JP2829231B2 - Ic素子の修正方法 - Google Patents
Ic素子の修正方法Info
- Publication number
- JP2829231B2 JP2829231B2 JP5284663A JP28466393A JP2829231B2 JP 2829231 B2 JP2829231 B2 JP 2829231B2 JP 5284663 A JP5284663 A JP 5284663A JP 28466393 A JP28466393 A JP 28466393A JP 2829231 B2 JP2829231 B2 JP 2829231B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- ion
- wiring
- film
- focused
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は高集積デバイスの微細な
配線パターンの修正を行なうIC素子の修正方法に関す
るものである。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路、CaAs素子、磁気バル
ブメモリ、ジョセフソン素子などにおいてはパターン
幅、配線幅が微細化の一途をたどっている。すなわち3
μ幅から2μ幅の素子が実現され、そして1.5μ,1
μ、サブミクロンの配線幅の素子が開発されつつある。
これらの素子に対し、従来、デバイス開発段階において
デバッグのための配線切断が、また素子の製作段階にお
いて不良箇所の救済、書込み、抵抗値、容量、調整のた
めの素子の一部の切断、接続などの手段がとられてき
た。 【0003】以下代表的な用例としてデバッグのための
Al配線の切断につき述べる。以下がAuやPoli Sili
con等の配線にも適用できることは明らかである。 【0004】半導体集積回路(以下“IC”とよぶ)に
おいては設計開発工程において設計不良、プロセス不良
のため、試作したチップがそのままでは動作しないこと
が多い。この場合不良箇所を判定するためには、その周
辺の配線を切断して動作試験等を行なうことが必要とな
る。5μ以上のパターンにおいてはこのための手段とし
て顕微鏡でデバイスを観察しながらマニユピレータにと
りつけた細い金属針により引っかいて切断する方法が用
いられていた。しかしながらこの方法は成功率が低く熟
練を要するため3μパターン以下のICでは使用不可能
である。図1にレーザによりICの配線の切断を行なう
装置を示す。レーザ発振器1から出たレーザビーム1a
はミラー2で反射されて後、レンズ3a,3bの組合せ
から成るビームエクスパンダー3によりビーム径を拡げ
られ、可変スリット5,6による矩形パターンの縮小投
影像をレンズ7により載物台9の上に置かれた試料8の
上に結像する。この場合において参照光用ランプ2aか
らの光は凹面鏡2bにより反射され、レンズ2cにより
平行ビームとされてレーザビームと同じ経路を通って配
線上に結像するのでこれを用いてレーザ除去部の位置決
め等が可能となる。すなわち図2aにおいてAl配線部
11は配線のない部分10に隣接している。すなわちそ
の断面は図2bのようであり、Si基板13上にSiO2
の絶縁層14を介してAl配線15が形成されている。
図1において参照光2dによるスリット5,6の像12
が投影されるが、スリットの幅をマイクロメータ5a,
6aにより調整して切断すべき配線11の幅に合わせ
る。そののちレーザを照射すればレーザ光は全く同じ位
置12に結像してこの部分を除去する。この場合に以下
のような問題が存在した。すなわちレーザにより溶融し
た部分が周辺に飛散して隣接部分に付着し、特性を劣化
し、また短絡を生じたりする。また下部のSiへ損傷を
生じさせ、またSiの一部が溶融して盛上ることにより
Al配線との短絡を生じさせる。また配線の側方におい
ても隣接するAl配線のない部分に影響を与えて下部の
Siを損傷し、また上記と同様なAl−Siの短絡を生じ
させやすい。これは主としてレーザの照射領域の位置決
めが困難でレーザ光の一部がAl配線のない部分に照射
されたり、熱伝導とAlの飛散の際、隣接するSi部分に
損傷を与えるためである。 【0005】特に図4(a)のように、AL配線15の
上にパッシベーション膜18がコートされている場合、
これらの膜18は一般にSiO2,Si3N4などでで
きていてレーザ光に対して透明であるため、直接レーザ
により加工されず下部のAl配線15がレーザを吸収
し、熱エネルギーを受けて、上部のパッシベーション膜
を破って飛び出してゆくことになる。したがって、この
場合には、飛散するAl粒子はパッシベーション膜がな
いときに比べてはるかに高いエネルギーを有しており、
図4(b)にみられるように下部や周辺に損傷を与えや
すくまたパッシベーション膜自体にもクラックを生じた
りする。さらに切断部分はパッシベーション膜に穴があ
いてしまい容易にこれを埋める方法がないため特性の劣
化を来すというような問題があった。 【0006】さらに、根本的な問題として、ICが微細
化、高集積化して配線幅が2μm〜1.5,1μmそし
てサブミクロンと狭くなっていく傾向に対してレーザ加
工による配線切断法は限界を有する。すなわち図1に示
した結像投影法によってもまた、図5のごとくレンズ2
1によりビームを細く絞り、焦点22に試料をおいてこ
れを加工する場合でもレーザ光の回折限界のため波長
(可視光で0.5μm)スポット径を得ることは困難で
ある。さらにレーザ加工法では材料がレーザ光を吸収し
てこれが熱に変化してからこれを吹き飛ばすという過程
を経るため熱伝導や溶融噴出などによる周辺の影響を避
けることは不可能であり、加工域、熱影響域はスポット
径よりも大きくなってしまうのが常であった。すなわち
実用的な最小加工寸法は1μm程度であり、このため1
μm以下の配線パターンに対してレーザ加工法を適用す
ることは困難であった。また、従来技術として特開昭5
6ー80131号公報、特開昭56ー94630号公
報、アプライド フィジックスレター「ア ハイインテ
ンシテイ スキャンニング イオン プローブ ウィズ
サブマイクロメータ スポット サイズ(Appl.
Phys.Lett.34(5),“A highin
tensity scanning ionplobe
with submicrometer spot
size”)P310−311、1979年3月1日発
行、および理化学研究所半導体工学研究室応用物理学会
応用電子物性分科会日本学術振興会荷電粒子ビームの工
業への応用第132委員会第13回シンポジウム「イオ
ン注入とサブミクロン加工」昭和57年2月3日ー5日
第19頁ー第22頁「液体金属イオン源による微笑集束
装置」が知られている。いずれの従来技術も、単に集束
イオンビームによるスパッタエッチング加工技術が記載
されているに過ぎないものである。そしてSIM観察装
置は、単にスパッタエッチング加工された状態を観察す
るものに過ぎないものである。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】本は発明の目的は、上
記した従来のレーザ加工によるICの配線切断法とその
装置の欠点をなくして、1μm以下の極微細配線上に段
差状の保護膜を有するVLSI,ULSI等の完成され
たIC素子に対して、保護膜の下層に存在する配線を切
断した後所望の個所に絶縁膜や配線層等を局所成膜して
不良個所の解析、修正などを行い、開発期間の大幅な短
縮、開発時における歩留り向上などを実現できるように
したIC素子の加工装置を提供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、IC素子の修正方法を、高輝度イオン源
から放射された高輝度イオンビームを集束させ、この集
束させた高輝度イオンビームを内部の真空度がモニタさ
れている試料室の記内部に設置したIC素子の表面に走
査して照射し、この照射によりIC素子の表面から発生
する2次電子または2次イオンを検出し、この検出した
2次電子または2次イオンに基づいてIC素子表面のS
IM像を表示し、モニタされた試料室の内部の圧力に基
づいて開閉を制御される弁を介して外部から処理室の内
部にノズルにより成膜材料成分を含むガスを供給し、こ
の供給された成膜材料成分を含むガスの雰囲気中で表示
されたSIM像に基づいて集束させた高輝度イオンビー
ムをIC素子の所望の個所に走査して照射することによ
りIC素子上に局所成膜する方法とした。 【0009】 【0010】また本発明は、上記目的を達成するため
に、IC素子の修正方法を、複数のイオン源を備えた高
輝度イオン源から複数のイオン源を切り換えて第1のイ
オン種からなる高輝度イオンビームをイオンビーム光学
系の光軸に合致させて引き出し、この引き出した高輝度
イオンビームを集束させ、この集束させた高輝度イオン
ビームをIC素子の表面に走査して照射し、この照射に
よりIC素子の表面から発生する2次電子または2次イ
オンを検出し、この検出した2次電子または2次イオン
に基づいてIC素子表面のSIM像を表示し、この表示
されたSIM像に基づいて高輝度イオンビームをIC素
子の表面の所望の個所を走査して照射することによりI
C素子上の所望の個所に第1の局所成膜を行い、次に複
数のイオン源を切り換えて第2のイオン種からなる高輝
度イオンビームをイオンビーム光学系の光軸に合致させ
て引き出し、この引き出した高輝度イオンビームを集束
させ、この集束させた高輝度イオンビームをIC素子の
表面に走査して照射することにより第1の局所成膜をし
た上に第2の局所成膜を行うようにした。 【0011】 【作用】特に本発明の場合、0.3〜0.1μないしはそ
れ以下のスポット径が得られること、かつ加工のプロセ
スがイオンとターゲット原子との衝突、散乱によるスパ
ッタ加工であるため熱拡散による周辺への影響がほとん
どないことから、0.3μ以下の寸法、加工が可能であ
り、しかも0.3μm以下のスポット径のイオンビーム
を局所成膜しようとする箇所付近の保護膜(パツシベー
シヨン膜)表面の観察領域に投影して走査させて照射
し、この走査して投影照射された保護膜表面の観察領域
から発生する2次電子または2次イオンを2次荷電粒子
検出器で検出して走査イオン顕微鏡に前記観察領域の拡
大SIM画像を表示して拡大観察し、この拡大観察され
た拡大SIM画像に基づいて図9bに示すように偏向電
極による走査領域を制御して、前記局所成膜しようとす
る箇所において前記荷電粒子光学系により0.3μm以
下のイオンビームスポット径にして投影させたイオンビ
ームを走査照射して絶縁膜等を局所成膜することによっ
て配線切断個所等の保護をはかることができ、また局所
配線膜を形成して切断した配線間を接続することもでき
る。 【0012】 【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
6に本発明に係る配線切断装置の一実施例を示す。 【0013】この図6に示す装置は、架台37、真空容
器を構成する鏡筒39と試料室40、該試料室40に連
設された試料交換室41、真空排気系、試料であるマス
クの載物台55、液体金属イオン源65、コントロール
(バイアス)電極66、イオンビームの引出し電極6
7、アパーチア69、静電レンズ70,71,72、ブ
ラシキング電極73、アパーチア74、偏向電極75,
76、フィラメント用電源77、コントロール電極用電
源78、引出し電極用電源79、静電レンズ用電極8
0,81、高圧電源82、ブランキング電極用電源8
3、偏向電極用電源84、電源の制御装置85、試料室
40内に挿入された2次荷電粒子検出器86、SIM
(走査型イオン顕微鏡)観察装置87、イオンビームの
電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段89とを備えてい
る。 【0014】前記架台37は、エアサポート38により
防震措置が施されている。前記試料室40および試料交
換室41は、前記架台37の上に設置され、試料室40
の上に鏡筒39が設置されている。 【0015】前記試料室40と鏡筒39とは、ゲートバ
ルブ43で仕切られており、試料40と試料交換室41
とは、他のゲートバルブ43で仕切られている。 【0016】前記真空排気系は、オイルロータリポンプ
47、オイルトラップ48、イオンポンプ49、ターボ
分子ポンプ50、バルブ51,52,53,54、とを
有して構成されている。この真空排気系と前記鏡筒3
9、試料室40、試料交換室41とは真空パイプ44,
45,46を介して接続され、これら鏡筒39、試料室
40、試料交換室41とは真空パイプ44,45,46
を介して接続され、これら鏡筒39、試料室40、試料
交換室41を10~5torr以下の真空にしうるようになっ
ている。 【0017】前記載物台55には、回転導入端子61,
62,63を介してX,Y,Z方向の移動マイクロメー
タ56,57,58が取付けられ、かつθ方向の移動リ
ング59が設けられており、載物台55はこれら移動マ
イクロメータ56,57,58と移動リング59とによ
りX,Y,Z方向の微動および水平面内における回転角
が調整されるようになっている。 【0018】前記載物台55の上には、試料台60が設
置され、該試料台60の上に試料が載置されるようにな
っている。そして、試料台60は試料引出し具64によ
り試料室40と試料交換室41間を移動しうるようにな
っており、試料交換時にはゲートバルブ43を開け、試
料台60を試料室40に引出し、ゲートバルブ43を閉
じ、試料交換室41の扉を開け、試料の交換、載置し、
扉を閉め、試料交換室41の予備排気を行なってからゲ
ートバルブ43を開け、試料台60を試料室40に入れ
るようになっている。なお、図6において試料を符号9
0で示す。 【0019】前記液体金属イオン源65は、鏡筒39の
頭部に、試料室40に対峙して設けられている。この液
体金属イオン源65の図7に示すものは、絶縁体で作ら
れたベース650、該ベス650にU型に取付けられた
フィラメント651,652、タングステン等で作られ
かつ両フィラメント651,652の先端部間にスポッ
ト溶接等で取付けられた鋭いニードル653、該ニード
ル653に取付けられたイオン源となる金属654とを
有して構成されている。イオン源となる金属654とし
ては、Ca,In,Au,Bi,Sn,Cu等が用いられる。
また前記フィラメント651,652はその電極65
1′,652′を通じて図6に示すように、高圧電源8
2に接続されたフィラメント用電源77に接続されてい
る。 【0020】前記コントロール電極66は、液体金属イ
オン源65の下位に設置され、かつ高圧電源82に接続
されたコンクリート電極用電源78に接続されており、
このコントロール電極66の設置位置に低い正負の電圧
を印加し、イオンビームである電流を制御する。 【0021】前記イオンビームの引出し電極67は、コ
ントロール電極66の下位に設置され、かつ高圧電源8
2に接続された引出し電極用電源79に接続されてい
る。そして、前記液体金属イオン源65のフィラメント
651,652に電流を供給し、10~5torr以下の真空
中において加熱溶融したうえで、引出し電極67に−数
10KVの負の電圧を印加すると、液体金属イオン源6
5のニードル653の先端部の極めて狭い領域からイオ
ンビームが引出される。なお、図6中のイオンビームを
符号68で示し、またスポットを符号68′で示す。 【0022】前記アパーチア69は、引出し電極67の
下位に設置されており、引出し電極67により引出され
たイオンビームの中央部付近のみを取出すようになって
いる。前記静電レンズ70,71,72の組は、アパー
チア69の下位に配列され、かつ高圧電源82に接続さ
れたレンズ用電源80,81に接続されている。これら
の静電レンズ70,71,72は、アパーチア69によ
り取出されたイオンビームを集束するようになってい
る。 【0023】前記ブランキング電極73は、静電レンズ
72の下位に設置され、かつ制御装置85に接続された
ブランキング電極用電源83に接続されている。このブ
ランキング電極73は、極めて速い速度でイオンビーム
を試料に向かう方向と直交する方向に走査させ、ブラン
キング電極73の下位に設置されたアパーチア74の外
べはずし、IC素子へのイオンビームの照射を高速で停
止させるようになっている。 【0024】前記アパーチア74は、静電レンズ70,
71,72で集束されたイオンビームのスポットを、図
4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.1μm
乃至はそれ以下のスポット径で投影結像させるようにな
っている。 【0025】前記偏向電極75,76の組は、アパーチ
ア74の下位に設置され、かつ制御装置85に接続され
た偏向電極用電源84に接続されている。この偏向電極
75,76は、前記静電レンズ70,71,72で集束
されたイオンビームのスポットをX,Y方向に偏向さ
せ、図4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.
1μm乃至はそれ以下のスポット径で結ばせるようにな
っている。 【0026】前記液体金属イオン源65のフィラメント
用電源77、コントロール電極用電源78、イオンビー
ムの引出し電極用電源79、レンズ用電源80,81に
電圧を印加する高圧電源82には、数10KVのものが
使用される。 【0027】前記制御装置85は、ブランキング電極用
電源83および偏向電極用電源84を通じて、ブランキ
ング電極73および偏向電極75,76を一定のパター
ンにしたがって作動するように制御する。 【0028】前記2次荷電粒子検出器86は、試料室4
0内においてIC素子である試料に向かって設置され、
制御装置85からの制御信号により、ブランキング電極
用電源83を介してブランキング電極73および偏向電
極用電源84を介して偏向電極75,76が制御され、
図4または図16aに示すIC素子の段差を有するパツ
シベーシヨン膜(保護膜)18の表面の観察領域に、
0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のスポット径のイオン
ビームスポットが走査照射されたとき、段差を有するパ
ツシベーシヨン膜18の表面から出る2次電子または2
次イオンを受止め、段差に応じたその強度を電流の強弱
に変換し、その信号をSIM観察装置87に送るように
なっている。 【0029】前記SIM観察装置97は、ブラウン管8
8を備えている。そして、SIM観察装置87は、観察
領域について観察すべく、偏向電極用電源84からイオ
ンビームのX,Y方向の偏向量に関する信号を受け、こ
れと同期させてブラウン管88の輝点を走査し、かつそ
の輝点の輝度を前記2次荷電粒子検出器86から送られ
てくる電流強度の信号に応じて変化させることにより、
段差を有するパツシベーション膜18の表面上の各点に
おける2次電子放出能に応じた段差像が得られるSI
M、即ち走査型イオン顕微鏡の機能により、IC表面の
拡大観察を行ない得るようになっている。 【0030】前記イオンビームの電荷によるスポットの
乱れを防ぐ手段89は、偏向電極76とIC素子間に設
置されている。このスポットの乱れを防ぐ手段89の図
8に示すものは、イオンビームの通過方向と交差する方
向に電子シャワ890,891を対向装置しており、各
電子シャワ890,891はカップ型の本体892、そ
の内部に設けられたフィラメント893、本体892の
開口部に設けられた格子状の引出し電極894とを有し
て構成されている。そして、各電子シャワ890,89
1はフィラメント893から引出し電極894により1
00V程度の加速電圧で電子流895を引出し、該電子
流895をイオンビームの通過する空間に放出し、イオ
ンビームに負電荷を与えて中和するようになっている。
この図8中、符号68はイオンビーム、75,76は偏
向電極、90はIC素子である試料を示す。 【0031】次に、図6ないし図9a,bに関連して前
記実施例の素子修正装置の作用とともに本発明の素子修
正方法の一実施例態様を説明する。IC素子である試料
90を試料交換室41内において試料台60の上に載置
しついで試料交換室41を密閉し、真空排気系による予
備排気を行なった後、試料引出し具64を介して試料室
40に入れ、載物台55の上に載置する。 【0032】ついで、真空排気系により鏡筒39と試料
室40内を10~6torr程度に真空引きし、その真空状態
に保つ。 【0033】次に、図6に示す装置において、試料とし
て図4または図16aに示すICチップまたはウエハを
載物台90の上に設置して配線切断する方法について説
明する。まず、高圧電源82によりフィラメント用電源
77、コントロール電極用電源78、及び引出し電極用
電源79を作動させて、液体金属イオン源のアパーチア
69から高輝度イオンビームを引出すと共にレンズ用電
源80,81を作動させて静電レンズ70,71,72
及びアパーチア70により0.3〜0.1μm乃至はそれ
以下のスポット系に集束させ、イオンビーム照射条件を
低エネルギーのビームにして、制御装置85からの制御
信号によりブランキング電極用電源83及び偏向電極用
電源84を介してブランキング電極73及び偏向電極7
5,76を制御して、ICチップまたはウエハのパツシ
ベーシヨン膜18の表面の観察領域に、0.3〜0.1μ
m乃至はそれ以下のスポット径のイオンビームスポット
が走査照射し、段差を有するパツシベーシヨン膜18の
表面上の各点における2次荷電粒子検出器86から出力
される2次電子または2次イオンによるパツシベーショ
ン膜18の段差表面の拡大像をSIM観察装置87のブ
ラウン管88により観察し、観察される拡大像から得ら
れるパツシベーシヨン膜18の段差情報に基いて図9a
に示す1μm以下の配線を切断すべく範囲(切断個所)
を設定する。そして、インオビーム照射条件をスパッタ
加工できるようにエネルギーを10KeV以上にして、
制御装置85からの制御信号により設定された配線の切
断すべき個所に、0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のス
ポット径に集束されたイオンビームスポットを走査照射
して、図12aまたは図16bに示すようにパッシベー
シヨン膜18に穴をあけ、更に図12bまたは図16b
に示すようにその穴の下に位置する配線をスパッタ加工
して除去し、切断する。この場合、走査幅と配線幅を一
致させることが必要であり、これは偏向電圧の制御系に
より高精度を行なうことができる。 【0034】図9a,bにこの場合のスパッタ加工法に
より配線を切断する場合を示す。図9aにおいてパツシ
ベーシヨン膜18が被覆されたICチップまたはウエハ
上のAl配線のうち、12で示す矩形部分が切断する除
去すべき範囲であるとする。このとき、SIM像として
観察されたパツシベーシヨン膜18の段差位置情報に基
いて設定された12の部分に対して図9bに示す如く集
束イオンビーム200a,200b,200d,200
c,…,200zの順に偏向電極75,76により走査
しつつ、集束照射して照射部のパッシベーシヨン膜18
への穴あけと照射部の配線を除去して切断とを行なう。 【0035】図10は、本発明の実施例ではないところ
の参考図であり、図6の装置においてイオンビーム光学
系の構成をアパーチアの投影方式にかえた構成を示すも
のである。すなわち高輝度イオン源210から出たイオ
ンビームは静電レンズ201,202,203により平
行ビームとなりアパーチア204,205,206,2
07に入射する。このイオンビーム光学系は、図1に示
したレーザ光学系と同様の構成であり、アパーチアの像
をレンズ208,209により試料210上に縮小結像
投影するものである。ここで211は投影された像を示
す。たとえばレンズ208,209が倍率40倍のレン
ズとなるらばアパーチア部においてマイクロメータヘッ
ド204a,205a,206a,207aを調整して
40μの矩形を±2μの精度で設定するならば収差を無
視したとき試料表面においては1μの矩形のイオンビー
ム像が±0.05μの精度で設定されることになる。し
たがって高精度の位置決めが容易に行なえ、有利であ
る。この場合は図9aにおいて矩形12の部分にイオン
ビームが照射されるようにアパーチアを設定しイオンビ
ームの照射をして配線11の切断を行なう。 【0036】図6に示すようなイオンビーム光学系を用
いて図2bに示す如く、本発明の対象外であるパツシベ
ーシヨン膜のないICの配線切断を行なう場合において
もイオンビームのスパッタリング加工によりAl配線1
5のみが精度よく周辺への影響の損傷なしに除去でき、
図11のような断面が得られる。 【0037】次に図4のごときパツシベーシヨンコート
を有する配線の切断を行なう場合においては、イオンビ
ームによる加工では表面のパツシベーシヨン膜から順に
加工してゆくため、まず図12aのごとくAl配線15
の表面までパツシベーシヨン膜18を加工し、次に、A
l配線15を加工して図12bのごとき断面を得る。こ
の場合においてもレーザ加工の場合と異なり、周辺の損
傷、パツシベーシヨン膜のクラック、下部及び隣接部へ
の損傷は全くみられない。 【0038】図13は本発明の別の実施例である装置の
主要断面図を示す。ここで真空排気系、二次電子像ディ
スプレー、試料交換室、架台等は図6と同様であり、省
略されている。 【0039】液体金属イオン源65はAl−Si,Au−
Siなどの合金イオン源であるとする。引出し電極66
により引出され、コントロール電極67により制御を受
けたイオンビームはレンズ70,71,72により平行
ビームとされ、アパーチア101によりその一部をとり
出され、EXBマスフィルター(質量分離装置)102
を通過する際にEXBマスフィルター102の電源制御
部115によってこれにかける電界E、磁界Bを調節
し、特定の質量のイオンのみが直進して下部のアパーチ
ア103を通過し、他の質量のイオンはビーム104の
ように方向が曲げられて、アパーチア103により蹴ら
れて下方へ到達できないようにできる。直進したイオン
は、集束用のレンズ104,105,106で集束さ
れ、ブランキング電極73、偏向電極75,76を経
て、試料面90に到達する。 【0040】試料室102は119の通路から排気ポン
プにより排気されている。試料室120には、N2ガ
ス、O2ガスなどのガスボンベ109からのガス導入ノ
ズル107が設置されており、ボンベの弁は、コントロ
ーラ117により制御される。また試料室120に設置
された真空計110により試料室120の内部の真空度
をモニターし、コントローラ117により一定のガス濃
度となるように弁108をコントロールする。試料室に
は、二次電子ディテクター86の他に4重極質量分析管
などの2次イオン質量分析計111を有しており、試料
90にイオンビームが照射されるときこれより出来る2
次イオンの質量分析を行なう系は1つの制御装置118
により制御され、2次イオン質量分析計111のコント
ローラ112の信号はこれに入る。また113はイオン
源電源制御部で、イオン源のヒータ65の電流、引出し
電極66の電圧、コントロール電極67の電圧等をコン
トロールするものである。114は第1レンズの電源制
御部で、第1レンズ70,71,72を制御するもので
ある。115は電源制御部で、EXBマスフィルタ10
2の電源を制御するものである。116は電源制御部で
第2レンズ104,105,106の電源を制御するも
のである。 【0041】118は制御装置で、イオン源電源制御部
113、第1レンズの電源制御部114、EXBマスフ
ィルタの電源制御部115及び第2レンズの電源制御部
116等を全て制御する。この他、図では省略されてい
るがブランキング電極73、偏向電極75,76の電源
制御部も制御装置118によりコントロールをうける。 【0042】図14aは、二次イオン質量分析管の出力
を示すものである。図14bのようにSi上にAlの薄膜
を有する試料の上部からイオンビームにより加工してゆ
く場合において、2次イオン電流は図14aのようには
じめはAlのみ(実線)を示す。しかしAlとSiの境界
が近くなると、Si(点線)がみられるようになり、境
界においてこれが交替し、更に加工を続けるとAlが出
なくなってSiのみとなる。このようにして加工が境界
部に達した時点t1を検出することができる。この信号
を用いれば図13の制御装置118によりAlのみが加
工された時点t1でイオンビームの照射を止めるなどの
制御を行なうことができる。 【0043】図13によれば、図12bのように上部の
パツシベーシヨン膜を除いてAl配線を切断した後にパ
ツシベーシヨン膜の穴を埋めることができる。すなわ
ち、イオン源65としてたとえばAu−Si合金イオン源
を用いてEXBマスセパレータ102によりAuイオン
のみをとり出して加工し、図12bのようにパツシベー
シヨン膜、Al配線を加工した後、EXBマスセパレー
タにかける電界、磁界を変更し、Siイオンのみをとり
出すようにする。また、ガスボンベ109の弁108を
開き、O2ガスを試料室120へ導入し、真空計により
圧力を測定して一定の圧力になるようにコントローラ1
17で弁108の開閉を制御する。 【0044】また、第1レンズと第2レンズにかける電
圧を電源制御部114,116で変更してイオンビーム
が試料部へ数KeV〜数10eVのエネルギーで微細に集
束されつつ入射するようにする。(加工を行なう場合は
エネルギーは10KeV以上である。)このような低エ
ネルギーでは、イオンビームは試料表面に付着し、デポ
ジションが行なわれる。 【0045】以上のようであるから、図12bパツシベ
ーシヨン膜18の開孔部にO2雰囲気中でSiイオンビー
ムを照射し、これにより図15に示したようにSiO2膜
111を蒸着することができる。 【0046】導入するガスとしてO2の代りにN2を用い
れば、Si3N4膜を蒸着することもできる。これにより
Al配線の切断部の上のパツシベーシヨン膜の孔を埋め
て、パツシベーシヨン膜の再コートを行なうことがで
き、素子の劣化を防ぐことができ、また電気特性を安定
化できる。 【0047】図16a〜eは図13に示した装置による
新たな実施例である。すなわちAl配線が上下二層に走
っていてその交叉部において下層部をイオンビームで切
断する方法を示す。 【0048】図16aにおいてSi301の上にSiO2
の絶縁膜309を介してAl配線302が左右に走り、
その上にSiO2絶縁膜303を介してAl配線304が
紙面垂直方向に走っている。さらにその上にSiO2のパ
ツシベーシヨン膜305が形成されている。この場合に
おいて下部のAl配線309のみを切断する方法を以下
に示す。図13の装置でイオン源65としてAl−Si合
金イオン源を用いEXBマスセパレータ102によりA
lイオンビームのみを分離して下方へとり出し、図16
aの試料に照射して下部のAl配線まで加工し、図16
bのごとき断面を得る。次にEXBマスセパレータ10
2の電界磁界を変更して、Siイオンバームのみを下方
へとりだし、またガスボンベ109からO2を試料室1
02へ導入する。またレンズの電圧をコントロールして
数KeV以下のエネルギーでSiイオンビームが集束しつ
つ試料に照射されるようにする。このようにして前に詳
しく述べた方法によりSiO2膜をもとの上部Al配線の
下部の高さまで加工部に蒸着して図16cのごとき断面
を得る。さらにその後試料室をO2ガスを止めて排気し
た無酸素雰囲気にし、かつEXBマスセパレータ102
によりAlのみをとり出し、数KeV以下のエネルギーに
て図16dの307のようなAl蒸着層を得て、もとの
上部Al配線を再形成する。さらに前と同じ方法でこの
上にSiO2膜308を蒸着してパツシベーシヨン層とす
る。以下によりAl配線の交叉部において下部のAl配線
のみの切断を行なうことができた。 【0049】上記図13は合金イオン源を用いてEXB
マスセパレータによりそのうちの一種類の金属をとり出
すやり方であるが、適当な合金イオン源が存在しない場
合は何種かのイオン源を用意して切換る必要がある。図
17aはこのような装置の一例であり、図17bはその
断面を示すものである。図17aにおいて、鏡筒部40
3はレンズ413デフレクタ414などの素子をふく
む。イオン源部は複数個の異なる元素イオン源の容器4
06a,406b,406c,…が円柱状の回転体41
5にとりつけられており、鏡筒部に接続した真空容器4
16に納められている。これらのイオン源容器はイオン
源部407a,407b,407c,…引出し電極40
8a,408b,408c,…コントロール電極409
a,409ba,409,…を含んでいる。ヒータ電流、
引出し電圧、コントロール電圧等は高圧ケーブル412
によりターミナルをかねた導入端子411を介して分岐
ケーブル410a,410b,410c,…により各イ
オン源へと導入されている。図17aにおいて407a
のイオン源が光学系と接続されて用いられているが、回
転体415を軸405を中心に回転させてイオン源40
7b,407c,…に切換えて用いることができる。こ
の装置において光学系の軸にイオン源が高精度に合致さ
れるような角度よみとり機構、微調機構、固定機構がと
りつけられているが図では省略されている。 【0050】この装置を用いれば図13の場合のように
特定の合金をつくる金属イオン種だけでなく、任意の液
体金属イオン源(あるいはその他の種類のイオン源)の
組合せにより上記した配線修理プロセスの遂行が可能と
なる。 【0051】上記実施例では液体金属イオン源を用いた
場合につき説明したが、他の種類の高輝度イオン源、例
えば極低温の電界電離イオン源、マイクロ放電形イオン
源を適用することができる場合がある。 【0052】 【発明の効果】本発明によれば、1μm以下の配線幅の
配線上に保護膜を被覆したVLSI,ULSI等の完成
されたIC素子に対して、従来のレーザ加工法では良好
な加工が困難であった上部にパツシベーシヨンコートを
有するような微細な配線部について配線切断加工個所等
に局所成膜によって修正加工して、その個所の保護や配
線間の配線接続ができ、その結果不良箇所の解析、修正
などを行なうことができ、開発期間の大幅な短縮、開発
時における歩留り向上などを実現することができる効果
を奏する。
配線パターンの修正を行なうIC素子の修正方法に関す
るものである。 【0002】 【従来の技術】半導体集積回路、CaAs素子、磁気バル
ブメモリ、ジョセフソン素子などにおいてはパターン
幅、配線幅が微細化の一途をたどっている。すなわち3
μ幅から2μ幅の素子が実現され、そして1.5μ,1
μ、サブミクロンの配線幅の素子が開発されつつある。
これらの素子に対し、従来、デバイス開発段階において
デバッグのための配線切断が、また素子の製作段階にお
いて不良箇所の救済、書込み、抵抗値、容量、調整のた
めの素子の一部の切断、接続などの手段がとられてき
た。 【0003】以下代表的な用例としてデバッグのための
Al配線の切断につき述べる。以下がAuやPoli Sili
con等の配線にも適用できることは明らかである。 【0004】半導体集積回路(以下“IC”とよぶ)に
おいては設計開発工程において設計不良、プロセス不良
のため、試作したチップがそのままでは動作しないこと
が多い。この場合不良箇所を判定するためには、その周
辺の配線を切断して動作試験等を行なうことが必要とな
る。5μ以上のパターンにおいてはこのための手段とし
て顕微鏡でデバイスを観察しながらマニユピレータにと
りつけた細い金属針により引っかいて切断する方法が用
いられていた。しかしながらこの方法は成功率が低く熟
練を要するため3μパターン以下のICでは使用不可能
である。図1にレーザによりICの配線の切断を行なう
装置を示す。レーザ発振器1から出たレーザビーム1a
はミラー2で反射されて後、レンズ3a,3bの組合せ
から成るビームエクスパンダー3によりビーム径を拡げ
られ、可変スリット5,6による矩形パターンの縮小投
影像をレンズ7により載物台9の上に置かれた試料8の
上に結像する。この場合において参照光用ランプ2aか
らの光は凹面鏡2bにより反射され、レンズ2cにより
平行ビームとされてレーザビームと同じ経路を通って配
線上に結像するのでこれを用いてレーザ除去部の位置決
め等が可能となる。すなわち図2aにおいてAl配線部
11は配線のない部分10に隣接している。すなわちそ
の断面は図2bのようであり、Si基板13上にSiO2
の絶縁層14を介してAl配線15が形成されている。
図1において参照光2dによるスリット5,6の像12
が投影されるが、スリットの幅をマイクロメータ5a,
6aにより調整して切断すべき配線11の幅に合わせ
る。そののちレーザを照射すればレーザ光は全く同じ位
置12に結像してこの部分を除去する。この場合に以下
のような問題が存在した。すなわちレーザにより溶融し
た部分が周辺に飛散して隣接部分に付着し、特性を劣化
し、また短絡を生じたりする。また下部のSiへ損傷を
生じさせ、またSiの一部が溶融して盛上ることにより
Al配線との短絡を生じさせる。また配線の側方におい
ても隣接するAl配線のない部分に影響を与えて下部の
Siを損傷し、また上記と同様なAl−Siの短絡を生じ
させやすい。これは主としてレーザの照射領域の位置決
めが困難でレーザ光の一部がAl配線のない部分に照射
されたり、熱伝導とAlの飛散の際、隣接するSi部分に
損傷を与えるためである。 【0005】特に図4(a)のように、AL配線15の
上にパッシベーション膜18がコートされている場合、
これらの膜18は一般にSiO2,Si3N4などでで
きていてレーザ光に対して透明であるため、直接レーザ
により加工されず下部のAl配線15がレーザを吸収
し、熱エネルギーを受けて、上部のパッシベーション膜
を破って飛び出してゆくことになる。したがって、この
場合には、飛散するAl粒子はパッシベーション膜がな
いときに比べてはるかに高いエネルギーを有しており、
図4(b)にみられるように下部や周辺に損傷を与えや
すくまたパッシベーション膜自体にもクラックを生じた
りする。さらに切断部分はパッシベーション膜に穴があ
いてしまい容易にこれを埋める方法がないため特性の劣
化を来すというような問題があった。 【0006】さらに、根本的な問題として、ICが微細
化、高集積化して配線幅が2μm〜1.5,1μmそし
てサブミクロンと狭くなっていく傾向に対してレーザ加
工による配線切断法は限界を有する。すなわち図1に示
した結像投影法によってもまた、図5のごとくレンズ2
1によりビームを細く絞り、焦点22に試料をおいてこ
れを加工する場合でもレーザ光の回折限界のため波長
(可視光で0.5μm)スポット径を得ることは困難で
ある。さらにレーザ加工法では材料がレーザ光を吸収し
てこれが熱に変化してからこれを吹き飛ばすという過程
を経るため熱伝導や溶融噴出などによる周辺の影響を避
けることは不可能であり、加工域、熱影響域はスポット
径よりも大きくなってしまうのが常であった。すなわち
実用的な最小加工寸法は1μm程度であり、このため1
μm以下の配線パターンに対してレーザ加工法を適用す
ることは困難であった。また、従来技術として特開昭5
6ー80131号公報、特開昭56ー94630号公
報、アプライド フィジックスレター「ア ハイインテ
ンシテイ スキャンニング イオン プローブ ウィズ
サブマイクロメータ スポット サイズ(Appl.
Phys.Lett.34(5),“A highin
tensity scanning ionplobe
with submicrometer spot
size”)P310−311、1979年3月1日発
行、および理化学研究所半導体工学研究室応用物理学会
応用電子物性分科会日本学術振興会荷電粒子ビームの工
業への応用第132委員会第13回シンポジウム「イオ
ン注入とサブミクロン加工」昭和57年2月3日ー5日
第19頁ー第22頁「液体金属イオン源による微笑集束
装置」が知られている。いずれの従来技術も、単に集束
イオンビームによるスパッタエッチング加工技術が記載
されているに過ぎないものである。そしてSIM観察装
置は、単にスパッタエッチング加工された状態を観察す
るものに過ぎないものである。 【0007】 【発明が解決しようとする課題】本は発明の目的は、上
記した従来のレーザ加工によるICの配線切断法とその
装置の欠点をなくして、1μm以下の極微細配線上に段
差状の保護膜を有するVLSI,ULSI等の完成され
たIC素子に対して、保護膜の下層に存在する配線を切
断した後所望の個所に絶縁膜や配線層等を局所成膜して
不良個所の解析、修正などを行い、開発期間の大幅な短
縮、開発時における歩留り向上などを実現できるように
したIC素子の加工装置を提供することにある。 【0008】 【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、IC素子の修正方法を、高輝度イオン源
から放射された高輝度イオンビームを集束させ、この集
束させた高輝度イオンビームを内部の真空度がモニタさ
れている試料室の記内部に設置したIC素子の表面に走
査して照射し、この照射によりIC素子の表面から発生
する2次電子または2次イオンを検出し、この検出した
2次電子または2次イオンに基づいてIC素子表面のS
IM像を表示し、モニタされた試料室の内部の圧力に基
づいて開閉を制御される弁を介して外部から処理室の内
部にノズルにより成膜材料成分を含むガスを供給し、こ
の供給された成膜材料成分を含むガスの雰囲気中で表示
されたSIM像に基づいて集束させた高輝度イオンビー
ムをIC素子の所望の個所に走査して照射することによ
りIC素子上に局所成膜する方法とした。 【0009】 【0010】また本発明は、上記目的を達成するため
に、IC素子の修正方法を、複数のイオン源を備えた高
輝度イオン源から複数のイオン源を切り換えて第1のイ
オン種からなる高輝度イオンビームをイオンビーム光学
系の光軸に合致させて引き出し、この引き出した高輝度
イオンビームを集束させ、この集束させた高輝度イオン
ビームをIC素子の表面に走査して照射し、この照射に
よりIC素子の表面から発生する2次電子または2次イ
オンを検出し、この検出した2次電子または2次イオン
に基づいてIC素子表面のSIM像を表示し、この表示
されたSIM像に基づいて高輝度イオンビームをIC素
子の表面の所望の個所を走査して照射することによりI
C素子上の所望の個所に第1の局所成膜を行い、次に複
数のイオン源を切り換えて第2のイオン種からなる高輝
度イオンビームをイオンビーム光学系の光軸に合致させ
て引き出し、この引き出した高輝度イオンビームを集束
させ、この集束させた高輝度イオンビームをIC素子の
表面に走査して照射することにより第1の局所成膜をし
た上に第2の局所成膜を行うようにした。 【0011】 【作用】特に本発明の場合、0.3〜0.1μないしはそ
れ以下のスポット径が得られること、かつ加工のプロセ
スがイオンとターゲット原子との衝突、散乱によるスパ
ッタ加工であるため熱拡散による周辺への影響がほとん
どないことから、0.3μ以下の寸法、加工が可能であ
り、しかも0.3μm以下のスポット径のイオンビーム
を局所成膜しようとする箇所付近の保護膜(パツシベー
シヨン膜)表面の観察領域に投影して走査させて照射
し、この走査して投影照射された保護膜表面の観察領域
から発生する2次電子または2次イオンを2次荷電粒子
検出器で検出して走査イオン顕微鏡に前記観察領域の拡
大SIM画像を表示して拡大観察し、この拡大観察され
た拡大SIM画像に基づいて図9bに示すように偏向電
極による走査領域を制御して、前記局所成膜しようとす
る箇所において前記荷電粒子光学系により0.3μm以
下のイオンビームスポット径にして投影させたイオンビ
ームを走査照射して絶縁膜等を局所成膜することによっ
て配線切断個所等の保護をはかることができ、また局所
配線膜を形成して切断した配線間を接続することもでき
る。 【0012】 【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
6に本発明に係る配線切断装置の一実施例を示す。 【0013】この図6に示す装置は、架台37、真空容
器を構成する鏡筒39と試料室40、該試料室40に連
設された試料交換室41、真空排気系、試料であるマス
クの載物台55、液体金属イオン源65、コントロール
(バイアス)電極66、イオンビームの引出し電極6
7、アパーチア69、静電レンズ70,71,72、ブ
ラシキング電極73、アパーチア74、偏向電極75,
76、フィラメント用電源77、コントロール電極用電
源78、引出し電極用電源79、静電レンズ用電極8
0,81、高圧電源82、ブランキング電極用電源8
3、偏向電極用電源84、電源の制御装置85、試料室
40内に挿入された2次荷電粒子検出器86、SIM
(走査型イオン顕微鏡)観察装置87、イオンビームの
電荷によるスポットの乱れを防ぐ手段89とを備えてい
る。 【0014】前記架台37は、エアサポート38により
防震措置が施されている。前記試料室40および試料交
換室41は、前記架台37の上に設置され、試料室40
の上に鏡筒39が設置されている。 【0015】前記試料室40と鏡筒39とは、ゲートバ
ルブ43で仕切られており、試料40と試料交換室41
とは、他のゲートバルブ43で仕切られている。 【0016】前記真空排気系は、オイルロータリポンプ
47、オイルトラップ48、イオンポンプ49、ターボ
分子ポンプ50、バルブ51,52,53,54、とを
有して構成されている。この真空排気系と前記鏡筒3
9、試料室40、試料交換室41とは真空パイプ44,
45,46を介して接続され、これら鏡筒39、試料室
40、試料交換室41とは真空パイプ44,45,46
を介して接続され、これら鏡筒39、試料室40、試料
交換室41を10~5torr以下の真空にしうるようになっ
ている。 【0017】前記載物台55には、回転導入端子61,
62,63を介してX,Y,Z方向の移動マイクロメー
タ56,57,58が取付けられ、かつθ方向の移動リ
ング59が設けられており、載物台55はこれら移動マ
イクロメータ56,57,58と移動リング59とによ
りX,Y,Z方向の微動および水平面内における回転角
が調整されるようになっている。 【0018】前記載物台55の上には、試料台60が設
置され、該試料台60の上に試料が載置されるようにな
っている。そして、試料台60は試料引出し具64によ
り試料室40と試料交換室41間を移動しうるようにな
っており、試料交換時にはゲートバルブ43を開け、試
料台60を試料室40に引出し、ゲートバルブ43を閉
じ、試料交換室41の扉を開け、試料の交換、載置し、
扉を閉め、試料交換室41の予備排気を行なってからゲ
ートバルブ43を開け、試料台60を試料室40に入れ
るようになっている。なお、図6において試料を符号9
0で示す。 【0019】前記液体金属イオン源65は、鏡筒39の
頭部に、試料室40に対峙して設けられている。この液
体金属イオン源65の図7に示すものは、絶縁体で作ら
れたベース650、該ベス650にU型に取付けられた
フィラメント651,652、タングステン等で作られ
かつ両フィラメント651,652の先端部間にスポッ
ト溶接等で取付けられた鋭いニードル653、該ニード
ル653に取付けられたイオン源となる金属654とを
有して構成されている。イオン源となる金属654とし
ては、Ca,In,Au,Bi,Sn,Cu等が用いられる。
また前記フィラメント651,652はその電極65
1′,652′を通じて図6に示すように、高圧電源8
2に接続されたフィラメント用電源77に接続されてい
る。 【0020】前記コントロール電極66は、液体金属イ
オン源65の下位に設置され、かつ高圧電源82に接続
されたコンクリート電極用電源78に接続されており、
このコントロール電極66の設置位置に低い正負の電圧
を印加し、イオンビームである電流を制御する。 【0021】前記イオンビームの引出し電極67は、コ
ントロール電極66の下位に設置され、かつ高圧電源8
2に接続された引出し電極用電源79に接続されてい
る。そして、前記液体金属イオン源65のフィラメント
651,652に電流を供給し、10~5torr以下の真空
中において加熱溶融したうえで、引出し電極67に−数
10KVの負の電圧を印加すると、液体金属イオン源6
5のニードル653の先端部の極めて狭い領域からイオ
ンビームが引出される。なお、図6中のイオンビームを
符号68で示し、またスポットを符号68′で示す。 【0022】前記アパーチア69は、引出し電極67の
下位に設置されており、引出し電極67により引出され
たイオンビームの中央部付近のみを取出すようになって
いる。前記静電レンズ70,71,72の組は、アパー
チア69の下位に配列され、かつ高圧電源82に接続さ
れたレンズ用電源80,81に接続されている。これら
の静電レンズ70,71,72は、アパーチア69によ
り取出されたイオンビームを集束するようになってい
る。 【0023】前記ブランキング電極73は、静電レンズ
72の下位に設置され、かつ制御装置85に接続された
ブランキング電極用電源83に接続されている。このブ
ランキング電極73は、極めて速い速度でイオンビーム
を試料に向かう方向と直交する方向に走査させ、ブラン
キング電極73の下位に設置されたアパーチア74の外
べはずし、IC素子へのイオンビームの照射を高速で停
止させるようになっている。 【0024】前記アパーチア74は、静電レンズ70,
71,72で集束されたイオンビームのスポットを、図
4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.1μm
乃至はそれ以下のスポット径で投影結像させるようにな
っている。 【0025】前記偏向電極75,76の組は、アパーチ
ア74の下位に設置され、かつ制御装置85に接続され
た偏向電極用電源84に接続されている。この偏向電極
75,76は、前記静電レンズ70,71,72で集束
されたイオンビームのスポットをX,Y方向に偏向さ
せ、図4または図16aに示すIC素子上に0.3〜0.
1μm乃至はそれ以下のスポット径で結ばせるようにな
っている。 【0026】前記液体金属イオン源65のフィラメント
用電源77、コントロール電極用電源78、イオンビー
ムの引出し電極用電源79、レンズ用電源80,81に
電圧を印加する高圧電源82には、数10KVのものが
使用される。 【0027】前記制御装置85は、ブランキング電極用
電源83および偏向電極用電源84を通じて、ブランキ
ング電極73および偏向電極75,76を一定のパター
ンにしたがって作動するように制御する。 【0028】前記2次荷電粒子検出器86は、試料室4
0内においてIC素子である試料に向かって設置され、
制御装置85からの制御信号により、ブランキング電極
用電源83を介してブランキング電極73および偏向電
極用電源84を介して偏向電極75,76が制御され、
図4または図16aに示すIC素子の段差を有するパツ
シベーシヨン膜(保護膜)18の表面の観察領域に、
0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のスポット径のイオン
ビームスポットが走査照射されたとき、段差を有するパ
ツシベーシヨン膜18の表面から出る2次電子または2
次イオンを受止め、段差に応じたその強度を電流の強弱
に変換し、その信号をSIM観察装置87に送るように
なっている。 【0029】前記SIM観察装置97は、ブラウン管8
8を備えている。そして、SIM観察装置87は、観察
領域について観察すべく、偏向電極用電源84からイオ
ンビームのX,Y方向の偏向量に関する信号を受け、こ
れと同期させてブラウン管88の輝点を走査し、かつそ
の輝点の輝度を前記2次荷電粒子検出器86から送られ
てくる電流強度の信号に応じて変化させることにより、
段差を有するパツシベーション膜18の表面上の各点に
おける2次電子放出能に応じた段差像が得られるSI
M、即ち走査型イオン顕微鏡の機能により、IC表面の
拡大観察を行ない得るようになっている。 【0030】前記イオンビームの電荷によるスポットの
乱れを防ぐ手段89は、偏向電極76とIC素子間に設
置されている。このスポットの乱れを防ぐ手段89の図
8に示すものは、イオンビームの通過方向と交差する方
向に電子シャワ890,891を対向装置しており、各
電子シャワ890,891はカップ型の本体892、そ
の内部に設けられたフィラメント893、本体892の
開口部に設けられた格子状の引出し電極894とを有し
て構成されている。そして、各電子シャワ890,89
1はフィラメント893から引出し電極894により1
00V程度の加速電圧で電子流895を引出し、該電子
流895をイオンビームの通過する空間に放出し、イオ
ンビームに負電荷を与えて中和するようになっている。
この図8中、符号68はイオンビーム、75,76は偏
向電極、90はIC素子である試料を示す。 【0031】次に、図6ないし図9a,bに関連して前
記実施例の素子修正装置の作用とともに本発明の素子修
正方法の一実施例態様を説明する。IC素子である試料
90を試料交換室41内において試料台60の上に載置
しついで試料交換室41を密閉し、真空排気系による予
備排気を行なった後、試料引出し具64を介して試料室
40に入れ、載物台55の上に載置する。 【0032】ついで、真空排気系により鏡筒39と試料
室40内を10~6torr程度に真空引きし、その真空状態
に保つ。 【0033】次に、図6に示す装置において、試料とし
て図4または図16aに示すICチップまたはウエハを
載物台90の上に設置して配線切断する方法について説
明する。まず、高圧電源82によりフィラメント用電源
77、コントロール電極用電源78、及び引出し電極用
電源79を作動させて、液体金属イオン源のアパーチア
69から高輝度イオンビームを引出すと共にレンズ用電
源80,81を作動させて静電レンズ70,71,72
及びアパーチア70により0.3〜0.1μm乃至はそれ
以下のスポット系に集束させ、イオンビーム照射条件を
低エネルギーのビームにして、制御装置85からの制御
信号によりブランキング電極用電源83及び偏向電極用
電源84を介してブランキング電極73及び偏向電極7
5,76を制御して、ICチップまたはウエハのパツシ
ベーシヨン膜18の表面の観察領域に、0.3〜0.1μ
m乃至はそれ以下のスポット径のイオンビームスポット
が走査照射し、段差を有するパツシベーシヨン膜18の
表面上の各点における2次荷電粒子検出器86から出力
される2次電子または2次イオンによるパツシベーショ
ン膜18の段差表面の拡大像をSIM観察装置87のブ
ラウン管88により観察し、観察される拡大像から得ら
れるパツシベーシヨン膜18の段差情報に基いて図9a
に示す1μm以下の配線を切断すべく範囲(切断個所)
を設定する。そして、インオビーム照射条件をスパッタ
加工できるようにエネルギーを10KeV以上にして、
制御装置85からの制御信号により設定された配線の切
断すべき個所に、0.3〜0.1μm乃至はそれ以下のス
ポット径に集束されたイオンビームスポットを走査照射
して、図12aまたは図16bに示すようにパッシベー
シヨン膜18に穴をあけ、更に図12bまたは図16b
に示すようにその穴の下に位置する配線をスパッタ加工
して除去し、切断する。この場合、走査幅と配線幅を一
致させることが必要であり、これは偏向電圧の制御系に
より高精度を行なうことができる。 【0034】図9a,bにこの場合のスパッタ加工法に
より配線を切断する場合を示す。図9aにおいてパツシ
ベーシヨン膜18が被覆されたICチップまたはウエハ
上のAl配線のうち、12で示す矩形部分が切断する除
去すべき範囲であるとする。このとき、SIM像として
観察されたパツシベーシヨン膜18の段差位置情報に基
いて設定された12の部分に対して図9bに示す如く集
束イオンビーム200a,200b,200d,200
c,…,200zの順に偏向電極75,76により走査
しつつ、集束照射して照射部のパッシベーシヨン膜18
への穴あけと照射部の配線を除去して切断とを行なう。 【0035】図10は、本発明の実施例ではないところ
の参考図であり、図6の装置においてイオンビーム光学
系の構成をアパーチアの投影方式にかえた構成を示すも
のである。すなわち高輝度イオン源210から出たイオ
ンビームは静電レンズ201,202,203により平
行ビームとなりアパーチア204,205,206,2
07に入射する。このイオンビーム光学系は、図1に示
したレーザ光学系と同様の構成であり、アパーチアの像
をレンズ208,209により試料210上に縮小結像
投影するものである。ここで211は投影された像を示
す。たとえばレンズ208,209が倍率40倍のレン
ズとなるらばアパーチア部においてマイクロメータヘッ
ド204a,205a,206a,207aを調整して
40μの矩形を±2μの精度で設定するならば収差を無
視したとき試料表面においては1μの矩形のイオンビー
ム像が±0.05μの精度で設定されることになる。し
たがって高精度の位置決めが容易に行なえ、有利であ
る。この場合は図9aにおいて矩形12の部分にイオン
ビームが照射されるようにアパーチアを設定しイオンビ
ームの照射をして配線11の切断を行なう。 【0036】図6に示すようなイオンビーム光学系を用
いて図2bに示す如く、本発明の対象外であるパツシベ
ーシヨン膜のないICの配線切断を行なう場合において
もイオンビームのスパッタリング加工によりAl配線1
5のみが精度よく周辺への影響の損傷なしに除去でき、
図11のような断面が得られる。 【0037】次に図4のごときパツシベーシヨンコート
を有する配線の切断を行なう場合においては、イオンビ
ームによる加工では表面のパツシベーシヨン膜から順に
加工してゆくため、まず図12aのごとくAl配線15
の表面までパツシベーシヨン膜18を加工し、次に、A
l配線15を加工して図12bのごとき断面を得る。こ
の場合においてもレーザ加工の場合と異なり、周辺の損
傷、パツシベーシヨン膜のクラック、下部及び隣接部へ
の損傷は全くみられない。 【0038】図13は本発明の別の実施例である装置の
主要断面図を示す。ここで真空排気系、二次電子像ディ
スプレー、試料交換室、架台等は図6と同様であり、省
略されている。 【0039】液体金属イオン源65はAl−Si,Au−
Siなどの合金イオン源であるとする。引出し電極66
により引出され、コントロール電極67により制御を受
けたイオンビームはレンズ70,71,72により平行
ビームとされ、アパーチア101によりその一部をとり
出され、EXBマスフィルター(質量分離装置)102
を通過する際にEXBマスフィルター102の電源制御
部115によってこれにかける電界E、磁界Bを調節
し、特定の質量のイオンのみが直進して下部のアパーチ
ア103を通過し、他の質量のイオンはビーム104の
ように方向が曲げられて、アパーチア103により蹴ら
れて下方へ到達できないようにできる。直進したイオン
は、集束用のレンズ104,105,106で集束さ
れ、ブランキング電極73、偏向電極75,76を経
て、試料面90に到達する。 【0040】試料室102は119の通路から排気ポン
プにより排気されている。試料室120には、N2ガ
ス、O2ガスなどのガスボンベ109からのガス導入ノ
ズル107が設置されており、ボンベの弁は、コントロ
ーラ117により制御される。また試料室120に設置
された真空計110により試料室120の内部の真空度
をモニターし、コントローラ117により一定のガス濃
度となるように弁108をコントロールする。試料室に
は、二次電子ディテクター86の他に4重極質量分析管
などの2次イオン質量分析計111を有しており、試料
90にイオンビームが照射されるときこれより出来る2
次イオンの質量分析を行なう系は1つの制御装置118
により制御され、2次イオン質量分析計111のコント
ローラ112の信号はこれに入る。また113はイオン
源電源制御部で、イオン源のヒータ65の電流、引出し
電極66の電圧、コントロール電極67の電圧等をコン
トロールするものである。114は第1レンズの電源制
御部で、第1レンズ70,71,72を制御するもので
ある。115は電源制御部で、EXBマスフィルタ10
2の電源を制御するものである。116は電源制御部で
第2レンズ104,105,106の電源を制御するも
のである。 【0041】118は制御装置で、イオン源電源制御部
113、第1レンズの電源制御部114、EXBマスフ
ィルタの電源制御部115及び第2レンズの電源制御部
116等を全て制御する。この他、図では省略されてい
るがブランキング電極73、偏向電極75,76の電源
制御部も制御装置118によりコントロールをうける。 【0042】図14aは、二次イオン質量分析管の出力
を示すものである。図14bのようにSi上にAlの薄膜
を有する試料の上部からイオンビームにより加工してゆ
く場合において、2次イオン電流は図14aのようには
じめはAlのみ(実線)を示す。しかしAlとSiの境界
が近くなると、Si(点線)がみられるようになり、境
界においてこれが交替し、更に加工を続けるとAlが出
なくなってSiのみとなる。このようにして加工が境界
部に達した時点t1を検出することができる。この信号
を用いれば図13の制御装置118によりAlのみが加
工された時点t1でイオンビームの照射を止めるなどの
制御を行なうことができる。 【0043】図13によれば、図12bのように上部の
パツシベーシヨン膜を除いてAl配線を切断した後にパ
ツシベーシヨン膜の穴を埋めることができる。すなわ
ち、イオン源65としてたとえばAu−Si合金イオン源
を用いてEXBマスセパレータ102によりAuイオン
のみをとり出して加工し、図12bのようにパツシベー
シヨン膜、Al配線を加工した後、EXBマスセパレー
タにかける電界、磁界を変更し、Siイオンのみをとり
出すようにする。また、ガスボンベ109の弁108を
開き、O2ガスを試料室120へ導入し、真空計により
圧力を測定して一定の圧力になるようにコントローラ1
17で弁108の開閉を制御する。 【0044】また、第1レンズと第2レンズにかける電
圧を電源制御部114,116で変更してイオンビーム
が試料部へ数KeV〜数10eVのエネルギーで微細に集
束されつつ入射するようにする。(加工を行なう場合は
エネルギーは10KeV以上である。)このような低エ
ネルギーでは、イオンビームは試料表面に付着し、デポ
ジションが行なわれる。 【0045】以上のようであるから、図12bパツシベ
ーシヨン膜18の開孔部にO2雰囲気中でSiイオンビー
ムを照射し、これにより図15に示したようにSiO2膜
111を蒸着することができる。 【0046】導入するガスとしてO2の代りにN2を用い
れば、Si3N4膜を蒸着することもできる。これにより
Al配線の切断部の上のパツシベーシヨン膜の孔を埋め
て、パツシベーシヨン膜の再コートを行なうことがで
き、素子の劣化を防ぐことができ、また電気特性を安定
化できる。 【0047】図16a〜eは図13に示した装置による
新たな実施例である。すなわちAl配線が上下二層に走
っていてその交叉部において下層部をイオンビームで切
断する方法を示す。 【0048】図16aにおいてSi301の上にSiO2
の絶縁膜309を介してAl配線302が左右に走り、
その上にSiO2絶縁膜303を介してAl配線304が
紙面垂直方向に走っている。さらにその上にSiO2のパ
ツシベーシヨン膜305が形成されている。この場合に
おいて下部のAl配線309のみを切断する方法を以下
に示す。図13の装置でイオン源65としてAl−Si合
金イオン源を用いEXBマスセパレータ102によりA
lイオンビームのみを分離して下方へとり出し、図16
aの試料に照射して下部のAl配線まで加工し、図16
bのごとき断面を得る。次にEXBマスセパレータ10
2の電界磁界を変更して、Siイオンバームのみを下方
へとりだし、またガスボンベ109からO2を試料室1
02へ導入する。またレンズの電圧をコントロールして
数KeV以下のエネルギーでSiイオンビームが集束しつ
つ試料に照射されるようにする。このようにして前に詳
しく述べた方法によりSiO2膜をもとの上部Al配線の
下部の高さまで加工部に蒸着して図16cのごとき断面
を得る。さらにその後試料室をO2ガスを止めて排気し
た無酸素雰囲気にし、かつEXBマスセパレータ102
によりAlのみをとり出し、数KeV以下のエネルギーに
て図16dの307のようなAl蒸着層を得て、もとの
上部Al配線を再形成する。さらに前と同じ方法でこの
上にSiO2膜308を蒸着してパツシベーシヨン層とす
る。以下によりAl配線の交叉部において下部のAl配線
のみの切断を行なうことができた。 【0049】上記図13は合金イオン源を用いてEXB
マスセパレータによりそのうちの一種類の金属をとり出
すやり方であるが、適当な合金イオン源が存在しない場
合は何種かのイオン源を用意して切換る必要がある。図
17aはこのような装置の一例であり、図17bはその
断面を示すものである。図17aにおいて、鏡筒部40
3はレンズ413デフレクタ414などの素子をふく
む。イオン源部は複数個の異なる元素イオン源の容器4
06a,406b,406c,…が円柱状の回転体41
5にとりつけられており、鏡筒部に接続した真空容器4
16に納められている。これらのイオン源容器はイオン
源部407a,407b,407c,…引出し電極40
8a,408b,408c,…コントロール電極409
a,409ba,409,…を含んでいる。ヒータ電流、
引出し電圧、コントロール電圧等は高圧ケーブル412
によりターミナルをかねた導入端子411を介して分岐
ケーブル410a,410b,410c,…により各イ
オン源へと導入されている。図17aにおいて407a
のイオン源が光学系と接続されて用いられているが、回
転体415を軸405を中心に回転させてイオン源40
7b,407c,…に切換えて用いることができる。こ
の装置において光学系の軸にイオン源が高精度に合致さ
れるような角度よみとり機構、微調機構、固定機構がと
りつけられているが図では省略されている。 【0050】この装置を用いれば図13の場合のように
特定の合金をつくる金属イオン種だけでなく、任意の液
体金属イオン源(あるいはその他の種類のイオン源)の
組合せにより上記した配線修理プロセスの遂行が可能と
なる。 【0051】上記実施例では液体金属イオン源を用いた
場合につき説明したが、他の種類の高輝度イオン源、例
えば極低温の電界電離イオン源、マイクロ放電形イオン
源を適用することができる場合がある。 【0052】 【発明の効果】本発明によれば、1μm以下の配線幅の
配線上に保護膜を被覆したVLSI,ULSI等の完成
されたIC素子に対して、従来のレーザ加工法では良好
な加工が困難であった上部にパツシベーシヨンコートを
有するような微細な配線部について配線切断加工個所等
に局所成膜によって修正加工して、その個所の保護や配
線間の配線接続ができ、その結果不良箇所の解析、修正
などを行なうことができ、開発期間の大幅な短縮、開発
時における歩留り向上などを実現することができる効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のレーザによる配線切断装置を示す構成
図。 【図2】aはそれによるAl配線の切断法を示すICの
Al配線部の平面図、bは同断面図である。 【図3】Al配線のレーザによる切断時の周辺への影響
を示す平面図。 【図4】a,bは各々試料の断面図。 【図5】従来のレーザによる配線切断装置を示す構成
図。 【図6】本発明にかかるイオンビームによる配線切断装
置の構成図。 【図7】液体金属イオン源を示す図。 【図8】電子シャワーによるビームの中性化を示す図。 【図9】a,bは各々イオンビームの走査による配線切
断を示す正面図。 【図10】本発明の実施例ではないところの投影方式に
よるイオンビームの配線切断装置構成を示す参考図。 【図11】試料断面図。 【図12】a,bは各々試料断面図。 【図13】同金イオン源と質量分析器を備えたイオンビ
ームによる配線修理装置の構成図。 【図14】aは質量分析装置の出力を示す図、bは試料
断面図。 【図15】試料断面図。 【図16】a〜eは下部の配線を切断する方法を示す断
面図。 【図17】aは多くのイオン鏡をそなえたイオンビーム
による配線切断装置を示す図、bはその断面図である。 【符号の説明】 37…架台、 40…試料室。 41…試料交換室、 55…載物台、 65…液体金属イオン源、 85…2次荷電粒子検出器。
図。 【図2】aはそれによるAl配線の切断法を示すICの
Al配線部の平面図、bは同断面図である。 【図3】Al配線のレーザによる切断時の周辺への影響
を示す平面図。 【図4】a,bは各々試料の断面図。 【図5】従来のレーザによる配線切断装置を示す構成
図。 【図6】本発明にかかるイオンビームによる配線切断装
置の構成図。 【図7】液体金属イオン源を示す図。 【図8】電子シャワーによるビームの中性化を示す図。 【図9】a,bは各々イオンビームの走査による配線切
断を示す正面図。 【図10】本発明の実施例ではないところの投影方式に
よるイオンビームの配線切断装置構成を示す参考図。 【図11】試料断面図。 【図12】a,bは各々試料断面図。 【図13】同金イオン源と質量分析器を備えたイオンビ
ームによる配線修理装置の構成図。 【図14】aは質量分析装置の出力を示す図、bは試料
断面図。 【図15】試料断面図。 【図16】a〜eは下部の配線を切断する方法を示す断
面図。 【図17】aは多くのイオン鏡をそなえたイオンビーム
による配線切断装置を示す図、bはその断面図である。 【符号の説明】 37…架台、 40…試料室。 41…試料交換室、 55…載物台、 65…液体金属イオン源、 85…2次荷電粒子検出器。
フロントページの続き
(72)発明者 宮内 建興
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(72)発明者 本郷 幹雄
神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株
式会社日立製作所生産技術研究所内
(56)参考文献 特開 昭55−50652(JP,A)
特開 昭58−2022(JP,A)
特開 昭57−132653(JP,A)
特開 昭57−30243(JP,A)
電子通信学会予稿集 81(205),
1981年12月21日,p59〜66(SSD81−
76)
「応用物理」,50(5),1981,p
542(74)〜546(78)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.高輝度イオン源から放射された高輝度イオンビーム
を集束させ、該集束させた高輝度イオンビームを内部の
真空度がモニタされている試料室の前記内部に設置した
IC素子の表面に走査して照射し、該照射により前記I
C素子の表面から発生する2次電子または2次イオンを
検出し、該検出した2次電子または2次イオンに基づい
て前記IC素子表面のSIM像を表示し、前記モニタさ
れた試料室の内部の圧力に基づいて開閉を制御される弁
を介して外部から前記処理室の内部にノズルにより成膜
材料成分を含むガスを供給し、該供給された前記成膜材
料成分を含むガスの雰囲気中で前記表示されたSIM像
に基づいて前記集束させた高輝度イオンビームを前記I
C素子の所望の個所に走査して照射することにより前記
IC素子上に局所成膜することを特徴とするIC素子の
修正方法。 2.前記局所成膜により絶縁膜を形成することを特徴と
する請求項1記載のIC素子の修正方法。 3.複数のイオン源を備えた高輝度イオン源から前記複
数のイオン源を切り換えて第1のイオン種からなる高輝
度イオンビームをイオンビーム光学系の光軸に合致させ
て引き出し、該引き出した高輝度イオンビームを集束さ
せ、該集束させた高輝度イオンビームをIC素子の表面
に走査して照射し、該照射により前記IC素子の表面か
ら発生する2次電子または2次イオンを検出し、該検出
した2次電子または2次イオンに基づいて前記IC素子
表面のSIM像を表示し、該表示されたSIM像に基づ
いて前記高輝度イオンビームを前記IC素子の表面の所
望の個所を走査して照射することにより前記IC素子上
の所望の個所に第1の局所成膜を行い、次に前記複数の
イオン源を切り換えて第2のイオン種からなる高輝度イ
オンビームを前記イオンビーム光学系の光軸に合致させ
て引き出し、該引き出した高輝度イオンビームを集束さ
せ、該集束させた高輝度イオンビームをIC素子の表面
に走査して照射することにより前記第1の局所成膜をし
た上に第2の局所成膜を行うことを特徴とするIC素子
の修正方法。 4.前記局所成膜を、ノズルにより供給された前記局所
成膜する膜の成分を含むガスの雰囲気中で形成すること
を特徴とする請求項3記載のIC素子の修正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5284663A JP2829231B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Ic素子の修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5284663A JP2829231B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Ic素子の修正方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30310987A Division JPH0680662B2 (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | Ic素子の修正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06244177A JPH06244177A (ja) | 1994-09-02 |
JP2829231B2 true JP2829231B2 (ja) | 1998-11-25 |
Family
ID=17681374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5284663A Expired - Lifetime JP2829231B2 (ja) | 1993-11-15 | 1993-11-15 | Ic素子の修正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2829231B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022054014A (ja) * | 2020-09-25 | 2022-04-06 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 金属パターンの検査方法および集束イオンビーム装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5277574A (en) * | 1975-12-24 | 1977-06-30 | Hitachi Ltd | Sample visual field selecting device |
JPS5550652A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Composite element adjusting method by ion beam |
JPS5543821A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Hitachi Ltd | Electronic drawing device |
JPS5694630A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-31 | Nec Corp | Etching method using ion-beam |
JPS584424B2 (ja) * | 1980-07-31 | 1983-01-26 | 理化学研究所 | イオンビ−ム形成方法 |
US4367429A (en) * | 1980-11-03 | 1983-01-04 | Hughes Aircraft Company | Alloys for liquid metal ion sources |
US4357364A (en) * | 1981-04-27 | 1982-11-02 | Rockwell International Corporation | High rate resist polymerization method |
JPS57186342A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-16 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
-
1993
- 1993-11-15 JP JP5284663A patent/JP2829231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
「応用物理」,50(5),1981,p542(74)〜546(78) |
電子通信学会予稿集 81(205),1981年12月21日,p59〜66(SSD81−76) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06244177A (ja) | 1994-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4609809A (en) | Method and apparatus for correcting delicate wiring of IC device | |
US6303932B1 (en) | Method and its apparatus for detecting a secondary electron beam image and a method and its apparatus for processing by using focused charged particle beam | |
EP0075949B1 (en) | Ion beam processing apparatus and method of correcting mask defects | |
US9368314B2 (en) | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system | |
JP5292545B2 (ja) | イオン源、システム及び方法 | |
JP5090255B2 (ja) | 原位置でのstemサンプル作製方法 | |
TWI373791B (en) | Proximity deposition | |
US7256405B2 (en) | Sample repairing apparatus, a sample repairing method and a device manufacturing method using the same method | |
US20110204225A1 (en) | ION Beam System and Machining Method | |
JP2003215067A (ja) | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 | |
JP3564717B2 (ja) | 集束イオンビーム発生手段を用いた処理方法及びその装置 | |
USRE33193E (en) | Ion beam processing apparatus and method of correcting mask defects | |
JP2003151479A (ja) | 帯電中和制御方法、及びそれを用いた荷電粒子線装置 | |
JPH09145896A (ja) | 高速原子線源 | |
JP2829231B2 (ja) | Ic素子の修正方法 | |
US6297503B1 (en) | Method of detecting semiconductor defects | |
JPH10223168A (ja) | 試料分析装置 | |
JP2829232B2 (ja) | Ic素子の加工装置 | |
US20230023396A1 (en) | Temperature-controlled surface with a cryo-nanomanipulator for improved deposition rate | |
JP2829254B2 (ja) | Ic素子の修正方法及びその装置 | |
JPH07161322A (ja) | エレクトロスプレイ型イオン源及びこれを用いた集束イオンビーム装置 | |
JPH0680662B2 (ja) | Ic素子の修正方法 | |
JP2746554B2 (ja) | イオンビーム除去加工方法及びその装置並びにイオンビーム局所成膜方法及びその装置 | |
JPH06244179A (ja) | Ic素子の修正方法 | |
JPH0680672B2 (ja) | Ic素子の加工装置 |