる。 【0052】導入するガスとしてO2の代りにN2を用い
れば、Si3N4膜を蒸着することもできる。これにより
Al配線の切断部の上のパツシベーシヨン膜の孔を埋め
て、パツシベーシヨン膜の再コートを行なうことがで
き、素子の劣化を防ぐことができ、また電気特性を安定
化できる。 【0053】図16a〜eは図13に示した装置による
新たな実施例である。すなわちAl配線が上下二層に走
っていてその交叉部において下層部をイオンビームで切
断する方法を示す。 【0054】図16aにおいてSi301の上にSiO2
の絶縁膜309を介してAl配線302が左右に走り、
その上にSiO2絶縁膜303を介してAl配線304が
紙面垂直方向に走っている。さらにその上にSiO2のパ
ツシベーシヨン膜305が形成されている。この場合に
おいて下部のAl配線309のみを切断する方法を以下
に示す。図13の装置でイオン源65としてAl−Si合
金イオン源を用いEXBマスセパレータ102によりA
lイオンビームのみを分離して下方へとり出し、図16
aの試料に照射して下部のAl配線まで加工し、図16
bのごとき断面を得る。次にEXBマスセパレータ10
2の電界磁界を変更して、Siイオンビームのみを下方
へとりだし、またガスボンベ109からO2を試料室1
02へ導入する。またレンズの電圧をコントロールして
数KeV以下のエネルギーでSiイオンビームが集束しつ
つ試料に照射されるようにする。このようにして前に詳
しく述べた方法によりSiO2膜をもとの上部Al配線の
下部の高さまで加工部に蒸着して図16cのごとき断面
を得る。さらにその後試料室をO2ガスを止めて排気し
た無酸素雰囲気にし、かつEXBマスセパレータ102
によりAlのみをとり出し、数KeV以下のエネルギーに
て図16dの307のようなAl蒸着層を得て、もとの
上部Al配線を再形成する。さらに前と同じ方法でこの
上にSiO2膜308を蒸着してパツシベーシヨン層とす
る。以下によりAl配線の交叉部において下部のAl配線
のみの切断を行なうことができた。 【0055】上記図13は合金イオン源を用いてEXB
マスセパレータによりそのうちの一種類の金属をとり出
すやり方であるが、適当な合金イオン源が存在しない場
合は何種かのイオン源を用意して切換る必要がある。図
17aはこのような装置の一例であり、図17bはその
断面を示すものである。図17aにおいて、鏡筒部40
3はレンズ413デフレクタ414などの素子をふく
む。イオン源部は複数個の異なる元素イオン源の容器4
06a、406b、406c、…が円柱状の回転体41
5にとりつけられており、鏡筒部に接続した真空容器4
16に納められている。これらのイオン源容器はイオン
源部407a、407b、407c、…引出し電極40
8a、408b、408c、…コントロール電極409
a、409ba、409、…を含んでいる。ヒータ電流、
引出し電圧、コントロール電圧等は高圧ケーブル412
によりターミナルをかねた導入端子411を介して分岐
ケーブル410a、410b、410c、…により各イ
オン源へと導入されている。図17aにおいて407a
のイオン源が光学系と接続されて用いられているが、回
転体415を軸405を中心に回転させてイオン源40
7b、407c、…に切換えて用いることができる。こ
の装置において光学系の軸にイオン源が高精度に合致さ
れるような角度よみとり機構、微調機構、固定機構がと
りつけられているが図では省略されている。 【0056】この装置を用いれば、図13の場合のよう
に特定の合金をつくる金属イオン種だけでなく、任意の
液体金属イオン源(あるいはその他の種類のイオン源)
の組合せにより上記した配線修理プロセスの遂行が可能
となる。 【0057】上記実施例では液体金属イオン源を用いた
場合につき説明したが、他の種類の高輝度イオン源、例
えば極低温の電界電離イオン源、マイクロ放電形イオン
源を適用することができる場合がある。 【0058】 【発明の効果】本発明によれば、1μm以下の配線幅の
配線上に保護膜を被覆したVLSI、ULSI等の完成
されたIC素子に対して、従来のレーザ加工法では良好
な加工が困難であった上部にパツシベーシヨンコートを
有するような微細な配線部について配線切断加工個所等
に局所成膜によって修正加工して、その個所の保護や配
線間の配線接続ができ、その結果不良箇所の解析、修正
などを行なうことができ、開発期間の大幅な短縮、開発
時における歩留り向上などを実現することができる効果
を奏する。
配線パターンの修正を行なうIC素子の修正方法及びそ
の装置に関するものである。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路、CaAs素子、磁気バル
ブメモリ、ジョセフソン素子などにおいてはパターン
幅、配線幅が微細化の一途をたどっている。すなわち3
μm幅から2μm幅の素子が実現され、そして1.5μ
m、1μm、サブミクロンの配線幅の素子が開発されつ
つある。これらの素子に対し、従来、デバイス開発段階
においてデバッグのための配線切断が、また素子の製作
段階において不良箇所の救済、書込み、抵抗値、容量、
調整のための素子の一部の切断、接続などの手段がとら
れてきた。 【0003】以下、代表的な用例として、デバッグのた
めのAl配線の切断につき述べる。以下に示す例が、Au
やPoli Silicon等の配線にも適用できることは明ら
かである。 【0004】半導体集積回路(以下“IC”とよぶ)に
おいては設計開発工程において設計不良、プロセス不良
のため、試作したチップがそのままでは動作しないこと
が多い。この場合不良箇所を判定するためには、その周
辺の配線を切断して動作試験等を行なうことが必要とな
る。5μm以上のパターンにおいてはこのための手段と
して顕微鏡でデバイスを観察しながらマニユピレータに
とりつけた細い金属針により引っかいて切断する方法が
用いられていた。しかしながらこの方法は成功率が低く
熟練を要するため3μmパターン以下のICでは使用不
可能である。図1にレーザによりICの配線の切断を行
なう装置を示す。レーザ発振器1から出たレーザビーム
1aはミラー2で反射されて後、レンズ3a、3bの組
合せから成るビームエクスパンダー3によりビーム径を
拡げられ、可変スリット5、6による矩形パターンの縮
小投影像をレンズ7により載物台9の上に置かれた試料
8の上に結像する。この場合において参照光用ランプ2
aからの光は凹面鏡2bにより反射され、レンズ2cに
より平行ビームとされてレーザビームと同じ経路を通っ
て配線上に結像するのでこれを用いてレーザ除去部の位
置決め等が可能となる。すなわち図2aにおいてAl配
線部11は配線のない部分10に隣接している。 【0005】すなわちその断面は図2bのようであり、
Si基板13上にSiO2の絶縁層14を介してAl配線1
5が形成されている。図1において参照光2dによるス
リット5、6の像12が投影されるが、スリットの幅を
マイクロメータ5a、6aにより調整して切断すべき配
線11の幅に合わせる。そののちレーザを照射すればレ
ーザ光は全く同じ位置12に結像してこの部分を除去す
る。この場合に以下のような問題が存在した。すなわち
レーザにより溶融した部分が周辺に飛散して隣接部分に
付着し、特性を劣化し、また短絡を生じたりする。また
下部のSiへ損傷を生じさせ、またSiの一部が溶融して
盛上ることによりAl配線との短絡を生じさせる。また
配線の側方においても隣接するAl配線のない部分に影
響を与えて下部のSiを損傷し、また上記と同様なAl−
Siの短絡を生じさせやすい。これは主としてレーザの
照射領域の位置決めが困難でレーザ光の一部がAl配線
のない部分に照射されたり、熱伝導とAlの飛散の際、
隣接するSi部分に損傷を与えるためである。 【0006】とくに図5のようにAl配線15の上にパ
ツシベーシヨン膜18がコートされている場合、これら
の膜18は一般にSiO2、Si3N4などで出来ていてレ
ーザ光に対して透明であるため、直接レーザにより加工
されず下部のAl配線15がレーザを吸収し、熱エネル
ギーを受けて、上部のパツシベーシヨン膜を破って飛び
出してゆくこととなる。したがってこの場合には飛散す
るAl粒子はパツシベーシヨン膜がないときに比べては
るかに高いエネルギーを有しており、図3にみられるよ
うに下部や周辺に損傷を与えやすくまたパツシベーシヨ
ン膜自体にもクラックを生じたりする。さらに切断部分
はパツシベーシヨン膜に穴20があいてしまい、容易に
これを埋める方法がないため特性の劣化を来たすという
ような問題点があった。 【0007】さらに、根本的な問題として、ICが微細
化、高集積化して配線幅が2μmから1.5μm、1μ
mそしてサブミクロンと狭くなっていく傾向に対してレ
ーザ加工による配線切断法は限界を有する。すなわち、
図1に示した結像投影法によってもまた、図7のごとく
レンズ21によりビームを細く絞り、焦点22に試料を
置いてこれを加工する場合でもレーザ光の回析限界のた
め波長(可視光で0.5μm)スポット径を得ることは
困難である。さらにレーザ加工法では材料がレーザ光を
吸収してこれが熱に変化してからこれを吹飛ばすという
過程を経るため熱伝導や溶融噴出などによる周辺の影響
を避けることは不可能であり、加工域、熱影響域はスポ
ット径よりも大きくなってしまうのが常であった。すな
わち実用的な最小加工寸法は1μm程度であり、このた
め1μm以下の配線パターンに対してレーザ加工法を適
用することは困難であった。また、従来技術として、特
開昭56−80131号公報、特開昭56−94630
号公報、アプライド、フイジックス、レター「ア ハイ
インテンシテイ スキヤニング イオン プローブウィ
ズ サブマイクロメータ スポット サイズ(Appl.P
hys.Lett.34(5)、“A highintesity scanning ion
probe with submicrometer spot size”)P310−31
1、1979年3月1日発行、および理化学研究所半導体工
学研究室応用物理学会応用電子物性分科会日本学術振興
会荷電粒子ビームの工業への応用第132委員会第13
回シンポジウム「イオン注入とサブミクロン加工」日時
昭和57年2月3日−5日第19−22頁「液体金属イ
オン源による微小集束装置」が知られている。 いずれ
の従来技術も、単に収束イオンビームによるスパッタエ
ッチング加工技術が記載されているに過ぎないものであ
る。そしてSIM観察装置は、単にスパッタエッチング
加工された状態を観察するものに過ぎないものである。 【0008】 【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来のレーザ加工によるICの配線切断法とその装
置の欠点をなくして、1μm以下の極微細配線上に段差
状の保護膜を有するVLSKI、ULSI等の完成され
たIC素子に対して、保護膜の下層に存在する配線を切
断した後、所望の個所に絶縁膜や配線層等を局所成膜し
て不良箇所の解析、修正などを行ない、開発期間の大幅
な短絡、開発時における歩留り向上などを実現できるよ
うにしたIC素子の修正方法及びその装置を提供するこ
とにある。 【0009】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、液体金属イオン源から放射された複数の
イオン種を含む高輝度イオンビームを集束させ、この集
束させた複数のイオン種を含む高輝度イオンビームをI
C素子の局所成膜しようとする個所付近のIC素子表面
の観察領域に偏向電極で走査させて照射し、この走査さ
せて照射した観察領域から発生する2次電子または2次
イオンを2次荷電粒子検出器で検出して偏向電極を制御
する偏向信号を受けて走査イオン顕微鏡に観察領域の拡
大SIM像を表示し、集束させた複数のイオン種を含む
高輝度イオンビームから特定のイオン種を質量分離手段
で分離してこの分離された特定のイオン種の高輝度イオ
ンビームを表示された拡大SIM像に基づいて偏向電極
で走査領域を制御してIC素子の局所成膜しようとする
個所に走査させて照射することによりIC素子に局所成
膜することを特徴とするIC素子の修正方法である。 【0010】また本発明は、少なくとも鏡筒と試料室と
を有して真空室を形成するように構成したIC素子の加
工装置において、鏡筒は、複数のイオン種を含む高輝度
イオンビームを放射する液体金属イオン源と、この液体
金属イオン源から放射された複数のイオン種から特定の
イオン種を分離する質量分離手段と、この質量分離手段
で分離された特定のイオン種の高輝度イオンビームを集
束させる荷電粒子光学系と、集束された特定のイオン種
の高輝度イオンビームの照射・停止を行なうブランキン
グ電極と、集束された特定のイオン種の高輝度イオンビ
ームを走査させる偏向電極とを備え、試料室は、IC素
子を設置する試料台と、荷電粒子光学系により集束され
た特定のイオン種の高輝度イオンビームをIC素子の表
面に照射することによってIC素子の表面から発生する
2次電子または2次イオンを検出する2次荷電粒子検出
器とを備え、2次荷電粒子検出器で検出された2次電子
または2次イオンに基づいてIC素子の表面の拡大SI
M像を表示する走査イオン顕微鏡手段と、集束された特
定のイオン種の高輝度イオンビームを局所成膜しようと
する所望の個所付近のIC素子表面上の観察領域に走査
照射させて走査イオン顕微鏡手段に観察領域の拡大SI
M画像が表示されるように偏向電極を制御し、拡大SI
M画像に基づいて特定のイオン種の高輝度イオンビーム
を所望の個所に走査照射させてこの所望の個所に局所成
膜するように偏向電極を制御し、局所成膜をした後に特
定のイオン種の高輝度イオンビームの照射を停止させる
ようにブランキング電極を制御する制御手段とを更に備
えたことを特徴とするIC素子の加工装置である。 【0011】 【作用】特に本発明の場合、0.3〜0.1μmないしは
それ以下のスポット径が得られること、かつ加工のプロ
セスがイオンとターゲット原子との衝突、散乱によるス
パッタ加工であるため熱拡散による周辺への影響がほと
んどないことから、0.3μm以下の寸法、加工が可能
であり、しかも0.3μm以下のスポット径のイオンビ
ームを局所成膜しようとする箇所付近の保護膜(パツシ
ベーシヨン膜)表面の観察領域に投影して走査させて照
射し、この走査して投影照射された保護膜表面の観察領
域から発生する2次電子または2次イオンを2次荷電粒
子検出器で検出して走査イオン顕微鏡に前記観察領域の
拡大SIM画像を表示して拡大観察し、この拡大観察さ
れた拡大SIM画像に基づいて図9bに示すように偏向
電極による走査領域を制御して、前記局所成膜しようと
する箇所において前記荷電粒子光学系により0.3μm
以下のイオンビームスポット径にして投影させたイオン
ビームを走査照射して絶縁膜等を局所成膜することによ
って配線切断個所等の保護をはかることができ、また局
所配線膜を形成して切断した配線間を接続することもで
きる。 【0012】 【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。 【0013】図6に、本発明に係る配線切断装置の一実
施例を示す。 【0014】この図6に示す装置は、架台37、真空容
器を構成する鏡筒39と試料室40、該試料室40に連
設された試料交換室41、真空排気系、試料であるマス
クの載物台55、液体金属イオン源65、コントロール
(バイアス)電極66、イオンビームの引出し電極6
7、アパーチア69、静電レンズ70、71、72、ブ
ラシキング電極73、アパーチア74、偏向電極75、
76、フィラメント用電源77、コントロール電極用電
源78、引出し電極用電源79、静電レンズ用電極8
0、81、高圧電源82、ブランキング電極用電源8
3、偏向電極用電源84、電源の制御装置85、試料室
40内に挿入された2次荷電粒子検出器86、SIM
(走査型イオン顕微鏡)観察装置87、イオンビームの
電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段89とを備えてい
る。 【0015】前記架台37は、エアサポート38により
防震措置が施されている。 【0016】前記試料室40および試料交換室41は、
前記架台37の上に設置され、試料室40の上に鏡筒3
9が設置されている。 【0017】前記試料室40と鏡筒39とは、ゲートバ
ルブ43で仕切られており、試料40と試料交換室41
とは、他のゲートバルブ43で仕切られている。 【0018】前記真空排気系は、オイルロータリポンプ
47、オイルトラップ48、イオンポンプ49、ターボ
分子ポンプ50、バルブ51、52、53、54、とを
有して構成されている。この真空排気系と前記鏡筒3
9、試料室40、試料交換室41とは真空パイプ44、
45、46を介して接続され、これら鏡筒39、試料室
40、試料交換室41とは真空パイプ44、45、46
を介して接続され、これら鏡筒39、試料室40、試料
交換室41を10~5Torr以下の真空にしうるようになっ
ている。 【0019】前記載物台55には、回転導入端子61、
62、63を介してX、Y、Z方向の移動マイクロメー
タ56、57、58が取付けられ、かつθ方向の移動リ
ング59が設けられており、載物台55はこれら移動マ
イクロメータ56、57、58と移動リング59とによ
りX、Y、Z方向の微動および水平面内における回転角
が調整されるようになっている。 【0020】前記載物台55の上には、試料台60が設
置され、該試料台60の上に試料が載置されるようにな
っている。そして、試料台60は試料引出し具64によ
り試料室40と試料交換室41間を移動しうるようにな
っており、試料交換時にはゲートバルブ43を開け、試
料台60を試料室40に引出し、ゲートバルブ43を閉
じ、試料交換室41の扉を開け、試料の交換、載置し、
扉を閉め、試料交換室41の予備排気を行なってからゲ
ートバルブ43を開け、試料台60を試料室40に入れ
るようになっている。なお、図6において試料を符号9
0で示す。 【0021】前記液体金属イオン源65は、鏡筒39の
頭部に、試料室40に対峙して設けられている。この液
体金属イオン源65の図7に示すものは、絶縁体で作ら
れたベース650、該ベース650にU型に取付けられ
たフィラメント651、652、タングステン等で作ら
れかつ両フィラメント651、652の先端部間にスポ
ット溶接等で取付けられた鋭いニードル653、該ニー
ドル653に取付けられたイオン源となる金属654と
を有して構成されている。イオン源となる金属654と
しては、Ca、In、Au、Bi、Sn、Cu等が用いられ
る。また前記フィラメント651、652はその電極6
51′、652′を通じて図6に示すように、高圧電源
82に接続されたフィラメント用電源77に接続されて
いる。 【0022】前記コントロール電極66は、液体金属イ
オン源65の下位に設置され、かつ高圧電源82に接続
されたコンクリート電極用電源78に接続されており、
このコントロール電極66の設置位置に低い正負の電圧
を印加し、イオンビームである電流を制御する。 【0023】前記イオンビームの引出し電極67は、コ
ントロール電極66の下位に設置され、かつ高圧電源8
2に接続された引出し電極用電源79に接続されてい
る。そして、前記液体金属イオン源65のフィラメント
651、652に電流を供給し、10~5Torr以下の真空
中において加熱溶融したうえで、引出し電極67に−数
10KVの負の電圧を印加すると、液体金属イオン源6
5のニードル653の先端部の極めて狭い領域からイオ
ンビームが引出される。なお、図6中のイオンビームを
符号68で示し、またスポットを符号68′で示す。 【0024】前記アパーチア69は、引出し電極67の
下位に設置されており、引出し電極67により引出され
たイオンビームの中央部付近のみを取出すようになって
いる。 【0025】前記静電レンズ70、71、72の組は、
アパーチア69の下位に配列され、かつ高圧電源82に
接続されたレンズ用電源80、81に接続されている。
これらの静電レンズ70、71、72は、アパーチア6
9により取出されたイオンビームを集束するようになっ
ている。 【0026】前記ブランキング電極73は、静電レンズ
72の下位に設置され、かつ制御装置85に接続された
ブランキング電極用電源83に接続されている。このブ
ランキング電極73は、極めて速い速度でイオンビーム
を試料に向かう方向と直交する方向に走査させ、ブラン
キング電極73の下位に設置されたアパーチア74の外
べはずし、IC素子へのイオンビームの照射を高速で停
止させるようになっている。 【0027】前記アパーチア74は、静電レンズ70、
71、72で集束されたイオンビームのスポットを、図
4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.1μm
乃至はそれ以下のスポット径で投影結像させるようにな
っている。 【0028】前記偏向電極75、76の組は、アパーチ
ア74の下位に設置され、かつ制御装置85に接続され
た偏向電極用電源84に接続されている。この偏向電極
75、76は、前記静電レンズ70、71、72で集束
されたイオンビームのスポットをX、Y方向に偏向さ
せ、図4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.
1μm乃至はそれ以下のスポット径で結ばせるようにな
っている。 【0029】前記液体金属イオン源65のフィラメント
用電源77、コントロール電極用電源78、イオンビー
ムの引出し電極用電源79、レンズ用電源80、81に
電圧を印加する高圧電源82には、数10KVのものが
使用される。 【0030】前記制御装置85は、ブランキング電極用
電源83および偏向電極用電源84を通じて、ブランキ
ング電極73および偏向電極75、76を一定のパター
ンにしたがって作動するように制御する。 【0031】前記2次荷電粒子検出器86は、試料室4
0内においてIC素子である試料に向かって設置され、
制御装置85からの制御信号により、ブランキング電極
用電源83を介してブランキング電極73および偏向電
極用電源84を介して偏向電極75、76が制御され、
図4または図16aに示すIC素子の段差を有するパツ
シベーシヨン膜(保護膜)18の表面の観察領域に、
0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のスポット径のイオン
ビームスポットが走査照射されたとき、段差を有するパ
ツシベーシヨン膜18の表面から出る2次電子または2
次イオンを受止め、段差に応じたその強度を電流の強弱
に変換し、その信号をSIM観察装置87に送るように
なっている。 【0032】前記SIM観察装置97は、ブラウン管8
8を備えている。そして、SIM観察装置87は、観察
領域について観察すべく、偏向電極用電源84からイオ
ンビームのX、Y方向の偏向量に関する信号を受け、こ
れと同期させてブラウン管88の輝点を走査し、かつそ
の輝点の輝度を前記2次荷電粒子検出器86から送られ
てくる電流強度の信号に応じて変化させることにより、
段差を有するパツシベーション膜18の表面上の各点に
おける2次電子放出能に応じた段差像が得られるSI
M、即ち走査型イオン顕微鏡の機能により、IC表面の
拡大観察を行ない得るようになっている。 【0033】前記イオンビームの電荷によるスポットの
乱れを防ぐ手段89は、偏向電極76とIC素子間に設
置されている。このスポットの乱れを防ぐ手段89の図
8に示すものは、イオンビームの通過方向と交差する方
向に電子シャワ890、891を対向装置しており、各
電子シャワ890、891はカップ型の本体892、そ
の内部に設けられたフィラメント893、本体892の
開口部に設けられた格子状の引出し電極894とを有し
て構成されている。そして、各電子シャワ890、89
1はフィラメント893から引出し電極894により1
00V程度の加速電圧で電子流895を引出し、該電子
流895をイオンビームの通過する空間に放出し、イオ
ンビームに負電荷を与えて中和するようになっている。
この図8中、符号68はイオンビーム、75、76は偏
向電極、90はIC素子である試料を示す。 【0034】次に、図6ないし図9a、bに関連して前
記実施例の素子修正装置の作用とともに本発明の素子修
正方法の一実施例態様を説明する。IC素子である試料
90を試料交換室41内において試料台60の上に載置
しついで試料交換室41を密閉し、真空排気系による予
備排気を行なった後、試料引出し具64を介して試料室
40に入れ、載物台55の上に載置する。 【0035】ついで、真空排気系により鏡筒39と試料
室40内を10~6Torr程度に真空引きし、その真空状
態に保つ。 【0036】次に、図6に示す装置において、試料とし
て図4または図16aに示すICチップまたはウエハを
載物台90の上に設置して配線切断する方法について説
明する。まず、高圧電源82によりフィラメント用電源
77、コントロール電極用電源78、及び引出し電極用
電源79を作動させて、液体金属イオン源のアパーチア
69から高輝度イオンビームを引出すと共にレンズ用電
源80、81を作動させて静電レンズ70、71、72
及びアパーチア70により0.3〜0.1μm乃至はそれ
以下のスポット系に集束させ、イオンビーム照射条件を
低エネルギーのビームにして、制御装置85からの制御
信号によりブランキング電極用電源83及び偏向電極用
電源84を介してブランキング電極73及び偏向電極7
5、76を制御して、ICチップまたはウエハのパツシ
ベーシヨン膜18の表面の観察領域に、0.3〜0.1μ
m乃至はそれ以下のスポット径のイオンビームスポット
が走査照射し、段差を有するパツシベーシヨン膜18の
表面上の各点における2次荷電粒子検出器86から出力
される2次電子または2次イオンによるパツシベーショ
ン膜18の段差表面の拡大像をSIM観察装置87のブ
ラウン管88により観察し、観察される拡大像から得ら
れるパツシベーシヨン膜18の段差情報に基いて図9a
に示す1μm以下の配線を切断すべく範囲(切断個所)
を設定する。そして、インオビーム照射条件をスパッタ
加工できるようにエネルギーを10KeV以上にして、
制御装置85からの制御信号により設定された配線の切
断すべき個所に、0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のス
ポット径に集束されたイオンビームスポットを走査照射
して、図12aまたは図16bに示すようにパッシベー
シヨン膜18に穴をあけ、更に図12bまたは図16b
に示すようにその穴の下に位置する配線をスパッタ加工
して除去し、切断する。この場合、走査幅と配線幅を一
致させることが必要であり、これは偏向電圧の制御系に
より高精度を行なうことができる。 【0037】図9a、bにこの場合のスパッタ加工法に
より配線を切断する場合を示す。図9aにおいてパツシ
ベーシヨン膜18が被覆されたICチップまたはウエハ
上のAl配線のうち、12で示す矩形部分が切断する除
去すべき範囲であるとする。 【0038】このとき、SIM像として観察されたパツ
シベーシヨン膜18の段差位置情報に基いて設定された
12の部分に対して図9bに示す如く集束イオンビーム
200a、200b、200d、200c、…、200
zの順に偏向電極75、76により走査しつつ、集束照
射して照射部のパッシベーシヨン膜18への穴あけと照
射部の配線を除去して切断とを行なう。 【0039】図10は、本発明の実施例ではないところ
の参考図であり、図6の装置においてイオンビーム光学
系の構成をアパーチアの投影方式にかえた構成を示すも
のである。すなわち高輝度イオン源210から出たイオ
ンビームは静電レンズ201、202、203により平
行ビームとなりアパーチア204、205、206、2
07に入射する。このイオンビーム光学系は、図1に示
したレーザ光学系と同様の構成であり、アパーチアの像
をレンズ208、209により試料210上に縮小結像
投影するものである。ここで211は投影された像を示
す。たとえばレンズ208、209が倍率40倍のレン
ズとなるらばアパーチア部においてマイクロメータヘッ
ド204a、205a、206a、207aを調整して
40μmの矩形を±2μmの精度で設定するならば収差
を無視したとき試料表面においては1μmの矩形のイオ
ンビーム像が±0.05μmの精度で設定されることに
なる。 【0040】したがって、高精度の位置決めが容易に行
なえ、有利である。この場合は図9aにおいて矩形12
の部分にイオンビームが照射されるようにアパーチアを
設定しイオンビームの照射をして配線11の切断を行な
う。 【0041】図6に示すようなイオンビーム光学系を用
いて図2bに示す如く、本発明の対象外であるパツシベ
ーシヨン膜のないICの配線切断を行なう場合において
もイオンビームのスパッタリング加工によりAl配線1
5のみが精度よく周辺への影響の損傷なしに除去でき、
図11のような断面が得られる。 【0042】次に図4のごときパツシベーシヨンコート
を有する配線の切断を行なう場合においては、イオンビ
ームによる加工では表面のパツシベーシヨン膜から順に
加工してゆくため、まず図12aのごとくAl配線15
の表面までパツシベーシヨン膜18を加工し、次に、A
l配線15を加工して図12bのごとき断面を得る。 【0043】この場合においてもレーザ加工の場合と異
なり、周辺の損傷、パツシベーシヨン膜のクラック、下
部及び隣接部への損傷は全くみられない。 【0044】図13は本発明の別の実施例である装置の
主要断面図を示す。ここで真空排気系、二次電子像ディ
スプレー、試料交換室、架台等は図6と同様であり、省
略されている。 【0045】液体金属イオン源65はAl−Si、Au−
Siなどの合金イオン源であるとする。引出し電極66
により引出され、コントロール電極67により制御を受
けたイオンビームはレンズ70、71、72により平行
ビームとされ、アパーチア101によりその一部をとり
出され、EXBマスフィルター(質量分離装置)102
を通過する際にEXBマスフィルター102の電源制御
部115によってこれにかける電界E、磁界Bを調節
し、特定の質量のイオンのみが直進して下部のアパーチ
ア103を通過し、他の質量のイオンはビーム104の
ように方向が曲げられて、アパーチア103により蹴ら
れて下方へ到達できないようにできる。直進したイオン
は、集束用のレンズ104、105、106で集束さ
れ、ブランキング電極73、偏向電極75、76を経
て、試料面90に到達する。 【0046】試料室102は119の通路から排気ポン
プにより排気されている。試料室120には、N2ガ
ス、O2ガスなどのガスボンベ109からのガス導入ノ
ズル107が設置されており、ボンベの弁は、コントロ
ーラ117により制御される。また試料室120に設置
された真空計110により試料室120の内部の真空度
をモニターし、コントローラ117により一定のガス濃
度となるように弁108をコントロールする。試料室に
は、二次電子ディテクター86の他に4重極質量分析管
などの2次イオン質量分析計111を有しており、試料
90にイオンビームが照射されるときこれより出来る2
次イオンの質量分析を行なう系は1つの制御装置118
により制御され、2次イオン質量分析計111のコント
ローラ112の信号はこれに入る。また113はイオン
源電源制御部で、イオン源のヒータ65の電流、引出し
電極66の電圧、コントロール電極67の電圧等をコン
トロールするものである。114は第1レンズの電源制
御部で、第1レンズ70、71、72を制御するもので
ある。115は電源制御部で、EXBマスフィルタ10
2の電源を制御するものである。116は電源制御部で
第2レンズ104、105、106の電源を制御するも
のである。 【0047】118は制御装置で、イオン源電源制御部
113、第1レンズの電源制御部114、EXBマスフ
ィルタの電源制御部115及び第2レンズの電源制御部
116等を全て制御する。この他、図では省略されてい
るが、ブランキング電極73、偏向電極75、76の電
源制御部も、制御装置118によりコントロールをうけ
る。 【0048】図14aは、二次イオン質量分析管の出力
を示すものである。図14bのように、Si上にAlの薄
膜を有する試料の上部からイオンビームにより加工して
ゆく場合において、2次イオン電流は図14aのように
はじめはAlのみ(実線)を示す。しかしAlとSiの境
界が近くなると、Si(点線)がみられるようになり、
境界においてこれが交替し、更に加工を続けるとAlが
出なくなってSiのみとなる。このようにして加工が境
界部に達した時点t1を検出することができる。この信
号を用いれば図13の制御装置118によりAlのみが
加工された時点t1でイオンビームの照射を止めるなど
の制御を行なうことができる。 【0049】図13によれば、図12bのように上部の
パツシベーシヨン膜を除いてAl配線を切断した後にパ
ツシベーシヨン膜の穴を埋めることができる。すなわ
ち、イオン源65としてたとえばAu−Si合金イオン源
を用いてEXBマスセパレータ102によりAuイオン
のみをとり出して加工し、図12bのようにパツシベー
シヨン膜、Al配線を加工した後、EXBマスセパレー
タにかける電界、磁界を変更し、Siイオンのみをとり
出すようにする。また、ガスボンベ109の弁108を
開き、O2ガスを試料室120へ導入し、真空計により
圧力を測定して一定の圧力になるようにコントローラ1
17で弁108の開閉を制御する。 【0050】また、第1レンズと第2レンズにかける電
圧を電源制御部114、116で変更してイオンビーム
が試料部へ数KeV〜数10eVのエネルギーで微細に集
束されつつ入射するようにする。(加工を行なう場合は
エネルギーは10KeV以上である。)このような低エ
ネルギーでは、イオンビームは試料表面に付着し、デポ
ジションが行なわれる。 【0051】以上のようであるから、図12bパツシベ
ーシヨン膜18の開孔部にO2雰囲気中でSiイオンビー
ムを照射し、これにより図15に示したようにSiO2膜
111を蒸着することができる。 【0052】導入するガスとしてO2の代りにN2を用い
れば、Si3N4膜を蒸着することもできる。これにより
Al配線の切断部の上のパツシベーシヨン膜の孔を埋め
て、パツシベーシヨン膜の再コートを行なうことがで
き、素子の劣化を防ぐことができ、また電気特性を安定
化できる。 【0053】図16a〜eは図13に示した装置による
新たな実施例である。すなわちAl配線が上下二層に走
っていてその交叉部において下層部をイオンビームで切
断する方法を示す。 【0054】図16aにおいてSi301の上にSiO2
の絶縁膜309を介してAl配線302が左右に走り、
その上にSiO2絶縁膜303を介してAl配線304が
紙面垂直方向に走っている。さらにその上にSiO2のパ
ツシベーシヨン膜305が形成されている。この場合に
おいて下部のAl配線309のみを切断する方法を以下
に示す。図13の装置でイオン源65としてAl−Si合
金イオン源を用いEXBマスセパレータ102によりA
lイオンビームのみを分離して下方へとり出し、図16
aの試料に照射して下部のAl配線まで加工し、図16
bのごとき断面を得る。次にEXBマスセパレータ10
2の電界磁界を変更して、Siイオンビームのみを下方
へとりだし、またガスボンベ109からO2を試料室1
02へ導入する。またレンズの電圧をコントロールして
数KeV以下のエネルギーでSiイオンビームが集束しつ
つ試料に照射されるようにする。このようにして前に詳
しく述べた方法によりSiO2膜をもとの上部Al配線の
下部の高さまで加工部に蒸着して図16cのごとき断面
を得る。さらにその後試料室をO2ガスを止めて排気し
た無酸素雰囲気にし、かつEXBマスセパレータ102
によりAlのみをとり出し、数KeV以下のエネルギーに
て図16dの307のようなAl蒸着層を得て、もとの
上部Al配線を再形成する。さらに前と同じ方法でこの
上にSiO2膜308を蒸着してパツシベーシヨン層とす
る。以下によりAl配線の交叉部において下部のAl配線
のみの切断を行なうことができた。 【0055】上記図13は合金イオン源を用いてEXB
マスセパレータによりそのうちの一種類の金属をとり出
すやり方であるが、適当な合金イオン源が存在しない場
合は何種かのイオン源を用意して切換る必要がある。図
17aはこのような装置の一例であり、図17bはその
断面を示すものである。図17aにおいて、鏡筒部40
3はレンズ413デフレクタ414などの素子をふく
む。イオン源部は複数個の異なる元素イオン源の容器4
06a、406b、406c、…が円柱状の回転体41
5にとりつけられており、鏡筒部に接続した真空容器4
16に納められている。これらのイオン源容器はイオン
源部407a、407b、407c、…引出し電極40
8a、408b、408c、…コントロール電極409
a、409ba、409、…を含んでいる。ヒータ電流、
引出し電圧、コントロール電圧等は高圧ケーブル412
によりターミナルをかねた導入端子411を介して分岐
ケーブル410a、410b、410c、…により各イ
オン源へと導入されている。図17aにおいて407a
のイオン源が光学系と接続されて用いられているが、回
転体415を軸405を中心に回転させてイオン源40
7b、407c、…に切換えて用いることができる。こ
の装置において光学系の軸にイオン源が高精度に合致さ
れるような角度よみとり機構、微調機構、固定機構がと
りつけられているが図では省略されている。 【0056】この装置を用いれば、図13の場合のよう
に特定の合金をつくる金属イオン種だけでなく、任意の
液体金属イオン源(あるいはその他の種類のイオン源)
の組合せにより上記した配線修理プロセスの遂行が可能
となる。 【0057】上記実施例では液体金属イオン源を用いた
場合につき説明したが、他の種類の高輝度イオン源、例
えば極低温の電界電離イオン源、マイクロ放電形イオン
源を適用することができる場合がある。 【0058】 【発明の効果】本発明によれば、1μm以下の配線幅の
配線上に保護膜を被覆したVLSI、ULSI等の完成
されたIC素子に対して、従来のレーザ加工法では良好
な加工が困難であった上部にパツシベーシヨンコートを
有するような微細な配線部について配線切断加工個所等
に局所成膜によって修正加工して、その個所の保護や配
線間の配線接続ができ、その結果不良箇所の解析、修正
などを行なうことができ、開発期間の大幅な短縮、開発
時における歩留り向上などを実現することができる効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のレーザによる配線切断装置の構成を示す
略断面図。 【図2】aはそれによるAl配線の切断法を示すICの
Al配線部の平面図、bは同断面図である。 【図3】Al配線のレーザによる切断時の周辺への影響
を示す平面図。 【図4】a、bは各々試料の断面図。 【図5】従来のレーザによる配線切断装置の構成を示す
略断面図。 【図6】本発明のイオンビームによる配線切断装置の一
実施例の構成を示す略断面図。 【図7】液体金属イオン源を示す斜視図。 【図8】電子シャワーによりビームを中性化する手段の
略断面図。 【図9】a、bは各々イオンビームの走査による配線切
断を示す正面図。 【図10】本発明の実施例ではないところの投影方式に
よるイオンビームの配線切断装置の構成を示す略断面
図。 【図11】試料断面図。 【図12】a、bは各々試料断面図。 【図13】合金イオン源と質量分析器を備えたイオンビ
ームによる配線修理装置の構成を示す略断面図。 【図14】aは質量分析装置の出力を示す図、bは試料
断面図。 【図15】試料断面図。 【図16】a〜eは下部の配線を切断する方法を示す断
面図。 【図17】aは多くのイオン鏡をそなえたイオンビーム
による配線切断装置を示す図、bはその断面図である。 【符号の説明】 37…架台、 40…試料室。 41…試料交換室、 55…載物台、 65…液体金属イオン源、 85…2次荷電粒子検出器。
略断面図。 【図2】aはそれによるAl配線の切断法を示すICの
Al配線部の平面図、bは同断面図である。 【図3】Al配線のレーザによる切断時の周辺への影響
を示す平面図。 【図4】a、bは各々試料の断面図。 【図5】従来のレーザによる配線切断装置の構成を示す
略断面図。 【図6】本発明のイオンビームによる配線切断装置の一
実施例の構成を示す略断面図。 【図7】液体金属イオン源を示す斜視図。 【図8】電子シャワーによりビームを中性化する手段の
略断面図。 【図9】a、bは各々イオンビームの走査による配線切
断を示す正面図。 【図10】本発明の実施例ではないところの投影方式に
よるイオンビームの配線切断装置の構成を示す略断面
図。 【図11】試料断面図。 【図12】a、bは各々試料断面図。 【図13】合金イオン源と質量分析器を備えたイオンビ
ームによる配線修理装置の構成を示す略断面図。 【図14】aは質量分析装置の出力を示す図、bは試料
断面図。 【図15】試料断面図。 【図16】a〜eは下部の配線を切断する方法を示す断
面図。 【図17】aは多くのイオン鏡をそなえたイオンビーム
による配線切断装置を示す図、bはその断面図である。 【符号の説明】 37…架台、 40…試料室。 41…試料交換室、 55…載物台、 65…液体金属イオン源、 85…2次荷電粒子検出器。
フロントページの続き
(72)発明者 本郷 幹雄
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式
会社日立製作所生産技術研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.液体金属イオン源から放射された複数のイオン種を
含む高輝度イオンビームを集束させ、該集束させた複数
のイオン種を含む高輝度イオンビームをIC素子の局所
成膜しようとする個所付近の前記IC素子表面の観察領
域に偏向電極で走査させて照射し、該走査させて照射し
た観察領域から発生する2次電子または2次イオンを2
次荷電粒子検出器で検出して前記偏向電極を制御する偏
向信号を受けて走査イオン顕微鏡に前記観察領域の拡大
SIM像を表示し、前記集束させた複数のイオン種を含
む高輝度イオンビームから特定のイオン種を質量分離手
段で分離して該分離された特定のイオン種の高輝度イオ
ンビームを前記表示された拡大SIM像に基づいて前記
偏向電極で走査領域を制御して前記IC素子の局所成膜
しようとする個所に走査させて照射することにより前記
IC素子に局所成膜することを特徴とするIC素子の修
正方法。 2.前記局所成膜を、外部から導入したガスの雰囲気中
で形成することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
のIC素子の修正方法。 3.少なくとも鏡筒と試料室とを有して真空室を形成す
るように構成したIC素子の加工装置であって、前記鏡
筒は、複数のイオン種を含む高輝度イオンビームを放射
する液体金属イオン源と、該液体金属イオン源から放射
された前記複数のイオン種から特定のイオン種を分離す
る質量分離手段と、該質量分離手段で分離された特定の
イオン種の高輝度イオンビームを集束させる荷電粒子光
学系と、前記集束された特定のイオン種の高輝度イオン
ビームの照射・停止を行なうブランキング電極と、前記
集束された特定のイオン種の高輝度イオンビームを走査
させる偏向電極とを備え、前記試料室は、IC素子を設
置する試料台と、前記荷電粒子光学系により集束された
前記特定のイオン種の高輝度イオンビームを前記IC素
子の表面に照射することによって前記IC素子の表面か
ら発生する2次電子または2次イオンを検出する2次荷
電粒子検出器とを備え、前記2次荷電粒子検出器で検出
された前記2次電子または2次イオンに基づいて前記I
C素子の表面の拡大SIM像を表示する走査イオン顕微
鏡手段と、前記集束された特定のイオン種の高輝度イオ
ンビームを局所成膜しようとする所望の個所付近の前記
IC素子表面上の観察領域に走査照射させて前記走査イ
オン顕微鏡手段に前記観察領域の拡大SIM画像が表示
されるように前記偏向電極を制御し、前記拡大SIM画
像に基づいて前記特定のイオン種の高輝度イオンビーム
を前記所望の個所に走査照射させて該所望の個所に局所
成膜するように前記偏向電極を制御し、前記局所成膜を
した後に前記特定のイオン種の高輝度イオンビームの照
射を停止させるように前記ブランキング電極を制御する
制御手段とを更に備えたことを特徴とするIC素子の修
正装置。 4.前記試料室は、該試料室内のIC素子の表面近傍に
ガスを導入するガス導入手段を更に備え、該ガス導入手
段により前記IC素子の表面近傍にガスを導入した状態
で前記高輝度イオンビームを前記所望の個所に走査照射
させることにより前記所望の個所に局所成膜するように
構成したことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の
IC素子の修正装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7101914A JP2829254B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Ic素子の修正方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP7101914A JP2829254B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Ic素子の修正方法及びその装置 |
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JPH08153721A true JPH08153721A (ja) | 1996-06-11 |
JP2829254B2 JP2829254B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=14313184
Family Applications (1)
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JP7101914A Expired - Lifetime JP2829254B2 (ja) | 1995-04-26 | 1995-04-26 | Ic素子の修正方法及びその装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2829254B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1995
- 1995-04-26 JP JP7101914A patent/JP2829254B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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